DE102006054073B4 - Vereinzelungsvorrichtung und Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats - Google Patents

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Abstract

Vereinzelungsvorrichtung zum Teilen eines Halbleitersubstrats (10) in einer Mehrzahl von Chips (41), mit:
– einem Vereinzelungsfilm (11), auf dem das Halbleitersubstrat (10) angeordnet ist;
– einem Laserelement zum Strahlen eines Laserstrahls (L) auf das Halbleitersubstrat (10), um einen Umformungsabschnitt (R) in dem Substrat (10) zu bilden; und
– einer Ausdehnungsvorrichtung (300) zum Befestigen des Vereinzelungsfilms (11) und zum Dehnen des Vereinzelungsfilms (11), um das Substrat (10) in die Chips (41) zu teilen, wobei
– der Vereinzelungsfilm (11) derart an der Ausdehnungsvorrichtung (300) befestigt ist, dass das Substrat (10) an dem Vereinzelungsfilm (11) abwärts angeordnet ist, so dass ein Partikel frei nach unten fällt, und
– das Partikel von einer Vereinzelungsoberfläche des Substrats (10) stammt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vereinzelungsvorrichtung und ein Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats gemäß den Patentansprüchen.
  • Herkömmlich wird ein Bearbeitungsobjekt, wie beispielsweise ein Halbleiterwafer, mit Hilfe eines Laserstrahls vereinzelt, d. h. geschnitten und getrennt. Dieses Laservereinzelungsverfahren ist beispielsweise in der japanischen Patentanmeldung Nr. 3408805 offenbart. Bei diesem Verfahren wird der Laserstrahl derart auf das Bearbeitungsobjekt, wie beispielsweise einen Wafer, gestrahlt, dass er auf einen Punkt innerhalb des Objekts fokussiert ist. Auf diese Weise wird durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls ein Umformungsabschnitt innerhalb des Objekts gebildet. Der Umformungsabschnitt weist eine Bruchstelle, einen Schmelzbereich oder einen Bereich auf, an dem ein Brechungsindex geändert ist. Der Umformungsabschnitt bildet einen Vereinzelungsstartpunkt, der entlang einer Vereinzelungslinie des Objekts gebildet und einen vorbestimmten Abstand von der Oberfläche des Objekts entfernt innerhalb des Objekts angeordnet ist. Der Laserstrahl wird auf die Oberfläche des Objekts gestrahlt. Das Objekt wird von dem Startpunkt an vereinzelt.
  • Ein weiteres Verfahren ist beispielsweise in der JP-A-2002-205180 offenbart. Bei diesem Verfahren wird ein Laserstrahl derart auf ein Bearbeitungsobjekt gestrahlt, dass er auf einen Punkt innerhalb des Objekts fokussiert ist. Ein Umformungsabschnitt wird innerhalb des Objekts entlang einer Schnittlinie des Objekts gebildet. Ferner wird der Brennpunkt des Laserstrahls in seiner Einfallsrichtung geändert, so dass eine Mehrzahl von Umformungsabschnitten entlang der Einfallsrichtung in dem Objekt gebildet werden. Bei diesem Verfahren werden eine Mehrzahl von Startpunkten gebildet. Folglich kann das Objekt leicht vereinzelt werden, wenn das Objekt eine hohe Dicke aufweist.
  • Ein weiteres Verfahren zum Vereinzeln eines Objekts ist beispielsweise in der JP-A-2005-1001 offenbart. Bei diesem Verfahren wird ein dehnbarer Film auf einer Seite des eine Plattenform aufweisenden Objekts, wie beispielsweise eines Substrats, gebildet. Die andere Seite des Objekts ist eine Laserstrahleinfallsoberfläche. Der Laserstrahl wird derart auf die andere Seite des Objekts gestrahlt, dass er auf einen Punkt innerhalb des Objekts fokussiert ist. Folglich wird der Umformungsabschnitt derart gebildet, dass der Vereinzelungsstartpunkt durch den Umformungsabschnitt entlang einer Schnittlinie des Objekts vorgesehen ist. Der Startpunkt ist einen vorbestimmten Abstand von der Laserstrahleinfallsoberfläche entfernt innerhalb des Objekts angeordnet. Anschließend wird der Film derart gedehnt, dass das Objekt von dem Startpunkt an getrennt und geschnitten wird. Auf diese Weise wird das Objekt in eine Mehrzahl von Chips geteilt. Da der Film bei dem Vereinzeln des Objekts gedehnt wird, wird eine geeignete Zugspannung um den Startpunkt herum aufgebracht. Folglich wird das Objekt mit einer verhältnismäßig geringen Kraft genau geschnitten.
  • Ein weiteres Verfahren zur Bearbeitung eines Substrats mit Hilfe eines Laserstrahls ist aus der EP 1 742 253 A1 bekannt.
  • Bei den obigen Verfahren kann ein Partikel, wie beispielsweise ein kleiner Splitter aus einer Schnittoberfläche, d. h. einer Vereinzelungsoberfläche, abgetrennt werden, wenn das Objekt von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt an geschnitten wird, oder nachdem das Objekt geschnitten wurde. Das Partikel ist aus einer Komponente des Objekts gebildet und erzeugt Staub.
  • Wenn Staub an einer auf einem Chip gebildeten Halbleitervorrichtung anhaftet, kann dies zu einer Fehlfunktion der Halbleitervorrichtung führen. Hierdurch wird sowohl die Ausbeute des Chips als auch die Qualität des Chips verringert.
  • Wenn beispielsweise ein monolithischer IC als Halbleitervorrichtung auf dem Chip gebildet ist, kann das Partikel dann, wenn es an dem Halbleiterelement oder an einer Verdrahtung in dem monolithischen IC anhaftet, einen Kurzschluss verursachen.
  • Wenn ein Sensor, wie beispielsweise ein Drucksensor, ein Beschleunigungssensor oder ein Ultraschallsensor, der aus einem piezoelektrischen Element und/oder einem Kondensator aufgebaut ist, oder eine Mikromaschine mit Hilfe eines MEMS-Verfahrens (MEMS = Micro-Electro-Mechanical System) auf dem Chip gebildet ist, kann das Partikel dann, wenn es an einem beweglichen Abschnitt, der Teil des Sensors oder der Mikromaschine ist, anhaftet, verhindern, dass sich der bewegliche Abschnitt verschieben kann. Folglich wird die Leistung wie beispielsweise die Empfindlichkeit des Sensors oder der Mikromaschine verringert.
  • Ein Vereinzelungsfilm, d. h. ein Vereinzelungssheet, ist beispielsweise in der JP-A-2003-10986 offenbart. Der Vereinzelungsfilm ist an eine Rückseite eines eine Plattenform aufweisenden Wafers geklebt, der als Bearbeitungsobjekt dient. Der Wafer sieht ein Piezoelement vor. Der Wafer wird mit Hilfe eines Laserstrahls vereinzelt. Insbesondere wird der Wafer von einem Umformungsabschnitt als Startpunkt an geschnitten und getrennt. Wenn der Wafer in eine Mehrzahl von Piezoelementchips geteilt wird, schützt der Vereinzelungsfilm die Chips davor, bespritzt zu werden.
  • Der Vereinzelungsfilm besteht aus einem Harzband mit einem Klebvermögen. Insbesondere weist eine Seite des Vereinzelungsfilms ein derartiges Klebvermögen auf, dass die eine Seite an dem Wafer haftet. Gewöhnlich wird der Umfang des Vereinzelungsfilms derart von einer Halterung gehalten, dass eine bestimmte Spannung an dem Vereinzelungsfilm anliegt. Anschließend wird die Halterung mit dem Vereinzelungsfilm an einem Basistisch befestigt und der Laserstrahl auf den Wafer gestrahlt, der auf dem Vereinzelungsfilm angeordnet ist. Folglich wird der Umfor mungsabschnitt derart in dem Wafer gebildet und der Wafer anschließend derart mit einem Druck beaufschlagt, dass er von der Rückseite des Vereinzelungsfilms nach oben gedrückt wird. Folglich wird ein Bruch bzw. eine Bruchstelle an dem als der Startpunkt dienenden Umformungsabschnitt erzeugt und vergrößert sich die Bruchstelle derart, dass der Wafer geschnitten und getrennt wird.
  • In diesem Fall wird das Partikel, das von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers abgetrennt wird, durch ein Absorptionsmittel absorbiert. Folglich wird der Staub, d. h. das Partikel von der Vereinzelungsoberfläche, von dem Wafer entfernt. Das Absorptionsmittel absorbiert das Partikel von der Oberfläche des Wafers. Folglich ist der Luftstrom, der durch das Absorptionsmittel zum Absorbieren des Partikels erzeugt wird, nach aufwärts des Wafers gerichtet. Folglich kann es passieren, dass das von dem Absorptionsmittel zu absorbierende Partikel über den Wafer treibt. Folglich wird das über den Wafer treibende Partikel in einem derart weiten Bereich verteilt, dass es sich auf dem Wafer oder auf dem Chip verteilt. Folglich werden die Ausbeute des Chips und die Qualität des Chips reduziert.
  • Ferner ist es schwierig, das Partikel vollständig zu absorbieren. Folglich kann es passieren, dass das restliche Partikel an dem Wafer oder an dem Chip anhaftet, so dass die Ausbeute des Chips und die Qualität des Chips verringert werden. Dieses Partikel wird nicht einzig in einem Schritt zum Vereinzeln des Wafers, sondern ebenso in einem Laserabtragungsschritt erzeugt.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vereinzelungsvorrichtung und ein Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats bereitzustellen.
  • Gemäß einem ersten Beispiel weist eine durch Trennen aus einem Wafer gewonnene Vorrichtung auf: einen Chip mit einer Seitenwand, die dann durch eine Vereinzelungsoberfläche des Wafers vorgesehen ist, wenn die Vorrichtung durch Trennen aus dem Wafer gewonnen ist; und ein Schutzelement, das an der Seiten wand des Chips angeordnet ist, um den Chip davor zu schützen, durch Staub von der Vereinzelungsoberfläche verunreinigt zu werden. In diesem Fall wird verhindert, dass ein Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers abgetrennt wird. Hierbei wird die Vereinzelungsoberfläche des Wafers dann, wenn der Chip durch Trennen aus dem Wafer gewonnen wird, derart mit dem Schutzelement bedeckt, dass verhindert wird, dass das Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers abgetrennt wird. Nachdem der Chip durch Trennen aus dem Wafer gewonnen ist, ist die Vereinzelungsoberfläche des Wafers ferner derart mit dem Schutzelement bedeckt, dass verhindert wird, dass das Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers abgetrennt wird. Hierdurch werden eine Ausbeute und eine Qualität des Chips verbessert.
  • Gemäß einem zweiten Beispiel umfasst ein Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers die folgenden Schritte: Teilen des Wafers in eine Mehrzahl von Chips; und Bedecken einer Seitenwand jedes Chips mit einem Schutzelement zum Schützen des Chips vor einer Verunreinigung durch Staub von einer Vereinzelungsoberfläche des Wafers. Bei diesem Verfahren wird die Seitenwand des Chips mit dem Schutzelement bedeckt, wenn der Chip von dem Wafer getrennt wird. Auf diese Weise wird verhindert, dass ein Partikel von der Seitenwand des Chips, welche der Vereinzelungsoberfläche des Wafers entspricht, abgetrennt wird, wenn der Chip durch Trennen aus dem Wafer gebildet wird oder nachdem der Chip durch Trennen aus dem Wafer gebildet wurde. Folglich werden die Ausbeute und Qualität des Chips verbessert.
  • Gemäß einem dritten Beispiel weist eine Halbleitervorrichtung auf: einen Vereinzelungsfilm; einen Halbleiterwafer, der auf dem Vereinzelungsfilm angeordnet ist, wobei der Wafer entlang einer Schnittlinie in eine Mehrzahl von Chips geteilt werden kann; ein Schutzelement, das auf einem Teil des Wafers angeordnet ist, der die Schnittlinie des Wafers bedeckt, wobei der Teil des Wafers auf der gegenüberliegenden Seite des Vereinzelungsfilms liegt; und eine Mehrzahl von Umformungsabschnitten, die entlang der Schnittlinie in dem Wafer angeordnet sind. In diesem Fall wird verhindert, dass ein Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers abgetrennt wird. Folglich werden die Ausbeute und Qualität des Chips verbessert.
  • Gemäß einem vierten Beispiel weist ein Vereinzelungssheet auf: einen Vereinzelungsfilm, der an einem Plattenobjekt haften kann, das in eine Mehrzahl von Chips zu trennen ist, wobei der Vereinzelungsfilm die Chips auf seiner Oberfläche halten kann, nachdem das Plattenobjekt in die Chips getrennt wurde; und ein erstes Durchgangsloch, das in einem Teil des Vereinzelungsfilms angeordnet ist, welcher dem Plattenobjekt entspricht. In diesem Fall wird ein Partikel selbst dann, wenn es aus einer Vereinzelungsoberfläche des Plattenobjekts erzeugt wird, über das erste Durchgangsloch von dem Objekt entfernt. Auf diese Weise wird verhindert, dass das Partikel über das Plattenobjekt treibt, so dass es sich nicht auf dem Plattenobjekt verteilt. Folglich werden die Ausbeute und Qualität des Chips verbessert.
  • Gemäß einem fünften Beispiel umfasst ein Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers die folgenden Schritte: Kleben des Vereinzelungssheets an das Plattenobjekt; Strahlen eines Laserstrahls entlang einer Schnittlinie des Plattenobjekts auf das Plattenobjekt, so dass ein Umformungsabschnitt durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls in dem Plattenobjekt gebildet wird; Schneiden des Plattenobjekts von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt des Schneidens an; und Absorbieren eines aus einer Schnittoberfläche des Plattenobjekts erzeugten Partikels durch das erste Durchgangsloch des Vereinzelungsfilms, so dass das Partikel zu einer Rückseite des Vereinzelungsfilms absorbiert wird, wobei die Rückseite des Vereinzelungsfilms auf der gegenüberliegenden Seite des Plattenobjekts liegt. In diesem Fall wird verhindert, dass das Partikel über das Plattenobjekt treibt, so dass es nicht auf dem Plattenobjekt verteilt wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips verbessert.
  • Gemäß einem sechsten Beispiel umfasst ein Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers die folgenden Schritte: Kleben des Ve reinzelungssheets auf das Plattenobjekt; Strahlen eines Laserstrahls entlang einer Schnittlinie des Plattenobjekts auf das Plattenobjekt, so dass ein Umformungsabschnitt durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls in dem Plattenobjekt gebildet wird; Schneiden des Plattenobjekts von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt des Schneidens an; und Absorbieren eines durch Strahlen des Laserstrahls erzeugten Partikels beim Strahlen des Laserstrahls durch das erste und/oder zweite Durchgangsloch des Vereinzelungsfilms, so dass das Partikel zu einer Rückseite des Vereinzelungsfilms absorbiert wird, wobei die Rückseite des Vereinzelungsfilms auf der gegenüberliegenden Seite des Plattenobjekts liegt. In diesem Fall wird verhindert, dass das Partikel über das Plattenobjekt treibt, so dass das Partikel nicht auf dem Plattenobjekt verteilt wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips verbessert.
  • Gemäß einer ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist eine Vereinzelungsvorrichtung zum Teilen eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips auf: einen Vereinzelungsfilm, auf dem das Halbleitersubstrat angeordnet ist; ein Laserelement zum Strahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat, um einen Umformungsabschnitt in dem Substrat zu Bilden; und eine Ausdehnungsvorrichtung zum Befestigen des Vereinzelungsfilms und zum Dehnen des Vereinzelungsfilms zum Teilen des Substrats in die Chips. Der Vereinzelungsfilm ist derart an der Ausdehnvorrichtung befestigt, dass das Substrat auf dem Vereinzelungsfilm abwärts angeordnet ist, so dass ein Partikel frei nach unten fällt, und so dass das Partikel von einer Vereinzelungsoberfläche des Substrats entfernt bzw. zurückgeholt wird.
  • Bei dieser Vorrichtung fällt das Partikel frei nach unten, so dass es von der Oberfläche des Substrats entfernt wird. Auf diese Weise wird verhindert, dass das Partikel an dem Substrat haftet. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips verbessert.
  • Gemäß einer zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips die folgenden Schritte: Kleben eines Halbleitersubstrats an einen Vereinzelungsfilm; Strahlen eines Laserstrahls auf das Substrat, um einen Umformungsabschnitt in dem Substrat zu bilden; und Dehnen des Substrats über den Vereinzelungsfilm, um das Substrat in die Chips zu teilen. Bei dem Dehnen des Substrats ist der Vereinzelungsfilm derart an einer Ausdehnungsvorrichtung befestigt, dass das Substrat auf dem Vereinzelungsfilm abwärts angeordnet wird, so dass ein Partikel frei nach unten fällt, und so dass das Partikel von einer Vereinzelungsoberfläche des Substrats entfernt wird.
  • Bei diesem Verfahren fällt das Partikel frei nach unten, so dass das Partikel von der Oberfläche des Substrats entfernt wird. Auf diese Weise wird verhindert, dass das Partikel an dem Substrat haftet. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips verbessert.
  • Die obigen und weitere Aufgaben, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung, die unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung gemacht wurde, näher ersichtlich sein. In der Zeichnung zeigt/zeigen:
  • 1A eine Draufsicht zur Veranschaulichung eines Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl, und 1B eine Querschnittsansicht des Wafers entlang der Linie IB-IB der 1A;
  • 2 eine Querschnittsansicht des Wafers entlang der Linie II-II der 1A;
  • 3A und 3B Querschnittsansichten zur Veranschaulichung des Verfahrens zur Bearbeitung des Wafers;
  • 4A eine Draufsicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl, und 4B eine Querschnittsansicht des Wafers entlang der Linie IVB-IVB der 4A;
  • 5A eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl, und 5B eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl;
  • 6A eine Draufsicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl, und 6B eine Querschnittsansicht des Wafers entlang der Linie VIB-VIB der 6A;
  • 7A eine Draufsicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl, und 7B eine Querschnittsansicht des Wafers entlang der Linie VIIB-VIIB der 7A;
  • 8A bis 8C schematische Ansichten zur Veranschaulichung eines Verfahrens zur Bearbeitung eines Chips;
  • 9A bis 9C schematische Ansichten zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Chips;
  • 10A eine Draufsicht auf ein Dehnungsband zusammen mit einem Wafer, und 10B eine teilweise vergrößerte Draufsicht auf einen Teil XB des Bandes der 10A;
  • 11A und 11B teilweise vergrößerte Draufsichten auf weitere Dehnungsbänder;
  • 12A und 12B Draufsichten auf weitere Dehnungsbänder;
  • 13A eine Querschnittsansicht eines Durchgangslochs in dem Dehnungsband entlang der Linie IVA-IVA der 13B, 13B eine teilweise vergrößerte Draufsicht auf ein Dehnungsband, 13C eine Querschnittsansicht eines weiteren Durchgangslochs in dem Dehnungsband entlang der Linie IVC-IVC der 13D, und 13D eine teilweise vergrößerte Draufsicht auf ein Dehnungsband;
  • 14A und 14B Draufsichten auf weitere Dehnungsbänder;
  • 15A eine schematische Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines Umformungsschritts und eines vorläufigen Absorptionsschritts in einem Laservereinzelungsprozess, 15B eine Querschnittsansicht des Dehnungsbandes mit dem Wafer aus einer Richtung XVB der 15A, und 15C eine schematische Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines Schnittschritts und eines Absorptionsschritts in dem Laservereinzelungsprozess;
  • 16 eine Querschnittsansicht einer Ausdehnungsvorrichtung;
  • 17 eine auseinander gezogene Perspektivansicht der Ausdehnungsvorrichtung der 16;
  • 18A bis 18D Querschnittsansichten zur Veranschaulichung eines Vereinzelungsprozesses mit Hilfe der Ausdehnungsvorrichtung;
  • 19 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines Schritts zur Befestigung eines zweiten flachen Ringes auf einem Vereinzelungsfilm;
  • 20 eine Querschnittsansicht des zweiten flachen Ringes zusammen mit dem Vereinzelungsfilm;
  • 21 eine Querschnittsansicht einer weiteren Ausdehnungsvorrichtung, die 18D entspricht;
  • 22 eine Querschnittsansicht noch einer weiteren Ausdehnungsvorrichtung, die 18D entspricht;
  • 23 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines Schritts zur Befestigung eines Außenrings auf einem Vereinzelungsfilm;
  • 24 eine Querschnittsansicht des Doppelringrahmens zusammen mit dem Vereinzelungsfilm;
  • 25 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl;
  • 26 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl; und
  • 27 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl.
  • Die 1A, 1B und 2 zeigen ein Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers. Insbesondere veranschaulichen die 1A, 1B und 2 einen Schritt zum Bilden eines Umformungsabschnitts durch Strahlen eines Laserstrahls auf einen Wafer 10. Der Wafer 10, wie beispielsweise ein Bulk-Siliziumwafer, besteht aus einem einkristallinen Bulk-Silizium und weist eine Rückseite 10a auf. Ein Vereinzelungsfilm 11, wie beispielsweise ein Vereinzelungssheet, ein Vereinzelungsband oder ein dehnbares Band, ist auf der Rückseite 10a des Wafers 10 gebildet.
  • Der Vereinzelungsfilm 11 besteht aus einem Plastikfilm. Der Vereinzelungsfilm 11 kann durch eine Erwärmung und durch Aufbringen einer Kraft in einer Dehnungsrichtung gedehnt werden. Der Vereinzelungsfilm 11 ist über ein Klebemittel (nicht gezeigt) an eine gesamte Fläche der Rückseite des Wafers 10 geheftet.
  • Ein Vorrichtungsbildungsbereich 10c ist an der Vorderseite 10b des Wafers gebildet. In dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c ist eine Halbleitervorrichtung (nicht gezeigt) gebildet. Die Halbleitervorrichtung ist beispielsweise ein monolithischer IC, ein Halbleiterelement, ein Sensor oder eine Mikromaschine. Der Sensor und die Mikromaschine sind durch ein MEMS-Verfahren gebildet.
  • Eine Laserbearbeitungsvorrichtung (nicht gezeigt) weist eine Laserstrahlenquelle (nicht gezeigt) zum Aussenden eines Laserstrahls L und einen Kondensor CV auf. Die optische Achse OA des Laserstrahls L ist derart festgelegt, dass sie senkrecht zur Oberfläche 10b des Wafers 10 verläuft, und der Laserstrahl L wird durch den Kondensor CV auf die Oberfläche 10b gestrahlt. Die Oberfläche 10b des Wafers 10 bildet hierbei eine Einfallsoberfläche des Laserstrahls 11. Anschließend wird ein Brennpunkt, d. h. ein Fokussierungspunkt P auf eine vorbestimmte Position in dem Wafer 10 ausgerichtet. Der Laserstrahl L wird auf den Brennpunkt P fokussiert. Auf diese Weise wird ein Umformungsabschnitt, d. h. eine Umformungsschicht um den Brennpunkt P herum gebildet.
  • Der Laserstrahl L ist hierbei beispielsweise ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 1064 Nanometern in einem Infrarotlichtbereich, der von einer YAG-Laservorrichtung (YAG = Yttrium Aluminium Garnet) emittiert wird.
  • Der Umformungsabschnitt R weist einen Schmelzbereich auf, der durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt geschmolzen wird. Der Mehrphotonenabsorptionseffekt tritt auf eine Bestrahlung des Laserstrahls L hin auf.
  • Es wird insbesondere der Abschnitt um den Brennpunkt P in dem Wafer 10 herum lokal durch den Mehrphotonenabsorptionsef fekt des Laserstrahls L erwärmt, so dass er geschmolzen wird. Anschließend erstarrt der geschmolzene Abschnitt wieder. Auf diese Weise bildet der Abschnitt, der wieder erstarrt, nachdem er geschmolzen wurde, den Umformungsabschnitt R.
  • Der Schmelzbereich ist ein Bereich mit einer unterschiedlichen Kristallstruktur oder ein Bereich, dessen Phase geändert wird. Insbesondere ist der Schmelzbereich ein Bereich, dessen Material von einem Einkristallsilizium zu einem amorphen Silizium geändert wird, ein Bereich, dessen Material von Einkristallsilizium zu Polykristallsilizium geändert wird, oder ein Bereich, dessen Material von Einkristallsilizium zu einem Gemisch aus amorphem Silizium und Polykristallsilizium geändert wird. Da der Wafer 10 ein Bulk-Siliziumwafer ist, besteht der Umformungsabschnitt hauptsächlich aus Polykristallsilizium.
  • Der Umformungsabschnitt wird nicht durch einen normalen Absorptionseffekt, sondern durch den Mehrphotonenabsorptionseffekt gebildet. Bei dem normalen Absorptionseffekt wird der Laserstrahl L in dem Wafer 10 absorbiert, wodurch eine Erwärmung des Materials erzielt wird.
  • Der Laserstrahl L wird im Wesentlichen nicht in einem Abschnitt absorbiert, der sich von dem Abschnitt nahe dem Brennpunkt P in dem Wafer 10 unterscheidet, d. h., der Laserstrahl L wird nahezu vollständig in dem Abschnitt nahe dem Brennpunkt P absorbiert. Folglich wird die Oberfläche 10b des Wafers 10 nicht geschmolzen und modifiziert.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung strahlt den Laserstrahl L impulsweise ab und scannt unter der Bedingung, dass die Tiefe des Brennpunkts P von der Oberfläche 10b des Wafers 10 konstant ist, mit dem Laserstrahl L. Folglich wird der Brennpunkt P entlang einer Schnittlinie K, d. h. entlang einer Vereinzelungslinie in Richtung einer Scanrichtung α gescannt. Die Schnittlinie K ist linear und bildet eine Waferschnittlinie.
  • Obgleich die Laserbearbeitungsvorrichtung mit dem Laserstrahl L scannt, kann eine Befestigungsbasis zum Befestigen des Wafers 10 unter der Bedingung, dass die Strahlungsposition des Laserstrahls L konstant ist, in eine Richtung bewegt werden, die entgegengesetzt zu der Richtung α verläuft, die senkrecht zu einer Einfallsrichtung des Laserstrahls L verläuft.
  • Wenn mit dem Laserstrahl L gescannt wird, oder wenn der Wafer 10 bewegt wird, wird der Brennpunkt P folglich relativ zu dem Wafer 10 bewegt. Es wird eine von Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc mit einer Mehrzahl von Umformungsabschnitten R gebildet. In jeder Umformungsgruppe Ga, Gb, Gc werden insbesondere eine Mehrzahl von Umformungsabschnitten R in einer vorbestimmten Tiefe zu der Oberfläche 10b des Wafers 10 entlang der Richtung α, die parallel zu der horizontalen Richtung des Wafers 10 verläuft, gebildet. Insbesondere sind die Umformungsabschnitte in jeder Gruppe Ga, Gb, Gc von der Einfallsoberfläche (d. h. der Oberfläche 10b) des Laserstrahls L aus innerhalb des Wafers angeordnet. Die Umformungsabschnitte R sind in einem vorbestimmten Intervall angeordnet bzw. ausgerichtet.
  • Die Tiefe des Brennpunkts P in dem Wafer 10 entspricht hierbei einem Abstand zwischen der Oberfläche 10b des Wafers 10 und dem Brennpunkt P.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung kann die Tiefe des Brennpunkts P schrittweise ändern. Auf diese Weise werden eine Mehrzahl von Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc der Reihe nach entlang der Schnittlinie K des Wafers 10 gebildet. Eine der Gruppen Ga, Gb, Gc ist in einer vorbestimmten Tiefe von der Oberfläche 10b des Wafers 10 angeordnet, entweder getrennt voneinander, benachbart zueinander oder gegenseitig überlappend. Die Tiefenrichtung des Wafers 10 entspricht hierbei einer Dickenrichtung des Wafers 10, einer Querschnittsrichtung des Wafers 10 und einer Richtung, die senkrecht zur Vorder- bzw. Oberseite 10b und zur Rückseite 10a des Wafers 10 verläuft.
  • Insbesondere wird die Tiefe des Brennpunkts P des Laserstrahls L in der Tiefenrichtung, d. h. in der Einfallsrichtung des Laserstrahls L, schrittweise geändert und scannt der Laserstrahl L entlang der Scanrichtung α. Auf diese Weise werden die Umformungsabschnitte R in jeder Gruppe Ga, Gb, Gc ausgerichtet.
  • Beispielsweise wird zunächst die Tiefe des Brennpunkts P auf einen Punkt in der Nähe der Rückseite 10a des Wafers 10 festgelegt und der Laserstrahl L relativ zu dem Wafer 10 bewegt. Auf diese Weise wird die erste Umformungsgruppe Ga, die in einer untersten Schicht angeordnet ist, gebildet. Anschließend wird die Tiefe des Brennpunkts P auf einen Punkt in der Mitte des Wafers 10 festgelegt und der Laserstrahl L relativ zu dem Wafer 10 bewegt (gescannt). Auf diese Weise wird die zweite Umformungsgruppe Gb, die sich in der Mitte des Wafers 10 befindet, gebildet. Schließlich wird die Tiefe des Brennpunkts P auf einen Punkt in der Nähe der Vorderseite 10b des Wafers 10 festgelegt und der Laserstrahl L relativ zu dem Wafer 10 bewegt. Auf diese Weise wird die dritte Umformungsgruppe Gc, die sich in einer obersten Schicht befindet, gebildet.
  • Obgleich drei Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc in dem Wafer gebildet werden, kann die Anzahl an Gruppen in Übereinstimmung mit der Dicke des Wafers 10 festgelegt werden. Es können beispielsweise zwei oder vier Umformungsgruppen in dem Wafer 10 gebildet werden.
  • Vorzugsweise werden die ersten drei Gruppen Ga, Gb, Gc in dieser Reihenfolge gebildet. Insbesondere wird eine tiefere Gruppe von der Einfallsoberfläche des Laserstrahls vor einer seichteren Gruppe gebildet.
  • Wenn beispielsweise eine seichtere Gruppe von der Einfallsoberfläche des Laserstrahls L vor einer tieferen Gruppe gebildet wird, wird der Laserstrahl L durch die seichtere Gruppe gestreut, wenn die tiefere Gruppe gebildet wird. Insbesondere dann, wenn die dritte Gruppe Gc vor der ersten Gruppe Ga gebildet wird, wird der Laserstrahl L durch die dritte Gruppe Gc ge streut, wenn die erste Gruppe Ga gebildet wird. Folglich können die Umformungsabschnitte R in der tieferen Gruppe, d. h. der ersten Gruppe Ga, nicht genau gebildet werden. Insbesondere kann es passieren, dass die Abmessungen der Umformungsabschnitte R in der ersten Gruppe Ga variieren, so dass die erste Gruppe Ga nicht homogen gebildet werden kann.
  • Wenn eine tiefere Gruppe von der Einfallsoberfläche des Laserstrahls L jedoch vor einer seichteren Gruppe gebildet wird, wird der Laserstrahl L nicht gestreut, da kein Umformungsabschnitt R zwischen der Einfallsoberfläche des Laserstrahls L und dem Brennpunkt P vorhanden sind. Folglich können die Umformungsabschnitte in der seichteren Gruppe ohne ein Streuen des Laserstrahls L gebildet werden. Auf diese Weise kann jede Gruppe Ga, Gb, Gc homogen gebildet werden. Insbesondere dann, wenn die erste Gruppe Ga vor der dritten Gruppe Gc gebildet wird, wird der Laserstrahl L nicht durch die erste Gruppe Ga gestreut, wenn die dritte Gruppe Gc gebildet wird. Folglich können die Umformungsabschnitte R in der seichteren Gruppe, d. h. der dritten Gruppe Gc, genau gebildet werden. Insbesondere sind die Abmessungen der Umformungsabschnitte R in der dritten Gruppe Gc homogen, so dass die dritte Gruppe Gc homogen gebildet ist.
  • Die Reihenfolge zum Bilden der Gruppen Ga, Gb, Gc kann hierbei experimentell bestimmt werden. Folglich können die Umformungsabschnitte R in jeder Gruppe Ga, Gb, Gc selbst dann, wenn die seichtere Gruppe von der Einfallsoberfläche des Laserstrahls L vor der tieferen Gruppe gebildet wird, oder wenn die Gruppen Ga, Gb, Gc in einer zufälligen Reihenfolge gebildet werden, einen gewissen Grad an Homogenität aufweisen. Folglich hängt die Reihenfolge zum Bilden der Gruppen Ga, Gb, Gc von der erforderlichen Genauigkeit ab.
  • Das Verfahren zum Bilden der Gruppen Ga, Gb, Gc in dem Wafer 10 über eine Änderung der Tiefe des Brennpunkts P läuft wie folgt ab:
    • 1. Ein Laserkopf, der aus einer Laserstrahlenquelle und einem Kondensor CV besteht, wird derart in vertikaler Richtung des Wafers 10 verschoben, dass die Tiefe des Brennpunkts P geändert wird;
    • 2. Der Basistisch zum Befestigen des Wafers 10 wird derart in vertikaler Richtung des Wafers 10 verschoben, dass die Tiefe des Brennpunkts P geändert wird; oder
    • 3. Sowohl der Laserkopf als auch der Basistisch werden derart in vertikaler Richtung des Wafers 10 verschoben, dass die Tiefe des Brennpunkts P geändert wird.
  • Das obige dritte Verfahren sieht verglichen mit dem obigen ersten und zweiten Verfahren eine kurze Bearbeitungszeit vor. Bei dem obigen dritten Verfahren wird der Laserkopf entgegengesetzt zur Verschiebung des Basistisches verschoben.
  • Nachdem die Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc in dem Wafer 10 gebildet worden sind, wird ein thermoplastisches Element 12 an einem Teil 10e der Oberfläche 10b des Wafers 10 gebildet. Der Teil 10e der Oberfläche 10b bedeckt die Schnittlinie K, und der Laserstrahl L wird auf den Teil 10e der Oberfläche 10b gestrahlt. Der Teil 10e der Oberfläche 10b überlappt den Vorrichtungsbildungsbereich 10c nicht.
  • Das thermoplastische Element 12 kann mit Hilfe eines beliebigen Verfahrens auf dem Teil 10e der Oberfläche 10b gebildet werden. Beispielsweise kann ein geschmolzenes thermoplastisches Material auf das Teil 10e der Oberfläche 10b aufgebracht und das geschmolzene thermoplastische Material anschließend derart ausgehärtet werden, dass das thermoplastische Element 12 gebildet wird. Alternativ wird das thermoplastische Element 12 auf dem Teil 10e der Oberfläche 10b gebondet bzw. geklebt.
  • Die 3A und 3B zeigen ein Verfahren zum Teilen des Wafers 10 und entsprechen einem Querschnitt der 1A entlang der Linie IB-IB.
  • Der Wafer 10 wird erwärmt und derart angeordnet, dass die Oberfläche 10b nach oben ausgerichtet ist. Folglich ist der Wafer 10 horizontal angeordnet und erstreckt sich der Vereinzelungsfilm 11 in horizontaler Richtung bezüglich der Schnittlinie K, d. h., beide Seiten des Vereinzelungsfilms 11 werden in die beiden Richtungen β1, β2 gezogen. In diesem Fall wird eine Zugspannung auf jede Gruppe Ga, Gb, Gc aufgebracht.
  • Anschließend wird eine Schubspannung in dem Wafer 10 erzeugt. Zunächst wird eine Bruchstelle bzw. ein Bruch von der ersten Gruppe Ga an, die sich in der untersten Schicht nahe dem Vereinzelungsfilm 11 befindet, in Richtung der Oberfläche 10b erzeugt. Die Bruchstelle wird insbesondere von der ersten Gruppe Ga als Startpunkt an entlang der Tiefenrichtung zu der Oberfläche 10b gebildet. Anschließend wird eine weitere Bruchstelle von der zweiten Gruppe Gb an, die sich in der Mitte des Wafers 10 befindet, erzeugt. Anschließend wird eine weitere Bruchstelle von der dritten Gruppe Gc an, die sich in der obersten Schicht des Wafers 10 befindet, erzeugt. Folglich wird die von jeder Gruppe Ga, Gb, Gc an erzeugte Bruchstelle so groß, dass sich die Bruchstellen miteinander verbinden. Wenn die verbundenen Bruchstellen die Vorderseite 10b und die Rückseite 10a des Wafers 10 erreichen, ist der Wafer 10 geschnitten bzw. durchschnitten und getrennt.
  • In dem eine Diskform aufweisenden Wafer 10 sind eine Mehrzahl von Chips (nicht gezeigt) gebildet. Die Chips sind in einem Raster auf der Oberfläche 10b des Wafers 10 angeordnet. Folglich ist die Schnittlinie K zwischen den Chips angeordnet, so dass eine Mehrzahl von Schnittlinien K in einem Muster auf der Oberfläche 10b gebildet sind.
  • Nachdem die Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc entlang der Mehrzahl von Schnittlinien K gebildet wurden, wird der Vereinzelungsfilm 11 derart gedehnt, dass der Wafer 10 folglich in die Mehrzahl von Chips geteilt wird.
  • Da die Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc entlang jeder Schnittlinie K gebildet werden, wird die Zugspannung angemessen auf die Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc aufgebracht, indem der Vereinzelungsfilm 11 gezogen wird. Der Wafer 10 wird durch eine vergleichsweise geringe Kraft geschnitten und geteilt, ohne dass eine unnötige Bruchstelle in dem Wafer 10 erzeugt wird. Folglich wird das Trennen des Wafers 10 mit hoher Genauigkeit von den Umformungsabschnitten R als Startpunkt der Trennung an ausgeführt.
  • Da der Wafer 10 erwärmt und horizontal mit der Oberfläche 10b nach oben angeordnet wird, wird das thermoplastische Element 12 zu diesem Zeitpunkt durch die Wärme geschmolzen.
  • Das geschmolzene thermoplastische Element 12 dringt (d. h. sinkt), wie in 3A gezeigt, aufgrund der Schwerkraft in die Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10, während der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird. Hierbei weist das geschmolzene thermoplastische Element 12 eine geringe Viskosität und eine hohe Fluidität auf. Das abgetropfte bzw. herunter gesickerte thermoplastische Element 12 bedeckt, wie in 3B gezeigt, die Vereinzelungsoberfläche 10d.
  • Wenn das thermoplastische Element 12 die Vereinzelungsoberfläche 10b des Wafers 10 bedeckt, wird die Erwärmung des Wafers 10 gestoppt. Folglich kühlt und härtet das thermoplastische Element 12 derart aus, dass es die Vereinzelungsoberfläche 10d bedeckt.
  • Wenn der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird, wird die Vereinzelungsoberfläche 10d mit dem thermoplastischen Element 12 bedeckt. Folglich wird dann, wenn der Wafer 10 getrennt wird, und/oder auf ein Trennen des Wafers 10 hin verhindert, dass ein Partikel von der Vereinzelungsoberfläche 10d abgetrennt wird.
  • Die Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10 entspricht hierbei einer äußeren Seitenwand des Chips, die durch Trennen aus dem Wafer 10 gebildet wird. Folglich wird die Vereinzelungsoberfläche 10d, d. h. die äußere Seitenwand des Chips, mit dem thermoplastischen Element 12 bedeckt.
  • Folglich haftet das Partikel von dem Wafer 10 nicht an einer Halbleitervorrichtung auf dem Chip an, und zwar dem Element, das in dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c gebildet ist. Die Ausbeute des Chips und die Qualität des Chips werden verbessert.
  • Wenn beispielsweise ein monolithischer IC als Halbleitervorrichtung auf dem Chip gebildet ist, kann das Partikel dann, wenn es an dem Halbleiterelement oder einer Verdrahtung in dem monolithischen IC anhaftet, einen Kurzschluss verursachen. Bei dem obigen Verfahren haftet das Partikel jedoch nicht an der Halbleitervorrichtung an, so dass die Vorrichtung vor einem Kurzschluss geschützt ist.
  • Wenn ein Sensor, wie beispielsweise ein Drucksensor, ein Beschleunigungssensor und ein Ultraschallsensor, die aus einem piezoelektrischen Element und/oder einem Kondensator bestehen, oder eine Mikromaschine mit Hilfe eines MEMS-Verfahrens (MEMS = Micro-Electro-Mechanical System) auf dem Chip gebildet ist, kann das Partikel dann, wenn es an einem beweglichen Abschnitt, welcher den Sensor oder die Mikromaschine bildet, anhaftet, verhindern, dass sich der bewegliche Abschnitt verschieben kann. Folglich wird die Leistung, die beispielsweise die Empfindlichkeit des Sensors oder der Mikromaschine, verringert. Bei dem obigen Verfahren haftet das Partikel jedoch nicht an dem Sensor oder an der Mikromaschine an, so dass die Leistung des Sensors oder der Mikromaschine nicht verringert wird.
  • Da das thermoplastische Element 12 von dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c entfernt angeordnet ist, verbreitet sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 im Wesentlichen nicht auf der Oberfläche 10b des Wafers 10, wenn es in die Vereinzelungsoberfläche 10d sinkt. Folglich erreicht das thermoplasti sche Element 12 die Vorrichtung in dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c nicht.
  • Das thermoplastische Element 12 kann aus einem beliebigen Material bestehen, solange es eine Thermoplastizität aufweist. Das thermoplastische Element 12 besteht beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem Naturgummi oder einem synthetischen Gummi, einem Plastikmaterial, wie beispielsweise einem thermoplastischen Harz, oder einem Wachs.
  • Das synthetische Gummi ist beispielsweise aus der Reihe der Diengummis, aus der Reihe der Polysulfidgummis, aus der Reihe der Olefingummis, aus der Reihe der siliuziumorganischen Gummis, aus der Reihe der Fluorverbindungsgummis, aus der Reihe der Urethangummis oder aus der Reihe der Vinylgummis.
  • Das Plastikmaterial ist beispielsweise aus der Reihe der Polymerisationsgummis, wie beispielsweise aus der Reihe der Kohlenwasserstoffgummis, aus der Reihe der Acrylgummis, aus der Reihe der Vinylacetatgummis und aus der Reihe der Halogengummis, aus der Reihe der Kondensatgummis, wie beispielsweise aus der Reihe der Polyethergummis, aus der Reihe der Aminogummis, aus der Reihe der Polyestergummis, aus der Reihe der Polyamidgummis, aus der Reihe der Polyurethangummis, aus der Reihe der Polyethergummis, aus der Reihe Phenolgummis und aus der Reihe der Epoxidgummis, oder aus der Reihe der halbsynthetischen Makromolekülgummis, wie beispielsweise aus der Reihe der Zellulosegummis und aus der Reihe der Proteingummis.
  • Ein Verfahren zum gleichzeitigen Ausführen von sowohl dem Trennen des Wafers 10 als auch dem Erwärmen des Wafers 10 läuft wie folgt ab: Der Wafer 10 wird in einer Kammer angeordnet, die durch eine elektrische Heizvorrichtung geheizt wird, und der Vereinzelungsfilm 11 wird gedehnt; oder der Vereinzelungsfilm 11 wird zusammen mit einem Bestrahlung des Wafers 10 mit Infrarotlicht gedehnt.
  • Bei diesem Beispiel wird der Brennpunkt P des Laserstrahls L auf eine vorbestimmte Position in dem Wafer 10 ausgerichtet und der Laserstrahl L auf den Wafer 10 gestrahlt. Eine Mehrzahl von Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc, die aus einer Mehrzahl von Umformungsabschnitten R bestehen, werden entlang der Schnittlinie K durch den Mehrphotonenabsorptionseffekt in dem Wafer 10 gebildet. Anschließend wird das thermoplastische Element 12 auf dem Teil 10e der Oberfläche 10b des Wafers 10 gebildet, welcher die Schnittlinie K bedeckt.
  • Da das thermoplastische Element 12 nicht auf der Oberfläche 10b angeordnet ist, wenn der Laserstrahl L auf den Wafer 10 gestrahlt wird, wird der Laserstrahl 11 folglich nicht durch das thermoplastische Element 12 gestreut. Folglich wird der Brennpunkt P des Laserstrahls L genau auf die vorbestimmte Position in dem Wafer 10 ausgerichtet.
  • Wenn das thermoplastische Element 12 den Laserstrahl L nicht streut, kann das thermoplastische Element 12 auf dem Teil 10e der Oberfläche 10b gebildet werden, bevor der Wafer 10 mit dem Laserstrahl L bestrahlt wird. Anschließend wird der Laserstrahl L derart auf den Wafer 10 gestrahlt, dass die Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc in dem Wafer 10 gebildet werden.
  • Obgleich das Element 12 aus thermoplastischem Material besteht, kann es aus einem duroplastischen Material bestehen. In diesem Fall wird das aus dem duroplastischen Material bestehende Element 12 dann, wenn es sich bei Raumtemperatur in einer festen Phase und bei einer über der Raumtemperatur liegenden Temperatur in einer flüssigen Phase oder in einem gelartigen Zustand befindet, erwärmt, wenn der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird.
  • Wenn sich das duroplastische Material bei Raumtemperatur in einer flüssigen Phase oder in einem gelartigen Zustand befindet, muss das aus dem duroplastischen Material bestehende Element 12 nicht erwärmt werden, wenn der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird. Folglich wird das aus dem duroplastischen Mate rial bestehende Element 12 auf ein Schneiden und Trennen des Wafers 10 hin derart erwärmt, dass es die Vereinzelungsoberfläche 10d bedeckt.
  • In dem obigen Fall kann das duroplastische Material aus einem beliebigen Material bestehen, solange es eine duroplastische Eigenschaft aufweist. Das duroplastische Material besteht beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem synthetischen Gummi, einem Plastikmaterial, wie beispielsweise einem duroplastischen Harz, oder einem Wachs.
  • Obgleich das Element 12 aus thermoplastischem Material besteht, kann es aus einem lichtempfindlichen Material bestehen. In diesem Fall wird auf ein Schneiden und Trennen des Wafers 10 folgend Licht, wie beispielsweise sichtbares Licht oder ultraviolettes Licht, derart auf das Element 12 gestrahlt, dass das Element 12 ausgehärtet wird. Folglich wird die Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10 mit dem aus lichtempfindlichen Material bestehenden Element bedeckt. Das lichtempfindliche Material kann ein beliebiges Material sein, solange es eine Lichtempfindlichkeit aufweist. Das lichtempfindliche Material ist beispielsweise ein Plastikmaterial, wie beispielsweise ein lichtempfindliches Harz.
  • Obgleich das Element 12 aus einem thermoplastischen Material besteht, kann es aus einem auf eine chemische Reaktion hin aushärtbaren Material, aus einem katalytisch aushärtbaren Material, aus einem durch eine Lösungsmittelverdampfung aushärtbaren Material oder aus einem durch eine Lösungsmitteltrocknung aushärtbaren Material bestehen. In diesem Fall verstreicht eine vorbestimmte Zeit, nachdem der Wafer 10 getrennt wurde. Während dieser vorbestimmten Zeit wird das Aushärten auf eine chemische Reaktion hin, das katalytische Aushärten, das Lösungsmittelverdampfungsaushärten oder das Lösungsmitteltrocknungsaushärten ausgeführt. Auf diese Weise bedeckt das Element 12 die Vereinzelungsoberfläche 10d. Das durch eine chemische Reaktion aushärtbare Material, das katalytisch aushärtbare Material, das durch eine Lösungsmittelverdampfung aushärtbare Material oder das durch eine Lösungsmitteltrocknung aushärtbare Material kann aus einem beliebigen Material bestehen, solange das Material auf eine chemische Reaktion hin aushärtbar ist, katalytisch aushärtbar ist, durch eine Lösungsmittelverdampfung aushärtbar ist oder durch eine Lösungsmitteltrocknung aushärtbar ist. Das durch eine chemische Reaktion aushärtbare Material, das katalytisch aushärtbare Material, das durch eine Lösungsmittelverdampfung aushärtbare Material oder das durch eine Lösungsmitteltrocknung aushärtbare Material besteht beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem synthetischen Gummi oder einem Plastikmaterial. Das durch eine chemische Reaktion aushärtbare Material ist beispielsweise aus der Reihe der Cyanocrylatgummis oder ein Epoxidharz eines Zweilösungstyps, das mit Wasser auf einer Oberfläche als Beschleuniger ausgehärtet wird.
  • Bei diesem Beispiel wird das Element 12 dann, nachdem es die Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10 bedeckt, ausgehärtet. Alternativ kann das Element 12 dann, wenn das die Vereinzelungsoberfläche 10d bedeckende Element 12 in einem folgenden Prozess, wie beispielsweise einem Befestigungsprozess, einem Bondprozess und einem Harzversiegelungsprozess, nicht ausgehärtet werden muss, nachdem der Wafer 10 getrennt wurde, behalten werden, um geschmolzen zu werden, nachdem der Wafer getrennt wurde. Insbesondere wird die Vereinzelungsoberfläche 10d ohne ein Aushärten des geschmolzenen Elements 12 mit dem geschmolzenen Element 12 bedeckt. In diesem Fall muss das Element 12 nicht aushärten können. Folglich kann sich das Element 12, nachdem es erwärmt und geschmolzen wurde, selbst bei Raumtemperatur in einer flüssigen Phase oder in einem gelartigen Zustand befinden.
  • Obgleich der Wafer 10 aus einem Bulk-Siliziumwafer gebildet ist, kann er aus einem anderen Wafer, wie beispielsweise einem mehrschichtigen Wafer, gebildet sein. In diesem Fall kann der Wafer 10 ein SOI-Substrat eines Bondtyps, ein SIMOX-Wafer (SIMOX = Separation by Implanted Oxygen), ein herkömmliches SOI-Substrat, in dem eine Polykristallsiliziumschicht oder eine amorphe Siliziumschicht auf einer Isolierungsschicht, wie bei spielsweise einem Glassubstrat, gebildet ist, wobei ein Wachstumsverfahren in einer festen Phase oder ein Schmelzrekristallisationsverfahren genutzt wird, ein Wafer, der in geeigneter Weise für eine Lichtabstrahlvorrichtung verwendet werden kann, in der eine III-V-Verbund-Halbleiterschicht auf ein Substrat, wie beispielsweise ein Saphirsubstrat, abgeschieden wird, oder ein Bondwafer, der über ein anodisches Bondverfahren zwischen ein Siliziumsubstrat und ein Glassubstrat geklebt wird, sein.
  • Der Wafer 10 kann ferner aus einem Halbleitersubstrat, wie beispielsweise einem Galliumarsenidsubstrat, bestehen.
  • Alternativ kann der Wafer 10 aus einem Material wie beispielsweise Glas bestehen. In diesem Fall weist der Umformungsabschnitt R nicht einzig den Schmelzbereich, sondern ebenso einen weiteren Bereich auf, der durch den Mehrphotonenabsorptionseffekt bearbeitet wird. Wenn das Material des Wafers 10 beispielsweise Glas aufweist, kann der Umformungsabschnitt R einen Bruchbereich oder einen Bereich aufweisen, der einen von dem ursprünglichen Material verschiedenen Brechungsindex aufweist. Der Umformungsabschnitt R mit dem Bruchbereich oder der Bereich mit dem verschiedenen Brechungsindex ist in der japanischen Patentanmeldung Nr. 3408805 offenbart.
  • Obgleich der Vereinzelungsfilm 11 derart gedehnt wird, dass der Wafer 10 getrennt wird, kann der Wafer 10 durch ein anderes Verfahren getrennt werden. Beispielsweise wird ein rundes Element, wie beispielsweise ein halbkugelförmiges Element, derart auf die Schnittlinie K des Wafers 10 gepresst, dass der Wafer 10 mit einem Druck beaufschlagt wird. Folglich wird eine Schubspannung von den Umformungsabschnitten R erzeugt, so dass der Wafer 10 getrennt und geschnitten wird. Insbesondere weist das runde Element eine gekrümmte Oberfläche mit einer vorbestimmten Krümmung auf. Die gekrümmte Oberfläche wird auf den Wafer 10 aufgebracht.
  • Die 4A und 4B zeigen ein Verfahren zur Bearbeitung des Wafers 10. Insbesondere zeigen die 4A und 4B ein weiteres Verfahren zum Bilden der Umformungsabschnitte R in dem Wafer 10. Der Wafer 10 weist an seiner Oberfläche 10b eine Konkavität 21 auf. Die Konkavität 21 ist auf dem Teil 10e des Wafers 10 angeordnet und weist einen U-förmigen Querschnitt mit einer Ecke auf. Das thermoplastische Element 12 ist in der Konkavität 21 gebildet.
  • Wenn der Wafer 10 von der Schnittlinie K an geschnitten und getrennt wird und das geschmolzene thermoplastische Element 12 entlang der Vereinzelungsoberfläche 10d nach unten sinkt, dehnt sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 nicht auf den Vorrichtungsbildungsbereich 10c aus, da es in der Konkavität 21 untergebracht ist. Insbesondere fließt das geschmolzene thermoplastische Element 12 nicht aus der Konkavität 21 und erreicht folglich nicht den Vorrichtungsbildungsabschnitt 10c auf der Oberfläche 10b des Wafers 10. Folglich sinkt das gesamte geschmolzene thermoplastische Element 12 abwärts in die Vereinzelungsoberfläche 10d.
  • In diesem Fall wird verhindert, dass das thermoplastische Element 12 an einem anderen Teil der Oberfläche 10d des Wafers 10 anhaftet, und insbesondere verhindert, dass es an dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c anhaftet. Folglich wird die in dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c gebildete Halbleitervorrichtung nicht durch das thermoplastische Element 12 beeinflusst. Ferner kann die Vereinzelungsoberfläche mit einer minimalen Menge des thermoplastischen Elements 12 bedeckt werden.
  • 5A zeigt eine Ausgestaltung des Verfahrens zum Bilden der Umformungsabschnitte R in dem in den 4A und 4B gezeigten Wafer 10. In der 5A weist die Konkavität 21 einen V-förmigen Querschnitt auf.
  • 5B zeigt eine weitere Ausgestaltung des Verfahrens zum Bilden der Umformungsabschnitte R in dem in den 4A und 4B gezeigten Wafer 10. In der 5B weist die Konkavität 21 einen kreisrunden Querschnitt, d. h. einen anderen U-förmigen Querschnitt mit abgerundeten Ecken auf.
  • Die Konkavität 21 kann einen anders geformten Querschnitt aufweisen, der sich von einem V-förmigen, U-förmigen oder kreisrunden Querschnitt unterscheidet.
  • Die 6A und 6B zeigen ein Verfahren zur Bearbeitung des Wafers 10. Insbesondere zeigen die 6A und 6B ein weiteres Verfahren zum Bilden der Umformungsabschnitte R in dem Wafer 10.
  • Der Wafer 10 weist ein Paar an Konkavitäten 31a, 31b auf der Oberfläche 10b des Wafers 10 auf. Jede Konkavität 31a, 31b ist zwischen der Schnittlinie K und dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c angeordnet und weist einen U-förmigen Querschnitt mit einer Ecke auf. Folglich sind die Konkativäten 31a, 31b derart parallel zu der Schnittlinie K angeordnet, dass die Schnittlinie K zwischen den Konkavitäten 31a, 31b angeordnet bzw. eingeschlossen ist. Zunächst wird das thermoplastische Element 12 auf dem Teil 10e des Wafers 10 gebildet.
  • Wenn der Wafer 10 von der Schnittlinie K an bzw. an der Schnittlinie K geschnitten und getrennt wird und das geschmolzene thermoplastische Element 12 entlang der Vereinzelungsoberfläche 10d abwärts sinkt, erstreckt sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 nicht auf den Vorrichtungsbildungsbereich 10c, da die Konkavitäten 31a, 31b zwischen dem Teil 10e des Wafers 10 und dem Vorrichtungsbildungsabschnitt 10c angeordnet sind. Selbst wenn sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 von dem Teil 10e des Wafers 10 ausbreitet, wird das ausgebreitete thermoplastische Element 12a, wie in 6B gezeigt, in die Konkavitäten 31a, 31b eingeführt. Folglich erreicht das thermoplastische Element 12 den Vorrichtungsbildungsbereich 10c auf der Oberfläche 10b des Wafers 10 nicht. Die Abmessungen der Konkavitäten 31a, 31b werden derart auf der Grundlage des Materials und des Volumens des thermoplastischen Elements 12 bestimmt, dass das thermoplastische Element 12, welches sich ausgebreitet hat, sicher in die Konkavitäten 31a, 31b eingeführt wird. Folglich breitet sich kein geschmolzenes thermoplastisches Element 12 auf dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c aus.
  • In diesem Fall wird verhindert, dass das thermoplastische Element 12 an einem anderen Teil der Oberfläche 10b des Wafers 10 anhaftet, und insbesondere verhindert, dass es an dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c anhaftet. Folglich wird die in dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c gebildete Halbleitervorrichtung nicht durch das thermoplastische Element 12 beeinflusst.
  • Die 7A und 7B zeigen eine Ausgestaltung des Verfahrens zum Bilden der Umformungsabschnitte R in dem in den 6A und 6B gezeigten Wafer 10.
  • In den 7A und 7B ist ein Paar der zwei Paare an Konkavitäten 31a–31d zwischen dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c und dem Teil 10e des Wafers 10 angeordnet. Folglich sind doppelte Konkavitäten 31a–31d zwischen dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c und der Schnittlinie K gebildet.
  • Wenn der Wafer 10 von der Schnittlinie K an geschnitten und getrennt wird und das geschmolzene thermoplastische Element 12 abwärts entlang der Vereinzelungsoberfläche 10d sinkt, erstreckt sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 nicht auf den Vorrichtungsbildungsbereich 10c, da die Konkavitäten 31a–31d zwischen dem Teil 10e des Wafers 10 und dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c angeordnet sind. Selbst wenn sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 von dem Teil 10e des Wafers 10 ausbreitet, wird das sich ausbreitende thermoplastische Element 12a zunächst in die Konkavitäten 31a, 31b eingeführt. Selbst wenn ferner das überschüssige geschmolzene thermoplastische Element 12 aus den Konkavitäten 31a, 31b fließt, wird das aus den Konkavitäten 31a, 31b geflossene thermoplastische Element 12b als nächstes in die Konkavitäten 31c, 31d eingeführt. Folglich erreicht das thermoplastische Element 12 den Vorrichtungsbildungsbereich 10c auf der Oberfläche 10b des Wafers 10 nicht. Die Abmessungen der Konkavitäten 31a–31d werden derart auf der Grundlage des Materials und des Volumens des thermoplastischen Elements 12 bestimmt, dass das sich ausbreitende thermoplastische Element 12 sicher in die Konkavitäten 31a–31d eingeführt wird. Folglich breitet sich kein geschmolzenes thermoplastisches Element 12 auf dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c aus.
  • Obgleich der Wafer 10 zwei Paare an Konkavitäten 31a–31d aufweist, kann der Wafer 10 drei oder mehr als drei Paare an Konkavitäten aufweisen. In diesem Fall kann sicher verhindert werden, dass sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 auf den Vorrichtungsbildungsbereich 10c ausbreitet. Wenn die Anzahl an Konkavitäten erhöht wird, kann ferner noch sicherer verhindert werden, dass sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 ausbreitet.
  • Wenn das Volumen der Konkavitäten 31a–31d in den 6A bis 7B erhöht wird, kann noch sicherer verhindert werden, dass sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 ausbreitet.
  • Wenn der Wafer 10 sehr viele Konkavitäten aufweist, oder wenn die Konkavitäten ein hohes Volumen aufweisen, nimmt jedoch auch der Bereich der Konkavitäten an der Oberfläche 10b des Wafers 10 zu. Folglich nimmt die Anzahl an Chips auf dem Wafer 10 ab. Folglich werden das Volumen und die Anzahl der Konkavitäten auf der Grundlage der Entwurf- und Konstruktionsanforderung der Chips bestimmt.
  • Obgleich die Konkavitäten 31a–31d einen U-förmigen Querschnitt mit einer Ecke aufweisen, können die Konkavitäten 31a–31d einen U-förmigen Querschnitt mit abgerundeten Ecken oder einen V-förmigen Querschnitt aufweisen.
  • Die 8A bis 8C zeigen ein Verfahren zur Bearbeitung eines Chips 41. Bei dem Verfahren werden Umformungsabschnitte R mit Hilfe eines Laservereinzelungsverfahrens in dem Wafer gebildet. Anschließend wird der Wafer 10 von den Umformungsabschnitten R als Startpunkt des Vereinzelns an geschnitten und getrennt. Bei dem Wafer 10 wird kein thermoplastisches Element 12 auf dem Teil 10e des Wafers 10 gebildet.
  • Der Halbleiterchip 41 ist, wie in 8A gezeigt, von dem Wafer 10 getrennt. Eine Oberfläche 41a des Chips 41, auf dem die Halbleitervorrichtung gebildet ist, ist mit einem Versiegelungselement 42 bedeckt.
  • Ein Behälter 43 mit einer Öffnung ist, wie in 8B gezeigt, auf einer elektrischen Heizvorrichtung 44 angeordnet. Ein thermoplastisches Element 45 ist in dem Behälter 43 untergebracht. Anschließend wird der Behälter 43 derart durch die elektrische Heizvorrichtung 44 erwärmt, dass das thermoplastische Element 45 geschmolzen wird. Das thermoplastische Element 45 besteht beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem Naturgummi und einem synthetischen Gummi, einem Plastikmaterial, wie beispielsweise einem thermoplastischen Harz, oder einem Wachs.
  • Der Chip 41 mit dem Versiegelungselement 42 wird, wie in 8C gezeigt, in das geschmolzene thermoplastische Element 45 getaucht. Anschließend berührt eine Vereinzelungsoberfläche 41b, d. h. eine äußere Seitenwand des Chips 41 das geschmolzene thermoplastische Element 45. Anschließend haftet das geschmolzene thermoplastische Element 45 derart an der Vereinzelungsoberfläche 41b, dass die gesamte Vereinzelungsoberfläche 41b mit dem geschmolzenen thermoplastischen Element 45 bedeckt ist.
  • Anschließend wird der Chip 41 mit dem daran haftenden thermoplastischen Element 45 aus dem geschmolzenen thermoplastischen Element 45 entfernt, d. h., der Chip 41 wird aus dem Behälter 43 nach oben herausgezogen. Das thermoplastische Element 45 wird derart gekühlt und ausgehärtet, dass die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 mit dem thermoplastischen Element 45 bedeckt ist.
  • Nachdem der Chip 41 durch Trennen aus dem Wafer 10 gewonnen wurde, wird die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 mit dem thermoplastischen Element 45 bedeckt. In diesem Fall wird das Partikel dann, wenn der Wafer 10 in die Chips 41 geschnitten und getrennt wird, von der Schnittoberfläche 41b des Chips 41 entfernt. Da das thermoplastische Element 45 jedoch die Vereinzelungsoberfläche 41b bedeckt, und zwar kurz nachdem der Chip 41 durch Trennen aus dem Wafer 10 gewonnen wird, wird die Wahrscheinlichkeit, mit der das Partikel an der Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 anhaftet, verringert.
  • Bei dem obigen Verfahren versiegelt das Versiegelungselement 42 die Oberfläche 41a des Chips 41 und wird der Chip 41 in das geschmolzene thermoplastische Element 45 getaucht. Folglich haftet das thermoplastische Element 45 nicht an der Oberfläche 41a des Chips 41 an, so dass die Halbleitervorrichtung in dem Halbleiterbildungsbereich 10c nicht negativ durch das thermoplastische Element 45 beeinflusst wird.
  • Wenn das thermoplastische Element 45 die Halbleitervorrichtung in dem Halbleiterbildungsbereich 10c nicht negativ beeinflusst, kann das Versiegelungselement 42 alternativ ausgelassen werden.
  • Obgleich das Element 45 aus einem thermoplastischen Material besteht, kann es auch aus einem duroplastischen Material bestehen. In diesem Fall wird das aus einem duroplastischen Material bestehende Elemente 12 dann, wenn sich das duroplastische Material bei Raumtemperatur in einer festen Phase und bei einer über der Raumtemperatur liegenden vorbestimmten Temperatur in einer flüssigen Phase oder in einem geltartigen Zustand befindet, erwärmt, wenn das Element 45 in dem Behälter 43 untergebracht ist.
  • Wenn sich das duroplastische Material bei Raumtemperatur in einer flüssigen Phase oder einem gelartigen Zustand befindet, muss das aus einem duroplastischen Material bestehende Element 45 nicht erwärmt werden, wenn das Element 45 in dem Behälter 43 untergebracht ist. Folglich kann die elektrische Heizvorrichtung 44 ausgelassen werden. Nachdem der Chip 41 aus dem ge schmolzenen Element 45 gezogen wurde, wird der Chip 41 mit dem aus einem duroplastischen Material bestehenden Element 45 derart erwärmt, dass das Element 45 die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 bedeckt.
  • In dem obigen Fall kann das duroplastische Material aus einem beliebigen Material bestehen, solange es eine duroplastische Eigenschaft aufweist. Das duroplastische Material besteht beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem synthetischen Gummi, einem Plastikmaterial, wie beispielsweise einem duroplastischen Harz, oder einem Wachs.
  • Obgleich das Element 45 aus einem thermoplastischen Material besteht, kann es aus einem lichtempfindlichen Material bestehen. In diesem Fall muss das Element 45 nicht in dem Behälter 43 erwärmt werden. Folglich kann die elektrische Heizvorrichtung 44 ausgelassen werden. Nachdem der Chip 41 aus dem geschmolzenen Element 45 gezogen wurde, wird das aus einem du roplastischen Material bestehende Element 45 derart mit dem Licht bestrahlt, dass es ausgehärtet wird. Folglich bedeckt das Element 45 die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41. Das lichtempfindliche Material kann ein beliebiges Material sein, solange es eine Lichtempfindlichkeit aufweist. Das lichtempfindliche Material ist beispielsweise ein Plastikmaterial, wie beispielsweise ein lichtempfindliches Harz.
  • Obgleich das Element 45 aus einem thermoplastischen Material besteht, kann es aus einem Material, das durch eine chemische Reaktion aushärtbar ist, einem katalytisch aushärtbarem Material, einem Material, das durch eine Lösungsmittelverdampfung aushärtbar ist, oder einem Material bestehen, dass durch eine Lösungsmitteltrocknung aushärtbar ist, bestehen. In diesem Fall muss das Element 45 nicht in dem Behälter 43 erwärmt werden. Folglich kann die elektrische Heizvorrichtung 44 ausgelassen werden. Nachdem der Chip 41 aus dem geschmolzenen Element 45 gezogen wurde, verstreicht eine vorbestimmte Zeitspanne. Während der vorbestimmten Zeitspanne wird das Aushärten durch eine chemische Reaktion, das katalytische Aushärten, das Aus härten durch eine Lösungsmittelverdampfung oder das Aushärten durch eine Lösungsmitteltrocknung vorgenommen. Folglich bedeckt das Element 45 die Vereinzelungsoberfläche 41b. Das auf eine chemische Reaktion hin aushärtbare Material, das katalytisch aushärtbare Material, das auf eine Lösungsmittelverdampfung hin aushärtbare Material oder das auf eine Lösungsmitteltrocknung hin aushärtbare Material kann aus einem beliebigen Material bestehen, solange es durch eine chemische Reaktion, katalytisch, durch eine Lösungsmittelverdampfung oder durch eine Lösungsmitteltrocknung aushärtbar ist. Das durch eine chemische Reaktion aushärtbare Material, das katalytisch aushärtbare Material, das durch eine Lösungsmittelverdampfung aushärtbare Material oder das durch eine Lösungsmitteltrocknung aushärtbare Material besteht beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem synthetischen Gummi, oder einem Plastikmaterial. Das durch eine chemische Reaktion aushärtbare Material ist beispielsweise aus der Reihe der Cyanacrylatharze oder ein Epoxidharz eines Zwei-Lösungstyps, das mit Wasser auf einer Oberfläche als Beschleuniger ausgehärtet wird.
  • In diesem Beispiel wird das Element 45 gehärtet, nachdem es die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 bedeckt. Alternativ kann das die Vereinzelungsoberfläche 41 bedeckende Element 45 dann, wenn es in einem folgenden Prozess, wie beispielsweise einem Befestigungsprozess, einem Bondprozess und einem Harzversiegelungsprozess, nicht gehärtet werden muss, nachdem der Wafer 10 getrennt wurde, behalten werden, um geschmolzen zu werden, nachdem der Wafer 10 getrennt wurde. Insbesondere ist die Vereinzelungsoberfläche 41b ohne ein Aushärten des geschmolzenen Elements 45 mit dem geschmolzenen Element 45 bedeckt. In diesem Fall muss das Element 45 keine Aushärtbarkeit aufweisen. Folglich kann sich das Element 45, nachdem es erwärmt und geschmolzen wurde, selbst bei Raumtemperatur in einer flüssigen Phase oder in einem gelartigen Zustand befinden.
  • Obgleich der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird, indem die Umformungsabschnitte R in dem Wafer verwendet werden, die durch das Laservereinzelungsverfahren gebildet werden, kann der Wafer durch ein anderes Verfahren, wie beispielsweise ein Klingenvereinzelungsverfahren, getrennt werden. Da ein Schritt zum Schützen der Halbleitervorrichtung vor dem Partikel ausgeführt wird, nachdem der Wafer in die Chips getrennt wurde, ist ein Trennverfahren des Wafers 10 insbesondere nicht auf ein Laservereinzelungsverfahren beschränkt. Folglich kann der Wafer 10 durch eine Vereinzelungsklinge, die sich mit hoher Geschwindigkeit dreht, geschnitten werden. Die Vereinzelungsklinge weist einen in der Klinge eingebettetes Diamantschleifkorn auf.
  • Die 9A bis 9C zeigen ein Verfahren zur Bearbeitung des Chips 41. Bei dem Verfahren werden die Umformungsabschnitte R mit Hilfe eines Laservereinzelungsverfahrens in dem Wafer gebildet. Anschließend wird der Wafer 10 von den Umformungsabschnitten R als Startpunkt des Trennens an geschnitten und getrennt. Bei dem Wafer 10 ist kein thermoplastisches Element 12 auf dem Teil 10e des Wafers 10 gebildet.
  • Der Chip 41 wird, wie in den 9A bis 9C gezeigt, in ein thermoplastisches Gehäuse 52 eingeführt, das eine rechtquadratische Rohrform aufweist und beispielsweise aus einem Film gebildet ist.
  • Das thermoplastische Gehäuse 52 wird, wie in 9B gezeigt, derart erwärmt, dass es schrumpft. Folglich haftet das thermoplastische Element 52 an der Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 an.
  • Nachdem das thermoplastische Gehäuse 52, wie in 9C gezeigt, die Vereinzelungsoberfläche 41a des Chips 41 bedeckt, wird das thermoplastische Gehäuse 52 gekühlt.
  • Folglich ist das thermoplastische Gehäuse 52 ausgehärtet und deckt gleichzeitig die Vereinzelungsoberfläche 41b ab.
  • Nachdem der Chip 41 durch Trennen aus dem Wafer 10 gewonnen ist, wird die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 folglich mit dem thermoplastischen Gehäuse 52 bedeckt. In diesem Fall wird das Partikel von der Schnittoberfläche 41b des Chips 41 entfernt, wenn der Wafer 10 in die Chips 41 geschnitten und getrennt wird. Da das thermoplastische Element 52 jedoch die Vereinzelungsoberfläche 41b bedeckt, und zwar kurz nachdem der Chip 41 durch Trennen aus dem Wafer 10 gewonnen wird, wird die Wahrscheinlichkeit, mit der das Partikel an der Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 anhaftet, verringert.
  • Die Abmessungen des thermoplastischen Gehäuses 52 werden in geeigneter Weise auf der Grundlage der Abmessungen des Chips 41, des Materials des Gehäuses 52 und/oder dergleichen bestimmt. Insbesondere können die Abmessungen des Gehäuses experimentell bestimmt werden.
  • Das Gehäuse 52 besteht beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem Naturgummi und einem synthetischen Gummi, einem Plastikmaterial, wie beispielsweise einem thermoplastischen Harz, oder einem Wachs.
  • Obgleich das Gehäuse 52 aus thermoplastischem Material besteht, kann es aus einem Fotoschwindungsmaterial bestehen. In diesem Fall wird Licht, wie beispielsweise sichtbares Licht oder ultraviolettes Licht, dann, wenn der Chip 41 in das Gehäuse 52 eingefügt ist, derart auf das Gehäuse 52 gestrahlt, dass das Gehäuse 52 schrumpft. Folglich haftet das Gehäuse 52 an der Vereinzelungsoberfläche 41a des Chips 41 an. Das Fotoschwindungsmaterial kann aus einem beliebigen Material bestehen, solange es eine Fotoschwindungseigenschaft aufweist. Das Fotoschwindungsmaterial ist beispielsweise ein Gummi, wie beispielsweise ein synthetisches Gummi, oder ein Plastikmaterial, wie beispielsweise ein thermoplastisches Harz.
  • Obgleich das Gehäuse 52 aus thermoplastischem Material besteht, kann es aus einem elastischen Material bestehen. In diesem Fall wird eine Zugspannung derart auf das Gehäuse 52 aufgebracht, dass sich die Öffnung des Gehäuses 52 dehnt. Anschließend wird der Chip 41 in die Öffnung des Gehäuses 52 eingefügt. Anschließend wird die Zugspannung derart abgebaut, dass das Gehäuse schrumpft. Folglich haftet das Gehäuse 52 an der Vereinzelungsoberfläche 41a des Chips 41 an. Das elastische Material kann aus einem beliebigen Material bestehen, solange es eine Elastizität aufweist. Das elastische Material ist beispielsweise ein Gummi, wie beispielsweise ein synthetisches Gummi, oder ein Plastikmaterial, wie beispielsweise ein thermoplastisches Harz.
  • Obgleich der Wafer 10 mit Hilfe der Umformungsabschnitte R in dem Wafer, die durch das Laservereinzelungsverfahren gebildet werden, geschnitten und getrennt wird, kann er durch ein anderes Verfahren, wie beispielsweise ein Klingenvereinzelungsverfahren, getrennt werden. Da ein Schritt zum Schützen der Halbleitervorrichtung vor dem Partikel ausgeführt wird, nachdem der Wafer in die Chips getrennt wurde, ist ein Trennverfahren des Wafers 10 insbesondere nicht auf ein Laservereinzelungsverfahren beschränkt. Folglich kann der Wafer 10 durch eine Vereinzelungs- bzw. Trennklinge, die sich mit hoher Geschwindigkeit dreht, geschnitten werden. Die Vereinzelungsklinge weist einen in der Klinge eingebetteten Diamantschleifkorn auf.
  • 25 zeigt ein Verfahren zur Bearbeitung des Wafers 10. Insbesondere wird der Wafer 10 getrennt und vereinzelt.
  • In der 25 wird der Vereinzelungsfilm 11 derart in horizontaler Richtung β1, β2 gedehnt, dass die Zugspannung auf die Umformungsgruppen Ga–Gc aufgebracht wird. Folglich wird der Wafer 10 von den Umformungsgruppen Ga–Gc als Startpunkt des Schneidens an getrennt. Zu diesem Zeitpunkt wird der Wafer 10 derart horizontal angeordnet, dass sich die Vorderseite 10b des Wafers 10 nach oben dreht, und wird der Wafer 10 erwärmt. Folglich sinkt das geschmolzene thermoplastische Element 12 entlang der Vereinzelungsoberfläche 10d abwärts, wenn der Wafer 10 getrennt wird.
  • Wenn der Wafer 10 getrennt ist, bläst ein Druckluftgebläse (nicht gezeigt) in einer vertikalen Richtung γ auf die Vorder seite 10b des Wafers 10. Die Luftmenge wird so dimensioniert, dass das geschmolzene thermoplastische Element 12, das eine geringe Viskosität und eine hohe Fluidität aufweist, mit einem Luftdruck beaufschlagt wird. Durch den Luftdruck und die Schwerkraft sinkt das thermoplastische Element 12 sofort abwärts entlang der Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers, so dass es sofort an der Vereinzelungsoberfläche 10d anhaftet und die gesamte Vereinzelungsoberfläche 10d bedeckt.
  • Folglich kann das thermoplastische Element 12 die Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10 schneller bedecken, als in dem Fall, bei es einzig über die Schwerkraft abwärts sinkt.
  • Die Luftmenge des Luftstroms, das in Richtung der Vorderseite 10b des Wafers 10 bläst, wird derart angemessen gesteuert, dass das thermoplastische Element 12 abwärts sinkt, ohne ein Halbleiterelement, wie beispielsweise einen monolithischen IC, verschiedene Halbleiterteile, ein Messelement, das mit Hilfe eines MEMS-Verfahrens gebildet ist, und eine Mikromaschine, die auf dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c auf der Vorderseite 10b des Wafers 10 gebildet ist, zu beschädigen. Insbesondere wird eine vorzuziehende Luftmenge des Luftstroms experimentell bestimmt.
  • Die Richtung des Luftstroms in Richtung der Vorderseite 10b des Wafers 10 verläuft senkrecht zum Wafer 10. Alternativ kann eine vorzuziehende Richtung des Luftstroms in Richtung der Vorderseite 10b experimentell bestimmt werden.
  • Obgleich der Luftstrom die Vorderseite 10b des Wafers 10 mit einem Luftdruck beaufschlagt, kann das thermoplastische Element 12, das geschmolzen und erwärmt wird, direkt mit einem Druck beaufschlagt werden, so dass es entlang der Vereinzelungsoberfläche 10b abwärts sinkt, wenn der Wafer 10 durch Dehnen des Vereinzelungsfilms 11 geschnitten und getrennt wird.
  • Der Wafer 10 kann beispielsweise in einer Druckkammer angeordnet werden. Anschließend wird der Druck in der Kammer er höht, so dass das thermoplastische Element 12 mit dem Druck beaufschlagt wird. Ein vorzuziehender Druck, mit dem das thermoplastische Element 12 beaufschlagt wird, wird hierbei experimentell bestimmt.
  • 26 zeigt ein Verfahren zur Bearbeitung des Wafers 10. Insbesondere wird der Wafer 10 getrennt und vereinzelt.
  • In der 26 weist der Vereinzelungsfilm 11 ein derartiges Ausdehnungsvermögen auf, dass er in Übereinstimmung mit einer Wärme oder einer Zugspannung in einer Dehnungsrichtung gedehnt werden kann. Ferner weist der Vereinzelungsfilm 11 eine Luftdurchlässigkeit auf. Der Vereinzelungsfilm 11 besteht beispielsweise aus einem Plastikfilm, bei dem eine Mehrzahl von feinen Poren in einer Dickenrichtung durch den Vereinzelungsfilm 11 dringen.
  • Der Wafer 10, an dem der Vereinzelungsfilm 11 haftet, wird an einer Dehnungsstufe, d. h. an einer Vereinzelungsstufe 61 befestigt. Die Vereinzelungsstufe 61 ist derart gitterförmig ausgebildet, dass sie luftdurchlässig ist.
  • Wenn der Vereinzelungsfilm 11 derart gedehnt wird, dass der Wafer 10 getrennt wird, saugt eine Saugpumpe (nicht gezeigt) die Luft derart von einer Rückseite der Vereinzelungsstufe 61 durch den Vereinzelungsfilm 11 ab, dass eine Saugkraft in einer Richtung 6 auf den Wafer 10 aufgebracht wird. Insbesondere wird die Saugkraft auf einen der Vereinzelungsoberfläche 10d entsprechenden Schnittteil des Wafers 10 aufgebracht.
  • Wenn die Saugkraft von Unterhalb des Wafers 10 auf den Schnittteil des Wafers 10 aufgebracht wird, wird die Saugkraft ebenso auf das geschmolzene thermoplastische Element 12 aufgebracht, das eine geringe Viskosität und eine hohe Fluidität aufweist. Durch die Saugkraft und die Schwerkraft sinkt das thermoplastische Element 12 sofort abwärts entlang der Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10, so dass das thermo plastische Element 12 sofort an der Vereinzelungsoberfläche 10d anhaftet und die gesamte Vereinzelungsoberfläche 10d bedeckt.
  • Folglich kann das thermoplastische Element 12 die Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10 schneller bedecken, als in dem Fall, bei dem es einzig durch die Schwerkraft abwärts sinkt.
  • Die Saugkraft wird hierbei derart angemessen gesteuert, dass das thermoplastische Element 12 nach unten sinkt, ohne ein Halbleiterelement zu beschädigen, das auf dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c auf der Vorderseite 10b des Wafers 10 gebildet ist. Eine vorzuziehende Saugkraft wird insbesondere experimentell bestimmt.
  • Obgleich die Vereinzelungsstufe 61 gitterförmig ausgebildet ist, um die Luftdurchlässigkeit aufzuweisen, kann sie aus einem porösen Material bestehen. Alternativ kann die Vereinzelungsstufe 61 eine Maschenstruktur aufweisen.
  • Die Vereinzelungsstufe 61 kann, wie in 27 gezeigt, ein Durchgangsloch 61a aufweisen, das geringfügig kleiner als der Wafer 10 ist. Der Umfang des Wafers 10 ist derart auf einem Umfang der Vereinzelungsstufe 61, d. h. an einer Seitenwand des Durchgangslochs 61a befestigt, dass der Wafer 10 an der Vereinzelungsstufe 61 befestigt ist.
  • Die 10A bis 13D zeigen ein Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers mit Hilfe eines Vereinzelungsfilms. In der 10A ist ein Vereinzelungsfilm aus einem Dehnungsband 220 gebildet. Das Dehnungsband 220 besteht beispielsweise aus einem Harzsheet, wie beispielsweise einem Vinylchloridfilm. Das Dehnungsband 220 weist eine Elastizität auf. Ein Klebeelement ist auf einer Seite 220a des Dehnungsbandes 220 aufgebracht. Das Klebeelement klebt zwischen dem Wafer 10 und dem Dehnungsband 220. Die andere Seite 220b des Dehnungsbandes 220 weist kein Klebelement auf. Es wird jedoch die Oberfläche der andere Seite 220b des Dehnungsbandes 220 derart behandelt, dass verhindert wird, dass ein Partikel 200, 201, das von einem Absorptionsmittel absorbiert wird, an der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 anhaftet. Der Wafer 10 entspricht einem Bearbeitungsobjekt, und der Halbleiterchip 41 entspricht einem geteilten Stück.
  • Das Dehnungsband 220 weist ein erstes Loch 221 und ein zweites Loch 223 auf. Das erste Loch 221 weist eine rechteckige und das zweite Loch 223 eine kreisrunde Form auf. Der Wafer 10 weist eine Ausrichtungsfläche OF als Ausschnitt (notch) zum Bestimmen einer Position des Wafers 10 auf. Folglich zeigt die Ausrichtungsfläche OF eine Position zum Kleben des Wafers auf das Dehnungsband 220 an. Die Waferposition ist als die Ausrichtungsfläche OF definiert. Die Schnittlinie K ist eine Linie, an welcher der Wafer 10 geschnitten wird. Folglich wird der Wafer 10 an der Schnittlinie K vereinzelt. Obgleich in der 10B drei Halbleiterchips 41 gezeigt sind, können eine Mehrzahl von Chips 41 auf der gesamten Oberfläche des Wafers 10 angeordnet sein.
  • Das erste Loch 221 des Dehnungsbandes 220 ist entlang der Schnittlinie K des Wafers 10 gebildet. Das erste Loch 221 dringt durch das Dehnungsband 220. 10B zeigt einen Teil XB des Wafers 10 mit den Dehnungsband 220. Das erste Loch 221 ist in Übereinstimmung mit einem Umfang des Chips 41 gebildet und innerhalb des Umfangs des Wafers 10 angeordnet. Der Chip 41 weist hierbei eine quadratische Form mit vier Seiten auf, von denen jede dem ersten Loch 221 entspricht. Vier erste Löcher 221, die vier Seiten des Chip 41 entsprechen, sind nicht miteinander verbunden. Folglich sieht das erste Loch 221 ein diskontinuierliches Loch vor.
  • Wenn vier erste Löcher 221 miteinander verbunden sind, d. h., wenn das erste Loch 221 den Chip vollständig umgibt, ist das Dehnungsband 220, das mit dem Loch 221 umgeben ist, durch Trennen aus dem Dehnungsband 220 gewonnen. Folglich sind die Löcher 221 an vier Ecken unter den ersten Löchern 221 nicht miteinander verbunden.
  • Das zweite Loch 223 ist außerhalb des Wafers 10 angeordnet und dringt durch das Dehnungsband 220. Folglich bildet eine Gesamtform der Mehrzahl von ersten Löchern 221 eine kreisrunde Form mit einem Ausschnitt (notch) und eine Gesamtform der zweiten Löcher 223 einen Kreis mit einem Ausschnitt, der außerhalb der ersten Löcher 221 angeordnet ist.
  • In der 10A sind die zweiten Löcher 223 auf einem Kreis angeordnet, der geringfügig größer als der Außenumfang, d. h. der Umfang des Wafers 10 ist. Die zweiten Löcher 223 sind in einem vorbestimmten Intervall, das durch einen Mittelwinkel von 10 Grad definiert ist, auf dem Kreis angeordnet. Folglich sind 36 kreisrunde Löcher auf dem Kreis gebildet.
  • Die Abmessungen des ersten Lochs 221 und die Abmessungen des zweiten Lochs 223 werden derart bestimmt, dass der Chip 41 nicht durch die Löcher 221, 223 passt. Insbesondere ist die maximale Abmessung jedes Lochs 221, 223 kleiner als eine kurze Seite des Chips 41.
  • 11A zeigt ein weiteres erstes Loch 221a in dem Dehnungsband 220 als Ausgestaltung des Dehnungsbandes 220 in den 10A und 10B. Das erste Loch 221 in der 11A weist drei rechteckige Löcher 221a auf, die nicht miteinander verbunden sind. Die Länge des ersten Loches in der 10A ist ungefähr dreimal so lang wie die Länge jedes rechteckigen Lochs 221a in der 11A. Insbesondere weisen die drei rechteckigen Löcher 221a die gleiche rechteckige Form auf und sind die drei rechteckigen Löcher 221a auf der Schnittlinie des Wafers 10 angeordnet. Folglich sind die drei rechteckigen Löcher 221a hintereinander in einer Längsrichtung der rechteckigen Löcher 221a angeordnet. Die drei rechteckigen Löcher 221a entsprechen dem ersten Loch 221. Wenn das Dehnungsband 220 drei rechteckige Löcher 221a aufweist, ist ein Gesamtlochbereich des Dehnungsbandes 220 kleiner als der in einem Fall, bei dem das Dehnungsband 220 das erste Loch 221 aufweist. Folglich überträgt sich die Zugspannung des Dehnungsbandes 220 vorzugsweise auf den Wafer 10.
  • 11B zeigt ein weiteres erstes Loch 221b, 221c in dem Dehnungsband 220 als Ausgestaltung des Dehnungsbandes 220 in den 10A und 10B. Das erste Loch 221b, 221c umfasst ein kreisrundes Loch 221b und ein dreieckiges Loch 221c. In der 11B sind vier kreisrunde Löcher 221b auf einer Seite des Chips 41 und vier dreieckige Löcher 221c auf der anderen Seite des Chips 41 angeordnet. Folglich bilden vier kreisrunde Löcher 221b eines der ersten Löcher 221 und vier dreieckige Löcher 221c ebenso ein anderes der ersten Löcher 221. Vier dreieckige Löcher 221c sind nicht miteinander verbunden, und vier kreisrunde Löcher 221b sind ebenso nicht miteinander verbunden.
  • In diesem Fall beträgt der Durchmesser des kreisrunden Lochs 221b ungefähr ¼ der Länge des ersten Lochs 221. Vier kreisrunde Löcher 221b sind auf einer Seite des Chips 41 und auf der Schnittlinie K angeordnet. Die Abmessung des dreieckigen Lochs 221c beträgt ungefähr ¼ der Länge des ersten Lochs 221. Vier dreieckige Löcher 221c sind auf der anderen Seite des Chips 41 und auf der Schnittlinie angeordnet. Jedes der vier dreieckigen Löcher 221c weist hierbei eine bestimmte Wendung auf, die sich von der Wendung des benachbarten der dreieckigen Löcher 221c unterscheidet, so dass vier dreieckige Löcher 221c alternierend auf der Schnittlinie angeordnet sind. In diesem Fall ist ein Gesamtlochbereich des Dehnungsbandes 220 kleiner als der in einem Fall, bei dem das Dehnungsband 220 das erste Loch 221 aufweist. Folglich überträgt sich die Zugspannung des Dehnungsbandes 220 vorzugsweise auf den Wafer 10.
  • 12A zeigt ein weiteres zweites Loch 223a in dem Dehnungsband 220 als Ausgestaltung des Dehnungsbandes 220 in den 10A und 10B. Das Dehnungsband 220 weist vier bogenförmige Löcher bzw. Bogenlöcher 223a auf, die entlang des Umfangs des Wafers 10 angeordnet sind. Jedes Bogenloch 223 entspricht beispielsweise nahezu ¼ des Umfangs des Wafers 10. Vier Bogenlöcher 223a sind nicht miteinander verbunden und außerhalb des Wafers 10 angeordnet. In der 12A ist ein Teil, welcher der Ausrichtungsfläche OF entspricht, aus den Bogenlöchern 223a entfernt.
  • Folglich können 36 zweite Löcher 223, die in der 10A gezeigt sind, durch vier Bogenlöcher 223a ersetzt werden. Wenn das Dehnungsband 220 vier Bogenlöcher 223a aufweist, wird ein Gesamtlochbereich des Dehnungsbandes 220 verglichen mit den 36 zweiten Löchern 223 erhöht. Dies liegt daran, dass jedes Bogenloch 223a verglichen mit jedem zweiten Loch 223 eine hohe Länge aufweist. Folglich wird das Partikel 200, das aus dem Umfang des Wafers, d. h. der Vereinzelungsoberfläche des Wafers 10 erzeugt wird, dann, wenn der Laserstrahl L auf den Wafer 10 gestrahlt wird, ausreichend absorbiert und über die Bogenlöcher 223a entfernt.
  • 12B zeigt ein weiteres erstes Loch 221d und ein weiteres zweites Loch 223b in dem Dehnungsband 220 als Ausgestaltung des Dehnungsbandes 220 in den 10A und 10B. Die ersten Löcher 221d und die zweiten Löcher 223b sind zufällig auf dem Dehnungsband 220 angeordnet. Jedes der ersten und zweiten Löcher 221d, 223b weist eine kreisrunde Form auf. Die ersten Löcher 221d sind innerhalb des Wafers 10 und die zweiten Löcher 223b außerhalb des Wafers 10 angeordnet. Folglich sind die ersten und zweiten Löcher 221d, 223b unregelmäßig verstreut bzw. angeordnet.
  • In dem obigen Fall sind die ersten Löcher 221d nicht immer auf der Schnittlinie K und die zweiten Löcher 223b nicht immer entlang des Umfangs des Wafers 10 angeordnet. Folglich wird das Partikel 200, 201 über die ersten und die zweiten Löcher 221d, 223b absorbiert. Die Absorptionsgrad des Partikels 200, 201 ist verglichen mit dem des in den 10A bis 12A gezeigten Dehnungsband 220 verhältnismäßig gering.
  • Die planare Form und die Position jedes Lochs 221, 221a–221d, 223, 223a–223b wurde anhand der 10A bis 12B, beschrieben. Die 13A bis 13D beschreiben den Quer schnitt der Löcher 221, 221a–221d, 223, 223a–223b. Obgleich das zweite Loch 223 in den 13A bis 13D eine kreisrunde Form aufweist, kann es eine rechteckige, eine dreieckige oder eine mehreckige Form aufweisen.
  • In den 13A und 13B weist das zweite Loch 223 eine derartige Stufe auf, dass das Volumen des Dehnungsbandes maximiert, d. h. die Zugspannung des Dehnungsbandes 220 ausreichend auf den Wafer 10 übertragen wird. Insbesondere wird der Lochbereich des zweiten Lochs 223 minimiert.
  • Die eine Seite 220a des Dehnungsbandes 220, auf die Wafer 10 geklebt ist, weist ein Loch 223c mit einem hohen Innendurchmesser auf. Die andere Seite 220b des Dehnungsbandes 220, die auf der gegenüberliegenden Seite des Wafers 10 liegt, weist ein Loch 223d mit einem kleinen Innendurchmesser auf. Hierdurch weist das zweite Loch 223 die Stufe auf.
  • In diesem Fall wird das Partikel derart über das Loch 223c mit dem hohen Durchmesser absorbiert, dass das Partikel innerhalb der Öffnung des Lochs 223c mit dem hohen Durchmesser ausreichend absorbiert wird. Da die andere Seite 220b das Loch 223d mit dem geringen Durchmesser aufweist, wird die Zugspannung des Dehnungsbandes 220 in horizontaler Richtung des Dehnungsbandes 220 ausreichend über das Dehnungsband auf den Wafer 10 übertragen. Insbesondere wird die Zugspannung ausreichend auf die Innenseite des Dehnungsbandes übertragen.
  • In den 13C und 13D weist das zweite Loch 223 ein oberes Loch 223e und ein unteres Loch 223f auf. Das obere Loch 223e weist die Mittelachse i und das untere Loch 223f die andere Mittelachse j auf. Die Mitte i des oberen Lochs 223 unterscheidet sich von der Mitte j des unteren Lochs 223f. Das obere und das untere Loch 223e, 223f überlappen sich derart, dass ein Überlappungsabschnitt 223g gebildet wird.
  • Das obere Loch 223e ist auf der einen Seite 220a des Dehnungsbandes 220 und das untere Loch 223f auf der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 geöffnet. Folglich kann das entlang der durchgezogenen Linie der 13C strömende Partikel das Dehnungsband 220 durch das zweite Loch 223 passieren. Das entlang der gestrichelten Linie der 13D strömende Partikel kann das Dehnungsband 220 jedoch nicht passieren. Folglich kann das zweite Loch 223 mit dem oberen und dem unteren Loch 223e, 223f das Partikel passieren lassen und verhindern, dass das Partikel passiert, so dass es eine Absorptionsrichtung des Partikels kontrolliert.
  • Folglich wird das aus der Vereinzelungsoberfläche des Wafers 10 erzeugte Partikel, wie nachstehend noch beschrieben, von der einen Seite 220a über das erste und das zweite Loch 221, 223 zu der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert. Insbesondere dann, wenn das Partikel von der Vorderseite des Wafers 10 zu der Rückseite des Wafers 10 absorbiert wird, ist der Luftstrom von oberhalb des Wafers 10 zu der Rückseite des Wafers 10 gerichtet. Folglich ist der Luftstrom nicht zu der Vorderseite des Wafers 10 gerichtet. Folglich treibt das Partikel verglichen mit einem Fall, bei dem es in eine Aufwärtsrichtung absorbiert wird, nicht über dem Wafer 10. Folglich verteilt sich das Partikel nicht auf dem Wafer 10. Die Ausbeute und die Qualität des Halbleiterchips 41 werden verbessert.
  • Das in der 10A gezeigte erste Loch 221 und die in der 11A gezeigten rechteckigen Löcher 221a weisen verglichen mit den dreieckigen Löchern 221b und den kreisrunden Löchern 221c, die in der 11D gezeigt sind, einen großen Öffnungsbereich auf der einen Seite 220a des Dehnungsbandes 220 auf, da sie eine rechteckige Form entlang des Umfangs des Halbleiterchips 41 aufweisen. Ferner sind das erste Loch 221 in der 10A, die rechteckigen Löcher 221a in der 11A und die dreieckigen und kreisrunden Löcher 221b, 221c in der 11B entlang des Umfangs des Chips 41 angeordnet, wobei das Partikel, das dann erzeugt wird, wenn der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird, verglichen mit einem Fall, bei dem das erste Loch 221d zufällig auf dem Dehnungsband angeordnet ist, ausrei chend über die Löcher 221, 221a, 221b, 221c zu der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Halbleiterchips verbessert.
  • Das in der 10A gezeigte zweite Loch 223 und das in der 12A gezeigte Bogenloch 223 sind entlang des Umfangs des Wafers 10 gebildet. Folglich kann das zu der Außenseite des Wafers 10 gestreute bzw. verteilte Partikel über die Löcher 223, 223a zu der Außenseite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert werden. Beispielsweise kann das Partikel 201, dass durch eine Laserabtragung erzeugt wird, wenn der Laserstrahl L auf den Wafer 10 gestrahlt wird, über die Löcher 223, 223a absorbiert werden. Folglich kann nicht nur das Partikel, das aus der Vereinzelungsoberfläche des Wafers 10 erzeugt wird, sondern ebenso das Partikel, das durch die Laserabtragung erzeugt wird, zu der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert werden. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Chips deutlich verbessert.
  • Die Fläche des Bogenlochs 223a in der 12A ist größer als die des zweiten Lochs 223 in der 10A, da das Bogenloch 223, das entlang des Umfangs des Wafers 10 gebildet ist, eine höhere Länge aufweist. Folglich ist der Öffnungsbereich des Bogenlochs 223a groß. Ferner wird das durch die Laserabtragung erzeugte Partikel ausreichend über das Loch 223a zu der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert, da das Bogenloch 223a entlang des Umfangs des Wafers 10 gebildet ist. Hierbei ist der Wafer 10 nicht an die andere Seite 220b des Dehnungsbandes 220 gehaftet. Folglich werden das Partikel 200, das durch die Laserabtragung erzeugt wird, und das Partikel, das aus der Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10 erzeugt wird, wie in den 15A bis 15C gezeigt, hinreichend absorbiert.
  • Die 14A und 14B zeigen Dehnungsbänder 220 mit einer Maschenstruktur. Jedes Dehnungsband 220 weist eine Elastizität auf, wobei die eine Seite 220a des Dehnungsbandes 220 ein der artiges Klebvermögen aufweist, dass der Wafer 10 an der einen Seite 220a des Dehnungsbandes 220 kleben kann.
  • Der Bereich jedes Dehnungsbandes 220, welcher dem Wafer 10 entspricht, weist die Maschenstruktur auf, und der andere Bereich des Dehnungsbandes 220, welcher der Außenseite des Wafers 10 entspricht, weist ebenso die Maschenstruktur auf. Folglich werden das Partikel 200, das durch die Laserabtragung erzeugt wird, und das Partikel, das aus der Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafer 10 erzeugt wird, hinreichend über die Maschenlöcher 221e, 221f, 223h, 223i zu der andere Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert.
  • Die in der 14A gezeigte Maschenstruktur ist eine quadratische Gitterstruktur, die eine Längslinie 220c und eine Querlinie 220d aufweist. Folglich wird die Zugspannung, die entlang der Längsrichtung des Dehnungsbandes 200 aufgebracht wird, aufrechterhalten, d. h. über die Längslinie 220c übertragen, und wird die Zugspannung, die entlang der Querrichtung des Dehnungsbandes 200 aufgebracht wird, aufrechterhalten, d. h. über die Querlinie 220d übertragen. Eine Halterung zum Halten des Dehnungsbandes 220 ist vorzugsweise ein rechteckiger Rahmen.
  • Die in der 14B gezeigte Maschenstruktur ist gleich einem Spinnennetz ausgebildet, das eine radiale Linie 220e und eine Umfangslinie 220f aufweist. Die radiale Linie 220e erstreckt sich in einem radialen Muster von der Mitte des Dehnungsbandes 220 zu der Außenseite des Dehnungsbandes 220. Die Umfangslinie 220f erstreckt sich konzentrisch von der Mitte des Dehnungsbandes 220. Folglich wird die Zugspannung, die von der Mitte des Dehnungsbandes 220 in radialer Richtung aufgebracht wird, aufrechterhalten, d. h. über die Linien 220e, 220f übertragen. Eine Halterung zum Halten des Dehnungsbandes 220 ist vorzugsweise ein kreisrunder Rahmen.
  • Die 15A bis 15C zeigen einen Laservereinzelungsprozess unter Verwendung des Dehnungsbandes 220.
  • In der 15A wird der Umformungsabschnitt R mit Hilfe des Laserstrahls L gebildet. Insbesondere wird der Laserstrahl L entlang der Schnittlinie K des Wafers gescannt. Folglich wird der Laserstrahl L derart auf den Wafer 10 gestrahlt, dass der Umformungsabschnitt R durch den Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls L in dem Wafer 10 gebildet wird. Folglich werden eine Mehrzahl von Schichten, die durch den Umformungsabschnitt R vorgesehen werden, in der Dickenrichtung des Wafers 10 gebildet.
  • In der 15C wird die Zugspannung über das Dehnungsband 220 auf die Rückseite des Wafers 10 aufgebracht. In diesem Fall ist das Dehnungsband 220 in horizontaler Richtung des Dehnungsbandes 220 dehnbar, so dass die Belastung auf den Wafer 10 übertragen wird. Folglich wird der Wafer 10 in seiner radialen Richtung gezogen. Der Wafer 10 wird von dem Umformungsabschnitt R als Startpunkt der Vereinzelung an geschnitten und getrennt.
  • Ein Absorptionsmittel, wie beispielsweise eine Pumpe zum Beaufschlagen des Dehnungsbandes 220 mit einem Unterdruck, ein Luftstromelement zum Erzeugen eines Luftstroms von der Oberseite des Wafers 10 zu der Unterseite des Wafers 10 und ein Druckluftgebläse zum Blasen der Luft von der Oberseite des Wafers zu der Unterseite des Wafers 10, ist nahe dem Wafer 10 angeordnet. Folglich werden das Partikel 200, das durch die Laserabtragung erzeugt wird, wenn der Umformungsabschnitt R bei einem in der 15A gezeigten Laserbestrahlungsprozess gebildet wird, und das Partikel 201, das aus der Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10 erzeugt wird, wenn der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird, von der einen Seite 220a des Dehnungsbandes 220 zu bzw. auf die andere Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert oder geblasen. Insbesondere werden die Partikel 200, 201 über bzw. durch das Loch 221 des Dehnungsbandes 220 absorbiert oder geblasen.
  • Folglich wird der Luftstrom in einem Absorptionsschritt während des Schneidens oder nach oder vor dem Schneiden durch das Absorptionsmittel erzeugt. Das Partikel 201 wird von der Vorderseite 10b über das Loch 223 des Dehnungsbandes 220 zu der Rückseite 10a des Wafers 10 absorbiert. Der Luftstrom oberhalb des Wafers 10 ist nach unterhalb des Wafers 10 gerichtet; und folglich wird verhindert, dass der Luftstrom nach oberhalb des Wafers 10 gerichtet ist. Folglich treibt das Partikel nicht über den Wafer 10 und wird auch nicht auf dem Wafer 10 verteilt.
  • Bei dem Bildungsschritt des Umformungsabschnitts R oder nach oder vor dem Bildungsschritt des Umformungsabschnitts R sieht das Absorptionsmittel den Luftstrom nach unterhalb des Wafers 10 vor. Bei diesem vorläufigen Absorptionsschritt wird das Partikel 200 über das Loch 223 des Dehnungsbandes 220 zu der Rückseite 10a des Wafers 10 absorbiert. Hierbei wird das Partikel 200 nach außerhalb des Wafers 10 gestreut, wenn der Laserstrahl L auf den Wafer 10 gestrahlt wird. Folglich wird der Partikel 200 über die Löcher 221, 223 zu der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert. Folglich kann nicht einzig das Partikel 201, das aus der Vereinzelungsoberfläche des Wafers 10 erzeugt wird, sondern ebenso das Partikel 200, das durch die Laserabtragung erzeugt wird, über die Löcher 200, 201 zu der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert werden. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Chips deutlich verbessert.
  • Obgleich das Dehnungsband 220 aus Harz besteht, kann es aus einem anderen Material bestehen, solange es luftdurchlässig ist. Beispielsweise kann ein poröses Sheet bzw. eine poröse Schicht, ein mehrschichtiges Sheet oder dergleichen für das Dehnungsband 220 verwendet werden.
  • Die 16 bis 20 zeigen eine Ausdehnungsvorrichtung 300 zum Halten des Wafers 10. Die Ausdehnungsvorrichtung 300 weist einen Befestigungstisch 302, ein Befestigungselement 303, ein Abstandsstück 304 und eine Absorptionsvorrichtung (nicht gezeigt) auf. Der Befestigungstisch 302 weist eine zylindrische Form auf und befestigt einen flachen Ring 306. Das Befesti gungselement 303 weist eine Ringform auf und befestigt den flachen Ring 306. Das Abstandsstück 304 weist eine zylindrische Form auf und drückt den flachen Ring 306. Die Absorptionsvorrichtung absorbiert die Luft in dem Abstandsstück 304 nach unterhalb der Ausdehnungsvorrichtung 300. Die obere Oberfläche des Befestigungstischs 302 weist eine Mehrzahl von Nuten 302a auf, um die Innenseite des Tischs 302 mit der Außenseite des Tischs 302 zu verbinden.
  • Der flache Ring 306 ist auf dem Tisch 302 befestigt. Der Umfang des Vereinzelungsfilms 11 mit einer kreisrunden Form ist an den flachen Ring 306 geklebt. Der flache Ring 306 ist derart zwischen dem Tisch 302 und dem Befestigungselement 303 angeordnet, dass er zwischen beiden befestigt ist. Der Wafer 10 ist an die Rückseite des Vereinzelungsfilms 11 geklebt und die Halbleitervorrichtung auf einer Oberfläche des Wafers 10 gebildet.
  • Das Abstandsstück 304 dient zum Drücken des Vereinzelungsfilms 11 nach oben. Folglich ist das Abstandsstück 304 in vertikaler Richtung, d. h. aufwärts und abwärts bewegbar. Das Abstandsstück 304 drückt einen Teil des Vereinzelungsfilms 11, der auf der Rückseite des Vereinzelungsfilms 11 und außerhalb des Wafers 10 angeordnet, so dass der Vereinzelungsfilm 11 gedehnt wird. Auf diese Weise wird der Wafer 10 in die Mehrzahl von Chips 41 geschnitten und getrennt. Eine Mehrzahl von Löchern 304a ist auf einem Oberseitenabschnitt des Abstandsstücks 304 gebildet. Jedes Loch 304a dringt derart durch die Umfangswand des Abstandsstücks 304, dass die Innenseite und die Außenseite des Abstandsstücks 304 miteinander verbunden sind.
  • Die 18A bis 18D veranschaulichen einen Schritt zum Schneiden des Wafers 10. Zunächst wird der Wafer 10, wie in 18A gezeigt, an einem Abschnitt nahezu in der Mitte des Vereinzelungsfilms 11 geklebt, der an dem flachen Ring 306 befestigt ist. Insbesondere wird der Vereinzelungsfilm 11 an dem Boden des flachen Rings 306 befestigt und der Wafer 10 an die obere Oberfläche des Vereinzelungsfilms 11 geklebt. In diesem Fall liegt die Halbleitervorrichtung auf dem Wafer 10 dem Ver einzelungsfilm 11 derart gegenüber, dass sie den Vereinzelungsfilm 11 nicht berührt.
  • Auf einem Teil der Oberfläche des Vereinzelungsfilms 11 ist eine Klebeelement aufgebracht, um den Wafer 10 darauf zu kleben. Der andere Teil der Oberfläche des Vereinzelungsfilms 11, auf dem der Wafer 10 nicht angeordnet ist, d. h. der andere Teil, der außerhalb des Wafers 10 angeordnet ist, wird bearbeitet, um das Klebvermögen des Klebeelement zu verringern. Das Abstandsstück 304 dient dazu, den anderen Teil des Vereinzelungsfilms 11 zu berühren, und bildet eine Ringform um den Wafer 10 herum. Folglich ist die obere Oberfläche des Abstandsstücks 304 nicht an den Vereinzelungsfilm 11 geklebt. Folglich wird der Vereinzelungsfilm 11 hinreichend durch das Abstandsstück 304 gedehnt. Wenn der andere Teil des Vereinzelungsfilms 11 ein Klebvermögen aufweist, wird verhindert, dass sich der Vereinzelungsfilm 11 ausdehnt.
  • Der Prozess zur Verringerung des Klebvermögens wird derart ausgeführt, dass der Vereinzelungsfilm 11 aus einem Vereinzelungsband, das durch eine Bestrahlung mit ultraviolettem Licht entfernt werden kann, gebildet wird. In diesem Fall wird ultraviolettes Licht derart auf den anderen Teil des Vereinzelungsfilms 11 gestrahlt, dass das Klebvermögen des anderen Teils verringert wird. Dieser Prozess zur Verringerung des Klebvermögens kann vor dem Ausdehnungsschritt des Vereinzelungsfilms 11 ausgeführt werden.
  • Anschließend wird der Laserstrahl L, wie in 18B gezeigt, derart auf die Oberfläche des Wafers 10 gestrahlt, dass der Umformungsabschnitt R zum Schneiden des Wafers 10 in dem Wafer 10 gebildet wird. Eine gestrichelte Linie in der 18B beschreibt die Schnittlinie K.
  • Anschließend wird die Oberfläche des Wafers 10, die auf der gegenüberliegenden Seite des Vereinzelungsfilms 11 liegt, wie in 18C gezeigt, in vertikaler Richtung abwärts gerichtet und der flache Ring 306 mit dem Vereinzelungsfilm 11 an der Ausdehnungsvorrichtung 300 befestigt. Insbesondere dreht sich der Wafer 10 an dem Vereinzelungsfilm 11 derart, dass er dem Abstandsstück 304 gegenüberliegt. Ferner ist der Umfang des flachen Rings 306 zwischen dem Befestigungselement 303 und dem Befestigungstisch 302 angeordnet. Folglich ist der flache Ring 306 mit dem Vereinzelungsfilm 11 an der Ausdehnungsvorrichtung 300 befestigt. Ferner drückt die obere Oberfläche des Abstandsstücks 304 nach oben und berührt den Teil des Vereinzelungsfilms 11, der außerhalb des Wafers 10 liegt.
  • Anschließend wird die Luftabsorptionsvorrichtung (nicht gezeigt) derart betrieben, dass die Luft in dem Abstandsstück 304 nach unten absorbiert wird. Folglich wird die Luft außerhalb der Ausdehnungsvorrichtung 300 aus der Nut 302a des Befestigungstisches 302 und dem Loch 304a des Abstandsstücks 304 in das Abstandsstück 304 eingeführt. Anschließend strömt die Luft in dem Abstandsstück 304 von der Oberfläche des Wafers 10 nach unterhalb des Abstandsstücks 304. Folglich wird der Luftstrom von der Oberfläche des Wafers 10 nach unterhalb des Abstandsstücks 304 durch die Luftabsorptionsvorrichtung erzeugt. Hierbei stellen die Nut 302a des Befestigungstisches 302, das Loch 304a des Abstandsstücks 304 und die Absorptionsvorrichtung eine Luftstromerzeugungseinrichtung bereit.
  • Anschließend wird das Abstandsstück 304, wie in 18D gezeigt, derart erhöht, dass die obere Oberfläche des Abstandsstücks 304 das Teil des Vereinzelungsfilms 11 nach oben drückt. Folglich wird der Vereinzelungsfilm 11 derart gedehnt, dass der Wafer 10 in die Chips 41 geschnitten und getrennt wird. Hierbei wird das Partikel dann, wenn der Wafer 10 geschnitten wird, aus der Vereinzelungsoberfläche des Wafers 10 erzeugt. Das Partikel fällt jedoch frei nach unten, da der Wafer 10 nach unten ausgerichtet ist. Folglich haftet das Partikel nicht an der Oberfläche des Wafers 10 an. Insbesondere, da die Luftstromerzeugungseinrichtung den Luftstrom derart erzeugt, dass die Luft in dem Abstandsstück 304 nach unten absorbiert wird. Folglich trägt der Luftstrom von der Oberfläche des Wafers 10, die auf der gegenüberliegenden Seite des Vereinzelungsfilms 11 liegt, nach unterhalb des Abstandsstücks 304 das Partikel von der Oberfläche des Wafers 10 nach unterhalb des Abstandsstücks 304. Folglich treibt das Partikel nicht über den Wafer 10 und haftet nicht an dem Wafer 10 an. Anschließend wird ein zweiter flacher Ring 308, wie in 19 gezeigt, an die obere Oberfläche des Vereinzelungsfilms 11 geklebt. Der zweite flache Ring 308 weist nahezu die gleichen Abmessungen wie der Außendurchmesser des Abstandsstücks 304 auf. Folglich bleiben die geteilten Chips 41 in einem getrennten Zustand zusammen. Die Außenseite des Vereinzelungsfilms 11, die außerhalb des zweiten flachen Rings 308 liegt, wird geschnitten.
  • Folglich sind die Chips 41, wie in 20 gezeigt, auf dem Vereinzelungsfilm 11 geteilt und ist der Vereinzelungsfilm 11 an dem zweiten flachen Ring 308 befestigt. Dieser zweite flache Ring mit den geteilten Chips 41 wird einer Nachbearbeitung unterzogen.
  • Wenn der Vereinzelungsfilm 11 gedehnt wird, wird der Wafer 10 folglich nach unten ausgerichtet. Folglich fällt das Partikel naturgemäß nach unten, so dass es von der Oberfläche des Wafers 10 entfernt wird. Folglich wird verhindert, dass das Partikel an dem Wafer 10 anhaftet. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips verbessert.
  • Ferner wird das Partikel durch den von der Luftabsorptionseinrichtung erzeugten Luftstrom nach unterhalb des Abstandsstücks 304 absorbiert. Folglich kann sicher verhindert werden, dass das Partikel an dem Wafer 10 anhaftet.
  • Ferner weist das Abstandsstück 304 eine zylindrische Form auf und kann aufwärts und abwärts bewegt werden. Folglich ist der Aufbau der Luftstromerzeugungsvorrichtung vereinfacht.
  • Die Löcher 304a des Abstandsstücks 304 sehen auf einfache Art und Weise den Luftstrom von außerhalb der Vorrichtung 300 in das Abstandsstück 304 vor. Obgleich das Abstandsstück 304 die Löcher 304a aufweist, kann es Nuten aufweisen.
  • Die Nuten 302a des Befestigungstisches 302 sehen auf einfache Art und Weise den Luftstrom von außerhalb der Vorrichtung 300 in den Befestigungstisch 302 vor.
  • 21 zeigt eine weitere Ausdehnungsvorrichtung 300. Das Abstandsstück 304 der Vorrichtung 300 weist eine zylindrische Säulenform auf. Ferner weist das Abstandsstück 304 an seiner oberen Oberfläche eine Konkavität 310 auf. Der Wafer 10 kann in der Konkavität 310 des Abstandsstücks 304 angeordnet werden. Die Seitenwand 311 der Konkavität 310 weist eine Mehrzahl von Löchern 304a auf, die durch die Seitenwand 311 dringen. Folglich kann die Luft von der Außenseite des Abstandsstücks 304 zu der Innenseite des Abstandsstücks 304 strömen. Ein Luftdurchlass 312 ist an dem mittleren Abschnitt des Bodens der Konkavität 310 gebildet. Der Luftdurchlass 312 ist entlang der Mittelachse des Abstandsstücks 304 angeordnet.
  • In der obigen Vorrichtung 300 passiert die Luft außerhalb des Abstandsstücks 304 dann, wenn die Luftabsorbierungsvorrichtung betrieben wird, das Loch 304a des Abstandsstücks 304 derart, dass sie in die Konkavität 310 des Abstandsstücks 304 ein gefügt wird. Anschließend strömt die Luft von der Oberfläche des Wafers 10 und dem Luftdurchlass 312 des Abstandsstücks 304 nach unterhalb des Abstandsstücks 304.
  • Die 22 bis 24 zeigen eine weitere Ausdehnungsvorrichtung 300. Die Vorrichtung 300 weist einen ringförmigen Doppelringrahmen 313 auf. Der Vereinzelungsfilm 11 ist an dem Doppelringrahmen 313 befestigt. Der Doppelringrahmen 313 weist einen inneren Ring 314 und einen äußeren Ring 315 auf.
  • Bevor der Vereinzelungsfilm 11 gedehnt wird, wird der inneren Ring 314 an der oberen Oberfläche des Abstandsstücks 304 befestigt. Der innere Ring 314 kann von dem Abstandsstück 304 entfernt werden. Das Abstandsstück 304 wird, wie in 22 gezeigt, derart erhöht, dass der Vereinzelungsfilm 11 gedehnt wird. Auf diese Weise wird der Wafer 10 geschnitten und ge trennt. Anschließend wird der äußere Ring 315, wie in 23 gezeigt, außen um den inneren Ring 314 gefügt. Der Vereinzelungsfilm 11 ist zwischen dem inneren Ring 314 und dem äußeren Ring 315 angeordnet.
  • Der Teil des Vereinzelungsfilms 11 außerhalb des äußeren Rings 315 wird geschnitten und der innere Ring 314 derart erhöht, dass der Doppelringrahmen 313 mit dem Vereinzelungsfilm 11 von dem Abstandsstück 304 entfernt wird. Folglich sind die Chips 41, wie in 24 gezeigt, geteilt und auf dem Vereinzelungsfilm 11 angeordnet, der durch den Doppelringrahmen 313 befestigt wird.
  • Obgleich der Befestigungstisch 302 die Nuten 302a und das Abstandsstück 304 die Löcher 304a aufweist, kann der Befestigungstisch 302 auch ohne die Nuten und das Abstandsstück 304 auch ohne die Löcher ausgebildet sein. Wenn der Vereinzelungsfilm 11 beispielsweise kleine Durchgangslöcher aufweist, ist keine Nut und kein Loch in dem Tisch 302 bzw. dem Abstandsstück 304 erforderlich. Alternativ kann der Vereinzelungsfilm 11 aus einem porösen Material bestehen. In diesem Fall kann der Luftstrom von der Außenseite der Vorrichtung nach unterhalb des Ab standsstücks 304 erzeugt werden, ohne dass die Nut und das Loch in dem Tisch 302 bzw. in dem Abstandsstück 304 gebildet sind. Ferner können der Befestigungstisch 302 und das Abstandsstück 304 eine andere Art von Durchgang von außerhalb nach innerhalb aufweisen.
  • Die obige Offenbarung weist die folgenden Beispiele und Ausgestaltungen auf.
  • Gemäß einem ersten Beispiel weist eine durch Trennen aus einem Wafer gebildete Vorrichtung auf: einen Chip mit einer Seitenwand, die dann durch eine Vereinzelungsoberfläche des Wafers vorgesehen ist, wenn die Vorrichtung durch Trennen aus dem Wafer gebildet ist; und ein Schutzelement, das an der Seitenwand des Chips angeordnet ist, um den Chip davor zu schützen, durch Staub von der Vereinzelungsoberfläche verunreinigt zu werden. In diesem Fall wird verhindert, dass ein Partikel von bzw. aus der Vereinzelungsoberfläche des Wafers abgetrennt bzw. entfernt wird. Hierbei wird die Vereinzelungsoberfläche des Wafers dann, wenn der Chip durch Trennen aus dem Wafer gebildet wird, derart mit dem Schutzelement bedeckt, dass verhindert wird, dass das Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers entfernt wird. Ferner ist die Vereinzelungsoberfläche des Wafers nach einer Trennung des Chips aus dem Wafer derart mit dem Schutzelement bedeckt, dass verhindert wird, dass das Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers entfernt wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Chips verbessert.
  • Alternativ kann die Vorrichtung einen Umformungsabschnitt aufweisen, der an der Seitenwand angeordnet ist. Der Umformungsabschnitt ist mit dem Schutzelement bedeckt. Der Umformungsabschnitt ist dafür vorgesehen, dass der Wafer von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt an gespalten wird, wenn die Vorrichtung durch Trennen aus dem Wafer gewonnen wird. Der Umformungsabschnitt wird vor einer Trennung der Vorrichtung aus dem Wafer derart in dem Wafer angeordnet, dass ein Laserstrahl auf eine vorbestimmte Position in dem Wafer fokussiert ist, um den Umformungsabschnitt um die vorbestimmte Position herum durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls in dem Wafer zu bilden.
  • Gemäß einem zweiten Beispiel umfasst ein Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers die folgenden Schritte: Teilen des Wafers in eine Mehrzahl von Chips; und Bedecken einer Seitenwand jedes Chips mit einem Schutzelement zum Schützen des Chips vor einer Verunreinigung durch Staub von bzw. aus einer Vereinzelungsoberfläche des Wafers. Bei diesem Verfahren wird die Seitenwand des Chips dann, wenn der Chip aus dem Wafer getrennt wird, mit dem Schutzelement bedeckt. Folglich wird verhindert, dass ein Partikel von der Seitenwand des Chips, die der Vereinzelungsoberfläche des Wafers entspricht, abgetrennt wird, wenn der Chip aus dem Wafer getrennt wird, oder nachdem der Chip durch Trennen aus dem Wafer gebildet ist. Folglich werden die Ausbeute und Qualität des Chips verbessert.
  • Alternativ kann das Verfahren die Schritte umfassen: Bilden eines Umformungsabschnittes in dem Wafer entlang einer Schnittlinie des Wafers derart, dass ein Laserstrahl auf eine vorbestimmte Position in dem Wafer fokussiert ist, um den Umformungsabschnitt um die vorbestimmte Position herum durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls in dem Wafer zu bilden; und Bilden des Schutzelements auf einem Teil des Wafers, der die Schnittlinie bedeckt. Bei dem Teilen des Wafers wird der Wafer von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt derart gespalten, dass er entlang der Schnittlinie geteilt wird. Bei dem Teilen des Wafers wird das Schutzelement auf dem Teil des Wafers geschmolzen. Bei dem Bedecken der Seitenwand jedes Chips verteilt sich das geschmolzene Schutzelement derart auf der Vereinzelungsoberfläche des Wafers, dass es die Seitenwand des Chips bedeckt. Ferner kann das Verfahren den folgenden Schritt umfassen: Bilden einer Konkavität auf einem Teil des Wafers, auf dem das Schutzelement gebildet ist. Bei dem Bilden des Schutzelements wird das Schutzelement derart in der Konkavität gebildet, dass es in der Konkavität untergebracht ist. Ferner kann das Verfahren den Schritt umfassen: Bilden einer Nut in dem Wafer, wobei die Nut parallel zu dem Teil des Wafers verläuft, auf dem das Schutzelement gebildet ist. Die Nut kann das Schutzelement aufnehmen, wenn sich das geschmolzene Schutzelement auf dem Wafer verteilt.
  • Alternativ kann das Schutzelement wenigstens eine Thermoplastizität, eine duroplastische Eigenschaft, eine Fotoaushärteeigenschaft, eine Aushärteeigenschaft auf eine chemische Reaktion hin oder eine Lösungsmittelverdampfungsaushärteeigenschaft aufweisen.
  • Alternativ kann das Bedecken der Seitenwand jedes Chips ausgeführt werden, nachdem der Wafer in die Mehrzahl von Chips geteilt wurde. Ferner kann der Chip bei dem Bedecken der Seitenwand jedes Chips derart in ein Gehäuse eingefügt werden, das aus dem Schutzelement besteht, dass das Schutzelement an der Seitenwand des Chips anhaftet. Ferner kann das Schutzelement wenigstens eine Wärmeschwindungseigenschaft, eine Fotoschwindungseigenschaft oder eine Elastizität aufweisen.
  • Alternativ kann das Schutzelement beim Teilen des Wafers mit einem Druck beaufschlagt werden. Ferner kann das Verfahren die folgenden Schritte umfassen: Kleben einer Rückseite des Wafers an einen Vereinzelungsfilm; und Befestigen des Wafers mit dem Vereinzelungsfilm an einer Vereinzelungsstufe. Der Vereinzelungsfilm weist ein Ausdehnungsvermögen und eine Luftdurchlässigkeit auf. Die Vereinzelungsstufe weist eine Luftdurchlässigkeit auf. Bei dem Teilen des Wafers wird eine Zugspannung derart auf den Wafer aufgebracht, dass der Wafer von dem Umformungsabschnitt an gespalten wird. Bei dem Teilen des Wafers wird eine Saugkraft über den Vereinzelungsfilm entlang der Schnittlinie von der Rückseite des Wafers auf den Wafer aufgebracht.
  • Gemäß einem dritten Beispiel weist eine Halbleitervorrichtung auf: einen Vereinzelungsfilm; einen Halbleiterwafer, der auf dem Vereinzelungsfilm angeordnet ist, wobei der Wafer entlang einer Schnittlinie in eine Mehrzahl von Chips geteilt werden kann; ein Schutzelement, das auf einem Teil des Wafers angeordnet ist, welcher die Schnittlinie des Wafers bedeckt, wobei das Teil des Wafers auf der gegenüberliegenden Seite des Vereinzelungsfilms liegt; und eine Mehrzahl von Umformungsabschnitten, die in dem Wafer angeordnet und entlang der Schnittlinie angeordnet sind. In diesem Fall wird verhindert, dass ein Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers abgetrennt wird. Folglich werden die Ausbeute und Qualität des Chips verbessert.
  • Alternativ kann der Wafer derart geteilt werden, dass er von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt an gespalten wird. Alternativ kann das Schutzelement aus einem thermoplastischem Material, aus einem duroplastischem Material, aus einem Fotoaushärtematerial, aus einem Material, das auf eine chemische Reaktion hin aushärtet, aus einem Lösungsmittelverdampfungshärtematerial, aus einem Wärmeschwindungsmaterial, aus einem Fotoschwindungsmaterial oder aus einem elastischem Material bestehen. Alternativ können die Umformungsabschnitte eine Mehrzahl von Gruppen bilden. Eine der Gruppen ist in einer vorbestimmten Tiefe von dem Schutzelement und eine andere der Gruppen in einer anderen vorbestimmten Tiefe von dem Schutzelement an angeordnet. Alternativ kann die Vorrichtung eine Konkavität aufweisen, die an dem Teil des Wafers angeordnet ist, an dem das Schutzelement angeordnet ist. Das Schutzelement ist in der Konkavität angeordnet. Alternativ kann die Vorrichtung ferner ein Paar an Konkavitäten aufweisen, das einem anderen Teil des Wafers angeordnet ist, das parallel zur Schnittlinie verläuft. Das Schutzelement ist zwischen einem Paar an Konkavitäten angeordnet.
  • Alternativ kann der Vereinzelungsfilm ein erstes Durchgangsloch aufweisen, das in einem Teil des Vereinzelungsfilms angeordnet ist, welcher dem Wafer entspricht. Ferner kann das erste Durchgangsloch eine Mehrzahl von länglichen Löchern aufweisen, die nicht miteinander verbunden sind, wobei jedes längliche Loch entlang einer Schnittlinie des Wafers angeordnet ist. Alternativ kann der Vereinzelungsfilm ferner ein zweites Durchgangsloch aufweisen, wobei das zweite Durchgangsloch in einem anderen Teil des Vereinzelungsfilms angeordnet ist, welcher einer Außenseite des Wafers entspricht. Ferner kann das zweite Durchgangsloch eine Mehrzahl von länglichen Löchern aufweisen, die nicht miteinander verbunden sind, wobei jedes längliche Loch entlang eines Umfangs des Wafers angeordnet ist. Ferner kann das erste Durchgangsloch derart eine Mehrzahl von Löchern und kann das zweite Durchgangsloch derart eine Mehrzahl von Löchern aufweisen, dass der Teil und der andere Teil des Vereinzelungsfilms eine Maschenstruktur bilden. Ferner kann das erste Durchgangsloch derart eine Mehrzahl von Löchern aufweisen, dass der Vereinzelungsfilm eine Maschenstruktur bildet, wobei wenigstens der Teil des Vereinzelungsfilms, welcher dem Wafer entspricht, die Maschenstruktur aufweist. Ferner kann die Maschenstruktur eine radiale Linie und Umfangslinie aufweisen, wobei sich die radiale Linie in einem radialen Muster von einer Mitte des Vereinzelungsfilms und sich die Umfangslinie konzentrisch von der Mitte des Vereinzelungsfilms erstreckt.
  • Gemäß einem vierten Beispiel weist ein Vereinzelungssheet auf: einen Vereinzelungsfilm, der an einem Plattenobjekt anhaften kann, das in eine Mehrzahl von Chips zu trennen ist, wobei der Vereinzelungsfilm die Chips auf einer Oberfläche halten kann, nachdem das Plattenobjekt in die Chips getrennt wurde; und ein erstes Durchgangsloch, das in einem Teil des Vereinzelungsfilms angeordnet ist, welches dem Plattenobjekt entspricht. In diesem Fall wird ein Partikel selbst dann, wenn es aus einer Vereinzelungsoberfläche des Plattenobjekts erzeugt wird, über das erste Durchgangsloch von dem Objekt entfernt. Folglich wird verhindert, dass das Partikel über das Plattenobjekt treibt, so dass es nicht auf dem Plattenobjekt verteilt wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips verbessert.
  • Alternativ kann das erste Durchgangsloch eine Mehrzahl länglicher Löchern aufweisen, die nicht miteinander verbunden sind, wobei jedes längliche Loch entlang einer Schnittlinie des Plattenobjekts angeordnet ist.
  • Alternativ kann das Sheet ferner ein zweites Durchgangsloch aufweisen, das in einem anderen Teil des Vereinzelungsfilms angeordnet ist, welcher einer Außenseite des Plattenobjekts entspricht. Ferner kann das zweite Durchgangsloch eine Mehrzahl von länglichen Löchern aufweisen, die nicht miteinander verbunden sind, wobei jedes längliche Loch entlang eines Umfangs des Plattenobjekts angeordnet ist.
  • Alternativ kann das erste Durchgangsloch derart eine Mehrzahl von Löchern aufweisen, dass der Vereinzelungsfilm eine Maschenstruktur bildet, und das wenigstens der Teil des Vereinzelungsfilms, welcher dem Plattenobjekt entspricht, die Maschenstruktur aufweist. Ferner kann das erste Durchgangsloch derart eine Mehrzahl von Löchern und kann das zweite Durchgangsloch derart eine Mehrzahl von Löchern aufweisen, dass das Teil und das andere Teil des Vereinzelungsfilms eine Maschenstruktur bilden. Ferner kann die Maschenstruktur eine quadratische Gitterstruktur sein. Alternativ kann die Maschenstruktur eine radiale Linie und eine Umfangslinie umfassen. Die radiale Linie erstreckt sich in einem radialen Muster von einer Mitte des Vereinzelungsfilms, und die Umfangslinie erstreckt sich konzentrisch von der Mitte des Vereinzelungsfilms.
  • Gemäß einem fünften Beispiel umfasst ein Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers die folgenden Schritte: Kleben des Vereinzelungssheets an das Plattenobjekt; Strahlen eines Laserstrahls derart entlang einer Schnittlinie des Plattenobjekts auf das Plattenobjekt, dass ein Umformungsabschnitt durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls in dem Plattenobjekt gebildet wird; Schneiden des Plattenobjekts von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt des Schneidens an; und Absorbieren eines Partikels, das aus einer Schnittoberfläche des Plattenobjekts erzeugt wird, derart durch das erste Durchgangsloch des Vereinzelungsfilms, dass das Partikel in Richtung einer Rückseite des Vereinzelungsfilms absorbiert wird, wobei die Rückseite des Vereinzelungsfilms auf der gegenüberliegenden Seite des Plattenobjekts liegt. In diesem Fall wird verhindert, dass das Partikel über das Plattenobjekt treibt, so dass es nicht auf dem Plattenobjekt verteilt wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Chips verbessert.
  • Gemäß einem sechsten Beispiel umfasst ein Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers die folgenden Schritte: Kleben des Vereinzelungssheets an das Plattenobjekt; Strahlen eines Laserstrahls derart entlang einer Schnittlinie des Plattenobjekts auf das Plattenobjekt, dass ein Umformungsabschnitt durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls in dem Plattenobjekt gebildet wird; Schneiden des Plattenobjekts von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt des Schneidens an; und Absorbieren eines durch Strahlen des Laserstrahls erzeugten Partikels beim Strahlen des Laserstrahls durch das erste und/oder zweite Durchgangsloch des Vereinzelungsfilms derart, dass das Partikel in Richtung einer Rückseite des Vereinzelungsfilms absorbiert wird, wobei die Rückseite des Vereinzelungsfilms auf der gegenüberliegenden Seite des Plattenobjekts liegt. In diesem Fall wird verhindert, dass das Partikel über das Plattenobjekt treibt, so dass es nicht auf dem Plattenobjekt verteilt wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Chips verbessert.
  • Gemäß einer ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist eine Vereinzelungsvorrichtung zum Teilen eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips auf: einen Vereinzelungsfilm, auf dem ein Halbleitersubstrat angeordnet ist; ein Laserelement zum Strahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat, um einen Umformungsabschnitt in dem Substrat zu bilden; und eine Ausdehnungsvorrichtung zum Befestigen des Vereinzelungsfilms und zum Dehnen des Vereinzelungsfilms, um das Substrat in die Chips zu teilen. Der Vereinzelungsfilm ist derart an der Ausdehnungsvorrichtung befestigt, dass das Substrat auf dem Vereinzelungsfilm abwärts bzw. nach unten ausgerichtet ist, so dass ein aus einer Vereinzelungsoberfläche des Substrats stammendes Partikel frei nach unter fällt.
  • Bei dieser Vorrichtung fällt das Partikel frei herunter, so dass es von der Oberfläche des Substrats entfernt wird. Folglich wird verhindert, dass das Partikel an dem Substrat anhaftet. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips verbessert.
  • Alternativ kann die Ausdehnungsvorrichtung ein Abstandsstück aufweisen. Das Abstandsstück ist derart aufwärts und abwärts bewegbar, dass es einen Teil des Vereinzelungsfilms nach oben drückt, um den Vereinzelungsfilm zu dehnen, wobei der Teil um das Substrat herum angeordnet ist und das Abstandsstück eine zylindrische Form aufweist. Ferner kann die Vorrichtung eine Luftstromerzeugungsvorrichtung zur Erzeugung eines Luftstroms von einer Oberfläche des Substrats nach unterhalb des Abstandsstücks aufweisen. Ferner kann das Abstandsstück eine Mehrzahl von Nuten oder Löchern aufweisen, die an einem Teil des Abstandsstücks nahe dem Substrat angeordnet sind.
  • Alternativ kann die Ausdehnungsvorrichtung ein Abstandsstück aufweisen. Das Abstandsstück ist derart aufwärts und abwärts bewegbar, dass es einen Teil des Vereinzelungsfilms nach oben drückt, um den Vereinzelungsfilm zu dehnen, wobei das Teil um das Substrat herum angeordnet ist, das Abstandsstück eine zylindrische Säulenform aufweist und das Abstandsstück eine Konkavität zum Umgeben des Substrats aufweist. Ferner kann die Vorrichtung eine Luftstromerzeugungsvorrichtung zum Erzeugen eines Luftstroms von einer Oberfläche des Substrats zu einer Unterseite des Abstandsstücks aufweisen. Ferner kann das Abstandsstück eine Mehrzahl von Nuten oder Löchern aufweisen, die an einem Teil des Abstandsstücks nahe dem Substrat angeordnet sind. Der Teil des Abstandsstücks ist eine Seitenwand der Konkavität des Abstandsstücks, wobei die Konkavität des Abstandsstücks einen Boden mit einem Luftdurchlass aufweist und der Luftdurchlass derart an dem Boden angeordnet ist, dass Luft von der Konkavität nach außerhalb des Abstandsstücks strömt.
  • Gemäß einer zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips die folgenden Schritte: Kleben eines Halbleitersubstrats auf einen Vereinzelungsfilm; Strahlen eines Laserstrahls auf das Substrat, um einen Umformungsabschnitt in dem Substrat zu bilden; und Dehnen des Substrats über den Vereinzelungsfilm, um das Substrat in die Chips zu teilen. Bei dem Dehnen des Substrats ist der Vereinzelungsfilm derart an einer Ausdehnungsvorrichtung befestigt, dass das Substrat an dem Vereinzelungsfilm nach unten ausgerichtet ist, so dass ein aus einer Vereinzelungsoberfläche des Substrats stammendes Partikel frei nach unten kann.
  • Bei diesem Verfahren fällt das Partikel frei nach unten, so dass es von der Oberfläche entfernt wird. Folglich wird verhindert, dass das Partikel an dem Substrat anhaftet. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Chips verbessert.
  • Alternativ kann das Verfahren den folgenden Schritt umfassen: Erzeugen eines Luftstroms von einer Oberfläche des Substrats zu einer Unterseite des Abstandsstücks.
  • Obgleich die vorliegende Erfindung bezüglich ihrer bevorzugten Ausführungsformen offenbart worden ist, um ein besseres Verständnis von diesem zu ermöglichen, sollte wahrgenommen werden, dass die Erfindung auf verschiedene Weise verwirklicht werden kann, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen. Deswegen sollte die Erfindung derart verstanden werden, dass sie alle möglichen Ausführungsformen und Ausgestaltungen zu den gezeigten Ausführungsformen und Ausgestaltungen beinhaltet, die realisiert werden können, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen, so wie er in den beigefügten Ansprüchen dargelegt ist.
  • Vorstehend sind eine Vereinzelungsvorrichtung und Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats offenbart worden.
  • Eine durch Trennen aus einem Wafer 10 gewonnene Vorrichtung weist auf: einen Chip 41 mit einer Seitenwand, die dann durch eine Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10 vorgesehen ist, wenn die Vorrichtung durch Trennen aus dem Wafer 10 gewonnen ist; und ein Schutzelement 12, 45, 52, das an der Seitenwand des Chips 41 angeordnet ist, um den Chip 41 davor zu schützen, durch Staub von der Vereinzelungsoberfläche 10d verunreinigt zu werden. In der Vorrichtung ist die Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10 derart mit dem Schutzelement 12, 45, 52 bedeckt, dass verhindert wird, dass der Chip 41 durch den Staub verunreinigt wird.

Claims (22)

  1. Vereinzelungsvorrichtung zum Teilen eines Halbleitersubstrats (10) in einer Mehrzahl von Chips (41), mit: – einem Vereinzelungsfilm (11), auf dem das Halbleitersubstrat (10) angeordnet ist; – einem Laserelement zum Strahlen eines Laserstrahls (L) auf das Halbleitersubstrat (10), um einen Umformungsabschnitt (R) in dem Substrat (10) zu bilden; und – einer Ausdehnungsvorrichtung (300) zum Befestigen des Vereinzelungsfilms (11) und zum Dehnen des Vereinzelungsfilms (11), um das Substrat (10) in die Chips (41) zu teilen, wobei – der Vereinzelungsfilm (11) derart an der Ausdehnungsvorrichtung (300) befestigt ist, dass das Substrat (10) an dem Vereinzelungsfilm (11) abwärts angeordnet ist, so dass ein Partikel frei nach unten fällt, und – das Partikel von einer Vereinzelungsoberfläche des Substrats (10) stammt.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – die Ausdehnungsvorrichtung (300) ein Abstandsstück (304) aufweist, – das Abstandsstück (304) derart aufwärts und abwärts bewegt werden kann, dass es einen Teil des Vereinzelungsfilms (11) nach oben drückt, um den Vereinzelungsfilm (11) zu dehnen, und zwar den Teil, der um das Substrat (10) herum angeordnet ist, und – das Abstandsstück (304) eine zylindrische Form aufweist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner eine Luftstromerzeugungsvorrichtung (302a, 304a) zum Erzeugen eines Luftstroms von einer Oberfläche des Substrats (10) nach unterhalb des Abstandsstücks (304) aufweist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Abstandsstück (304) eine Mehrzahl von Nuten oder Löchern (304a) aufweist, die an einem Teil des Abstandsstücks (304) nahe dem Substrat (10) angeordnet sind.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Vereinzelungsfilm (11) aus einem porösen Material besteht.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Vereinzelungsfilm (11) eine Mehrzahl von Durchgangslöchern aufweist.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – die Ausdehnungsvorrichtung (300) ein Abstandsstück (304) aufweist, – das Abstandsstück (304) derart aufwärts und abwärts bewegt werden kann, dass es einen Teil des Vereinzelungsfilms (11) nach oben drückt, um den Vereinzelungsfilm (11) zu dehnen, und zwar den Teil, der um das Substrat (10) herum angeordnet ist, – das Abstandsstück (304) eine zylindrische, säulenartige Form aufweist, und – das Abstandsstück (304) eine Konkavität (310) zum Umgeben des Substrats (10) aufweist.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner eine Luftstromerzeugungsvorrichtung (302a, 304a) zum Erzeugen eines Luftstroms von einer Oberfläche des Substrats (10) nach unterhalb des Abstandsstücks (304) aufweist.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass – das Abstandsstück (304) ferner eine Mehrzahl von Nuten oder Löchern (304a) aufweist, die an einem Teil des Abstandsstücks (304) nahe dem Substrat (10) angeordnet sind, – der Teil des Abstandsstücks (304) eine Seitenwand (311) der Konkavität (310) des Abstandsstücks (304) ist, – die Konkavität (310) des Abstandsstücks (304) einen Boden mit einem Luftdurchlass (312) aufweist, und – der Luftdurchlass (312) derart an dem Boden angeordnet ist, dass die Luft von der Konkavität (310) nach außerhalb des Abstandsstücks (304) strömt.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Vereinzelungsfilm (11) aus porösem Material besteht.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnete, dass der Vereinzelungsfilm (11) eine Mehrzahl von Durchgangslöchern aufweist.
  12. Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats (10) in eine Mehrzahl von Chips (41), mit den Schritten: – Kleben eines Halbleitersubstrats (10) auf einen Vereinzelungsfilm (11); – Strahlen eines Laserstrahls (L) auf das Substrat (10), um einen Umformungsabschnitt (R) in dem Substrat (10) zu bilden; und – Dehnen des Substrats (10) durch den Vereinzelungsfilm (11), um das Substrat (10) in die Chips (41) zu teilen, wobei – der Vereinzelungsfilm (11) beim Dehnen des Substrats (10) derart an einer Ausdehnungsvorrichtung (300) befestigt ist, dass das Substrat (10) auf dem Vereinzelungsfilm (11) abwärts angeordnet ist, so dass ein Partikel frei nach unten fällt, und – das Partikel von einer Vereinzelungsoberfläche des Substrats (10) stammt.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass – die Ausdehnungsvorrichtung (300) ein Abstandsstück (304) aufweist, – das Abstandsstück (304) derart aufwärts und abwärts bewegt werden kann, dass es einen Teil des Vereinzelungsfilms (11) nach oben drückt, um den Vereinzelungsfilm (11) zu dehnen, und zwar den Teil, der um das Substrat (10) herum angeordnet ist, und – das Abstandsstück (304) eine zylindrische Form aufweist.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass es ferner den Schritt Erzeugen eines Luftstroms von einer Oberfläche des Substrats (10) nach unterhalb des Abstandsstücks (304) umfasst.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Abstandsstück (304) eine Mehrzahl von Nuten oder Löchern (304a) aufweist, die an einem Teil des Abstandsstücks (304) nahe dem Substrat (10) angeordnet sind.
  16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Vereinzelungsfilm (11) aus einem porösen Material besteht.
  17. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Vereinzelungsfilm (11) eine Mehrzahl von Durchgangslöchern aufweist.
  18. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass – die Ausdehnungsvorrichtung (300) ein Abstandsstück (304) aufweist, – das Abstandsstück (304) derart aufwärts und abwärts bewegt werden kann, dass es einen Teil des Vereinzelungsfilms (11) nach oben drückt, um den Vereinzelungsfilm (11) zu dehnen, und zwar den Teil, der um das Substrat (10) herum angeordnet ist, – das Abstandsstück (304) eine zylindrische, säulenartige Form aufweist, und – das Abstandsstück (304) eine Konkavität (310) zum Umgeben des Substrats (10) aufweist.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass es ferner den Schritt Erzeugen eines Luftstroms von einer Oberfläche des Substrats (10) nach unterhalb des Abstandsstücks (304) umfasst.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass – das Abstandsstück (304) ferner eine Mehrzahl von Nuten oder Löchern (304a) aufweist, die an einem Teil des Abstandsstücks (304) nahe dem Substrat (10) angeordnet sind, – der Teil des Abstandsstücks (304) eine Seitenwand (311) der Konkavität (310) des Abstandsstücks (304) ist, – die Konkavität (310) des Abstandsstücks (304) einen Boden mit einem Luftdurchlass (312) aufweist, und – der Luftdurchlass (312) derart an dem Boden angeordnet ist, dass die Luft von der Konkavität (310) nach außerhalb des Abstandsstücks (304) strömt.
  21. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Vereinzelungsfilm (11) aus einem porösen Material besteht.
  22. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Vereinzelungsfilm (11) eine Mehrzahl von Durchgangslöchern aufweist.
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