JP2018160623A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】クラックの発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ウェーハに対して透過性を有するレーザを前記ウェーハのダイシングラインの一部に沿って照射して前記ウェーハ内に第1改質帯を形成する工程と、前記レーザを前記ウェーハのダイシングラインに沿って照射して前記ウェーハ内に第2改質帯を形成する工程と、を備える。前記第1改質帯は、半導体配線層が形成される前記ウェーハ表面と前記第2改質帯の間に、部分的に形成される。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
半導体素子の外形に沿ってウェーハの内部にレーザを集光して、半導体素子の側面に改質帯と熱膨張によるへき開面を形成した後、ウェーハを裏面から研削することで、分割して個片化するダイシング技術が提案されている。このようなダイシング技術を用いた半導体装置の製造方法では、クラックの発生を抑制することが求められている。
実施形態の目的は、クラックの発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供することである。
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ウェーハに対して透過性を有するレーザを前記ウェーハのダイシングラインの一部に沿って照射して前記ウェーハ内に第1改質帯を形成する工程と、前記レーザを前記ウェーハのダイシングラインに沿って照射して前記ウェーハ内に第2改質帯を形成する工程と、を備える。前記第1改質帯は、半導体配線層が形成される前記ウェーハ表面と前記第2改質帯の間に、部分的に形成される。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法では、ウェーハ上のダイシングラインに沿ってダイシングすることで複数の半導体素子に個片化する。
まず、複数の半導体素子に個片化するダイシング技術の一例として、ステルスダイシング技術について簡単に説明する。
図1は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法では、ウェーハ上のダイシングラインに沿ってダイシングすることで複数の半導体素子に個片化する。
まず、複数の半導体素子に個片化するダイシング技術の一例として、ステルスダイシング技術について簡単に説明する。
図1に示すように、まず、ウェーハの表面に保護テープを貼り付ける(S110)。例えば、ウェーハの表面には半導体配線層が設けられている。
次に、ウェーハの裏面からレーザを照射し、レーザをシリコン内部で集光して改質帯を形成する(S120)。改質帯が膨張することで、上下に亀裂が進展し、ウェーハ表面にハーフカットが形成される。レーザは、例えば、赤外領域の透過レーザである。
次に、ウェーハの裏面からレーザを照射し、レーザをシリコン内部で集光して改質帯を形成する(S120)。改質帯が膨張することで、上下に亀裂が進展し、ウェーハ表面にハーフカットが形成される。レーザは、例えば、赤外領域の透過レーザである。
次に、研削砥石でウェーハの裏面を削り、薄く加工する(S130)。薄く研削していくと、ハーフカット部分が表出し、チップが個片化される。
次に、接着剤によってテープをウェーハの裏面に貼り合わせ、ウェーハの周囲を支持体で固定する(S140)。ここで、接着剤は、例えば、DAF(Die Attach Film)である。テープは、例えば、基材及び粘着剤によって構成されている。支持体は、例えば、ウェーハの周囲を固定するリングである。
次に、押圧体でテープ及びウェーハを下から突き上げる(S150)。これにより、チップ間の距離を広げて接着剤部分を分割する。ここで、押圧体は、例えば、エキスパンドリングである。
このようなS110〜S150で示されたダイシング工程によって複数の半導体素子に個片化する。
このようなS110〜S150で示されたダイシング工程によって複数の半導体素子に個片化する。
以下において、ダイシング工程において、ウェーハの角部に改質帯を追加的に形成する工程について説明する。
図2〜図6は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
図7は、ダイシング工程後の半導体素子を示す斜視図である。
図2〜図7は、ステルスダイシング技術を用いて、ウェーハ4をダイシングして複数の半導体素子1に個片化する形態を透視的に示している。
図2〜図6は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
図7は、ダイシング工程後の半導体素子を示す斜視図である。
図2〜図7は、ステルスダイシング技術を用いて、ウェーハ4をダイシングして複数の半導体素子1に個片化する形態を透視的に示している。
ここで、本明細書において、ウェーハ4の表面に対して平行な方向であって、相互に直交する2方向をX方向及びY方向とする。X方向及びY方向の双方に対して直交する方向をZ方向とする。
まず、図2に示すように、半導体素子1のウェーハ4の角部(コーナ部)4Tに、レーザを照射して角部改質帯40Aを形成する。ここで、ウェーハ4の角部4Tとは、ダイシング後に個片化されたウェーハ4の角部に相当する。
角部改質帯40Aは、分割起点の改質帯401と半導体配線層2との間の位置に焦点52を合わせて、ビームヘッド5から透過ビーム51を照射することで形成される。角部改質帯40Aは、素子分離帯3の直上のウェーハ4の内部に形成される。例えば、位置401hに基づいて焦点52を合わせて角部改質帯40Aを形成する。ここで、位置401hは、分割起点の改質帯401の下端のZ方向の位置に相当する。
次に、図3に示すように、素子分離帯3に沿って、ウェーハ4の内部の角部改質帯40AよりZ方向に離れた位置に焦点52を合わせて、ビームヘッド5から透過ビーム51を照射することで改質痕40を形成する。改質痕40を、ビームヘッド5の進行方向(Y方向)へ連続的に形成することで、分割起点の改質帯401を形成する。
次に、図4に示すように、ウェーハ4の内部に、角部4Tに位置する角部改質帯40Aと、素子分離帯3に沿った分割起点の改質帯401が形成される。
ここで、図2から図4に示された工程は、図1の改質帯の形成工程(S120)に相当する。
ここで、図2から図4に示された工程は、図1の改質帯の形成工程(S120)に相当する。
次に、図5に示すように、砥石601による研削(場合によっては、バフ602による研磨)が進むにしたがって、直進へき開41が鉛直方向(−Z方向)に伸展する。半導体素子1の側辺部では荷重F61が伝わるので、直進へき開41のへき開方向411は、鉛直方向に伸展し易い。一方、半導体素子1の角部では、分割起点の改質帯401の直下に角部改質帯40Aが形成されているので、分割起点の改質帯401からの直進へき開41が角部改質帯40Aにつながる。
また、角部改質帯40Aからの直進へき開41が鉛直方向に伸展することで、半導体素子1の角部のウェーハ4がへき開される。
また、角部改質帯40Aからの直進へき開41が鉛直方向に伸展することで、半導体素子1の角部のウェーハ4がへき開される。
次に、図6に示すように、研削(あるいは研磨)が進み、半導体素子1の側面のウェーハ4は、素子分離帯3に沿って全面がへき開される。
ここで、図5及び図6に示された工程は、図1の裏面研削の工程(S130)に相当する。
ここで、図5及び図6に示された工程は、図1の裏面研削の工程(S130)に相当する。
その後、図1において、ウェーハの固定の工程(S140)、及び、分割の工程(S150)が行われて、図7に示すように、複数の半導体素子1に個片化する。ダイシング工程後の半導体素子1は、ウェーハ4の側面上であって角部に改質痕40が残る場合がある。
以下において、角部改質帯40Aと、分割起点の改質帯401と、についてさらに詳しく説明する。
図8(a)及び図8(b)は、パスの形成位置を説明する図である。
図8(a)及び図8(b)は、分割起点の改質帯401と、角部改質帯40Aとの形成位置を示す図であって、ウェーハ4のX−Z断面及びX−Y平面をそれぞれ示している。
図8(a)及び図8(b)は、パスの形成位置を説明する図である。
図8(a)及び図8(b)は、分割起点の改質帯401と、角部改質帯40Aとの形成位置を示す図であって、ウェーハ4のX−Z断面及びX−Y平面をそれぞれ示している。
図8(a)及び図8(b)に示すように、分割起点の改質帯401は、ダイシングラインDLに沿って形成されている。例えば、分割起点の改質帯401は、ビームヘッド5の進行方向に連続的に形成される。分割起点の改質帯401によって、Z方向に並んだ2つのパスP1、P2が形成される。
角部改質帯40Aは、ダイシングラインDL上の角部4Tに形成されている。複数の角部改質帯40Aによって、1つのパスP3が形成される。図8(b)に示すように、例えば、パスP3のX方向の幅W1は、50マイクロメートルである。例えば、幅W1の半分の値は、半導体素子1間に設けられた領域(ダイシングストリート)の幅W2の半分の値と概ね同じである。ここで、半導体素子1間に設けられた領域は、素子分離帯3に相当する。
図8(a)及び図8(b)の例では、パスP3は、ダイシングラインDL上の角部4Tに十字状に形成されているが、パスP3の形成位置及び形状は任意である。つまり、パスP3は、直線状等によってダイシングラインDL上に部分的に形成することができる。
パスP3(つまり、複数の角部改質帯40A)は、裏面研削の工程(S130)において斜行クラックの発生を抑制する。また、パスP3がダイシングラインDL上の角部4Tに形成されていると、角部4Tでの斜行クラックの発生を抑制する。パスP3は、クラック抑制パスである。
以下において、本実施形態の効果について説明する。
図9(a)は、クラック抑制パスを形成していない場合の裏面研削の工程を示す状態図であって、図9(b)は、クラック抑制パスを形成している場合の裏面研削の工程を示す状態図である。
ステルスダイシング技術では、半導体素子の外形に沿ってウェーハの内部にレーザを集光して、半導体素子の側面に改質帯と熱膨張によるへき開面を形成した後、ウェーハを裏面から研削することで、分割し個片化する。図9(a)に示すように、裏面研削の工程では、半導体素子1の角部4Tから斜行クラックが発生し易い。斜行クラックが角部4Tから広がることで、亀裂が四方に伸びる場合がある。これにより、半導体配線層2が損傷して半導体素子1が損傷する虞がある。
図9(a)は、クラック抑制パスを形成していない場合の裏面研削の工程を示す状態図であって、図9(b)は、クラック抑制パスを形成している場合の裏面研削の工程を示す状態図である。
ステルスダイシング技術では、半導体素子の外形に沿ってウェーハの内部にレーザを集光して、半導体素子の側面に改質帯と熱膨張によるへき開面を形成した後、ウェーハを裏面から研削することで、分割し個片化する。図9(a)に示すように、裏面研削の工程では、半導体素子1の角部4Tから斜行クラックが発生し易い。斜行クラックが角部4Tから広がることで、亀裂が四方に伸びる場合がある。これにより、半導体配線層2が損傷して半導体素子1が損傷する虞がある。
本実施形態では、ダイシングラインDL上の角部4Tであって、分割起点の改質帯401及び半導体配線層2の間に角部改質帯40Aを形成している。これにより、鉛直方向(−Z方向)に対するへき開が促進されるので、斜行クラックの発生を抑制できる。図9(b)に示すように、斜行クラックを抑制するパス(P3)が形成されているので、斜行クラックが角部から広がることを抑制して亀裂の発生を抑制する。これにより、半導体配線層2の損傷が抑制され、半導体素子1の損傷が抑制される。
本実施形態によれば、クラックの発生を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
(第2実施形態)
図10〜図14は、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
図15は、ダイシング工程後の半導体素子を示す斜視図である。
図10〜図15は、ステルスダイシング技術を用いて、ウェーハ4をダイシングして複数の半導体素子1に個片化する形態を透視的に示している。
図10〜図14は、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を示す斜視図である。
図15は、ダイシング工程後の半導体素子を示す斜視図である。
図10〜図15は、ステルスダイシング技術を用いて、ウェーハ4をダイシングして複数の半導体素子1に個片化する形態を透視的に示している。
まず、図10に示すように、半導体素子1のウェーハ4の角部4Tに、レーザを照射して角部改質帯40Aを形成する。角部改質帯40Aは、位置401hより半導体配線層2に近い位置に焦点52を合わせて、かつ、透過ビーム51のエネルギーを実施形態1より大きくすることで、ビームヘッド5から透過ビーム51を照射することで形成される。角部改質帯40Aは、角部改質帯40AのZ方向の幅を位置401hを超えて大きくなるように、素子分離帯3直上のウェーハ4の内部に形成する。
次に、図11に示すように、素子分離帯3に沿って、ウェーハ4の内部の角部改質帯40Aを避けように焦点52を合わせて、ビームヘッド5から透過ビーム51を照射することで改質痕40を形成する。改質痕40を、ビームヘッド5の進行方向(Y方向)へ連続的に形成することで、分割起点の改質帯401を形成する。
次に、図12に示すように、ウェーハ4の内部に、角部4Tに位置する角部改質帯40Aと、素子分離帯3に沿った分割起点の改質帯401が形成される。
ここで、図10から図12に示された工程は、図1の改質帯の形成工程(S120)に相当する。
ここで、図10から図12に示された工程は、図1の改質帯の形成工程(S120)に相当する。
次に、図13に示すように、砥石601による研削(場合によっては、バフ602による研磨)が進むにしたがって、直進へき開41が鉛直方向(−Z方向)に伸展する。半導体素子1の側辺部では既に四方向にへき開されているので、直進へき開41直下への荷重F61の伝播は弱くなる。一方、角部改質帯40Aが、分割起点の改質帯401より低く形成されているので、角部改質帯40Aからの鉛直方向への直進へき開41の伸展が、半導体配線層2側の素子分離帯3に到達し易くなる。そして、角部改質帯40AのZ方向の幅が大きいので、分割起点の改質帯401と角部改質帯40Aとの平面方向(X方向及びY方向)への直進へき開41がつながる。
次に、図14に示すように、研削(あるいは研磨)が進み、半導体素子1の側面のウェーハ4は、素子分離帯3に沿って全面がへき開される。
ここで、図13及び図14に示された工程は、図1の裏面研削の工程(S130)に相当する。
ここで、図13及び図14に示された工程は、図1の裏面研削の工程(S130)に相当する。
その後、図1において、ウェーハの固定の工程(S140)、及び、分割の工程(S150)が行われて、図15に示すように、複数の半導体素子1に個片化する。ダイシング工程後の半導体素子1は、ウェーハ4の側面上であって角部に研削面26からの改質痕40が残る場合がある。
本実施形態の効果は、第1実施形態と同じである。
本実施形態の効果は、第1実施形態と同じである。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1:半導体素子、 2:半導体配線層、 3:素子分離帯、 4:ウェーハ、 4T:角部、 5:ビームヘッド、 26:研削面、 40:改質痕、 40A:角部改質帯、 51:透過ビーム、 52:焦点、 401:分割起点の改質帯、 401h:位置、 601:砥石、 602:バフ、 DL:ダイシングライン、 F61:荷重、 P1〜P3:パス、 W1、W2:幅
Claims (5)
- ウェーハに対して透過性を有するレーザを前記ウェーハのダイシングラインの一部に沿って照射して前記ウェーハ内に第1改質帯を形成する工程と、
前記レーザを前記ウェーハのダイシングラインに沿って照射して前記ウェーハ内に第2改質帯を形成する工程と、を備え、
前記第1改質帯は、半導体配線層が形成される前記ウェーハ表面と前記第2改質帯の間に、部分的に形成される半導体装置の製造方法。 - 前記第1改質帯は、前記レーザを前記ウェーハの複数のダイシングラインのそれぞれ一部に沿って交差するように照射して形成される請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2改質帯の形成後、前記半導体配線層が形成される前記ウェーハ表面と反対に位置する前記ウェーハの裏面側から前記ウェーハを研削する工程をさらに備えた請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1改質帯は、前記ウェーハの表面に沿った方向に直線状に形成され、
前記第1改質帯の幅は、前記ダイシングラインが形成された素子分離帯の幅と概ね同じである請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体素子内のウェーハに対して透過性を有するレーザを、ダイシングラインの交差部に照射して角部改質帯を形成する工程と、
前記ダイシングラインに沿って前記交差部を除いた部分に前記レーザを照射して改質帯を形成する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
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