JP2019220548A - 被加工物の加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、第1変質層形成ステップにて形成される第1変質層は、上下に亀裂が発生しない低い出力でレーザ光線を照射することで形成されるため、第1変質層形成時に、亀裂を介したレーザ光線の散乱が発生することを防ぎ、被加工物の表面の機能素子に対するレーザ光線のアタックを抑制して機能素子を損傷させない。したがって、第1変質層をチップの仕上がり厚さに相当する位置の近傍に形成しても問題は発生せず、研削終了間際まで残存する第1変質層によって、チップ側面への研削屑の侵入を防ぐ事が可能となる。
さらに、第1変質層及び第2変質層は、両方ともチップの仕がり厚さに相当する位置より裏面側に形成しているため、裏面研削ステップで仕上がり厚さまで被加工物の研削を実施することに両変質層は除去される。したがって、変質層残存によるチップの強度低下を防ぐことができる。
なお、被加工物Wは、母材がシリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、窒化ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよい。
被加工物Wを保持する保持テーブル30は、その外形が平面視円形状であり、ポーラス部材等で構成され被加工物Wを吸引保持する平坦な保持面300を備えており、保持面300には、図示しない吸引源が連通している。保持テーブル30は、鉛直方向(Z軸方向)の軸心周りに回転可能となっていると共に、図示しない移動手段によってX軸方向及びY軸方向に往復移動可能となっている。
まず、図1、2に示すように、被加工物Wが、裏面Wbが上側を向いた状態で保持テーブル30により吸引保持される。次いで、被加工物Wを保持した保持テーブル30が図2に示すように−X方向(往方向)に送られると共に、赤外線カメラ640により被加工物Wの裏面Wb側から透過させて表面Waの分割予定ラインSが撮像され、赤外線カメラ640によって撮像された分割予定ラインSの画像により、アライメント手段64がパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザ光線を照射する基準となる分割予定ラインSの位置が検出される。
上記条件の一例は、例えば下記の通りである。
波長: 1342nm
繰り返し周波数: 90kHz
平均出力: 0.5W
加工送り速度: 700mm/秒
第1変質層M1は、仕上がり厚さH1に相当する高さ位置Z1よりも僅かに裏面Wb側に下端が位置するように形成されているが、レーザ光線LB1の平均出力を低く設定しており亀裂は形成されないことから、レーザ光線LB1が集光点位置P1から表面Wa側に向かって亀裂を介して散乱してしまうことはない。そのため、表面Waに形成された機能素子Dに散乱したレーザ光線LB1がアタックして、機能素子Dを損傷させてしまうこともなく、第1変質層M1をチップの仕上がり厚さH1に相当する高さ位置Z1の近傍に形成しても問題は発生しない。
次に、被加工物Wの裏面Wb側から分割予定ラインSに沿って被加工物Wに対して透過性を有する波長のレーザ光線を照射し、第1変質層形成ステップにて形成された第1変質層M1より裏面Wb側(上側)に上下に亀裂が発生する第2変質層を形成する。
例えば、レーザ光線発振器61のレーザ光線の出力や繰り返し周波数等が、被加工物Wに形成される第2変質層M2(図4参照)から上下に亀裂が発生する条件に設定される。特に、平均出力が第1変質層M1を形成する際よりも高く(0.8W以上)設定される。
上記条件の一例は、例えば下記の通りである。
波長: 1342nm
繰り返し周波数: 90kHz
平均出力: 0.8W
加工送り速度: 700mm/秒
なお、集光点位置P1と集光点位置P2との間隔の設定は、本実施形態においては、図4に示すように、形成される第2変質層M2から下方に伸びる亀裂Maが第1変質層M1に到達しないように設定されているが、第2変質層M2から下方に伸びる亀裂Maが第1変質層M1に到達するように設定されてもよい。
なお、第2変質層形成ステップにおいては、同一の一列の分割予定ラインSに対して往方向復方向で集光点位置を上側に所定間隔ずらしつつ、レーザ光線LB2を複数パス裏面Wb側から被加工物Wに照射して、分割予定ラインSに沿って、先に形成した第2変質層M2(1段目の第2変質層M2とする)の上方に2段目の第2変質層M2、3段目の第2変質層M2等をさらに形成してもよい。この場合には、例えば、1段目の第2変質層M2の上側に伸びている亀裂Mbと2段目の第2変質層M2の下側に伸びる亀裂Maとがつながった状態になる。
なお、例えば、縦横全ての分割予定ラインSに沿って第1変質層形成ステップを実施して被加工物Wの内部に第1変質層M1を縦横に形成した後、次いで、縦横全ての分割予定ラインSに沿って第2変質層形成ステップを実施して被加工物Wの内部に第2変質層M2を縦横に形成してもよい。
次いで、第1変質層M1及び第2変質層M2が形成された被加工物Wは、例えば、図6に示す研削装置2に搬送される。図6に示す研削装置2は、保持テーブル20上に保持された被加工物Wを研削手段21によって研削する装置である。
研削ホイール212は、円環状のホイール基台212bと、ホイール基台212bの下面に環状に複数配設された略直方体形状の研削砥石212aとを備えている。研削砥石212aは、例えば、適宜のバインダーでダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されている。
なお、被加工物Wからはみ出した研削砥石212aの内側面に対向するように図示しない研削水ノズルを配設して、該研削水ノズルから噴射させた研削水を回転する研削ホイール212の内側面側から研削砥石212aと被加工物Wとの接触部位に供給してもよい。
D:機能素子 T:保護テープ
1:レーザ加工装置
30:保持テーブル 300:保持面
6:レーザ光線照射手段 60:ハウジング 61:レーザ光線発振器
62:レーザヘッド 62a:集光レンズ 64:アライメント手段 640:赤外線カメラ
M1:第1変質層 M2:第2変質層 Mb、Ma:亀裂
2:研削装置 20:保持テーブル 200:保持面
21:研削手段 210:スピンドル 211:マウント 212:研削ホイール
212b:ホイール基台 212a:研削砥石
23:回転手段
Md:割断溝 Me:第1変質層の細幅割断溝 C:チップ
Claims (2)
- 表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が形成された被加工物を、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する被加工物の加工方法であって、
該被加工物の裏面側から分割予定ラインに沿って該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザ光線を照射し、上下に亀裂が発生せずチップの仕上がり厚さに相当する高さ位置よりも僅かに裏面側に下端が位置する第1変質層を形成する第1変質層形成ステップと、
該被加工物の裏面側から分割予定ラインに沿って該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザ光線を照射し、該第1変質層形成ステップにて形成された該第1変質層より裏面側に上下に亀裂が発生する第2変質層を形成する第2変質層形成ステップと、
該第1変質層と該第2変質層とが形成された被加工物の裏面を研削し、被加工物をチップの仕上がり厚さに形成するとともに、亀裂の存在する該第2変質層を起点に被加工物を個々のチップに分割する裏面研削ステップと、を含み、
裏面研削ステップにおいて、裏面研削終了間際まで該第1変質層が残存しチップ間の隙間への研削屑を含む研削水の浸入を防ぐことが可能となる被加工物の加工方法。 - 前記裏面研削ステップにおいて、被加工物に生じる研削応力により、前記第2変質層形成ステップにて上下に亀裂が発生するように形成された前記第2変質層で被加工物を破断することを特徴とする請求項1記載の被加工物の加工方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013105822A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
JP2013214601A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2017147289A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2018160623A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2017107903A (ja) * | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013105822A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
JP2013214601A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2017147289A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2018160623A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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