JP2007160400A - レーザダイシング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 レーザダイシング方法20では、加圧側範囲hbに位置する改質層kbの形成間隔Sbを、それとは反対側の入射側範囲haに位置する改質層kaの形成間隔Saよりも狭く設定する。これにより、割断に際し加圧される裏面Wbに近い側の加圧側範囲hbには改質層kbが集中して形成されるので、割断に際し加圧される裏面Wbに遠い側の入射側範囲haには、改質層kaを形成するものの、当該裏面Wbに近い側の加圧側範囲hbを起点とした割裂の連鎖によって、クラックの密度を必要以上に高めることなく割断が可能となる。したがって、割断部位Devの厚さ方向に可能な限り改質層ka、kbを形成する場合に比べて改質層kaの数を少なくしつつ適正な割断を可能にすることができる。
【選択図】 図1
Description
図9(A) に示すように、レーザを用いたダイシング方法では、まず図略のレーザ光源から出射されるレーザ光L(フェムト秒のレーザパルス)を集光レンズCVにより集光して加工対象物たるウェハWの割断部位Devに照射する。すると、割断部位Devの表面から入射したレーザ光Lは、空気とウェハWとの界面で屈折しウェハWの内部で集光点Pを結ぶので、この集光点Pに集中した光子がウェハW中の電子に対して同時に相互作用して吸収され「多光子吸収」と呼ばれる現象が生じる。これにより、当該集光点Pおよびその近傍では光学的損傷が発生するため、熱歪みが誘起され当該部分においてクラックが生じる(なお、このような熱歪みによるクラックは、多光子吸収に限られることはなく、光子1個を吸収して光学的損傷を発生させる通常の光子吸収(1光子吸収)によっても生じ得る。)。このように集光点Pの周囲には、クラックが集合した範囲ができるので、この範囲を一般に「改質領域」または「改質層」と呼んでいる。なお、本明細書では、「改質層」の集まりを「改質領域」と称することにする。
また、請求項4の発明では、部位[Dev]の厚さ方向に形成される改質層[ka等]の数は、加圧される側[Wb]に位置する加圧側改質層[kb]の方をそれとは反対側[Wa]に位置する非加圧側改質層[ka]よりも多く設定する。
また、請求項5の発明では、加圧側改質層[kb]の形成数は、その形成位置が加圧される側[Wb]に近くなるに従って多くなるように設定し、その形成位置が加圧される側[Wb]から遠くなるに従って少なくなるように設定する(図1参照)。
また、請求項6の発明では、加圧側改質層[kb]の形成数は、加圧される側[Wb]の範囲を複数に分割すると、そのうちの加圧される側[Wb]に近い範囲[hb”]に位置する加圧側近接改質層[kb”]の方を、加圧される側[Wb]に遠い範囲[hb’]に位置する加圧側離隔改質層[kb’]よりも多く設定する(図4参照)。
また、請求項9の発明では、部位[Dev]の厚さ方向に形成される改質層[kc等]の数は、当該厚さ方向ほぼ中心[O]から所定範囲[hc]に位置する中心側改質層[kc]の方を、当該所定範囲[hc]から加圧される側[Wb]に位置する中心外加圧側改質層[kf]および当該所定範囲[hc]から加圧される側[Wb]とは反対側[Wb]に位置する中心外非加圧側改質層[ke]よりも少なく設定する(図5参照)。
また、請求項10の発明では、中心外加圧側改質層[kf]の形成数と中心外非加圧側改質層[ke]の形成数とを、中心外加圧側改質層[kf]の形成数≧中心外非加圧側改質層[ke]の形成数に設定する(図5参照)。
図1に示すように、第1実施形態に係るレーザダイシング方法20では、ウェハWのダイシング工程(改質工程)において、レーザ光Lの入射により改質層ka、kbを割断部位Devの厚さ方向に以下のように形成する。なお、図1(A) には、各改質層ka、kbの位置関係および形成間隔が表されており、図1(B) は図1(A) に示す1B矢視方向断面が表されている。
次に、第2実施形態に係るレーザダイシング方法30を図2に基づいて説明する。なお、図2(A) には、各改質層ka、kbの位置関係および形成間隔が表されており、図2(B) は図2(A) に示す2B矢視方向断面が表されており、第1実施形態で説明した図1と実質的に同一の構成部分には同一符号を付している。
ある。
続いて、第3実施形態に係るレーザダイシング方法40を図5に基づいて説明する。なお、図5(A) には、各改質層kc、ke、kfの位置関係および形成間隔が表されており、図5(B) は図5(A) に示す5B矢視方向断面が表されており、第1実施形態で説明した図1と実質的に同一の構成部分には同一符号を付している。
CV…集光レンズ
Dev…割断部位(割断を予定する部位)
ha…入射側範囲(加圧される側とは反対側の範囲)
hb…加圧側範囲(加圧される側の範囲)
hb’…所定範囲(加圧される側に遠い範囲)
hb”…所定範囲(加圧される側に近い範囲)
hc…所定範囲(厚さ方向ほぼ中心から所定範囲)
he…所定範囲
hf…所定範囲
ka…改質層(非加圧側改質層)
kb…改質層(加圧側改質層)
kb’…改質層(加圧側離隔改質層)
kb”…改質層(加圧側近接改質層)
kc…改質層(中心側改質層)
ke…改質層(中心外非加圧側改質層)
kf…改質層(中心外加圧側改質層)
L…レーザ光
O…中心線(厚さ方向ほぼ中心)
P…集光点
Sa…間隔(非加圧側改質層の形成間隔)
Sb…間隔(加圧側改質層の形成間隔)
Sb’…間隔(加圧側離隔改質層の形成間隔)
Sb”…間隔(加圧側近接改質層の形成間隔)
Sc…間隔(中心側改質層の形成間隔)
Se…間隔(中心外非加圧側改質層の形成間隔)
Sf…間隔(中心外加圧側改質層の形成間隔)
T…エキスパンドテープ
W…ウェハ(加工対象物)
Wa…表面(加圧される側とは反対側)
Wb…裏面(加圧される側)
α、β、γ、δ…改質領域
Claims (10)
- 加工対象物の表面からレーザ光を入射して、割断を予定する部位の厚さ方向に光子吸収による改質層を重層状に複数形成した後、当該部位の表面を加圧して前記改質層を起点に前記加工対象物を割断するレーザダイシング方法であって、
前記部位の厚さ方向に形成される改質層の間隔は、加圧される側の範囲に位置する加圧側改質層を、前記加圧される側とは反対側に位置する非加圧側改質層よりも狭く設定することを特徴とするレーザダイシング方法。 - 前記加圧側改質層の形成間隔は、その形成位置が前記加圧される側に近くなるに従って狭くなるように設定し、その形成位置が前記加圧される側から遠くなるに従って広くなるように設定することを特徴とする請求項1記載のレーザダイシング方法。
- 前記加圧側改質層の形成間隔は、前記加圧される側の範囲を複数に分割すると、そのうちの前記加圧される側に近い範囲に位置する加圧側近接改質層の方を、前記加圧される側に遠い範囲に位置する加圧側離隔改質層よりも狭く設定することを特徴とする請求項1または2記載のレーザダイシング方法。
- 加工対象物の表面からレーザ光を入射して、割断を予定する部位の厚さ方向に光子吸収による改質層を重層状に複数形成した後、当該部位の表面を加圧して前記改質層を起点に前記加工対象物を割断するレーザダイシング方法であって、
前記部位の厚さ方向に形成される改質層の数は、当該厚さ方向ほぼ中心から前記加圧される側の範囲に位置する加圧側改質層の方を、当該厚さ方向ほぼ中心から前記加圧される側とは反対側の範囲に位置する非加圧側改質層よりも多く設定することを特徴とするレーザダイシング方法。 - 前記加圧側改質層の形成数は、その形成位置が前記加圧される側に近くなるに従って多くなるように設定し、その形成位置が前記加圧される側から遠くなるに従って少なくなるように設定することを特徴とする請求項4記載のレーザダイシング方法。
- 前記加圧側改質層の形成数は、前記加圧される側の範囲を複数に分割すると、そのうちの前記加圧される側に近い範囲に位置する加圧側近接改質層の方を、前記加圧される側に遠い範囲に位置する加圧側離隔改質層よりも多く設定することを特徴とする請求項4または5記載のレーザダイシング方法。
- 加工対象物の表面からレーザ光を入射して、割断を予定する部位の厚さ方向に光子吸収による改質層を重層状に複数形成した後、当該部位の表面を加圧して前記改質層を起点に前記加工対象物を割断するレーザダイシング方法であって、
前記部位の厚さ方向に形成される改質層の間隔は、当該厚さ方向ほぼ中心から所定範囲に位置する中心側改質層の方を、当該所定範囲から前記加圧される側に位置する中心外加圧側改質層および当該所定範囲から前記加圧される側とは反対側に位置する中心外非加圧側改質層よりも広く設定することを特徴とするレーザダイシング方法。 - 前記中心外加圧側改質層の形成間隔と前記中心外非加圧側改質層の形成間隔とを、前記中心外加圧側改質層の形成間隔≦前記中心外非加圧側改質層の形成間隔に設定することを特徴とする請求項7記載のレーザダイシング方法。
- 加工対象物の表面からレーザ光を入射して、割断を予定する部位の厚さ方向に光子吸収による改質層を重層状に複数形成した後、当該部位の表面を加圧して前記改質層を起点に前記加工対象物を割断するレーザダイシング方法であって、
前記部位の厚さ方向に形成される改質層の数は、当該厚さ方向ほぼ中心から所定範囲に位置する中心側改質層の方を、当該所定範囲から前記加圧される側に位置する中心外加圧側改質層および当該所定範囲から前記加圧される側とは反対側に位置する中心外非加圧側改質層よりも少なく設定することを特徴とするレーザダイシング方法。 - 前記中心外加圧側改質層の形成数と前記中心外非加圧側改質層の形成数とを、前記中心外加圧側改質層の形成数≧前記中心外非加圧側改質層の形成数に設定することを特徴とする請求項9記載のレーザダイシング方法。
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DE102006053597A DE102006053597B4 (de) | 2005-11-16 | 2006-11-14 | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Schneiden eines Halbleitersubstrats |
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JP2007175961A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP2013063455A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2014099522A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
JP2019126838A (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 株式会社タムラ製作所 | 切断方法、及び、チップ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003338636A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
WO2005098915A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法及び半導体チップ |
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2006
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003338636A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
WO2005098915A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法及び半導体チップ |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007175961A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及び半導体チップ |
US8389384B2 (en) | 2005-12-27 | 2013-03-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method and semiconductor chip |
US8759948B2 (en) | 2005-12-27 | 2014-06-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method and semiconductor chip |
JP2013063455A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2014099522A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
JP2019126838A (ja) * | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 株式会社タムラ製作所 | 切断方法、及び、チップ |
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