JP2012038867A - 分割方法 - Google Patents

分割方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012038867A
JP2012038867A JP2010176698A JP2010176698A JP2012038867A JP 2012038867 A JP2012038867 A JP 2012038867A JP 2010176698 A JP2010176698 A JP 2010176698A JP 2010176698 A JP2010176698 A JP 2010176698A JP 2012038867 A JP2012038867 A JP 2012038867A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dividing
workpiece
line
division
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010176698A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5657946B2 (ja
Inventor
Kenji Furuta
健次 古田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2010176698A priority Critical patent/JP5657946B2/ja
Publication of JP2012038867A publication Critical patent/JP2012038867A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5657946B2 publication Critical patent/JP5657946B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】ワークに与える変位量を大きくすることなく裏面側に金属膜が積層されたワークを分割すること。
【解決手段】ワーク1の裏面側に保護テープ102を貼着する貼着工程と、ワーク1の表面1a側から基板1bを透過する波長を有するレーザービームを分割予定ラインに沿って照射して基板1bの内部に改質層104を形成する改質層形成工程と、分割対象となる分割予定ラインの裏面側に分割予定ラインと同方向に伸びる押圧刃112を設定し、押圧刃112に圧力をかけることによって分割予定ライン上の基板1bを分割する第一の分割工程と、第一の分割工程の後に、押圧刃112を隣接する分割予定ライン側にずらして設定し、分割予定ラインと押圧刃112を跨いだワーク1の表面1a側に支持刃111a,111bを設定した状態で押圧刃112に圧力をかけることによって剪断力が生じ分割予定ライン上の金属膜101を分割する第二の分割工程と、を含む。
【選択図】図5

Description

本発明は、裏面側に金属膜が積層されたワークを表面側に形成された分割予定ラインに沿って分割する分割方法に関するものである。
半導体デバイス製造工程では、略円板形状である半導体ウエーハの表面側に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、区画された各領域にIC,LSI等のデバイスが形成される。そして、分割予定ラインに沿って半導体ウエーハを切断することによって各領域を分割することにより、個々のデバイスが製造される。また、サファイア基板の表面に発光ダイオード等の発光素子が積層された光デバイスウエーハも同様に、分割予定ラインに沿って光デバイスウエーハを切断することによって、個々の光デバイスが製造される。
半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のワークを分割予定ラインに沿って分割する分割方法として、レーザー加工方法が知られている(特許文献1参照)。このレーザー加工方法では、ワークの一方の面側からワーク内部に集光点を合わせてワークに対し透過性を有する波長のレーザービームを照射することによって、分割予定ラインに沿ってワークの内部に改質層を連続的に形成する。そして、改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿ってワークに外力(変位量)を与えることによって、分割予定ラインに沿ってワークを分割する。
特許第3408805号公報
ところで、従来のレーザー加工方法を用いて光デバイスウエーハ等の裏面側に金属膜が積層されたワークを分割する場合、ワークに外力を与えた際、基板は硬く脆いために速やかに破断されるが、金属膜は延性を有するために破断されにくい。このため、従来のレーザー加工方法を用いて裏面側に金属膜が積層されたワークを分割する場合には、金属膜を破断させるために、より大きな外力をワークに与える必要がある。しかしながら、ワークに与える外力を大きくした場合には、ワークの支点にかかる応力が増えたり、分割予定ラインの両側に位置するデバイスが隣接するデバイスに接触したりすることによって、デバイスが破損してしまうことがあった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、ワークに与える変位量を大きくすることなく裏面側に金属膜が積層されたワークを分割可能な分割方法を提供することにある。
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る分割方法は、表面側に分割予定ラインを有する基板の裏面側に金属膜が積層されたワークを分割する分割方法であって、ワークの該裏面側に保護テープを貼着する工程と、ワークの該表面側から該基板を透過する波長を有するレーザービームを分割予定ラインに沿って照射して該基板の内部に改質層を形成する工程と、該改質層が形成された分割対象となる該分割予定ラインの裏面側に該分割予定ラインと同方向に伸びる押圧刃を設定し、該押圧刃に圧力をかけることによって該分割予定ライン上の該基板を分割する第一の分割工程と、該第一の分割工程の後に、該押圧刃を隣接する該分割予定ライン側にずらして設定し、該分割予定ラインと該押圧刃を跨いだ該表面側に該支持刃を設定した状態で該押圧刃に圧力をかけることによって剪断力が生じ該分割予定ライン上の該金属膜を分割する第二の分割工程とを含む。
本発明に係る分割方法によれば、デバイスに与える変位量を大きくすることなく裏面側に金属膜が積層されたワークを分割することができる。
図1は、本発明の一実施形態である分割方法が適用されるワークの構成を示す斜視図である。 図2は、本発明の一実施形態である分割方法を説明するための分割予定ラインに直交する方向におけるワークの断面図であって、貼着工程を説明するための図である。 図3は、本発明の一実施形態である分割方法を説明するための分割予定ラインに直交する方向におけるワークの断面図であって、改質層形成工程を説明するための図である。 図4は、本発明の一実施形態である分割方法を説明するための分割予定ラインに直交する方向におけるワークの断面図であって、第一の分割工程を説明するための図である。 図5は、本発明の一実施形態である分割方法を説明するための分割予定ラインに直交する方向におけるワークの断面図であって、第二の分割工程を説明するための図である。
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態である分割方法について説明する。
〔ワークの構成〕
始めに、図1を参照して、本実施の一実施形態である分割方法が適用されるワークの構成について説明する。
図1は、本発明の一実施形態である分割方法が適用されるワークの構成を示す斜視図である。図1に示すように、本発明の一実施形態である分割方法が適用されるワーク1の表面1a側には格子状の分割予定ライン11が形成され、分割予定ライン11によって区画された各領域には発光素子部100が形成されている。また、ワーク1の裏面側には、発光素子部100から発せられた光を反射するための図示しない金属膜が積層されている。
〔分割方法〕
次に、図2乃至図4を参照して、図1に示すワーク1を分割予定ライン11に沿って分割する分割方法について説明する。
図2は、本発明の一実施形態である分割方法を説明するための分割予定ラインに直交する方向におけるワークの断面図であって、貼着工程を説明するための図である。図3は、本発明の一実施形態である分割方法を説明するための分割予定ラインに直交する方向におけるワークの断面図であって、改質層形成工程を説明するための図である。図4は、本発明の一実施形態である分割方法を説明するための分割予定ラインに直交する方向におけるワークの断面図であって、第一の分割工程を説明するための図である。図5は、本発明の一実施形態である分割方法を説明するための分割予定ラインに直交する方向におけるワークの断面図であって、第二の分割工程を説明するための図である。
図1に示すワーク1を分割予定ライン11に沿って分割する際には、始めに、図2に示すように、ワーク1の裏面側に積層された金属膜101上に保護テープ102を貼着する(貼着工程)。保護テープ102は、ワーク1よりも大きな面積を有するシート状のものであり、引っ張った際に拡張するように変形する例えば樹脂製のテープ本体と粘着層とを備える。なお、図1中、符号11a〜11cは分割予定ラインを示している。
次に、図示しない周知のレーザー加工装置のチャックテーブル上にワーク1の表面1a側がパルスレーザービームの照射口に対向するようにワーク1を載置して保持する。そして、ワーク1の表面1a側からワーク1を形成する基板1b内部に集光点を合わせて基板1bに対し透過性を有する波長のパルスレーザービームを分割予定ライン11a〜11cに沿って照射する(改質層形成工程)。これにより、図3に示すように、分割予定ライン11a〜11cに沿ってワーク1を形成する基板1bの内部に改質層104が形成される。
次に、図4に示すように、改質層104が形成された分割対象となる分割予定ライン11a〜11cに対応する保護テープ102上の位置(図4に示す例では、分割予定ライン11bに対応する保護テープ102上の位置)に分割予定ライン11a〜11cと同方向(図4の紙面垂直方向)に伸びる押圧刃112を配置すると共に、分割対象となる分割予定ライン11a〜11cの両側(図4に示す例では、分割予定ライン11bの両側)でワーク1を支持する一対の支持刃111a,111bを配置する。そして、支持刃111a,111bとワーク1の表面1aとの接点を支点として押圧刃112によってワーク1に外力(圧力)を与えることにより、分割予定ライン11a〜11c(図4に示す例では、分割予定ライン11b)に沿ってワーク1を変位させる(第一の分割工程)。これにより、ワーク1を形成する基板1bが分割予定ライン11a〜11cに沿って破断される。
次に、図5に示すように、押圧刃112及び支持刃111a,111bの配置位置を隣接する分割予定ライン11側(図5に示す例では、隣接する分割予定ライン11a側である矢印A方向)にずらす。そして、第一の分割工程と同様にして、支持刃111a,111bとワーク1の表面1aとの接点を支点として押圧刃112によってワーク1に外力を与える(第二の分割工程)。すなわち、第一の分割工程後に隣接する分割予定ライン11側に支点をずらしてワーク1に再度外力を与えることによって、分割予定ライン11の片側のデバイス(図5に示す例では、分割予定ライン11bの方側のデバイス100a)のみに外力を与える。この結果、金属膜101に剪断力Fが与えられ、金属膜101は破断される。これにより、ワーク1を分割予定ライン11(図5に示す例では、分割予定ライン11b)に沿って分割することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明の一実施形態である分割方法は、ワーク1の裏面側に保護テープ102を貼着する貼着工程と、ワーク1の表面1a側から基板1bを透過する波長を有するレーザービームを分割予定ライン11に沿って照射して基板1bの内部に改質層104を形成する改質層形成工程と、改質層104が形成された分割対象となる分割予定ライン11の裏面側に分割予定ライン11と同方向に伸びる押圧刃112を設定し、押圧刃112に圧力をかけることによって分割予定ライン11上の基板1bを分割する第一の分割工程と、第一の分割工程の後に、押圧刃112を隣接する分割予定ライン11側にずらして設定し、分割予定ライン11と押圧刃112を跨いだワーク1の表面1a側に支持刃111a,111bを設定した状態で押圧刃112に圧力をかけることによって剪断力が生じ分割予定ライン11上の金属膜101を分割する第二の分割工程と、を含む。
すなわち、本発明の一実施形態である分割方法は、ワーク1を形成する基板1bを破断させるステップと金属膜101を破断させるステップとの2ステップによって、裏面側に金属膜101が積層されたワーク1を分割予定ライン11に沿って分割する。そして、このような分割方法によれば、少ない変位量でも大きな剪断力を金属膜101に与えることができるので、金属膜101を容易に破断することができ、結果として、ワーク1に与える変位量を大きくすることなく裏面側に金属膜101が積層されたワーク1を分割することができる。
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、上記実施形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施形態、実施例、及び運用技術等は、全て本発明の範疇に含まれる。
1 ワーク
1a 表面
1b 基板
11,11a〜11c 分割予定ライン
100 発光素子部
101 金属膜
102 保護テープ
104 改質層
111a,111b 支持刃
112 押圧刃
F 剪断力

Claims (1)

  1. 表面側に分割予定ラインを有する基板の裏面側に金属膜が積層されたワークを分割する分割方法であって、
    ワークの該裏面側に保護テープを貼着する工程と、
    ワークの該表面側から該基板を透過する波長を有するレーザービームを分割予定ラインに沿って照射して該基板の内部に改質層を形成する工程と、
    該改質層が形成された分割対象となる該分割予定ラインの裏面側に該分割予定ラインと同方向に伸びる押圧刃を設定し、該押圧刃に圧力をかけることによって該分割予定ライン上の該基板を分割する第一の分割工程と、
    該第一の分割工程の後に、該押圧刃を隣接する該分割予定ライン側にずらして設定し、該分割予定ラインと該押圧刃を跨いだ該表面側に該支持刃を設定した状態で該押圧刃に圧力をかけることによって剪断力が生じ該分割予定ライン上の該金属膜を分割する第二の分割工程と、
    を含むことを特徴とする分割方法。
JP2010176698A 2010-08-05 2010-08-05 分割方法 Active JP5657946B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010176698A JP5657946B2 (ja) 2010-08-05 2010-08-05 分割方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010176698A JP5657946B2 (ja) 2010-08-05 2010-08-05 分割方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012038867A true JP2012038867A (ja) 2012-02-23
JP5657946B2 JP5657946B2 (ja) 2015-01-21

Family

ID=45850557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010176698A Active JP5657946B2 (ja) 2010-08-05 2010-08-05 分割方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5657946B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102825668A (zh) * 2012-09-14 2012-12-19 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种含介电层的半导体原件的切割方法
JP2014087937A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 積層脆性材料基板のブレイク装置および積層脆性材料基板のブレイク方法
JP2014103340A (ja) * 2012-11-22 2014-06-05 Disco Abrasive Syst Ltd 板状被加工物の分割方法
JP2015084349A (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 ブレイク装置
JP2016000533A (ja) * 2015-09-29 2016-01-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 積層脆性材料基板のブレイク用のブレイクバー
JP2017128137A (ja) * 2017-04-24 2017-07-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 ブレイク装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9020A (en) * 1852-06-15 Improved machine for peaking sheet-metal tubes
JPS639950A (ja) * 1986-06-30 1988-01-16 Nec Kansai Ltd 半導体素子の分離方法
JPS6388405U (ja) * 1986-11-28 1988-06-08
JPH05337900A (ja) * 1991-12-06 1993-12-21 James W Loomis 脆い基板を処理するための装置及び方法
JP2007165371A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2009200140A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9020A (en) * 1852-06-15 Improved machine for peaking sheet-metal tubes
JPS639950A (ja) * 1986-06-30 1988-01-16 Nec Kansai Ltd 半導体素子の分離方法
JPS6388405U (ja) * 1986-11-28 1988-06-08
JPH05337900A (ja) * 1991-12-06 1993-12-21 James W Loomis 脆い基板を処理するための装置及び方法
JP2007165371A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2009200140A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102825668A (zh) * 2012-09-14 2012-12-19 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种含介电层的半导体原件的切割方法
JP2014087937A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 積層脆性材料基板のブレイク装置および積層脆性材料基板のブレイク方法
JP2014103340A (ja) * 2012-11-22 2014-06-05 Disco Abrasive Syst Ltd 板状被加工物の分割方法
JP2015084349A (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 ブレイク装置
JP2016000533A (ja) * 2015-09-29 2016-01-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 積層脆性材料基板のブレイク用のブレイクバー
JP2017128137A (ja) * 2017-04-24 2017-07-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 ブレイク装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5657946B2 (ja) 2015-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5657946B2 (ja) 分割方法
US7550367B2 (en) Method for separating semiconductor substrate
TWI447964B (zh) LED wafer manufacturing method
JP2011243874A (ja) サファイアウェーハの分割方法
JP6243699B2 (ja) 脆性材料基板の分断装置
KR20130014522A (ko) 개선된 웨이퍼 싱귤레이션을 위한 방법 및 장치
JP2006245062A (ja) Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び発光素子
KR102379114B1 (ko) 디바이스 칩의 제조 방법
JP6457231B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP2011035245A (ja) 板状ワークの分割方法
JP5160868B2 (ja) 基板への改質層形成方法
KR20140040613A (ko) 적층 세라믹 기판의 분단 방법 및 홈 가공용 툴
JP2015079824A (ja) 破断装置及び分断方法
JP6119550B2 (ja) エキスパンダ、破断装置及び分断方法
TW201804528A (zh) 雷射加工裝置
KR20150044374A (ko) 탄성 지지판, 파단장치 및 분단방법
JP6370648B2 (ja) ワークの分割方法
JP2014165338A (ja) レーザー加工方法
CN103839889B (zh) 光器件晶片的分割方法
JP2004260083A (ja) ウェハの切断方法および発光素子アレイチップ
JP6521695B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP5930840B2 (ja) 板状物の加工方法
JP2015233051A (ja) ウェーハの分割方法
TW201416205A (zh) 積層陶瓷基板之分斷方法
US8945963B2 (en) Optical device processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130709

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140408

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140528

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141111

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141127

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5657946

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250