JP2015079824A - 破断装置及び分断方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複合基板を分断する際に、機能領域を分断するように脆性材料基板11上にスクライブラインを形成し、次いで脆性材料基板11のみをブレイクする。次に樹脂層を破断する際には、複合基板10の脆性材料基板がブレイクされた面を上面として樹脂層12を下面にして平板状の弾性支持板40上に配置する。そしてブレイクラインに合わせて下面が円弧状に形成されたエキスパンドバー32aを押下することによって亀裂を進展させて分断する。こうすれば機能領域を有する多数のチップに分断することができる。
【選択図】図7
Description
11 セラミックス基板
12 シリコン樹脂
13 機能領域
20 破断装置
21 テーブル
22,25 水平固定部材
23 サーボモータ
24 ボールネジ
26,29 移動部材
30 エキスパンダ
31 ベース
32a〜32n エキスパンドバー
40 弾性支持板
Claims (5)
- 一方の面に機能領域を有する脆性材料基板上に樹脂がコーティングされ、前記機能領域を分断するように前記脆性材料基板にブレイクラインが形成された複合基板を分断する分断方法であって、
弾性支持板上に前記複合基板を脆性材料基板の面が上面となるように配置し、
エキスパンドバーを前記脆性材料基板のブレイクラインに沿って押下することによって樹脂層を破断する分断方法。 - 一方の面に機能領域を有する脆性材料基板上に樹脂がコーティングされた複合基板を分断する分断方法であって、
前記複合基板の機能領域を分断するように前記脆性材料基板の樹脂がコーティングされていない面をスクライブしてスクライブラインを形成し、
前記複合基板の脆性材料基板を前記スクライブラインに沿ってブレイクし、
弾性支持板上に前記複合基板を脆性材料基板の面が上面となるように配置し、
下端の断面が円弧状に形成されたエキスパンドバーを前記脆性材料基板のブレイクラインに沿って押下することによって樹脂層を破断する分断方法。 - 前記エキスパンドバーは、下端の断面が円弧状に形成されたものである請求項1又は2記載の分断方法。
- 一方の面に機能領域を有する脆性材料基板上に樹脂がコーティングされ、前記機能領域を分断するように前記脆性材料基板にブレイクラインが形成された複合基板の樹脂層を破断する破断装置であって、
テーブルと、
少なくとも前記複合基板と同等の平面方向の広さを有する弾性部材から成る平板であり、前記格子状のブレイクラインで囲まれる領域の夫々の中心位置に設けられた保護穴を有し、前記テーブル上に配置され、ブレイクラインが形成された面を上面として前記複合基板を保持する弾性支持板と、
エキスパンドバーを有するエキスパンダと、
前記テーブルをその面に沿って移動させる移動機構と、
前記複合基板とエキスパンドバーとを平行に保ちつつ、前記弾性支持板上の複合基板の面に向けて前記エキスパンダを昇降させる昇降機構と、を具備する破断装置。 - 前記エキスパンダのエキスパンドバーは、下端の断面が円弧状に形成されたものである請求項4記載の破断装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013215394A JP6115438B2 (ja) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | 破断装置及び分断方法 |
KR1020140073640A KR102259441B1 (ko) | 2013-10-16 | 2014-06-17 | 파단 장치 및 분단 방법 |
TW103121614A TWI620636B (zh) | 2013-10-16 | 2014-06-23 | Fracture device and breaking method |
CN201410309300.8A CN104552629B (zh) | 2013-10-16 | 2014-07-01 | 破断装置以及分断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013215394A JP6115438B2 (ja) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | 破断装置及び分断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015079824A true JP2015079824A (ja) | 2015-04-23 |
JP6115438B2 JP6115438B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=53011030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013215394A Active JP6115438B2 (ja) | 2013-10-16 | 2013-10-16 | 破断装置及び分断方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6115438B2 (ja) |
KR (1) | KR102259441B1 (ja) |
CN (1) | CN104552629B (ja) |
TW (1) | TWI620636B (ja) |
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EP3410473B1 (de) * | 2017-05-30 | 2021-02-24 | Infineon Technologies AG | Anordnung und verfahren zum vereinzeln von substraten |
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-
2013
- 2013-10-16 JP JP2013215394A patent/JP6115438B2/ja active Active
-
2014
- 2014-06-17 KR KR1020140073640A patent/KR102259441B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-23 TW TW103121614A patent/TWI620636B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-07-01 CN CN201410309300.8A patent/CN104552629B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104552629B (zh) | 2017-11-10 |
TWI620636B (zh) | 2018-04-11 |
JP6115438B2 (ja) | 2017-04-19 |
KR20150044367A (ko) | 2015-04-24 |
KR102259441B1 (ko) | 2021-06-01 |
CN104552629A (zh) | 2015-04-29 |
TW201515802A (zh) | 2015-05-01 |
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