JP2011060822A - 半導体素子分離方法および半導体素子分離装置 - Google Patents
半導体素子分離方法および半導体素子分離装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】LDバー1に押し当ててLDチップ2を分離するブレイク刃10と、LDバー1を支持する一対の基板受部7と、ブレイク刃10をLDバー1に押し当てる際に、ブレイク刃10の進行と同期して、一対の基板受部7の間隔を広げる受部駆動部16とを設ける。
【選択図】 図2
Description
図1は、この発明の実施の形態1におけるレーザダイオードバー(以下、LDバーと称する)1をレーザダイオードチップ(以下、LDチップと称する)2に分離する工程を示す図である。まず、工程全体の流れについて説明する。
この発明の実施の形態2におけるこの発明の実施の形態1との相違点は、図2においてLDバー1の基板受部7と対向する面およびブレイク刃10を押し当てる面を覆っている保護シート17および保護シート20のいずれか一方または両方を省略した点である。
図4は、この発明の実施の形態3におけるレーザダイオードウェハ(以下、LDウェハと称する)35をLDバー1に分離する工程を示す図である。まず、工程全体の流れについて説明する。
図6は、この発明の実施の形態4における半導体素子分離装置6bのブレイク動作中の状態を示す側面図である。図6において、図2と同じ符号を付けたものは、同一または相当の構成を示しており、その説明を省略する。この発明の実施の形態1とは、一対の基板受部7を互いにばね36で接続し、検出部12、制御部15、受部駆動部16を省略した構成が相違している。
図7は、この発明の実施の形態5における半導体素子分離装置6cのブレイク動作中の状態を示す側面図である。図7において、図2と同じ符号を付けたものは、同一または相当の構成を示しており、その説明を省略する。この発明の実施の形態1とは、一対の基板受部7が磁性体で形成され、この一対の基板受部7の間に磁石41を設置し、検出部12、制御部15、受部駆動部16を省略した構成が相違している。
2 レーザダイオードチップ
3 スクライブ溝
6a、6b、6c 半導体素子分離装置
7 基板受部
10 ブレイク刃
16 受部駆動部
21 レーザダイオードバーのスクライブ溝が形成された面
27 引張応力
32 基板受部からの摩擦力
35 レーザダイオードウェハ
36 ばね
40 基板受部に働く水平反力
41 磁石
42 基板受部の互いに対向する面
Claims (7)
- 半導体基板の一方の面にスクライブ溝を形成し、他方の面からブレイク刃を押し当てて、前記半導体基板から半導体素子を分離する半導体素子分離方法において、
前記ブレイク刃の進行と同期して、前記ブレイク刃以外の手段により、前記スクライブ溝を広げる方向の力を前記半導体基板の一方の面に加えることを特徴とする半導体素子分離方法。 - ブレイク刃の進行と同期して、半導体基板のスクライブ溝が形成された面を支持し前記スクライブ溝を境にして両側に配置された一対の基板受部の間隔を広げることにより、前記スクライブ溝を広げる方向の力を前記半導体基板のスクライブ溝が形成された面に加えることを特徴とする請求項1記載の半導体素子分離方法。
- 半導体基板の一方の面にスクライブ溝を形成し、他方の面からブレイク刃を押し当てて、前記半導体基板から半導体素子を分離する半導体素子分離方法において、
前記半導体基板の前記スクライブ溝が形成された面を支持し前記スクライブ溝を境にして両側に配置された一対の基板受部を弾性体によって互いに接続したことを特徴とする半導体素子分離方法。 - 半導体基板の一方の面にスクライブ溝を形成し、他方の面からブレイク刃を押し当てて、前記半導体基板から半導体素子を分離する半導体素子分離方法において、
前記半導体基板の前記スクライブ溝が形成された面を支持し前記スクライブ溝を境にして両側に配置された一対の基板受部の互いに対向する面は磁性体からなる磁性体層を備え、前記一対の基板受部の間には磁石を備えたことを特徴とする半導体素子分離方法。 - 一方の面にスクライブ溝が形成された半導体基板の他方の面に押し当てて前記半導体基板から半導体素子を分離するブレイク刃と、
前記半導体基板を支持する一対の基板受部と、
前記ブレイク刃の進行と同期して前記一対の基板受部の間隔を広げる受部駆動部と、
を備えた半導体素子分離装置。 - 一方の面にスクライブ溝が形成された半導体基板の他方の面に押し当てて前記半導体基板から半導体素子を分離するブレイク刃と、
前記半導体基板を支持する一対の基板受部と、
前記一対の基板受部を互いに接続する弾性体と、
を備えた半導体素子分離装置。 - 一方の面にスクライブ溝が形成された半導体基板の他方の面に押し当てて前記半導体基板から半導体素子を分離するブレイク刃と、
前記半導体基板を支持し、互いに対向する面にそれぞれ磁性体層を備える一対の基板受部と、
前記一対の基板受部の間に設置された磁石と、
を備えた半導体素子分離装置。
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