JP5421699B2 - 半導体素子分離方法および半導体素子分離装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体基板に形成された半導体素子を分離する半導体素子の分離方法および半導体素子の分離装置に関するものである。

従来の半導体素子分離装置では、一対の分割片からなるウェハ受部を備え、このウェハ受部によって、スクライブ溝が形成されたウェハのスクライブ溝近傍を除く箇所を支持していた。そして、ウェハに劈開ツールを押し当てることによってスクライブ溝の近傍に発生する引張応力によりウェハを劈開してバーおよびチップを得ていた。（例えば、特許文献１参照）

特許第４２１０９８１号公報（第６〜８頁、図１）

このような半導体素子分離装置にあっては、所望のスクライブ溝以外でチップが分離されないようにするため、一対のウェハ受部間に存在するスクライブ溝は１本だけとする必要がある。従って、１個の半導体素子を形成するチップの寸法を縮小化していくと、ウェハ受部の間隔も狭くする必要がある。しかし、ウェハ受部の間隔を狭くすると、ウェハに劈開ツールを押し当てることによってスクライブ溝の近傍に発生する引張応力がウェハ受部からウェハが受ける反力によって小さくなってしまう。劈開ツールをウェハに押し当てる力を大きくしてスクライブ溝の近傍に発生する引張応力を増加させようとしても、ウェハ受部からウェハが受ける反力も大きくなるため、スクライブ溝の近傍に発生する引張応力を思うように増加させることができない。このため、ついには望ましくない部分でチップが分離してしまうという問題点があった。

この発明は、上述のような問題を解決するためになされたもので、チップの寸法を縮小化してもスクライブ溝に沿ってチップを分離することができる半導体素子分離方法および半導体素子分離装置を提供することを目的とする。

この発明に係る半導体素子分離方法は、半導体基板の一方の面に複数本のスクライブ溝を所定間隔で形成し、他方の面からブレイク刃を押し当てて、半導体基板から半導体素子を分離する半導体素子分離方法であって、半導体基板のスクライブ溝が形成された面を支持し一本のスクライブ溝を境にして両側に配置された一対の基板受部の初期間隔Ａを、前記所定間隔の２倍未満に設定した後、半導体基板の前記一本のスクライブ溝の背面にあたる箇所にブレイク刃を押し当てる際に、ブレイク刃の進行と同期して一対の基板受部のいずれか一方または両方を受部駆動部により移動させ、一対の基板受部の間隔を初期間隔Ａよりも広い間隔Ｂとすることにより、前記一本のスクライブ溝を広げる方向の力を半導体基板のスクライブ溝が形成された面に加えるものである。

また、この発明に係る半導体素子分離装置は、一方の面にスクライブ溝が形成された半導体基板の他方の面に押し当てられ半導体基板から半導体素子を分離するブレイク刃と、ブレイク刃の位置を検出する検出部と、半導体基板のスクライブ溝が形成された面を支持し一本のスクライブ溝を境にして両側に配置される一対の基板受部と、一対の基板受部のいずれか一方または両方を移動させ一対の基板受部の間隔を変化させる受部駆動部と、検出部からの信号に基づいて受部駆動部を制御する制御部とを備え、半導体基板の前記一本のスクライブ溝の背面にあたる箇所にブレイク刃を押し当てる際に、制御部は、ブレイク刃の進行と同期して一対の基板受部の間隔を連続的に広げるように受部駆動部を制御し、前記一本のスクライブ溝を広げる方向の力を半導体基板のスクライブ溝が形成された面に加えるものである。

この発明に係る半導体素子分離方法によれば、ブレイク刃の進行と同期して、スクライブ溝を広げる方向の力を半導体基板に加えることにより、半導体素子の寸法を縮小化してもスクライブ溝に沿って半導体素子を分離することができる。

また、この発明に係る半導体素子分離装置によれば、ブレイク刃の進行と同期して、一対の基板受部の間隔を広げる受部駆動部を備えたことにより、半導体素子の寸法を縮小化してもスクライブ溝に沿って半導体素子を分離することができる。

この発明の実施の形態１におけるレーザダイオードバーをレーザダイオードチップに分離する工程を示す図である。 この発明の実施の形態１における半導体素子分離装置を示す側面図であり、（ａ）はブレイク動作開始時の状態を示す図、（ｂ）はブレイク動作中の状態を示す図である。 この発明の実施の形態１における半導体素子分離装置を示すブロック図である。 この発明の実施の形態３におけるレーザダイオードウェハをレーザダイオードバーに分離する工程を示す図である。 この発明の実施の形態３における半導体素子分離装置を示す側面図であり、（ａ）はブレイク動作中の状態を示す図、（ｂ）はブレイク動作後の状態を示す図である。 この発明の実施の形態４における半導体素子分離装置のブレイク動作中の状態を示す側面図である。 この発明の実施の形態５における半導体素子分離装置のブレイク動作中の状態を示す側面図である。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１におけるレーザダイオードバー（以下、ＬＤバーと称する）１をレーザダイオードチップ（以下、ＬＤチップと称する）２に分離する工程を示す図である。まず、工程全体の流れについて説明する。

図１（ａ）に示すＬＤバー１は、通常、長さ１０〜３０ｍｍ程度、厚さ１００〜２００μｍ程度であり、例えばIII−Ｖ族化合物半導体であるＩｎＰやＧａＡｓなどを基板とする材料で形成されている。ＬＤバー１の表面には、レーザ共振器などの機能部分や機能部分に電流を供給する電極などが、それぞれのＬＤチップ２ごとに形成されている。ＬＤチップ２の幅は、従来５００〜２００μｍであったが、ＬＤチップ収率を上げるために１５０〜１００μｍ以下に変更されつつある。

ＬＤバー１には、図１（ｂ）に示すように、ＬＤチップ２間にそれぞれスクライブ溝３が形成される。スクライブ溝３は、先端にダイヤモンドを嵌め込んだ刃を備えたスクライブ装置を用いてＬＤバー１に罫書き傷を形成することによって形成される。このスクライブ溝３は、ＬＤバー１からＬＤチップ２を分離するための分離線であり、ＬＤバー１からＬＤチップ２が分離し易いようにＬＤバー１にマイクロクラックを形成する役目をする。尚、スクライブ溝３を形成する方法は、これに限ることはなく、レーザによってＬＤバー１の表面または内部に亀裂を形成する方法で形成してもよい。

続いて、ＬＤバー１は、図１（ｃ）に示すように半導体素子分離装置６ａへ導入され、図１（ｄ）に示すようにそれぞれのＬＤチップ２へと分離される。

次に、この発明の実施の形態１における半導体素子分離装置６ａの構成を説明する。図２は、この発明の実施の形態１における半導体素子分離装置６ａを示す側面図であり、（ａ）はブレイク動作開始時の状態を示す図、（ｂ）はブレイク動作中の状態を示す図である。図３は、この発明の実施の形態１における半導体素子分離装置６ａを示すブロック図である。

図２において、半導体素子分離装置６ａは、所定の間隔をもって配置された一対の基板受部７上にＬＤバー１が設置され、このＬＤバー１にブレイク刃１０を押し当てる構成となっている。ブレイク刃１０はブレイク刃駆動部１１により駆動され、往復運動が可能である。

図２および図３に示すように、ブレイク刃１０にはブレイク刃１０の位置を検出する検出部１２が取り付けられており、この検出部１２からの信号に基づいて制御部１５が、受部駆動部１６を制御して基板受部７の間隔を連続的に変化させることができる。

検出部１２としては、ブレイク刃１０の位置を直接検出するセンサを用いてもよいが、これに限ることはなく、ブレイク刃１０がＬＤバー１に接触したときにブレイク刃１０にかかる圧力を検出する圧力センサを用いてブレイク刃１０の位置を検出してもよい。

受部駆動部１６としてはサーボモータが用いられ、検出部１２からの信号に基づいて制御部１５によって制御される。これにより、ブレイク刃１０の進行と同期して基板受部７の間隔を適切な間隔に変化させることができる。

尚、スクライブ溝３が形成されたＬＤバー１は脆いためハンドリングの際に割れるおそれがあり、また、ＬＤバー１を基板受部７に設置する際に傷や汚れが付くおそれもある。これらを防ぐために、ＬＤバー１を基板受部７上に設置する際には、ＬＤバー１の基板受部７と対向する面およびブレイク刃１０を押し当てる面を保護シート１７および保護シート２０によって覆っておく。保護シート１７および保護シート２０としては、例えば、厚さ１００μｍ程度のポリ塩化ビニルから成る粘着性を持ったものが用いられる。

次に、この発明の実施の形態１における半導体素子分離装置６ａの動作について説明する。図２（ａ）に示すように、まず、一方の面にスクライブ溝３が形成されたＬＤバー１が、スクライブ溝３が形成された面２１が基板受部７と対向し、一対の基板受部７がスクライブ溝３を境にして両側にくるように設置される。このときの基板受部７の初期間隔をＡとする。尚、ＬＤバー１は上述のように保護シート１７および保護シート２０によって覆われている。このとき、ＬＤバー１は、ブレイク刃１０を押し当てたときに動かない程度に固定されていればよく、固定ジグ等を用いて固定してもよいが、保護シート１７が粘着性を持つものである場合はその粘着性を利用してもよい。

次に、ブレイク刃駆動部１１によりブレイク刃１０を駆動し、ＬＤバー１のスクライブ溝３が形成された面２１と対向する面２２でスクライブ溝３の背面にあたる箇所にブレイク刃１０を押し当てる。

図２（ａ）に示すように、ＬＤバー１に保護シート２０を通してブレイク刃１０を押し当てる力２５が働くと、ＬＤバー１には基板受部７から保護シート１７を通して垂直反力２６が働く。すると、ＬＤバー１には三点曲げ様の力が掛かることとなり、スクライブ溝３の近傍に引張応力２７が働く。

しかし、従来のように、このままブレイク刃１０を進行させて行くと、ＬＤバー１の撓りは大きくなるが、保護シート１７と基板受部７との間の摩擦力により保護シート１７と基板受部７とは滑りにくいため、ＬＤバー１に水平反力３０が働くこととなる。この水平反力３０が生じることにより、スクライブ溝３の近傍に働く引張応力２７が小さくなってしまうため、ついにはＬＤバー１が望ましくない部分で分離してしまうことがある。また、ブレイク刃１０の進行により保護シート１７が変形して、基板受部７の間にはみ出し、基板受部７の間を埋めるようになる。すると、ブレイク刃１０を押し当てる力２５を妨げる方向にシート抗力３１が生じるため、ブレイク刃１０を押し当てる力２５をより大きくする必要がある。

これを防ぐために、この発明の実施の形態１においては、図２（ｂ）に示すように、ブレイク刃１０の進行と同期して、基板受部７の間隔を初期間隔Ａから移動後間隔Ｂへと広げる。つまり、ブレイク刃１０を進行させる際に検出部１２によりブレイク刃１０の位置を検出し、この検出部１２からの信号に基づいて制御部１５が受部駆動部１６を制御して基板受部７の間隔を初期間隔Ａから移動後間隔Ｂへと連続的に広げていく。

基板受部７の間隔を広げることにより、ＬＤバー１には、基板受部７から保護シート１７を介してスクライブ溝３を広げる方向に摩擦力３２が働き、ＬＤバー１に働く水平反力３０を低減することができる。また、基板受部７の間隔を広げることにより保護シート１７の基板受部７間へのはみ出しも緩和することができるため、シート抗力３１を減らすこともできる。

次に、基板受部７の間隔の設定について説明する。基板受部７の初期間隔Ａは、ブレイク刃１０をＬＤバー１に押しつけた際に、所望のスクライブ溝３以外で分離されることがないように、ＬＤチップ２の幅の２倍未満に設定しておくことが望ましい。例えば、ＬＤチップ２の幅が１５０μｍである場合は、基板受部７の初期間隔Ａは３００μｍ未満に設定しておくことが望ましい。

基板受部７の移動後間隔Ｂは、分離後のＬＤチップ２の端部が基板受部７の間に落下してしまわない程度の幅にしておくことが望ましい。

基板受部７の初期間隔Ａから移動後間隔Ｂへの移動量は、ＬＤバー１に働く水平反力３０をうまく打ち消せるようＬＤバー１の厚さやＬＤチップ２の幅などに応じて設定する必要がある。例えば、ＬＤバー１の厚さが１００μｍ、ＬＤチップ２の幅が１５０μｍである場合、基板受部７の初期間隔Ａを２３０μｍに設定し、ブレイク刃１０がＬＤバー１に接触してからＬＤチップ２が充分分離するまで、ブレイク刃１０が１μｍ進行するに従って基板受部７の間隔を１．２μｍずつ広げていくことが望ましい。

この発明の実施の形態１では、以上のような構成としたことにより、スクライブ溝３の近傍に働く引張応力２７を減少させる原因であるＬＤバー１に働く水平反力３０を低減することができるため、スクライブ溝３の近傍に充分な引張応力２７が働くこととなる。これにより、ＬＤチップ２が望ましくない箇所で分離してしまうことを防ぐことができる。また、保護シート１７の基板受部７間へのはみ出しも緩和することができるため、ブレイク刃１０を押し当てる力２５を妨げるシート抗力３１を減らすことができる。このため、ブレイク刃１０を押し当てる力２５をより小さくすることができる。

尚、この発明の実施の形態１では、ＬＤバー１からＬＤチップ２を分離する場合について説明した。しかし、これに限ることはなく、フォトダイオードなどの半導体基板からチップに分離する工程全般に適用することができる。

また、この発明の実施の形態１では、基板受部７の移動量は、ＬＤバー１に働く水平反力３０を打ち消すように設定した。しかし、基板受部７の間隔をより大きく広げることによって、基板受部７から保護シート１７を介してＬＤバー１に働く摩擦力３２をより大きくし、水平反力３０を完全に打ち消した上にさらにスクライブ溝３の近傍に働く引張応力２７を増大させるようにしてもよい。これにより、引張応力２７が増大するため、ブレイク刃１０を押し当てる力２５をより小さくすることができる。

さらに、この発明の実施の形態１では、一対の基板受部７の両方を移動させて基板受部７の間隔を広げたが、片側の基板受部７のみを移動させてもよい。この場合、受部駆動部１６が一方でよいため、構成をより簡易にすることができる。また、一対の基板受部７の両方を移動させる場合でも、両方を同じ移動量として対称に移動させる必要もない。

実施の形態２．
この発明の実施の形態２におけるこの発明の実施の形態１との相違点は、図２においてＬＤバー１の基板受部７と対向する面およびブレイク刃１０を押し当てる面を覆っている保護シート１７および保護シート２０のいずれか一方または両方を省略した点である。

まず、ＬＤバー１の基板受部７と対向する面を覆う保護シート１７を省略した場合について説明する。保護シート１７を省略すると、ＬＤバー１と基板受部７が直接接触することとなるが、やはり、ＬＤバー１と基板受部７との間の摩擦力により水平反力３０が生じてしまう。この発明の実施の形態１の場合と同様にブレイク刃１０の進行と同期して基板受部７の間隔を広げると、基板受部７からＬＤバー１に摩擦力３２が働き、水平反力３０を低減することができる。

また、保護シート１７を省略した場合は、シート抗力３１は生じないため、シート抗力３１によってブレイク刃１０を押し当てる力２５が妨げられることがなくなり、ブレイク刃１０を押し当てる力２５をより小さくすることができる。

ＬＤバー１のブレイク刃１０を押し当てる面を覆う保護シート２０を省略した場合についても、保護シート２０にブレイク刃１０が接触した際に保護シート２０からブレイク刃１０が受ける抗力がなくなるので、ブレイク刃１０を押し当てる力２５をより小さくすることができる。

保護シート１７および保護シート２０の両方を省略した場合は、上述の効果が共に得られるため、ブレイク刃１０を押し当てる力２５をさらに小さくすることができる。

実施の形態３．
図４は、この発明の実施の形態３におけるレーザダイオードウェハ（以下、ＬＤウェハと称する）３５をＬＤバー１に分離する工程を示す図である。まず、工程全体の流れについて説明する。

図４（ａ）に示すＬＤウェハ３５には、最終的にＬＤチップ２へと分離される素子が２次元アレイ状に形成されている。そして、図４（ｂ）に示すようにＬＤウェハ３５の端部に、ＬＤバー１へと分離するためのスクライブ溝３がそれぞれ形成される。続いて、ＬＤウェハ３５は、図４（ｃ）に示すように半導体素子分離装置６ａへ導入され、スクライブ溝３付近のみを基板受部７で支持される。そして、スクライブ溝３付近のみにブレイク刃１０を押し当て、スクライブ溝３部分に亀裂を発生させる。ここで、ブレイク刃１０をさらに進行させることにより亀裂をＬＤバー１の長手方向に進行させ、図４（ｄ）に示すようにそれぞれのＬＤバー１へと分離される。

次に、この発明の実施の形態３における半導体素子分離装置６ａの動作を説明する。図５は、この発明の実施の形態３における半導体素子分離装置６ａを示す側面図であり、（ａ）はブレイク動作中の状態を示す図、（ｂ）はブレイク動作後の状態を示す図である。図５において、図２と同じ符号を付けたものは、同一または相当の構成を示しており、その説明を省略する。この発明の実施の形態１とは、ＬＤウェハ３５のスクライブ溝３付近のみを基板受部７で支持し、スクライブ溝３付近のみにブレイク刃１０を押し当てる点、ブレイク刃１０の進行距離および基板受部７の移動量がより大きい点が相違している。

図５（ａ）に示すように、ＬＤウェハ３５をスクライブ溝３付近のみを基板受部７により支持されるように配置し、ブレイク刃駆動部１１によりブレイク刃１０を駆動してＬＤウェハ３５のスクライブ溝３付近のみにブレイク刃１０を押し当てる。そして、ブレイク刃１０を進行させ、これと同期して基板受部７の間隔を初期間隔Ａから連続的に広げていく。

しかしこの場合は、基板受部７の間隔が移動後間隔Ｂに達した時点ではスクライブ溝３部分に亀裂が生じたのみで、ＬＤバー１の長手方向に渡って完全には亀裂が進行していない。このため、ここでブレイク刃１０の進行を止めずに、続いてブレイク刃１０をさらに進行させることにより、既に分離されている部分を押し開いて亀裂を進行させる。そして、これと同期して基板受部７の間隔もさらに最終間隔Ｃまで連続的に広げる必要がある。これにより、ＬＤウェハ３５に働く水平反力３０を低減しつつ、ＬＤウェハ３５からＬＤバー１を完全に分離することができる。

例えば、ＬＤバー１の長手方向の長さが１０〜１５ｍｍ、ＬＤバー１の厚さが１００μｍ、ＬＤバー１の幅が２００μｍである場合を考えると、基板受部７の初期間隔Ａは３００μｍ程度に設定されるのが望ましい。そして、ＬＤウェハ３５のスクライブ溝３付近にブレイク刃１０を押し当て、ブレイク刃１０の進行と同期して基板受部７の間隔を広げていくが、上述のようにスクライブ溝３に亀裂が入った時点ではＬＤバー１は完全には分離されていない。このため、ブレイク刃１０の進行を止めずにさらに７０μｍ程度押し込んで亀裂をＬＤバー１の長手方向に進行させることによりＬＤバー１を完全に分離する。この間、基板受部７の間隔はブレイク刃１０の進行と同期して初期間隔Ａから最終間隔Ｃまで連続的に広げられるが、ブレイク刃１０が１μｍ進行するに従って０．９５μｍずつ広げていくことが望ましい。

この発明の実施の形態３では、以上のようにしたことにより、引張応力２７を減少させる原因であるＬＤウェハ３５に働く水平反力３０を低減することができるため、充分な引張応力２７が働くこととなる。これにより、ＬＤバー１が望ましくない箇所で分離してしまうことを防ぐことができる。また、保護シート１７の基板受部７間へのはみ出しも緩和することができるため、ブレイク刃１０を押し当てる力２５を打ち消す原因であるシート抗力３１を減らすことができる。このため、ブレイク刃１０を押し当てる力２５をより小さくすることができる。

実施の形態４．
図６は、この発明の実施の形態４における半導体素子分離装置６ｂのブレイク動作中の状態を示す側面図である。図６において、図２と同じ符号を付けたものは、同一または相当の構成を示しており、その説明を省略する。この発明の実施の形態１とは、一対の基板受部７を互いにばね３６で接続し、検出部１２、制御部１５、受部駆動部１６を省略した構成が相違している。

次に、このような構成の半導体素子分離装置６ｂの動作について説明する。図６に示すように、ＬＤバー１が基板受部７に設置され、ブレイク刃１０が押し当てられる。このときばね３６は自然長である。

ブレイク刃１０が進行していくと、ブレイク刃１０を押し当てる力２５に応じて、ＬＤバー１にはスクライブ溝３の近傍に働く引張応力２７を打ち消す方向に水平反力３０が働き、基板受部７には基板受部７の間隔を広げる方向に水平反力４０が働く。基板受部７に水平反力４０が働くと、基板受部７の間隔が、水平反力４０の大きさとばね３６のばね定数に応じた間隔へと広がっていくこととなる。これにより、ブレイク刃１０の進行と同期して基板受部７の間隔を広げることができる。

ばね３６のばね定数は、基板受部７に働く水平反力４０をあらかじめ測定しておいて、この水平反力４０に応じて基板受部７の間隔が所望の移動後間隔Ｂに広がるように設定しておくことが望ましい。

尚、ＬＤチップ２を分離しブレイク刃１０を引き戻すと、ばね３６の弾性力により基板受部７の間隔は初期間隔Ａへ戻ろうとするが、このときばね３６が振動するため初期間隔Ａに戻って静止するまでに時間がかかってしまう。このため、ばね３６が初期間隔Ａより狭くなることを防ぐストッパーを設けておくことが望ましい。ストッパーを設けることにより、基板受部７が広がった状態から初期間隔Ａに戻るときにストッパーによって止められ、ばね３６が振動するのを防ぐことができる。

また、ストッパーを設けることにより、初期間隔Ａよりもばね３６が縮むのを防ぐことができるので、初期間隔Ａのときにばね３６が自然長より伸びていてもよい。

この発明の実施の形態４では、以上のような構成としたことにより、検出部１２、制御部１５、受部駆動部１６を省略した簡易な構成で、ＬＤバー１に働く水平反力３０およびシート抗力３１を低減し、ＬＤバー１が望ましくない箇所で分離してしまうことを防ぐことができる。

尚、この発明の実施の形態４では、一対の基板受部７を互いにばね３６により接続した。しかし、これに限ることはなく、例えばゴムなど他の弾性体を用いてもよい。

実施の形態５．
図７は、この発明の実施の形態５における半導体素子分離装置６ｃのブレイク動作中の状態を示す側面図である。図７において、図２と同じ符号を付けたものは、同一または相当の構成を示しており、その説明を省略する。この発明の実施の形態１とは、一対の基板受部７が磁性体で形成され、この一対の基板受部７の間に磁石４１を設置し、検出部１２、制御部１５、受部駆動部１６を省略した構成が相違している。

次に、このような構成の半導体素子分離装置６ｃの動作について説明する。図７に示すように、ＬＤバー１が基板受部７に設置され、ブレイク刃１０が押し当てられる。ここで、基板受部７は例えば鉄などの磁性体で形成されているため、磁石４１の磁力によって間隔を狭める方向に力を受けている。このため、基板受部７の間隔が初期間隔Ａより狭くならないようにストッパーを設けておく必要がある。

ブレイク刃１０が進行していくと、ブレイク刃１０を押し当てる力２５に応じて、基板受部７の間隔を広げる方向に水平反力４０が働き、基板受部７の間隔が、水平反力４０の大きさと、基板受部７と磁石４１との間に働く磁力に応じた間隔へと広がっていくこととなる。これにより、ブレイク刃１０の進行と同期して基板受部７の間隔を広げることができる。

磁石４１は、永久磁石でも電磁石でもよいが、基板受部７に働く水平反力４０をあらかじめ測定しておいて、この水平反力４０に応じて基板受部７の間隔が所望の移動後間隔Ｂに広がるように基板受部７と磁石４１との間に働く磁力の大きさを設定しておくことが望ましい。

この発明の実施の形態５では、以上のような構成としたことにより、検出部１２、制御部１５、受部駆動部１６を省略した簡易な構成で、ＬＤバー１に働く水平反力３０およびシート抗力３１を低減し、ＬＤバー１が望ましくない箇所で分離してしまうことを防ぐことができる。

尚、この発明の実施の形態５では、基板受部７自体を磁性体で形成した。しかし、基板受部７自体は磁性体で形成せず、基板受部７の互いに対向する面４２にそれぞれ磁性体からなる磁性体層を設けてもよい。また、基板受部７の互いに対向する面４２に磁石４１を互いに異なる磁極同士が対面するようにそれぞれ取り付けて、磁石４１同士が引き合う力を用いてもよい。また、基板受部７のＬＤバー１の長手方向外側の面にそれぞれ磁石４１を取り付けて、そのさらに外側に磁石４１と同じ磁極が対面するように別の磁石をそれぞれ設け、磁石４１とさらに外側に設けた別の磁石同士が反発する力を用いてもよい。

以上、この発明の実施の形態１〜５について説明した。これら、この発明の実施の形態１〜５で説明した構成は互いに組合せることができる。

１ レーザダイオードバー
２ レーザダイオードチップ
３ スクライブ溝
６ａ、６ｂ、６ｃ 半導体素子分離装置
７ 基板受部
１０ ブレイク刃
１６ 受部駆動部
２１ レーザダイオードバーのスクライブ溝が形成された面
２７ 引張応力
３２ 基板受部からの摩擦力
３５ レーザダイオードウェハ
３６ ばね
４０ 基板受部に働く水平反力
４１ 磁石
４２ 基板受部の互いに対向する面

Claims (2)

1. 半導体基板の一方の面に複数本のスクライブ溝を所定間隔で形成し、他方の面からブレイク刃を押し当てて、前記半導体基板から半導体素子を分離する半導体素子分離方法であって、
   前記半導体基板の前記スクライブ溝が形成された面を支持し一本の前記スクライブ溝を境にして両側に配置された一対の基板受部の初期間隔Ａを、前記所定間隔の２倍未満に設定した後、前記半導体基板の前記一本のスクライブ溝の背面にあたる箇所に前記ブレイク刃を押し当てる際に、前記ブレイク刃の進行と同期して前記一対の基板受部のいずれか一方または両方を受部駆動部により移動させ、前記一対の基板受部の間隔を前記初期間隔Ａよりも広い間隔Ｂとすることにより、前記一本のスクライブ溝を広げる方向の力を前記半導体基板の前記スクライブ溝が形成された面に加えることを特徴とする半導体素子分離方法。
2. 一方の面にスクライブ溝が形成された半導体基板の他方の面に押し当てられ前記半導体基板から半導体素子を分離するブレイク刃と、
   前記ブレイク刃の位置を検出する検出部と、
   前記半導体基板の前記スクライブ溝が形成された面を支持し一本の前記スクライブ溝を境にして両側に配置される一対の基板受部と、
   前記一対の基板受部のいずれか一方または両方を移動させ前記一対の基板受部の間隔を変化させる受部駆動部と、
   前記検出部からの信号に基づいて前記受部駆動部を制御する制御部とを備え、
   前記半導体基板の前記一本のスクライブ溝の背面にあたる箇所に前記ブレイク刃を押し当てる際に、前記制御部は、前記ブレイク刃の進行と同期して前記一対の基板受部の間隔を連続的に広げるように前記受部駆動部を制御し、前記一本のスクライブ溝を広げる方向の力を前記半導体基板の前記スクライブ溝が形成された面に加えることを特徴とする半導体素子分離装置。

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