TW202041343A - 陶瓷片的製造方法及陶瓷片製造用之煅燒前片的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種適於製造陶瓷片的方法，其進行藉由將板狀的陶瓷成型體之煅燒前母基板沿著複數個分斷預定位置於厚度方向進行分斷，以獲得煅燒前片之分斷步驟，以及藉由煅燒煅燒前片以獲得陶瓷片之煅燒步驟。在分斷步驟中，對所有的複數個分斷預定位置進行了載置步驟及斷開步驟。載置步驟係在以較之相鄰的分斷預定位置之間隔還小的間隔而分隔的一對的受刃之上方，以分斷預定位置距兩邊的受刃呈等距離的方式，將煅燒前母基板水平地載置；斷開步驟係由煅燒前母基板的上表面側對分斷預定位置抵接斷開板，藉由進一步的按壓，而自下表面側使裂縫被伸展，藉此在分斷預定位置上對煅燒前母基板進行分斷。

Description

陶瓷片的製造方法及陶瓷片製造用之煅燒前片的製造方法

本發明係有關於一種製造陶瓷片的方法，特別是有關於在陶瓷基材上設置有樹脂層的積層陶瓷片之製法。

已知將陶瓷煅燒基板等硬脆的基板分斷來進行片材化(單片化)的方法，是在該基板之一主表面的分斷預定位置上，事先進行形成刻劃道的刻劃處理，再從另一主表面側對分斷預定位置抵接斷開板(break plate)，並藉由進一步進行按壓該斷開板(三點彎曲(three-point bending))之斷開處理時，自刻劃道使裂縫(crack)伸展而分斷基板(例如參照發明專利文獻1)。

[先前技術文獻]

[發明專利文獻]

[發明專利文獻1]日本特開第2014-83821號公報。

作為含有硬脆的陶瓷煅燒體之構成要素的片材(chip)之一態樣，現有的需求係欲製作在由此類陶瓷煅燒體(例如鐵氧磁體(ferrite)或其他LTCC(low temperature co-fired ceramic；低溫共燒陶瓷))所構成的基材上，具有積層有軟於(硬度低)該基材的樹脂層之結構的積層陶瓷片。

製作此類積層陶瓷片時，若採用如發明專利文獻1所揭示的習知手法，對於在硬脆的陶瓷煅燒基板的上方形成有樹脂層而成之積層基板，必需進行刻劃處理和斷開處理。

然而，只對形成該積層基板之表層的樹脂層進行刻劃處理，在斷開處理時，具有裂縫無法良好地自形成於樹脂層上的刻劃道伸展於硬脆的陶瓷煅燒基板，而難以使積層基板沿著預先決定好的分斷預定位置進行分斷的問題。

在此情況下，藉由形成貫穿樹脂層直到陶瓷煅燒基板為止的刻劃道，便有得以進行分斷的可能性。但若因對於陶瓷煅燒基板的刻劃道之形成的後段步驟或最終製品的品質等產生不良的情況下，則基本上無法採用此方法。

另外，當由於樹脂層與陶瓷煅燒體的煅燒收縮率的不同而在積層基板產生彎曲或歪斜的情況時，則有難以適當地形成刻劃道的情況。

亦或是，在想要製作的片材之平面尺寸和其厚度相比過小的情況下(如3倍以下的情況)，即便形成了適當的刻劃線，也有難以順利進行斷開的問題。

本發明係有鑑於上述課題而致力完成者，目的在於實現一種得以適當地製作包括陶瓷煅燒體的基材之呈對向的兩個面上分別具有積層有軟於該基材的樹脂層之結構的積層陶瓷片或小尺寸的陶瓷片的方法。

為解決上述問題，請求項1之發明為一種製造陶瓷片的方法，具備數個步驟：用以準備板狀的陶瓷成型體煅燒前母基板的準備步驟、藉由沿著預先決定之複數個分斷預定位置而將前述煅燒前母基板於厚度方向進行分斷，以獲得多數個煅燒前片之分斷步驟、藉由將前述煅燒前片進行煅燒，以獲得前述陶瓷片的煅燒步驟。於前述分斷步驟中，將所有前述複數個分斷預定位置作為下述一個的分斷預定位置而進行載置步驟以及斷開步驟。載置步驟係在以較之相鄰的前述分斷預定位置之間隔還小的間隔而分隔的一對的受刃之上方，以於前述複數個分斷預定位置之中作為分斷的實行對象之一個的分斷預定位置距前述一對的受刃之兩邊呈等距離的方式，將前述煅燒前母基板水平地載置。斷開步驟係由載置在前述受刃之前述煅燒前母基板的上表面側對前述一個的分斷預定位置抵接斷開板，藉由進一步按壓前述斷開板，而自前述煅燒前母基板的下表面側於前述一個的分斷預定位置上使裂縫被伸展，藉此在前述一個的分斷預定位置上對前述煅燒前母基板進行分斷。

請求項2的發明，係如請求項1中所記載之陶瓷片的製造方法，其中前述煅燒前母基板是在前述板狀的陶瓷成型體之厚度方向上，於呈對向的兩個表面之一表面或兩表面上設置有樹脂層者。在前述載置步驟中，以設置有樹脂層的表面作為下表面；在前述斷開步驟中，藉由按壓前述斷開板，而自前述煅燒前母基板的下表面側之前述樹脂層於前述一個的分斷預定位置使裂縫被伸展。

請求項3所記載的發明，係如請求項2中所記載的陶瓷片的製造方法，前述樹脂層的煅燒收縮率大於前述陶瓷成型體的煅燒收縮率。

請求項4的發明，係如請求項1中所記載之陶瓷片的製造方法，前述陶瓷片的厚度是前述陶瓷片之平面尺寸的3倍以下。

請求項5的發明，係如請求項1至4中任一項所記載之陶瓷片的製造方法，其進一步具備刻劃步驟，係在前述分斷步驟之前，於前述煅燒前母基板的一邊主表面上，沿著預先決定之複數個分斷預定位置形成刻劃道。在前述斷開步驟中，藉由按壓前述斷開板，而自位於前述煅燒前母基板的下表面側之前述刻劃道於前述一個的分斷預定位置使裂縫被伸展。

請求項6的發明，為一種藉由煅燒以製造作為陶瓷片之煅燒前片的方法，其具備準備步驟以及分斷步驟。準備步驟係用以準備板狀的陶瓷成型 體之煅燒前母基板。分斷步驟係藉由沿著預先決定之複數個分斷預定位置，而將前述煅燒前母基板於厚度方向進行分斷，以獲得多數個煅燒前片。在前述分斷步驟中，將所有前述複數個分斷預定位置作為下述一個的分斷預定位置而進行載置步驟以及斷開步驟。載置步驟係在以較之相鄰的前述分斷預定位置之間隔還小的間隔而分隔的一對的受刃之上方，以於前述複數個分斷預定位置之中作為分斷的實行對象之一個的分斷預定位置距前述一對的受刃之兩邊呈等距離的方式，將前述煅燒前母基板水平地載置。斷開步驟係由載置在前述受刃之前述煅燒前母基板的上表面側對前述一個的分斷預定位置抵接斷開板，藉由進一步按壓前述斷開板，而自前述煅燒前母基板的下表面側於前述一個的分斷預定位置上使裂縫被伸展，藉此在前述一個的分斷預定位置上對前述煅燒前母基板進行分斷。

請求項7的發明，如請求項6中所記載之煅燒前片的製造方法，前述煅燒前母基板係在前述板狀的陶瓷成型體之厚度方向上之呈對向的兩個表面之一表面或兩表面上設置有樹脂層者。在前述載置步驟中，以設置有前述樹脂層的表面作為下表面；而在前述斷開步驟中，藉由按壓前述斷開板，而自前述煅燒前母基板的下表面側之前述樹脂層於前述一個的分斷預定位置使裂縫被伸展。

請求項8的發明，如請求項6或請求項7中所記載之煅燒前片的製造方法，其進一步具備刻劃步驟，係在前述分斷步驟之前，於前述煅燒前母基板的一邊主表面上沿著預先決定之複數個分斷預定位置形成刻劃道。在前述斷 開步驟中，藉由按壓前述斷開板，而自位於前述煅燒前母基板的下表面側之前述刻劃道於前述一個的分斷預定位置使裂縫被伸展。

藉由請求項1乃至請求項8的發明，經由採用透過對煅燒前母基板進行斷開處理，以分斷成多數個煅燒前片，再將該等煅燒前片進行煅燒之流程，可獲得多數個合適的陶瓷片。特別是藉由在斷開時，使一對的受刃所形成的間隙之尺寸小於分斷預定位置之間距(pitch)，即便是平面尺寸較厚度小的陶瓷片亦可適當地獲得。此外，即使是在各自的單元陶瓷基材之對向的兩個表面上積層有與單元陶瓷基材具有不同的收縮率之單元樹脂層的積層陶瓷片亦可適當地獲得。

1:陶瓷成型體

1C:單元陶瓷基材

2、2a、2b:樹脂層

2C:單元樹脂層

10:煅燒前母基板

10B:煅燒前片

10C:積層陶瓷片

100:刻劃裝置

101:平台

102:刻劃輪

102e:刀刃(刻劃裝置)

200:斷開裝置

201:受刃

202:斷開板

202e:刀刃(斷開裝置)

AR0、AR1、AR2、AR3:箭頭

CR:裂縫

d:間隙

DT:切割帶

f:拉伸力

P:分斷預定位置

p:間距

Pa、Pb:虛擬交叉線

R:曲率半徑

SL:刻劃道

t:厚度

w:平面尺寸

θ:刀刃角

圖1係顯示陶瓷片的製造方法之概略流程之示意圖。

圖2係顯示於實施態樣1中，將煅燒前母基板10進行分斷的示意圖。

圖3係顯示於實施態樣1中，斷開板202剛抵接於煅燒前母基板10的狀態之圖式。

圖4係顯示於分斷預定位置P中，實施分斷後的圖式。

圖5係顯示於實施態樣2中，對煅燒前母基板10進行刻劃處理的示意圖。

圖6係顯示於實施態樣2中，實施刻劃處理後的圖式。

圖7係顯示於實施態樣2中，對煅燒前母基板10進行分斷的示意圖。

圖8係顯示於實施態樣2中，斷開板202剛抵接於煅燒前母基板10的狀態 之圖式。

<製法的概要>

圖1係顯示有關於實施態樣1之陶瓷片的製造方法之概略流程之示意圖。本實施態樣的概略如下：預先準備於板狀的陶瓷成型體1的厚度方向上呈對向之兩表面設置有樹脂層2(2a、2b)之煅燒前母基板10，並於分斷預定位置P對相關的煅燒前母基板10於厚度方向進行分斷，透過煅燒由此獲得的預定尺寸之多數個煅燒前片10B，以獲得具備了單元陶瓷基材1C及各自積層於該單元陶瓷基材1C的對向之兩個表面的單元樹脂層2C的積層陶瓷片10C。

此外，雖然在圖1中為了方便圖示，以側視圖顯示煅燒前母基板10，並顯示了在該煅燒前母基板10的圖式視野左右方向上，以預定間距p而相互分隔之分斷預定位置P，但實際上，即便沿著某一方向(第1方向)平行地設定多數個分斷預定位置P，並於與該第1方向呈預定角度(典型呈正交)的方向(第2方向)上設定與該方向平行的多數個分斷預定位置P亦可。又，在此情況下，沿著第1方向的分斷預定位置之間距(於第2方向的間距)亦可與沿著第2方向的分斷預定位置P之間距(於第1方向的間距)不同。

陶瓷成型體1是將預定的陶瓷粉末與預定的黏合劑(binder)、溶劑等進行混合而成型得到的板狀物。陶瓷粉末係例如鐵氧磁體粉末等LTCC(低溫煅燒 陶瓷)粉末。陶瓷成型體1可藉由例如除了將多數片陶瓷胚片(ceramic green sheet)進行積層、一體化(所謂的生胚片程序(green sheet process))之外，還可藉由刮刀法(doctor blade method)、膠鑄成型法(gel casting)等各種習知方法而獲得。

陶瓷成型體1係具有例如0.1mm至2mm左右的厚度，及0.1mm至10mm左右的平面尺寸(作為一示例係若為矩形則指一邊的長度，若為圓形則指直徑)。

樹脂層2包括比陶瓷成型體1硬度低，且煅燒時的收縮率較大的樹脂。樹脂層2通常形成比陶瓷成型體1薄的厚度。作為一示例係如1μm至1000μm左右的厚度。然而，於陶瓷成型體1之一邊主表面側所形成的樹脂層2(2a)與其他邊主表面側所形成的樹脂層(2b)的厚度亦可不同。此樹脂層2係可使用印刷法(塗佈法)或其他各種習知手法形成。

接著，積層陶瓷片10C係包括下列之積層體：在將煅燒前母基板10分斷成預定尺寸之煅燒前片10B被煅燒的過程中，構成該煅燒前片10B的陶瓷成型體1中之進行了有機成分的脫離與陶瓷粉末的煅燒所獲得之作為結果物的硬脆的單元陶瓷基材1C，以及於該過程中構成煅燒前片10B的樹脂層2所硬化成之單元樹脂層2C。但即使說是已硬化，單元樹脂層2C的硬度仍低於單元陶瓷基材1C。

此外，在本實施態樣中，將積層陶瓷片10C的厚度設為t，且將平面尺寸(一邊的長度)設為w時，積層陶瓷片10C係滿足w≦3t的關係。此即意味著獲得煅燒前片10B時的分斷預定位置P係設定成使經過煅燒而最終獲得的積層陶瓷片10C滿足w≦3t的關係。

<分斷的細節>

圖2係顯示於實施態樣1中，將煅燒前母基板10進行分斷的示意圖。煅燒前母基板10的分斷，可藉由使用了習知的斷開裝置200之斷開處理來進行。

斷開裝置200係主要具備一對可從下方將斷開對象物支撐在水平位置之受刃201，及在鉛直下方具有剖視略呈三角形之刀刃202e之板狀構件的斷開板202。

一對的受刃201係設置成在水平面內的一個方向(在圖2中是圖式視野左右方向)上可互相接近及分隔。在分斷煅燒前母基板10時，一對的受刃201係以在該方向成預定間隙d的方式而被分隔配置。換言之，一對的受刃201係以在水平面內與兩者的移動方向呈垂直的方向上，使預定的間隙d延伸之態樣被分隔配置。在此，間隙d被設定為小於在分斷對象的煅燒前母基板10之分斷預定位置P之間距p的值。該間隙d之大小在當與設定為間距p的1.5倍左右之一般的斷開處理之大小相較時，可說是相當小。

斷開板202為剖視略呈二等邊三角形之刀刃202e以延伸至刀片長度方向的方式所設置之板狀的金屬製(例如超硬合金製)構件。在圖2中，係以刀片長度方向與圖式呈垂直方向之方式來顯示斷開板202。斷開板202係於一對受刃201之間隙d的正中間位置(自各個受刃201各分隔d/2的位置)的鉛直上方上，透過未圖示之升降機構以升降自如之方式設置。

更詳細而言，作為斷開板202，較佳係使用刀刃202e的角度(刀刃角)θ為5°至90°，且刀刃202e的尖端具有呈1μm至100μm之剖面曲率半徑R之曲面者。雖然具體的斷開條件可依據煅燒前母基板10的材質或厚度而決定，但至少在本實施態樣中，並未意圖使用刀刃202e會切入形成煅燒前母基板10的表層之樹脂層2的銳利的斷開板202。

煅燒前母基板10在進行斷開處理時，於張設在未圖示之切割環(dicing ring)的切割帶(dicing tape)DT上貼附一面的樹脂層2(圖2中為樹脂層2a)之表面的狀態下，換言之，使另一面的樹脂層2(圖2中為樹脂層2b)在最上層的狀態下，載置固定於形成上述的間隙d之一對的受刃201之上方。

更詳細而言，煅燒前母基板10係以使實際上作為分斷對象之一個的分斷預定位置P與斷開板202之刀刃202e位於同一個鉛直面(垂直於圖式之面)內的方式，載置固定於一對的受刃201之上方。

其次，在此態樣下決定位置時，斷開板202係如圖2中箭頭AR1所示， 使其朝向分斷預定位置P降下。更具體而言，使其朝向於與圖式呈垂直方向延伸之分斷預定位置P與樹脂層2b的表面之虛擬交叉線Pb的位置降下。

於此態樣中使之降下的斷開板202，最終在交叉線Pb的位置上與煅燒前母基板10(更具體而言是與樹脂層2b)抵接。圖3係顯示此抵接剛發生後的狀態之圖式。

斷開板202在與煅燒前母基板10(與樹脂層2b)抵接後，亦如圖3中箭頭AR2所示，進一步被降下。換言之，斷開板202以按壓煅燒前母基板10的方式進行下降。

如此一來，斷開板202按壓煅燒前母基板10之力與一對的受刃201分別從下方支撐煅燒前母基板10之力(垂直阻力)係作為剪力(shear force)，而作用於煅燒前母基板10上。在此情況下，當適當調整按壓斷開板202時的條件(例如距離(按壓量)、速度等)時，則如圖3所示，於分斷預定位置P中，與形成為下端部的樹脂層2a之表面的虛擬交叉線Pa的位置上，在水平方向上產生相反的向外之拉伸力(tensile force)f，且如箭頭AR3所示，裂縫CR以該交叉線Pa的位置作為起點於厚度方向進行伸展。亦即，裂縫CR依樹脂層2a→陶瓷成型層→樹脂層2b的順序進行延展，最後煅燒前母基板10於分斷預定位置P被分斷。圖4顯示裂縫CR橫跨整個分斷預定位置P而伸展之後的狀態，換言之，即顯示在分斷預定位置P進行分斷之後的狀態之圖式。

此外，如上述使一對的受刃201的間隙d小於分斷預定位置P之間距p，係具有使裂縫CR更容易伸展的功效。

藉由使透過如上述斷開處理所實行之分斷在所有的分斷預定位置P上進行，便可獲得多數個煅燒前片10B。接著，藉由將所獲得的煅燒前片10B依預定的煅燒條件進行煅燒，便可獲得積層陶瓷片10C。於煅燒前片10B的煅燒可適用習知的方法。再者，具體的煅燒條件係可對應煅燒前片10B之構成材料、所期望的積層陶瓷片10C之尺寸、煅燒收縮率等做適當的設定。

<實施態樣1之功效>

如上所述，於本實施態樣中，在分別獲得單元陶瓷基材1C之相對的兩個表面上積層有單元樹脂層2C的多數個積層陶瓷片10C之時，所採用的流程如下：先將煅燒前母基板10分斷成煅燒前片10B，再將此煅燒前片10B進行煅燒。在此將這流程稱為煅燒前分斷。

相對於此，將煅燒前母基板10進行煅燒後，透過如同本實施態樣的方式在斷開處理中進行分斷而予以片材化來獲得多數個積層陶瓷片10C的方法，在此稱為煅燒後分斷。在煅燒後分斷的情況下，於陶瓷成型層的煅燒體之硬脆的陶瓷煅燒層之上方具備有樹脂層的積層基板係作為分斷對象。

當比較兩者時明顯得知，將硬脆的煅燒體作為斷開對象時，其煅燒後分斷在進行斷開之時需要較大的力量。因此，在強度弱於此煅燒體的樹脂 層中，即使能夠使裂縫伸展，也難以使此裂縫伸展至煅燒體，更難以沿著分斷預定位置P使之伸展。特別像是在積層陶瓷片10C的厚度t與平面尺寸w滿足w≦3t的關係下，欲進行可獲得平面尺寸比其厚度小之積層陶瓷片10C的斷開之困難度更高。此外，雖然可考慮在進行斷開處理前先進行形成刻劃道的刻劃處理，但仍無法改變將硬脆的煅燒體進行斷開的必要性。根據情況的不同，也有無法在煅燒體部位形成刻劃道的情況。

再者，在因樹脂層與陶瓷煅燒體的煅燒收縮率的不同而在積層基板產生彎曲或歪斜的情況下，則難以適切地進行斷開處理或刻劃處理。

相對於此，於本實施態樣中所進行的煅燒前分斷之情況下，雖然樹脂層2與陶瓷成型體1是由不同的材料所構成，且其強度也不同，但由於陶瓷成型體1的強度比煅燒體弱，故較易進行斷開。特別是對於煅燒後的積層陶瓷片以滿足w≦3t的關係之方式所進行的斷開，亦透過將一對的受刃201的間隙d設定地比分斷預定位置P的間距p小而得以順利地完成。

想當然爾，由於煅燒前母基板10沒有因煅燒而產生的彎曲或歪斜，故亦未有該等所致使的不良。

此外，將煅燒前母基板10分斷所獲得之煅燒前片10B雖然會因煅燒而收縮，但只要以事前實驗等預先把握煅燒條件與煅燒前片10B的煅燒收縮率之關係，便可以獲得所需尺寸的將成為積層陶瓷片10C之煅燒前片10B之方式 將煅燒母基板10分斷，藉由在可實現此煅燒收縮率之煅燒條件下對煅燒前片10B進行煅燒，即可獲得該尺寸的多數個積層陶瓷片10C。

如上述說明，依據本實施態樣，藉由採用透過將煅燒前母基板進行斷開處理以分斷成多數個煅燒前片並煅燒此煅燒前片之流程，可適當地獲得於各自的單元陶瓷基材之對向的兩個表面上積層有單元樹脂層之多數個積層陶瓷片。特別是，藉由使在斷開時一對的受刃所形成之間隙的大小小於分斷預定位置之間距，即使是平面尺寸比厚度小的陶瓷片也可順利獲得。

<實施態樣2>

雖然在實施態樣1中對煅燒前母基板進行了斷開處理，但也可於煅燒前母基板之分斷預定位置事先形成切刻劃道。亦即，亦可藉由刻劃處理及其後進行之斷開處理來分斷煅燒前母基板10。圖5係顯示於實施態樣2中，對煅燒前母基板10進行刻劃處理的示意圖。又圖6係顯示此刻劃處理後的圖式。刻劃處理係可使用習知的刻劃裝置100來進行。

在實施態樣2中之刻劃裝置100主要具備可從下方支撐刻劃對象物使其保持水平之平台101，以及於外緣部具有刀刃102e之圓板狀構件的刻劃輪(scribing wheel)(切割刀輪(cutter wheel))102。刻劃輪102係於垂直面內以旋轉自如的形態保持於刻劃裝置100內。

更詳細而言，刻劃輪102為直徑2mm至3mm之圓板狀構件(刻劃工具 (scribing tool))，於外周表面具有剖視呈二等邊三角形之刀刃102e。又，至少刀刃102e是由鑽石所形成。再者，刀刃102e的角度(刀刃角)較佳為100°至150°。具體的刻劃條件只要依據煅燒前母基板10的材質或厚度(特別是樹脂層2的材質或厚度)進行設定即可。或是進一步地，亦可為沿著刀刃101e的圓周方向，以等間隔形成多數個微小的溝槽之形態。

煅燒前母基板10係以在一刻劃動作中實際作為刻劃對象之一個分斷預定位置P與刻劃輪102的旋轉面位於同一鉛直面(與圖式垂直的面)內的方式，被載置固定於平台101而定位。於圖5中係顯示將具備樹脂層2a的一側作為上表面(刻劃對象面)，將相反側作為平台101上的載置面之形態中，煅燒前母基板10載置固定於以及定位於平台101的情況。

當進行載置固定以及定位時，便如圖5中箭頭AR0所示，使刻劃輪102朝向作為分斷對象之一個分斷預定位置P(更詳細而言，是朝向與圖式垂直之方向的該分斷預定位置P的端部)降下，施加預定的荷重(稱為刻劃荷重)並使其抵接至煅燒前母基板10(更具體而言是抵接至樹脂層2a)。

當實現此抵接狀態時，使刻劃輪102沿著在樹脂層2a的表面上之分斷預定位置P之虛擬交叉線Pa壓接轉動。此可藉由透過例如未圖示之驅動機構使平台101針對刻劃輪102進行相對地水平移動而實現。如此一來，在樹脂層2a上經刻劃輪102壓接轉動之處，便會沿著交叉線Pa而形成刻劃道SL。此外，圖3及其後的圖式中，為求明瞭易懂，皆將刻劃道SL的剖面以V字形表 示，但實際的刻劃道SL之剖面形狀並非僅限於此V字形。又如圖6所示，於本實施態樣中，刻劃道SL只會形成於樹脂層2(2a)的範圍內，而未到達陶瓷成型體1者。

透過此樣態之刻劃道SL的形成，係以在煅燒前母基板10之一邊的主表面側(在圖5及圖6中為有樹脂層2a的那面)之全部的分斷預定位置P作為對象而進行。

完成刻劃處理的煅燒前母基板10係接著施行斷開處理。圖7係顯示進行斷開處理的示意圖。斷開處理係可使用與實施態樣1相同的斷開裝置200來進行。

煅燒前母基板10在進行斷開處理時，使刻劃處理中形成刻劃道側的樹脂層2(圖7中為樹脂層2a)之表面貼附於張設在未圖示之切割環的切割帶DT上的狀態下，換言之，係以使另一邊的樹脂層2(圖7中為樹脂層2b)作為最上層的設置方式，載置固定於形成有上述間隙d的一對的受刃201之上方。

更詳細而言，煅燒前母基板10係以實際作為分斷對象之一個的分斷預定位置P與斷開板202之刀刃202e位於同一鉛直面(與圖式垂直之面)內的方式而載置固定於一對的受刃201之上方。

接者，在此形態定位時，如圖7中箭頭AR1所示，斷開板202係朝向分 斷預定位置P降下。更具體而言，係朝向與圖式呈垂直的方向延伸之分斷預定位置P與樹脂層2b的表面之虛擬交叉線Pb的位置降下。

於此形態被降下的斷開板202係與實施態樣1相同地抵接至交叉線Pb的位置上之煅燒前母基板10(更具體而言係抵接至樹脂層2b)。圖8係顯示剛完成此抵接的狀態之圖式。

即便在本實施態樣中，斷開板202在抵接煅燒前母基板10(樹脂層2b)後，亦如同箭頭AR2所示地更被進一步降下。換言之，斷開板202係以按壓煅燒前母基板10的方式降下。

如此一來，便有斷開板202按壓煅燒前母基板10的力與一對的受刃201分別從下方支撐煅燒前母基板10的力(垂直阻力)作為剪力，而作用在煅燒前母基板10上。在此情況下，當適當調整按壓斷開板202時的條件(例如距離(按壓量)、速度等)時，便如圖8所示，在分斷預定位置P中，於成為下端部之刻劃道SL的形成位置上，產生相反於水平方向的向外之拉伸力f，並使裂縫CR以刻劃道SL作為起點而於厚度方向延展。亦即，裂縫CR係依照刻劃道SL(樹脂層2a)→陶瓷成型層→樹脂層2b的順序進行伸展，而最終與實施態樣1相同地使煅燒前母基板10在分斷預定位置P被分斷。

此外，如上述使一對的受刃201之間隙d小於分斷預定位置P之間距p，係具有使裂縫CR更容易伸展的功效。

藉由使透過如上述斷開處理所實行之分斷在所有的分斷預定位置P上進行，便可獲得多數個煅燒前片10B。接著，藉由將所獲得的煅燒前片10B依預定的煅燒條件進行煅燒，便可獲得積層陶瓷片10C。煅燒前片10B的煅燒可適用習知的方法。再者，具體的煅燒條件係可對應煅燒前片10B之構成材料、所期望的積層陶瓷片10C之尺寸、煅燒收縮率等做適當的設定。

<實施態樣2之功效>

如上所述，在實施態樣2中，藉由採用透過對煅燒前母基板進行刻劃處理與其後的斷開處理以分斷成多數個煅燒前片，並對此煅燒前片進行煅燒之流程，亦可適當地獲得於各自的單元陶瓷基材之對向的兩個表面上積層有單元樹脂層之多數個積層陶瓷片。

特別是藉由透過刻劃處理來事先形成沿著與煅燒前母基板的表面之分斷預定位置的虛擬交叉線之刻劃道，裂縫係在斷開處理中以刻劃道作為起點在厚度方向上伸展。因此，得以更確實地在分斷預定位置上分斷煅燒前母基板。更使分斷預定位置之裂縫之伸展變得容易。

<變形例>

雖然於上述實施態樣1及實施態樣2中，藉由對沿著所有的分斷預定位置所執行之分斷而獲得的煅燒前片進行煅燒，由此獲得陶瓷片，但也可為僅先進行沿著一邊的方向之分斷預定位置的分斷，且所獲得的煅燒前片完 成煅燒後，以獲得的煅燒體為對象，透過切割或雷射加工等習知的方法來進行沿著第2方向之分斷，藉此獲得期望的尺寸之陶瓷片的形態。

又雖然在實施態樣1及實施態樣2中，準備的是於板狀的陶瓷成型體之厚度方向上呈對向的兩個表面上設置有樹脂層之煅燒前母基板，但樹脂層亦可僅設置於煅燒前母基板之一邊的主表面上。更再者，針對單一個陶瓷成型體亦或是包括具有複數個性質的陶瓷成型體之積層體的煅燒前母基板，透過適用實施態樣1及實施態樣2中的分斷方法對所獲得之煅燒前片進行煅燒，亦得以順利地獲得陶瓷片。

【實施例】

實施例1為執行了透過斷開處理將煅燒前母基板10進行分斷，以獲得煅燒前片10B之實驗。

在此準備了平面尺寸為88mm×88mm之正方形、陶瓷成分為鐵氧磁體之厚度為0.59mm的板狀的陶瓷成型體1，並於其兩個主表面上設置有厚度0.04mm的樹脂層2者，以作為煅燒前母基板10。

分斷係使於正交的2個方向上之分斷預定位置的間距不同來進行。具體而言，將沿著第1方向所規定的分斷預定位置之間距(在第2方向上的間距)設定為1.514mm，且將沿著第2方向所規定的分斷預定位置之間距(在第1方向上的間距)設定為7.57mm。

又在斷開處理中，將斷開裝置200之受刃201的間隙d設定為1mm，並準備刀刃角θ為60°，且具有前端曲率半徑R為100μm之刀刃202e者來作為斷開板202，以100mm/s的速度降下此斷開板202，按壓量設定為0.2mm。

以目視及光學顯微鏡觀察所獲得之煅燒前片10B的分斷面，確認到不只是沿著間距大的第2方向之分斷，即使是沿著間距小的第1方向之分斷，皆可順利執行。

更進一步地，作為實施例2，係進行了透過刻劃處理及斷開處理來分斷煅燒前母基板10，以獲得煅燒前片10B之實驗。

關於煅燒前母基板10和分斷預定位置P，係使用了與上述實施例1相同的條件。刻劃處理的條件係藉由所使用之刻劃輪102的種類與按壓荷重的組合不同，而分成以下3種等級(level)。

條件1：直徑2mm、刀刃角100°、無溝槽部分(groove portion)、按壓荷重0.10MPa至0.3MPa；

條件2：直徑2mm、刀刃角150°、無溝槽部分、按壓荷重0.10MPa至0.3MPa；

條件3：直徑2mm、刀刃角100°、有溝槽部分、按壓荷重0.10MPa至0.2MPa。

刻劃速度係設定為100mm/s，切割器(cutter)Z(從基板表面開始計算之下降距離)係設定為0.1mm。

另外，於斷開處理中，係將斷開裝置200之受刃201的間隙d設定為1mm；作為斷開板202係準備了具有刀刃角θ為60°、前端曲率半徑R為100μm之刀刃202e者，以100mm/s的速度降下此斷開板202，且按壓量係設定為0.2mm。

以目視及光學顯微鏡觀察所獲得的煅燒前片10B之分斷面，可確認於條件1至條件3中之任一者中，不只是沿著間距大的第2方向之分斷，即使是沿著間距小的第1方向之分斷，皆可順利執行。再者，儘管將切割器Z的值設定地比樹脂層的厚度更大，亦確認刻劃道係僅形成於樹脂層。

1:陶瓷成型體

2、2a、2b:樹脂層

10:煅燒前母基板

200:斷開裝置

201:受刃

202:斷開板

202e:刀刃(斷開裝置)

AR1:箭頭

d:間隙

DT:切割帶

P:分斷預定位置

p:間距

Pb:虛擬交叉線

R:曲率半徑

θ:刀刃角

Claims (8)

1. 一種陶瓷片的製造方法，其具備：

   準備步驟，係用以準備板狀的陶瓷成型體之煅燒前母基板；

   分斷步驟，藉由沿著預先決定之複數個分斷預定位置，而將前述煅燒前母基板於厚度方向進行分斷，以獲得多數個煅燒前片；以及

   煅燒步驟，藉由對前述煅燒前片進行煅燒，以獲得前述陶瓷片；

   其中，在前述分斷步驟中，將所有前述複數個分斷預定位置作為下述一個的分斷預定位置而進行下述步驟：

   載置步驟，其在以較之相鄰的前述分斷預定位置之間隔還小的間隔而分隔的一對的受刃之上方，以於前述複數個分斷預定位置之中作為分斷的實行對象之一個的分斷預定位置距前述一對的受刃之兩邊呈等距離的方式，將前述煅燒前母基板水平地載置；以及

   斷開步驟，其由載置在前述受刃之前述煅燒前母基板的上表面側對前述一個的分斷預定位置抵接斷開板，藉由進一步按壓前述斷開板，而自前述煅燒前母基板的下表面側於前述一個的分斷預定位置上使裂縫被伸展，藉此在前述一個的分斷預定位置上對前述煅燒前母基板進行分斷。
2. 如請求項1所記載之陶瓷片的製造方法，其中：

   前述煅燒前母基板是在前述板狀的陶瓷成型體之厚度方向上，於呈對向的兩個表面之一表面或兩表面上設置有樹脂層者；

   在前述載置步驟中，以設置有前述樹脂層的表面作為下表面；

   在前述斷開步驟中，藉由按壓前述斷開板，而自前述煅燒前母基板的下 表面側之前述樹脂層於前述一個的分斷預定位置使裂縫被伸展。
3. 如請求項2所記載之陶瓷片的製造方法，其中：

   前述樹脂層的煅燒收縮率大於前述陶瓷成型體的煅燒收縮率。
4. 如請求項1所記載之陶瓷片的製造方法，其中：

   前述陶瓷片的厚度是前述陶瓷片之平面尺寸的3倍以下。
5. 如請求項1至4中任一項所記載之陶瓷片的製造方法，其進一步具備：

   刻劃步驟，其在前述分斷步驟之前，於前述煅燒前母基板的一邊主表面上，沿著預先決定之複數個分斷預定位置形成刻劃道；

   其中，在前述斷開步驟中，藉由按壓前述斷開板，而自位於前述煅燒前母基板的下表面側之前述刻劃道於前述一個的分斷預定位置使裂縫被伸展。
6. 一種陶瓷片製造用之煅燒前片的製造方法，為藉由煅燒以製造作為陶瓷片之煅燒前片的方法，其具備：

   準備步驟，係用以準備板狀的陶瓷成型體之煅燒前母基板；以及

   分斷步驟，藉由沿著預先決定之複數個分斷預定位置，而將前述煅燒前母基板於厚度方向進行分斷，以獲得多數個煅燒前片；

   其中，在前述分斷步驟中，將所有前述複數個分斷預定位置作為下述一個的分斷預定位置而進行下述步驟：

   載置步驟，其在以較之相鄰的前述分斷預定位置之間隔還小的間隔而分隔的一對的受刃之上方，以於前述複數個分斷預定位置之中作為分斷的實行對象之一個的分斷預定位置距前述一對的受刃之兩邊呈等距離的方式，將前述煅燒前母基板水平地載置；以及

   斷開步驟，其由載置在前述受刃之前述煅燒前母基板的上表面側對前述一個的分斷預定位置抵接斷開板，藉由進一步按壓前述斷開板，而自前述煅燒前母基板的下表面側於前述一個的分斷預定位置上使裂縫被伸展，藉此在前述一個的分斷預定位置上對前述煅燒前母基板進行分斷。
7. 如請求項6所記載之陶瓷片製造用之煅燒前片的製造方法，其中：

   前述煅燒前母基板係在前述板狀的陶瓷成型體之厚度方向上之呈對向的兩個表面之一表面或兩表面上設置有樹脂層；

   在前述載置步驟中，以設置有前述樹脂層的表面作為下表面；

   在前述斷開步驟中，藉由按壓前述斷開板，而自前述煅燒前母基板的下表面側之前述樹脂層於前述一個的分斷預定位置使裂縫被伸展。
8. 如請求項6或7所記載之陶瓷片製造用之煅燒前片的製造方法，其進一步具備：

   刻劃步驟，其在前述分斷步驟之前，於前述煅燒前母基板的一邊主表面上，沿著預先決定之複數個分斷預定位置形成刻劃道；

   其中，在前述斷開步驟中，藉由按壓前述斷開板，而自位於前述煅燒前母基板的下表面側之前述刻劃道於前述一個的分斷預定位置使裂縫被伸展。

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