KR20140040613A - 적층 세라믹 기판의 분단 방법 및 홈 가공용 툴 - Google Patents

적층 세라믹 기판의 분단 방법 및 홈 가공용 툴 Download PDF

Info

Publication number
KR20140040613A
KR20140040613A KR1020130050368A KR20130050368A KR20140040613A KR 20140040613 A KR20140040613 A KR 20140040613A KR 1020130050368 A KR1020130050368 A KR 1020130050368A KR 20130050368 A KR20130050368 A KR 20130050368A KR 20140040613 A KR20140040613 A KR 20140040613A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ceramic substrate
metal film
laminated
scribe
tool
Prior art date
Application number
KR1020130050368A
Other languages
English (en)
Inventor
마사카즈 다케다
켄지 무라카미
켄타 다무라
Original Assignee
미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2012212191A external-priority patent/JP6191108B2/ja
Priority claimed from JP2012212193A external-priority patent/JP6191109B2/ja
Application filed by 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20140040613A publication Critical patent/KR20140040613A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

(과제) 세라믹 기판에 금속막을 적층한 적층 세라믹 기판을 분단하는 것이다.
(해결 수단) 적층 세라믹 기판(10)의 금속막(12)에 패터닝 툴을 이용하여 스크라이브 예정 라인을 따라 홈 가공을 행한다. 그리고 세라믹 기판(11)의 면으로부터 또는 금속막(12)측의 홈(12a)으로부터, 스크라이브 장치에 의해 세라믹 기판(11)에 스크라이브 라인을 형성한다. 그리고 세라믹 기판(11)측의 면으로부터 스크라이브 라인을 따라 브레이크한다. 이렇게 함으로써, 적층 세라믹 기판(10)을 완전하게 분단할 수 있다.

Description

적층 세라믹 기판의 분단 방법 및 홈 가공용 툴{METHOD OF CUTTING LAYERED CERAMIC SUBSTRATE AND TOOL FOR FORMING GROOVE}
본 발명은 세라믹 기판에 금속막을 적층한 적층 세라믹 기판의 분단 방법 및 홈 가공용 툴에 관한 것이다.
종래 세라믹 기판에 금속막을 적층한 적층 세라믹 기판을 분단하는 경우에는, 다이싱 소(dicing saw) 등을 이용하여 분단하는 경우가 많았다. 또한 특허문헌 1에는 세라믹 기판을 스크라이브(scribe)한 후에 금속층을 접합하고, 에칭에 의해 스크라이브 라인의 금속층을 제거한 후 브레이크하는 세라믹 접합 기판의 제조 방법이 제안되고 있다.
일본공개특허공보 2009-252971호
전술한 특허문헌 1에서는 세라믹 기판에 금속 박막을 적층하기 전에 스크라이브할 필요가 있고, 이미 적층된 적층 세라믹 기판을 분단하는 것은 아니라는 문제점이 있었다.
또한 적층된 적층 세라믹 기판을 분단하기 위해, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이 세라믹 기판(101)에 금속막(102)을 적층한 적층 기판(100)을 스크라이브하여 브레이크하는 경우에 대해서 설명한다. 우선 도 1(b)에 나타내는 바와 같이 세라믹 기판(101)의 면에 스크라이빙 휠(103)로 스크라이브하고, 도 1(c)에 나타내는 바와 같이 세라믹 기판(101)측으로부터, 브레이크 바(104)로 압압하여 브레이크한다. 이 경우에는 세라믹 기판(101)은 분리할 수 있어도 금속막(102)은 분리되지 않기 때문에, 도 1(d)에 나타내는 바와 같이 브레이크를 시행해도 금속막(102)이 분리되지 않고 잔존해 버려, 완전한 분단을 할 수 없다는 문제점이 있었다.
또한 다른 방법으로서 도 2(a), 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 적층 세라믹 기판(100) 중, 금속막(102)의 면에 스크라이빙 휠(103)을 이용하여 스크라이브를 시행한다. 이어서 도 2(c)에 나타내는 바와 같이 브레이크 바(104)를 이용하여 적층 세라믹 기판을 분단하고자 해도, 금속막(102)에는 충분한 수직 크랙이 형성되어 있지 않고, 세라믹 기판(101)측에는 수직 크랙이 발생되어 있지 않다. 그 때문에 브레이크하는 것이 어렵고, 분리할 수 없거나, 도 2(d)에 나타내는 바와 같이 스크라이브 라인대로 분리되는 경우가 없다는 문제점이 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 세라믹 기판에 금속막을 적층한 적층 세라믹 기판을 완전하게 분단하여 개별화할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
이 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 적층 세라믹 기판의 분단 방법은, 세라믹 기판에 금속막이 적층된 적층 세라믹 기판의 분단 방법으로서, 상기 적층 세라믹 기판의 스크라이브 예정 라인을 따라 패터닝 툴로 금속막에 대하여 홈 가공을 행하고, 상기 금속막이 제거된 홈을 따라 상기 세라믹 기판의 면으로부터 스크라이브를 행하고, 상기 적층 세라믹 기판을 스크라이브 라인에 맞추어 브레이크하는 것이다.
이 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 적층 세라믹 기판의 분단 방법은, 세라믹 기판에 금속막이 적층된 적층 세라믹 기판의 분단 방법으로서, 상기 적층 세라믹 기판의 스크라이브 예정 라인을 따라 상기 세라믹 기판의 면으로부터 스크라이브를 행하고, 상기 세라믹 기판의 스크라이브 라인을 따라 상기 금속막의 면으로부터 금속막에 대하여 패터닝 툴로 홈 가공을 행하고, 상기 적층 세라믹 기판을 상기 스크라이브 라인에 맞추어 브레이크하는 것이다.
이 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 적층 세라믹 기판의 분단 방법은, 세라믹 기판에 금속막이 적층된 적층 세라믹 기판의 분단 방법으로서, 상기 세라믹 기판의 스크라이브 예정 라인을 따라 금속막에 대하여 패터닝 툴로 홈 가공을 행하고, 상기 금속막의 면으로부터 금속막이 제거된 홈을 따라 상기 세라믹 기판에 대하여 스크라이빙 휠을 전동(rotating)시켜 스크라이브를 행하고, 상기 적층 세라믹 기판의 스크라이브 라인에 맞추어 브레이크하는 것이다.
본 발명의 홈 가공용 툴은, 예를 들면, 상기와 같은 적층 세라믹 기판의 분단 방법에 사용할 수 있는 금속막 적층 세라믹 기판의 금속막의 일부를 제거하여 홈 가공을 행하기 위한 홈 가공용 툴로서, 날끝이 (a) 원추대 형상, (b) 각주(角柱) 형상 또는 (c) 각주 형상의 좌우를 절결한 형상 중 어느 것의 형상이다.
여기에서 상기 세라믹 기판의 스크라이브는, 스크라이빙 휠을 이용한 스크라이브로 해도 좋다.
이러한 특징을 갖는 본 발명에 의하면, 세라믹 기판에 금속막을 적층한 적층 세라믹 기판을 스크라이브 예정 라인을 따라 홈 가공을 행하고, 금속막을 띠 형상으로 제거한다. 그리고 세라믹 기판의 면으로부터 또는 제거한 금속막의 홈으로부터 세라믹 기판을 스크라이브하고, 그 후 적층 세라믹 기판을 반전시켜 브레이크하고 있다. 이 때문에 금속막의 박리를 회피할 수 있고, 소망하는 형상으로 완전하게 분단하여 개별화할 수 있으며, 단면(端面) 정밀도를 향상시킬 수 있다는 효과가 얻어진다.
도 1은 적층 세라믹 기판의 세라믹 기판측으로부터 스크라이브 및 브레이크하는 경우의 분단 처리를 나타내는 도면이다.
도 2는 적층 세라믹 기판의 금속막측으로부터 스크라이브하여 브레이크할 때의 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 적층 세라믹 기판의 분단 처리(홈 가공 및 스크라이브)를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 적층 세라믹 기판의 분단 처리(브레이크)를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 적층 세라믹 기판의 분단 처리(홈 가공 및 스크라이브)를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 적층 세라믹 기판의 분단 처리(브레이크)를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 실시 형태에서 이용하는 금속막의 홈 가공에 이용하는 패터닝 툴을 나타내는 도면이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
<제1 실시 형태>
도 3(a)는 세라믹 기판(11)에 금속막(12)을 시행한 분단의 대상이 되는 적층 세라믹 기판(이하, 단순히 적층 기판이라고 함)(10)을 나타내는 도면이다. 여기에서 세라믹 기판(11)은 LTCC 기판이라도 좋고, 알루미나나 질화 알루미늄, 티탄산 바륨, 질화 규소 등의 세라믹 기판이라도 좋다. 또한 금속막(12)은 니켈, 은, 금, 구리 및 백금 등의 박막이며, 예를 들면 막두께가 10∼20㎛로 한다. 이때 금속막(12)은 어떠한 패턴이 형성되어 있는 것이라도 좋다. 이러한 적층 기판(10)을 소정의 패턴으로 분단하는 경우에, 우선 도 3(b)에 나타내는 바와 같이 세라믹 기판으로부터의 스크라이브를 예정하는 라인을 따라, 금속막(12)을 패터닝 툴로 제거한다. 이 금속막의 제거는 예를 들면 태양 전지의 홈 가공 툴로서 이용되는 스크라이브 장치, 예를 들면 일본공개특허공보 2011－216646호의 스크라이브 장치를 이용하여 금속막(12)의 일부를 직선 형상으로 패터닝 툴(13)을 이용하여 제거한다. 이때의 단면도를 도 3(c)에 나타낸다. 이 홈(12a)의 폭은 예를 들면 25∼200㎛의 폭으로 한다. 이때의 패터닝 툴(13)은 도 7(a)에 나타내는 바와 같이 원추대 형상의 툴이라도 좋다. 또한 도 7(b)에 나타내는 바와 같이 날끝이 각주 형상의 툴이라도 좋고, 나아가서는 도 7(c)에 나타내는 바와 같이 각주 형상의 좌우를 절결한 형상의 것이라도 좋다. 또한 툴의 선단뿐만 아니라 전체도 각주 형상이라도 좋다.
그리고 홈이 형성된 적층 기판(10)을 도 3(d)와 같이 반전시켜 스크라이브 예정 라인을 따라 세라믹 기판(11)에 대하여 스크라이브를 행한다. 이 스크라이브는 도시하지 않는 스크라이브 장치에 의해 스크라이빙 휠(14)을 일정한 하중으로 압압하고 전동시켜 크랙을 수직으로 침투시키도록 스크라이브 라인 S1을 형성한다. 이 스크라이브에 이용하는 스크라이빙 휠은, 고(高)침투의 스크라이브가 가능한 것을 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들면 일본특허문헌 3074143호에 나타나 있는 바와 같이, 원주면에 소정 간격을 두고 다수의 홈을 형성하고, 그 사이를 돌기로서 고침투형으로 한 스크라이빙 휠이 제안되고 있다.
이어서 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 적층 기판(10)을 반전시켜, 브레이크 장치의 한 쌍의 지지 부재(15, 16)의 상면에 테이프(17)를 배치하고, 지지 부재(15, 16)의 중간에 스크라이브 라인이 위치하도록 적층 기판(10)을 배치한다. 그리고 그 상부로부터 스크라이브 라인 S1을 따라 브레이크 바(18)를 밀어내려 브레이크한다. 이렇게 하면 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 적층 기판을 스크라이브 라인을 따라 완전하게 분단할 수 있어, 단면 정밀도를 향상시킬 수 있다. 이 적층 세라믹 기판의 분단을 격자 형상으로 행함으로써 개별의 적층 기판 칩을 형성할 수 있다.
또한 이 실시 형태에서는, 도 3(d)의 공정에서 스크라이브 장치를 이용하여 스크라이빙 휠을 전동시켜 스크라이브를 실행하고 있지만, 레이저 스크라이브 장치에 의해 스크라이브를 행하도록 해도 좋다. 또한 도 4(a)의 공정에서 브레이크 장치를 이용하여 브레이크하고 있지만, 이것을 대신하여 분단하는 소편(小片)의 형상이 비교적 큰 경우에는, 작업자가 직접 손으로 분단하도록 해도 좋다. 이 경우에는 테이프(17)는 불필요해진다.
또한 이 실시 형태에서는, 도 3(b), 도 3(c)에 나타내는 바와 같이 금속막에 홈 가공을 행하고, 이어서 반전시켜 세라믹면에 대하여 스크라이브하도록 하고 있지만, 먼저 세라믹면을 스크라이브하고, 그 후 금속막에 홈 가공을 형성해도 좋다.
<제2 실시 형태>
도 5(a)는 세라믹 기판(11)에 금속막(12)을 시행한 분단의 대상이 되는 적층 세라믹 기판(이하, 단순히 적층 기판이라고 함)(10)을 나타내는 도면이다. 여기에서 세라믹 기판(11)은 LTCC 기판이라도 좋고, 알루미나나 질화 알루미늄, 티탄산 바륨, 질화 규소 등의 세라믹 기판이라도 좋다. 또한 금속막(12)은 니켈, 은, 금, 구리 및 백금 등의 박막이며, 예를 들면 막두께가 10∼20㎛로 한다. 이때 금속막(12)은 어떠한 패턴이 형성되어 있는 것이라도 좋다. 이러한 적층 기판(10)을 소정의 패턴으로 분단하는 경우에, 우선 도 5(b)에 나타내는 바와 같이 세라믹 기판(11)측으로부터의 스크라이브를 예정하는 라인을 따라, 일정한 폭으로 금속막(12)을 패터닝 툴로 제거한다. 이 금속막의 제거는 예를 들면 태양 전지의 홈 가공 툴로서 이용되는 스크라이브 장치, 예를 들면 일본공개특허공보 2011－216646호의 스크라이브 장치를 이용하여 금속막(12)의 일부를 직선 형상으로 패터닝 툴(13)을 이용하여 제거한다. 이때의 단면도를 도 5(c)에 나타낸다. 이 홈(12a)의 폭은 예를 들면 25∼200㎛의 폭으로 한다. 이때의 패터닝 툴(13)은 도 7(a)에 나타내는 바와 같이 원추대 형상의 툴이라도 좋다. 또한 도 7(b)에 나타내는 바와 같이 날끝이 각주 형상의 툴이라도 좋고, 나아가서는 도 7(c)에 나타내는 바와 같이 각주 형상의 좌우를 절결한 형상의 것이라도 좋다. 또한 툴의 선단뿐만 아니라 전체도 각주 형상이라도 좋다.
그리고 형성된 금속막(12)의 면으로부터 금속막을 제거한 띠 형상의 홈(12a)의 내측의 세라믹 기판(11)에 대하여 스크라이브를 행한다. 이 스크라이브는 도시하지 않는 스크라이브 장치에 의해 스크라이빙 휠(14)을 일정한 하중으로 압압하고 전동시켜 크랙을 수직으로 침투시키도록 스크라이브 라인 S1을 형성한다. 이 스크라이브에 이용하는 스크라이빙 휠은, 고침투의 스크라이브가 가능한 것을 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들면 일본특허문헌 3074143호에 나타나 있는 바와 같이, 원주면에 소정 간격을 두고 다수의 홈을 형성하고, 그 사이를 돌기로서 고침투형으로 한 스크라이빙 휠이 제안되고 있다.
이어서 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 적층 기판(10)을 반전시켜, 브레이크 장치의 한 쌍의 지지 부재(15, 16)의 상면에 테이프(17)를 배치하고, 지지 부재(15, 16)의 중간에 스크라이브 라인이 위치하도록 적층 기판(10)을 배치한다. 그리고 그 상부로부터 스크라이브 라인 S1을 따라 브레이크 바(18)를 밀어내려 브레이크한다. 이렇게 하면 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 적층 기판을 스크라이브 라인을 따라 완전하게 분단할 수 있어, 단면 정밀도를 향상시킬 수 있다. 이 적층 세라믹 기판의 분단을 격자 형상으로 행함으로써 개별의 적층 기판 칩을 형성할 수 있다.
이 실시 형태에서는, 도 5(b), 도 5(c)에 나타내는 바와 같이 금속막에 홈 가공을 행하고, 이어서 금속의 홈으로부터 세라믹면에 대하여 스크라이브하도록 하고 있기 때문에, 이 사이에서 적층 기판을 반전시킬 필요는 없으며, 작업 효율을 높일 수 있다.
또한 이 실시 형태에서는, 도 5(d)의 공정에서 스크라이브 장치를 이용하여 스크라이빙 휠을 전동시켜 스크라이브를 실행하고 있지만, 레이저 스크라이브 장치에 의해 스크라이브를 행하도록 해도 좋다. 또한 도 6(b)의 공정에서 브레이크 장치를 이용하여 브레이크하고 있지만, 이것을 대신하여 분단하는 소편의 형상이 비교적 큰 경우에는, 작업자가 직접 손으로 분단하도록 해도 좋다. 이 경우에는 테이프(17)는 불필요해진다.
본 발명은 세라믹 기판에 금속막을 적층한 적층 기판을 패터닝 툴과 스크라이브 장치를 이용하여 용이하게 분단할 수 있어, 미소한 적층 기판의 제조에 유효하다.
10 : 적층 세라믹 기판
11 : 세라믹 기판
12 : 금속막
12a : 홈
13, 14 : 스크라이빙 휠
15, 16 : 지지 부재
17 : 테이프
18 : 브레이크 바

Claims (5)

  1. 세라믹 기판에 금속막이 적층된 적층 세라믹 기판의 분단 방법으로서,
    상기 적층 세라믹 기판의 스크라이브 예정 라인을 따라 패터닝 툴로 금속막에 대하여 홈 가공을 행하고,
    상기 금속막이 제거된 홈을 따라 상기 세라믹 기판의 면으로부터 스크라이브를 행하고,
    상기 적층 세라믹 기판을 스크라이브 라인에 맞추어 브레이크하는 적층 세라믹 기판의 분단 방법.
  2. 세라믹 기판에 금속막이 적층된 적층 세라믹 기판의 분단 방법으로서,
    상기 적층 세라믹 기판의 스크라이브 예정 라인을 따라 상기 세라믹 기판의 면으로부터 스크라이브를 행하고,
    상기 세라믹 기판의 스크라이브 라인을 따라 상기 금속막의 면으로부터 금속막에 대하여 패터닝 툴로 홈 가공을 행하고,
    상기 적층 세라믹 기판을 상기 스크라이브 라인에 맞추어 브레이크하는 적층 세라믹 기판의 분단 방법.
  3. 세라믹 기판에 금속막이 적층된 적층 세라믹 기판의 분단 방법으로서,
    상기 세라믹 기판의 스크라이브 예정 라인을 따라 금속막에 대하여 패터닝 툴로 홈 가공을 행하고,
    상기 금속막의 면으로부터 금속막이 제거된 홈을 따라 상기 세라믹 기판에 대하여 스크라이빙 휠을 전동(rotating)시켜 스크라이브를 행하고,
    상기 적층 세라믹 기판의 스크라이브 라인에 맞추어 브레이크하는 적층 세라믹 기판의 분단 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세라믹 기판의 스크라이브는, 스크라이빙 휠을 이용한 스크라이브인 적층 세라믹 기판의 분단 방법.
  5. 금속막 적층 세라믹 기판의 금속막의 일부를 제거하여 홈 가공을 행하기 위한 홈 가공용 툴로서,
    날끝이 (a) 원추대 형상, (b) 각주 형상 또는 (c) 각주 형상의 좌우를 절결한 형상 중 어느 것의 형상인 적층 세라믹 기판의 홈 가공용 툴.
KR1020130050368A 2012-09-26 2013-05-06 적층 세라믹 기판의 분단 방법 및 홈 가공용 툴 KR20140040613A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012212191A JP6191108B2 (ja) 2012-09-26 2012-09-26 積層セラミックス基板の分断方法
JP2012212193A JP6191109B2 (ja) 2012-09-26 2012-09-26 積層セラミックス基板の分断方法
JPJP-P-2012-212193 2012-09-26
JPJP-P-2012-212191 2012-09-26

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180050610A Division KR101998653B1 (ko) 2012-09-26 2018-05-02 적층 세라믹 기판의 분단 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140040613A true KR20140040613A (ko) 2014-04-03

Family

ID=50318494

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130050368A KR20140040613A (ko) 2012-09-26 2013-05-06 적층 세라믹 기판의 분단 방법 및 홈 가공용 툴
KR1020180050610A KR101998653B1 (ko) 2012-09-26 2018-05-02 적층 세라믹 기판의 분단 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180050610A KR101998653B1 (ko) 2012-09-26 2018-05-02 적층 세라믹 기판의 분단 방법

Country Status (3)

Country Link
KR (2) KR20140040613A (ko)
CN (2) CN103681295A (ko)
TW (1) TWI589420B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160129722A (ko) * 2015-04-30 2016-11-09 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성 재료 기판의 분단 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016113309A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 三星ダイヤモンド工業株式会社 複合基板のスクライブ方法及びスクライブ装置
JP6561566B2 (ja) * 2015-04-30 2019-08-21 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合わせ基板の分割方法及び分割装置
JP6561565B2 (ja) * 2015-04-30 2019-08-21 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合わせ基板の分割方法及び分割装置
JP6589380B2 (ja) * 2015-05-29 2019-10-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法
JP6589381B2 (ja) * 2015-05-29 2019-10-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法
JP6648448B2 (ja) * 2015-08-17 2020-02-14 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6418605A (en) * 1987-07-15 1989-01-23 Matsushita Electric Works Ltd Dividing method for ceramic wiring base
JP2696964B2 (ja) * 1988-07-21 1998-01-14 松下電器産業株式会社 セラミック基板の分割方法
JPH11179694A (ja) * 1997-12-17 1999-07-06 Sharp Corp 基板の切断方法および切断装置
JPH11233459A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
DE10006447A1 (de) * 2000-02-14 2001-08-16 Epcos Ag Bauelement mit konstant verspannter Verklebung und Verfahren zur Verklebung
JP4885111B2 (ja) * 2001-11-08 2012-02-29 シャープ株式会社 液晶パネル及び液晶パネル製造装置
CN101042487A (zh) * 2001-11-08 2007-09-26 夏普株式会社 液晶板
JP4032857B2 (ja) * 2002-07-24 2008-01-16 ソニー株式会社 タッチパネル用のガラス基板、タッチパネル及び携帯端末
TW554815U (en) * 2002-08-28 2003-09-21 Usun Technology Co Ltd Laminated plastic film punching and cutting machine
JP3867230B2 (ja) * 2002-09-26 2007-01-10 本田技研工業株式会社 メカニカルスクライブ装置
US20060261117A1 (en) * 2003-03-17 2006-11-23 Josef Konrad Breaking device for separating ceramic printed circuit boards
US6949449B2 (en) * 2003-07-11 2005-09-27 Electro Scientific Industries, Inc. Method of forming a scribe line on a ceramic substrate
TWI300960B (en) * 2006-06-13 2008-09-11 Univ Nat Cheng Kung Method of cutting and machining a silicon wafer
KR101428823B1 (ko) * 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
EP2099267B1 (en) * 2006-11-30 2012-07-04 Tokuyama Corporation Method for manufacturing metallized ceramic substrate chip
JP2009244598A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sharp Corp 母基板の分断方法および液晶表示装置の製造方法並びに液晶表示装置
JP2009252971A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Dowa Metaltech Kk 金属セラミックス接合基板及びその製造方法及び金属セラミックス接合体
TWI424580B (zh) * 2009-02-24 2014-01-21 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd A trench processing tool, a trench processing method and a cutting device using a thin film solar cell
JP2009272647A (ja) * 2009-08-12 2009-11-19 Dowa Holdings Co Ltd 回路基板の製造方法
JP2011147054A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Seiko Epson Corp 電子装置、および、電子装置の製造方法
JP2011218607A (ja) * 2010-04-06 2011-11-04 Sharp Corp 基板分割装置および基板分割方法
JP5981094B2 (ja) * 2010-06-24 2016-08-31 東芝機械株式会社 ダイシング方法
TWI469842B (zh) * 2010-09-30 2015-01-21 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 雷射加工裝置、被加工物之加工方法及被加工物之分割方法
CN102097546B (zh) * 2010-11-25 2013-03-06 山东华光光电子有限公司 一种led芯片的切割方法
JP2016043505A (ja) * 2014-08-20 2016-04-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の分断方法及び分断装置
JP2016112714A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板の分断方法及び分断装置
JP6576735B2 (ja) * 2015-08-19 2019-09-18 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160129722A (ko) * 2015-04-30 2016-11-09 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성 재료 기판의 분단 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201412483A (zh) 2014-04-01
CN103681295A (zh) 2014-03-26
CN111916356A (zh) 2020-11-10
KR20180050626A (ko) 2018-05-15
KR101998653B1 (ko) 2019-07-10
TWI589420B (zh) 2017-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140040613A (ko) 적층 세라믹 기판의 분단 방법 및 홈 가공용 툴
KR101779053B1 (ko) 적층 세라믹 기판의 분단 방법
JP6243699B2 (ja) 脆性材料基板の分断装置
JP2017041525A (ja) ウエーハの分割方法
JP6191122B2 (ja) 積層セラミックス基板の分断方法
JP5657946B2 (ja) 分割方法
KR20160071312A (ko) 기판의 분단방법 및 분단장치
KR20150018359A (ko) 적층 세라믹스 기판의 분단 방법
JP6191109B2 (ja) 積層セラミックス基板の分断方法
JP6191108B2 (ja) 積層セラミックス基板の分断方法
JP6315882B2 (ja) 積層セラミックス基板の分断方法
JP7108429B2 (ja) 板状物の加工方法
JP6040705B2 (ja) 積層セラミックス基板の分断方法
TWI583522B (zh) Disassembly method of laminated ceramic substrate
JP6005571B2 (ja) 金属膜積層セラミックス基板溝加工用ツール
JP6316395B2 (ja) 積層セラミックス基板のスクライブ装置
JP6175156B2 (ja) 基板の分断装置
TWI684505B (zh) 複合基板之刻劃方法及刻劃裝置
KR20150018360A (ko) 적층 세라믹스 기판의 분단 방법
JP2015191999A (ja) シリコン基板の分断方法
JP2017001180A (ja) 脆性材料基板の表面層破断装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
AMND Amendment
A107 Divisional application of patent
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2018101001920; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20180502

Effective date: 20190620