JP6648448B2 - 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法 - Google Patents

脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法 Download PDF

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Description

本発明は、脆性材料基板を分断するための方法に関し、特に、脆性材料基板の分断に際して垂直クラックを形成する方法に関する。
フラットディスプレイパネルまたは太陽電池パネルなどの製造プロセスは一般に、ガラス基板、セラミックス基板、半導体基板などの脆性材料からなる基板(母基板)を分断する工程を含む。係る分断には、基板表面にダイヤモンドポイントやカッターホイールなどのスクライブツールを用いてスクライブラインを形成し、該スクライブラインから基板厚み方向にクラック(垂直クラック)を伸展させる、という手法が広く用いられている。スクライブラインを形成した場合、垂直クラックが厚さ方向に完全に伸展して基板が分断されることもあるが、垂直クラックが厚み方向に部分的にしか伸展しない場合もある。後者の場合、スクライブラインの形成後に、ブレイク工程と称される応力付与がなされる。ブレイク工程により垂直クラックを厚み方向に完全に進行させることで、スクライブラインに沿って基板が分断される。
このような、スクライブラインの形成によって垂直クラックを伸展させる手法として、アシストラインとも称される、垂直クラックの伸展にあたって起点(トリガー)となる線状の加工痕を形成する手法が、すでに公知である(例えば、特許文献1参照)。
特開2015−74145号公報
スクライブツールを用いたスクライブラインの形成に際し、基板材料の微細な切り屑や粉末であるカレットが発生し、基板表面に付着してしまうことがある。
例えば特許文献1に開示されているような、アシストラインを利用した手法の場合、分断用のスクライブラインを形成する際には、スクライブツールが基板に与える力は小さいためにカレットは生じにくいものの、アシストラインを形成する際にはカレットが発生する可能性がある。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、カレットの発生を従来よりも抑制しつつ垂直クラックを形成することができる方法を提供することを、目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、脆性材料基板を厚み方向に分断する際に分断位置において垂直クラックを形成する方法であって、前記脆性材料基板の一方主面にライン状の溝部であるトレンチラインを形成するトレンチライン形成工程と、前記脆性材料基板の前記トレンチラインの近傍を所定の押圧体によって局所的に押圧することによって圧痕を形成する圧痕形成工程と、を備え、前記トレンチライン形成工程においては、前記トレンチラインの直下においてクラックレス状態が維持されるように前記トレンチラインを形成し、前記圧痕形成工程における前記圧痕の形成に伴い前記圧痕から延在するマイクロクラックを前記トレンチラインの下方に到達させることにより、前記トレンチラインから前記厚み方向に前記垂直クラックを伸展させる、ことを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1に記載の脆性材料基板における垂直クラックの形成方法であって、前記所定の押圧体の先端部が錐状をなしており、前記圧痕形成工程においては、前記錐状の前記先端部によって前記脆性材料基板を押圧することにより前記圧痕を形成する、ことを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項2に記載の脆性材料基板における垂直クラックの形成方法であって、前記所定の押圧体の前記先端部が円錐状をなしている、ことを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の脆性材料基板における垂直クラックの形成方法であって、前記圧痕を、前記トレンチラインにおける前記垂直クラックの予定伸展方向逆側近傍に形成する、ことを特徴とする。
請求項5の発明は、脆性材料基板を厚み方向に分断する方法であって、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の垂直クラックの形成方法によって前記脆性材料基板に垂直クラックを形成する垂直クラック形成工程と、前記垂直クラックに沿って前記脆性材料基板をブレイクするブレイク工程と、を備えることを特徴とする。
請求項1ないし請求項5の発明によれば、脆性材料基板のあらかじめ定められた分断位置において確実にかつカレットを生じさせることなく垂直クラックを伸展させることができる。
トレンチラインTL形成後の様子を例示する脆性材料基板Wの上面図である。 トレンチラインTLの形成に用いるスクライブツール150の構成を概略的に示す図である。 トレンチラインTLの垂直断面を含むzx部分断面図である。 押圧体100を下降させる際の様子を模式的に示すzx部分断面図である。 押圧体100によって圧痕IDを形成している様子を模式的に示すzx部分断面図である。 ガラス基板に対し、先端部101が円錐状をなす押圧体100を用いて圧痕IDを形成した場合の、圧痕IDの近傍についての光学顕微鏡像である。 トレンチラインTLの近傍に圧痕IDを形成した場合の様子を模式的に示す図である。 あらかじめトレンチラインTLを形成してなるガラス基板に圧痕IDを形成した場合の、圧痕IDの近傍についての光学顕微鏡像である。 圧痕IDの形成により垂直クラックVCを伸展させる様子を示す、脆性材料基板Wの上面図である。 圧痕IDの形成により垂直クラックVCを伸展させる様子を示す、脆性材料基板Wの上面図である。 荷重と、形成された圧痕IDの直径との関係を示すグラフである。 荷重と、形成された最大クラック長さとの関係を示すグラフである。 先端部101が四角錐状をなしている押圧体100を用いて圧痕を形成し、トレンチラインTLの直下にて垂直クラックを伸展させた場合を示す光学顕微鏡像である。
以下に示す、本発明の実施の形態に係る方法は、脆性材料基板Wの所定位置(分断位置)に分断のための垂直クラックを形成するものである。概略的にいえば、当該方法は、分断位置に対する、トレンチラインと称される加工溝の形成と、これに続く、当該トレンチライン近傍における局所的な圧痕の形成とによって、トレンチラインから基板厚み方向へと垂直クラックを伸展させるものである。なお、本実施の形態において、トレンチラインとは、その直下が垂直クラックの形成位置となる微細なライン状の溝部(凹部)である。
以降においては、矩形状の脆性材料基板Wに対し一組の対辺に平行な複数の分断位置(分断線)があらかじめ設定されている場合を例として説明を行う。また、説明に用いる図には適宜、分断位置の配列方向をx軸正方向とし、トレンチラインTLの形成進行方向をy軸正方向とし、鉛直上方をz軸正方向とする右手系のxyz座標を付している。
<トレンチラインの形成>
図1は、トレンチラインTL形成後の様子を例示する脆性材料基板Wの上面図(xy平面図)である。図2は、トレンチラインTLの形成に用いるスクライブツール150の構成を概略的に示す図である。図3は、トレンチラインTLの垂直断面を含むzx部分断面図である。図1に示すトレンチラインTLの形成位置が、脆性材料基板Wをその一方主面(上面)SF1側から平面視した場合の分断位置に該当する。
本実施の形態においては、トレンチラインTLの形成に、ダイヤモンドポイント151を備えるスクライブツール150を用いる。ダイヤモンドポイント151は、例えば図2に示すように角錐台形状をなしており、天面SD1(第1の面)と、天面SD1を取り囲む複数の面とが設けられている。より詳細には、図2(b)に示すようにこれら複数の面は側面SD2(第2の面)および側面SD3(第3の面)を含んでいる。天面SD1、側面SD2およびSD3は、互いに異なる方向を向いており、かつ互いに隣り合っている。ダイヤモンドポイント151においては、側面SD2およびSD3からなる稜線PSと、天面SD1、側面SD2およびSD3の3つの面がなす頂点PPとによって刃先PSが形成されてなる。ダイヤモンドポイント151は、図2(a)に示すように棒状(柱状)をなすシャンク152の一方端部側に天面SD1が最下端部となる態様にて保持されてなる。
スクライブツール150を使用する場合においては、図2(a)に示すように、シャンク152の軸方向AX2を鉛直方向から移動方向DA前方(y軸正方向)に向けて所定の角度だけ傾斜させた状態で、つまりは天面SD1を移動方向DA後方(y軸負方向)に向けた姿勢にて、ダイヤモンドポイント151を脆性材料基板Wの上面SF1に当接させる。そして、係る当接状態を保ちつつスクライブツール150を移動方向DA前方に移動させることで、ダイヤモンドポイント151の刃先PF2を摺動させるようにする。これによって、ダイヤモンドポイント151の移動方向DAに沿った塑性変形が発生する。本実施の形態においては、係る塑性変形を発生させるダイヤモンドポイント151の摺動動作を、ダイヤモンドポイント151によるスクライブ動作とも称する。
図1および図3に示すように、トレンチラインTLは、脆性材料基板Wの上面SF1にy軸方向に延在する微細なライン状の溝部として形成される。トレンチラインTLは、スクライブツール150の姿勢を移動方向DAに対して対称とした状態で、ダイヤモンドポイント151を摺動させることで脆性材料基板Wの上面SF1において生じる塑性変形の結果として、形成される。係る場合、図3に模式的に示すように、トレンチラインTLは概ね、その延在方向に垂直な断面の形状が線対称な溝部として形成される。
トレンチラインTLは、図1に示すように、脆性材料基板Wの上面SF1に規定された分断位置において矢印AR1にて示すy軸正方向に、始点T1から終点T2まで形成される。以降においては、トレンチラインTLにおいて相対的に始点T1に近い範囲を上流側とも称し、相対的に終点T2に近い範囲を下流側とも称する。
なお、図1においては、トレンチラインTLの始点T1および終点T2が脆性材料基板Wの端部からわずかに離隔した位置とされているが、これは必須の態様ではなく、分断対象とされる脆性材料基板Wの種類や分断後の個片の用途等に応じて適宜に、いずれか一方もしくは両方が脆性材料基板Wの端部位置とされていてもよい。ただし、始点T1を脆性材料基板Wの端部とする態様は、図1に例示するように端部からわずかに離隔した位置を始点T1とする場合に比して、スクライブツール150の刃先PF2に加わる衝撃が大きくなるため、刃先PF2の寿命という点及び予期せぬ垂直クラックの発生が起こる点からは留意が必要である。
また、複数の分断位置のそれぞれにおけるトレンチラインTLの形成は、一のスクライブツール150を備える図示しない加工装置において当該スクライブツール150を用いて順次に形成する態様であってもよいし、複数のトレンチラインTL形成用の加工装置を用いて同時並行的に形成する態様であってもよい。
トレンチラインTLの形成に際しては、スクライブツール150が印加する荷重(スクライブツール150を鉛直上方から脆性材料基板Wの上面SF1に対し押し込む力に相当する)を、トレンチラインTLの形成は確実になされるものの、脆性材料基板Wの厚み方向DTにおいて該トレンチラインTLからの垂直クラックの伸展が生じないように設定する(図3)。
換言すれば、トレンチラインTLの形成は、トレンチラインTLの直下において脆性材料基板WがトレンチラインTLと交差する方向において連続的につながっている状態(クラックレス状態)が維持されるように行う。なお、係る対応にてトレンチラインTLが形成される場合、脆性材料基板WのトレンチラインTL近傍(トレンチラインTLからおおよそ5μm〜10μm程度以内の範囲)においては、塑性変形の結果として内部応力が残留する。
係るトレンチラインTLの形成は、例えば、スクライブツール150が印加する荷重を、同じスクライブツール150を用いて垂直クラックの伸展を伴うスクライブラインを形成する場合に比して、小さい値に設定することで、実現される。
クラックレス状態においては、トレンチラインTLは形成されていたとしても、該トレンチラインTLからの垂直クラックの伸展はないので、仮に脆性材料基板Wに対し曲げモーメントが作用したとしても、垂直クラックが形成されてなる場合に比して、トレンチラインTLに沿った分断は生じにくい。
<圧痕の形成と垂直クラックの伸展>
上述した態様にてトレンチラインTLを形成すると、これに引き続き、トレンチラインTLの近傍位置に局所的に圧痕を形成する。係る圧痕の形成は、脆性材料基板Wに比して十分な硬度を有する材料にて構成されてなる所定の押圧体を下降させて脆性材料基板Wの上面SF1を上方から押圧することによって行う。
図4は押圧体100を下降させる際の様子を模式的に示すzx部分断面図であり、図5は、押圧体100によって圧痕IDを形成している様子を模式的に示すzx部分断面図である。
脆性材料基板Wを水平に配置した状態で、図4に示すように、z軸負方向の最下端部に円錐状の先端部101を有する押圧体100を図示しない移動機構の動作によってz軸負方向へと下降させると、やがて先端部101が脆性材料基板Wの上面SF1に当接する。係る当接の後もさらに、図5において矢印AR3にて示すように押圧体100を下降させると、先端部101が脆性材料基板Wに押し込まれることによって脆性材料基板Wが塑性変形し、凹部つまりは圧痕IDが形成される。さらに、係る圧痕IDの周囲には、多数のマイクロクラックMCが形成される。脆性材料基板Wにおいては通常、マイクロクラックMCは、圧痕IDの外縁部の任意の位置を起点として、脆性材料基板Wの上面SF1に対し所定の深さをもって(つまりは上面SF1に対し垂直方向に)伸展する。図5においては、係るマイクロクラックMCを模式的に斜線部として示している。
係る場合において、圧痕IDの大きさおよびマイクロクラックMCの長さ(最大伸展長さ)は、押圧体100の形状および押圧体100に作用させる荷重に応じたものとなる。
押圧体100の材質は脆性材料基板Wの材質に応じて適宜に選定されてよいが、硬度が高くかつ汎用性および入手容易性を備えるという観点からは、ダイヤモンドにて構成されるのが好適である。
図6は、脆性材料基板Wの一種であるガラス基板に対し、先端部101が円錐状をなす押圧体100を用いて圧痕IDを形成した場合の、圧痕IDの近傍についての光学顕微鏡像である。ただし、トレンチラインTLは非形成である。図6においては、平面視で略円形状の圧痕IDが確認されるとともに、圧痕IDの外縁部から外側へと向けて、多数のマイクロクラックMCがランダムに延在することも確認される。
なお、図6においては一見、マイクロクラックMCは該ガラス基板の上面に沿って形成されるようであるが、図6において観察されるのは、ガラス基板の上面SF1に現れているマイクロクラックMCである。
図7は、トレンチラインTLの近傍に圧痕IDを形成した場合の様子を模式的に示す図である。また、図8は、あらかじめトレンチラインTLを形成してなる脆性材料基板Wの一種であるガラス基板に圧痕IDを形成した場合の、圧痕IDの近傍についての光学顕微鏡像である。
脆性材料基板Wを押圧体100にて局所的に押圧した場合、図6に例示したように、該圧痕IDの周囲には多数のマイクロクラックMCがランダムに形成される。これは、図7に示すように、押圧体100が押圧した箇所に圧痕IDが形成されることに加えて、該圧痕IDの周囲の所定範囲が、マイクロクラックMCが生じ得る領域であるマイクロクラック発生領域REとなることを意味する。ここで、マイクロクラック発生領域REは、圧痕IDの中心位置と、圧痕IDの形成に伴って発生する多数のマイクロクラックMCのうち平面視において最大長さのものが到達する位置との間を結ぶ線を半径とする円形の領域のうち、圧痕IDを除いた領域として観念することができる。
本実施の形態においては、トレンチラインTLの下方にまで延在することで平面視においてトレンチラインTLと重畳する態様にてマイクロクラックMCが発生するように、圧痕IDを形成する。これは、別の見方をすれば、上述した態様にてトレンチラインTLを形成した後、マイクロクラック発生領域REの一部領域がトレンチラインTLと重畳するように、圧痕IDを形成しているともいえる。図7においては、マイクロクラック発生領域REのうち、トレンチラインTLとの重畳領域RE1を、太破線にて囲んでいる。
なお、圧痕IDが平面視で半径rの円であり、マイクロクラック発生領域REがその外側に一定の幅で形成されるドーナツ型の領域であると仮定した場合、圧痕IDの半径rと、マイクロクラック発生領域REの最外側の半径Rと、圧痕IDの中心とトレンチラインTLとの距離dの間に、
r<d<R
なる関係が成り立つときに、マイクロクラック発生領域REの一部領域がトレンチラインTLと重畳するといえる。なお、前者については、圧痕IDとトレンチラインTLとの間隔gと、半径rと、距離dと、半径Rとの間に、
g=d−r<R−r
なる関係が成り立つともいえる。
マイクロクラック発生領域REとトレンチラインTLとが重畳するような条件で圧痕IDを形成した場合、重畳領域RE1に延在するマイクロクラックMCが、相当の確率で発生する。そのようなマイクロクラックMCがトレンチラインTL直下の残留内部応力の存在領域に到達すると、これが契機となって、トレンチラインTLの近傍における残留内部応力の解放が生じ、トレンチラインTLからの垂直クラックVCの伸展が生じる。これが、本実施の形態に係る手法による垂直クラックVCの伸展の詳細である。図8においては、一のマイクロクラックMCがトレンチラインTLの形成箇所(図中破線にて示す)に到達し、当該到達箇所から垂直クラックVCが進展する様子が観察される。
このように、マイクロクラック発生領域REがトレンチラインTLと重畳する態様にて、圧痕IDを形成することにより、トレンチラインTLから垂直クラックVCを伸展させることができる。
なお、図8においてはトレンチラインTLの左側に圧痕IDを形成した場合を例示しているが、圧痕IDの形成箇所はトレンチラインTLの右側であってもよい。
実際に圧痕IDの形成によって垂直クラックVCを伸展させようとする際には、トレンチラインTLと重畳するマイクロクラックMCが確実に発生するように、圧痕IDを形成すればよい。具体的には、そのようなマイクロクラックMCを発生させることができる、圧痕IDの形成位置(トレンチラインTLからの距離)や圧痕IDを形成する際に押圧体100に加える荷重といった条件を、脆性材料基板Wの材質や厚み等に応じてあらかじめ実験的に設定すればよい。
なお、圧痕IDとトレンチラインTLとが重畳するように圧痕IDを形成するのは好ましくない。これは、トレンチラインTLの形成によってすでに圧縮されてなる領域に圧痕IDを重畳的に形成したとしても、マイクロクラックMCが好適に発生しないためである。
図9および図10は、図1に示した、トレンチラインTLが形成されてなる脆性材料基板Wにおいて、圧痕IDの形成により垂直クラックVCを伸展させる様子を示す、脆性材料基板Wの上面図である。
図9において矢印AR4にて示すように、x軸方向に配列させたそれぞれのトレンチラインTLの下流側近傍において順次に圧痕IDを形成していくと、矢印AR5にて示すようにそれぞれのトレンチラインTLにおいて順次に、垂直クラックVCが、その予定伸展方向であるトレンチラインTLの上流側に向けて伸展する。最終的には、図10に示すように、全ての分断位置において、トレンチラインTLからの垂直クラックVCの伸展が生じる。すなわち、圧痕IDの形成が契機となって(圧痕IDから延在するマイクロクラックMCがトリガーとなって)、それまではトレンチラインTLが形成されているもののクラックレス状態であった脆性材料基板Wの各分断位置に、トレンチラインTLから延在する垂直クラックVCが形成される。
なお、垂直クラックVCの予定伸展方向が上述のように上流側へと向かう向きとなるのは、ダイヤモンドポイント151を備えるスクライブツール150を用いてトレンチラインTLを形成した場合、トレンチラインTLの直下に発生する垂直クラックVCは天面SD1側の存在する側に伸展するという性質を有するためである。すなわち、垂直クラックVCは、特定の一方向へと伸展するという性質を有する。トレンチラインTL上の上流側にダイヤモンドポイントの天面SD1が配置される態様にてトレンチラインTLを形成する本実施の形態においては、圧痕IDの形成時、トレンチラインTLの上流側においては垂直クラックVCは伸展するが、逆方向においては伸展しにくい。
そのため、図9に示す場合、圧痕IDは、トレンチラインTLにおける垂直クラックVCの予定伸展方向逆側近傍である、トレンチラインTLの下流側近傍に形成されてなる。
本実施の形態に係る手法にて垂直クラックVCを伸展させるようにした場合、トレンチラインTLを形成するための加工および圧痕IDを形成するための加工のいずれも、脆性材料基板Wに塑性変形を生じさせるのみであるので、それぞれの加工に際しカレットが生じる可能性は小さい。すなわち、本実施の形態に係る手法によれば、カレットレスにて垂直クラックVCを伸展させることが可能となる。
以上の態様にて分断位置に垂直クラックVCが形成された脆性材料基板Wは、図示しない所定のブレイク装置に与えられる。ブレイク装置においては、いわゆる3点曲げあるいは4点曲げの手法によって、脆性材料基板Wに曲げモーメントを作用させることで、垂直クラックVCを脆性材料基板Wの他方主面(下面)SF2(図2参照)にまで伸展させるブレイク工程が行われる。係るブレイク工程を経ることで、脆性材料基板Wは分断位置において分断される。
以上、説明したように、本実施の形態によれば、脆性材料基板の分断位置にトレンチラインを形成したうえで、該トレンチラインの近傍に局所的に圧痕を形成するようにし、その際には、圧痕から延在するマイクロクラックをトレンチラインの形成位置の下方へと到達させるようにすることで、脆性材料基板の分断位置にて確実に、かつ、カレットを生じさせることなく、垂直クラックVCを伸展させることができる。
<実施例>
(実施例1)
本実施例では、押圧体100に印加する荷重が、圧痕IDのサイズとマイクロクラックMCの最大長さ(以下、最大クラック長さ)に与える影響を確認した。
具体的には、脆性材料基板Wとして厚みが0.2mmのガラス基板を用意し、押圧体100としては、先端部101が円錐状をなしておりその開き角が122°で曲率半径が10μmであるダイヤモンドポイントを用い、押圧体100に印加する荷重を1.3N、2.5N、3.8N、5.0Nの4水準に違えて圧痕IDを形成した。
図11は、荷重と形成された圧痕IDの直径との関係を示すグラフであり、図12は、荷重と形成された最大クラック長さとの関係を示すグラフである。
図11および図12からは、荷重が大きくなるほど、圧痕IDのサイズと最大クラック長さの双方が大きくなる傾向があることが確認される。
(実施例2)
本実施例では、押圧体100に印加する荷重と、圧痕ID(より詳細にはその中心位置)とトレンチラインの距離とが垂直クラックVCの伸展に与える影響を調べた。押圧体100および脆性材料基板Wの条件は、実施例1と同じとした。
具体的には、押圧体100に印加する荷重を1.3N、2.5N、3.8N、5.0Nの4水準に違え、かつ、圧痕中心位置とトレンチラインの距離を0μm、±10μm、±20μm、±30μm、±40μmの9水準に違えることで、押圧体100に印加する荷重と、圧痕中心位置とトレンチラインの距離との組み合わせが全て異なる全36通りの条件を定めた。なお、圧痕中心位置とトレンチラインの距離が負となる場合とは、当該距離が正となる場合とトレンチラインTLに関して反対側に圧痕を形成した場合である。そして、それぞれの条件での圧痕IDの形成を、あらかじめスクライブツール150にて幅が約10μmのトレンチラインTLを形成してなる脆性材料基板Wに対し行った。
表1に、全36通りについての、トレンチラインTLからの垂直クラックVCの伸展の有無を示す。
表1においては、垂直クラックVCが伸展した条件の欄に「○」を付し、伸展しなかった条件の欄には「×」を付している。
表1に示す結果からは、トレンチラインTLの直上に圧痕IDを形成することになる、圧痕中心位置とトレンチラインの距離が0μmの場合には垂直クラックVCが伸展しないこと、および、圧痕中心位置とトレンチラインTLの距離が大きくなるほど、垂直クラックVCが伸展した荷重の値が大きくなることがわかる。
係る結果と、実施例1に示した結果とを鑑みれば、圧痕の形成位置と、圧痕を形成する際に押圧体に印加する荷重とを、適宜に設定することで、トレンチラインTLの形成に続き圧痕を形成することによってトレンチラインTLから垂直クラックVCを確実に伸展させることができるといえる。
<変形例>
上述の実施の形態においては、押圧体100の先端部101が円錐状である場合を対象として説明を行っているが、垂直クラックを伸展させるための圧痕形成に用いる押圧体100の先端部101の形状は、これに限られるものではない。図13は、先端部101が四角錐状をなしている押圧体100を用いて圧痕を形成し、トレンチラインTLの直下にて垂直クラックを伸展させた場合を示す光学顕微鏡像である。図13に示す結果は、押圧体100の先端部101の形状に応じた条件にて圧痕を形成することで、垂直クラックを伸展させることができることを示唆している。
さらには、圧痕の形成に伴って垂直クラックを形成できるのであれば、先端部101の形状は錐状でなくてもよく、例えば柱状であってもよい。
また、上述の実施の形態においては、スクライブツール150によるトレンチラインTLの形成を、シャンク152の軸方向AX2を移動方向DA前方に向けて傾斜させた状態で、つまりは天面SD1を移動方向DA後方に向けた姿勢にて、ダイヤモンドポイント151を摺動させることによって、行うようにしているが、これに代わり、シャンク152の軸方向AX2を移動方向DA後方に向けて傾斜させた状態で、つまりは天面SD1を移動方向DA前方に向けた姿勢にて、ダイヤモンドポイント151を摺動させることによって、トレンチラインTLを形成するようにしてもよい。
あるいはまた、上述の実施の形態においては、トレンチラインTLの形成に、ダイヤモンドポイント151を用いているが、これに代わり、円盤状(算盤珠状)をなしており、その外周に沿って一様に刃先を備える公知のスクライビングホイールを、分断位置において圧接転動させることによって、トレンチラインTLを形成する態様であってもよい。
ただし、これらの態様の場合、上述の実施の形態とは異なり、垂直クラックの予定伸展方向はトレンチラインTLの下流側となる。そのため、これらの態様においては、トレンチラインTLの上流側近傍に圧痕IDを形成することで、垂直クラックVCを伸展させることができる。
100 押圧体
101 先端部
150 スクライブツール
151 ダイヤモンドポイント
ID 圧痕
MC マイクロクラック
RE マイクロクラック発生領域
RE1 (マイクロクラック発生領域とトレンチラインの)重畳領域
TL トレンチライン
VC 垂直クラック
W 脆性材料基板

Claims (5)

  1. 脆性材料基板を厚み方向に分断する際に分断位置において垂直クラックを形成する方法であって、
    前記脆性材料基板の一方主面にライン状の溝部であるトレンチラインを形成するトレンチライン形成工程と、
    前記脆性材料基板の前記トレンチラインの近傍を所定の押圧体によって局所的に押圧することによって圧痕を形成する圧痕形成工程と、
    を備え、
    前記トレンチライン形成工程においては、前記トレンチラインの直下においてクラックレス状態が維持されるように前記トレンチラインを形成し、
    前記圧痕形成工程における前記圧痕の形成に伴い前記圧痕から延在するマイクロクラックを前記トレンチラインの下方に到達させることにより、前記トレンチラインから前記厚み方向に前記垂直クラックを伸展させる、
    ことを特徴とする、脆性材料基板における垂直クラックの形成方法。
  2. 請求項1に記載の脆性材料基板における垂直クラックの形成方法であって、
    前記所定の押圧体の先端部が錐状をなしており、
    前記圧痕形成工程においては、前記錐状の前記先端部によって前記脆性材料基板を押圧することにより前記圧痕を形成する、
    ことを特徴とする、脆性材料基板における垂直クラックの形成方法。
  3. 請求項2に記載の脆性材料基板における垂直クラックの形成方法であって、
    前記所定の押圧体の前記先端部が円錐状をなしている、
    ことを特徴とする、脆性材料基板における垂直クラックの形成方法。
  4. 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の脆性材料基板における垂直クラックの形成方法であって、
    前記圧痕を、前記トレンチラインにおける前記垂直クラックの予定伸展方向逆側近傍に形成する、
    ことを特徴とする、脆性材料基板における垂直クラックの形成方法。
  5. 脆性材料基板を厚み方向に分断する方法であって、
    請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の垂直クラックの形成方法によって前記脆性材料基板に垂直クラックを形成する垂直クラック形成工程と、
    前記垂直クラックに沿って前記脆性材料基板をブレイクするブレイク工程と、
    を備えることを特徴とする、脆性材料基板の分断方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3136890A1 (fr) * 2022-06-15 2023-12-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Correction d’angle de clivage de plaques de silicium pour cellules solaires

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4140820A (en) * 1975-04-09 1979-02-20 Ppg Industries, Inc. Method of maintaining edge strength of a piece of glass
JPH11195624A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Hitachi Cable Ltd レーザ照射による絶縁膜付き半導体基板の製造方法
JP4203177B2 (ja) * 1999-03-18 2008-12-24 株式会社ベルデックス スクライブ方法および装置
JP2002316829A (ja) * 2001-04-17 2002-10-31 Seiko Epson Corp ガラス基板の切断方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器、およびスクライブ溝形成装置
JP4086796B2 (ja) * 2004-02-19 2008-05-14 キヤノン株式会社 基板割断方法
JP5450964B2 (ja) * 2008-02-29 2014-03-26 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ装置及びスクライブ方法
JP5067457B2 (ja) * 2010-07-29 2012-11-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライビングホイール、スクライブ装置、およびスクライブ方法
TWI498293B (zh) * 2011-05-31 2015-09-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 劃線方法、鑽石尖、劃線裝置
JP5409726B2 (ja) * 2011-08-30 2014-02-05 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライビングホイール
KR20150014458A (ko) * 2012-04-24 2015-02-06 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 다이싱 블레이드
TWI589420B (zh) * 2012-09-26 2017-07-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Metal multilayer ceramic substrate breaking method and trench processing tools
JP6201608B2 (ja) * 2013-10-08 2017-09-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3136890A1 (fr) * 2022-06-15 2023-12-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Correction d’angle de clivage de plaques de silicium pour cellules solaires

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