KR20170021195A - 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법 및 취성 재료 기판의 분단 방법 - Google Patents

취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법 및 취성 재료 기판의 분단 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170021195A
KR20170021195A KR1020160083012A KR20160083012A KR20170021195A KR 20170021195 A KR20170021195 A KR 20170021195A KR 1020160083012 A KR1020160083012 A KR 1020160083012A KR 20160083012 A KR20160083012 A KR 20160083012A KR 20170021195 A KR20170021195 A KR 20170021195A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
brittle material
material substrate
trench line
indentation
forming
Prior art date
Application number
KR1020160083012A
Other languages
English (en)
Inventor
유마 이와츠보
히로시 소야마
Original Assignee
미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20170021195A publication Critical patent/KR20170021195A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76205—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO in a region being recessed from the surface, e.g. in a recess, groove, tub or trench region
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/22—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising
    • B28D1/222—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising by pressing, e.g. presses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/22—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising
    • B28D1/225—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising for scoring or breaking, e.g. tiles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/32—Methods and apparatus specially adapted for working materials which can easily be split, e.g. mica, slate, schist
    • B28D1/327—Methods and apparatus specially adapted for working materials which can easily be split, e.g. mica, slate, schist for cutting or shearing easily splittable working materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
    • H01L21/76232—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials of trenches having a shape other than rectangular or V-shape, e.g. rounded corners, oblique or rounded trench walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76816—Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Abstract

[과제] 취성 재료 기판에 컬릿 없이 수직 크랙을 형성할 수 있는 방법을 제공한다.
[해결 수단] 취성 재료 기판에의 수직 크랙의 형성 방법이, 한쪽 주면에 라인 형상의 홈부인 트렌치 라인을 형성하는 트렌치 라인 형성 공정과, 트렌치 라인의 근방을 소정의 압압체에 의해서 국소적으로 압압함으로써 압흔을 형성하는 압흔 형성 공정을 구비하고, 트렌치 라인 형성 공정에 있어서는, 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 크랙 없는 상태가 유지되도록 트렌치 라인을 형성하고, 압흔 형성 공정에 있어서의 압흔의 형성에 따라서 트렌치 라인으로부터 취성 재료 기판의 두께 방향으로 수직 크랙을 신전시키도록 하였다.

Description

취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법 및 취성 재료 기판의 분단 방법{METHOD FOR FORMING VERTICAL CRACK IN BRITTLE MATERIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR DIVIDING BRITTLE MATERIAL SUBSTRATE}
본 발명은, 취성 재료 기판을 분단시키기 위한 방법에 관한 것으로, 특히, 취성 재료 기판의 분단 시 수직 크랙을 형성하는 방법에 관한 것이다.
플랫 디스플레이 패널 또는 태양 전지 패널 등의 제조 프로세스는 일반적으로, 유리 기판, 세라믹스 기판, 반도체 기판 등의 취성 재료로 이루어진 기판(마더 기판)을 분단시키는 공정을 포함한다. 이러한 분단에는, 기판 표면에 다이아몬드 포인트나 커터 휠 등의 스크라이브 툴(scribe tool)을 이용해서 스크라이브 라인을 형성하고, 해당 스크라이브 라인으로부터 기판 두께 방향으로 크랙(수직 크랙)을 신전(伸展)시키는 수법이 널리 이용되고 있다. 스크라이브 라인을 형성했을 경우, 수직 크랙이 두께 방향으로 완전히 신전되어 기판이 분단되는 일도 있지만, 수직 크랙이 두께 방향으로 부분적으로밖에 신전되지 않을 경우도 있다. 후자의 경우, 스크라이브 라인의 형성 후에, 브레이크 공정이라고 지칭되는 응력 부여가 이루어진다. 브레이크 공정에 의해 수직 크랙을 두께 방향으로 완전히 진행시킴으로써, 스크라이브 라인을 따라서 기판이 분단된다.
이러한, 스크라이브 라인의 형성에 의해 수직 크랙을 신전시키는 수법으로서, 보조 라인이라고도 불리는, 수직 크랙의 신전에 따라서 기점(트리거)이 되는 선 형상의 가공 흔적을 형성하는 수법이, 이미 공지이다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
JP 2015-74145 A
스크라이브 툴을 이용한 스크라이브 라인의 형성 시, 기판 재료의 미세한 가루나 분말인 컬릿(cullet)이 발생하여, 기판 표면에 부착되어 버리는 일이 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같은, 보조 라인을 이용한 수법의 경우, 분단용의 스크라이브 라인을 형성할 때에는, 스크라이브 툴이 기판에 부여하는 힘은 작기 때문에 컬릿은 발생하기 어렵지만, 보조 라인을 형성할 때에는 컬릿이 발생할 가능성이 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 컬릿의 발생을 종래보다도 억제하면서 수직 크랙을 형성할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 제1 양상의 발명은, 취성 재료 기판을 두께 방향으로 분단할 때에 분단 위치에 있어서 수직 크랙을 형성하는 방법으로서, 상기 취성 재료 기판의 한쪽 주면에 라인 형상의 홈부인 트렌치 라인을 형성하는 트렌치 라인 형성 공정과, 상기 취성 재료 기판의 상기 트렌치 라인의 근방을 소정의 압압체에 의해서 국소적으로 압압함으로써 압흔을 형성하는 압흔 형성 공정을 포함하되, 상기 트렌치 라인 형성 공정에 있어서는, 상기 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 크랙 없는 상태가 유지되도록 상기 트렌치 라인을 형성하고, 상기 압흔 형성 공정에 있어서의 상기 압흔의 형성에 따라 상기 압흔으로부터 연장되는 마이크로크랙을 상기 트렌치 라인의 아래쪽으로 도달시킴으로써, 상기 트렌치 라인으로부터 상기 두께 방향으로 상기 수직 크랙을 신전시키는 것을 특징으로 한다.
제2 양상의 발명은, 제1 양상에 기재된 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법으로서, 상기 소정의 압압체의 선단부가 추(錐) 형상을 이루고 있고, 상기 압흔 형성 공정에 있어서는, 상기 추 형상의 상기 선단부에 의해 상기 취성 재료 기판을 압압함으로써 상기 압흔을 형성하는 것을 특징으로 한다.
제3 양상의 발명은, 제2 양상에 기재된 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법으로서, 상기 소정의 압압체의 상기 선단부가 원뿔 형상을 이루고 있는 것을 특징으로 한다.
제4 양상의 발명은, 제1 내지 제3 양상 중 어느 하나에 기재된 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법으로서, 상기 압흔을, 상기 트렌치 라인에 있어서의 상기 수직 크랙의 예정 신전 방향 반대쪽 근방에 형성하는 것을 특징으로 한다.
제5 양상의 발명은, 취성 재료 기판을 두께 방향으로 분단시키는 방법으로서, 제1 내지 제4 양상 중 어느 하나에 기재된 수직 크랙의 형성 방법에 의해서 상기 취성 재료 기판에 수직 크랙을 형성하는 수직 크랙 형성 공정과, 상기 수직 크랙을 따라서 상기 취성 재료 기판을 브레이크시키는 브레이크 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
제1 양상 내지 제5 양상의 발명에 따르면, 취성 재료 기판의 미리 정해진 분단 위치에 있어서 확실하게 그리고 컬릿을 발생시키는 일 없이 수직 크랙을 신전시킬 수 있다.
도 1은 트렌치 라인(TL) 형성 후의 상태를 예시하는 취성 재료 기판(W)의 평면도;
도 2는 트렌치 라인(TL)의 형성에 이용하는 스크라이브 툴(150)의 구성을 개략적으로 나타낸 도면;
도 3은 트렌치 라인(TL)의 수직단면을 포함하는 zx 부분 단면도;
도 4는 압압체(100)를 하강시킬 때의 상태를 모식적으로 나타낸 zx 부분 단면도;
도 5는 압압체(100)에 의해서 압흔(ID)을 형성하고 있는 상태를 모식적으로 나타낸 zx 부분 단면도;
도 6은 유리 기판에 대해서, 선단부(101)가 원뿔 형상을 이루는 압압체(100)를 이용해서 압흔(ID)을 형성한 경우의, 압흔(ID)의 근방에 관한 광학현미경 화상;
도 7은 트렌치 라인(TL)의 근방에 압흔(ID)을 형성한 경우의 상태를 모식적으로 나타낸 도면;
도 8은 미리 트렌치 라인(TL)을 형성해서 이루어진 유리 기판에 압흔(ID)을 형성한 경우의, 압흔(ID)의 근방에 관한 광학현미경 화상;
도 9는 압흔(ID)의 형성에 의해 수직 크랙(VC)을 신전시키는 상태를 나타내는, 취성 재료 기판(W)의 평면도;
도 10은 압흔(ID)의 형성에 의해 수직 크랙(VC)을 신전시키는 상태를 나타내는, 취성 재료 기판(W)의 평면도;
도 11은 하중과 형성된 압흔(ID)의 직경의 관계를 나타낸 그래프;
도 12는 하중과 형성된 최대 크랙 길이의 관계를 나타낸 그래프;
도 13은 선단부(101)가 사각뿔 형상을 이루고 있는 압압체(100)를 이용해서 압흔을 형성하고, 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에서 수직 크랙을 신전시켰을 경우를 나타낸 광학현미경 화상.
이하에 나타낸 본 발명의 실시형태에 따른 방법은, 취성 재료 기판(W)의 소정 위치(분단 위치)에 분단을 위한 수직 크랙을 형성하는 것이다. 개략적으로 말하면, 해당 방법은, 분단 위치에 대한, 트렌치 라인이라고 지칭되는 가공 홈의 형성과, 이것에 이어지는, 해당 트렌치 라인 근방에 있어서의 국소적인 압흔의 형성에 의해서, 트렌치 라인으로부터 기판 두께 방향으로 수직 크랙을 신전시키는 것이다. 또, 본 실시형태에 있어서, 트렌치 라인이란, 그 바로 아래가 수직 크랙의 형성 위치가 되는 미세한 라인 형상의 홈부(오목부)이다.
이후에 있어서는, 직사각 형상의 취성 재료 기판(W)에 대해서 1조의 대변에 평행한 복수의 분단 위치(분단선)가 미리 설정되어 있을 경우를 예로 해서 설명을 행한다. 또한, 설명에 이용하는 도면에는 적절하게 분단 위치의 배열 방향을 x축 정방향으로 하고, 트렌치 라인(TL)의 형성 진행 방향을 y축 정방향으로 하며, 연직 위쪽을 z축 정방향으로 하는 오른손계의 xyｚ 좌표를 부여하고 있다.
<트렌치 라인의 형성>
도 1은 트렌치 라인(TL) 형성 후의 상태를 예시하는 취성 재료 기판(W)의 평면도(xy 평면도)이다. 도 2는 트렌치 라인(TL)의 형성에 이용하는 스크라이브 툴(150)의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 3은 트렌치 라인(TL)의 수직단면을 포함하는 zx 부분 단면도이다. 도 1에 나타낸 트렌치 라인(TL)의 형성 위치가, 취성 재료 기판(W)을 그 한쪽 주면(상부면)(SF1)쪽에서 평면에서 보았을 경우의 분단 위치에 해당한다.
본 실시형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)의 형성에, 다이아몬드 포인트(151)를 구비하는 스크라이브 툴(150)을 이용한다. 다이아몬드 포인트(151)는, 예를 들어, 도 2에 나타낸 바와 같이 각뿔사다리꼴 형상을 이루고 있고, 천장면(SD1)(제1 면)과, 천장면(SD1)을 둘러싸는 복수의 면이 형성되어 있다. 보다 상세하게는, 도 2(b)에 나타낸 바와 같이 이들 복수의 면은 측면(SD2)(제2 면) 및 측면(SD3)(제3 면)을 포함하고 있다. 천장면(SD1), 측면(SD2 및 SD3)은, 서로 다른 방향을 향하고 있고, 또한 서로 이웃하고 있다. 다이아몬드 포인트(151)에 있어서는, 측면(SD2 및 SD3)으로 이루어진 능선(PS)과, 천장면(SD1), 측면(SD2 및 SD3)의 3개의 면이 이루는 정점(PP)에 의해서 날끝(PS)이 형성되어 있다. 다이아몬드 포인트(151)는, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이 봉 형상(기둥 형상)을 이루는 자루 부분(shank)(152)의 한쪽 단부 쪽에 천장면(SD1)이 최하단부가 되는 상태에서 보유되어 있다.
스크라이브 툴(150)을 사용할 경우에 있어서는, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 자루 부분(152)의 축 방향(AX2)을 연직 방향으로부터 이동 방향(DA) 전방(y축 정방향)을 향해서 소정의 각도만큼 경사지게 한 상태에서, 결국은 천장면(SD1)을 이동 방향(DA) 후방(y축 부방향)을 향하게 한 자세에서, 다이아몬드 포인트(151)를 취성 재료 기판(W)의 상부면(SF1)에 맞닿게 한다. 그리고, 이러한 맞닿은 상태를 유지하면서 스크라이브 툴(150)을 이동 방향(DA) 전방으로 이동시킴으로써, 다이아몬드 포인트(151)의 날끝(PF2)을 슬라이딩시키도록 한다. 이것에 의해, 다이아몬드 포인트(151)의 이동 방향(DA)을 따른 소성변형이 발생한다. 본 실시형태에 있어서는, 이러한 소성변형을 발생시키는 다이아몬드 포인트(151)의 슬라이딩 동작을, 다이아몬드 포인트(151)에 의한 스크라이브 동작이라고도 칭한다.
도 1 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 트렌치 라인(TL)은, 취성 재료 기판(W)의 상부면(SF1)에 y축 방향으로 연장되는 미세한 라인 형상의 홈부로서 형성된다. 트렌치 라인(TL)은, 스크라이브 툴(150)의 자세를 이동 방향(DA)에 대해서 대칭으로 한 상태에서, 다이아몬드 포인트(151)를 슬라이딩시킴으로써 취성 재료 기판(W)의 상부면(SF1)에 있어서 생기는 소성변형의 결과로서, 형성된다. 이러한 경우, 도 3에 모식적으로 나타낸 바와 같이, 트렌치 라인(TL)은 대략 그 연장 방향에 수직인 단면의 형상이 선대칭인 홈부로서 형성된다.
트렌치 라인(TL)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 취성 재료 기판(W)의 상부면(SF1)에 규정된 분단 위치에 있어서 화살표(AR1)로 표시한 ｙ축 정방향으로, 시점(T1)으로부터 종점(T2)까지 형성된다. 이후에 있어서는, 트렌치 라인(TL)에 있어서 상대적으로 시점(T1)에 가까운 범위를 상류 측이라고도 칭하고, 상대적으로 종점(T2)에 가까운 범위를 하류 측이라고도 칭한다.
또, 도 1에 있어서는, 트렌치 라인(TL)의 시점(T1) 및 종점(T2)이 취성 재료 기판(W)의 단부로부터 약간 이격된 위치로 되어 있지만, 이것은 필수적인 양상이 아니고, 분단 대상으로 되는 취성 재료 기판(W)의 종류나 분단 후의 개편의 용도 등에 따라서 적절하게, 어느 쪽인가 한쪽 혹은 양쪽이 취성 재료 기판(W)의 단부 위치로 되어 있어도 된다. 단, 시점(T1)을 취성 재료 기판(W)의 단부로 하는 양상은, 도 1에 예시한 바와 같이 단부에서부터 약간 격리된 위치를 시점(T1)으로 할 경우에 비해서, 스크라이브 툴(150)의 날끝(PF2)에 가해지는 충격이 커지므로, 날끝(PF2)의 수명이라고 하는 점 및 예기치 않은 수직 크랙의 발생이 일어나는 점에서는 유의할 필요가 있다.
또한, 복수의 분단 위치의 각각에 있어서의 트렌치 라인(TL)의 형성은, 하나의 스크라이브 툴(150)을 구비하는 도시하지 않은 가공 장치에 있어서 해당 스크라이브 툴(150)을 이용해서 순차로 형성하는 양상이어도 되고, 복수의 트렌치 라인(TL)형성용의 가공 장치를 이용해서 동시 병행적으로 형성하는 양상이어도 된다.
트렌치 라인(TL)의 형성 시에는, 스크라이브 툴(150)이 인가하는 하중(스크라이브 툴(150)을 연직 위쪽에서부터 취성 재료 기판(W)의 상부면(SF1)에 대해서 압입하는 힘에 상당함)을, 트렌치 라인(TL)의 형성은 확실하게 이루어지지만, 취성 재료 기판(W)의 두께 방향(DT)에 있어서 해당 트렌치 라인(TL)으로부터의 수직 크랙의 신전이 일어나지 않도록 설정한다(도 3).
환언하면, 트렌치 라인(TL)의 형성은, 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 있어서 취성 재료 기판(W)이 트렌치 라인(TL)과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되는 상태(크랙 없는 상태)가 유지되도록 행한다. 또, 이러한 대응에서 트렌치 라인(TL)이 형성될 경우, 취성 재료 기판(W)의 트렌치 라인(TL) 근방(트렌치 라인(TL)으로부터 대체로 5㎛ 내지 10㎛ 정도 이내의 범위)에 있어서는, 소성변형의 결과로서 내부 응력이 잔류한다.
이러한 트렌치 라인(TL)의 형성은, 예를 들면, 스크라이브 툴(150)이 인가하는 하중을, 같은 스크라이브 툴(150)을 이용해서 수직 크랙의 신전을 수반하는 스크라이브 라인을 형성할 경우에 비해서, 작은 값으로 설정함으로써, 실현된다.
크랙 없는 상태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)은 형성되어 있었다고 해도, 해당 트렌치 라인(TL)으로부터의 수직 크랙의 신전은 없으므로, 만일 취성 재료 기판(W)에 대해서 굽힘 모멘트가 작용했다고 해도, 수직 크랙이 형성되어 이루어지는 경우에 비해서, 트렌치 라인(TL)을 따른 분단은 일어나기 어렵다.
<압흔의 형성과 수직 크랙의 신전>
전술한 양상에서 트렌치 라인(TL)을 형성하면, 이것에 이어서, 트렌치 라인(TL)의 근방 위치에 국소적으로 압흔을 형성한다. 이러한 압흔의 형성은, 취성 재료 기판(W)에 비해서 충분한 경도를 가진 재료로 구성되어서 이루어진 소정의 압압체를 하강시켜서 취성 재료 기판(W)의 상부면(SF1)을 위쪽에서 압압함으로써 행한다.
도 4는 압압체(100)를 하강시킬 때의 상태를 모식적으로 나타낸 zx 부분 단면도이고, 도 5는 압압체(100)에 의해 압흔(ID)을 형성하고 있는 상태를 모식적으로 나타낸 zx 부분 단면도이다.
취성 재료 기판(W)을 수평으로 배치한 상태에서, 도 4에 나타낸 바와 같이, z축 부방향의 최하단부에 원뿔 형상의 선단부(101)을 가진 압압체(100)를 도시하지 않은 이동 기구의 동작에 의해서 z축 부방향으로 하강시키면, 결국에는 선단부(101)가 취성 재료 기판(W)의 상부면(SF1)에 맞닿는다. 이와 같이 맞닿은 후에도 또한, 도 5에 있어서 화살표(AR3)로 표시된 바와 같이 압압체(100)를 하강시키면, 선단부(101)가 취성 재료 기판(W)에 압입됨으로써 취성 재료 기판(W)이 소성변형되고, 오목부, 결국은 압흔(ID)이 형성된다. 또한, 이러한 압흔(ID)의 주위에는, 다수의 마이크로크랙(MC)이 형성된다. 취성 재료 기판(W)에 있어서는, 통상 마이크로크랙(MC)은, 압흔(ID)의 바깥쪽 가장자리부의 임의의 위치를 기점으로 해서, 취성 재료 기판(W)의 상부면(SF1)에 대해서 소정의 깊이를 가져서 (결국은 상부면(SF1)에 대해서 수직방향으로) 신전한다. 도 5에 있어서는, 이러한 마이크로크랙(MC)을 모식적으로 사선부로서 나타내고 있다.
이러한 경우에 있어서, 압흔(ID)의 크기 및 마이크로크랙(MC)의 길이(최대 신전 길이)는, 압압체(100)의 형상 및 압압체(100)에 작용시키는 하중에 따른 것이 된다.
압압체(100)의 재질은 취성 재료 기판(W)의 재질에 따라서 적절하게 선정되어도 되지만, 경도가 높고 또한 범용성 및 입수 용이성을 구비한다는 관점에서는, 다이아몬드로 구성되는 것이 적합하다.
도 6은, 취성 재료 기판(W)의 일종인 유리 기판에 대해서, 선단부(101)가 원뿔 형상을 이루는 압압체(100)를 이용해서 압흔(ID)을 형성한 경우의, 압흔(ID)의 근방에 관한 광학현미경 화상이다. 단, 트렌치 라인(TL)은 비형성이다. 도 6에 있어서는, 평면에서 보아서 거의 원 형상의 압흔(ID)이 확인되는 동시에, 압흔(ID)의 바깥쪽 가장자리부로부터 바깥쪽으로 향하여, 다수의 마이크로크랙(MC)이 랜덤하게 연장되는 것도 확인된다.
또, 도 6에 있어서는, 일견, 마이크로크랙(MC)은 해당 유리 기판의 상부면을 따라서 형성되는 것 같지만, 도 6에 있어서 관찰되는 것은, 유리 기판의 상부면(SF1)에 나타나 있는 마이크로크랙(MC)이다.
도 7은 트렌치 라인(TL)의 근방에 압흔(ID)을 형성한 경우의 상태를 모식적으로 나타낸 도면이다. 또한, 도 8은, 미리 트렌치 라인(TL)을 형성해서 이루어진 취성 재료 기판(W)의 일종인 유리 기판에 압흔(ID)을 형성한 경우의, 압흔(ID)의 근방에 관한 광학현미경 화상이다.
취성 재료 기판(W)을 압압체(100)로 국소적으로 압압한 경우, 도 6에 예시한 바와 같이, 해당 압흔(ID)의 주위에는 다수의 마이크로크랙(MC)이 랜덤하게 형성된다. 이것은, 도 7에 나타낸 바와 같이, 압압체(100)가 압압된 개소에 압흔(ID)이 형성되는 것에 부가해서, 해당 압흔(ID)의 주위의 소정 범위가, 마이크로크랙(MC)이 생길 수 있는 영역인 마이크로크랙 발생 영역(RE)으로 되는 것을 의미한다. 여기에서, 마이크로크랙 발생 영역(RE)은, 압흔(ID)의 중심위치와, 압흔(ID)의 형성에 수반하여 발생하는 다수의 마이크로크랙(MC) 중 평면에서 보았을 때 최대길이인 것이 도달하는 위치의 사이를 연결하는 선을 반경으로 하는 원형의 영역 중, 압흔(ID)을 제외한 영역으로서 고려할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)의 아래쪽까지 연장됨으로써 평면에서 보아서 트렌치 라인(TL)과 중첩하는 양상으로 마이크로크랙(MC)이 발생하도록, 압흔(ID)을 형성한다. 이것은, 다른 견지에서 보면, 전술한 양상으로 트렌치 라인(TL)을 형성한 후, 마이크로크랙 발생 영역(RE)의 일부 영역이 트렌치 라인(TL)과 중첩하도록, 압흔(ID)을 형성하고 있다고도 할 수 있다. 도 7에 있어서는, 마이크로크랙 발생 영역(RE) 중, 트렌치 라인(TL)과의 중첩영역(RE1)을, 굵은 파선으로 둘러싸고 있다.
또, 압흔(ID)이 평면에서 보아서 반경 r의 원이며, 마이크로크랙 발생 영역(RE)이 그 바깥쪽에 일정한 폭으로 형성되는 도넛형의 영역이라고 가정했을 경우, 압흔(ID)의 반경 r과, 마이크로크랙 발생 영역(RE)의 최외측의 반경 R과, 압흔(ID)의 중심과 트렌치 라인(TL) 간의 거리 d 사이에,
r < d < R
인 관계가 성립할 때에, 마이크로크랙 발생 영역(RE)의 일부 영역이 트렌치 라인(TL)과 중첩한다고 할 수 있다. 또, 전자에 대해서는, 압흔(ID)과 트렌치 라인(TL)의 간격 g와, 반경 r과, 거리 d와, 반경 R 사이에,
g = d-r < R-r
인 관계가 성립한다고도 할 수 있다.
마이크로크랙 발생 영역(RE)과 트렌치 라인(TL)이 중첩하는 바와 같은 조건으로 압흔(ID)을 형성했을 경우, 중첩영역(RE1)으로 연장되는 마이크로크랙(MC)이, 상당한 확률로 발생한다. 그러한 마이크로크랙(MC)이 트렌치 라인(TL) 바로 아래의 잔류 내부 응력의 존재 영역에 도달하면, 이것이 계기가 되어, 트렌치 라인(TL)의 근방에 있어서의 잔류 내부 응력의 해방이 일어나고, 트렌치 라인(TL)으로부터의 수직 크랙(VC)의 신전이 생긴다. 이것이, 본 실시형태에 따른 수법에 의한 수직 크랙(VC)의 신전의 상세이다. 도 8에 있어서는, 하나의 마이크로크랙(MC)이 트렌치 라인(TL)의 형성 개소(도면 중 파선으로 표시됨)에 도달하고, 해당 도달 개소로부터 수직 크랙(VC)이 신전되는 상태가 관찰된다.
이와 같이, 마이크로크랙 발생 영역(RE)이 트렌치 라인(TL)과 중첩하는 양상에서, 압흔(ID)을 형성함으로써, 트렌치 라인(TL)으로부터 수직 크랙(VC)을 신전시킬 수 있다.
또, 도 8에 있어서는 트렌치 라인(TL)의 왼쪽에 압흔(ID)을 형성했을 경우를 예시하고 있지만, 압흔 ID의 형성 개소는 트렌치 라인(TL)의 오른쪽이어도 된다.
실제로 압흔(ID)의 형성에 의해서 수직 크랙(VC)을 신전시키고자 할 때에는, 트렌치 라인(TL)과 중첩하는 마이크로크랙(MC)이 확실하게 발생하도록, 압흔(ID)을 형성하면 된다. 구체적으로는, 그러한 마이크로크랙(MC)을 발생시킬 수 있는, 압흔(ID)의 형성 위치(트렌치 라인(TL)으로부터의 거리)나 압흔(ID)을 형성할 때에 압압체(100)에 가해지는 하중과 조건을, 취성 재료 기판(W)의 재질이나 두께 등에 따라서 미리 실험적으로 설정하면 된다.
또, 압흔(ID)과 트렌치 라인(TL)이 중첩하도록 압흔(ID)을 형성하는 것은 바람직하지 못하다. 이것은, 트렌치 라인(TL)의 형성에 의해서 이미 압축되어서 이루어진 영역에 압흔(ID)을 중첩적으로 형성했다고 해도, 마이크로크랙(MC)이 적절하게 발생하지 않기 때문이다.
도 9 및 도 10은, 도 1에 나타낸, 트렌치 라인(TL)이 형성되어 이루어지는 취성 재료 기판(W)에 있어서, 압흔(ID)의 형성에 의해 수직 크랙(VC)을 신전시키는 상태를 나타낸, 취성 재료 기판(W)의 평면도이다.
도 9에 있어서 화살표(AR4)로 표시된 바와 같이, X축 방향으로 배열시킨 각각의 트렌치 라인(TL)의 하류 측 근방에 있어서 순차로 압흔(ID)을 형성해가면, 화살표(AR5)로 표시된 바와 같이 각각의 트렌치 라인(TL)에 있어서 순차로, 수직 크랙(VC)이, 그 예정 신전 방향인 트렌치 라인(TL)의 상류 측을 향해서 신전된다. 최종적으로는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 모든 분단 위치에 있어서, 트렌치 라인(TL)으로부터의 수직 크랙(VC)의 신전이 생긴다. 즉, 압흔(ID)의 형성이 계기가 되어서(압흔(ID)으로부터 연장되는 마이크로크랙(MC)이 트리거가 되어서), 그때까지는 트렌치 라인(TL)이 형성되어 있지만 크랙 없는 상태였던 취성 재료 기판(W)의 각 분단 위치에, 트렌치 라인(TL)으로부터 연장되는 수직 크랙(VC)이 형성된다.
또, 수직 크랙(VC)의 예정 신전 방향이 전술한 바와 같이 상류 측을 향하는 방향이 되는 것은, 다이아몬드 포인트(151)를 구비하는 스크라이브 툴(150)을 이용해서 트렌치 라인(TL)을 형성했을 경우, 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에 발생하는 수직 크랙(VC)은 천장면(SD1) 측에 존재하는 쪽으로 신전한다고 하는 성질을 지니기 때문이다. 즉, 수직 크랙(VC)은, 특정한 하나의 방향으로 신전한다고 하는 성질을 지닌다. 트렌치 라인(TL) 상의 상류 측에 다이아몬드 포인트의 천장면(SD1)이 배치되는 양상으로 트렌치 라인(TL)을 형성하는 본 실시형태에 있어서는, 압흔(ID)의 형성 시, 트렌치 라인(TL)의 상류 측에 있어서는 수직 크랙(VC)은 신전되지만, 역방향에 있어서는 신전되기 어렵다.
그 때문에, 도 9에 나타낸 경우, 압흔(ID)은, 트렌치 라인(TL)에 있어서의 수직 크랙(VC)의 예정 신전 방향 반대쪽 근방인, 트렌치 라인(TL)의 하류 측 근방에 형성되어서 이루어진다.
본 실시형태에 따른 수법으로 수직 크랙(VC)을 신전시키도록 했을 경우, 트렌치 라인(TL)을 형성하기 위한 가공 및 압흔(ID)을 형성하기 위한 가공은 모두 취성 재료 기판(W)에 소성변형을 일으킬 뿐이므로, 각각의 가공 시 컬릿이 생길 가능성은 작다. 즉, 본 실시형태에 따른 수법에 따르면, 컬릿 없이 수직 크랙(VC)을 신전시키는 것이 가능해진다.
이상의 양상으로 분단 위치에 수직 크랙(VC)이 형성된 취성 재료 기판(W)은, 도시하지 않은 소정의 브레이크 장치에 제공된다. 브레이크 장치에 있어서는, 소위 3점 휨 혹은 4점 휨 수법에 의해서, 취성 재료 기판(W)에 굽힘 모멘트를 작용시킴으로써, 수직 크랙(VC)을 취성 재료 기판(W)의 다른 쪽 주면(하부면)(SF2)(도 2 참조)까지 신전시키는 브레이크 공정이 행해진다. 이러한 브레이크 공정을 거침으로써, 취성 재료 기판(W)은 분단 위치에 있어서 분단된다.
이상, 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따르면, 취성 재료 기판의 분단 위치에 트렌치 라인을 형성한 후에, 해당 트렌치 라인의 근방에 국소적으로 압흔을 형성하도록 하고, 그때에는, 압흔으로부터 연장되는 마이크로크랙을 트렌치 라인의 형성 위치의 아래쪽에 도달시키도록 함으로써, 취성 재료 기판의 분단 위치에서 확실하게 그리고 컬릿을 생기게 하는 일 없이, 수직 크랙(VC)을 신전시킬 수 있다.
<실시예>
(실시예 1)
본 실시예에서는, 압압체(100)에 인가하는 하중이, 압흔(ID)의 크기와 마이크로크랙(MC)의 최대길이(이하, 최대 크랙 길이)에 부여하는 영향을 확인하였다.
구체적으로는, 취성 재료 기판(W)으로서 두께가 0.2㎜인 유리 기판을 준비하고, 압압체(100)로서는, 선단부(101)가 원뿔 형상을 이루고 있고 그 발산각이 122°이고 곡률반경이 10㎛인 다이아몬드 포인트를 이용해서, 압압체(100)에 인가하는 하중을 1.3N, 2.5N, 3.8N, 5.0N의 4가지 수준으로 다르게 해서 압흔(ID)을 형성하였다.
도 11은, 하중과 형성된 압흔(ID)의 직경의 관계를 나타낸 그래프이며, 도 12는 하중과 형성된 최대 크랙 길이의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 11 및 도 12로부터는, 하중이 커질수록, 압흔(ID)의 크기와 최대 크랙 길이의 쌍방이 커지는 경향이 있는 것이 확인된다.
(실시예 2)
본 실시예에서는, 압압체(100)에 인가하는 하중과, 압흔(ID)(보다 상세하게는 그 중심위치)과 트렌치 라인의 거리가 수직 크랙(VC)의 신전에 부여하는 영향을 조사하였다. 압압체(100) 및 취성 재료 기판(W)의 조건은, 실시예 1과 마찬가지로 하였다.
구체적으로는, 압압체(100)에 인가하는 하중을 1.3N, 2.5N, 3.8N, 5.0N의 4수준으로 달리 하고, 또한, 압흔 중심 위치와 트렌치 라인의 거리를 0㎛, ± 10㎛, ± 20㎛, ± 30㎛, ± 40㎛의 9수준으로 다르게 함으로써, 압압체(100)에 인가하는 하중과, 압흔 중심 위치와 트렌치 라인의 거리의 조합이 모두 다른 전체 36가지의 조건을 정하였다. 또, 압흔 중심 위치와 트렌치 라인의 거리가 음의 값이 될 경우란, 해당 거리가 양의 값이 될 경우와 트렌치 라인(TL)에 관해서 반대쪽에 압흔을 형성한 경우이다. 그리고, 각각의 조건에서의 압흔(ID)의 형성을, 미리 스크라이브 툴(150)로 폭이 약 10㎛인 트렌치 라인(TL)을 형성해서 이루어진 취성 재료 기판(W)에 대하여 행하였다.
표 1에, 전체 36가지에 관한, 트렌치 라인(TL)으로부터의 수직 크랙(VC)의 신전의 유무를 나타낸다.
Figure pat00001
표 1에 있어서는, 수직 크랙(VC)이 신전한 조건의 난에 「○」을 부여하고, 신전하지 않은 조건의 난에는 「×」을 부여하고 있다.
표 1에 나타낸 결과로부터는, 트렌치 라인(TL)의 바로 위에 압흔(ID)을 형성하게 되는, 압흔 중심 위치와 트렌치 라인의 거리가 0㎛인 경우에는 수직 크랙(VC)이 신전하지 않는 것, 그리고, 압흔 중심위치와 트렌치 라인(TL)의 거리가 커질수록, 수직 크랙(VC)이 신전한 하중의 값이 커지는 것을 알 수 있다.
이러한 결과와, 실시예 1에 나타낸 결과를 감안하면, 압흔의 형성 위치와, 압흔을 형성할 때에 압압체에 인가하는 하중을, 적절하게 설정함으로써, 트렌치 라인(TL)의 형성에 이어서 압흔을 형성함으로써 트렌치 라인(TL)으로부터 수직 크랙(VC)을 확실하게 신전시킬 수 있다고 할 수 있다.
<변형예>
전술한 실시형태에 있어서는, 압압체(100)의 선단부(101)가 원뿔 형상일 경우를 대상으로 해서 설명을 행하고 있지만, 수직 크랙을 신전시키기 위한 압흔 형성에 이용하는 압압체(100)의 선단부(101)의 형상은, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 도 13은, 선단부(101)가 사각뿔 형상을 이루고 있는 압압체(100)를 이용해서 압흔을 형성하고, 트렌치 라인(TL)의 바로 아래에서 수직 크랙을 신전시켰을 경우를 나타내는 광학현미경 화상이다. 도 13에 나타낸 결과는, 압압체(100)의 선단부(101)의 형상에 따른 조건에서 압흔을 형성함으로써, 수직 크랙을 신전시킬 수 있는 것을 시사하고 있다.
또한, 압흔의 형성에 따라서 수직 크랙을 형성할 수 있는 것이라면, 선단부(101)의 형상은 추 형상이 아니어도 되고, 예를 들어, 기둥 형상이어도 된다.
또, 전술한 실시형태에 있어서는, 스크라이브 툴(150)에 의한 트렌치 라인(TL)의 형성을, 자루 부분(152)의 축 방향(AX2)을 이동 방향(DA) 전방을 향해서 경사지게 한 상태에서, 결국은 천장면(SD1)을 이동 방향(DA) 후방을 향하게 한 자세에서, 다이아몬드 포인트(151)를 슬라이딩시킴으로써, 행하도록 하고 있지만, 이것 대신에, 자루 부분(152)의 축 방향(AX2)을 이동 방향(DA) 후방을 향해서 경사지게 한 상태에서, 결국은 천장면(SD1)을 이동 방향(DA) 전방을 향하게 한 자세에서, 다이아몬드 포인트(151)를 슬라이딩시킴으로써, 트렌치 라인(TL)을 형성하도록 해도 된다.
혹은 또, 전술한 실시형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)의 형성에, 다이아몬드 포인트(151)를 이용하고 있지만, 이것 대신에, 원반 형상(주판알 형상)을 이루고 있고, 그 외주를 따라서 일정하게 날끝을 구비하는 공지의 스크라이빙 휠을, 분단 위치에 있어서 압접 전동시킴으로써, 트렌치 라인(TL)을 형성하는 양상이어도 된다.
단, 이들 양상의 경우, 전술한 실시형태와는 달리, 수직 크랙의 예정 신전 방향은 트렌치 라인(TL)의 하류 측이 된다. 그 때문에, 이들 양상에 있어서는, 트렌치 라인(TL)의 상류 측 근방에 압흔(ID)을 형성함으로써, 수직 크랙(VC)을 신전시킬 수 있다.
100: 압압체 101: 선단부
150 스크라이브 툴 151: 다이아몬드 포인트
ID: 압흔 MC: 마이크로크랙
RE: 마이크로크랙 발생 영역
RE1: (마이크로크랙 발생 영역과 트렌치 라인의) 중첩영역
TL: 트렌치 라인 VC: 수직 크랙
W: 취성 재료 기판

Claims (5)

  1. 취성 재료 기판을 두께 방향으로 분단할 때에 분단 위치에 있어서 수직 크랙을 형성하는 방법으로서,
    상기 취성 재료 기판의 한쪽 주면에 라인 형상의 홈부인 트렌치 라인을 형성하는 트렌치 라인 형성 공정과,
    상기 취성 재료 기판의 상기 트렌치 라인의 근방을 소정의 압압체에 의해서 국소적으로 압압함으로써 압흔을 형성하는 압흔 형성 공정을 포함하되,
    상기 트렌치 라인 형성 공정에 있어서는, 상기 트렌치 라인의 바로 아래에 있어서 크랙 없는 상태가 유지되도록 상기 트렌치 라인을 형성하고,
    상기 압흔 형성 공정에 있어서의 상기 압흔의 형성을 따라 상기 압흔으로부터 연장되는 마이크로크랙을 상기 트렌치 라인의 아래쪽으로 도달시킴으로써, 상기 트렌치 라인으로부터 상기 두께 방향으로 상기 수직 크랙을 신전(伸展)시키는 것을 특징으로 하는, 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정의 압압체의 선단부가 추(錐) 형상을 이루고 있고,
    상기 압흔 형성 공정에 있어서는, 상기 추 형상의 상기 선단부에 의해 상기 취성 재료 기판을 압압함으로써 상기 압흔을 형성하는 것을 특징으로 하는, 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 소정의 압압체의 상기 선단부가 원뿔 형상을 이루고 있는 것을 특징으로 하는, 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 압흔을, 상기 트렌치 라인에 있어서의 상기 수직 크랙의 예정 신전 방향 반대쪽 근방에 형성하는 것을 특징으로 하는, 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법.
  5. 취성 재료 기판을 두께 방향으로 분단시키는 방법으로서, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 수직 크랙의 형성 방법에 의해서 상기 취성 재료 기판에 수직 크랙을 형성하는 수직 크랙 형성 공정과,
    상기 수직 크랙을 따라서 상기 취성 재료 기판을 브레이크시키는 브레이크 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 취성 재료 기판의 분단 방법.
KR1020160083012A 2015-08-17 2016-06-30 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법 및 취성 재료 기판의 분단 방법 KR20170021195A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015160429A JP6648448B2 (ja) 2015-08-17 2015-08-17 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法
JPJP-P-2015-160429 2015-08-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170021195A true KR20170021195A (ko) 2017-02-27

Family

ID=58205998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160083012A KR20170021195A (ko) 2015-08-17 2016-06-30 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법 및 취성 재료 기판의 분단 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6648448B2 (ko)
KR (1) KR20170021195A (ko)
CN (1) CN106466888B (ko)
TW (1) TWI694913B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3136890B1 (fr) * 2022-06-15 2024-10-04 Commissariat Energie Atomique Correction d’angle de clivage de plaques de silicium pour cellules solaires

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015074145A (ja) 2013-10-08 2015-04-20 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4140820A (en) * 1975-04-09 1979-02-20 Ppg Industries, Inc. Method of maintaining edge strength of a piece of glass
JPH11195624A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Hitachi Cable Ltd レーザ照射による絶縁膜付き半導体基板の製造方法
JP4203177B2 (ja) * 1999-03-18 2008-12-24 株式会社ベルデックス スクライブ方法および装置
JP2002316829A (ja) * 2001-04-17 2002-10-31 Seiko Epson Corp ガラス基板の切断方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器、およびスクライブ溝形成装置
JP4086796B2 (ja) * 2004-02-19 2008-05-14 キヤノン株式会社 基板割断方法
JP5450964B2 (ja) * 2008-02-29 2014-03-26 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ装置及びスクライブ方法
JP5067457B2 (ja) * 2010-07-29 2012-11-07 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライビングホイール、スクライブ装置、およびスクライブ方法
TWI498293B (zh) * 2011-05-31 2015-09-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 劃線方法、鑽石尖、劃線裝置
JP5409726B2 (ja) * 2011-08-30 2014-02-05 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライビングホイール
WO2013161849A1 (ja) * 2012-04-24 2013-10-31 株式会社東京精密 ダイシングブレード
TWI589420B (zh) * 2012-09-26 2017-07-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Metal multilayer ceramic substrate breaking method and trench processing tools

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015074145A (ja) 2013-10-08 2015-04-20 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106466888A (zh) 2017-03-01
JP6648448B2 (ja) 2020-02-14
JP2017039217A (ja) 2017-02-23
TW201707913A (zh) 2017-03-01
CN106466888B (zh) 2020-05-01
TWI694913B (zh) 2020-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6589380B2 (ja) 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法
TW201515802A (zh) 斷裂裝置及分斷方法
JP6519381B2 (ja) 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法
KR101912685B1 (ko) 취성 기판의 분단 방법
KR20170021195A (ko) 취성 재료 기판에 있어서의 수직 크랙의 형성 방법 및 취성 재료 기판의 분단 방법
JP6645577B2 (ja) 脆性基板の分断方法
KR101851453B1 (ko) 취성 재료 기판에 있어서의 경사 크랙의 형성 방법 및 취성 재료 기판의 분단 방법
KR102066120B1 (ko) 취성 기판의 분단 방법
TWI605024B (zh) Breaking method of brittle substrate
KR102713861B1 (ko) 취성 기판의 분단 방법
KR20160062695A (ko) 취성 기판의 분단 방법
CN112427812A (zh) 一种通过间距性超微细激光通孔实现超薄工件分离的方法
JP6589381B2 (ja) 脆性材料基板における垂直クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法
CN108698254B (zh) 脆性衬底的分断方法
JP2017065006A (ja) 脆性基板の分断方法
TW201711969A (zh) 脆性基板之分斷方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application