DE10006447A1 - Bauelement mit konstant verspannter Verklebung und Verfahren zur Verklebung - Google Patents
Bauelement mit konstant verspannter Verklebung und Verfahren zur VerklebungInfo
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Abstract
Zur Verklebung spannungsempfindlicher Bauelementsubstrate (BS) mit einem Systemträger (ST) wird vorgeschlagen, Abstandsstrukturen (AS) zwischen den beiden zu verklebenden Oberflächen vorzusehen, die eine definierte Anordnung der beiden zu verklebenden Oberflächen gewährleistet. Die Abstandsstrukturen können mittels Siebdruck aufgebracht werden, der Raum zwischen den Abstandsstrukturen kann mit Klebstoff (K) aufgefüllt werden.
Description
Miniaturisierte elektrische und elektronische Bauelemente
werden üblicherweise mit einem Die-Bond-Verfahren in ein Ge
häuse eingesetzt und dort verklebt. Bei Bauelementen, die auf
mechanische Verspannungen mit einer Veränderung der Bauele
menteigenschaften reagieren, führt dieses Klebeverfahren in
der maschinellen Fertigung dazu, daß die Bauelemente nach der
Verklebung stärker in ihren Eigenschaften streuen als vor der
Verklebung. Dies ist insbesondere auf unterschiedliche Aus
dehnungskoeffizienten von Bauelement und Unterlage bezie
hungsweise Gehäuse zurückzuführen. Die Verspannung baut sich
auf, wenn die Klebestelle bei einer über der Betriebstempera
tur des Bauelements liegenden Temperatur ausgehärtet wird,
und daher nur bei dieser Aushärtetemperatur spannungsfrei
ist.
Oberflächenwellenbauelemente sind aufgrund des piezoelektri
schen Substrats sehr empfindlich gegen Verspannungen und zei
gen beim oben genannten Verkleben, beispielsweise in ein Ge
häuse, eine erhöhte Streuung der Bauelementeigenschaften und
insbesondere der Mittenfrequenz der Bauelemente. Gelten für
diese streuenden Eigenschaften enge Spezifikationen, bei
spielsweise für die Mittenfrequenz von Resonatoren und ZF-
Filtern, führt die Streuung der Eigenschaften zu einer Ver
ringerung der Ausbeute an Bauelementen mit innerhalb der Spe
zifikationen liegenden Eigenschaften.
Um die Streuung der Bauelementeigenschaften nach der Verkle
bung zu reduzieren, mußten bislang aufwendige Maßnahmen er
griffen werden. Beispielsweise können die Spezifikationen und
die Maßhaltigkeit der zu verklebenden Teile erhöht werden.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, die Genauigkeit des
Die-Bond-Klebstoffauftrags zu verbessern. Dazu ist allerdings
eine optische Bilderkennung zur Kontrolle der aufgebrachten
Klebstoffmenge erforderlich. Eine weitere Möglichkeit besteht
darin, die ebenfalls potentiell zu zusätzlichen Verspannungen
führenden weiteren Schritte bei der Fertigstellung des Gehäu
ses so zu optimieren, daß keine zusätzlichen Verspannungen
mehr auftreten.
Nachteilig an diesen Maßnahmen ist der dafür erforderliche
hohe Aufwand. Außerdem lassen sich aufgrund von Schwankungen
bei Zulieferteilen und bei Prozeßänderungen die entsprechen
den Auswirkungen auf die verspannungsempfindlichen Bauelemen
te nicht völlig verhindern. Ein weiteres Problem tritt auf
grund der ständig steigenden Miniaturisierung auf, die bei
immer kleineren Dimensionen auch zu dünneren Materialien
führt, die dementsprechend anfälliger gegen Verbiegungen und
Unregelmäßigkeiten sind.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Verkle
bung für ein spannungsempfindliches Bauelement anzugeben, die
konstruktionsbedingt zu einer konstanten Verspannung und da
her zu Bauelementen mit geringer Fehlerstreuung führt, und
die sich einfach herstellen läßt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Bauelement nach
Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung
sowie ein Verfahren zur Begrenzung der Fehlerstreuung bei der
Verklebung sind weiteren Ansprüchen zu entnehmen.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß das, die Bauelementstruk
turen tragende empfindliche, kristalline Substrat durch einen
Klebstoff mit einem Systemträger verbunden ist, wobei zwi
schen Substrat und Systemträger Abstandsstrukturen in einem
regelmäßigen Muster angeordnet sind, wobei sich in einer Ebe
ne liegende Auflagepunkte oder -flächen ausbilden, auf denen
das Substrat und/oder der Systemträger aufliegt. Möglich ist
auch eine Abstandsstruktur, die Auflagepunkte ausbildet, die
auf einer Geraden liegen, wobei als ein zusätzlicher Auflagepunkt
ein direkter Kontakt zwischen Systemträger und Substrat
vorgesehen ist. Weiterhin ist vorgesehen, daß der Raum zwi
schen den Abstandsstrukturen, dem Substrat und dem Systemträ
ger vollständig und weitgehend frei von Lufteinschlüssen oder
teilweise von Klebstoff ausgefüllt ist.
Erfindungsgemäß sind somit Anordnung und Anzahl der Auflage
punkte oder -flächen sowie der Winkel zwischen Substrat und
Systemträger vorgegeben, was bei einem herkömmlichen maschi
nell durchgeführten Die-Bond-Verfahren eher dem Zufall über
lassen blieb und daher zu undefinierten Auflagepunkten führ
te, die aufgrund von Schwankungen in der Materialbeschaffen
heit des Systemträgers zu unterschiedlichen Verspannungen
führten. Der durch die Auflagepunkte oder -flächen vorgegebe
ne Abstand zwischen Substrat und Systemträger sichert auch
über alle hergestellten Bauelemente eine hinreichend dicke
Klebstoffschicht zwischen Substrat und Systemträger. Daher
ist eine hinreichende Dämpfung der Verspannung zwischen den
verklebten unterschiedlichen Materialien von Bauelement und
Systemträger durch eine hinreichende Schichtdicke an Kleb
stoff gewährleistet. Als Ergebnis werden Bauelemente erhal
ten, die auch innerhalb hoher Stückzahlenkontingente eine nur
geringe Streuung ihrer Eigenschaften aufweisen, und die sich
daher mit hoher Reproduzierbarkeit und damit geringerem Aus
schuß herstellen lassen.
In einer Ausgestaltung der Erfindung sind Abstandsstrukturen
vorgesehen, die punktförmige Auflagepunkte ergeben. Vorteil
haft ist eine Anzahl von drei oder vier punktförmigen Aufla
gepunkten, die entsprechend der Größe des zu verklebenden
Bauelementsubstrats über die zu verklebenden Oberflächen ver
teilt sind. Die Ausführung mit drei Auflagepunkten hat den
Vorteil, daß die Auflagepunkte immer in einer Ebene liegen.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung sind
streifenförmige Abstandsstrukturen vorgesehen, die zueinander
parallele streifenförmige Auflageflächen ausbilden. Besonders
vorteilhaft sind diese streifenförmigen Abstandsstrukturen,
wenn sie in der Mitte unterbrochen sind. Damit wird eine Öff
nung geschaffen, die während des Verklebens zu einer besseren
Verteilung der Klebstoffmenge führt. Der Raum zwischen Ab
standsstrukturen, Substrat und Systemträger ist so mit Kleb
stoff ausgefüllt. Dies führt zu einem definierten Volumen und
definierten Begrenzungen der Klebstoffschicht, deren Eigen
schaften daher auch wegen der guten Reproduzierbarkeit kon
stanter einzuhalten sind.
Vorzugsweise bestehen die Abstandsstrukturen aus einer sieb
druckbaren Masse, die mittels Siebdruck auf dem Systemträger
oder auf dem Substrat aufgebracht ist. Solche Abstandsstruk
turen sind besonders einfach herzustellen. Dabei ist dennoch
gewährleistet, daß eine gleichmäßig hohe Abstandsstrukturen
bzw. in einer Ebene liegende Auflagepunkte oder -flächen aus
gebildet werden können. Von besonderem Vorteil ist die Erfin
dung für frequenzgenaue Oberflächenwellenbauelemente, die mit
der erfindungsgemäßen Verklebung besonders frequenzstabil
sind, so daß bei der Massenfertigung eine nur geringe Fehler
streuung bei der Mittenfrequenz beobachtet wird.
Mit der Erfindung können insbesondere nicht vermeidbare Un
ebenheiten in der Oberfläche insbesondere des Systemträgers
ausgeglichen werden und eine gleichmäßige Schichtdicke des
beim Die-Bond-Verfahren verwendeten Klebstoffs zwischen Sub
strat und Systemträger gewährleistet werden. Die Vorteile der
Erfindung können daher auch bei weiter dünner werdenden Mate
rialien trotz deren größerer Anfälligkeit gegen Verbiegung
und Unebenheiten sicher erhalten werden. Der Klebeprozeß wird
stabiler und unempfindlicher gegenüber Schwankungen bei der
Qualität des Systemträgers und des Klebstoffauftrags.
Die Erfindung ist für alle Bauelemente auf insbesondere kri
stallinen Substraten geeignet, die empfindlich gegen Verspan
nungen sind. Dies können elektrische, elektronische und insbesondere
auch passive Bauelemente sein, wie zum Beispiel die
genannten Oberflächenwellenbauelemente.
Der Systemträger kann eine Leiterplatte, insbesondere eine
mehrere Metallisierungsebenen umfassende mehrschichtige
Kunststoffplatte, eine keramische Substratplatte, die gegebe
nenfalls Leiterbahnen und/oder Durchkontaktierungen aufweist,
oder ein insbesondere zweiteiliges Gehäuse sein, wobei das
Substrat mit dem Gehäuseboden oder dem Gehäusedeckel verbun
den sein kann. Das Gehäuse kann aus Keramik oder aus Metall
ausgeführt sein.
Die Abstandsstrukturen bestehen vorzugsweise wie bereits er
wähnt aus Siebdruckstrukturen. Möglich ist es jedoch auch,
die Abstandsstrukturen aus anderen Materialien auszuführen,
insbesondere aus Metall, Glas oder gemischten orga
nisch/anorganischen Pasten, beispielsweise aus mit Siebdruck
verarbeitbaren Metallisierungspasten. Dementsprechend können
die Abstandsstrukturen direkt auf einer der Oberflächen von
Substrat oder Systemträger aufgebracht werden, oder in be
reits vorgefertigter Form auf diese aufgebracht werden. Der
direkt Aufbau auf der Oberfläche von Substrat oder Systemträ
ger gelingt beispielsweise durch ganzflächiges Auftragen ei
ner entsprechenden Materialschicht in der gewünschten Dicke
und anschließendes Strukturieren desselben unter Herausbil
dung der genannten Abstandsstrukturen. Wahlweise können die
Abstandsstrukturen dabei auf der Oberfläche des Substrat oder
des Systemträgers aufgebracht werden.
Der verwendete Klebstoff ist vorzugsweise ein thermisch härt
bares Elastomer. Dieses läßt sich mit den entsprechenden Ap
plikationsvorrichtungen auch in geringsten Dosierungen für
kleinste Bauelemente in der gewünschten Menge und am ge
wünschten Ort aufbringen.
Die Dimensionen der Abstandsstrukturen sind von der Größe und
der Art des zu verklebenden Bauelements abhängig. Im allgemeinen
genügt jedoch eine Höhe von 10 bis 50 µm. Diese Höhe
bestimmt auch die Dicke der Klebstoffschicht, die ausreichend
ist, um den überwiegenden Anteil des Spannungsgradienten zwi
schen den unterschiedlichen Materialien aufzunehmen. Damit
gelingt es, den überwiegenden Anteil der Verspannung inner
halb der Klebstoffschicht zu lokalisieren.
Die Abstandsstrukturen bilden zwar definierte Auflagepunkte
und -flächen, doch wird beim Klebstoffauftrag auch zwischen
diesen Auflagepunkten und -flächen und der zu verklebenden
Oberfläche eine dünne Klebstoffschicht mit einer typischen
Dicke von zirka 1 µm ausgebildet. Diese ist jedoch gering ge
genüber der gesamten Klebstoffdicke und beeinträchtigt nicht
die mit der Erfindung verbundenen Vorteile. Es kann sicher
gewährleistet werden, daß der Freiraum zwischen Substrat, Sy
stemträger und Abstandsstrukturen vom Klebstoff vollständig
unter Vermeidung von Lufteinschlüssen ausgefüllt ist, sofern
dies gewünscht ist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei
spielen und der dazugehörigen Figuren näher erläutert.
Fig. 1 bis 4 zeigen einen Systemträger mit verschiedenen
darauf aufgebrachten Abstandsstrukturen in
schematischer Draufsicht
Fig. 5 zeigt ein mit einem Systemträger verbundenes Sub
strat im schematischen Querschnitt
Fig. 6 zeigt anhand einer Grafik die verbesserte Standar
dabweichung einer Kenngröße des Bauelements
Als Ausführungsbeispiel soll ein Oberflächenwellenresonator
mittels Die-Bonden in ein keramisches Gehäuse eingebaut wer
den. Fig. 1 zeigt das Unterteil des Bauelementgehäuses, in
das das Bauelementsubstrat eingeklebt werden soll. Darge
stellt ist auch die Gehäusewand GW, deren geringe Dicke zu
höherer Streuung der Gehäusegeometrie führen kann. Auf dem
Boden des Gehäuseunterteils sind noch metallisierte Anschluß
flächen AF angedeutet, die der späteren elektrischen Verbin
dung mit dem Bauelement dienen, z. B. über Bonddrähte. Auf dem
Substratträger ST, also auf dem Boden des Gehäuseunterteils
wird nun beispielsweise mittels Siebdruck ein vorgegebenes
Muster von Abstandsstrukturen AS aufgedruckt. In der Fig. 1
sind dies drei gleichartige annähernd punktförmige Struktu
ren, die gleichmäßig über die mit gestrichelter Linie BS be
grenzte Grundfläche des Substrats verteilt sind. Die gleich
mäßige Höhe der Abstandsstrukturen AS wird durch den Auf
bringprozeß gewährleistet, kann aber auch zusätzlich noch
korrigiert werden.
Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 sind vier Abstandsstruk
turen AS in der Nähe der vier Ecken des Bauelementsubstrats
BS vorgesehen, die die entsprechenden Auflagepunkte bilden.
Für größere Bauelemente bzw. Substrate kann die Zahl der Ab
standsstrukturen oder Auflagepunkte auch erhöht werden.
Fig. 3 zeigt zwei zueinander parallele streifenförmige Auf
lagestrukturen, die ebensolche streifenförmige Auflageflächen
ausbilden.
Fig. 4 zeigt eine vorteilhafte Variation streifenförmiger
Abstandsstrukturen AS. Auch hier sind zwei streifenförmige
Abstandsstrukturen AS vorgesehen, die jedoch in der Mitte ei
ne Ausnehmung beziehungsweise eine Unterbrechung U aufweisen.
Dadurch entstehen vier voneinander getrennte Auflageflächen.
Die Unterbrechung in der Mitte der streifenförmigen Abstands
strukturen AS hat den Vorteil, daß während des Aufsetzens des
Bauelementsubstrats BS überschüssiger Klebstoff durch die
Ausnehmungen treten kann und sich so besser verteilen kann.
Dies führt zu einer höheren Verfahrenssicherheit beziehungs
weise vereinfacht das Aufsetzen des Substrats auf die Aufla
geflächen.
Fig. 5 zeigt eine fertige Klebestelle anhand eines schemati
schen Querschnitts. Gut zu erkennen ist, daß die einander zu
gewandten beziehungsweise miteinander verklebten Oberflächen
von Bauelementsubstrat BS und Systemträger ST aufgrund der
gleichartigen Abstandsstrukturen AS parallel zueinander aus
gerichtet sind. Die Abstandsstrukturen sind hier im Quer
schnitt halbkugelförmig dargestellt, jedoch ist der Quer
schnitt nicht maßgeblich und im wesentlichen nur von dem Her
stellverfahren der Abstandsstrukturen abhängig. Mittels Sieb
druckverfahren können beispielsweise auch im Querschnitt an
nähernd rechteckige Strukturen hergestellt werden, die ledig
lich abgerundete Kanten aufweisen. Auch andere Querschnitte
sind möglich und denkbar. Wichtig ist allein, daß die Aufla
gepunkte beziehungsweise Auflageflächen in einer Ebene oder
annähernd in einer Ebene zu liegen kommen. Der Klebstoff K,
der auf eine der beiden Oberflächen von Substrat oder System
träger aufgebracht wird und sich nach dem Zusammenfügen der
beiden Teile gleichmäßig und ohne luftförmige Einschlüsse
verteilt, kann in seiner Menge so bemessen werden, daß er den
gesamten Zwischenraum zwischen Systemträger ST und Bauele
mentsubstrat BS ausfüllt. Bei entsprechend weit voneinander
entfernten Abstandsstrukturen AS ist es auch möglich, daß die
Grundfläche des Bauelementsubstrats BS mit der durch die Ab
standsstrukturen AS begrenzten Fläche übereinstimmt. Dies hat
insbesondere bei Oberflächenwellenbauelementen den Vorteil,
daß die gesamte Oberfläche (Grundfläche) des Substrats BS
durch die Klebstoffschicht abgedämpft wird, wodurch bei
spielsweise störende Volumenwellen gedämpft und an einer Re
flektion in die Bauelementstrukturen hinein gehindert werden.
Auch werden Spannungen im Substrat besser übertragen bzw.
verteilt.
Fig. 6 zeigt die Streuung einer auf Verspannungen im Sub
strat empfindlichen Kenngröße des Bauelements bei erfindungs
gemäß verklebten Bauelementen im Vergleich zu herkömmlich
verklebten Bauelementen. Anhand eines Oberflächenwellenreso
nators mit Quarz-Substrat und beispielhaften Substratabmessungen
von 2,9 × 1,75 mm2 wurde in Versuchslosen die Standard
abweichung der Resonatormittenfrequenzen innerhalb jedes
Versuchsloses ermittelt. Aufgetragen ist die relative Häufig
keit einer bestimmten Standardabweichung in Prozent. Die
schraffierten Balken geben die Werte für erfindungsgemäß ver
klebte Bauelemente wider, die unausgefüllten Balken geben die
Messergebnisse bei herkömmlich verklebten Bauelementen wider.
Es ist klar erkennbar, daß mit der Erfindung die Standardab
weichung deutlich reduziert ist. Dies hat zur Folge, daß
weitaus mehr Bauelemente innerhalb der geforderten Tole
ranzwerte liegen, wodurch sich der Ausschuß des Klebeverfah
rens und insgesamt der Herstellung des Bauelements reduziert.
Dies stellt eine erhebliche Kosteneinsparung des Gesamtver
fahrens dar.
Die Ausführungsbeispiele geben nur exemplarische Ausgestal
tungen der Erfindung an, die nicht auf diese beschränkt ist.
In anderen möglichen Ausführungen können nahezu alle Parame
ter noch variiert werden.
Claims (15)
1. Bauelement,
bei dem ein Bauelementstrukturen aufweisendes kristalli nes Substrat (BS) durch einen Klebstoff (K) mit einem Sy stemträger (ST) verbunden ist,
bei dem zwischen Substrat und Systemträger Abstandsstruk turen (AS) in einem regelmäßigen und definierten Muster angeordnet sind und in einer Ebene liegende Auflagepunkte oder -flächen für Substrat und/oder Systemträger ergeben, wobei flache Oberflächen von Substrat und Systemträger in definiertem Winkel zueinander oder annähernd parallel ausgerichtet sind
bei dem der Klebstoff (K) den Raum zwischen den Abstands strukturen (AS), Substrat (BS) und Systemträger (ST) teilweise oder vollständig ausfüllt.
bei dem ein Bauelementstrukturen aufweisendes kristalli nes Substrat (BS) durch einen Klebstoff (K) mit einem Sy stemträger (ST) verbunden ist,
bei dem zwischen Substrat und Systemträger Abstandsstruk turen (AS) in einem regelmäßigen und definierten Muster angeordnet sind und in einer Ebene liegende Auflagepunkte oder -flächen für Substrat und/oder Systemträger ergeben, wobei flache Oberflächen von Substrat und Systemträger in definiertem Winkel zueinander oder annähernd parallel ausgerichtet sind
bei dem der Klebstoff (K) den Raum zwischen den Abstands strukturen (AS), Substrat (BS) und Systemträger (ST) teilweise oder vollständig ausfüllt.
2. Bauelement nach Anspruch 1,
bei dem flache Oberflächen von Substrat (BS) und System
träger ST) annähernd parallel zueinander ausgerichtet
sind.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2,
bei dem die Abstandsstrukturen (AS) punktförmige Auflage
punkte aufweisen.
4. Bauelement nach Anspruch 3,
bei dem zwei, drei oder vier punktförmige Auflagepunkte
(AS) vorgesehen sind.
5. Bauelement nach Anspruch 1,
bei dem streifenförmige Abstandsstrukturen (AS) vorgese
hen sind, die zueinander parallele streifenförmige Aufla
geflächen ausbilden.
6. Bauelement nach Anspruch 5,
bei dem zwei zueinander parallele streifenförmige Abstandsstrukturen
(AS) vorgesehen sind, die jeweils in der
Mitte (U) unterbrochen sind und so vier voneinander ge
trennte streifenförmige Auflageflächen ausbilden.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-6,
bei dem die Abstandsstrukturen (AS) aus einer siebdruck
baren Masse bestehen und mit Siebdruck auf dem Systemträ
ger (ST) oder dem Substrat (BS) aufgebracht sind
8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-6,
bei dem die Abstandsstrukturen (AS) ein organisches oder
anorganisches Material umfassen und auf dem Systemträ
ger (ST) aufgeklebt sind.
9. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-8,
das als frequenzgenaues Oberflächenwellen-Bauelement aus
gebildet ist.
10. Verfahren zur Begrenzung der Fehlerstreuung bei der Ver
klebung von gegen Verspannungen empfindlichen Bauelemen
ten (BS) mit einer einem Systemträger (ST), wobei jeweils
flache Oberflächen von Systemträger und Bauelement mit
einander verklebt werden,
bei dem auf einer der Oberflächen vor dem Verkleben Ab standsstrukturen (AS) aufgebracht werden, die in einer zur genannten Oberfläche parallelen Ebene liegende Aufla gepunkte oder -flächen für das Bauelement (BS) ausbilden,
bei dem Klebstoff (K) auf eine der Oberflächen aufge bracht wird und,
bei dem das Bauelement (BS) auf die Auflagepunkte oder mit den Auflagepunkten auf die Oberfläche der Unterlage aufgesetzt wird und
bei dem der Klebstoff bei erhöhter Temperatur gehärtet wird.
bei dem auf einer der Oberflächen vor dem Verkleben Ab standsstrukturen (AS) aufgebracht werden, die in einer zur genannten Oberfläche parallelen Ebene liegende Aufla gepunkte oder -flächen für das Bauelement (BS) ausbilden,
bei dem Klebstoff (K) auf eine der Oberflächen aufge bracht wird und,
bei dem das Bauelement (BS) auf die Auflagepunkte oder mit den Auflagepunkten auf die Oberfläche der Unterlage aufgesetzt wird und
bei dem der Klebstoff bei erhöhter Temperatur gehärtet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10,
bei dem die Abstandsstrukturen (AS) mit Siebdruck aufgebracht
werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 oder 11,
bei dem die Abstandsstrukturen in einer Höhe von 20-50 µm
aufgebracht werden.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10-12,
bei dem in der Mitte unterbrochene (U) streifenförmige
Abstandsstrukturen (AS) aufgebracht werden,
bei dem so viel Klebstoff (K) auf eine der Oberflächen
aufgebracht wird, dass nach dem Aufsetzen der Raum zwi
schen den Abstandstrukturen (AS) und den beiden Oberflä
chen mit Klebstoff ausgefüllt ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10-12,
bei dem ein frequenzgenaues Oberflächenwellenbauelement
in ein Gehäuse (ST, GW) geklebt wird.
15. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 10-12,
zur Stabilisierung der Mittenfrequenz frequenzgenauer
Oberflächenwellenbauelemente.
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JPH05109786A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Fujitsu Ltd | 半導体チツプの実装構造 |
JPH05343658A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Sony Corp | 固体撮像装置のパッケージ構造 |
JPH10284515A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Murata Mfg Co Ltd | ダイボンディング方法およびそれを用いた電子部品の実装構造 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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