JPH05109786A - 半導体チツプの実装構造 - Google Patents

半導体チツプの実装構造

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JPH05109786A
JPH05109786A JP26985691A JP26985691A JPH05109786A JP H05109786 A JPH05109786 A JP H05109786A JP 26985691 A JP26985691 A JP 26985691A JP 26985691 A JP26985691 A JP 26985691A JP H05109786 A JPH05109786 A JP H05109786A
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JP
Japan
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semiconductor chip
frame
shaped pedestal
circuit board
die
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Withdrawn
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JP26985691A
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English (en)
Inventor
Eiko Uehara
永子 上原
Hiroyuki Otaguro
浩幸 太田黒
Akiko Matsui
亜紀子 松井
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回路基板に半導体チップを実装する構造に関
し、リードパッドがブリッジする恐れが少なく、また放
熱性が良好で、且つ半導体チップの取外し作業が容易な
半導体チップの実装構造を提供することを目的とする。 【構成】 回路基板5の上面に形成したダイパッド6上
に、半導体チップ1の平面視形状に相似でそれよりも小
さい外形寸法の、金属よりなる枠形台座10を形成し、枠
形台座10に着座した半導体チップ1が、枠形台座10内に
充填された導電性接着剤18により、ダイボンデングされ
た構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、回路基板に半導体チッ
プを実装する構造に関するものである。近年は電子装置
の高速化,小型化の要求に伴い、高集積度の半導体チッ
プを、回路基板上に多数近接して高密度に実装するよう
になっている。
【0002】
【従来の技術】図4は従来例の断面図である。図4にお
いて、半導体チップ1を実装する回路基板5には、所望
の位置に半導体チップ1の平面視形状よりもわずかに大
きい角形のダイパッド6を設け、それぞれのダイパッド
6を取り囲むように、リードパッド7を配列させてい
る。
【0003】そして、ダイパッド6上にペースト状の導
電性接着剤8を、スクリーン印刷するか或いはデイスペ
ンサを用いて塗布した後に、裏面にニッケル,金等をメ
タライズした半導体チップ1を載置し、導電性接着剤8
を加熱(150℃で約30分) し硬化させて、半導体チップ
1を回路基板5にダイボンデングしている。
【0004】次に、インナリードを半導体チップの電極
に接続したテープキャリア2のアウタリードを、対応す
るリードパッド7に熱圧着することで、半導体チップ1
を回路基板5にフェースアップに実装している。
【0005】従来は上述のように半導体チップを導電性
接着剤を用いてダイボンデングして、半導体チップの熱
を導電性接着剤ーダイパッドを経て回路基板に伝達さ
せ、回路基板から外部に放出させている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで導電性接着剤
は他の接着剤に較べて熱伝導率が大きいといっても、金
属等に較べると熱伝導率が非常に小さい。即ち、従来の
実装構造は半導体チップの放熱性が不十分であるという
問題点があった。
【0007】また、半導体チップを高密度に実装するた
めに、リードパッドを出来得る限りダイパッドに近接し
て形成している。このためにペースト状の導電性接着剤
をダイパッドに塗布し、半導体チップでこの導電性接着
剤を押しつけると導電性接着剤がダイパッドを外れて流
出し、リードパッドをブリッジさせるという問題点があ
った。
【0008】一方、回路基板に半導体チップを実装後の
検査において、半導体チップの特性不良, 接続不良等が
発見されると半導体チップを交換している。この際、従
来構造は高さが低い半導体チップが回路基板に密接して
固着されているために、半導体チップを回路基板から剥
離することが非常に困難であった。
【0009】本発明はこのような点に鑑みて創作された
もので、リードパッドがブリッジする恐れが少なく、ま
た放熱性が良好で、且つ半導体チップの取外し作業が容
易な半導体チップの実装構造を提供することを目的とし
ている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図1に例示したように、回路基板5の上
面に形成したダイパッド6上に、半導体チップ1の平面
視形状に相似でそれよりも小さい外形寸法の、金属より
なる枠形台座10を形成する。
【0011】そして、枠形台座10に着座した半導体チッ
プ1が、枠形台座10内に充填された導電性接着剤18によ
り、ダイボンデングされた構成とする。或いは図2に例
示したように、枠形台座10の所望の個所に欠切12を設
け、この枠形台座10内に導電性接着剤18を充填して、半
導体チップ1を回路基板5にダイボンデングする構成と
する。
【0012】或いはまた、図3に例示したように、枠形
台座10の高さに等しい高さの金属よりなる台柱15を枠形
台座10内に配設し、この台柱15を除いた枠形台座10内に
導電性接着剤18を充填して、半導体チップ1を回路基板
5にダイボンデングする構成とする。
【0013】
【作用】本発明によれば、半導体チップの裏面が熱伝導
率が大きい枠形台座に密接している。したがって、半導
体チップの熱の大部分が枠形台座ーダイパッドを経て回
路基板に効率良く伝達されるので、半導体チップの放熱
性が向上する。
【0014】また、半導体チップをダイボンデングする
導電性接着剤は枠形台座内に充填されたものである。し
たがって、導電性接着剤がリードパッドまで流出するこ
とが阻止される。
【0015】一方、枠形台座は半導体チップより小さい
ので、半導体チップの周縁部裏面と回路基板のとの間に
は間隙がある。したがってこの間隙に工具を差し込むこ
とで、不良の半導体チップを回路基板から容易に剥離で
きる。
【0016】図2に図示した枠形台座に欠切を設けた発
明によれば、必要以上に多量に枠形台座内に充填された
導電性接着剤は、欠切部分から滲みでる。即ち、半導体
チップが導電性接着剤で持ち上がり枠形台座の上面から
浮き上がることなくなる。このことにより半導体チップ
の裏面が密接に枠形台座の上面に密着するので、半導体
チップの冷却の信頼度が高い。
【0017】一方、枠形台座に導電性接着剤が充満して
いないとダイボンデングの接着強度が不十分になる恐れ
がある。この際、枠形台座に欠切を設け、欠切部分から
導電性接着剤が滲み出るようにすることで、枠形台座内
に導電性接着剤が充満していることを確認し得る。
【0018】或いはまた、図3に図示したように枠形台
座内に台柱を設けた発明とすることで、半導体チップの
放熱性がさらに向上する。
【0019】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【0020】図1は本発明の実施例の図で、(A) は断面
図、(B) は回路基板の要所平面図、図2は本発明の他の
実施例の図で、(A) は断面図、(B) は回路基板の要所平
面図、図3は本発明のさらに他の実施例の図で、(A) は
断面図、(B) は回路基板の要所平面図である。
【0021】図1において、半導体チップ1を実装する
回路基板5には、所望の位置に半導体チップ1の平面視
形状にほぼ等しい小さい角形のダイパッド6を設け、そ
れぞれのダイパッド6を取り囲むように、リードパッド
7を配列させている。
【0022】10は、半導体チップ1の平面視形状に相似
でそれよりも小さい外形寸法の、銅等をダイパッド6上
にめっきして形成した枠形台座であって、その厚さは20
μm前後である。
【0023】そして、枠形台座10内にペースト状の導電
性接着剤18をデイスペンサを用いて充填した後に、裏面
にニッケル,金等をメタライズした半導体チップ1を枠
形台座10上に載置し、導電性接着剤18を加熱(150 ℃で
約30分) し硬化させて、半導体チップ1を枠形台座10上
即ち回路基板5にダイボンデングしている。
【0024】また、インナリードを半導体チップの電極
に接続したテープキャリア2のアウタリードを、対応す
るリードパッド7に熱圧着して半導体チップ1を回路基
板5にフェースアップに実装している。
【0025】本発明は上述のように半導体チップ1の裏
面が熱伝導率が大きい銅めっき層等よりなる枠形台座10
に密接している。したがって、半導体チップ1の熱の大
部分が枠形台座10ーダイパッド6を経て回路基板5に効
率良く伝達され、回路基板5から外部に放出される。ま
た一部の熱は導電性接着剤18ーダイパッド6を経て回路
基板5に伝達される。
【0026】また、半導体チップ1をダイボンデングす
る導電性接着剤18は枠形台座10内に充填されているの
で、導電性接着剤18がリードパッド7まで流出すること
が阻止される。
【0027】一方、枠形台座10は半導体チップ1より小
さいので、半導体チップの周縁部裏面と回路基板のとの
間隙に、工具を差し込むことで不良の半導体チップを回
路基板から容易に剥離することができる。
【0028】図2において、半導体チップ1を実装する
回路基板5には、所望の位置に半導体チップ1の平面視
形状にほぼ等しい小さい角形のダイパッド6を設け、そ
れぞれのダイパッド6を取り囲むように、リードパッド
7(平面図においては図示省略)を配列させている。
【0029】半導体チップ1の平面視形状に相似でそれ
よりも小さい外形寸法の、銅等をダイパッド6上にめっ
きして枠形台座10を形成している。そしてこの枠形台座
10の各辺の所望の位置に細幅の欠切12を設けている。
【0030】上述のような欠切12を有する枠形台座10内
にペースト状の導電性接着剤18をデイスペンサを用いて
充填した後に、裏面にニッケル,金等をメタライズした
半導体チップ1を枠形台座10上に載置し、導電性接着剤
18を硬化させて、半導体チップ1を枠形台座10上にダイ
ボンデングしている。
【0031】また、テープキャリア2のアウタリード
を、対応するリードパッド7に熱圧着して半導体チップ
1を回路基板5にフェースアップに実装している。上述
のように欠切12を枠形台座10に設けているので、必要以
上に多量に枠形台座10に充填された導電性接着剤18は、
欠切12部分から枠形台座10の外に滲みでる。よって、半
導体チップ1の裏面が密接に枠形台座10の上面に密着す
る。したがって、半導体チップの冷却の信頼度が高い。
【0032】一方、欠切12部分から導電性接着剤18が滲
み出るように多量に導電性接着剤18を枠形台座10内に充
填することで、半導体チップ1の裏面の枠形台座10内に
対応する全面が、導電性接着剤18に密着することにな
る。したがって、ダイボンデングの接着強度が保証され
る。
【0033】図3に図示したものは、枠形台座10内に、
高さが枠形台座10の高さに等しい角形の台柱15を、めっ
き等してマトリックス状に配設したものである。このよ
うに枠形台座10内に台柱15を設け、枠形台座10上に導電
性接着剤18を用いて半導体チップ1をダイボンデングす
ると、半導体チップ1の裏面の要所要所が台柱15の端面
に密接する。したがって半導体チップの放熱性がさらに
良好となる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ダイパッ
ド上に金属よりなる枠形台座を設け、この枠形台座内に
導電性接着剤を充填し、半導体チップをダイボンデング
したもので、ダイパッド周辺に近接してリードパッドを
設け、半導体チップを高密度に回路基板に搭載しても、
リードパッド或いは半導体チップのリードがブリッジす
る恐れが少なく、また半導体チップの放熱性が良好であ
るという、実用上で優れた効果を有する。
【0035】さらにまた、枠形台座の外形寸法を半導体
チップの平面視寸法よりも小さくしてあるので、半導体
チップの取外し作業が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例の図で、 (A) は断面図 (B) は回路基板の要所平面図
【図2】 本発明の他の実施例の図で、 (A) は断面図 (B) は回路基板の要所平面図
【図3】 本発明のさらに他の実施例の図で、 (A) は断面図 (B) は回路基板の要所平面図
【図4】 従来例の断面図
【符号の説明】
1 半導体チップ、 2 テープ
キャリア、5 回路基板、
6 ダイパッド、7 リードパッド、 10 枠
形台座、12 欠切、 15
台柱、8,18 導電性接着剤、

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路基板(5) の上面に形成したダイパッ
    ド(6)上に、半導体チップ(1) の平面視形状に相似でそ
    れよりも小さい外形寸法の、金属よりなる枠形台座(10)
    を形成し、 該枠形台座(10)に着座した該半導体チップ(1) が、該枠
    形台座(10)内に充填された導電性接着剤(18)により、ダ
    イボンデングされてなることを特徴とする半導体チップ
    の実装構造。
  2. 【請求項2】 枠形台座(10)の所望の個所に欠切(12)を
    設けたこと特徴とする請求項1記載の半導体チップの実
    装構造。
  3. 【請求項3】 枠形台座(10)の高さに等しい高さの金属
    よりなる台柱(15)を、該枠形台座(10)内に配設したこと
    を特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体チップ
    の実装構造。
JP26985691A 1991-10-18 1991-10-18 半導体チツプの実装構造 Withdrawn JPH05109786A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001059828A2 (de) * 2000-02-14 2001-08-16 Epcos Ag Bauelement mit konstant verspannter verklebung und verfahren zur verklebung
JP2005519471A (ja) * 2002-02-28 2005-06-30 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 積層ダイ半導体装置
JP2007059581A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Konica Minolta Opto Inc 固体撮像装置及びカメラモジュール
JP2007268875A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Kyocera Corp Ledプリントヘッド
JP2008218932A (ja) * 2007-03-08 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子搭載用基板およびその製造方法
JP2012038921A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Fujikura Ltd 半導体装置
JP2014165397A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Kyocera Corp 撮像素子及び撮像装置
JP2016092226A (ja) * 2014-11-05 2016-05-23 トヨタ自動車株式会社 半導体装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001059828A2 (de) * 2000-02-14 2001-08-16 Epcos Ag Bauelement mit konstant verspannter verklebung und verfahren zur verklebung
WO2001059828A3 (de) * 2000-02-14 2002-02-28 Epcos Ag Bauelement mit konstant verspannter verklebung und verfahren zur verklebung
JP2005519471A (ja) * 2002-02-28 2005-06-30 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 積層ダイ半導体装置
JP2007059581A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Konica Minolta Opto Inc 固体撮像装置及びカメラモジュール
JP2007268875A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Kyocera Corp Ledプリントヘッド
JP2008218932A (ja) * 2007-03-08 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子搭載用基板およびその製造方法
JP2012038921A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Fujikura Ltd 半導体装置
JP2014165397A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Kyocera Corp 撮像素子及び撮像装置
JP2016092226A (ja) * 2014-11-05 2016-05-23 トヨタ自動車株式会社 半導体装置

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Effective date: 19990107