JP6521695B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態に係るウエーハの加工方法を図面に基いて説明する。図1は、実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象であるウエーハの斜視図である。図2は、図1に示されたウエーハの要部の断面図である。
P 機能層
L 分割予定ライン
D デバイス
DT デバイスチップ
R レーザー加工溝
W ウエーハ
WS 表面
WR 裏面
LA レーザー光線
LP レーザー光線
KS 補助改質層(改質層)
KM 主改質層(改質層)
Claims (1)
- 基板の表面に積層された機能層が格子状に形成された分割予定ラインによって区画され、区画された領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
該機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該分割予定ラインに沿ったレーザー加工溝で該機能層を分断する溝形成ステップと、
基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って複数回照射し、基板の内部に破断起点となる改質層を基板の厚さ方向に間隔をあけて複数層形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに外力を付与し該改質層を破断起点としてウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備え、
該改質層形成ステップは、
該レーザー加工溝の近傍且つ直下に補助改質層を形成する補助改質層形成ステップと、
該補助改質層形成ステップを実施した後、該補助改質層よりウエーハの裏面側に主改質層を形成する主改質層形成ステップと、からなり、
該主改質層から伸展する亀裂を、該補助改質層が該レーザー加工溝へ案内するとともに、
該補助改質層形成ステップでは、該機能層と該基板に形成された該機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線の熱の影響を受けた領域と、受けていない領域とに亘って該補助改質層を形成することを特徴とするウエーハの加工方法。
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