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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und ein
Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers.
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Herkömmlich wird
ein Bearbeitungsobjekt, wie beispielsweise ein Halbleiterwafer,
mit Hilfe eines Laserstrahls vereinzelt, d.h. geschnitten und getrennt.
Dieses Laservereinzelungsverfahren ist beispielsweise in der japanischen
Patentanmeldung Nr. 3408805 offenbart. Bei diesem Verfahren wird
der Laserstrahl derart auf das Bearbeitungsobjekt, wie beispielsweise
einen Wafer, gestrahlt, dass er auf einen Punkt innerhalb des Objekts
fokussiert ist. Auf diese Weise wird durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt
des Laserstrahls ein Umformungsabschnitt innerhalb des Objekts gebildet.
Der Umformungsabschnitt weist eine Bruchstelle, einen Schmelzbereich
oder einen Bereich auf, an dem ein Brechungsindex geändert ist.
Der Umformungsabschnitt bildet einen Vereinzelungsstartpunkt, der
entlang einer Vereinzelungslinie des Objekts gebildet und einen
vorbestimmten Abstand von der Oberfläche des Objekts entfernt innerhalb
des Objekts angeordnet ist. Der Laserstrahl wird auf die Oberfläche des
Objekts gestrahlt. Das Objekt wird von dem Startpunkt an vereinzelt.
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Ein
weiteres Verfahren ist beispielsweise in der JP-A-2002-205180 offenbart.
Bei diesem Verfahren wird ein Laserstrahl derart auf ein Bearbeitungsobjekt
gestrahlt, dass er auf einen Punkt innerhalb des Objekts fokussiert
ist. Ein Umformungsabschnitt wird innerhalb des Objekts entlang
einer Schnittlinie des Objekts gebildet. Ferner wird der Brennpunkt
des Laserstrahls in seiner Einfallsrichtung geändert, so dass eine Mehrzahl
von Umformungsabschnitten entlang der Einfallsrichtung in dem Objekt
gebildet werden. Bei diesem Verfahren werden eine Mehrzahl von Startpunkten
gebildet. Folglich kann das Objekt leicht vereinzelt werden, wenn
das Objekt eine hohe Dicke aufweist.
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Ein
weiteres Verfahren zum Vereinzeln eines Objekts ist beispielsweise
in der JP-A-2005-1001 offenbart. Bei diesem Verfahren wird ein dehnbarer Film
auf einer Seite des eine Plattenform aufweisenden Objekts, wie beispielsweise
eines Substrats, gebildet. Die andere Seite des Objekts ist eine
Laserstrahleinfallsoberfläche.
Der Laserstrahl wird derart auf die andere Seite des Objekts gestrahlt,
dass er auf einen Punkt innerhalb des Objekts fokussiert ist. Folglich
wird der Umformungsabschnitt derart gebildet, dass der Vereinzelungsstartpunkt
durch den Umformungsabschnitt entlang einer Schnittlinie des Objekts
vorgesehen ist. Der Startpunkt ist einen vorbestimmten Abstand von
der Laserstrahleinfallsoberfläche
entfernt innerhalb des Objekts angeordnet. Anschließend wird
der Film derart gedehnt, dass das Objekt von dem Startpunkt an getrennt
und geschnitten wird. Auf diese Weise wird das Objekt in eine Mehrzahl
von Chips geteilt. Da der Film bei dem Vereinzeln des Objekts gedehnt
wird, wird eine geeignete Zugspannung um den Startpunkt herum aufgebracht.
Folglich wird das Objekt mit einer verhältnismäßig geringen Kraft genau geschnitten.
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Bei
den obigen Verfahren kann ein Partikel, wie beispielsweise ein kleiner
Splitter aus einer Schnittoberfläche,
d.h. einer Vereinzelungsoberfläche,
abgetrennt werden, wenn das Objekt von dem Umformungsabschnitt als
Startpunkt an geschnitten wird, oder nachdem das Objekt geschnitten
wurde. Das Partikel ist aus einer Komponente des Objekts gebildet
und erzeugt Staub.
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Wenn
Staub an einer auf einem Chip gebildeten Halbleitervorrichtung anhaftet,
kann dies zu einer Fehlfunktion der Halbleitervorrichtung führen. Hierdurch
wird sowohl die Ausbeute des Chips als auch die Qualität des Chips
verringert.
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Wenn
beispielsweise ein monolithischer IC als Halbleitervorrichtung auf
dem Chip gebildet ist, kann das Partikel dann, wenn es an dem Halbleiterelement
oder an einer Verdrahtung in dem monolithischen IC anhaftet, einen
Kurzschluss verursachen.
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Wenn
ein Sensor, wie beispielsweise ein Drucksensor, ein Beschleunigungssensor
oder ein Ultraschallsensor, der aus einem piezoelektrischen Element
und/oder einem Kondensator aufgebaut ist, oder eine Mikromaschine
mit Hilfe eines MEMS-Verfahrens (MEMS = Micro-Electro-Mechanical
System) auf dem Chip gebildet ist, kann das Partikel dann, wenn
es an einem beweglichen Abschnitt, der Teil des Sensors oder der
Mikromaschine ist, anhaftet, verhindern, dass sich der bewegliche
Abschnitt verschieben kann. Folglich wird die Leistung wie beispielsweise
die Empfindlichkeit des Sensors oder der Mikromaschine verringert.
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Ein
Vereinzelungsfilm, d.h. ein Vereinzelungssheet, ist beispielsweise
in der JP-A-2003-10986 offenbart. Der Vereinzelungsfilm ist an eine
Rückseite
eines eine Plattenform aufweisenden Wafers geklebt, der als Bearbeitungsobjekt dient.
Der Wafer sieht ein Piezoelement vor. Der Wafer wird mit Hilfe eines
Laserstrahls vereinzelt. Insbesondere wird der Wafer von einem Umformungsabschnitt
als Startpunkt an geschnitten und getrennt. Wenn der Wafer in eine
Mehrzahl von Piezoelementchips geteilt wird, schützt der Vereinzelungsfilm die Chips
davor, bespritzt zu werden.
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Der
Vereinzelungsfilm besteht aus einem Harzband mit einem Klebvermögen. Insbesondere weist
eine Seite des Vereinzelungsfilms ein derartiges Klebvermögen auf,
dass die eine Seite an dem Wafer haftet. Gewöhnlich wird der Umfang des
Vereinzelungsfilms derart von einer Halterung gehalten, dass eine
bestimmte Spannung an dem Vereinzelungsfilm anliegt. Anschließend wird
die Halterung mit dem Vereinzelungsfilm an einem Basistisch befestigt
und der Laserstrahl auf den Wafer gestrahlt, der auf dem Vereinzelungsfilm
angeordnet ist. Folglich wird der Umformungsabschnitt derart in
dem Wafer gebildet und der Wafer anschließend derart mit einem Druck
beaufschlagt, dass er von der Rückseite des
Vereinzelungsfilms nach oben gedrückt wird. Folg lich wird ein
Bruch bzw. eine Bruchstelle an dem als der Startpunkt dienenden
Umformungsabschnitt erzeugt und vergrößert sich die Bruchstelle derart, dass
der Wafer geschnitten und getrennt wird.
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In
diesem Fall wird das Partikel, das von der Vereinzelungsoberfläche des
Wafers abgetrennt wird, durch ein Absorptionsmittel absorbiert.
Folglich wird der Staub, d.h. das Partikel von der Vereinzelungsoberfläche, von
dem Wafer entfernt. Das Absorptionsmittel absorbiert das Partikel
von der Oberfläche
des Wafers. Folglich ist der Luftstrom, der durch das Absorptionsmittel
zum Absorbieren des Partikels erzeugt wird, nach aufwärts des
Wafers gerichtet. Folglich kann es passieren, dass das von dem Absorptionsmittel
zu absorbierende Partikel über
den Wafer treibt. Folglich wird das über den Wafer treibende Partikel
in einem derart weiten Bereich verteilt, dass es sich auf dem Wafer
oder auf dem Chip verteilt. Folglich werden die Ausbeute des Chips
und die Qualität
des Chips reduziert.
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Ferner
ist es schwierig, das Partikel vollständig zu absorbieren. Folglich
kann es passieren, dass das restliche Partikel an dem Wafer oder
an dem Chip anhaftet, so dass die Ausbeute des Chips und die Qualität des Chips
verringert werden. Dieses Partikel wird nicht einzig in einem Schritt
zum Vereinzeln des Wafers, sondern ebenso in einem Laserabtragungsschritt
erzeugt.
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Es
ist angesichts des vorstehend beschriebenen Problems Aufgabe der
vorliegenden Erfindung, eine durch Trennen aus einem Wafer gewonnene
Vorrichtung bereitzustellen. Es ist ferner Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen. Es ist ferner
Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Vereinzelungssheet bereitzustellen.
Es ist ferner Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vereinzelungsvorrichtung
bereitzustellen. Es ist ferner Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers bereitzustellen. Es ist
ferner Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Vereinzeln
eines Wafers bereitzustellen. Es ist ferner Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, ein Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats
bereitzustellen.
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Gemäß einer
ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist eine durch
Trennen aus einem Wafer gewonnene Vorrichtung auf: einen Chip mit
einer Seitenwand, die dann durch eine Vereinzelungsoberfläche des
Wafers vorgesehen ist, wenn die Vorrichtung durch Trennen aus dem
Wafer gewonnen ist; und ein Schutzelement, das an der Seitenwand
des Chips angeordnet ist, um den Chip davor zu schützen, durch
Staub von der Vereinzelungsoberfläche verunreinigt zu werden.
In diesem Fall wird verhindert, dass ein Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des
Wafers abgetrennt wird. Hierbei wird die Vereinzelungsoberfläche des
Wafers dann, wenn der Chip durch Trennen aus dem Wafer gewonnen
wird, derart mit dem Schutzelement bedeckt, dass verhindert wird,
dass das Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers abgetrennt wird. Nachdem
der Chip durch Trennen aus dem Wafer gewonnen ist, ist die Vereinzelungsoberfläche des Wafers
ferner derart mit dem Schutzelement bedeckt, dass verhindert wird,
dass das Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers abgetrennt wird.
Hierdurch werden eine Ausbeute und eine Qualität des Chips verbessert.
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Gemäß einer
zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren
zur Bearbeitung eines Wafers die folgenden Schritte: Teilen des
Wafers in eine Mehrzahl von Chips; und Bedecken einer Seitenwand
jedes Chips mit einem Schutzelement zum Schützen des Chips vor einer Verunreinigung
durch Staub von einer Vereinzelungsoberfläche des Wafers. Bei diesem
Verfahren wird die Seitenwand des Chips mit dem Schutzelement bedeckt,
wenn der Chip von dem Wafer getrennt wird. Auf diese Weise wird
verhindert, dass ein Partikel von der Seitenwand des Chips, welche
der Vereinzelungsoberfläche
des Wafers entspricht, abgetrennt wird, wenn der Chip durch Trennen
aus dem Wafer gebildet wird oder nachdem der Chip durch Trennen aus
dem Wafer gebildet wurde. Folglich werden die Ausbeute und Qualität des Chips
verbessert.
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Gemäß einer
dritten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist eine Halbleitervorrichtung auf:
einen Vereinzelungsfilm; einen Halbleiterwafer, der auf dem Vereinzelungsfilm
angeordnet ist, wobei der Wafer entlang einer Schnittlinie in eine
Mehrzahl von Chips geteilt werden kann; ein Schutzelement, das auf
einem Teil des Wafers angeordnet ist, der die Schnittlinie des Wafers
bedeckt, wobei der Teil des Wafers auf der gegenüberliegenden Seite des Vereinzelungsfilms
liegt; und eine Mehrzahl von Umformungsabschnitten, die entlang
der Schnittlinie in dem Wafer angeordnet sind. In diesem Fall wird
verhindert, dass ein Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des
Wafers abgetrennt wird. Folglich werden die Ausbeute und Qualität des Chips
verbessert.
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Gemäß einer
vierten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist ein Vereinzelungssheet auf:
einen Vereinzelungsfilm, der an einem Plattenobjekt haften kann,
das in eine Mehrzahl von Chips zu trennen ist, wobei der Vereinzelungsfilm
die Chips auf seiner Oberfläche
halten kann, nachdem das Plattenobjekt in die Chips getrennt wurde;
und ein erstes Durchgangsloch, das in einem Teil des Vereinzelungsfilms
angeordnet ist, welcher dem Plattenobjekt entspricht. In diesem
Fall wird ein Partikel selbst dann, wenn es aus einer Vereinzelungsoberfläche des
Plattenobjekts erzeugt wird, über
das erste Durchgangsloch von dem Objekt entfernt. Auf diese Weise
wird verhindert, dass das Partikel über das Plattenobjekt treibt,
so dass es sich nicht auf dem Plattenobjekt verteilt. Folglich werden
die Ausbeute und Qualität
des Chips verbessert.
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Gemäß einer
fünften
Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zum
Vereinzeln eines Wafers die folgenden Schritte: Kleben des Vereinzelungssheets
an das Plattenobjekt; Strahlen eines Laserstrahls entlang einer
Schnittlinie des Plattenobjekts auf das Plattenobjekt, so dass ein Umformungsabschnitt
durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls in dem
Plattenobjekt gebildet wird; Schneiden des Plattenobjekts von dem Umformungsabschnitt
als Startpunkt des Schneidens an; und Absorbieren eines aus einer
Schnittoberflä che
des Plattenobjekts erzeugten Partikels durch das erste Durchgangsloch
des Vereinzelungsfilms, so dass das Partikel zu einer Rückseite
des Vereinzelungsfilms absorbiert wird, wobei die Rückseite
des Vereinzelungsfilms auf der gegenüberliegenden Seite des Plattenobjekts
liegt. In diesem Fall wird verhindert, dass das Partikel über das
Plattenobjekt treibt, so dass es nicht auf dem Plattenobjekt verteilt
wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips
verbessert.
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Gemäß einer
sechsten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren
zum Vereinzeln eines Wafers die folgenden Schritte: Kleben des Vereinzelungssheets
auf das Plattenobjekt; Strahlen eines Laserstrahls entlang einer
Schnittlinie des Plattenobjekts auf das Plattenobjekt, so dass ein Umformungsabschnitt
durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls in dem
Plattenobjekt gebildet wird; Schneiden des Plattenobjekts von dem Umformungsabschnitt
als Startpunkt des Schneidens an; und Absorbieren eines durch Strahlen
des Laserstrahls erzeugten Partikels beim Strahlen des Laserstrahls
durch das erste und/oder zweite Durchgangsloch des Vereinzelungsfilms,
so dass das Partikel zu einer Rückseite
des Vereinzelungsfilms absorbiert wird, wobei die Rückseite
des Vereinzelungsfilms auf der gegenüberliegenden Seite des Plattenobjekts liegt.
In diesem Fall wird verhindert, dass das Partikel über das
Plattenobjekt treibt, so dass das Partikel nicht auf dem Plattenobjekt
verteilt wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips
verbessert.
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Gemäß einer
siebten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist eine Vereinzelungsvorrichtung
zum Teilen eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips
auf: einen Vereinzelungsfilm, auf dem das Halbleitersubstrat angeordnet
ist; ein Laserelement zum Strahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat,
um einen Umformungsabschnitt in dem Substrat zu Bilden; und eine
Ausdehnungsvorrichtung zum Befestigen des Vereinzelungsfilms und zum
Dehnen des Vereinzelungsfilms zum Teilen des Substrats in die Chips.
Der Vereinzelungsfilm ist derart an der Ausdehnvorrichtung befestigt,
dass das Substrat auf dem Vereinzelungsfilm abwärts angeordnet ist, so dass
ein Partikel frei nach unten fällt, und
so dass das Partikel von einer Vereinzelungsoberfläche des
Substrats entfernt bzw. zurückgeholt wird.
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Bei
dieser Vorrichtung fällt
das Partikel frei nach unten, so dass es von der Oberfläche des
Substrats entfernt wird. Auf diese Weise wird verhindert, dass das
Partikel an dem Substrat haftet. Folglich werden die Ausbeute und
die Qualität
der Chips verbessert.
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Gemäß einer
achten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren
zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips
die folgenden Schritte: Kleben eines Halbleitersubstrats an einen
Vereinzelungsfilm; Strahlen eines Laserstrahls auf das Substrat,
um einen Umformungsabschnitt in dem Substrat zu bilden; und Dehnen
des Substrats über
den Vereinzelungsfilm, um das Substrat in die Chips zu teilen. Bei
dem Dehnen des Substrats ist der Vereinzelungsfilm derart an einer
Ausdehnungsvorrichtung befestigt, dass das Substrat auf dem Vereinzelungsfilm
abwärts
angeordnet wird, so dass ein Partikel frei nach unten fällt, und
so dass das Partikel von einer Vereinzelungsoberfläche des
Substrats entfernt wird.
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Bei
diesem Verfahren fällt
das Partikel frei nach unten, so dass das Partikel von der Oberfläche des
Substrats entfernt wird. Auf diese Weise wird verhindert, dass das
Partikel an dem Substrat haftet. Folglich werden die Ausbeute und
die Qualität
der Chips verbessert.
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Die
obigen und weitere Aufgaben, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden
Erfindung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung,
die unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung gemacht wurde,
näher ersichtlich
sein. In der Zeichnung zeigt/zeigen:
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1A eine
Draufsicht zur Veranschaulichung eines Verfahrens zur Bearbeitung
eines Wafers mit einem Laserstrahl, und
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1B eine
Querschnittsansicht des Wafers entlang der Linie IB-IB der 1A;
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2 eine
Querschnittsansicht des Wafers entlang der Linie II-II der 1A;
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3A und 3B Querschnittsansichten zur
Veranschaulichung des Verfahrens zur Bearbeitung des Wafers;
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4A eine
Draufsicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung
eines Wafers mit einem Laserstrahl, und 4B eine Querschnittsansicht
des Wafers entlang der Linie IVB-IVB der 4A;
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5A eine
Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens
zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl, und 5B eine
Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens
zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Laserstrahl;
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6A eine
Draufsicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung
eines Wafers mit einem Laserstrahl, und 6B eine Querschnittsansicht
des Wafers entlang der Linie VIB-VIB der 6A;
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7A eine
Draufsicht zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung
eines Wafers mit einem Laserstrahl, und 7B eine Querschnittsansicht
des Wafers entlang der Linie VIIB-VIIB der 7A;
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8A bis 8C schematische
Ansichten zur Veranschaulichung eines Verfahrens zur Bearbeitung
eines Chips;
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9A bis 9C schematische
Ansichten zur Veranschaulichung eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung
eines Chips;
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10A eine Draufsicht auf ein Dehnungsband zusammen
mit einem Wafer, und 10B eine teilweise vergrößerte Draufsicht
auf einen Teil XB des Bandes der 10A;
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11A und 11B teilweise
vergrößerte Draufsichten
auf weitere Dehnungsbänder;
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12A und 12B Draufsichten
auf weitere Dehnungsbänder;
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13A eine Querschnittsansicht eines Durchgangslochs
in dem Dehnungsband entlang der Linie IVA-IVA der 13B, 13B eine
teilweise vergrößerte Draufsicht
auf ein Dehnungsband, 13C eine
Querschnittsansicht eines weiteren Durchgangslochs in dem Dehnungsband
entlang der Linie IVC–IVC
der 13D, und 13D eine
teilweise vergrößerte Draufsicht
auf ein Dehnungsband;
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14A und 14B Draufsichten
auf weitere Dehnungsbänder;
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15A eine schematische Querschnittsansicht zur
Veranschaulichung eines Umformungsschritts und eines vorläufigen Absorptionsschritts
in einem Laservereinzelungsprozess, 15B eine Querschnittsansicht
des Dehnungsbandes mit dem Wafer aus einer Richtung XVB der 15A, und 15C eine
schematische Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines Schnittschritts
und eines Absorptionsschritts in dem Laservereinzelungsprozess;
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16 eine
Querschnittsansicht einer Ausdehnungsvorrichtung;
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17 eine
auseinander gezogene Perspektivansicht der Ausdehnungsvorrichtung
der 16;
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18A bis 18D Querschnittsansichten zur
Veranschaulichung eines Vereinzelungsprozesses mit Hilfe der Ausdehnungsvorrichtung;
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19 eine
Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines Schritts zur Befestigung
eines zweiten flachen Ringes auf einem Vereinzelungsfilm;
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20 eine
Querschnittsansicht des zweiten flachen Ringes zusammen mit dem
Vereinzelungsfilm;
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21 eine
Querschnittsansicht einer weiteren Ausdehnungsvorrichtung, die 18D entspricht;
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22 eine
Querschnittsansicht noch einer weiteren Ausdehnungsvorrichtung,
die 18D entspricht;
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23 eine
Querschnittsansicht zur Veranschaulichung eines Schritts zur Befestigung
eines Außenrings
auf einem Vereinzelungsfilm;
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24 eine
Querschnittsansicht des Doppelringrahmens zusammen mit dem Vereinzelungsfilm;
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25 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung
eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem
Laserstrahl;
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26 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung
eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem
Laserstrahl; und
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27 eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung
eines weiteren Verfahrens zur Bearbeitung eines Wafers mit einem
Laserstrahl.
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(Erste Ausführungsform)
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Die 1A, 1B und 2 zeigen
ein Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers. Insbesondere veranschaulichen
die 1A, 1B und 2 einen
Schritt zum Bilden eines Umformungsabschnitts durch Strahlen eines
Laserstrahls auf einen Wafer 10. Der Wafer 10,
wie beispielsweise ein Bulk-Siliziumwafer, besteht aus einem einkristallinen Bulk-Silizium
und weist eine Rückseite 10a auf.
Ein Vereinzelungsfilm 11, wie beispielsweise ein Vereinzelungssheet,
ein Vereinzelungsband oder ein dehnbares Band, ist auf der Rückseite 10a des
Wafers 10 gebildet.
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Der
Vereinzelungsfilm 11 besteht aus einem Plastikfilm. Der
Vereinzelungsfilm 11 kann durch eine Erwärmung und
durch Aufbringen einer Kraft in einer Dehnungsrichtung gedehnt werden.
Der Vereinzelungsfilm 11 ist über ein Klebemittel (nicht
gezeigt) an eine gesamte Fläche
der Rückseite
des Wafers 10 geheftet.
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Ein
Vorrichtungsbildungsbereich 10c ist an der Vorderseite 10b des
Wafers gebildet. In dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c ist
eine Halbleitervorrichtung (nicht gezeigt) gebildet. Die Halbleitervorrichtung
ist beispielsweise ein monolithischer IC, ein Halbleiterelement,
ein Sensor oder eine Mikromaschine. Der Sensor und die Mikromaschine
sind durch ein MEMS-Verfahren gebildet.
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Eine
Laserbearbeitungsvorrichtung (nicht gezeigt) weist eine Laserstrahlenquelle
(nicht gezeigt) zum Aussenden eines Laserstrahls L und einen Kondensor
CV auf. Die optische Achse OA des Laserstrahls L ist derart festgelegt,
dass sie senkrecht zur Oberfläche 10b des
Wafers 10 verläuft,
und der Laserstrahl L wird durch den Kondensor CV auf die Oberfläche 10b gestrahlt.
Die Oberfläche 10b des Wafers 10 bildet
hierbei eine Einfallsoberfläche
des Laserstrahls 11. Anschließend wird ein Brennpunkt, d.h.
ein Fokussierungspunkt P auf eine vorbestimmte Position in dem Wafer 10 ausgerichtet.
Der Laserstrahl L wird auf den Brennpunkt P fokussiert. Auf diese
Weise wird ein Umformungsabschnitt, d.h. eine Umformungsschicht
um den Brennpunkt P herum gebildet.
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Der
Laserstrahl L ist hierbei beispielsweise ein Laserstrahl mit einer
Wellenlänge
von 1064 Nanometern in einem Infrarotlichtbereich, der von einer YAG-Laservorrichtung
(YAG = Yttrium Aluminium Garnet) emittiert wird.
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Der
Umformungsabschnitt R weist einen Schmelzbereich auf, der durch
einen Mehrphotonenabsorptionseffekt geschmolzen wird. Der Mehrphotonenabsorptionseffekt
tritt auf eine Bestrahlung des Laserstrahls L hin auf.
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Es
wird insbesondere der Abschnitt um den Brennpunkt P in dem Wafer 10 herum
lokal durch den Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls L erwärmt, so
dass er geschmolzen wird. Anschließend erstarrt der geschmolzene
Abschnitt wieder. Auf diese Weise bildet der Abschnitt, der wieder
erstarrt, nachdem er geschmolzen wurde, den Umformungsabschnitt
R.
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Der
Schmelzbereich ist ein Bereich mit einer unterschiedlichen Kristallstruktur
oder ein Bereich, dessen Phase geändert wird. Insbesondere ist
der Schmelzbereich ein Bereich, dessen Material von einem Einkristallsilizium
zu einem amorphen Silizium geändert
wird, ein Bereich, dessen Material von Einkristallsilizium zu Polykristallsilizium
geändert
wird, oder ein Bereich, dessen Material von Einkristallsilizium
zu einem Gemisch aus amorphem Silizium und Polykristallsilizium
geändert
wird. Da der Wafer 10 ein Bulk-Siliziumwafer ist, besteht
der Umformungsabschnitt hauptsächlich
aus Polykristallsilizium.
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Der
Umformungsabschnitt wird nicht durch einen normalen Absorptionseffekt,
sondern durch den Mehrphotonenabsorptionseffekt gebildet. Bei dem
normalen Absorptionseffekt wird der Laserstrahl L in dem Wafer 10 absorbiert,
wodurch eine Erwärmung
des Materials erzielt wird.
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Der
Laserstrahl L wird im Wesentlichen nicht in einem Abschnitt absorbiert,
der sich von dem Abschnitt nahe dem Brennpunkt P in dem Wafer 10 unterscheidet,
d.h., der Laserstrahl L wird nahezu vollständig in dem Abschnitt nahe
dem Brennpunkt P absorbiert. Folglich wird die Oberfläche 10b des
Wafers 10 nicht geschmolzen und modifiziert.
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Die
Laserbearbeitungsvorrichtung strahlt den Laserstrahl L impulsweise
ab und scannt unter der Bedingung, dass die Tiefe des Brennpunkts
P von der Oberfläche 10b des
Wafers 10 konstant ist, mit dem Laserstrahl L. Folglich
wird der Brennpunkt P entlang einer Schnittlinie K, d.h. entlang
einer Vereinzelungslinie in Richtung einer Scanrichtung α gescannt.
Die Schnittlinie K ist linear und bildet eine Waferschnittlinie.
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Obgleich
die Laserbearbeitungsvorrichtung mit dem Laserstrahl L scannt, kann
eine Befestigungsbasis zum Befestigen des Wafers 10 unter
der Bedingung, dass die Strahlungsposition des Laserstrahls L konstant
ist, in eine Richtung bewegt werden, die entgegengesetzt zu der
Richtung α verläuft, die
senkrecht zu einer Einfallsrichtung des Laserstrahls L verläuft.
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Wenn
mit dem Laserstrahl L gescannt wird, oder wenn der Wafer 10 bewegt
wird, wird der Brennpunkt P folglich relativ zu dem Wafer 10 bewegt.
Es wird eine von Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc mit einer Mehrzahl
von Umformungsabschnitten R gebildet. In jeder Umformungsgruppe
Ga, Gb, Gc werden insbesondere eine Mehrzahl von Umformungsabschnitten
R in einer vorbestimmten Tiefe zu der Oberfläche 10b des Wafers 10 entlang
der Richtung α,
die parallel zu der horizontalen Richtung des Wafers 10 verläuft, gebildet.
Insbesondere sind die Umformungsabschnitte in jeder Gruppe Ga, Gb,
Gc von der Einfallsoberfläche
(d. h. der Oberfläche 10b)
des Laserstrahls L aus innerhalb des Wafers angeordnet. Die Umformungsabschnitte
R sind in einem vorbestimmten Intervall angeordnet bzw. ausgerichtet.
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Die
Tiefe des Brennpunkts P in dem Wafer 10 entspricht hierbei
einem Abstand zwischen der Oberfläche 10b des Wafers 10 und
dem Brennpunkt P.
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Die
Laserbearbeitungsvorrichtung kann die Tiefe des Brennpunkts P schrittweise ändern. Auf diese
Weise werden eine Mehrzahl von Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc der
Reihe nach entlang der Schnittlinie K des Wafers 10 gebildet.
Eine der Gruppen Ga, Gb, Gc ist in einer vorbestimmten Tiefe von
der Oberfläche 10b des
Wafers 10 angeordnet, entweder getrennt voneinander, benachbart
zueinander oder gegenseitig überlappend.
Die Tiefenrichtung des Wafers 10 entspricht hierbei einer
Dickenrichtung des Wafers 10, einer Querschnittsrichtung
des Wafers 10 und einer Richtung, die senkrecht zur Vorder-
bzw. Oberseite 10b und zur Rückseite 10a des Wafers 10 verläuft.
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Insbesondere
wird die Tiefe des Brennpunkts P des Laserstrahls L in der Tiefenrichtung, d.h.
in der Einfallsrichtung des Laserstrahls L, schrittweise geändert und
scannt der Laserstrahl L entlang der Scanrichtung α. Auf diese
Weise werden die Umformungsabschnitte R in jeder Gruppe Ga, Gb,
Gc ausgerichtet.
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Beispielsweise
wird zunächst
die Tiefe des Brennpunkts P auf einen Punkt in der Nähe der Rückseite 10a des
Wafers 10 festgelegt und der Laserstrahl L relativ zu dem
Wafer 10 bewegt. Auf diese Weise wird die erste Umformungsgruppe
Ga, die in einer untersten Schicht angeordnet ist, gebildet. Anschließend wird
die Tiefe des Brennpunkts P auf einen Punkt in der Mitte des Wafers 10 festgelegt
und der Laserstrahl L relativ zu dem Wafer 10 bewegt (gescannt).
Auf diese Weise wird die zweite Umformungsgruppe Gb, die sich in
der Mitte des Wafers 10 befindet, gebildet. Schließlich wird
die Tiefe des Brennpunkts P auf einen Punkt in der Nähe der Vorderseite 10b des
Wafers 10 festgelegt und der Laserstrahl L relativ zu dem
Wafer 10 bewegt. Auf diese Weise wird die dritte Umformungsgruppe
Gc, die sich in einer obersten Schicht befindet, gebildet.
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Obgleich
drei Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc in dem Wafer gebildet werden,
kann die Anzahl an Gruppen in Übereinstimmung
mit der Dicke des Wafers 10 festgelegt werden. Es können beispielsweise zwei
oder vier Umformungsgruppen in dem Wafer 10 gebildet werden.
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Vorzugsweise
werden die ersten drei Gruppen Ga, Gb, Gc in dieser Reihenfolge
gebildet. Insbesondere wird eine tiefere Gruppe von der Einfallsoberfläche des
Laserstrahls vor einer seichteren Gruppe gebildet.
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Wenn
beispielsweise eine seichtere Gruppe von der Einfallsoberfläche des
Laserstrahls L vor einer tieferen Gruppe gebildet wird, wird der
Laserstrahl L durch die seichtere Gruppe gestreut, wenn die tiefere
Gruppe gebildet wird. Insbesondere dann, wenn die dritte Gruppe
Gc vor der ersten Gruppe Ga gebildet wird, wird der Laserstrahl
L durch die dritte Gruppe Gc gestreut, wenn die erste Gruppe Ga
gebildet wird. Folglich können
die Umformungsabschnitte R in der tieferen Gruppe, d.h. der ersten Gruppe
Ga, nicht genau gebildet werden. Insbesondere kann es passieren,
dass die Abmessungen der Umformungsabschnitte R in der ersten Gruppe
Ga variieren, so dass die erste Gruppe Ga nicht homogen gebildet
werden kann.
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Wenn
eine tiefere Gruppe von der Einfallsoberfläche des Laserstrahls L jedoch
vor einer seichteren Gruppe gebildet wird, wird der Laserstrahl
L nicht gestreut, da kein Umformungsabschnitt R zwischen der Einfallsoberfläche des
Laserstrahls L und dem Brennpunkt P vorhanden sind. Folglich können die
Umformungsabschnitte in der seichteren Gruppe ohne ein Streuen des
Laserstrahls L gebildet werden. Auf diese Weise kann jede Gruppe
Ga, Gb, Gc homogen gebildet werden. Insbesondere dann, wenn die erste
Gruppe Ga vor der dritten Gruppe Gc gebildet wird, wird der Laserstrahl
L nicht durch die erste Gruppe Ga gestreut, wenn die dritte Gruppe
Gc gebildet wird. Folglich können
die Umformungsabschnitte R in der seichteren Gruppe, d.h. der dritten Gruppe
Gc, genau gebildet werden. Insbesondere sind die Abmessungen der
Umformungsabschnitte R in der dritten Gruppe Gc homogen, so dass
die dritte Gruppe Gc homogen gebildet ist.
-
Die
Reihenfolge zum Bilden der Gruppen Ga, Gb, Gc kann hierbei experimentell
bestimmt werden. Folglich können
die Um formungsabschnitte R in jeder Gruppe Ga, Gb, Gc selbst dann,
wenn die seichtere Gruppe von der Einfallsoberfläche des Laserstrahls L vor
der tieferen Gruppe gebildet wird, oder wenn die Gruppen Ga, Gb,
Gc in einer zufälligen Reihenfolge
gebildet werden, einen gewissen Grad an Homogenität aufweisen.
Folglich hängt
die Reihenfolge zum Bilden der Gruppen Ga, Gb, Gc von der erforderlichen
Genauigkeit ab.
-
Das
Verfahren zum Bilden der Gruppen Ga, Gb, Gc in dem Wafer 10 über eine Änderung
der Tiefe des Brennpunkts P läuft
wie folgt ab:
- 1. Ein Laserkopf, der aus einer
Laserstrahlenquelle und einem Kondensor CV besteht, wird derart in
vertikaler Richtung des Wafers 10 verschoben, dass die
Tiefe des Brennpunkts P geändert
wird;
- 2. Der Basistisch zum Befestigen des Wafers 10 wird
derart in vertikaler Richtung des Wafers 10 verschoben,
dass die Tiefe des Brennpunkts P geändert wird; oder
- 3. Sowohl der Laserkopf als auch der Basistisch werden derart
in vertikaler Richtung des Wafers 10 verschoben, dass die
Tiefe des Brennpunkts P geändert
wird.
-
Das
obige dritte Verfahren sieht verglichen mit dem obigen ersten und
zweiten Verfahren eine kurze Bearbeitungszeit vor. Bei dem obigen
dritten Verfahren wird der Laserkopf entgegengesetzt zur Verschiebung
des Basistisches verschoben.
-
Nachdem
die Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc in dem Wafer 10 gebildet
worden sind, wird ein thermoplastisches Element 12 an einem
Teil 10e der Oberfläche 10b des
Wafers 10 gebildet. Der Teil 10e der Oberfläche 10b bedeckt
die Schnittlinie K, und der Laserstrahl L wird auf den Teil 10e der
Oberfläche 10b gestrahlt.
Der Teil 10e der Oberfläche 10b überlappt
den Vorrichtungsbildungsbereich 10c nicht.
-
Das
thermoplastische Element 12 kann mit Hilfe eines beliebigen
Verfahrens auf dem Teil 10e der Oberfläche 10b gebildet werden.
Beispielsweise kann ein geschmolzenes thermoplastisches Material auf
das Teil 10e der Oberfläche 10b aufgebracht
und das geschmolzene thermoplastische Material anschließend derart
ausgehärtet
werden, dass das thermoplastische Element 12 gebildet wird.
Alternativ wird das thermoplastische Element 12 auf dem
Teil 10e der Oberfläche 10b gebondet
bzw. geklebt.
-
Die 3A und 3B zeigen
ein Verfahren zum Teilen des Wafers 10 und entsprechen
einem Querschnitt der 1A entlang der Linie IB-IB.
-
Der
Wafer 10 wird erwärmt
und derart angeordnet, dass die Oberfläche 10b nach oben
ausgerichtet ist. Folglich ist der wafer 10 horizontal
angeordnet und erstreckt sich der Vereinzelungsfilm 11 in horizontaler
Richtung bezüglich
der Schnittlinie K, d.h., beide Seiten des Vereinzelungsfilms 11 werden in
die beiden Richtungen β1, β2 gezogen.
In diesem Fall wird eine Zugspannung auf jede Gruppe Ga, Gb, Gc
aufgebracht.
-
Anschließend wird
eine Schubspannung in dem Wafer 10 erzeugt. Zunächst wird
eine Bruchstelle bzw. ein Bruch von der ersten Gruppe Ga an, die sich
in der untersten Schicht nahe dem Vereinzelungsfilm 11 befindet,
in Richtung der Oberfläche 10b erzeugt.
Die Bruchstelle wird insbesondere von der ersten Gruppe Ga als Startpunkt
an entlang der Tiefenrichtung zu der Oberfläche 10b gebildet.
Anschließend
wird eine weitere Bruchstelle von der zweiten Gruppe Gb an, die
sich in der Mitte des Wafers 10 befindet, erzeugt. Anschließend wird
eine weitere Bruchstelle von der dritten Gruppe Gc an, die sich
in der obersten Schicht des Wafers 10 befindet, erzeugt.
Folglich wird die von jeder Gruppe Ga, Gb, Gc an erzeugte Bruchstelle
so groß,
dass sich die Bruchstellen miteinander verbinden. Wenn die verbundenen
Bruchstellen die Vorderseite 10b und die Rückseite 10a des
Wafers 10 erreichen, ist der Wafer 10 geschnitten
bzw. durchschnitten und getrennt.
-
In
dem eine Diskform aufweisenden Wafer 10 sind eine Mehrzahl
von Chips (nicht gezeigt) gebildet. Die Chips sind in einem Raster
auf der Oberfläche 10b des
Wafers 10 angeordnet. Folglich ist die Schnittlinie K zwischen
den Chips angeordnet, so dass eine Mehrzahl von Schnittlinien K
in einem Muster auf der Oberfläche 10b gebildet
sind.
-
Nachdem
die Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc entlang der Mehrzahl von Schnittlinien
K gebildet wurden, wird der Vereinzelungsfilm 11 derart
gedehnt, dass der Wafer 10 folglich in die Mehrzahl von Chips
geteilt wird.
-
Da
die Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc entlang jeder Schnittlinie K gebildet
werden, wird die Zugspannung angemessen auf die Umformungsgruppen
Ga, Gb, Gc aufgebracht, indem der Vereinzelungsfilm 11 gezogen
wird. Der Wafer 10 wird durch eine vergleichsweise geringe
Kraft geschnitten und geteilt, ohne dass eine unnötige Bruchstelle
in dem Wafer 10 erzeugt wird. Folglich wird das Trennen
des Wafers 10 mit hoher Genauigkeit von den Umformungsabschnitten
R als Startpunkt der Trennung an ausgeführt.
-
Da
der Wafer 10 erwärmt
und horizontal mit der Oberfläche
10b nach oben angeordnet wird, wird das thermoplastische Element 12 zu
diesem Zeitpunkt durch die Wärme
geschmolzen.
-
Das
geschmolzene thermoplastische Element 12 dringt (d.h. sinkt),
wie in 3A gezeigt, aufgrund der Schwerkraft
in die Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers 10, während
der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird. Hierbei weist
das geschmolzene thermoplastische Element 12 eine geringe
Viskosität
und eine hohe Fluidität
auf. Das abgetropfte bzw. herunter gesickerte thermoplastische Element 12 bedeckt,
wie in 3B gezeigt, die Vereinzelungsoberfläche 10d.
-
Wenn
das thermoplastische Element 12 die Vereinzelungsoberfläche 10b des
Wafers 10 bedeckt, wird die Erwärmung des Wafers 10 gestoppt. Folglich
kühlt und
härtet
das thermoplastische Element 12 derart aus, dass es die
Vereinzelungsoberfläche 10d bedeckt.
-
Wenn
der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird, wird die Vereinzelungsoberfläche 10d mit
dem thermoplastischen Element 12 bedeckt. Folglich wird dann,
wenn der Wafer 10 getrennt wird, und/oder auf ein Trennen
des Wafers 10 hin verhindert, dass ein Partikel von der
Vereinzelungsoberfläche 10d abgetrennt
wird.
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Die
Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers 10 entspricht hierbei einer äußeren Seitenwand des Chips,
die durch Trennen aus dem Wafer 10 gebildet wird. Folglich
wird die Vereinzelungsoberfläche 10d,
d.h. die äußere Seitenwand
des Chips, mit dem thermoplastischen Element 12 bedeckt.
-
Folglich
haftet das Partikel von dem Wafer 10 nicht an einer Halbleitervorrichtung
auf dem Chip an, und zwar dem Element, das in dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c gebildet
ist. Die Ausbeute des Chips und die Qualität des Chips werden verbessert.
-
Wenn
beispielsweise ein monolithischer IC als Halbleitervorrichtung auf
dem Chip gebildet ist, kann das Partikel dann, wenn es an dem Halbleiterelement
oder einer Verdrahtung in dem monolithischen IC anhaftet, einen
Kurzschluss verursachen. Bei dem obigen Verfahren haftet das Partikel
jedoch nicht an der Halbleitervorrichtung an, so dass die Vorrichtung
vor einem Kurzschluss geschützt
ist.
-
Wenn
ein Sensor, wie beispielsweise ein Drucksensor, ein Beschleunigungssensor
und ein Ultraschallsensor, die aus einem piezoelektrischen Element
und/oder einem Kondensator bestehen, oder eine Mikromaschine mit
Hilfe eines MEMS-Verfahrens (MEMS = Micro-Electro-Mechanical System)
auf dem Chip gebildet ist, kann das Partikel dann, wenn es an einem
beweglichen Abschnitt, welcher den Sensor oder die Mikromaschine
bildet, anhaftet, verhindern, dass sich der bewegliche Abschnitt
verschieben kann. Folglich wird die Leistung, die beispielsweise
die Empfindlichkeit des Sensors oder der Mikromaschine, verringert.
Bei dem obigen Verfahren haftet das Partikel jedoch nicht an dem
Sensor oder an der Mikromaschine an, so dass die Leistung des Sensors
oder der Mikromaschine nicht verringert wird.
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Da
das thermoplastische Element 12 von dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c entfernt
angeordnet ist, verbreitet sich das geschmolzene thermoplastische
Element 12 im Wesentlichen nicht auf der Oberfläche 10b des
Wafers 10, wenn es in die Vereinzelungsoberfläche 10d sinkt.
Folglich erreicht das thermoplastische Element 12 die Vorrichtung
in dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c nicht.
-
Das
thermoplastische Element 12 kann aus einem beliebigen Material
bestehen, solange es eine Thermoplastizität aufweist. Das thermoplastische Element 12 besteht
beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem Naturgummi
oder einem synthetischen Gummi, einem Plastikmaterial, wie beispielsweise
einem thermoplastischen Harz, oder einem Wachs.
-
Das
synthetische Gummi ist beispielsweise aus der Reihe der Diengummis,
aus der Reihe der Polysulfidgummis, aus der Reihe der Olefingummis, aus
der Reihe der siliuziumorganischen Gummis, aus der Reihe der Fluorverbindungsgummis,
aus der Reihe der Urethangummis oder aus der Reihe der Vinylgummis.
-
Das
Plastikmaterial ist beispielsweise aus der Reihe der Polymerisationsgummis,
wie beispielsweise aus der Reihe der Kohlenwasserstoffgummis, aus
der Reihe der Acrylgummis, aus der Reihe der Vinylacetatgummis und
aus der Reihe der Halogengummis, aus der Reihe der Kondensatgummis,
wie beispielsweise aus der Reihe der Polyethergummis, aus der Reihe
der Aminogummis, aus der Reihe der Polyestergummis, aus der Reihe
der Polyamidgummis, aus der Reihe der Polyurethangummis, aus der Reihe
der Polyethergummis, aus der Reihe Phenolgummis und aus der Reihe
der Epoxidgummis, oder aus der Reihe der halbsynthetischen Mak romolekülgummis,
wie beispielsweise aus der Reihe der Zellulosegummis und aus der
Reihe der Proteingummis.
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Ein
Verfahren zum gleichzeitigen Ausführen von sowohl dem Trennen
des Wafers 10 als auch dem Erwärmen des Wafers 10 läuft wie
folgt ab: Der Wafer 10 wird in einer Kammer angeordnet,
die durch eine elektrische Heizvorrichtung geheizt wird, und der
Vereinzelungsfilm 11 wird gedehnt; oder der Vereinzelungsfilm 11 wird
zusammen mit einem Bestrahlung des Wafers 10 mit Infrarotlicht
gedehnt.
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Bei
dieser Ausführungsform
wird der Brennpunkt P des Laserstrahls L auf eine vorbestimmte Position
in dem Wafer 10 ausgerichtet und der Laserstrahl L auf
den Wafer 10 gestrahlt. Eine Mehrzahl von Umformungsgruppen
Ga, Gb, Gc, die aus einer Mehrzahl von Umformungsabschnitten R bestehen, werden
entlang der Schnittlinie K durch den Mehrphotonenabsorptionseffekt
in dem Wafer 10 gebildet. Anschließend wird das thermoplastische
Element 12 auf dem Teil 10e der Oberfläche 10b des
Wafers 10 gebildet, welcher die Schnittlinie K bedeckt.
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Da
das thermoplastische Element 12 nicht auf der Oberfläche 10b
angeordnet ist, wenn der Laserstrahl L auf den Wafer 10 gestrahlt
wird, wird der Laserstrahl 11 folglich nicht durch das
thermoplastische Element 12 gestreut. Folglich wird der
Brennpunkt P des Laserstrahls L genau auf die vorbestimmte Position
in dem Wafer 10 ausgerichtet.
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Wenn
das thermoplastische Element 12 den Laserstrahl L nicht
streut, kann das thermoplastische Element 12 auf dem Teil 10e der
Oberfläche 10b gebildet
werden, bevor der Wafer 10 mit dem Laserstrahl L bestrahlt
wird. Anschließend
wird der Laserstrahl L derart auf den Wafer 10 gestrahlt,
dass die Umformungsgruppen Ga, Gb, Gc in dem Wafer 10 gebildet
werden.
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Obgleich
das Element 12 aus thermoplastischem Material besteht,
kann es aus einem duroplastischen Material bestehen. In diesem Fall
wird das aus dem duroplastischen Material beste hende Element 12 dann,
wenn es sich bei Raumtemperatur in einer festen Phase und bei einer über der
Raumtemperatur liegenden Temperatur in einer flüssigen Phase oder in einem
gelartigen Zustand befindet, erwärmt,
wenn der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird.
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Wenn
sich das duroplastische Material bei Raumtemperatur in einer flüssigen Phase
oder in einem gelartigen Zustand befindet, muss das aus dem duroplastischen
Material bestehende Element 12 nicht erwärmt werden,
wenn der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird. Folglich
wird das aus dem duroplastischen Material bestehende Element 12 auf ein
Schneiden und Trennen des Wafers 10 hin derart erwärmt, dass
es die Vereinzelungsoberfläche 10d bedeckt.
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In
dem obigen Fall kann das duroplastische Material aus einem beliebigen
Material bestehen, solange es eine duroplastische Eigenschaft aufweist. Das
duroplastische Material besteht beispielsweise aus einem Gummi,
wie beispielsweise einem synthetischen Gummi, einem Plastikmaterial,
wie beispielsweise einem duroplastischen Harz, oder einem Wachs.
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Obgleich
das Element 12 aus thermoplastischem Material besteht,
kann es aus einem lichtempfindlichen Material bestehen. In diesem
Fall wird auf ein Schneiden und Trennen des Wafers 10 folgend Licht,
wie beispielsweise sichtbares Licht oder ultraviolettes Licht, derart
auf das Element 12 gestrahlt, dass das Element 12 ausgehärtet wird.
Folglich wird die Vereinzelungsoberfläche 10d des Wafers 10 mit dem
aus lichtempfindlichen Material bestehenden Element bedeckt. Das
lichtempfindliche Material kann ein beliebiges Material sein, solange
es eine Lichtempfindlichkeit aufweist. Das lichtempfindliche Material
ist beispielsweise ein Plastikmaterial, wie beispielsweise ein lichtempfindliches
Harz.
-
Obgleich
das Element 12 aus einem thermoplastischen Material besteht,
kann es aus einem auf eine chemische Reaktion hin aushärtbaren
Material, aus einem katalytisch aushärtbaren Mate rial, aus einem
durch eine Lösungsmittelverdampfung
aushärtbaren
Material oder aus einem durch eine Lösungsmitteltrocknung aushärtbaren
Material bestehen. In diesem Fall verstreicht eine vorbestimmte
Zeit, nachdem der Wafer 10 getrennt wurde. Während dieser vorbestimmten
Zeit wird das Aushärten
auf eine chemische Reaktion hin, das katalytische Aushärten, das
Lösungsmittelverdampfungsaushärten oder
das Lösungsmitteltrocknungsaushärten ausgeführt. Auf diese
Weise bedeckt das Element 12 die Vereinzelungsoberfläche 10d.
Das durch eine chemische Reaktion aushärtbare Material, das katalytisch
aushärtbare
Material, das durch eine Lösungsmittelverdampfung
aushärtbare
Material oder das durch eine Lösungsmitteltrocknung
aushärtbare
Material kann aus einem beliebigen Material bestehen, solange das Material
auf eine chemische Reaktion hin aushärtbar ist, katalytisch aushärtbar ist,
durch eine Lösungsmittelverdampfung
aushärtbar
ist oder durch eine Lösungsmitteltrocknung
aushärtbar
ist. Das durch eine chemische Reaktion aushärtbare Material, das katalytisch
aushärtbare
Material, das durch eine Lösungsmittelverdampfung
aushärtbare
Material oder das durch eine Lösungsmitteltrocknung
aushärtbare Material
besteht beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem
synthetischen Gummi oder einem Plastikmaterial. Das durch eine chemische Reaktion
aushärtbare
Material ist beispielsweise aus der Reihe der Cyanocrylatgummis
oder ein Epoxidharz eines Zweilösungstyps,
das mit Wasser auf einer Oberfläche
als Beschleuniger ausgehärtet
wird.
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Bei
dieser Ausführungsform
wird das Element 12 dann, nachdem es die Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers 10 bedeckt, ausgehärtet. Alternativ kann das Element 12 dann,
wenn das die Vereinzelungsoberfläche 10d bedeckende
Element 12 in einem folgenden Prozess, wie beispielsweise einem
Befestigungsprozess, einem Bondprozess und einem Harzversiegelungsprozess,
nicht ausgehärtet
werden muss, nachdem der Wafer 10 getrennt wurde, behalten
werden, um geschmolzen zu werden, nachdem der Wafer getrennt wurde.
Insbesondere wird die Vereinzelungsoberfläche 10d ohne ein Aushärten des
geschmolzenen Elements 12 mit dem geschmolzenen Element 12 bedeckt.
In diesem Fall muss das Element 12 nicht aushärten können. Folglich
kann sich das Element 12, nachdem es erwärmt und
geschmolzen wurde, selbst bei Raumtemperatur in einer flüssigen Phase
oder in einem gelartigen Zustand befinden.
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Obgleich
der Wafer 10 aus einem Bulk-Siliziumwafer gebildet ist,
kann er aus einem anderen Wafer, wie beispielsweise einem mehrschichtigen
Wafer, gebildet sein. In diesem Fall kann der Wafer 10 ein SOI-Substrat
eines Bondtyps, ein SIMOX-Wafer (SIMOX = Separation by Implanted
Oxygen), ein herkömmliches
SOI-Substrat, in dem eine Polykristallsiliziumschicht oder eine
amorphe Siliziumschicht auf einer Isolierungsschicht, wie beispielsweise
einem Glassubstrat, gebildet ist, wobei ein Wachstumsverfahren in
einer festen Phase oder ein Schmelzrekristallisationsverfahren genutzt
wird, ein Wafer, der in geeigneter Weise für eine Lichtabstrahlvorrichtung verwendet
werden kann, in der eine III-V-Verbund-Halbleiterschicht auf ein
Substrat, wie beispielsweise ein Saphirsubstrat, abgeschieden wird, oder
ein Bondwafer, der über
ein anodisches Bondverfahren zwischen ein Siliziumsubstrat und ein Glassubstrat
geklebt wird, sein.
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Der
Wafer 10 kann ferner aus einem Halbleitersubstrat, wie
beispielsweise einem Galliumarsenidsubstrat, bestehen.
-
Alternativ
kann der Wafer 10 aus einem Material wie beispielsweise
Glas bestehen. In diesem Fall weist der Umformungsabschnitt R nicht
einzig den Schmelzbereich, sondern ebenso einen weiteren Bereich
auf, der durch den Mehrphotonenabsorptionseffekt bearbeitet wird.
Wenn das Material des Wafers 10 beispielsweise Glas aufweist,
kann der Umformungsabschnitt R einen Bruchbereich oder einen Bereich
aufweisen, der einen von dem ursprünglichen Material verschiedenen
Brechungsindex aufweist. Der Umformungsabschnitt R mit dem Bruchbereich
oder der Bereich mit dem verschiedenen Brechungsindex ist in der
japanischen Patentanmeldung Nr. 3408805 offenbart.
-
Obgleich
der Vereinzelungsfilm 11 derart gedehnt wird, dass der
Wafer 10 getrennt wird, kann der Wafer 10 durch
ein anderes Verfahren getrennt werden. Beispielsweise wird ein rundes
Ele ment, wie beispielsweise ein halbkugelförmiges Element, derart auf
die Schnittlinie K des Wafers 10 gepresst, dass der Wafer 10 mit
einem Druck beaufschlagt wird. Folglich wird eine Schubspannung
von den Umformungsabschnitten R erzeugt, so dass der Wafer 10 getrennt
und geschnitten wird. Insbesondere weist das runde Element eine
gekrümmte
Oberfläche mit
einer vorbestimmten Krümmung
auf. Die gekrümmte
Oberfläche
wird auf den Wafer 10 aufgebracht.
-
(Zweite Ausführungsform)
-
Die 4A und 4B zeigen
ein Verfahren zur Bearbeitung des Wafers 10. Insbesondere zeigen
die 4A und 4B ein
weiteres Verfahren zum Bilden der Umformungsabschnitte R in dem Wafer 10.
Der Wafer 10 weist an seiner Oberfläche 10b eine Konkavität 21 auf.
Die Konkavität 21 ist
auf dem Teil 10e des Wafers 10 angeordnet und
weist einen U-förmigen
Querschnitt mit einer Ecke auf. Das thermoplastische Element 12 ist
in der Konkavität 21 gebildet.
-
Wenn
der Wafer 10 von der Schnittlinie K an geschnitten und
getrennt wird und das geschmolzene thermoplastische Element 12 entlang
der Vereinzelungsoberfläche 10d nach
unten sinkt, dehnt sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 nicht
auf den Vorrichtungsbildungsbereich 10c aus, da es in der
Konkavität 21 untergebracht
ist. Insbesondere fließt
das geschmolzene thermoplastische Element 12 nicht aus
der Konkavität 21 und
erreicht folglich nicht den Vorrichtungsbildungsabschnitt 10c auf
der Oberfläche 10b des
Wafers 10. Folglich sinkt das gesamte geschmolzene thermoplastische
Element 12 abwärts
in die Vereinzelungsoberfläche 10d.
-
In
diesem Fall wird verhindert, dass das thermoplastische Element 12 an
einem anderen Teil der Oberfläche 10d des
Wafers 10 anhaftet, und insbesondere verhindert, dass es
an dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c anhaftet. Folglich
wird die in dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c gebildete
Halbleitervorrichtung nicht durch das thermoplastische Element 12 beeinflusst.
Ferner kann die Vereinzelungsoberfläche mit einer minimalen Menge
des thermoplastischen Elements 12 bedeckt werden.
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5A zeigt
eine Ausgestaltung des Verfahrens zum Bilden der Umformungsabschnitte
R in dem in den 4A und 4B gezeigten
Wafer 10. In der 5A weist
die Konkavität 21 einen
V-förmigen Querschnitt
auf.
-
5B zeigt
eine weitere Ausgestaltung des Verfahrens zum Bilden der Umformungsabschnitte
R in dem in den 4A und 4B gezeigten
Wafer 10. In der 5B weist
die Konkavität 21 einen
kreisrunden Querschnitt, d.h. einen anderen U-förmigen Querschnitt mit abgerundeten
Ecken auf.
-
Die
Konkavität 21 kann
einen anders geformten Querschnitt aufweisen, der sich von einem
V-förmigen,
U-förmigen
oder kreisrunden Querschnitt unterscheidet.
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(Dritte Ausführungsform)
-
Die 6A und 6B zeigen
ein Verfahren zur Bearbeitung des Wafers 10. Insbesondere zeigen
die 6A und 6B ein
weiteres Verfahren zum Bilden der Umformungsabschnitte R in dem Wafer 10.
-
Der
Wafer 10 weist ein Paar an Konkavitäten 31a, 31b auf
der Oberfläche 10b des
Wafers 10 auf. Jede Konkavität 31a, 31b ist
zwischen der Schnittlinie K und dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c angeordnet
und weist einen U-förmigen
Querschnitt mit einer Ecke auf. Folglich sind die Konkaviväten 31a, 31b derart
parallel zu der Schnittlinie K angeordnet, dass die Schnittlinie
K zwischen den Konkavitäten 31a, 31b angeordnet
bzw. eingeschlossen ist. Zunächst
wird das thermoplastische Element 12 auf dem Teil 10e des
Wafers 10 gebildet.
-
Wenn
der Wafer 10 von der Schnittlinie K an bzw. an der Schnittlinie
K geschnitten und getrennt wird und das geschmolzene thermoplastische
Element 12 entlang der Vereinzelungsober fläche 10d abwärts sinkt,
erstreckt sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 nicht
auf den Vorrichtungsbildungsbereich 10c, da die Konkavitäten 31a, 31b zwischen
dem Teil 10e des Wafers 10 und dem Vorrichtungsbildungsabschnitt 10c angeordnet
sind. Selbst wenn sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 von
dem Teil 10e des Wafers 10 ausbreitet, wird das
ausgebreitete thermoplastische Element 12a, wie in 6B gezeigt,
in die Konkavitäten 31a, 31b eingeführt. Folglich
erreicht das thermoplastische Element 12 den Vorrichtungsbildungsbereich 10c auf
der Oberfläche 10b des
Wafers 10 nicht. Die Abmessungen der Konkavitäten 31a, 31b werden
derart auf der Grundlage des Materials und des Volumens des thermoplastischen
Elements 12 bestimmt, dass das thermoplastische Element 12, welches
sich ausgebreitet hat, sicher in die Konkavitäten 31a, 31b eingeführt wird.
Folglich breitet sich kein geschmolzenes thermoplastisches Element 12 auf
dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c aus.
-
In
diesem Fall wird verhindert, dass das thermoplastische Element 12 an
einem anderen Teil der Oberfläche 10b des
Wafers 10 anhaftet, und insbesondere verhindert, dass es
an dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c anhaftet. Folglich
wird die in dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c gebildete
Halbleitervorrichtung nicht durch das thermoplastische Element 12 beeinflusst.
-
Die 7A und 7B zeigen
eine Ausgestaltung des Verfahrens zum Bilden der Umformungsabschnitte
R in dem in den 6A und 6B gezeigten
Wafer 10.
-
In
den 7A und 7B ist
ein Paar der zwei Paare an Konkavitäten 31a–31d zwischen
dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c und dem Teil 10e des
Wafers 10 angeordnet. Folglich sind doppelte Konkavitäten 31a–31d zwischen
dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c und der Schnittlinie
K gebildet.
-
Wenn
der Wafer 10 von der Schnittlinie K an geschnitten und
getrennt wird und das geschmolzene thermoplastische Element 12 abwärts entlang
der Vereinzelungsoberfläche 10d sinkt,
er streckt sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 nicht
auf den Vorrichtungsbildungsbereich 10c, da die Konkavitäten 31a–31d zwischen
dem Teil 10e des Wafers 10 und dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c angeordnet
sind. Selbst wenn sich das geschmolzene thermoplastische Element 12 von
dem Teil 10e des Wafers 10 ausbreitet, wird das
sich ausbreitende thermoplastische Element 12a zunächst in die
Konkavitäten 31a, 31b eingeführt. Selbst
wenn ferner das überschüssige geschmolzene
thermoplastische Element 12 aus den Konkavitäten 31a, 31b fließt, wird
das aus den Konkavitäten 31a, 31b geflossene
thermoplastische Element 12b als nächstes in die Konkavitäten 31c, 31d eingeführt. Folglich
erreicht das thermoplastische Element 12 den Vorrichtungsbildungsbereich 10c auf
der Oberfläche 10b des
Wafers 10 nicht. Die Abmessungen der Konkavitäten 31a–31d werden
derart auf der Grundlage des Materials und des Volumens des thermoplastischen Elements 12 bestimmt,
dass das sich ausbreitende thermoplastische Element 12 sicher
in die Konkavitäten 31a–31d eingeführt wird.
Folglich breitet sich kein geschmolzenes thermoplastisches Element 12 auf dem
Vorrichtungsbildungsbereich 10c aus.
-
Obgleich
der Wafer 10 zwei Paare an Konkavitäten 31a–31d aufweist,
kann der Wafer 10 drei oder mehr als drei Paare an Konkavitäten aufweisen. In
diesem Fall kann sicher verhindert werden, dass sich das geschmolzene
thermoplastische Element 12 auf den Vorrichtungsbildungsbereich 10c ausbreitet. Wenn
die Anzahl an Konkavitäten
erhöht
wird, kann ferner noch sicherer verhindert werden, dass sich das
geschmolzene thermoplastische Element 12 ausbreitet.
-
Wenn
das Volumen der Konkavitäten 31a–31d in
den 6A bis 7B erhöht wird,
kann noch sicherer verhindert werden, dass sich das geschmolzene
thermoplastische Element 12 ausbreitet.
-
Wenn
der Wafer 10 sehr viele Konkavitäten aufweist, oder wenn die
Konkavitäten
ein hohes Volumen aufweisen, nimmt jedoch auch der Bereich der Konkavitäten an der
Oberfläche 10b des
Wa fers 10 zu. Folglich nimmt die Anzahl an Chips auf dem
Wafer 10 ab. Folglich werden das Volumen und die Anzahl
der Konkavitäten
auf der Grundlage der Entwurf- und Konstruktionsanforderung der
Chips bestimmt.
-
Obgleich
die Konkavitäten 31a–31d einen U-förmigen Querschnitt
mit einer Ecke aufweisen, können
die Konkavitäten 31a–31d einen
U-förmigen Querschnitt
mit abgerundeten Ecken oder einen V-förmigen Querschnitt aufweisen.
-
(Vierte Ausführungsform)
-
Die 8A bis 8C zeigen
ein Verfahren zur Bearbeitung eines Chips 41. Bei dem Verfahren werden
Umformungsabschnitte R mit Hilfe eines Laservereinzelungsverfahrens
in dem Wafer gebildet. Anschließend
wird der Wafer 10 von den Umformungsabschnitten R als Startpunkt
des Vereinzelns an geschnitten und getrennt. Bei dem Wafer 10 wird kein
thermoplastisches Element 12 auf dem Teil 10e des
Wafers 10 gebildet.
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Der
Halbleiterchip 41 ist, wie in 8A gezeigt,
von dem Wafer 10 getrennt. Eine Oberfläche 41a des Chips 41,
auf dem die Halbleitervorrichtung gebildet ist, ist mit einem Versiegelungselement 42 bedeckt.
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Ein
Behälter 43 mit
einer Öffnung
ist, wie in 8B gezeigt, auf einer elektrischen
Heizvorrichtung 44 angeordnet. Ein thermoplastisches Element 45 ist
in dem Behälter 43 untergebracht.
Anschließend
wird der Behälter 43 derart
durch die elektrische Heizvorrichtung 44 erwärmt, dass
das thermoplastische Element 45 geschmolzen wird. Das thermoplastische
Element 45 besteht beispielsweise aus einem Gummi, wie
beispielsweise einem Naturgummi und einem synthetischen Gummi, einem
Plastikmaterial, wie beispielsweise einem thermoplastischen Harz,
oder einem Wachs.
-
Der
Chip 41 mit dem Versiegelungselement 42 wird,
wie in 8C gezeigt, in das geschmolzene thermoplastische
Element 45 getaucht. Anschließend berührt eine Vereinzelungsoberfläche 41b,
d.h. eine äußere Seitenwand
des Chips 41 das geschmolzene thermoplastische Element 45.
Anschließend haftet
das geschmolzene thermoplastische Element 45 derart an
der Vereinzelungsoberfläche 41b,
dass die gesamte Vereinzelungsoberfläche 41b mit dem geschmolzenen
thermoplastischen Element 45 bedeckt ist.
-
Anschließend wird
der Chip 41 mit dem daran haftenden thermoplastischen Element 45 aus dem
geschmolzenen thermoplastischen Element 45 entfernt, d.h.,
der Chip 41 wird aus dem Behälter 43 nach oben
herausgezogen. Das thermoplastische Element 45 wird derart
gekühlt
und ausgehärtet,
dass die Vereinzelungsoberfläche 41b des
Chips 41 mit dem thermoplastischen Element 45 bedeckt
ist.
-
Nachdem
der Chip 41 durch Trennen aus dem Wafer 10 gewonnen
wurde, wird die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 mit
dem thermoplastischen Element 45 bedeckt. In diesem Fall
wird das Partikel dann, wenn der Wafer 10 in die Chips 41 geschnitten
und getrennt wird, von der Schnittoberfläche 41b des Chips 41 entfernt.
Da das thermoplastische Element 45 jedoch die Vereinzelungsoberfläche 41b bedeckt,
und zwar kurz nachdem der Chip 41 durch Trennen aus dem
Wafer 10 gewonnen wird, wird die Wahrscheinlichkeit, mit
der das Partikel an der Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 anhaftet,
verringert.
-
Bei
dem obigen Verfahren versiegelt das Versiegelungselement 42 die
Oberfläche 41a des Chips 41 und
wird der Chip 41 in das geschmolzene thermoplastische Element 45 getaucht.
Folglich haftet das thermoplastische Element 45 nicht an
der Oberfläche 41a des
Chips 41 an, so dass die Halbleitervorrichtung in dem Halbleiterbildungsbereich 10c nicht
negativ durch das thermoplastische Element 45 beeinflusst
wird.
-
Wenn
das thermoplastische Element 45 die Halbleitervorrichtung
in dem Halbleiterbildungsbereich 10c nicht negativ beeinflusst,
kann das Versiegelungselement 42 alternativ ausgelassen
werden.
-
Obgleich
das Element 45 aus einem thermoplastischen Material besteht,
kann es auch aus einem duroplastischen Material bestehen. In diesem Fall
wird das aus einem duroplastischen Material bestehende Elemente 12 dann,
wenn sich das duroplastische Material bei Raumtemperatur in einer
festen Phase und bei einer über
der Raumtemperatur liegenden vorbestimmten Temperatur in einer flüssigen Phase
oder in einem geltartigen Zustand befindet, erwärmt, wenn das Element 45 in
dem Behälter 43 untergebracht
ist.
-
Wenn
sich das duroplastische Material bei Raumtemperatur in einer flüssigen Phase
oder einem gelartigen Zustand befindet, muss das aus einem duroplastischen
Material bestehende Element 45 nicht erwärmt werden,
wenn das Element 45 in dem Behälter 43 untergebracht
ist. Folglich kann die elektrische Heizvorrichtung 44 ausgelassen
werden. Nachdem der Chip 41 aus dem geschmolzenen Element 45 gezogen
wurde, wird der Chip 41 mit dem aus einem duroplastischen
Material bestehenden Element 45 derart erwärmt, dass
das Element 45 die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 bedeckt.
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In
dem obigen Fall kann das duroplastische Material aus einem beliebigen
Material bestehen, solange es eine duroplastische Eigenschaft aufweist. Das
duroplastische Material besteht beispielsweise aus einem Gummi,
wie beispielsweise einem synthetischen Gummi, einem Plastikmaterial,
wie beispielsweise einem duroplastischen Harz, oder einem Wachs.
-
Obgleich
das Element 45 aus einem thermoplastischen Material besteht,
kann es aus einem lichtempfindlichen Material bestehen. In diesem
Fall muss das Element 45 nicht in dem Behälter 43 erwärmt werden.
Folglich kann die elektrische Heizvorrichtung 44 ausgelassen
werden. Nachdem der Chip 41 aus dem geschmolzenen Element 45 gezogen wurde,
wird das aus einem duroplastischen Material bestehende Element 45 derart
mit dem Licht bestrahlt, dass es ausgehärtet wird. Folglich bedeckt das
Element 45 die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41.
Das lichtempfindliche Material kann ein beliebiges Material sein,
solange es eine Lichtempfindlichkeit aufweist. Das lichtempfindliche
Material ist beispielsweise ein Plastikmaterial, wie beispielsweise
ein lichtempfindliches Harz.
-
Obgleich
das Element 45 aus einem thermoplastischen Material besteht,
kann es aus einem Material, das durch eine chemische Reaktion aushärtbar ist,
einem katalytisch aushärtbarem
Material, einem Material, das durch eine Lösungsmittelverdampfung aushärtbar ist,
oder einem Material bestehen, dass durch eine Lösungsmitteltrocknung aushärtbar ist, bestehen.
In diesem Fall muss das Element 45 nicht in dem Behälter 43 erwärmt werden.
Folglich kann die elektrische Heizvorrichtung 44 ausgelassen
werden. Nachdem der Chip 41 aus dem geschmolzenen Element 45 gezogen
wurde, verstreicht eine vorbestimmte Zeitspanne. Während der
vorbestimmten Zeitspanne wird das Aushärten durch eine chemische Reaktion,
das katalytische Aushärten,
das Aushärten
durch eine Lösungsmittelverdampfung
oder das Aushärten
durch eine Lösungsmitteltrocknung vorgenommen.
Folglich bedeckt das Element 45 die Vereinzelungsoberfläche 41b.
Das auf eine chemische Reaktion hin aushärtbare Material, das katalytisch
aushärtbare
Material, das auf eine Lösungsmittelverdampfung
hin aushärtbare
Material oder das auf eine Lösungsmitteltrocknung
hin aushärtbare Material
kann aus einem beliebigen Material bestehen, solange es durch eine
chemische Reaktion, katalytisch, durch eine Lösungsmittelverdampfung oder durch
eine Lösungsmitteltrocknung
aushärtbar
ist. Das durch eine chemische Reaktion aushärtbare Material, das katalytisch
aushärtbare
Material, das durch eine Lösungsmittelverdampfung
aushärtbare Material
oder das durch eine Lösungsmitteltrocknung aushärtbare Material
besteht beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem
synthetischen Gummi, oder einem Plastikmaterial. Das durch eine
chemische Reaktion aushärtbare
Material ist beispielsweise aus der Reihe der Cyanacrylatharze oder
ein Epoxidharz eines Zwei-Lösungstyps,
das mit Wasser auf einer Oberfläche
als Beschleuniger ausgehärtet
wird.
-
In
diese Ausführungsform
wird das Element 45 gehärtet,
nachdem es die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 bedeckt.
Alternativ kann das die Vereinzelungsoberfläche 41 bedeckende
Element 45 dann, wenn es in einem folgenden Prozess, wie
beispielsweise einem Befestigungsprozess, einem Bondprozess und
einem Harzversiegelungsprozess, nicht gehärtet werden muss, nachdem der
Wafer 10 getrennt wurde, behalten werden, um geschmolzen
zu werden, nachdem der Wafer 10 getrennt wurde. Insbesondere
ist die Vereinzelungsoberfläche 41b ohne
ein Aushärten
des geschmolzenen Elements 45 mit dem geschmolzenen Element 45 bedeckt.
In diesem Fall muss das Element 45 keine Aushärtbarkeit
aufweisen. Folglich kann sich das Element 45, nachdem es
erwärmt
und geschmolzen wurde, selbst bei Raumtemperatur in einer flüssigen Phase
oder in einem gelartigen Zustand befinden.
-
Obgleich
der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird, indem die Umformungsabschnitte
R in dem Wafer verwendet werden, die durch das Laservereinzelungsverfahren
gebildet werden, kann der Wafer durch ein anderes Verfahren, wie
beispielsweise ein Klingenvereinzelungsverfahren, getrennt werden.
Da ein Schritt zum Schützen
der Halbleitervorrichtung vor dem Partikel ausgeführt wird,
nachdem der Wafer in die Chips getrennt wurde, ist ein Trennverfahren
des Wafers 10 insbesondere nicht auf ein Laservereinzelungsverfahren
beschränkt.
Folglich kann der Wafer 10 durch eine Vereinzelungsklinge, die
sich mit hoher Geschwindigkeit dreht, geschnitten werden. Die Vereinzelungsklinge
weist einen in der Klinge eingebettetes Diamantschleifkorn auf.
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(Fünfte Ausführungsform)
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Die 9A bis 9C zeigen
ein Verfahren zur Bearbeitung des Chips 41. Bei dem Verfahren werden
die Umformungsabschnitte R mit Hilfe eines Laservereinzelungsverfahrens
in dem Wafer gebildet. Anschließend
wird der Wafer 10 von den Umformungsabschnitten R als Startpunkt
des Trennens an geschnitten und getrennt. Bei dem Wafer 10 ist
kein thermoplastisches Element 12 auf dem Teil 10e des Wafers 10 gebildet.
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Der
Chip 41 wird, wie in den 9A bis 9C gezeigt,
in ein thermoplastisches Gehäuse 52 eingeführt, das
eine rechtquadratische Rohrform aufweist und beispielsweise aus
einem Film gebildet ist.
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Das
thermoplastische Gehäuse 52 wird,
wie in 9B gezeigt, derart erwärmt, dass
es schrumpft. Folglich haftet das thermoplastische Element 52 an
der Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 an.
-
Nachdem
das thermoplastische Gehäuse 52,
wie in 9C gezeigt, die Vereinzelungsoberfläche 41a des
Chips 41 bedeckt, wird das thermoplastische Gehäuse 52 gekühlt.
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Folglich
ist das thermoplastische Gehäuse 52 ausgehärtet und
deckt gleichzeitig die Vereinzelungsoberfläche 41b ab.
-
Nachdem
der Chip 41 durch Trennen aus dem Wafer 10 gewonnen
ist, wird die Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 folglich
mit dem thermoplastischen Gehäuse 52 bedeckt.
In diesem Fall wird das Partikel von der Schnittoberfläche 41b des
Chips 41 entfernt, wenn der Wafer 10 in die Chips 41 geschnitten
und getrennt wird. Da das thermoplastische Element 52 jedoch
die Vereinzelungsoberfläche 41b bedeckt,
und zwar kurz nachdem der Chip 41 durch Trennen aus dem
Wafer 10 gewonnen wird, wird die Wahrscheinlichkeit, mit
der das Partikel an der Vereinzelungsoberfläche 41b des Chips 41 anhaftet, verringert.
-
Die
Abmessungen des thermoplastischen Gehäuses 52 werden in
geeigneter Weise auf der Grundlage der Abmessungen des Chips 41,
des Materials des Gehäuses 52 und/oder
dergleichen bestimmt. Insbesondere können die Abmessungen des Gehäuses experimentell
bestimmt werden.
-
Das
Gehäuse 52 besteht
beispielsweise aus einem Gummi, wie beispielsweise einem Naturgummi
und einem synthetischen Gummi, einem Plastikmaterial, wie beispielsweise
einem thermoplastischen Harz, oder einem Wachs.
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Obgleich
das Gehäuse 52 aus
thermoplastischem Material besteht, kann es aus einem Fotoschwindungsmaterial
bestehen. In diesem Fall wird Licht, wie beispielsweise sichtbares
Licht oder ultraviolettes Licht, dann, wenn der Chip 41 in
das Gehäuse 52 eingefügt ist,
derart auf das Gehäuse 52 gestrahlt,
dass das Gehäuse 52 schrumpft.
Folglich haftet das Gehäuse 52 an
der Vereinzelungsoberfläche 41a des
Chips 41 an. Das Fotoschwindungsmaterial kann aus einem
beliebigen Material bestehen, solange es eine Fotoschwindungseigenschaft
aufweist. Das Fotoschwindungsmaterial ist beispielsweise ein Gummi,
wie beispielsweise ein synthetisches Gummi, oder ein Plastikmaterial,
wie beispielsweise ein thermoplastisches Harz.
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Obgleich
das Gehäuse 52 aus
thermoplastischem Material besteht, kann es aus einem elastischen
Material bestehen. In diesem Fall wird eine Zugspannung derart auf
das Gehäuse 52 aufgebracht,
dass sich die Öffnung
des Gehäuses 52 dehnt.
Anschließend
wird der Chip 41 in die Öffnung des Gehäuses 52 eingefügt. Anschließend wird
die Zugspannung derart abgebaut, dass das Gehäuse schrumpft. Folglich haftet
das Gehäuse 52 an
der Vereinzelungsoberfläche 41a des
Chips 41 an. Das elastische Material kann aus einem beliebigen
Material bestehen, solange es eine Elastizität aufweist. Das elastische
Material ist beispielsweise ein Gummi, wie beispielsweise ein synthetisches
Gummi, oder ein Plastikmaterial, wie beispielsweise ein thermoplastisches
Harz.
-
Obgleich
der Wafer 10 mit Hilfe der Umformungsabschnitte R in dem
Wafer, die durch das Laservereinzelungsverfahren gebildet werden,
geschnitten und getrennt wird, kann er durch ein anderes Verfahren,
wie beispielsweise ein Klingenvereinzelungsverfahren, getrennt werden.
Da ein Schritt zum Schützen
der Halbleitervorrichtung vor dem Partikel ausgeführt wird,
nachdem der Wafer in die Chips getrennt wurde, ist ein Trennverfahren
des Wafers 10 insbesondere nicht auf ein Laservereinzelungsver fahren
beschränkt.
Folglich kann der Wafer 10 durch eine Vereinzelungs- bzw.
Trennklinge, die sich mit hoher Geschwindigkeit dreht, geschnitten
werden. Die Vereinzelungsklinge weist einen in der Klinge eingebetteten
Diamantschleifkorn auf.
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(Sechste Ausführungsform)
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25 zeigt ein Verfahren zur Bearbeitung des Wafers 10.
Insbesondere wird der Wafer 10 getrennt und vereinzelt.
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In
der 25 wird der Vereinzelungsfilm 11 derart
in horizontaler Richtung β1, β2 gedehnt,
dass die Zugspannung auf die Umformungsgruppen Ga-Gc aufgebracht
wird. Folglich wird der Wafer 10 von den Umformungsgruppen
Ga-Gc als Startpunkt des Schneidens an getrennt. Zu diesem Zeitpunkt wird
der Wafer 10 derart horizontal angeordnet, dass sich die
Vorderseite 10b des Wafers 10 nach oben dreht,
und wird der Wafer 10 erwärmt. Folglich sinkt das geschmolzene
thermoplastische Element 12 entlang der Vereinzelungsoberfläche 10d abwärts, wenn der
Wafer 10 getrennt wird.
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Wenn
der Wafer 10 getrennt ist, bläst ein Druckluftgebläse (nicht
gezeigt) in einer vertikalen Richtung γ auf die Vorderseite 10b des
Wafers 10. Die Luftmenge wird so dimensioniert, dass das
geschmolzene thermoplastische Element 12, das eine geringe
Viskosität
und eine hohe Fluidität
aufweist, mit einem Luftdruck beaufschlagt wird. Durch den Luftdruck
und die Schwerkraft sinkt das thermoplastische Element 12 sofort
abwärts
entlang der Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers, so dass es sofort an der Vereinzelungsoberfläche 10d anhaftet
und die gesamte Vereinzelungsoberfläche 10d bedeckt.
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Folglich
kann das thermoplastische Element 12 die Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers 10 schneller bedecken, als in dem Fall, bei es einzig über die
Schwerkraft abwärts
sinkt.
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Die
Luftmenge des Luftstroms, das in Richtung der Vorderseite 10b des
Wafers 10 bläst,
wird derart angemessen gesteu ert, dass das thermoplastische Element 12 abwärts sinkt,
ohne ein Halbleiterelement, wie beispielsweise einen monolithischen
IC, verschiedene Halbleiterteile, ein Messelement, das mit Hilfe
eines MEMS-Verfahrens gebildet ist, und eine Mikromaschine, die
auf dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c auf der Vorderseite 10b des
Wafers 10 gebildet ist, zu beschädigen. Insbesondere wird eine
vorzuziehende Luftmenge des Luftstroms experimentell bestimmt.
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Die
Richtung des Luftstroms in Richtung der Vorderseite 10b des
Wafers 10 verläuft
senkrecht zum Wafer 10. Alternativ kann eine vorzuziehende Richtung
des Luftstroms in Richtung der Vorderseite 10b experimentell
bestimmt werden.
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Obgleich
der Luftstrom die Vorderseite 10b des Wafers 10 mit
einem Luftdruck beaufschlagt, kann das thermoplastische Element 12,
das geschmolzen und erwärmt
wird, direkt mit einem Druck beaufschlagt werden, so dass es entlang
der Vereinzelungsoberfläche 10b abwärts sinkt,
wenn der Wafer 10 durch Dehnen des Vereinzelungsfilms 11 geschnitten
und getrennt wird.
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Der
Wafer 10 kann beispielsweise in einer Druckkammer angeordnet
werden. Anschließend wird
der Druck in der Kammer erhöht,
so dass das thermoplastische Element 12 mit dem Druck beaufschlagt
wird. Ein vorzuziehender Druck, mit dem das thermoplastische Element 12 beaufschlagt
wird, wird hierbei experimentell bestimmt.
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(Siebte Ausführungsform)
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26 zeigt ein Verfahren zur Bearbeitung des Wafers 10.
Insbesondere wird der Wafer 10 getrennt und vereinzelt.
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In
der 26 weist der Vereinzelungsfilm 11 ein
derartiges Ausdehnungsvermögen
auf, dass er in Übereinstimmung
mit einer Wärme
oder einer Zugspannung in einer Dehnungsrichtung gedehnt werden
kann. Ferner weist der Vereinzelungsfilm 11 eine Luftdurchlässigkeit
auf. Der Vereinzelungsfilm 11 besteht bei spielsweise aus
einem Plastikfilm, bei dem eine Mehrzahl von feinen Poren in einer
Dickenrichtung durch den Vereinzelungsfilm 11 dringen.
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Der
Wafer 10, an dem der Vereinzelungsfilm 11 haftet,
wird an einer Dehnungsstufe, d.h. an einer Vereinzelungsstufe 61 befestigt.
Die Vereinzelungsstufe 61 ist derart gitterförmig ausgebildet,
dass sie luftdurchlässig
ist.
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Wenn
der Vereinzelungsfilm 11 derart gedehnt wird, dass der
Wafer 10 getrennt wird, saugt eine Saugpumpe (nicht gezeigt)
die Luft derart von einer Rückseite
der Vereinzelungsstufe 61 durch den Vereinzelungsfilm 11 ab,
dass eine Saugkraft in einer Richtung δ auf den Wafer 10 aufgebracht
wird. Insbesondere wird die Saugkraft auf einen der Vereinzelungsoberfläche 10d entsprechenden
Schnittteil des Wafers 10 aufgebracht.
-
Wenn
die Saugkraft von Unterhalb des Wafers 10 auf den Schnittteil
des Wafers 10 aufgebracht wird, wird die Saugkraft ebenso
auf das geschmolzene thermoplastische Element 12 aufgebracht,
das eine geringe Viskosität
und eine hohe Fluidität
aufweist. Durch die Saugkraft und die Schwerkraft sinkt das thermoplastische
Element 12 sofort abwärts
entlang der Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers 10, so dass das thermoplastische Element 12 sofort an
der Vereinzelungsoberfläche 10d anhaftet
und die gesamte Vereinzelungsoberfläche 10d bedeckt.
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Folglich
kann das thermoplastische Element 12 die Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers 10 schneller bedecken, als in dem Fall, bei dem
es einzig durch die Schwerkraft abwärts sinkt.
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Die
Saugkraft wird hierbei derart angemessen gesteuert, dass das thermoplastische
Element 12 nach unten sinkt, ohne ein Halbleiterelement
zu beschädigen,
das auf dem Vorrichtungsbildungsbereich 10c auf der Vorderseite 10b des
Wafers 10 gebildet ist. Eine vorzuziehende Saugkraft wird
insbesondere experimentell bestimmt.
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Obgleich
die Vereinzelungsstufe 61 gitterförmig ausgebildet ist, um die
Luftdurchlässigkeit
aufzuweisen, kann sie aus einem porösen Material bestehen. Alternativ
kann die Vereinzelungsstufe 61 eine Maschenstruktur aufweisen.
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Die
Vereinzelungsstufe 61 kann, wie in 27 gezeigt,
ein Durchgangsloch 61a aufweisen, das geringfügig kleiner
als der Wafer 10 ist. Der Umfang des Wafers 10 ist
derart auf einem Umfang der Vereinzelungsstufe 61, d.h.
an einer Seitenwand des Durchgangslochs 61a befestigt,
dass der Wafer 10 an der Vereinzelungsstufe 61 befestigt
ist.
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(Achte Ausführungsform)
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Die 10A bis 13D zeigen
ein Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers mit Hilfe eines Vereinzelungsfilms.
In der 10A ist ein Vereinzelungsfilm
aus einem Dehnungsband 220 gebildet. Das Dehnungsband 220 besteht
beispielsweise aus einem Harzsheet, wie beispielsweise einem Vinylchloridfilm.
Das Dehnungsband 220 weist eine Elastizität auf. Ein
Klebeelement ist auf einer Seite 220a des Dehnungsbandes 220 aufgebracht.
Das Klebeelement klebt zwischen dem Wafer 10 und dem Dehnungsband 220.
Die andere Seite 220b des Dehnungsbandes 220 weist
kein Klebelement auf. Es wird jedoch die Oberfläche der andere Seite 220b des
Dehnungsbandes 220 derart behandelt, dass verhindert wird,
dass ein Partikel 200, 201, das von einem Absorptionsmittel
absorbiert wird, an der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 anhaftet.
Der Wafer 10 entspricht einem Bearbeitungsobjekt, und der
Halbleiterchip 41 entspricht einem geteilten Stück.
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Das
Dehnungsband 220 weist ein erstes Loch 221 und
ein zweites Loch 223 auf. Das erste Loch 221 weist
eine rechteckige und das zweite Loch 223 eine kreisrunde
Form auf. Der Wafer 10 weist eine Ausrichtungsfläche OF als
Ausschnitt (notch) zum Bestimmen einer Position des Wafers 10 auf. Folglich
zeigt die Ausrichtungsfläche
OF eine Position zum Kleben des Wafers auf das Dehnungsband 220 an.
Die Waferposition ist als die Ausrichtungsfläche OF definiert. Die Schnittlinie
K ist eine Linie, an welcher der Wafer 10 geschnitten wird.
Folglich wird der Wafer 10 an der Schnittlinie K vereinzelt.
Obgleich in der 10B drei Halbleiterchips 41 gezeigt sind,
können
eine Mehrzahl von Chips 41 auf der gesamten Oberfläche des
Wafers 10 angeordnet sein.
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Das
erste Loch 221 des Dehnungsbandes 220 ist entlang
der Schnittlinie K des Wafers 10 gebildet. Das erste Loch 221 dringt
durch das Dehnungsband 220. 10B zeigt
einen Teil XB des Wafers 10 mit den Dehnungsband 220.
Das erste Loch 221 ist in Übereinstimmung mit einem Umfang
des Chips 41 gebildet und innerhalb des Umfangs des Wafers 10 angeordnet.
Der Chip 41 weist hierbei eine quadratische Form mit vier
Seiten auf, von denen jede dem ersten Loch 221 entspricht.
Vier erste Löcher 221,
die vier Seiten des Chip 41 entsprechen, sind nicht miteinander
verbunden. Folglich sieht das erste Loch 221 ein diskontinuierliches
Loch vor.
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Wenn
vier erste Löcher 221 miteinander
verbunden sind, d.h., wenn das erste Loch 221 den Chip vollständig umgibt,
ist das Dehnungsband 220, das mit dem Loch 221 umgeben
ist, durch Trennen aus dem Dehnungsband 220 gewonnen. Folglich
sind die Löcher 221 an
vier Ecken unter den ersten Löchern 221 nicht
miteinander verbunden.
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Das
zweite Loch 223 ist außerhalb
des Wafers 10 angeordnet und dringt durch das Dehnungsband 220.
Folglich bildet eine Gesamtform der Mehrzahl von ersten Löchern 221 eine
kreisrunde Form mit einem Ausschnitt (notch) und eine Gesamtform der
zweiten Löcher 223 einen
Kreis mit einem Ausschnitt, der außerhalb der ersten Löcher 221 angeordnet
ist.
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In
der 10A sind die zweiten Löcher 223 auf
einem Kreis angeordnet, der geringfügig größer als der Außenumfang,
d.h. der Umfang des Wafers 10 ist. Die zweiten Löcher 223 sind
in einem vorbestimmten Intervall, das durch einen Mittelwinkel von 10
Grad definiert ist, auf dem Kreis angeordnet. Folglich sind 36 kreisrunde
Löcher
auf dem Kreis gebildet.
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Die
Abmessungen des ersten Lochs 221 und die Abmessungen des
zweiten Lochs 223 werden derart bestimmt, dass der Chip 41 nicht
durch die Löcher 221, 223 passt.
Insbesondere ist die maximale Abmessung jedes Lochs 221, 223 kleiner
als eine kurze Seite des Chips 41.
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11A zeigt ein weiteres erstes Loch 221a in
dem Dehnungsband 220 als Ausgestaltung des Dehnungsbandes 220 in
den 10A und 10B. Das
erste Loch 221 in der 11A weist
drei rechteckige Löcher 221a auf,
die nicht miteinander verbunden sind. Die Länge des ersten Loches in der 10A ist ungefähr
dreimal so lang wie die Länge jedes
rechteckigen Lochs 221a in der 11A.
Insbesondere weisen die drei rechteckigen Löcher 221a die gleiche
rechteckige Form auf und sind die drei rechteckigen Löcher 221a auf
der Schnittlinie des Wafers 10 angeordnet. Folglich sind
die drei rechteckigen Löcher 221a hintereinander
in einer Längsrichtung
der rechteckigen Löcher 221a angeordnet. Die
drei rechteckigen Löcher 221a entsprechen
dem ersten Loch 221. Wenn das Dehnungsband 220 drei rechteckige
Löcher 221a aufweist,
ist ein Gesamtlochbereich des Dehnungsbandes 220 kleiner
als der in einem Fall, bei dem das Dehnungsband 220 das erste
Loch 221 aufweist. Folglich überträgt sich die Zugspannung des
Dehnungsbandes 220 vorzugsweise auf den Wafer 10.
-
11B zeigt ein weiteres erstes Loch 221b, 221c in
dem Dehnungsband 220 als Ausgestaltung des Dehnungsbandes 220 in
den 10A und 10B.
Das erste Loch 221b, 221c umfasst ein kreisrundes
Loch 221b und ein dreieckiges Loch 221c. In der 11B sind vier kreisrunde Löcher 221b auf einer
Seite des Chips 41 und vier dreieckige Löcher 221c auf
der anderen Seite des Chips 41 angeordnet. Folglich bilden
vier kreisrunde Löcher 221b eines
der ersten Löcher 221 und
vier dreieckige Löcher 221c ebenso
ein anderes der ersten Löcher 221.
Vier dreieckige Löcher 221c sind
nicht miteinander verbunden, und vier kreisrunde Löcher 221b sind ebenso
nicht miteinander verbunden.
-
In
diesem Fall beträgt
der Durchmesser des kreisrunden Lochs 221b ungefähr 1/4 der
Länge des ersten
Lochs 221. Vier kreisrunde Löcher 221b sind auf
einer Seite des Chips 41 und auf der Schnittlinie K angeordnet.
Die Abmessung des dreieckigen Lochs 221c beträgt ungefähr 1/4 der
Länge des
ersten Lochs 221. Vier dreieckige Löcher 221c sind auf der
anderen Seite des Chips 41 und auf der Schnittlinie angeordnet.
Jedes der vier dreieckigen Löcher 221c weist
hierbei eine bestimmte Wendung auf, die sich von der Wendung des
benachbarten der dreieckigen Löcher 221c unterscheidet,
so dass vier dreieckige Löcher 221c alternierend
auf der Schnittlinie angeordnet sind. In diesem Fall ist ein Gesamtlochbereich
des Dehnungsbandes 220 kleiner als der in einem Fall, bei
dem das Dehnungsband 220 das erste Loch 221 aufweist.
Folglich überträgt sich
die Zugspannung des Dehnungsbandes 220 vorzugsweise auf
den Wafer 10.
-
12A zeigt ein weiteres zweites Loch 223a in
dem Dehnungsband 220 als Ausgestaltung des Dehnungsbandes 220 in
den 10A und 10B.
Das Dehnungsband 220 weist vier bogenförmige Löcher bzw. Bogenlöcher 223a auf,
die entlang des Umfangs des Wafers 10 angeordnet sind. Jedes
Bogenloch 223 entspricht beispielsweise nahezu 1/4 des
Umfangs des Wafers 10. Vier Bogenlöcher 223a sind nicht
miteinander verbunden und außerhalb
des Wafers 10 angeordnet. In der 12A ist
ein Teil, welcher der Ausrichtungsfläche OF entspricht, aus den
Bogenlöchern 223a entfernt.
-
Folglich
können
36 zweite Löcher 223,
die in der 10A gezeigt sind, durch vier
Bogenlöcher 223a ersetzt
werden. Wenn das Dehnungsband 220 vier Bogenlöcher 223a aufweist,
wird ein Gesamtlochbereich des Dehnungsbandes 220 verglichen
mit den 36 zweiten Löchern 223 erhöht. Dies
liegt daran, dass jedes Bogenloch 223a verglichen mit jedem zweiten
Loch 223 eine hohe Länge
aufweist. Folglich wird das Partikel 200, das aus dem Umfang
des Wafers, d.h. der Vereinzelungsoberfläche des Wafers 10 er zeugt
wird, dann, wenn der Laserstrahl L auf den Wafer 10 gestrahlt
wird, ausreichend absorbiert und über die Bogenlöcher 223a entfernt.
-
12B zeigt ein weiteres erstes Loch 221d und
ein weiteres zweites Loch 223b in dem Dehnungsband 220 als
Ausgestaltung des Dehnungsbandes 220 in den 10A und 10B.
Die ersten Löcher 221d und
die zweiten Löcher 223b sind
zufällig
auf dem Dehnungsband 220 angeordnet. Jedes der ersten und
zweiten Löcher 221d, 223b weist
eine kreisrunde Form auf. Die ersten Löcher 221d sind innerhalb
des Wafers 10 und die zweiten Löcher 223b außerhalb
des Wafers 10 angeordnet. Folglich sind die ersten und
zweiten Löcher 221d, 223b unregelmäßig verstreut
bzw. angeordnet.
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In
dem obigen Fall sind die ersten Löcher 221d nicht immer
auf der Schnittlinie K und die zweiten Löcher 223b nicht immer
entlang des Umfangs des Wafers 10 angeordnet. Folglich
wird das Partikel 200, 201 über die ersten und die zweiten
Löcher 221d, 223b absorbiert.
Die Absorptionsgrad des Partikels 200, 201 ist
verglichen mit dem des in den 10A bis 12A gezeigten Dehnungsband 220 verhältnismäßig gering.
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Die
planare Form und die Position jedes Lochs 221, 221a–221d, 223, 223a–223b wurde
anhand der 10A bis 12B,
beschrieben. Die 13A bis 13D beschreiben
den Querschnitt der Löcher 221, 221a–221d, 223, 223a–223b.
Obgleich das zweite Loch 223 in den 13A bis 13D eine kreisrunde Form aufweist, kann es eine
rechteckige, eine dreieckige oder eine mehreckige Form aufweisen.
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In
den 13A und 13B weist
das zweite Loch 223 eine derartige Stufe auf, dass das
Volumen des Dehnungsbandes maximiert, d.h. die Zugspannung des Dehnungsbandes 220 ausreichend auf
den Wafer 10 übertragen
wird. Insbesondere wird der Lochbereich des zweiten Lochs 223 minimiert.
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Die
eine Seite 220a des Dehnungsbandes 220, auf die
Wafer 10 geklebt ist, weist ein Loch 223c mit
einem hohen Innendurchmesser auf. Die andere Seite 220b des
Dehnungsbandes 220, die auf der gegenüberliegenden Seite des Wafers 10 liegt,
weist ein Loch 223d mit einem kleinen Innendurchmesser auf.
Hierdurch weist das zweite Loch 223 die Stufe auf.
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In
diesem Fall wird das Partikel derart über das Loch 223c mit
dem hohen Durchmesser absorbiert, dass das Partikel innerhalb der Öffnung des Lochs 223c mit
dem hohen Durchmesser ausreichend absorbiert wird. Da die andere
Seite 220b das Loch 223d mit dem geringen Durchmesser
aufweist, wird die Zugspannung des Dehnungsbandes 220 in horizontaler
Richtung des Dehnungsbandes 220 ausreichend über das
Dehnungsband auf den Wafer 10 übertragen. Insbesondere wird
die Zugspannung ausreichend auf die Innenseite des Dehnungsbandes übertragen.
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In
den 13C und 13D weist
das zweite Loch 223 ein oberes Loch 223e und ein
unteres Loch 223f auf. Das obere Loch 223e weist
die Mittelachse i und das untere Loch 223f die andere Mittelachse
j auf. Die Mitte i des oberen Lochs 223 unterscheidet sich
von der Mitte j des unteren Lochs 223f. Das obere und das
untere Loch 223e, 223f überlappen sich derart, dass
ein Überlappungsabschnitt 223g gebildet
wird.
-
Das
obere Loch 223e ist auf der einen Seite 220a des
Dehnungsbandes 220 und das untere Loch 223f auf
der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 geöffnet. Folglich
kann das entlang der durchgezogenen Linie der 13C strömende
Partikel das Dehnungsband 220 durch das zweite Loch 223 passieren.
Das entlang der gestrichelten Linie der 13D strömende Partikel
kann das Dehnungsband 220 jedoch nicht passieren. Folglich
kann das zweite Loch 223 mit dem oberen und dem unteren
Loch 223e, 223f das Partikel passieren lassen und
verhindern, dass das Partikel passiert, so dass es eine Absorptionsrichtung
des Partikels kontrolliert.
-
Folglich
wird das aus der vereinzelungsoberfläche des Wafers 10 erzeugte
Partikel, wie nachstehend noch beschrieben, von der einen Seite 220a über das
erste und das zweite Loch 221, 223 zu der anderen
Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert.
Insbesondere dann, wenn das Partikel von der Vorderseite des Wafers 10 zu
der Rückseite
des Wafers 10 absorbiert wird, ist der Luftstrom von oberhalb
des Wafers 10 zu der Rückseite
des Wafers 10 gerichtet. Folglich ist der Luftstrom nicht
zu der Vorderseite des Wafers 10 gerichtet. Folglich treibt
das Partikel verglichen mit einem Fall, bei dem es in eine Aufwärtsrichtung
absorbiert wird, nicht über
dem Wafer 10. Folglich verteilt sich das Partikel nicht
auf dem Wafer 10. Die Ausbeute und die Qualität des Halbleiterchips 41 werden
verbessert.
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Das
in der 10A gezeigte erste Loch 221 und
die in der 11A gezeigten rechteckigen Löcher 221a weisen
verglichen mit den dreieckigen Löchern 221b und
den kreisrunden Löchern 221c,
die in der 11D gezeigt sind, einen
großen Öffnungsbereich
auf der einen Seite 220a des Dehnungsbandes 220 auf,
da sie eine rechteckige Form entlang des Umfangs des Halbleiterchips 41 aufweisen.
Ferner sind das erste Loch 221 in der 10A, die rechteckigen Löcher 221a in der 11A und die dreieckigen und kreisrunden Löcher 221b, 221c in
der 11B entlang des Umfangs des
Chips 41 angeordnet, wobei das Partikel, das dann erzeugt
wird, wenn der Wafer 10 geschnitten und getrennt wird, verglichen
mit einem Fall, bei dem das erste Loch 221d zufällig auf
dem Dehnungsband angeordnet ist, ausreichend über die Löcher 221, 221a, 221b, 221c zu
der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert
wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Halbleiterchips
verbessert.
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Das
in der 10A gezeigte zweite Loch 223 und
das in der 12A gezeigte Bogenloch 223 sind
entlang des Umfangs des Wafers 10 gebildet. Folglich kann
das zu der Außenseite
des Wafers 10 gestreute bzw. verteilte Partikel über die
Löcher 223, 223a zu
der Außenseite 220b des
Dehnungsbandes 220 absor biert werden. Beispielsweise kann
das Partikel 201, dass durch eine Laserabtragung erzeugt wird,
wenn der Laserstrahl L auf den Wafer 10 gestrahlt wird, über die
Löcher 223, 223a absorbiert werden.
Folglich kann nicht nur das Partikel, das aus der Vereinzelungsoberfläche des
Wafers 10 erzeugt wird, sondern ebenso das Partikel, das
durch die Laserabtragung erzeugt wird, zu der anderen Seite 220b des
Dehnungsbandes 220 absorbiert werden. Folglich werden die
Ausbeute und die Qualität
des Chips deutlich verbessert.
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Die
Fläche
des Bogenlochs 223a in der 12A ist
größer als
die des zweiten Lochs 223 in der 10A,
da das Bogenloch 223, das entlang des Umfangs des Wafers 10 gebildet
ist, eine höhere Länge aufweist.
Folglich ist der Öffnungsbereich
des Bogenlochs 223a groß. Ferner wird das durch die
Laserabtragung erzeugte Partikel ausreichend über das Loch 223a zu
der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert,
da das Bogenloch 223a entlang des Umfangs des Wafers 10 gebildet ist.
Hierbei ist der Wafer 10 nicht an die andere Seite 220b des
Dehnungsbandes 220 gehaftet. Folglich werden das Partikel 200,
das durch die Laserabtragung erzeugt wird, und das Partikel, das
aus der Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers 10 erzeugt wird, wie in den 15A bis 15C gezeigt, hinreichend absorbiert.
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(Neunte Ausführungsform)
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Die 14A und 14B zeigen
Dehnungsbänder 220 mit
einer Maschenstruktur. Jedes Dehnungsband 220 weist eine
Elastizität
auf, wobei die eine Seite 220a des Dehnungsbandes 220 ein derartiges
Klebvermögen
aufweist, dass der Wafer 10 an der einen Seite 220a des
Dehnungsbandes 220 kleben kann.
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Der
Bereich jedes Dehnungsbandes 220, welcher dem Wafer 10 entspricht,
weist die Maschenstruktur auf, und der andere Bereich des Dehnungsbandes 220,
welcher der Außenseite
des Wafers 10 entspricht, weist ebenso die Maschenstruktur
auf. Folglich werden das Partikel 200, das durch die Laserabtragung
erzeugt wird, und das Partikel, das aus der Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafer 10 erzeugt wird, hinreichend über die Maschenlöcher 221e, 221f, 223h, 223i zu
der andere Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert.
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Die
in der 14A gezeigte Maschenstruktur
ist eine quadratische Gitterstruktur, die eine Längslinie 220c und
eine Querlinie 220d aufweist. Folglich wird die Zugspannung,
die entlang der Längsrichtung
des Dehnungsbandes 200 aufgebracht wird, aufrechterhalten,
d.h. über
die Längslinie 220c übertragen,
und wird die Zugspannung, die entlang der Querrichtung des Dehnungsbandes 200 aufgebracht
wird, aufrechterhalten, d.h. über
die Querlinie 220d übertragen.
Eine Halterung zum Halten des Dehnungsbandes 220 ist vorzugsweise
ein rechteckiger Rahmen.
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Die
in der 14B gezeigte Maschenstruktur
ist gleich einem Spinnennetz ausgebildet, das eine radiale Linie 220e und
eine Umfangslinie 220f aufweist. Die radiale Linie 220e erstreckt
sich in einem radialen Muster von der Mitte des Dehnungsbandes 220 zu
der Außenseite
des Dehnungsbandes 220. Die Umfangslinie 220f erstreckt
sich konzentrisch von der Mitte des Dehnungsbandes 220.
Folglich wird die Zugspannung, die von der Mitte des Dehnungsbandes 220 in
radialer Richtung aufgebracht wird, aufrechterhalten, d.h. über die
Linien 220e, 220f übertragen. Eine Halterung zum
Halten des Dehnungsbandes 220 ist vorzugsweise ein kreisrunder
Rahmen.
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(Zehnte Ausführungsform)
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Die 15A bis 15C zeigen
einen Laservereinzelungsprozess unter Verwendung des Dehnungsbandes 220.
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In
der 15A wird der Umformungsabschnitt
R mit Hilfe des Laserstrahls L gebildet. Insbesondere wird der Laserstrahl
L entlang der Schnittlinie K des Wafers gescannt. Folglich wird
der Laserstrahl L derart auf den Wafer 10 gestrahlt, dass
der Umformungsabschnitt R durch den Mehrphotonenabsorptionseffekt des
Laserstrahls L in dem Wafer 10 gebildet wird. Folglich
werden eine Mehrzahl von Schichten, die durch den Umformungsabschnitt
R vorgesehen werden, in der Dickenrichtung des Wafers 10 gebildet.
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In
der 15C wird die Zugspannung über das
Dehnungsband 220 auf die Rückseite des Wafers 10 aufgebracht.
In diesem Fall ist das Dehnungsband 220 in horizontaler
Richtung des Dehnungsbandes 220 dehnbar, so dass die Belastung
auf den Wafer 10 übertragen
wird. Folglich wird der Wafer 10 in seiner radialen Richtung
gezogen. Der Wafer 10 wird von dem Umformungsabschnitt
R als Startpunkt der Vereinzelung an geschnitten und getrennt.
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Ein
Absorptionsmittel, wie beispielsweise eine Pumpe zum Beaufschlagen
des Dehnungsbandes 220 mit einem Unterdruck, ein Luftstromelement zum
Erzeugen eines Luftstroms von der Oberseite des Wafers 10 zu
der Unterseite des Wafers 10 und ein Druckluftgebläse zum Blasen
der Luft von der Oberseite des Wafers zu der Unterseite des Wafers 10,
ist nahe dem Wafer 10 angeordnet. Folglich werden das Partikel 200,
das durch die Laserabtragung erzeugt wird, wenn der Umformungsabschnitt
R bei einem in der 15A gezeigten Laserbestrahlungsprozess
gebildet wird, und das Partikel 201, das aus der Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers 10 erzeugt wird, wenn der Wafer 10 geschnitten
und getrennt wird, von der einen Seite 220a des Dehnungsbandes 220 zu
bzw. auf die andere Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert
oder geblasen. Insbesondere werden die Partikel 200, 201 über bzw. durch
das Loch 221 des Dehnungsbandes 220 absorbiert
oder geblasen.
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Folglich
wird der Luftstrom in einem Absorptionsschritt während des Schneidens oder nach
oder vor dem Schneiden durch das Absorptionsmittel erzeugt. Das
Partikel 201 wird von der Vorderseite 10b über das
Loch 223 des Dehnungsbandes 220 zu der Rückseite 10a des
Wafers 10 absorbiert. Der Luftstrom oberhalb des Wafers 10 ist
nach unterhalb des Wafers 10 gerichtet; und folglich wird
verhindert, dass der Luftstrom nach oberhalb des. Wafers 10 gerichtet
ist. Folglich treibt das Partikel nicht über den Wafer 10 und
wird auch nicht auf dem Wafer 10 verteilt.
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Bei
dem Bildungsschritt des Umformungsabschnitts R oder nach oder vor
dem Bildungsschritt des Umformungsabschnitts R sieht das Absorptionsmittel
den Luftstrom nach unterhalb des Wafers 10 vor. Bei diesem
vorläufigen
Absorptionsschritt wird das Partikel 200 über das
Loch 223 des Dehnungsbandes 220 zu der Rückseite 10a des
Wafers 10 absorbiert. Hierbei wird das Partikel 200 nach
außerhalb
des Wafers 10 gestreut, wenn der Laserstrahl L auf den
Wafer 10 gestrahlt wird. Folglich wird der Partikel 200 über die
Löcher 221, 223 zu
der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert. Folglich
kann nicht einzig das Partikel 201, das aus der Vereinzelungsoberfläche des
Wafers 10 erzeugt wird, sondern ebenso das Partikel 200,
das durch die Laserabtragung erzeugt wird, über die Löcher 200, 201 zu
der anderen Seite 220b des Dehnungsbandes 220 absorbiert
werden. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Chips
deutlich verbessert.
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Obgleich
das Dehnungsband 220 aus Harz besteht, kann es aus einem
anderen Material bestehen, solange es luftdurchlässig ist. Beispielsweise kann
ein poröses
Sheet bzw. eine poröse
Schicht, ein mehrschichtiges Sheet oder dergleichen für das Dehnungsband 220 verwendet
werden.
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(Elfte Ausführungsform)
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Die 16 bis 20 zeigen
eine Ausdehnungsvorrichtung 300 zum Halten des Wafers 10.
Die Ausdehnungsvorrichtung 300 weist einen Befestigungstisch 302,
ein Befestigungselement 303, ein Abstandsstück 304 und
eine Absorptionsvorrichtung (nicht gezeigt) auf. Der Befestigungstisch 302 weist eine
zylindrische Form auf und befestigt einen flachen Ring 306.
Das Befestigungselement 303 weist eine Ringform auf und
befestigt den flachen Ring 306. Das Abstandsstück 304 weist
eine zylindrische Form auf und drückt den flachen Ring 306.
Die Absorptionsvorrichtung absorbiert die Luft in dem Abstandsstück 304 nach
un terhalb der Ausdehnungsvorrichtung 300. Die obere Oberfläche des
Befestigungstischs 302 weist eine Mehrzahl von Nuten 302a auf,
um die Innenseite des Tischs 302 mit der Außenseite
des Tischs 302 zu verbinden.
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Der
flache Ring 306 ist auf dem Tisch 302 befestigt.
Der Umfang des Vereinzelungsfilms 11 mit einer kreisrunden
Form ist an den flachen Ring 306 geklebt. Der flache Ring 306 ist
derart zwischen dem Tisch 302 und dem Befestigungselement 303 angeordnet,
dass er zwischen beiden befestigt ist. Der Wafer 10 ist
an die Rückseite
des Vereinzelungsfilms 11 geklebt und die Halbleitervorrichtung
auf einer Oberfläche
des Wafers 10 gebildet.
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Das
Abstandsstück 304 dient
zum Drücken des
Vereinzelungsfilms 11 nach oben. Folglich ist das Abstandsstück 304 in
vertikaler Richtung, d.h. aufwärts
und abwärts
bewegbar. Das Abstandsstück 304 drückt einen
Teil des Vereinzelungsfilms 11, der auf der Rückseite
des Vereinzelungsfilms 11 und außerhalb des Wafers 10 angeordnet,
so dass der Vereinzelungsfilm 11 gedehnt wird. Auf diese
Weise wird der Wafer 10 in die Mehrzahl von Chips 41 geschnitten
und getrennt. Eine Mehrzahl von Löchern 304a ist auf
einem Oberseitenabschnitt des Abstandsstücks 304 gebildet.
Jedes Loch 304a dringt derart durch die Umfangswand des
Abstandsstücks 304,
dass die Innenseite und die Außenseite
des Abstandsstücks 304 miteinander
verbunden sind.
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Die 18A bis 18D veranschaulichen einen
Schritt zum Schneiden des Wafers 10. Zunächst wird
der Wafer 10, wie in 18A gezeigt,
an einem Abschnitt nahezu in der Mitte des Vereinzelungsfilms 11 geklebt,
der an dem flachen Ring 306 befestigt ist. Insbesondere
wird der Vereinzelungsfilm 11 an dem Boden des flachen
Rings 306 befestigt und der Wafer 10 an die obere
Oberfläche
des Vereinzelungsfilms 11 geklebt. In diesem Fall liegt
die Halbleitervorrichtung auf dem Wafer 10 dem Vereinzelungsfilm 11 derart
gegenüber,
dass sie den Vereinzelungsfilm 11 nicht berührt.
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Auf
einem Teil der Oberfläche
des Vereinzelungsfilms 11 ist eine Klebeelement aufgebracht,
um den Wafer 10 darauf zu kleben. Der andere Teil der Oberfläche des
Vereinzelungsfilms 11, auf dem der Wafer 10 nicht
angeordnet ist, d.h. der andere Teil, der außerhalb des Wafers 10 angeordnet
ist, wird bearbeitet, um das Klebvermögen des Klebeelement zu verringern.
Das Abstandsstück 304 dient
dazu, den anderen Teil des Vereinzelungsfilms 11 zu berühren, und
bildet eine Ringform um den Wafer 10 herum. Folglich ist
die obere Oberfläche
des Abstandsstücks 304 nicht
an den Vereinzelungsfilm 11 geklebt. Folglich wird der
Vereinzelungsfilm 11 hinreichend durch das Abstandsstück 304 gedehnt.
Wenn der andere Teil des Vereinzelungsfilms 11 ein Klebvermögen aufweist,
wird verhindert, dass sich der Vereinzelungsfilm 11 ausdehnt.
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Der
Prozess zur Verringerung des Klebvermögens wird derart ausgeführt, dass
der Vereinzelungsfilm 11 aus einem Vereinzelungsband, das durch
eine Bestrahlung mit ultraviolettem Licht entfernt werden kann,
gebildet wird. In diesem Fall wird ultraviolettes Licht derart auf
den anderen Teil des Vereinzelungsfilms 11 gestrahlt, dass
das Klebvermögen
des anderen Teils verringert wird. Dieser Prozess zur Verringerung
des Klebvermögens
kann vor dem Ausdehnungsschritt des Vereinzelungsfilms 11 ausgeführt werden.
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Anschließend wird
der Laserstrahl L, wie in 18B gezeigt,
derart auf die Oberfläche
des Wafers 10 gestrahlt, dass der Umformungsabschnitt R zum
Schneiden des Wafers 10 in dem Wafer 10 gebildet
wird. Eine gestrichelte Linie in der 18B beschreibt
die Schnittlinie K.
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Anschließend wird
die Oberfläche
des Wafers 10, die auf der gegenüberliegenden Seite des Vereinzelungsfilms 11 liegt,
wie in 18C gezeigt, in vertikaler Richtung
abwärts
gerichtet und der flache Ring 306 mit dem Vereinzelungsfilm 11 an
der Ausdehnungsvorrichtung 300 befestigt. Insbesondere
dreht sich der Wafer 10 an dem Vereinzelungsfilm 11 derart,
dass er dem Abstandsstück 304 gegenüberliegt.
Ferner ist der Umfang des flachen Rings 306 zwischen dem
Befestigungselement 303 und dem Befestigungstisch 302 angeordnet.
Folglich ist der flache Ring 306 mit dem Vereinzelungsfilm 11 an
der Ausdehnungsvorrichtung 300 befestigt. Ferner drückt die
obere Oberfläche
des Abstandsstücks 304 nach
oben und berührt
den Teil des Vereinzelungsfilms 11, der außerhalb
des Wafers 10 liegt.
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Anschließend wird
die Luftabsorptionsvorrichtung (nicht gezeigt) derart betrieben,
dass die Luft in dem Abstandsstück 304 nach
unten absorbiert wird. Folglich wird die Luft außerhalb der Ausdehnungsvorrichtung 300 aus
der Nut 302a des Befestigungstisches 302 und dem
Loch 304a des Abstandsstücks 304 in das Abstandsstück 304 eingeführt. Anschließend strömt die Luft
in dem Abstandsstück 304 von
der Oberfläche
des Wafers 10 nach unterhalb des Abstandsstücks 304.
Folglich wird der Luftstrom von der Oberfläche des Wafers 10 nach
unterhalb des Abstandsstücks 304 durch
die Luftabsorptionsvorrichtung erzeugt. Hierbei stellen die Nut 302a des Befestigungstisches 302,
das Loch 304a des Abstandsstücks 304 und die Absorptionsvorrichtung eine
Luftstromerzeugungseinrichtung bereit.
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Anschließend wird
das Abstandsstück 304, wie
in 18D gezeigt, derart erhöht, dass die obere Oberfläche des
Abstandsstücks 304 das
Teil des Vereinzelungsfilms 11 nach oben drückt. Folglich
wird der Vereinzelungsfilm 11 derart gedehnt, dass der Wafer 10 in
die Chips 41 geschnitten und getrennt wird. Hierbei wird
das Partikel dann, wenn der Wafer 10 geschnitten wird,
aus der Vereinzelungsoberfläche
des Wafers 10 erzeugt. Das Partikel fällt jedoch frei nach unten,
da der Wafer 10 nach unten ausgerichtet ist. Folglich haftet
das Partikel nicht an der Oberfläche
des Wafers 10 an. Insbesondere, da die Luftstromerzeugungseinrichtung
den Luftstrom derart erzeugt, dass die Luft in dem Abstandsstück 304 nach
unten absorbiert wird. Folglich trägt der Luftstrom von der Oberfläche des
Wafers 10, die auf der gegenüberliegenden Seite des Vereinzelungsfilms 11 liegt,
nach unterhalb des Abstandsstücks 304 das Partikel
von der Oberfläche
des Wafers 10 nach unterhalb des Abstandsstücks 304.
Folglich treibt das Partikel nicht über den Wafer 10 und
haftet nicht an dem Wafer 10 an. Anschließend wird
ein zweiter flacher Ring 308, wie in 19 gezeigt,
an die obere Oberfläche
des Vereinzelungsfilms 11 geklebt. Der zweite flache Ring 308 weist
nahezu die gleichen Abmessungen wie der Außendurchmesser des Abstandsstücks 304 auf.
Folglich bleiben die geteilten Chips 41 in einem getrennten
Zustand zusammen. Die Außenseite
des Vereinzelungsfilms 11, die außerhalb des zweiten flachen
Rings 308 liegt, wird geschnitten.
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Folglich
sind die Chips 41, wie in 20 gezeigt,
auf dem Vereinzelungsfilm 11 geteilt und ist der Vereinzelungsfilm 11 an
dem zweiten flachen Ring 308 befestigt. Dieser zweite flache
Ring mit den geteilten Chips 41 wird einer Nachbearbeitung
unterzogen.
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Wenn
der Vereinzelungsfilm 11 gedehnt wird, wird der Wafer 10 folglich
nach unten ausgerichtet. Folglich fällt das Partikel naturgemäß nach unten, so
dass es von der Oberfläche
des Wafers 10 entfernt wird. Folglich wird verhindert,
dass das Partikel an dem Wafer 10 anhaftet. Folglich werden
die Ausbeute und die Qualität
der Chips verbessert.
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Ferner
wird das Partikel durch den von der Luftabsorptionseinrichtung erzeugten
Luftstrom nach unterhalb des Abstandsstücks 304 absorbiert.
Folglich kann sicher verhindert werden, dass das Partikel an dem
Wafer 10 anhaftet.
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Ferner
weist das Abstandsstück 304 eine
zylindrische Form auf und kann aufwärts und abwärts bewegt werden. Folglich
ist der Aufbau der Luftstromerzeugungsvorrichtung vereinfacht.
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Die
Löcher 304a des
Abstandsstücks 304 sehen
auf einfache Art und Weise den Luftstrom von außerhalb der Vorrichtung 300 in
das Abstandsstück 304 vor.
Obgleich das Abstandsstück 304 die
Löcher 304a aufweist,
kann es Nuten aufweisen.
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Die
Nuten 302a des Befestigungstisches 302 sehen auf
einfache Art und Weise den Luftstrom von außerhalb der Vorrichtung 300 in
den Befestigungstisch 302 vor.
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(Zwölfte Ausführungsform)
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21 zeigt
eine weitere Ausdehnungsvorrichtung 300. Das Abstandsstück 304 der
Vorrichtung 300 weist eine zylindrische Säulenform
auf. Ferner weist das Abstandsstück 304 an
seiner oberen Oberfläche
eine Konkavität 310 auf.
Der Wafer 10 kann in der Konkavität 310 des Abstandsstücks 304 angeordnet
werden. Die Seitenwand 311 der Konkavität 310 weist eine Mehrzahl
von Löchern 304a auf,
die durch die Seitenwand 311 dringen. Folglich kann die Luft
von der Außenseite
des Abstandsstücks 304 zu der
Innenseite des Abstandsstücks 304 strömen. Ein Luftdurchlass 312 ist
an dem mittleren Abschnitt des Bodens der Konkavität 310 gebildet.
Der Luftdurchlass 312 ist entlang der Mittelachse des Abstandsstücks 304 angeordnet.
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In
der obigen Vorrichtung 300 passiert die Luft außerhalb
des Abstandsstücks 304 dann,
wenn die Luftabsorbierungsvorrichtung betrieben wird, das Loch 304a des
Abstandsstücks 304 derart,
dass sie in die Konkavität 310 des
Abstandsstücks 304 eingefügt wird.
Anschließend
strömt
die Luft von der Oberfläche
des Wafers 10 und dem Luftdurchlass 312 des Abstandsstücks 304 nach
unterhalb des Abstandsstücks 304.
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(Dreizehnte Ausführungsform)
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Die 22 bis 24 zeigen
eine weitere Ausdehnungsvorrichtung 300. Die Vorrichtung 300 weist
einen ringförmigen
Doppelringrahmen 313 auf. Der Vereinzelungsfilm 11 ist
an dem Doppelringrahmen 313 befestigt. Der Doppelringrahmen 313 weist einen
inneren Ring 314 und einen äußeren Ring 315 auf.
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Bevor
der Vereinzelungsfilm 11 gedehnt wird, wird der inneren
Ring 314 an der oberen Oberfläche des Abstandsstücks 304 befestigt.
Der innere Ring 314 kann von dem Abstandsstück 304 entfernt werden.
Das Abstandsstück 304 wird,
wie in 22 gezeigt, derart erhöht, dass
der Vereinzelungsfilm 11 gedehnt wird. Auf diese Weise
wird der Wafer 10 geschnitten und getrennt. Anschließend wird
der äußere Ring 315,
wie in 23 gezeigt, außen um den
inneren Ring 314 gefügt.
Der Vereinzelungsfilm 11 ist zwischen dem inneren Ring 314 und
dem äußeren Ring 315 angeordnet.
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Der
Teil des Vereinzelungsfilms 11 außerhalb des äußeren Rings 315 wird
geschnitten und der innere Ring 314 derart erhöht, dass
der Doppelringrahmen 313 mit dem Vereinzelungsfilm 11 von
dem Abstandsstück 304 entfernt
wird. Folglich sind die Chips 41, wie in 24 gezeigt,
geteilt und auf dem Vereinzelungsfilm 11 angeordnet, der
durch den Doppelringrahmen 313 befestigt wird.
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Obgleich
der Befestigungstisch 302 die Nuten 302a und das
Abstandsstück 304 die
Löcher 304a aufweist,
kann der Befestigungstisch 302 auch ohne die Nuten und
das Abstandsstück 304 auch ohne
die Löcher
ausgebildet sein. Wenn der Vereinzelungsfilm 11 beispielsweise
kleine Durchgangslöcher
aufweist, ist keine Nut und kein Loch in dem Tisch 302 bzw.
dem Abstandsstück 304 erforderlich. Alternativ
kann der Vereinzelungsfilm 11 aus einem porösen Material
bestehen. In diesem Fall kann der Luftstrom von der Außenseite
der Vorrichtung nach unterhalb des Abstandsstücks 304 erzeugt werden, ohne
dass die Nut und das Loch in dem Tisch 302 bzw. in dem
Abstandsstück 304 gebildet
sind. Ferner können
der Befestigungstisch 302 und das Abstandsstück 304 eine
andere Art von Durchgang von außerhalb
nach innerhalb aufweisen.
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Die
obige Offenbarung weist die folgenden Ausgestaltungen auf.
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Gemäß einer
ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist eine durch
Trennen aus einem Wafer gebildete Vorrichtung auf: einen Chip mit einer
Seitenwand, die dann durch eine Vereinzelungsoberfläche des
Wafers vorgesehen ist, wenn die Vor richtung durch Trennen aus dem
Wafer gebildet ist; und ein Schutzelement, das an der Seitenwand
des Chips angeordnet ist, um den Chip davor zu schützen, durch
Staub von der Vereinzelungsoberfläche verunreinigt zu werden.
In diesem Fall wird verhindert, dass ein Partikel von bzw. aus der
Vereinzelungsoberfläche
des Wafers abgetrennt bzw, entfernt wird. Hierbei wird die Vereinzelungsoberfläche des
Wafers dann, wenn der Chip durch Trennen aus dem Wafer gebildet
wird, derart mit dem Schutzelement bedeckt, dass verhindert wird,
dass das Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des Wafers entfernt wird.
Ferner ist die Vereinzelungsoberfläche des Wafers nach einer Trennung
des Chips aus dem Wafer derart mit dem Schutzelement bedeckt, dass
verhindert wird, dass das Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des
Wafers entfernt wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Chips
verbessert.
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Alternativ
kann die Vorrichtung einen Umformungsabschnitt aufweisen, der an
der Seitenwand angeordnet ist. Der Umformungsabschnitt ist mit dem Schutzelement
bedeckt. Der Umformungsabschnitt ist dafür vorgesehen, dass der Wafer
von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt an gespalten wird, wenn
die Vorrichtung durch Trennen aus dem Wafer gewonnen wird. Der Umformungsabschnitt
wird vor einer Trennung der Vorrichtung aus dem Wafer derart in
dem Wafer angeordnet, dass ein Laserstrahl auf eine vorbestimmte
Position in dem Wafer fokussiert ist, um den Umformungsabschnitt
um die vorbestimmte Position herum durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt
des Laserstrahls in dem Wafer zu bilden.
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Gemäß einer
zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren
zur Bearbeitung eines Wafers die folgenden Schritte: Teilen des
Wafers in eine Mehrzahl von Chips; und Bedecken einer Seitenwand
jedes Chips mit einem Schutzelement zum Schützen des Chips vor einer Verunreinigung
durch Staub von bzw. aus einer Vereinzelungsoberfläche des
Wafers. Bei diesem Verfahren wird die Seitenwand des Chips dann,
wenn der Chip aus dem Wafer getrennt wird, mit dem Schutzelement
bedeckt. Folglich wird verhindert, dass ein Partikel von der Seitenwand
des Chips, die der Vereinzelungsoberfläche des Wafers entspricht,
abgetrennt wird, wenn der Chip aus dem Wafer getrennt wird, oder
nachdem der Chip durch Trennen aus dem Wafer gebildet ist. Folglich
werden die Ausbeute und Qualität
des Chips verbessert.
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Alternativ
kann das Verfahren die Schritte umfassen: Bilden eines Umformungsabschnittes
in dem Wafer entlang einer Schnittlinie des Wafers derart, dass
ein Laserstrahl auf eine vorbestimmte Position in dem Wafer fokussiert
ist, um den Umformungsabschnitt um die vorbestimmte Position herum durch
einen Mehrphotonenabsorptionseffekt des Laserstrahls in dem Wafer
zu bilden; und Bilden des Schutzelements auf einem Teil des Wafers,
der die Schnittlinie bedeckt. Bei dem Teilen des Wafers wird der
Wafer von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt derart gespalten,
dass er entlang der Schnittlinie geteilt wird. Bei dem Teilen des
Wafers wird das Schutzelement auf dem Teil des Wafers geschmolzen.
Bei dem Bedecken der Seitenwand jedes Chips verteilt sich das geschmolzene
Schutzelement derart auf der Vereinzelungsoberfläche des Wafers, dass es die
Seitenwand des Chips bedeckt. Ferner kann das Verfahren den folgenden
Schritt umfassen: Bilden einer Konkavität auf einem Teil des Wafers,
auf dem das Schutzelement gebildet ist. Bei dem Bilden des Schutzelements
wird das Schutzelement derart in der Konkavität gebildet, dass es in der
Konkavität
untergebracht ist. Ferner kann das Verfahren den Schritt umfassen:
Bilden einer Nut in dem Wafer, wobei die Nut parallel zu dem Teil
des Wafers verläuft, auf
dem das Schutzelement gebildet ist. Die Nut kann das Schutzelement
aufnehmen, wenn sich das geschmolzene Schutzelement auf dem Wafer
verteilt.
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Alternativ
kann das Schutzelement wenigstens eine Thermoplastizität, eine
duroplastische Eigenschaft, eine Fotoaushärteeigenschaft, eine Aushärteeigenschaft
auf eine chemische Reaktion hin oder eine Lösungsmittelverdampfungsaushärteeigenschaft
aufweisen.
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Alternativ
kann das Bedecken der Seitenwand jedes Chips ausgeführt werden,
nachdem der Wafer in die Mehrzahl von Chips geteilt wurde. Ferner
kann der Chip bei dem Bedecken der Seitenwand jedes Chips derart
in ein Gehäuse
eingefügt
werden, das aus dem Schutzelement besteht, dass das Schutzelement
an der Seitenwand des Chips anhaftet. Ferner kann das Schutzelement
wenigstens eine Wärmeschwindungseigenschaft,
eine Fotoschwindungseigenschaft oder eine Elastizität aufweisen.
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Alternativ
kann das Schutzelement beim Teilen des Wafers mit einem Druck beaufschlagt
werden. Ferner kann das Verfahren die folgenden Schritte umfassen:
Kleben einer Rückseite
des Wafers an einen Vereinzelungsfilm; und Befestigen des Wafers mit
dem Vereinzelungsfilm an einer Vereinzelungsstufe. Der Vereinzelungsfilm
weist ein Ausdehnungsvermögen
und eine Luftdurchlässigkeit
auf. Die Vereinzelungsstufe weist eine Luftdurchlässigkeit
auf. Bei dem Teilen des Wafers wird eine Zugspannung derart auf
den Wafer aufgebracht, dass der Wafer von dem Umformungsabschnitt
an gespalten wird. Bei dem Teilen des Wafers wird eine Saugkraft über den
Vereinzelungsfilm entlang der Schnittlinie von der Rückseite
des Wafers auf den Wafer aufgebracht.
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Gemäß einer
dritten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist eine Halbleitervorrichtung auf:
einen Vereinzelungsfilm; einen Halbleiterwafer, der auf dem Vereinzelungsfilm
angeordnet ist, wobei der Wafer entlang einer Schnittlinie in eine
Mehrzahl von Chips geteilt werden kann; ein Schutzelement, das auf
einem Teil des Wafers angeordnet ist, welcher die Schnittlinie des
Wafers bedeckt, wobei das Teil des Wafers auf der gegenüberliegenden
Seite des Vereinzelungsfilms liegt; und eine Mehrzahl von Umformungsabschnitten,
die in dem Wafer angeordnet und entlang der Schnittlinie angeordnet
sind. In diesem Fall wird verhindert, dass ein Partikel von der Vereinzelungsoberfläche des
Wafers abgetrennt wird. Folglich werden die Ausbeute und Qualität des Chips
verbessert.
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Alternativ
kann der Wafer derart geteilt werden, dass er von dem Umformungsabschnitt
als Startpunkt an gespalten wird. Alternativ kann das Schutzelement
aus einem thermoplastischem Material, aus einem duroplastischem
Material, aus einem Fotoaushärtematerial,
aus einem Material, das auf eine chemische Reaktion hin aushärtet, aus
einem Lösungsmittelverdampfungshärtematerial,
aus einem Wärmeschwindungsmaterial,
aus einem Fotoschwindungsmaterial oder aus einem elastischem Material
bestehen. Alternativ können
die Umformungsabschnitte eine Mehrzahl von Gruppen bilden. Eine
der Gruppen ist in einer vorbestimmten Tiefe von dem Schutzelement
und eine andere der Gruppen in einer anderen vorbestimmten Tiefe
von dem Schutzelement an angeordnet. Alternativ kann die Vorrichtung
eine Konkavität
aufweisen, die an dem Teil des Wafers angeordnet ist, an dem das
Schutzelement angeordnet ist. Das Schutzelement ist in der Konkavität angeordnet.
Alternativ kann die Vorrichtung ferner ein Paar an Konkavitäten aufweisen,
das einem anderen Teil des Wafers angeordnet ist, das parallel zur
Schnittlinie verläuft.
Das Schutzelement ist zwischen einem Paar an Konkavitäten angeordnet.
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Alternativ
kann der Vereinzelungsfilm ein erstes Durchgangsloch aufweisen,
das in einem Teil des Vereinzelungsfilms angeordnet ist, welcher
dem Wafer entspricht. Ferner kann das erste Durchgangsloch eine
Mehrzahl von länglichen
Löchern
aufweisen, die nicht miteinander verbunden sind, wobei jedes längliche
Loch entlang einer Schnittlinie des Wafers angeordnet ist. Alternativ
kann der Vereinzelungsfilm ferner ein zweites Durchgangsloch aufweisen,
wobei das zweite Durchgangsloch in einem anderen Teil des Vereinzelungsfilms
angeordnet ist, welcher einer Außenseite des Wafers entspricht.
Ferner kann das zweite Durchgangsloch eine Mehrzahl von länglichen
Löchern
aufweisen, die nicht miteinander verbunden sind, wobei jedes längliche
Loch entlang eines Umfangs des Wafers angeordnet ist. Ferner kann
das erste Durchgangsloch derart eine Mehrzahl von Löchern und
kann das zweite Durchgangsloch derart eine Mehrzahl von Löchern aufweisen,
dass der Teil und der andere Teil des Vereinzelungsfilms eine Maschenstruktur
bilden. Ferner kann das erste Durchgangsloch derart eine Mehrzahl
von Löchern
aufweisen, dass der Vereinzelungsfilm eine Maschenstruktur bildet,
wobei wenigstens der Teil des Vereinzelungsfilms, welcher dem Wafer
entspricht, die Maschenstruktur aufweist. Ferner kann die Maschenstruktur
eine radiale Linie und Umfangslinie aufweisen, wobei sich die radiale
Linie in einem radialen Muster von einer Mitte des Vereinzelungsfilms
und sich die Umfangslinie konzentrisch von der Mitte des Vereinzelungsfilms
erstreckt.
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Gemäß einer
vierten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist ein Vereinzelungssheet auf:
einen Vereinzelungsfilm, der an einem Plattenobjekt anhaften kann,
das in eine Mehrzahl von Chips zu trennen ist, wobei der Vereinzelungsfilm
die Chips auf einer Oberfläche
halten kann, nachdem das Plattenobjekt in die Chips getrennt wurde;
und ein erstes Durchgangsloch, das in einem Teil des Vereinzelungsfilms
angeordnet ist, welches dem Plattenobjekt entspricht. In diesem
Fall wird ein Partikel selbst dann, wenn es aus einer Vereinzelungsoberfläche des
Plattenobjekts erzeugt wird, über
das erste Durchgangsloch von dem Objekt entfernt. Folglich wird
verhindert, dass das Partikel über
das Plattenobjekt treibt, so dass es nicht auf dem Plattenobjekt
verteilt wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips
verbessert.
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Alternativ
kann das erste Durchgangsloch eine Mehrzahl länglicher Löchern aufweisen, die nicht
miteinander verbunden sind, wobei jedes längliche Loch entlang einer
Schnittlinie des Plattenobjekts angeordnet ist.
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Alternativ
kann das Sheet ferner ein zweites Durchgangsloch aufweisen, das
in einem anderen Teil des Vereinzelungsfilms angeordnet ist, welcher einer
Außenseite
des Plattenobjekts entspricht. Ferner kann das zweite Durchgangsloch
eine Mehrzahl von länglichen
Löchern
aufweisen, die nicht miteinander verbunden sind, wobei jedes längliche
Loch entlang eines Umfangs des Plattenobjekts angeordnet ist.
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Alternativ
kann das erste Durchgangsloch derart eine Mehrzahl von Löchern aufweisen,
dass der Vereinzelungsfilm eine Maschenstruktur bildet, und das
wenigstens der Teil des Vereinzelungsfilms, welcher dem Plattenobjekt
entspricht, die Maschenstruktur aufweist. Ferner kann das erste
Durchgangsloch derart eine Mehrzahl von Löchern und kann das zweite Durchgangsloch
derart eine Mehrzahl von Löchern
aufweisen, dass das Teil und das andere Teil des Vereinzelungsfilms
eine Maschenstruktur bilden. Ferner kann die Maschenstruktur eine
quadratische Gitterstruktur sein. Alternativ kann die Maschenstruktur
eine radiale Linie und eine Umfangslinie umfassen. Die radiale Linie
erstreckt sich in einem radialen Muster von einer Mitte des Vereinzelungsfilms,
und die Umfangslinie erstreckt sich konzentrisch von der Mitte des
Vereinzelungsfilms.
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Gemäß einer
fünften
Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zum
Vereinzeln eines Wafers die folgenden Schritte: Kleben des Vereinzelungssheets
an das Plattenobjekt; Strahlen eines Laserstrahls derart entlang
einer Schnittlinie des Plattenobjekts auf das Plattenobjekt, dass
ein Umformungsabschnitt durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt
des Laserstrahls in dem Plattenobjekt gebildet wird; Schneiden des
Plattenobjekts von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt des Schneidens
an; und Absorbieren eines Partikels, das aus einer Schnittoberfläche des Plattenobjekts
erzeugt wird, derart durch das erste Durchgangsloch des Vereinzelungsfilms,
dass das Partikel in Richtung einer Rückseite des Vereinzelungsfilms
absorbiert wird, wobei die Rückseite
des Vereinzelungsfilms auf der gegenüberliegenden Seite des Plattenobjekts
liegt. In diesem Fall wird verhindert, dass das Partikel über das
Plattenobjekt treibt, so dass es nicht auf dem Plattenobjekt verteilt
wird. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Chips
verbessert.
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Gemäß einer
sechsten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren
zum Vereinzeln eines Wafers die folgenden Schritte: Kleben des Vereinzelungssheets
an das Plattenobjekt; Strahlen eines Laserstrahls derart entlang
einer Schnittlinie des Plattenobjekts auf das Plattenobjekt, dass
ein Umformungsabschnitt durch einen Mehrphotonenabsorptionseffekt
des Laserstrahls in dem Plattenobjekt gebildet wird; Schneiden des
Plattenobjekts von dem Umformungsabschnitt als Startpunkt des Schneidens
an; und Absorbieren eines durch Strahlen des Laserstrahls erzeugten
Partikels beim Strahlen des Laserstrahls durch das erste und/oder
zweite Durchgangsloch des Vereinzelungsfilms derart, dass das Partikel
in Richtung einer Rückseite
des Vereinzelungsfilms absorbiert wird, wobei die Rückseite
des Vereinzelungsfilms auf der gegenüberliegenden Seite des Plattenobjekts
liegt. In diesem Fall wird verhindert, dass das Partikel über das Plattenobjekt
treibt, so dass es nicht auf dem Plattenobjekt verteilt wird. Folglich
werden die Ausbeute und die Qualität des Chips verbessert.
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Gemäß einer
siebten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung weist eine Vereinzelungsvorrichtung
zum Teilen eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips
auf: einen Vereinzelungsfilm, auf dem ein Halbleitersubstrat angeordnet
ist; ein Laserelement zum Strahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat,
um einen Umformungsabschnitt in dem Substrat zu bilden; und eine
Ausdehnungsvorrichtung zum Befestigen des Vereinzelungsfilms und zum
Dehnen des Vereinzelungsfilms, um das Substrat in die Chips zu teilen.
Der Vereinzelungsfilm ist derart an der Ausdehnungsvorrichtung befestigt, dass
das Substrat auf dem Vereinzelungsfilm abwärts bzw. nach unten ausgerichtet
ist, so dass ein aus einer Vereinzelungsoberfläche des Substrats stammendes
Partikel frei nach unter fällt.
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Bei
dieser Vorrichtung fällt
das Partikel frei herunter, so dass es von der Oberfläche des
Substrats entfernt wird. Folglich wird verhindert, dass das Partikel
an dem Substrat anhaftet. Folglich werden die Ausbeute und die Qualität der Chips
verbessert.
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Alternativ
kann die Ausdehnungsvorrichtung ein Abstandsstück aufweisen. Das Abstandsstück ist derart
aufwärts
und abwärts
bewegbar, dass es einen Teil des Vereinzelungsfilms nach oben drückt, um den
Vereinzelungsfilm zu dehnen, wobei der Teil um das Substrat herum
angeordnet ist und das Abstandsstück eine zylindrische Form aufweist.
Ferner kann die Vorrichtung eine Luftstromerzeugungsvorrichtung
zur Erzeugung eines Luftstroms von einer Oberfläche des Substrats nach unterhalb
des Abstandsstücks
aufweisen. Ferner kann das Abstandsstück eine Mehrzahl von Nuten
oder Löchern
aufweisen, die an einem Teil des Abstandsstücks nahe dem Substrat angeordnet
sind.
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Alternativ
kann die Ausdehnungsvorrichtung ein Abstandsstück aufweisen. Das Abstandsstück ist derart
aufwärts
und abwärts
bewegbar, dass es einen Teil des Vereinzelungsfilms nach oben drückt, um den
Vereinzelungsfilm zu dehnen, wobei das Teil um das Substrat herum
angeordnet ist, das Abstandsstück
eine zylindrische Säulenform
aufweist und das Abstandsstück
eine Konkavität
zum Umgeben des Substrats aufweist. Ferner kann die Vorrichtung
eine Luftstromerzeugungsvorrichtung zum Erzeugen eines Luftstroms
von einer Oberfläche
des Substrats zu einer Unterseite des Abstandsstücks aufweisen. Ferner kann
das Abstandsstück
eine Mehrzahl von Nuten oder Löchern
aufweisen, die an einem Teil des Abstandsstücks nahe dem Substrat angeordnet
sind. Der Teil des Abstandsstücks
ist eine Seitenwand der Konkavität
des Abstandsstücks,
wobei die Konkavität des
Abstandsstücks
einen Boden mit einem Luftdurchlass aufweist und der Luftdurchlass
derart an dem Boden angeordnet ist, dass Luft von der Konkavität nach außerhalb
des Abstandsstücks
strömt.
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Gemäß einer
achten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren
zum Vereinzeln eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips
die folgenden Schritte: Kleben eines Halbleitersubstrats auf einen
Vereinzelungsfilm; Strahlen eines Laserstrahls auf das Substrat,
um einen Umformungsabschnitt in dem Substrat zu bilden; und Dehnen
des Substrats über
den Vereinzelungsfilm, um das Substrat in die Chips zu teilen. Bei
dem Dehnen des Substrats ist der Vereinzelungsfilm derart an einer
Ausdehnungsvorrichtung befestigt, dass das Substrat an dem Vereinzelungsfilm
nach unten ausgerichtet ist, so dass ein aus ei ner Vereinzelungsoberfläche des
Substrats stammendes Partikel frei nach unten kann.
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Bei
diesem Verfahren fällt
das Partikel frei nach unten, so dass es von der Oberfläche entfernt wird.
Folglich wird verhindert, dass das Partikel an dem Substrat anhaftet.
Folglich werden die Ausbeute und die Qualität des Chips verbessert.
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Alternativ
kann das Verfahren den folgenden Schritt umfassen: Erzeugen eines
Luftstroms von einer Oberfläche
des Substrats zu einer Unterseite des Abstandsstücks.
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Obgleich
die vorliegende Erfindung bezüglich
ihrer bevorzugten Ausführungsformen
offenbart worden ist, um ein besseres Verständnis von diesem zu ermöglichen,
sollte wahrgenommen werden, dass die Erfindung auf verschiedene
Weise verwirklicht werden kann, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen.
Deswegen sollte die Erfindung derart verstanden werden, dass sie
alle möglichen
Ausführungsformen
und Ausgestaltungen zu den gezeigten Ausführungsformen und Ausgestaltungen
beinhaltet, die realisiert werden können, ohne den Umfang der Erfindung
zu verlassen, so wie er in den beigefügten Ansprüchen dargelegt ist.
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Vorstehend
sind ein Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines
Wafers offenbart worden.
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Eine
durch Trennen aus einem Wafer 10 gewonnene Vorrichtung
weist auf: einen Chip 41 mit einer Seitenwand, die dann
durch eine Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers 10 vorgesehen ist, wenn die Vorrichtung durch Trennen
aus dem Wafer 10 gewonnen ist; und ein Schutzelement 12, 45, 52,
das an der Seitenwand des Chips 41 angeordnet ist, um den Chip 41 davor
zu schützen,
durch Staub von der Vereinzelungsoberfläche 10d verunreinigt
zu werden. In der Vorrichtung ist die Vereinzelungsoberfläche 10d des
Wafers 10 derart mit dem Schutzelement 12, 45, 52 bedeckt,
dass verhindert wird, dass der Chip 41 durch den Staub
verunreinigt wird.