DE60124405T2

DE60124405T2 - Reinigungsblatt, förderelement dafür und reinigungsverfahren für substrat-bearbeitungsvorrichtungen in dem diese verwendet werden

Info

Publication number: DE60124405T2
Application number: DE60124405T
Authority: DE
Inventors: Nitto Denko Corporation Makoto Ibaraki-shi NAMIKAWA; Nitto Denko Corporation Yoshio Ibaraki-shi TERADA; Nitto Denko Corporation Eiji Ibaraki-shi TOYODA
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2000-07-14
Filing date: 2001-05-08
Publication date: 2007-02-22
Anticipated expiration: 2021-05-09
Also published as: US6821620B2; MY126932A; US20030180532A1; KR20030014754A; WO2002005975A1; KR100691075B1; CN100372619C; EP1301288B1; CN1440314A; DE60124405D1; TW536751B; EP1301288A1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Blatt zum Reinigen verschiedener Vorrichtungen, ein Reinigungsblatt für ein Gerät zum Verarbeiten eines Substrats, das sehr anfällig in Bezug auf Einflüsse von Fremdkörpern ist, zum Beispiel ein Herstellungssystem, ein Testsystem, usw., für eine Halbleitervorrichtung, eine Flachbildschirmanzeige, ein gedrucktes Substrat, usw., und auf ein Förderelement, das dasselbe verwendet, und auf ein Verfahren zum Reinigen eines Geräts zum Behandeln eines Substrats, unter Verwendung davon.
Verschiedene Substrat-Bearbeitungseinrichtungen befördern das Substrat, während das Substrat physikalisch berührt wird, zu jeweiligen Fördersystemen. Gleichzeitig werden, wenn Fremdkörper an dem Substrat und dem Fördersystem anhaften, darauf folgende Substrate nacheinander kontaminiert, und demzufolge muss das Gerät periodisch angehalten werden und einem Reinigungsvorgang unterworfen werden. Aus diesem Grund ist dabei das Problem vorhanden, dass eine Verringerung in der Betriebsrate verursacht wird und mehr Arbeit benötigt wird. Um diese Probleme zu beseitigen, wurden das Verfahren zum Reinigen/Entfernen des Fremdkörpers, der an der Innenseite der Substrat-Bearbeitungseinrichtung durch Befördern des Substrats, an dem die klebrige Substanz anhaftet (zum Beispiel ungeprüfte, japanische Patentveröffentlichung 10-154686), das Verfahren zum Entfernen des Fremdkörpers, das an der Rückseite des Substrats durch Befördern des plattenähnlichen Elements anhaftet (ungeprüfte, japanische Patentveröffentlichung 11-87458), das Verfahren zum Einsetzen eines Dummy-Wafers, aufgeladen durch die Koronaladung (ungeprüfte, Japanische Patentveröffentlichung 200-260671), usw., vorgeschlagen.
Die US-A-5 902 678 offenbart ein druckempfindliches Klebemittel oder ein druckempfindliches Klebeband zum Entfernen von Fremdkörpern, das auf der Oberfläche eines Gegenstands vorhanden ist, wobei das druckempfindliche Klebemittel die Eigenschaft hat, mit einer aktinischen Energiequelle zu härten, um ein Elastizitäts-Modul (gemessen entsprechend zu JISK7127) einer dreidimensionalen Netzwerk-Molekularstruktur vor dem Härten von weniger als ein kg/mm² und ein Elastizitäts-Modul nach dem Härten von 1 kg/mm² oder höher, und einen Grad einer Volumenschrumpfung während der Härtung von 2% oder höher, zu haben.
Das Verfahren zum Reinigen/Entfernen der Fremdkörper, die an der Innenseite der Substrat-Bearbeitungseinrichtung durch Befördern des Substrats, an dem die Klebesubstanz anhaftet, anklebt, ist das effektive Verfahren, um die vorstehenden Punkte zu beseitigen. Allerdings ist dabei eine Möglichkeit vorhanden, dass die Klebesubstanz nicht freigegeben wird, da die Klebesubstanz an dem Geräte-Kontaktbereich zu stark anhaftet, um gelöst zu werden, so dass dabei eine große Möglichkeit vorhanden ist, dass das Substrat nicht sicher befördert werden kann. Insbesondere ist dann, wenn ein Saugmechanismus mit niedrigem Druck in dem Einspanntisch eingesetzt wird, eine solche Möglichkeit groß. Auch kann das Verfahren zum Entfernen der Fremdkörper durch Befördern des plattenähnlichen Elements das Befördern ohne eine Behinderung ausführen, allerdings ist dabei das Problem vorhanden, dass die Charakteristik für ein Entfernen des wesentlichen Staubs beeinträchtigt ist. Auch ist das Verfahren eines Einsetzens des Dummy-Wafers, aufgeladen durch die Koronaladung, das effektive Verfahren, das auch die Fremdkörper in der Nachbarschaft des Wafers entfernen kann, allerdings muss das Korona-Erzeugungspotenzial höher dann eingestellt werden, wenn versucht wird, das Oberflächenpotenzial zu erhöhen. Demzufolge werden, wenn das Reinigungsblatt, wie in der vorliegenden Erfindung, eingesetzt wird, die Korona-Behandlungsbedingungen nicht zu stark eingestellt, da die Löcher in Abhängigkeit von dem Bestandteilmaterial geöffnet werden, und auch das Oberflächenpotenzial kann nicht erhöht werden. Deshalb kann das Oberflächenpotenzial nur bis zu einigen zehn V durch das Korona-Verfahren aufgeladen werden und demzufolge ist das Absaugen der Fremdkörper bis jetzt nicht ausreichend.
Die vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf solche Umstände gemacht worden, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Reinigungsblatt zu schaffen, das es möglich macht, das Substrat in der Substrat-Verarbeitungseinrichtung ohne Fehler zu befördern und auch einfach die Fremdkörper, die an der Einrichtung anhaften, zu verringern.
Um die vorstehende Aufgabe zu lösen, wurde, als Folge einer umfangreichen Studie, herausgefunden, dass ein Reinigungsblatt oder ein Förderelement in der Substrat-Verarbeitungseinrichtung ohne Fehler befördert werden kann, und Fremdkörper können einfach und sicher durch Befördern des Reinigungsblatts oder des Förderelements, das das Reinigungsblatt besitzt, wie ein Substrat, um Fremdkörper von der Innenseite einer Substrat-Verarbeitungseinrichtung zu entfernen, entfernt werden, wobei eine Klebeschicht als eine Reinigungsschicht einen Oberflächenwiderstand nicht weniger als ein spezifischer Wert besitzt, oder eine relative, dielektrische Konstante oder ein Oberflächenpotenzial nicht weniger als ein spezifischer Wert besitzt, oder eine oberflächenfreie Energie nicht weniger als ein spezifischer Wert besitzt, um dadurch die vorliegende Erfindung zu erreichen.
Das bedeutet, dass sich die vorliegende Erfindung auf ein Reinigungsblatt bezieht, das eine Reinigungsschicht besitzt, deren Oberflächenwiderstand nicht geringer als 1 × 10¹³ Ω/☐ ist. Das Reinigungsblatt kann mit einem Trägermaterial versehen sein. Die Reinigungsschicht, die vorstehend angegeben ist, kann auf einer Oberfläche eines Trägermaterials vorgesehen sein, und eine gewöhnliche Klebeschicht kann auf der anderen Oberfläche davon vorgesehen sein. Eine relative Dielektrizitätskonstante der Reinigungsschicht ist vorzugsweise größer als 2,0. Eine freie Oberflächenenergie der Reinigungsschicht beträgt vorzugsweise nicht weniger als 30 mJ/m². Ein Oberflächenpotenzial der Reinigungsschicht übersteigt vorzugsweise 10kV. Die Reinigungsschicht kann als ein Elektret durch ein thermisches Elektretverfahren ausgebildet werden. Die vorstehenden Reinigungsblätter können weiterhin in Bezug auf andere Aspekte modifiziert werden.
Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der nachfolgenden, detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen ersichtlich werden.
Das Reinigungsblatt gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt eine Reinigungsschicht (die die Reinigungsschichten als Moden, wie beispielsweise einen Reinigungsschicht-Einzelkörper, ein laminiertes Blatt, ein laminiertes Blatt des Reinigungsblatts und eines Trägermaterials, oder dergleichen, nachfolgend, umfasst), deren Oberflächenwiderstand nicht weniger als 1 × 10¹³ Ω/☐, vorzugsweise nicht geringer als 1 × 10¹⁴ Ω/☐, beträgt. In dieser bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann, da die Reinigungsschicht so nahe zu dem Isolator wie möglich gebildet ist, indem der Oberflächenwiderstand der Reinigungsschicht so ausgelegt wird, um einen spezifischen Wert zu übersteigen, ein solcher Vorteil erzielt werden, dass Fremdkörper, die nicht nur durch das Klebemittel, sondern auch durch statische Elektrizität verursacht sind, erfasst und adsorbiert werden können. Dementsprechend wird in dem Fall, dass der Oberflächenwiderstand unterhalb von 1 × 10¹³ Ω/☐ eingestellt wird, der Erfassungs/Adsorptions-Effekt der Fremdkkörper, verursacht durch eine solche statische Elektrizität, merkbar herabgesetzt.
Weiterhin ist es bevorzugt, dass die vorstehende Reinigungsschicht aus einem Material gebildet sein sollte, dessen relative Dielektrizitätskonstante, gemessen unter den nachfolgenden Bedingungen, größer als 2,0, vorzugsweise nicht geringer als 2,1, und noch bevorzugter von 2,1 bis 10, ist. In der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann, da die Reinigungsschicht so nahe zu dem hoch dielektrischen Material wie möglich durch Auslegen der relativen Dielektrizitätskonstanten der Reinigungsschicht so, um einen solchen spezifischen Wert zu übersteigen, gebildet ist, ein Vorteil dahingehend erreicht werden, dass die Fremdkörper, verursacht durch die statische Elektrizität, erfasst und adsorbiert werden können.
Hierbei gibt die relative Dielektrizitätskonstante die Größe der elektrischen Energie, die dann gespeichert wird, wenn das elektrische Feld an das Material angelegt wird, unter Verwendung eines Verhältnisses der dielektrischen Konstante im Vakuum, und gemessen basierend auf JIS K6911, an.
Das Material, das Auslegungsverfahren, usw., einer solchen Reinigungsschicht sind nicht besonders insoweit eingeschränkt, als die relative Dielektrizitätskonstante innerhalb des vorstehenden Bereichs eingestellt wird. In der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, dass das organische Material, das das leitfähige Material, wie beispielsweise das Additiv, enthält, das die elektrisch leitende Funktion besitzt, eingesetzt werden sollte. Als besondere Beispiele können, zum Beispiel, zusätzlich zu dem Material, das dadurch erhalten wird, dass die Verbindung eine ungesättigte Doppelbindung oder mehr in dem Mo lekül besitzt, um sie in dem druckempfindlichen Klebepolymer zu enthaften, vorzugsweise Gummi, natürliche Harze, synthetische Harze, wie beispielsweise Polyethylenterephthalat, Phenolharz, Polyesterharz, Alkydharz, Epoxidharz, Polykarbonat, Zellulosenitrat, Poly(vinylidenfluorid), Polypropylen, Polyimid, Nylon 6, Nylon 66, Poly(methylmethacrylat), Methylmethacrylat/Styrencopolymer, Ethylenfluorid/Propylencopolymer, usw., eingesetzt werden.
Auch ist es bevorzugt, dass die oberflächenfreie Energie der Reinigungsschicht nicht geringer als 30 mJ/m², vorzugsweise von 40 bis 60 mJ/m², betragen sollte. In der vorliegenden Erfindung gibt die oberflächenfreie Energie der Reinigungsschicht (fester Zustand) den Wert der oberflächenfreien Energie des festen Zustands an, die durch Messen von Kontaktwinkeln des Wassers und des Methyleniodits zu der Oberfläche der Reinigungsschicht jeweils, dann Substituieren des gemessenen Werts und der oberflächenfreien Energiewerte (bereits in der Referenz bekannt) der in Bezug auf den Kontaktwinkel gemessenen Flüssigkeiten in der nachfolgenden Gleichung 1, abgeleitet von der Young'schen Gleichung und der erweiterten Fowkes'schen Gleichung, und dann Auflösen der zwei sich ergebenden Gleichungen als eine simultane, lineare Gleichung, erhalten wird. <Gleichung 1>
wobei jedes Symbol in der Gleichung wie folgt jeweils angegeben ist.

θ:: Kontaktwinkel
γ_L:: oberflächenfreie Energie der in Bezug auf den Kontaktwinkel gemessenen Flüssigkeit
γ_L ^d:: Dispersionskraft-Komponente in γ_L
γ_L ^P:: Polarkraft-Komponente in γ_L
γ_s ^d:: Dispersionskraft-Komponente in der oberflächenfreien Energie des festen Zustands
γ_s ^P:: Polarkraft-Komponente in der oberflächenfreien Energie des festen Zustands

Das Reinigungsblatt ist bevorzugt so ausgelegt, dass die Oberfläche der Reinigungsschicht einen Kontaktwinkel von nicht mehr als 90 Grad, bevorzugter von 80 bis 50 Grad, in Bezug auf Wasser, zeigt. Bei der Erfindung kann, durch Auslegen der Reinigungsschicht so, dass sie eine oberflächenfreie Energie und einen Kontaktwinkel in Bezug auf Wasser zeigt, der innerhalb des Bereichs fällt, der vorstehend definiert ist, ein Effekt, um zu bewirken, dass die Reinigungsschicht die Fremdkörper, die an der Position anhaften, die gereinigt werden soll, entfernt, während des Beförderns des Reinigungsblatts, oder dergleichen, ausgeübt werden.
Auch ist es bevorzugt, dass das Elastizitätsmodul in der Spannung der Reinigungsschicht (basierend auf dem Testverfahren JIS K7127) auf nicht größer als 2000 N/mm², vorzugsweise größer als 1 N/mm², eingestellt werden sollte. Wenn das Elastizitätsmodul in der Spannung in einem solchen Bereich ausgelegt ist, besitzt die Reinigungsschicht keine wesentliche Klebrigkeit, und demzufolge kann der Fremdkörper entfernt werden, um nicht das Förderproblem zu verursachen.
Es ist bevorzugt, dass das Oberflächenpotenzial der Reinigungsschicht so eingestellt wird, um 10 kV, normalerweise ungefähr 10 bis 50 kV, zu übersteigen. In der vorliegenden Erfindung kann vorgesehen werden, dass, wenn die Reinigungsschicht das Oberflächenpotenzial in einem solchen spezifischen Bereich besitzt, das elektrische Feld um die Reinigungsschicht herum gebildet wird, um eine starke Adsorptionskraft zu haben, und demzufolge kann der Effekt eines Entfernens von Staub aufgrund der Adsorptionskraft gerade in der Situation erhalten werden, bei denen die Reinigungsschicht keine wesentliche Klebrigkeit besitzt, wie dies später beschrieben wird.
Das Verfahren zum Aufrechterhalten eines solchen Oberflächenpotenzials ist nicht besonders eingeschränkt. Zum Beispiel können das Verfahren zum Bilden verschiedener Polymere als das Elektret durch das thermische Elektretverfahren, usw. (bezeichnet als "Elektret-Bildung" nachfolgend), das Verfahren eines Unterdrückens der Entladung durch Auswählen des Materials mit der hohen Volumen-Widerstandsfähigkeit, um einen Strom, der in dem Material fließt, zu verringern, usw., aufgelistet werden.
Das Material, usw., eines solchen Polymers ist nicht eingeschränkt, soweit das Polymer als das Elektret gebildet werden kann. Zum Beispiel können Polymere, wie beispielsweise Polypropylen, Polyethylenterephthalat, Polyethylennaphthalat,Poly(vinylidenfluorid), Vinylidenfluorid, Vinylidentrifluorid, Polytetrafluoroethylen, usw., die härtende, druckempfindliche Klebemittel ergeben, bei der eine Quervernetzungsreaktion und das Härten durch die aktive Energiequelle, wie beispielsweise die ultravioletten Strahlen, die Wärme, usw., was später beschrieben wird, beschleunigt wird, aufgelistet werden.
Auch ist es bevorzugt, dass die Reinigungsschicht der vorliegenden Erfindung keine wesentliche Klebrigkeit haben sollte. "Keine wesentliche Klebrigkeit" gibt an, dass, wenn die wesentliche Eigenschaft der Klebrigkeit als die Funktion des Widerstands gegen den Schlupf angenommen wird, keine druckempfindliche Klebrigkeit, die für die Klebefunktion repräsentativ ist, vorhanden ist. Dieses druckempfindliche Kleben tritt dann auf, wenn das Elastizitätsmodul des Klebematerials in dem Bereich von bis zu 1 N/mm² entsprechend dem Dahlquist'schen Standard, zum Beispiel, liegt. Dementsprechend können, in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wenn das Elastizitätsmodul in der Spannung in einem spezifischen Bereich ausgelegt ist, d.h. in dem Bereich von 1 bis 3000 N/mm², vorzugsweise von 100 bis 2000 N/mm², so dass das Elastizitätsmodul größer als 1 N/mm² erhöht werden kann, die Fremdkörper entfernt werden, um nicht das Förderproblem hervorzurufen. Hierbei wird das Elastizitätsmodul in der Spannung basierend auf dem Testverfahren JIS K7127 gemessen.
Es ist bevorzugt, dass das Material, dessen Elastizitätsmodul in der Spannung durch Beschleunigen der Quervernetzungsreaktion und des Härtens durch die aktive Energiequelle, wie beispielsweise die ultravioletten Strahlen, die Wärme, usw., erhöht werden kann, als eine solche Reinigungsschicht ausgewählt werden sollte. Weiterhin ist es bevorzugt, dass die Benetzbarkeit zwischen der Reinigungsschicht und dem gereinigten Bereich in der Einrichtung klein sein sollte. Falls eine solche Benetzbarkeit groß ist, ist die Möglichkeit vorhanden, dass das Reinigungsblatt fest an dem gereinigten Bereich beim Fördern anhaftet, so dass ein Förderproblem verursacht wird. Auch ist die Dicke der Reinigungsschicht nicht besonders eingeschränkt, sondern die Dicke wird normalerweise auf ungefähr 5 bis 100 μm eingestellt.
Das Material, usw., einer solchen Reinigungsschicht ist nicht besonders eingeschränkt insoweit, als der Oberflächenwiderstand innerhalb des vorstehenden Bereichs liegt. Allerdings ist die Klebeschicht, die kein leitfähiges Material, wie beispielsweise das Additiv, das die leitende Funktion besitzt, enthält, bevorzugt. Zusätzlich ist das Material, das durch die aktive Energiequelle, wie beispielsweise die ultravioletten Strahlen, die Wärme, usw., gehärtet werden kann, um die Molekularstruktur in ein dreidimensionales Netz zu ändern und die Klebekraft zu erniedrigen, als Klebeschicht bevorzugt. Zum Beispiel beträgt die Freigabe-Klebekraft von 180° für den Siliziumwafer (Spiegelfläche) nicht mehr als 0,20 N/10 mm, vorzugsweise ungefähr 0,010 bis 0,10 N/10 mm. Wenn diese Klebekraft 0,20 N/10 mm übersteigt, ist die Chance vorhanden, dass die Reinigungsschicht an dem gereinigten Bereich der Einrichtung beim Befördern anhaftet, so dass Förderprobleme hervorgerufen werden.
Das Material, usw., einer solchen Reinigungsschicht ist nicht besonders eingeschränkt insoweit, als die oberflächenfreie Energie unterhalb des vorstehenden, spezifischen Werts liegt. Allerdings ist die Klebeschicht, die durch die aktive Energiequelle, wie beispielsweise die ultravioletten Strahlen, die Wärme, usw., gehärtet und quervernetzt werden kann, um die Molekularstruktur in ein dreidimensionales Netz zu ändern und die Klebekraft zu erniedrigen oder zu lösen, bevorzugt. Wenn eine solche Klebeschicht eingesetzt wird, haftet die Reinigungsschicht niemals stark an dem gereinigten Bereich während des Beförderns an, und demzufolge kann die Reinigungsschicht ohne ein Fehlverhalten befördert werden.
Als besondere Beispiele einer solchen Reinigungsschicht können das Material, das dadurch erhalten ist, dass mindestens eine Verbindung, die eine ungesättigte Doppelbindung oder mehr in dem Molekül besitzt, erzielt wird, und der Polymerisationsinitiator, die in dem druckempfindlichen Klebepolymer enthalten sind, und das Material, dessen Klebrigkeit durch Erzeugen der Polymerisation und der Härtungsreaktion durch Aufbringen der aktiven Energie verloren geht, aufgelistet werden. Als solches druckempfindliches Klebe polymer können zum Beispiel Acrylpolymer, das (Meth)acrylsäure und/oder (Meth)acrylester, ausgewählt aus Acrylsäure, Acrylester, Methacrylsäure, enthält, und Estermethacrylat als das Hauptmonomer aufgelistet werden. Beim Synthetisieren dieses Acrylpolymers kann die Verbindung, die zwei ungesättigte Doppelbindungen oder mehr in dem Molekül besitzt, als das Kopolymerisationsmonomer eingesetzt werden, während ansonsten dieses Polymer selbst dazu gebracht werden kann, an der Polymerisations- und Härtungsreaktion durch die aktive Energie teilzunehmen, wenn die ungesättigten Doppelbindungen in die Moleküle des Acrylpolymers durch chemische Bindung der Verbindung, die die ungesättigten Doppelbindungen besitzt, an den Molekülen des synthetisierten Acrylpolymers über die Reaktion zwischen den funktionalen Gruppen eingeführt werden.
Hierbei ist die Verbindung, die nicht flüchtig ist und die die Substanz mit niedrigem Molekulargewicht ist, die ein durchschnittliches Molekulargewicht von weniger als 10.000 besitzt, als die Verbindung bevorzugt, die eine ungesättigte Doppelbindung oder mehr in dem Molekül besitzt (nachfolgend bezeichnet als "polymerisierte, ungesättigte Verbindung"). Es ist besonders bevorzugt, dass die Verbindung, die das Molekulargewicht von weniger als 5000 besitzt, eingesetzt werden sollte, um die Änderung der Klebeschicht in das dreidimensionale Netz effektiv beim Härten auszuführen.
Hierbei ist die Verbindung, die nicht flüchtig ist und die die Substanz mit niedrigem Molekulargewicht ist, mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht von nicht mehr als 10.000, als die polymerisierte, ungesättigte Verbindung bevorzugt. Es ist besonders bevorzugt, dass die Verbindung, die das Molekulargewicht von nicht mehr als 5000 besitzt, eingesetzt werden sollte, um die Änderung der Reinigungsschicht in das dreidimensionale Netz effektiv beim Härten auszuführen. Als solche polymerisierte Verbindung können zum Beispiel Phenoxypolyethylenglykol(meth)acrylat, ε-Caprolacton(meth)acrylat, Polyethylenglykoldi(meth)acrylat, Polypropylenglykoldi(meth)acrylat, Trimethylpropantri(meth)acrylat, Dipentaerythritolhexa(meth)acrylat, Urethan(meth)acrylat, Epoxy(meth)acrylat, Oligoester(meth)acrylat, usw., aufgelistet werden. Ein Typ oder zwei Typen davon kann bzw. können eingesetzt werden.
Auch ist der Polymerisationsinitiator, der zu der Reinigungsschicht hinzugefügt ist, nicht besonders eingeschränkt, und der allgemein bekannte Initiator kann eingesetzt werden. Zum Beispiel kann der thermische Polymerisationsinitiator, wie beispielsweise Benzoylperoxid, Azobisisobutyronitril, usw., aufgelistet werden, wenn die Wärme als die aktive Energiequelle eingesetzt wird, wobei ansonsten der Fotopolymerisationsinitiator, wie beispielsweise Benzoyl, Benzoinethylester, Dibenzyl, Isopropylbenzionester, Benzophenon, Michler'sches Ketonchlorothioxanthon, Dimethylthioxanethon, Acetophenon, Dodecylthioxanthon, Dimethylthioxanthon, Acetophenondiethylketal, Benzyldimethylketal, α-Hydroxycyclohexylphenylketon, 2-Hydroxydimethylphenylpropan, 2,2-Dimethoxy-2-Phenylatophenon, usw., wenn das Licht als die aktive Energiequelle eingesetzt wird, aufgelistet werden.
Das Basismaterial, das dann verwendet wird, wenn eine solche Reinigungsschicht auf dem Basismaterial vorgesehen ist, ist nicht besonders eingeschränkt. Allerdings können, zum Beispiel, der Kunststofffilm, wie beispielsweise Polyethylen, Polyethylenterephthalat, Acetylzellulose, Polykarbonat, Polypropylen, Polyamid, Polyimid, Polycarbodiimid, usw., aufgelistet werden. Die Dicke beträgt normalerweise ungefähr 10 bis 100 μm.
Weiterhin kann, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein Reinigungsblatt vorgesehen werden, bei dem die Reinigungsschicht auf der einen Seite des Trägermaterials vorgesehen ist und die gewöhnliche Klebeschicht auf der anderen Seite davon vorgesehen ist. Das Material, usw., dieser gewöhnlichen Klebeschicht ist nicht besonders eingeschränkt, insoweit, als die Klebeschicht die Klebefunktion erfüllen kann, und die gewöhnliche Klebeschicht (z.B. Acrylklebemittel, Gummiklebemittel, usw.) kann eingesetzt werden.
Gemäß einem solchen Aufbau wird das Reinigungsblatt auf dem Förderelement angebracht, wie beispielsweise verschiedene Substrate, eine andere Klebeschicht, usw., über die gewöhnliche Klebeschicht, und dann befördert, wenn das Förderelement mit der Reinigungsfunktion in dem Gerät in Kontakt mit dem gereinigten Bereich gelangt, wodurch die Reinigung durchgeführt wird. Auch ist, wenn das Substrat von einer solchen Klebeschicht nach der Reinigung abgelöst ist, um das Förderelement wieder zu verwenden, wie beispielsweise das vorstehende Substrat, die Klebekraft einer solchen gewöhnlichen Kle beschicht nicht besonders eingeschränkt, wenn sie in dem Bereich liegt, um ein erneutes Abziehen davon zu ermöglichen. Allerdings ist es bevorzugt, dass die 180°-Freigabe-Klebekraft für den Siliziumwafer (Spiegelfläche) geringer als 0,01 bis 0,98 N/10 mm, insbesondere ungefähr 0,01 bis 0,5 N/10 mm, sein sollte, da die Reinigungsschicht nicht während der Beförderung abgelöst wird, sondern einfach wieder nach der Reinigung abgelöst werden kann.
Das Förderelement, an dem das Reinigungsblatt angebracht ist, ist nicht besonders eingeschränkt, sondern das Substrat für die Flachbildanzeige, wie beispielsweise den Halbleiterwafer, LCD, PDP, usw., das Substrat für die Kompakt-Disk, der MR-Kopf, und andere, können zum Beispiel aufgelistet werden.
Auch kann, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein Element zum Reinigen verschiedener Leitungstester und eines Leitungstester-Reinigungsverfahrens, unter Verwendung hiervon, zum Beispiel ein Reinigungselement und ein Reinigungsverfahren für einen Leitungstester, wie beispielsweise die Halbleitervorrichtung, das gedruckte Substrat, usw., das sehr empfindlich für Einflüsse durch Fremdkörper ist, vorgesehen werden.
Verschiedene Leitungstester, die bei der Halbleiterherstellung eingesetzt werden, testen die elektrische Leitung dadurch, dass der Kontaktpunkt auf der Seite des Leitungstesters (der Kontaktstift des IC-Sockels, usw.) in Kontakt mit dem Anschluss auf der Seite des Produkts (der Halbleiter-Anschluss, usw.) gebracht wird. Gleichzeitig schabt, wenn der Kontakt des IC-Anschlusses und des Kontaktstifts durch den Test wiederholt wird, der wiederholt ausgeführt wird, der Kontaktstift das Material (Aluminium, Lötmittel, usw.) auf der Seite des IC-Anschlusses ab, dann wird der Fremdkörper auf die Seite des Kontaktstifts übertragen und haftet daran an, und dann wird solches anhaftendes Aluminium, Lötmittel, usw., oxidiert, so dass eine defekte Isolation hervorgerufen wird. In dem schlechtesten Fall wird die Leitungsrate in dem Test herabgesetzt. Deshalb werden, um die Fremdkörper, die an diesen Kontaktstiften anhaften, zu entfernen, die Fremdkörper an den Kontaktstiften unter Verwendung des Elements, das durch Beschichten von feinen Körnern aus Aluminiumoxid auf dem Polyethylenterephthalatfilm erhalten ist, oder des Elements, das durch Mischen der abrasiven Körner in das Gummiharz, wie beispielsweise Silizium (bezeichnet nachfolgend als Kontaktstift-Reinigungseinrichtung), hinein erhalten ist, entfernt. Allerdings ist in den vergangenen Jahren irgendeine Gegenmaßnahme gegen das Entfernen des Fremdkörpers auf dem Spanntisch mit der Verringerung in der Dicke und der Vergrößerung der Länge des Wafers in den Halbleiter-Fertigungsschritten erforderlich geworden, da der Wafer aufgrund des Fremdkörpers auf dem Testtisch (Spanntisch-Tisch) gebrochen wird, wodurch ein Einspannungsfehler, und andere, erzeugt werden. Aus diesem Grund entsteht, um den Fremdkörper auf dem Spanntisch zu entfernen, die Notwendigkeit, periodisch das Gerät anzuhalten und den Tisch zu reinigen. Deshalb sind dabei Probleme dahingehend vorhanden, dass die Betriebsrate verringert wird und umfangreiche Arbeit benötigt wird.
Im Hinblick auf diese Umstände ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Reinigungselement und ein Reinigungsverfahren, geeignet zum Reinigen von Kontaktstiften des Leitungstesters und zum einfachen Verringern der Fremdkörper, die an dem Spanntisch, einem Förderarm usw., anhaften, zu schaffen.
Um die vorstehende Aufgabe zu lösen, haben, als Folge der Studien, die Erfinder der vorliegenden Erfindung herausgefunden, dass dann, wenn das Reinigungselement, bei dem die Reinigungsschicht zum Entfernen des Fremdkörpers, das auf der kontaktierten Fläche (der Spanntisch, usw.) des Geräts anhaftet, mit der die Kontaktstift-Reinigungseinrichtung in Kontakt gelangt, auf einer Seite des Elements, zum Entfernen des Fremdkörpers, das an dem Leitungsteststift des Leitungstesters (nachfolgend bezeichnet als Kontaktstift-Reinigungseinrichtung) anhaftet, befördert wird, die Reinigung des Kontaktstifts und das Entfernen des Fremdkörpers, das an dem Spanntisch, usw., in dem Testgerät anhaftet, gleichzeitig durchgeführt werden können, und auch wenn der Reibungskoeffizient der Reinigungsschicht so eingestellt wird, um einen spezifischen Wert zu übersteigen, kann die Reinigungsschicht in dem Testgerät ohne Fehler befördert werden und die Fremdkörper können einfach verringert werden, wodurch sich die vollständige Erfindung ergibt.
Das bedeutet, dass, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein Reinigungselement vorgesehen werden kann, das das Reinigungselement für das Leitungstestgerät ist und bei dem die Reinigungsschicht zum Entfernen der Fremdkörper, die auf der Kontaktfläche des Geräts kleben, mit der die Kontaktschicht-Reinigungseinrichtung in Kontakt gelangt, an einer Oberfläche des Elements zum Entfernen der Fremdkörper, die an dem Leitungstest-Kontaktstift des Geräts anhaften (nachfolgend bezeichnet als Kontaktstift-Reinigungseinrichtung), vorgesehen ist.
Auch kann, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, ein Reinigungselement vorgesehen werden, das das Reinigungselement für das Leitungstestgerät ist und bei dem ein Element zum Entfernen der Fremdkörper, die auf dem Leitungstest-Kontaktstift des Geräts anhaften, an einer Fläche des Förderelelements (nachfolgend bezeichnet als die Kontaktstift-Reinigungseinrichtung) vorgesehen ist und die Reinigungsschicht zum Entfernen der Fremdkörper, die an der kontaktierten Fläche des Geräts anhaften, mit dem die Kontaktstift-Reinigungseinrichtung in Kontakt gelangt, an der anderen Fläche vorgesehen ist.
Die Reinigungsschicht des Reinigungselements der vorliegenden Erfindung ist nicht besonders eingeschränkt, wenn sie sicher in dem Testgerät befördert werden kann, und sie kann einfach die Fremdkörper verringern. Allerdings ist es, aus Gesichtspunkten der Charakteristik eines Entfernens von Staub und der Förder-Charakteristik, bevorzugt, dass der Reibungskoeffizient nicht geringer als 1,0, vorzugsweise 1,2 bis 1,8, sein sollte. Dabei ist die Möglichkeit vorhanden, dass die Reinigungsschicht nicht sicher an dem Fremdkörper auf dem Spanntisch anhaften kann, wenn der Reibungskoeffizient kleiner als 1,0 ist, wogegen dabei die Möglichkeit vorhanden ist, dass ein Fehler beim Befördern dann verursacht wird, wenn der Reibungskoeffizient zu groß ist. In der vorliegenden Erfindung wird der Reibungskoeffizient (μ) der Reinigungsschicht durch Messen der Reibungswiderstandskraft (F), die dann erzeugt wird, wenn die Platte aus rostfreiem Stahl (flache Platte mit 50 mm × 50 mm) in Bezug auf eine Oberfläche der reinigenden Schicht gleitend bewegt wird, aufgrund des universellen Spannungstesters, und dann Substituieren dieser Reibungswiderstandskraft und der vertikalen Last (W), die auf die Stahlplatte zu diesem Zeitpunkt aufgebracht ist, in die nachfolgende Gleichung 2 berechnet. Hierbei gibt dieser Reibungskoeffizient den Koeffizienten einer dynamischen Reibung an.
<Gleichung 2>

μ = F/W

Wobei jedes Symbol in der Gleichung jeweils wie folgt gegeben ist.

μ:: Koeffizient der dynamischen Reibung
F:: Reibungswiderstandskraft [N]
W:: vertikale Last [N], die auf die Stahlplatte aufgebracht ist.

Auch ist es erwünscht, dass das Elastizitätsmodul in der Spannung der Reinigungsschicht auf nicht mehr als 2000 N/mm², bevorzugt größer als 1 N/mm², eingestellt werden sollte. Dabei ist die Möglichkeit vorhanden, dass die Reinigungsschicht nicht sicher an dem Fremdkörper auf dem Spanntisch anhaften kann, wenn das Elastizitätsmodul in der Spannung 2000 N/mm² übersteigt, wogegen dabei eine Möglichkeit vorhanden ist, dass ein Fehler in der Beförderung dann hervorgerufen wird, wenn das Elastizitätsmodul in der Spannung unterhalb von 1 N/mm² liegt. In der vorliegenden Erfindung kann, wenn der Reibungskoeffizient und das Elastizitätsmodul in der Spannung der Reinigungsschicht in solchen spezifischen Bereichen eingestellt werden, der Vorteil erzielt werden, dass die Reinigungsblatt im Wesentlichen nicht die Klebrigkeit zu dem Zeitpunkt besitzt, wenn die Reinigungsschicht, usw., befördert wird, und demzufolge kann die Reinigungsschicht ohne Fehler so befördert werden, um nicht zu stark an dem gereinigten Bereich anzuhaften.
Das Material, die Form, usw., der Kontaktstift-Reinigungseinrichtung, die in der vorliegenden Erfindung eingesetzt ist, sind nicht besonders eingeschränkt, und sie können in weitem Umfang verwendet werden. Zum Beispiel werden der Kunststofffilm, wie beispielsweise Polyethylen, Polyethylenterephthalat, Azetylzellulose, Polykarbonat, Polypropylen, Polyamid, Polyimid, Polycarbodiimid, usw., das Gummiharz, wie beispielsweise Silikon, das Material, das durch Beschichten des abrasiven Korns, wie beispielsweise Feinkorn aus Aluminiumoxid, Siliziumkarbid, Chromoxid, usw., auf dem Trägermaterial (Einbrennen (Backing)), wie beispielsweise nicht gewebtes Vlies, usw., erhalten ist, eingesetzt, allerdings ist das Material nicht besonders hierauf beschränkt. Ähnlich kann die Form geeignet entsprechend der Form des Sockels oder des IC's, der gereinigt werden soll, wie beispielsweise die Form des Siliziumwafers, die Form des IC-Chips, usw., und des Typs des Geräts eingesetzt werden.
Entsprechend einem solchen Aufbau wird die Reinigungsschicht auf der nicht gereinigten Seite der Reinigungskontaktstift-Reinigungseinrichtung für den Kontaktstift oder das Förderelement, wie beispielsweise verschiedene Substrate, usw., über die gewöhnliche Klebeschicht angebracht, und dann als das Förderelement mit der Reinigungsfunktion in dem Gerät befördert, um in Kontakt mit dem Spanntisch, usw., zu gelangen, wodurch die Reinigung ausgeführt wird.
Das Förderelement, an dem die Reinigungsschicht vorgesehen ist, ist nicht besonders eingeschränkt. Zum Beispiel können das Substrat für die Flachbildschirmanzeige, wie beispielsweise den Halbleiter-Wafer, LCD, PDP, usw., das Substrat für die Kompakt-Disk, den MR-Kopf, den Kunststofffilm, wie beispielsweise Polyethylen, Polyethylenterephthalat, Azetylzellulose, Polykarbonat, Polypropylen, Polyamid, Polyimid, Polycarbodiimid, usw., zum Beispiel, aufgelistet werden.
Ohne dass es Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist, werden ein Verfahren zum Herstellen des Förderelements mit der Reinigungsfunktion für verschiedene Substrat-Behandlungsgeräte, zum Beispiel ein Verfahren zum Herstellen des Förderelements mit der Reinigungsfunktion für das Substrat-Behandlungsgerät, wie beispielsweise das Herstellungsgerät, das Begutachtungsgerät, usw., die Halbleitervorrichtung, die Flachbildschirmanzeige, das gedruckte Substrat, usw., die sehr empfindlich für Fremdkörper sind, in weiterem Detail beschrieben.
In Bezug auf das Verfahren zum Herstellen des Förderelements mit der Reinigungsfunktion (nachfolgend bezeichnet als Reinigungselement) ist, zum Beispiel, in dem Fall, dass das Reinigungselement durch Anhaften der Reinigungsschicht an dem Förderelement, wie beispielsweise dem Substrat, usw., hergestellt wird, wenn die Reinigungsschicht, die größer als die Form des Elements ist, an dem Element angebracht wird und dann die Reinigungsschicht entlang der Form des Elements abgeschnitten wird (dieses Verfahren wird als direktes Schneidverfahren nachfolgend bezeichnet), das Problem dasjenige, dass Schneidabfälle von der Reinigungsschicht, usw., beim Schneiden der Schicht entstehen und dann an dem Reinigungselement und dem Gerät anhaften. Auch kann in dem Fall, bei dem das Reinigungselement durch Anbringen der Label-Reinigungsschicht, die zuvor in die Form des Elements gebracht ist, an dem Förderele ment hergestellt wird, die Erzeugung von Schneidabfällen beim Bearbeiten des Labels unterdrückt werden, im Gegensatz zu dem direkten Schneidverfahren. Allerdings muss das Schneiden der Label-Schicht zuvor vorgenommen werden, was die Bearbeitungsschritte erhöht, und demzufolge wird die Herstellung des Reinigungselements mühsam, was die Verarbeitbarkeit herabsetzt.
Im Hinblick auf solche Umstände kann dieses Herstellungsverfahren ein Reinigungselement schaffen, das in dem Substrat-Behandlungsgerät ohne Fehler befördert werden kann und einfach und sicher die anhaftenden Fremdkörper entfernen kann, und das auch keine Schneidabfälle beim Schneiden der Schicht durch das direkte Schneidverfahren erzeugt.
Um den vorstehenden Zweck zu erreichen, kann, als Folge der umfangreichen Studien, herausgefunden worden, dass, wenn die Reinigungsschicht aus dem Klebemittel gebildet wird, das durch die aktive Energie polymerisiert/gehärtet wird, wenn das Reinigungselement durch das direkte Schneidverfahren beim Herstellen des Reinigungselements durch haftendes Anbringen der Reinigungsschicht auf dem Förderelement, wie beispielsweise dem Substrat, usw., hergestellt wird und wenn die Polymerisierung/Härtungsreaktion der Reinigungsschicht durchgeführt wird, nachdem die Reinigungsschicht in die Form des Förderelements geschnitten ist, das Reinigungselement, das zum einfachen Abziehen des Fremdkörpers ohne Ausfall geeignet ist, ohne das Hervorrufen des vorstehenden Problems hergestellt werden, und so wird vollständig zu der vorliegenden Erfindung gelangt.
Das bedeutet, dass herausgefunden worden ist, dass ein Verfahren zum Herstellen eines Förderelements mit einer Reinigungsfunktion, zum haftenden Anbringen des Reinigungsblatts, bei dem die Reinigungsschicht, gebildet aus dem Klebemittel, das durch die aktive Energie polymerisiert/gehärtet ist, auf einer Fläche des Trägermaterials vorgesehen wird, und die Schicht aus dem gewöhnlichen Klebemittel auf der anderen Oberfläche davon vorgesehen wird, auf dem Förderelement über die gewöhnliche Klebeschicht, um eine Form größer als die Form des Förderelements zu haben, und dann durch Schneiden der Reinigungsschicht entlang der Form des Förderelements, unter der Polymerisie rung/Härtungsreaktion der Reinigungsschicht durchgeführt wird, nachdem die Reinigungsschicht in die Form des Förderelements geschnitten ist.
Bei dem Herstellungsverfahren des Förderelements muss die Reinigungsschicht aus dem Klebemittel gebildet werden, das durch die aktive Energie polymerisiert/gehärtet wird, und die Polymerisierung/Härtungsreaktion der Reinigungsschicht muss ausgeführt werden, nachdem das Reinigungsblatt geschnitten ist. Dies kommt daher, dass, wenn die Polymerisierung/Härtungsreaktion der Reinigungsschicht vor dem Schneiden des Reinigungsblatts durchgeführt wird, die Reinigungsschicht ein hohes Elastizitätsmodul aufgrund der Quervernetzungsreaktion besitzt, und auch wird eine große Menge von Schneidabfällen beim Schneiden erzeugt und an dem Reinigungselement und dem Gerät anhaften.
Um keine Schneidabfälle von der Reinigungsschicht beim Schneiden des Blatts zu erzeugen, ist es bevorzugt, dass das Elastizitätsmodul in der Spannung der Reinigungsschicht (Testverfahren JIS K7127) nicht mehr als 1 N/mm², vorzugsweise nicht mehr als 0,1 N/mm², sein sollte. Die Erzeugung der Schneidabfälle von der Reinigungsschicht beim Schneiden des Blatts kann durch Einstellen des Elastizitätsmoduls in der Spannung niedriger als ein solcher spezifischer Wert unterdrückt werden, und demzufolge kann das Reinigungselement, an dem die Schneidabfälle nicht anhaften, durch das direkte Schneidverfahren hergestellt werden. Auch geht, wenn das Klebemittel, das polymerisiert/gehärtet ist, als die Reinigungsschicht eingesetzt wird, die Klebrigkeit im Wesentlichen von der Reinigungsschicht durch das Polymerisieren/Härten der Reinigungsschicht nach dem Schneiden des Blatts verloren. Demzufolge kann dabei der Vorteil erhalten werden, dass das Reinigungselement niemals stark in Kontakt mit dem Kontaktbereich des Geräts beim Befördern des Reinigungselements gelangt, und eine sichere Beförderung kann erzielt werden.
Es ist bevorzugt, dass, da die Quervernetzungsreaktion und das Härten durch die vorstehende, aktive Energie beschleunigt werden, das Elastizitätsmodul in der Spannung eines solchen Reinigungsblatts nach dem Schneiden des Blatts nicht geringer als 10 N/mm², vorzugsweise 10 bis 2000 N/mm², sein sollte. Die Funktion des Entfernens der Fremdkörper, die an dem Fördersystem anhaften, wird herabgesetzt, wenn dieses Elastizitätsmodul in der Spannung oberhalb von 2000 N/mm² liegt, wogegen dabei die Möglichkeit vorhanden ist, dass die Reinigungsschicht an dem gereinigten Bereich in dem Gerät beim Befördern anhaftet, um dadurch Förderprobleme hervorzurufen, wenn das Elastizitätsmodul in der Spannung kleiner als 10 N/mm² ist.
Beim Herstellen des Reinigungselements wird das Reinigungsblatt eingesetzt, wobei die Reinigungsschicht, die aus dem Klebemittel gebildet ist, das durch die aktive Energie polymerisiert/gehärtet ist, auf einer Oberfläche des Basismaterials vorgesehen wird, während die gewöhnliche Klebeschicht auf der anderen Oberfläche davon vorgesehen wird.
Die vorliegende Erfindung wird basierend auf Beispielen nachfolgend erläutert werden, allerdings ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Beispiele beschränkt. Nachfolgend bedeutet der Ausdruck "Teile" Gewichtsteile.
Beispiel 1
Die ultraviolett härtende Klebelösung wurde durch gleichförmiges Mischen von 50 Teilen des Polyethylenglykoldimethylacrylats, 50 Teilen des Urethanacrylats, 3 Teilen des Bezyldimethylketals, und 3 Teilen des Diphenylmethanediisocyanats zu 100 Teilen des Acrylpolymers (durchschnittliches Molekulargewicht 700.000), erhalten von der mit Monomer gemischten Lösung, die aus 75 Teilen des Acrylsäure-2-ethylhexyls, 20 Teilen des Methylacrylats und 5 Teilen der Acrylsäure besteht, gebildet.
Im Gegensatz dazu wurde die gewöhnliche Klebeschicht durch Beschichten der Klebelösung, die in derselben Art und Weise erhalten wurde, mit der Ausnahme, dass Benzyldimethylketal von dem vorstehenden Klebemittel entfernt wurde, auf einer Oberfläche des Polyester-Grundmaterialfilms, der eine Breite von 250 mm und eine Dicke von 25 μm besaß, um eine Dicke von 10 μm nach dem Trocknen zu haben, wogegen der Polyester-Ablösefilm mit einer Dicke von 38 μm auf die Oberfläche aufpastiert wurde, erhalten. Die Klebeschicht ist als die Reinigungsschicht durch Beschichten der vorstehenden, ultraviolett härtenden Klebelösung auf der anderen Seite des Trägerfilmmaterials, um eine getrocknete Dicke von 40 μm zu haben, wobei der ähnliche Ablösefilm auf die Oberfläche aufpastiert wurde, gebildet.
Das Reinigungsblatt gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wurde durch Bestrahlen der ultravioletten Strahlen, die eine mittlere Wellenlänge von 365 nm besaßen, mit einer integrierten Menge an Licht von 1000 mJ/cm², auf dieses Blatt erhalten. Wenn der Oberflächenwiderstand über die Reinigungsschicht durch die Oberflächenwiderstand-Messvorrichtung gemessen wurde (Typ MCP-UP450, hergestellt von Mitsubishi Chemical Industries Ltd.), bei der Temperatur von 23°C und der Luftfeuchtigkeit von 60%, nachdem der Ablösefilm auf der Seite der Reinigungsschicht dieser Reinigungsfläche abgelöst wurde, war es unmöglich, den Oberflächenwiderstand zu messen, falls ein solcher Oberflächenwiderstand 9,99 × 10¹³ Ω/☐ übersteigt.
Auch wurde, wenn die Klebeschicht auf der Seite der Reinigungsschicht auf die Spiegelfläche des Siliziumwafers so aufpastiert wurde, um eine Breite von 10 mm zu haben, und dann eine Ablöse-Klebekraft von 180° für den Siliziumwafer basierend auf JIS Z0237 gemessen wurde, 0,078 N/10 mm erhalten.
Der Förder-Reinigungswafer mit der Reinigungsfunktion wurde durch Abziehen des Ablösefilms auf der Seite der gewöhnlichen Klebeschicht dieses Reinigungsblatts und dann Aufpastieren dieses Films auf eine Rückseite (Spiegelfläche) des Siliziumwafers mit 8 Inch mit der Handwalze hergestellt.
Im Gegensatz dazu wurde, wenn zwei Wafer-Tische des Substrat-Behandlungsgeräts entfernt wurden und dann die Zahl der Fremdkörper, die eine Größe von nicht geringer als 0,3 μm besaßen, durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt wurde, wurden 25.000 Fremdkörper in einem Bereich des Siliziumwafers mit einer Größe von 8 Inch gezählt und 22.000 Fremdkörper wurden in einem anderen Bereich davon gezählt.
Dann konnte, wenn der Ablösefilm auf der Seite der Reinigungsschicht des sich ergebenden, befördernden Reinigungswafers abgelöst wurde und dann der Wafer in das Substrat-Behandlungsgerät befördert wurde, das den Wafer-Tisch besaß, bei dem 25.000 Fremdkörper anhafteten, der Wafer ohne Probleme befördert werden. Dann wurde der Wafer-Tisch entfernt und die Anzahl der Fremdkörper, die eine Größe von mehr als 0,3 μm besaßen, wurde durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt, wobei 6200 Fremdkörper in dem Siliziumwafer mit einer Größe von 8 Inch gezählt wurden. Demzufolge konnten Fremdkörper, die vor der Reinigung anhafteten, um 3/4 oder mehr in Bezug auf die Anzahl entfernt werden.
Vergleichsbeispiel 1
Wenn das Reinigungsblatt in derselben Art und Weise wie Beispiel 1, das 5 Teile des Additiv (Produkt-Name V-SQ-S6, hergestellt von Mitsubishi Chemical Industries Ltd.), das das Ammoniumsalz der 4. Gruppe besaß, das die leitende Funktion in der Seitenkette besaß, zu der Klebeschicht der Reinigungsschicht hinzugegeben und dann der Oberflächenwiderstand der Reinigungsschicht auf diese Art und Weise gemessen wurde, wurde 5,5 × 10¹¹ Ω/☐ erhalten. Auch wurde, wenn die Klebekraft der Klebeschicht der Reinigungsschicht des Siliziumwafers gemessen wurde, 0,33 N/10 mm erhalten.
Wenn der befördernde Reinigungswafer, der in derselben Art und Weise wie Beispiel 1 von diesem Reinigungsblatt hergestellt ist, in das Substrat-Behandlungsgerät befördert wird, das den Wafer-Tisch besitzt, bei dem 22.000 Fremdkörper anhaften, kann der Wafer ohne Probleme befördert werden. Dann wurden, wenn der Wafer-Tisch entfernt wurde und die Zahl der Fremdkörper, die eine Größe von nicht geringer als 0,3 μm besaßen, durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt wurde, 20.000 Fremdkörper auf dem Siliziumwafer mit einer Größe von 8 Inch gezählt. Demzufolge konnten Fremdkörper, die vor der Reinigung anhafteten, nahezu um ungefähr 1/11 in der Anzahl entfernt werden.
Beispiel 2
Die ultraviolett härtende Klebelösung wurde durch gleichförmiges Mischen von 150 Teilen des Dipentaerythtorolhexaacrylats (Produkt-Name UV1700B, hergestellt von The Nippon Synthetic Chemical Industry, Co., Ltd.) 5 Teilen des Benzyldimethylketanols und 3 Teilen des Diphenylmethanediisocyanats zu den 100 Teilen des Acrylpolymers (durchschnittliches Molekulargewicht von 700.000), erhalten von der mit Monomer gemischten Lösung, die aus 75 Teilen des Acrylsäure-2-ethylhexyls, den 20 Teilen des Methylacrylats und den 5 Teilen der Acrylsäure bestand, gebildet.
Im Gegensatz dazu wurde die Klebelösung, in derselben Art und Weise wie vorstehend, erhalten, mit der Ausnahme, dass Benzyldimethylketanol von dem vorstehenden Klebemittel entfernt wurde.
Die gewöhnliche Klebeschicht wurde durch Beschichten der vorstehenden Klebelösung auf einer Oberfläche des Polyethylenterephthalat, das eine Breite von 250 mm und eine Dicke von 25 μm besaß, als das Trägermaterial, so, um eine getrocknete Dicke von 10 μm zu haben, wobei der Polyester-Ablösefilm mit einer Dicke von 38 μm auf die Oberfläche aufpastiert wurde, erhalten. Auch wurde die Klebeschicht als die Reinigungsschicht durch Beschichten der vorstehenden, ultraviolett härtenden Klebelösung auf der anderen Seite des Trägerfilmmaterials so, um eine getrocknete Dicke von 20 μm zu haben, wobei der ähnliche Ablösefilm auf die Oberfläche aufpastiert wurde, erhalten.
Das Reinigungsblatt A gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wurde durch Bestrahlen der ultravioletten Strahlen, die eine mittlere Wellenlänge von 365 nm besaßen, mit einer integrierten Menge an Licht von 2000 mJ/cm² auf diese Schicht, erhalten. Wenn die relative Dielektrizitätskonstante der Reinigungsschicht dieser Reinigungsfläche durch die LCR-Messeinrichtung (Typ 4284A, hergestellt von Hewlett Packard Co., Ltd.), bei 1 MHz gemessen wurde, wurde 2,8 erhalten.
Beispiel 3
Die Reinigungsfläche B gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wurde durch Bilden der gewöhnlichen Klebeschicht in derselben Art und Weise wie Beispiel 2 auf einer Oberfläche des Polyethylenterephthalat-Films (Breite 250 mm, Dicke 25 μm), dessen relative Dielektrizitätskonstante 3,2 betrug, und dann durch Aufpastieren des ähnlichen Ablösefilms auf der Oberfläche, erhalten.
Die befördernden Reinigungswafer A und B mit der Reinigungsfunktion wurden durch Abziehen des Ablösefilms auf der Seite der gewöhnlichen Klebeschicht der erhaltenen Reinigungsflächen A und B und dann Aufpastieren des Films auf die Rückseite (Spiegelfläche) des Siliziumwafers mit 8 Inch durch die Handwalze hergestellt.
Im Gegensatz dazu wurden, wenn die Fremdkörper, die eine Größe von mehr als 0,2 μm besaßen, auf den Spiegelflächen von drei Schichten neuer Siliziumwafer mit 8 Inch durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt wurden, 11 Fremdkörper auf dem ersten Blatt gezählt, 10 Fremdkörper wurden auf dem zweiten Blatt gezählt und 8 Fremdkörper wurden auf dem dritten Blatt gezählt. Wenn diese Wafer in das Substrat- Behandlungsgerät, das gesonderte, elektrostatische, adsorbierende Mechanismen besaß, während die Spiegelfläche nach unten gerichtet war, befördert wurden und dann die Spiegelflächen durch das Laser-Fremdkörper-Messgerät gemessen wurden, wurden 32.004, 25.632 und 27.484 Fremdkörper in dem Bereich des Wafers mit einer Größe von 8 Inch jeweils gezählt.
Dann konnte, wenn die Ablösefilme auf der Seite der Reinigungsschicht der erhaltenen, fördernden Reinigungswafer A, B abgezogen wurden und dann die Wafer in das Substrat-Behandlungsgerät befördert wurden, das die Wafer-Tische besaß, bei denen die vorstehenden 32.004 und 27.484 Fremdkörper jeweils anhafteten, der Wafer ohne Probleme befördert werden. Dann wurden neue Siliziumwafer mit 8 Inch, an denen 10 und 13 Fremdkörper anhafteten, die eine Größe von nicht geringer als 0,2 μm besaßen, befördert, während die Spiegelfläche nach unten gerichtet wurde, und dann wurden die Fremdkörper, die eine Größe von nicht geringer als 0,2 μm besaßen, durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt. Dieser Vorgang wurde fünfmal durchgeführt und die Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.
Vergleichsbeispiel 3
Das Reinigungsblatt C wurde in derselben Art und Weise wie Beispiel 3 erhalten, mit der Ausnahme, dass das Polytetrafluoroethylen, dessen relative Dielektrizitätskonstante 2,0 beträgt, für den Film in Beispiel 3 verwendet wurde.
Der fördernde Reinigungswafer C, der in derselben Art und Weise wie Beispiel 3 von dem Reinigungsblatt hergestellt wurde, wurde in das Substrat-Behandlungsgerät befördert, das den Wafer-Tisch besaß, bei dem 25.632 Fremdkörper anhafteten. Dieser Vorgang wurde fünfmal, ähnlich Beispiel 3, wiederholt, und die Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt. Tabelle 1
Beispiel 4
Die ultraviolett härtende Klebelösung wurde durch gleichförmiges Mischen von 50 Teilen des Polyethylenglykol-200-Dimethacrylats (Produkt-Name Nkester4G, hergestellt von Shin-Nakamura Chemical CL, Ltd.), 50 Teilen des Urethanacrylats (Produkt-Name U-N-01, hergestellt von Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), und 3 Teilen der Polyisocyanat-Verbindung (Produkt-Name Colonate L, hergestellt von Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), und 3 Teilen des Benzyldimethylketals (Produkt-Name Illugacure 651, hergestellt von Chiba-Speciality Chemical Co., Ltd.), als der Photopolymerisationsinitiator, in die 100 Teile des Acrylpolymers (durchschnittliches Molekulargewicht von 700.000), erhalten von der mit Monomer gemischten Lösung, die aus den 75 Teilen des Acrylsäure-2-ethylhexyls, den 20 Teilen des Methylacrylats und den 5 Teilen der Acrylsäure bestand, präpariert.
Im Gegensatz dazu wurde die gewöhnliche Klebeschicht durch Beschichten der Klebelösung gebildet, die in derselben Art und Weise, mit der Ausnahme, dass das Benzyldimethylketal als der Photopolymerisationsinitiator von der vorstehenden Klebelösung A entfernt wurde, auf einer Oberfläche des Polyesterträgermateriaifilms, der eine Bereite von 250 mm und eine Dicke von 25 μm besaß, um eine getrocknete Dicke von 10 μm zu haben, wobei der Polyesterlösefilm mit 38 μm Dicke auf die Oberfläche aufpastiert wurde, erhalten. Dann wurde die Klebeschicht als Reinigungsschicht durch Beschichten der vor stehenden, ultravioletthärtenden Klebelösung A auf der anderen Seite des Trägermaterialfilms gebildet, um die getrocknete Dicke von 10 μm zu haben, wobei der ähnliche Lösefilm auf die Oberfläche aufpastiert wurde.
Das Reinigungsblatt gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wurde durch Bestrahlen der ultravioletten Strahlen, die eine mittlere Wellenlänge von 365 nm besaßen, bis zu einer integrierten Lichtmenge von 1000 mJ/cm², auf dieses Blatt erhalten. Dann wurde der Ablösefilm auf der Seite der Reinigungsschicht dieser Reinigungsfläche abgezogen. Die gemessene freie Energie der Oberfläche der Reinigungsschicht betrug 40,1 mJ/m² und der gemessene Kontaktwinkel in Bezug auf Wasser betrug 78,2 Grad.
Der zu befördernde Reinigungswafer mit der Reinigungsfunktion wurde durch Abziehen des Ablösefilms auf der gewöhnlichen Klebeschichtseite dieses Reinigungsblatts und dann Aufpastieren dieses Films auf eine Rückseite (Spiegelfläche) eines Siliziumwafers mit 8 Inch mit der Handwalze hergestellt.
Im Gegensatz dazu wurden, wenn zwei Wafer-Tische (Wafer Stage) des Substrat-Behandlungsgeräts entfernt wurden und dann die Anzahl der Fremdkörper, die eine Größe von nicht geringer als 0,3 μm besaßen, durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt wurden, 25.000 Fremdkörper in einem Bereich des Siliziumwafers mit einer Größe von 8 Inch gezählt und 23.000 Fremdkörper wurden in einem anderen Bereich davon gezählt.
Dann konnte, wenn der Ablösefilm auf der Seite der Reinigungsschicht des erhaltenen, fördernden Reinigungswafers abgezogen wurde und dann der Wafer in das Substrat-Behandlungsgerät hinein befördert wurde, das den Wafer-Tisch (Wafer Stage) besaß, an der 25.000 Fremdkörper anhafteten, der Wafer ohne Probleme befördert werden. Dann wurden, wenn der Wafer-Tisch entfernt wurde und die Zahl der Fremdkörper, die eine Größe von mehr als 0,3 μm besaßen, durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt wurden, 4800 Fremdkörper in dem Siliziumwafer mit einer Größe von 8 Inch gezählt. Demzufolge konnten Fremdkörper, die vor der Reinigung anhafteten, um mehr als 4/5 oder darüber entfernt werden.
Vergleichsbeispiel 4
Ein Reinigungsblatt wurde in derselben Art und Weise wie das Beispiel 4 gebildet, mit der Ausnahme, dass eine ultraviolett härtende Klebemittellösung B, präpariert durch gleichförmiges Mischen der 100 Teile des Dipentaerythtorolhexaacrylats (Produkt-Name UV1700B, hergestellt von The Nippon Synthetic Chemical Industry, Co., Ltd.) und der 3 Teile der Polyisocyanat-Verbindung (Produkt-Name Colonate L, hergestellt von Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), und der 10 Teile des Benzyldimethylketals (Produkt-Name Illugacure 651, hergestellt von Chiba-Speciality Chemicals Co., Ltd.), als der Polymerisationsinitiator in die 100 Teile des Acrylpolymers (durchschnittliches Molekulargewicht von 2.800.000), erhalten von der mit Monomer gemischten Lösung, die aus den 30 Teilen des Acrylsäure-2-ethylhexyls, den 70 Teilen des Methylacrylats und den 10 Teilen der Acrylsäure bestand, gebildet. Die gemessene, freie Oberflächenenergie der reinigenden Schicht betrug 24,6 mJ/m², und der gemessene Kontaktwinkel in Bezug auf Wasser betrug 82,3 Grad.
Dann wurde ein befördernder Reinigungswafer, erhalten in derselben Art und Weise wie in Beispiel 4, in das Substrat-Behandlungsgerät befördert, das den Wafer-Tisch besaß, bei dem 23.000 Fremdkörper anhafteten, so dass der Wafer ohne Probleme befördert werden konnte. Dann wurde der Wafer-Tisch entfernt und die Zahl der Fremdkörper, die eine Größe von mehr als 0,3 μm besaßen, wurde durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt, wobei 20.000 Fremdkörper in dem Siliziumwafer mit einer Größe von 8 Inch gezählt wurden. Demzufolge konnten die Fremdkörper, die vor der Reinigung anhafteten, nur mit ungefähr 1/8 entfernt werden.
Beispiel 5
Die ultraviolett härtende Klebelösung wurde durch gleichförmiges Mischen von 150 Teilen des Dipentaerythtorolhexaacrylats (Produkt-Name UV1700B, hergestellt von The Nippon Synthetic Chemical Industry, Co., Ltd.), der 5 Teile des Benzyldimethylketanols und der 3 Teile des Diphenylmethanediisocyanats in die 100 Teile des Acrylpolymers (durchschnittliches Molekulargewicht von 700.000), erhalten von der mit Monomer gemischten Lösung, die aus den 75 Teilen des Acrylsäure-2-ethylhexyls, den 20 Teilen des Methylacrylats und den 5 Teilen der Acrylsäure bestand, gebildet.
Im Gegensatz dazu wurde die gewöhnliche Klebeschicht durch Beschichten der Klebelösung, die in derselben Art und Weise erhalten wurde, mit der Ausnahme, dass das Benzyldimethylketal von dem vorstehenden Klebemittel entfernt wurde, auf einer Oberfläche des Polyethylenterephthalat-Trägermaterialfilms, der eine Breite von 250 mm, eine Dicke von 70 μm und eine Zugfestigkeit von 250 Mpa besaß, um eine getrocknete Dicke von 10 μm zu haben, wobei der Polyester-Ablösefilm mit einer Dicke von 38 μm auf die Oberfläche aufpastiert wurde, gebildet. Die Reinigungsschicht wurde durch Beschichten der vorstehenden, ultraviolett härtenden Klebelösung auf der anderen Seite des Trägermaterialfilms so, um eine getrocknete Dicke von 40 μm zu haben, wobei der ähnliche Ablösefilm auf die Oberfläche aufpastiert wurde, gebildet.
Die ultravioletten Strahlen, die eine mittlere Wellenlänge von 365 nm besaßen, wurden mit einer integrierten Lichtmenge von 2000 mJ/cm² auf dieser Fläche von der Reinigungsschichtseite aus aufgestrahlt, dann wurde der Ablösefilm auf der Seite der Reinigungsschicht abgezogen, dann wurde die Reinigungsschicht zwischen die Elektroden in der Atmosphäre, unter Einsetzen des thermischen Elektret-Verfahrens, eingesetzt, dann wurde die Spannung von 20 kV bei einer Temperatur von 100°C angelegt, dann wurde die Reinigungsschicht auf 40°C abgekühlt, während die Spannung, so wie sie ist, angelegt wurde, und dann wurde das Anlegen der Spannung beendet, um die Reinigungsschicht als das Elektret zu bilden. Dann wurde, wenn das Oberflächenpotenzial unter einem Elektroden-Abtastintervall von 20 mm durch die Messvorrichtung für die statische Elektrizität (Modell FMX002, hergestellt von Simco Japan Co., Ltd.), unter Bedingungen von 25°C und 55% RH (relative Luftfeuchtigkeit) gemessen wurde, 15 kV erhalten. Auch besaß die Oberfläche der Reinigungsschicht keine wesentliche Klebrigkeit, und das Elastizitätsmodul in der Spannung der Reinigungsschicht nach dem ultravioletten Härten betrug 1980 N/mm².
Der befördernde Reinigungswafer mit der Reinigungsfunktion wurde durch Abziehen des Ablösefilms auf der Seite der gewöhnlichen Klebeschicht des erhaltenden Reinigungsblatts und dann Aufpastieren des Films auf die hintere Oberfläche (Spiegelfläche) des Siliziumwafers mit 8 Inch mit der Handwalze hergestellt.
Im Gegensatz dazu wurden, wenn die Fremdkörper, die eine Größe von mehr als 0,2 μm auf den Spiegelflächen der zwei Schichten der neuen Siliziumwafer mit 8 Inch besaßen, durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt wurden, 11 Fremdkörper auf dem ersten Blatt gezählt und 10 Fremdkörper wurden auf dem zweiten Blatt gezählt. Wenn diese Wafer in das Substrat-Verarbeitungsgerät befördert wurden, das separate, elektrostatische, adsorbierende Mechanismen besaß, während die Spiegelfläche nach unten gerichtet war, und dann die Spiegelflächen durch das Laser-Fremdkörper-Messgerät gemessen wurde, wurden 32.004 und 25.632 Fremdkörper in dem Bereich des Wafers mit einer Größe von 8 Inch jeweils gezählt.
Dann konnte, wenn der Ablösefilm auf der Seite der Reinigungsschicht des erhaltenen, befördernden Reinigungswafers abgezogen wurde und dann der Wafer in das Substrat-Verarbeitungsgerät befördert wurde, das die Wafer-Tische besaß, bei denen die vorstehenden 32.004 und 27.484 Fremdkörper jeweils anhafteten, der Wafer ohne Probleme befördert werden. Dann wurden die neuen Siliziumwafer mit 8 Inch, an denen 10 Fremdkörper, die eine Größe von mehr als 0,2 m besaßen, anhafteten, befördert, während die Spiegelfläche nach unten gerichtet war, und dann wurden die Fremdkörper, die die Größe von mehr als 0,2 μm besaßen, durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt. Dieser Vorgang wurde fünfmal wiederholt, und die Ergebnisse sind in Tabelle 2 dargestellt.
Vergleichsbeispiel 5
Wenn das Reinigungsblatt in derselben Art und Weise wie Beispiel 5 erhalten wurde, anders als das Additiv (Produkt-Name V-SQ-S6, hergestellt von Mitsubishi Chemical Industries Ltd.), wurden 20 Teile, die das Ammoniumsalz der 4. Gruppe besaßen, mit der leitenden Funktion in der Seitenkette, in die Reinigungsschicht in dem Reinigungsblatt in Beispiel 5 hinzugefügt. Das Oberflächenpotenzial der Reinigungsschicht, gemessen nach der Bestrahlung mit den ultravioletten Strahlen, ähnlich wie in Beispiel 5, betrug 0,04 kV, und das Elastizitätsmodul der Spannung betrug 1720 N/mm².
Der befördernde Reinigungswafer, der in derselben Art und Weise wie Beispiel 5 von dem Reinigungsblatt hergestellt wurde, wurde fünfmal in das Substrat-Verarbeitungsgerät hinein ausgeführt, das den Wafer-Tisch besaß, an dem 25.632 Fremdkörper anhafteten, ähnlich wie in Beispiel 5. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 dargestellt. Tabelle 2
Beispiel 6
Die ultraviolett härtende Klebelösung wurde durch gleichförmiges Mischen der 50 Teile des Polyethylenglykol-200-dimethacrylats (Produkt-Name NKester4G, hergestellt von Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), der 50 Teile des Urethanacrylats (Produkt-Name U-N-01, hergestellt von Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), der 3 Teile der Polyisocyanat-Verbindung (Produkt-Name Colonate L, hergestellt von Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) und der 3 Teile des Benzyldimethylketals (Produkt-Name Illugacure 651, hergestellt von Chiba-Speciality Chemicals Co., Ltd.) als der Fotopolymerisationsinitiator in die 100 Teile des Acrylpolymers (durchschnittliches Molekulargewicht von 700.000), erhalten von der mit Polymer gemischten Lösung, die aus den 75 Teilen des Acrylsäure-2-ethylhexyls, der 20 Teile des Methylacrylats und der 5 Teile der Acrylsäure bestand, prepariert.
Im Gegensatz dazu wurde die gewöhnliche Klebeschicht durch Beschichten der Klebelösung, die in derselben Art und Weise erhalten wurde, mit der Ausnahme, dass das Benzyldimethylketal als der Polymerisationsinitiator von der vorstehenden Klebelösung A entfernt wurde, auf einer Oberfläche des Polyester-Trägermaterialfilms, der eine Breite von 250 mm und eine Dicke von 25 μm besaß, um eine getrocknete Dicke von 10 μm zu haben, erhalten, wobei der Polyester-Ablösefilm mit einer Dicke von 38 μm auf die Oberfläche aufpastiert wurde, gebildet. Dann wurde die Klebeschicht als die Reinigungsschicht durch Beschichten der vorstehenden, ultraviolett härtenden Klebelösung A auf der ande ren Seite des Trägermaterialfilms, um die getrocknete Dicke von 10 μm zu haben, wobei der ähnliche Ablösefilm auf die Oberfläche aufpastiert wurde, gebildet.
Das Reinigungsblatt der vorliegenden Erfindung wurde durch Bestrahlen der ultravioletten Strahlen, die eine mittlere Wellenlänge von 365 nm besagen, bis zu einer integrierten Lichtmenge von 1000 mJ/cm², auf diesem Blatt erhalten. Dann wurde der Ablösefilm auf der Seite der Reinigungsschicht dieses Reinigungsblatts abgezogen, der Reibungskoeffizient der Reinigungsschicht nach dem Härten mit ultravioletten Strahlen betrug 1,7 und das Elastizitätsmodul in der Spannung der Reinigungsschicht nach dem ultravioletten Härten betrug 50 N/mm². Hierbei wurde der Reibungskoeffizient durch Bewegen der rostfreien Stahlplatte mit 50 mm × 50 mm unter der vertikalen Last von 9,8 N unter einer Geschwindigkeit von 300 mm/min entlang der vorgegebenen Richtung parallel zu der Oberfläche der Reinigungsschicht, und dann Messen der Reibungs-Widerstandskraft, die zu diesem Zeitpunkt erzeugt wurde, mit der universellen Spannungs-Testeinrichtung, berechnet. Auch wurde das Elastizitätsmodul in der Spannung basierend auf dem Testverfahren JIS K7127 gemessen.
Der befördernde Reinigungswafer mit der Reinigungsfunktion wurde durch Abziehen des Ablösefilms auf der Seite der gewöhnlichen Klebeschicht dieser Reinigungsschicht und dann Aufpastieren des Films auf die Rückseite (nicht gereinigte Fläche) der Kontaktstift-Reinigungseinrichtung (Produkt-Name Passchip hergestellt von PASS Co., Ltd.), als das Kontaktstift-Reinigungselement für eine Siliziumwafer-Form mit 8 Inch, mit der Handwalze hergestellt.
Dann wurde, nachdem die Reinigung der Kontaktstifte und die Reinigung des Spanntischs durch Abziehen des Ablösefilms auf der Seite der Reinigungsschicht des Reinigungselements erfolgte, und dann eine Dummy-Beförderung durch die Wafer-Sonde als die Leitungs-Testvorrichtung bei der Halbleiterherstellung erfolgte, die Reinigungsschicht insgesamt nicht stark in Kontakt mit dem Kontaktbereich gebracht, und demzufolge konnte die Reinigungsschicht ohne Problem befördert werden.
Auch wurden, wenn die Kontaktstifte danach mit dem Mikroskop betrachtet wurden, Fremdkörper, wie beispielsweise das Oxid, usw., das an dem Stift vor der Reinigung anhaftete, beseitigt, und deren Reinigung konnte geprüft werden. Auch konnten die Silizium- Fremdkörper, die eine Größe von ungefähr 1 mm, usw., besaßen, die auf dem Spanntisch vor der Reinigung vorhanden waren, vollständig gereinigt werden, und die Reinigung konnte festgestellt werden. Dann konnte, wenn 25 Blätter der Produktwafer befördert wurden, um den Test tatsächlich durchzuführen, das Verfahren ausgeführt werden, ohne dass das Problem hervorgerufen wurde.
Beispiel 7
Die ultraviolett härtende Klebelösung A wurde durch gleichförmiges Mischen der 50 Teile des Polyethylenglykol-200-dimethacrylats (Produkt-Name NKester4G, hergestellt von Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), der 50 Teile des Urethanacrylats (Produkt-Name U-N-01, hergestellt von Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), und der 3 Teile der Polyisocyanat-Verbindung (Produkt-Name Colonate L, hergestellt von Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) und der 3 Teile des Benzyldimethylketals (Produkt-Name Illugacure 651, hergestellt von Chiba-Speciality Chemicals Co., Ltd.) als der Fotopolymerisationsinitiator in die 100 Teile des Acrylpolymers (durchschnittliches Molekulargewicht 700.000), erhalten von der mit Monomer gemischten Lösung, die aus den 75 Teilen des Acrylsäure-2-ethylhexyls, der 20 Teile des Methylacrylats und der 5 Teile der Acrylsäure bestand, präpariert.
Im Gegensatz dazu wurde die unter normalen Druck empfindliche Klebelösung A in derselben Art und Weise wie vorstehend erhalten, mit der Ausnahme, dass das Benzyldimethylketanol von dem vorstehenden Klebemittel entfernt wurde.
Die gewöhnliche Klebeschicht wurde durch Beschichten der vorstehenden, druckempfindlichen Klebelösung A auf einer Oberfläche des Polyester-Trägermaterialfilms, der eine Breite von 250 mm und eine Dicke von 25 μm besaß, um eine getrocknete Dicke von 10 μm zu haben, wobei der Polyester-Ablösefilm mit einer Dicke von 38 μm auf die Oberfläche aufpastiert wurde, gebildet. Auch wurde die Klebeschicht als die Reinigungsschicht durch Beschichten der vorstehenden, ultraviolett härtenden Klebelösung A auf der anderen Seite des Trägermaterials, um die getrocknete Dicke von 30 μm zu haben, wobei der ähnliche Ablösefilm auf die Oberfläche aufpastiert wurde, gebildet. So wurde das Reinigungsblatt A hergestellt.
Wenn das Elastizitätsmodul in der Spannung (Testverfahren JIS K7127) dieser ultraviolett härtenden Klebelösung A gemessen wurde, wurde 0,2 N/mm² erhalten, wenn die Härtungsreaktion durch die ultravioletten Strahlen ausgeführt wurde, während 49 N/mm² erhalten wurde, nachdem die ultravioletten Strahlen, die die mittlere Wellenlänge von 365 nm besaßen, bis zu der integrierten Lichtmenge von 1000 mJ/cm² aufgestrahlt wurden.
Unter Verwendung dieses Reinigungsblatts A wurde das Blatt auf dem Wafer durch die Direkt-Schneidsystem-Band-Anbringungseinrichtung (NEL-DR8500II, hergestellt von Nitto Seiki Co., Ltd.) aufpastiert. Hierbei wurde das Blatt A auf die Rückseitenfläche (Spiegelfläche) des Siliziumwafers mit 8 Inch aufpastiert und dann in die Waferform durch das direkte Schneiden geschnitten. Wenn dieser Vorgang für 25 Blätter aufeinander folgend ausgeführt wurde, wurden keine Schneidabfälle insgesamt beim Schneiden des Blatts erzeugt.
Dann wurde der befördernde Reinigungswafer A mit der Reinigungsfunktion durch Bestrahlen der ultravioletten Strahlen, die die mittlere Wellenlänge von 365 nm besaßen, auf fünf Blätter dieser Wafer, bis zu der integrierten Lichtmenge von 1000 mJ/cm², hergestellt.
Im Gegensatz dazu wurden, wenn die Fremdkörper, die eine Größe von mehr als 0,2 μm besaßen, auf den Spiegelflächen der vier Schichten der neuen Siliziumwafer mit 8 Inch durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt wurden, 8 Fremdkörper auf dem ersten Blatt gezählt. 11 Fremdkörper wurden auf dem zweiten Blatt gezählt, 9 Fremdkörper wurden auf dem dritten Blatt gezählt und 5 Fremdkörper wurden auf dem vierten Blatt gezählt. Wenn diese Wafer in das Substrat-Behandlungsgerät befördert wurden, das separate, elektrostatische Adsorptions-Mechanismen besaß, während die Spiegelfläche nach unten gerichtet wurde, und dann die Spiegelflächen durch das Laser-Fremdkörper-Messgerät gemessen wurden, wurden 31.254, 29.954, 28.683 und 27.986 Fremdkörper in dem ersten, dem zweiten, dem dritten und dem vierten Bereich des Wafers mit einer Größe von 8 Inch jeweils gezählt.
Dann konnte, wenn der Ablösefilm auf der Seite der Reinigungsschicht des erhaltenen, fördernden Reinigungswafers A abgezogen wurde und dann der Wafer in das Substrat-Behandlungsgerät befördert wurde, das den Wafer-Tisch bzw. Wafer-Stage besaß, auf der die vorstehenden 31.254 Fremdkörper anhafteten, der Wafer ohne Probleme befördert werden. Dann wurden die neuen Siliziumwafer mit 8 Inch, an denen die 10 Fremdkörper, die die Größe von nicht mehr als 0,2 μm besaßen, anhafteten, befördert, während die Spiegelfläche nach unten gerichtet war, und dann wurden die Fremdkörper, die die Größe von mehr als 0,2 μm besaßen, durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt. Dieser Vorgang wurde fünfmal wiederholt, und die Ergebnisse sind in Tabelle 3 dargestellt.
Beispiel 8
Das Reinigungsblatt B wurde in derselben Art und Weise wie Beispiel 7 präpariert, mit der Ausnahme, dass die ultraviolett härtende Klebelösung B durch gleichförmiges Mischen der 100 Teile des multifunktionalen Urethanacrylats (Produkt-Name UV1700B, hergestellt von The Nippon Synthetic Chemical Industry, Co., Ltd.) und der 3 Teile der Polyisocyanat-Verbindung (Produkt-Name Colonate L, hergestellt von Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) und der 10 Teile des Benzyldimethylketals (Produkt-Name Illugacure 651, hergestellt von Chiba-Speciality Chemicals Co., Ltd.) als der Polymerisationsinitiator in die 100 Teile des Acrylpolymers (durchschnittliches Molekulargewicht von 2.800.000), erhalten von der mit Monomer gemischten Lösung, die aus den 75 Teilen des Acrylsäure-2-ethylhexyls, den 20 Teilen des Methylacrylats und den 5 Teilen der Acrylsäure bestand, als das Ultraviolett härtende Klebemittel, erhalten wurde. Dann wurde das Elastizitätsmodul in der bzw. unter Spannung dieses ultraviolett härtenden Klebemittels B gemessen, wobei 0,01 N/mm² vor dem Härten erhalten wurde, während 1440 N/mm² erhalten wurde, nachdem die ultravioletten Strahlen, die die mittlere Wellenlänge von 365 nm besaßen, bis zu der integrierten Lichtmenge von 100 mJ/cm² aufgestrahlt wurden.
Wenn 25 Blätter der Wafer mit Blättern durch das Direktschneidsystem unter Verwendung dieser Reinigungsschicht B, ähnlich Beispiel 7, hergestellt wurden, wurden keine Schneidabfälle insgesamt beim Schneiden des Blatts erzeugt. Dann wurde der befördernde Reinigungswafer B mit der Reinigungsfunktion durch Bestrahlen der ultravioletten Strahlen, die die mittlere Wellenlänge von 365 nm besaßen, auf fünf Blättern dieser Wafer bis zu der integrierten Lichtmenge von 1000 mJ/cm², hergestellt.
Dann konnte, wenn der Ablösefilm auf der Seite der Reinigungsschicht des erhaltenen, befördernden Reinigungswafers A abgezogen wurde und dann der Wafer in das Substrat-Behandlungsgerät befördert wurde, das den Wafertisch besaß, auf dem die vorstehenden 29.953 Fremdkörper anhafteten, der Wafer ohne Probleme befördert werden. Dann wurden die neuen Siliziumwafer mit 8 Inch, an denen die 10 Fremdkörper, die die Größe von nicht mehr als 0,2 μm besaßen, anhafteten, befördert, während die Spiegelfläche nach unten gerichtet wurde, und dann wurden die Fremdkörper, die die Größe von nicht mehr als 0,2 μm besaßen, durch die Laser-Fremdkörper-Messvorrichtung gezählt. Dieser Vorgang wurde fünfmal wiederholt und die Ergebnisse sind in Tabelle 3 dargestellt.
Vergleichsbeispiel 7
Wenn die Wafer mit Blättern durch das direkte Schneidsystem in ähnlicher Weise hergestellt wurden, mit der Ausnahme, dass das Reinigungsblatt C durch Bestrahlen der ultravioletten Strahlen, die die mittlere Wellenlänge von 365 nm besaßen, bis zu der integrierten Lichtmenge von 1000 mJ/cm², bevor der Wafer auf das Reinigungsblatt A im Beispiel 7 aufpastiert wurde, hergestellt wurde, wurde eine große Menge an Schneidabfällen von der Reinigungsschicht beim Schneiden des Blatts erzeugt. Folglich wurde eine Anzahl von Schneidabfällen an den Kanten der Wafer mit dem Blatt, der Rückseitenfläche des Wafers und der Bandpastier-Vorrichtung angehaftet. Dementsprechend wurde die Herstellung des Wafers C mit dem Blatt unterbrochen.
Vergleichsbeispiel 8
Das Reinigungsblatt D wurde in derselben Art und Weise wie Beispiel 7 hergestellt, mit der Ausnahme, dass die druckempfindliche Klebelösung A, dargestellt in Beispiel 8, als das Klebemittel für die Reinigungsschicht eingesetzt wurde. In diesem Fall betrug das Elastizitätsmodul in der bzw. unter Spannung der Reinigungsschicht 0,1 N/mm².
Wenn die Wafer mit Blättern durch das direkte Schneidsystem in derselben Art und Weise wie Beispiel 7 von dem Reinigungsblatt D hergestellt wurden, wurden keine Schneidabfälle beim Schneiden des Blatts erzeugt, und demzufolge konnten Wafer mit 25 Blättern hergestellt werden. Wenn diese befördernden Reinigungswafer D in das Substrat-Behandlungsgerät befördert wurden, das den Wafer-Tisch besaß, an dem 21.986 Fremd körper anhafteten, haftete der erste Wafer an dem Wafer-Tisch an und konnte demzufolge nicht befördert werden. Tabelle 3
Wie vorstehend beschrieben ist, kann, entsprechend dem Reinigungsblatt der vorliegenden Erfindung, das Substrat in dem Substrat-Behandlungsgerät ohne Ausfall befördert werden, und auch können Fremdkörper, die an dem Gerät anhaften, einfach verringert werden.

Claims

Reinigungsblatt, das eine Reinigungsschicht mit einem spezifischen Oberflächenwiderstand von nicht weniger als 1 × 10¹³ Ω/☐ umfasst.
Reinigungsblatt nach Anspruch 1, das des Weiteren ein Trägermaterial zum Tragen der Reinigungsschicht umfasst.
Reinigungsblatt nach Anspruch 1, das des Weiteren umfasst: ein Trägermaterial mit einer Oberfläche, auf der die Reinigungsschicht vorhanden ist; und eine Klebeschicht, die sich auf der anderen Oberfläche des Trägermaterials befindet.
Reinigungsblatt nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei eine relative Dielektrizitätskonstante der Reinigungsschicht größer ist als 2,0.
Reinigungsblatt nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine freie Oberflächenenergie der Reinigungsschicht nicht weniger als 30 mJ/m² beträgt.
Reinigungsblatt nach Anspruch 5, wobei ein Kontaktwinkel der Reinigungsschicht in Bezug auf Wasser nicht mehr als 90 Grad beträgt.
Reinigungsblatt nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei ein Oberflächenpotenzial der Reinigungsschicht 10 kV übersteigt.
Reinigungsblatt nach Anspruch 7, wobei die Reinigungsschicht als ein Elektret mit einem thermischen Elektretverfahren ausgebildet wird.
Reinigungsblatt nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Reinigungsschicht im Wesentlichen kein Haftvermögen aufweist.
Reinigungsblatt nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei ein Elastizitätsmodul der Reinigungsschicht bei Zugbeanspruchung gemäß einem Testverfahren JIS K7127 1 bis 3000 N/mm² beträgt.
Reinigungsblatt nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Reinigungsschicht aus einer Klebeschicht ausgebildet ist, die durch eine aktive Energie ausgehärtet wird.
Reinigungsblatt nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei ein Reibungskoeffizient der Reinigungsschicht nicht kleiner ist als 1,0.
Reinigungsblatt nach Anspruch 1, wobei die Klebeschicht nach Anspruch 11 ein aushärtender Klebstoff ist, der ein druckempfindliches Klebepolymer, eine polymerisierte ungesättigte Verbindung, die eine ungesättigte Doppelbindung oder mehr in einem Molekül aufweist, und einen Polymerisationserreger enthält.
Förderelement mit einer Reinigungsfunktion, bei dem das Reinigungsblatt nach Anspruch 3 an einem Förderelement über eine Klebeschicht vorhanden ist, die vorzugsweise Acrylklebstoff oder Gummiklebstoff enthält.
Verfahren zum Reinigen einer Substratbearbeitungseinrichtung durch Fördern des Reinigungsblattes nach Anspruch 1 oder des Förderelementes nach Anspruch 14 in eine Substratverarbeitungseinrichtung.