KR20030014754A - 세척용 시이트, 이를 사용한 반송부재, 및 이를 사용한기판가공장치 세척법 - Google Patents
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Abstract
세척용 시이트는 표면 저항이 1×1013Ω/□ 이상인 세척층을 보유한다. 세척 기능을 갖는 반송부재를 제조하는 방법에서, 활성 에너지에 의해 중합/경화되는 접착제로 구성된 세척층이 기재 물질의 한면에 제공되고 통상적인 접착층이 기재 물질의 다른면에 제공된 세척용 시이트를, 반송부재의 형태보다 큰 형태를 갖는 통상적인 접착층에 접착하는 단계, 및 반송부재의 형태에 따라 세척용 시이트를 절단하는 단계를 포함하고, 여기서 세척용 시이트를 반송부재의 형태에 따라 절단한 후에 세척층의 중합/경화 반응을 수행한다.
Description
다양한 기판가공장치는 개별적인 반송 시스템에 기판을 물리적으로 접촉시킨 상태에서 기판을 반송한다. 이때, 이물질이 기판 및 반송 시스템에 달라붙는 경우, 이로인해 후속적으로 기판이 오염되고, 따라서 장치를 주기적으로 정지시킨 후 세척 공정을 수행해야만 한다. 이러한 이유 때문에, 조작 속도가 감소되고 다량의 노동력이 요구되는 문제점이 발생한다. 이러한 문제점을 극복하기 위해서, 접착 물질이 접착된 기판을 반송함으로써 기판가공장치의 내부에 접착된 이물질을 세척/제거하는 방법(예를 들어 미심사청구된 일본 특허공개공보 제 10-154686 호 참조); 평면형 부재를 반송함으로써 기판의 후면에 접착된 이물질을 제거하는 방법(미심사청구된 일본 특허 공개공보 제 11-87459 호); 코로나 전하에 의해 하전된 모조 웨이퍼를 사용하는 방법(미심사청구된 일본 특허 공개공보 제 2000-260671 호) 등이 제안되었다.
접착 물질이 부착된 기판을 반송함으로서 기판가공장치의 내부에 접착된 이물질을 세척/제거하는 방법이 전술한 문제점을 극복하는데 효과적인 방법이다. 그러나, 이러한 방법은 접착 물질과 장치 접착 부분이 탈착될 수 없을 정도로 너무 강하게 접착되어 접착 물질의 탈착이 불가능하므로 기판이 확실하게 반송될 수 없는 가능성이 있다. 특히, 테이블중 쳐크 테이블(chuck table)에서 저압 흡입 기작이 사용되는 경우, 이러한 가능성이 보다 커진다. 또한, 평면형 부재를 반송함으로써 이물질을 제거하는 방법은, 방해받지 않고 반송될 수 있지만, 중요한 먼지 제거성을 불량하게 하는 문제점이 있다. 또한, 코로나 전하로 하전된 모조 웨이퍼를 사용하는 방법은 웨이퍼의 주변에서 이물질을 제거할 수 있는 효과적인 방법이지만, 표면 전위가 증가하는 경우 코로나 발생 전위가 보다 높게 설정되어야만 한다. 그러나, 본 발명의 세척용 시이트가 사용되는 경우, 구성 물질에 따라 홀이 개방되기 때문에, 코로나 공정 조건이 과도하게 설정되지 않고, 또한 표면 전위가 증가될 수 없다. 따라서, 표면 전위가 코로나 방법에 의해서 단지 수십 V 까지만 하전될 수 있고, 따라서 이물질의 흡인력이 여전히 불충분하다.
본 발명은 다양한 소자를 세척하기 위한 시이트, 이물질로부터 매우 영향받기 쉬운 기판가공장치를 위한 세척용 시이트, 예를 들어 반도체 소자, 평면 패널 디스플레이, 인쇄된 기판 등을 비롯하여 제조용 시스템, 시험 시스템 등을 위한 세척용 시이트, 이를 사용하는 반송부재 및 이를 사용하는 기판가공장치 세척법에 관한 것이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 사정에 비추어 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 기판가공장치에서 실패없이 기판을 반송하면서, 장치에 접착된 이물질을 용이하게 감소시킬 수 있는 세척용 시이트를 제공하고자 하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위해서, 예의 연구한 결과, 세척층으로서 접착층이 특정 값보다 큰 표면 저항을 갖거나 특정한 값보다 큰 비유전율 또는 표면 전위를 갖거나, 특정한 값보다 큰 표면 자유에너지를 갖는 경우, 세척용 시이트 또는 반송 부재가 문제없이 기판가공장치로 반송되고, 세척용 시이트를 갖는 반송 부재 또는 세척용 시이트를 반송함으로써 이물질이 간단하고 확실하게 제거되어 기판가공장치의 내부로부터 이물질을 제거하도록 함을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 표면 저항이 1×1013Ω/□ 이상인 세척층을 갖는 세척용 시이트에 관한 것이다. 세척용 시이트에는 기재 물질이 제공될 수도 있다. 기재 물질의 한면에는 전술한 세척층이 제공되고, 이들의 다른 면에는 통상적인 접착층이 제공될 수도 있다. 세척층의 비유전율은 바람직하게는 2.0 보다 크다. 세척층의 표면 자유에너지는 바람직하게는 30mJ/㎡이상이다. 세척층의 표면 전위는 바람직하게는 10kV 초과이다. 세척층은 열 일렉트렛법(thermal electret method)에 의해 일렉트렛으로서 형성될 수도 있다. 전술한 세척용 시이트는 추가로 다른 양상으로부터 변형될 수도 있다.
본 발명의 특징 및 장점은 바람직한 실시양태의 하기 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 발명의 세척용 시이트는, 표면 저항이 1×1013Ω/□ 이상, 바람직하게는 1×1014Ω/□ 이상인 세척층(세척용 시이트로서 단일체, 적층형 시이트, 세척용 시이트와 기재 물질의 적층체, 또는 전술한 바와 같은 물질과 같은 방식의 세척층을 포함함)을 보유한다. 본 발명에서는 세척층의 표면 저항을 특정한 값을 초과하도록 고안함으로써 세척층이 가능한 절연체에 유사하게 형성되기 때문에, 접착력 뿐만 아니라 정전기에 의해 야기되는 이물질을 포획 및 흡착할 수 있는 장점을 보유할 수 있다. 따라서, 표면 저항이 1×1013Ω/□ 미만으로 설정되는 경우, 이러한 전정기에 의해 야기되는 이물질의 포획/흡착이 현저하게 감소된다.
추가로, 전술한 세척층은, 하기 조건하에서 측정된 비유전율이 2.0 초과, 바람직하게는 2.1 이상, 보다 바람직하게는 2.1 내지 10인 물질로 형성될 수 있음이 바람직하다. 본 발명에서, 세척층의 비유전율이 이러한 특정 값을 초과하도록 고안함으로써 세척층이 고 유전 물질에 밀접하게 형성되기 때문에, 정전기에 의해 야기되는 이물질을 포획하고 흡착할 수 있는 이점이 달성될 수 있다.
비유전율은 전기장이 물질에 적용되는 경우 저장되는 전기 에너지의 크기를 진공상태의 유전율에 대한 비를 사용하여 표현한 것으로 JIS K6911를 기초로 하여 측정된다.
이러한 세척층의 물질, 고안법 등은, 비유전율이 전술한 범위내로 설정되는한 구체적으로 한정되지는 않는다. 본 발명에서, 전도성 기능을 하는 첨가제로서 전도성 물질을 함유하지 않은 유기 물질이 사용되는 것이 바람직하다. 구체적인 예로서, 한 분자당 하나 이상의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물이 감압성 접착제 중합체에 함유되도록 함으로써 수득된 물질 이외에, 고무, 천연 수지, 합성 수지, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 페놀 수지, 폴리에스테르 수지, 알킬드 수지, 에폭시 수지, 폴리카보네이트, 셀룰로즈 니트레이트, 폴리(비닐리덴 플루오라이드), 폴리프로필렌, 폴리이미드, 나일론 6, 나일론 66, 폴리(메틸 메타크릴레이트), 메틸 메타크릴레이트/스티렌 공중합체, 에틸렌 플루오라이드/프로필렌 공중합체 등을 사용할 수 있다.
또한, 세척층의 표면 자유에너지가 30 mJ/㎡ 이상, 바람직하게는 40 내지 60 mJ/㎡인 것이 바람직하다. 본 발명에서, 세척층(고체 상태)의 표면 자유에너지는, 각각의 세척층의 표면에 대해 물 및 메틸렌 요오다이드의 접촉각을 측정하고, 측정된 접촉각 및 접촉각이 측정된 액체의 표면 자유에너지 값(문헌에 이미 공지되어 있음)을 영의 방정식(Young's equation) 및 확장된 포크스의 방정식(Fowkes' equation)으로부터 유도된 하기 수학식 1에 대입하고, 이로부터 유도되는 2개의 방정식을 선형 연립방정식으로 풀어서 구한 고체 상태의 표면 자유에너지를 의미한다:
상기 식에서,
θ는 접촉각이고;
γL는 접촉각이 측정된 액체의 표면 자유에너지이고;
γL d는 γL에서의 분산력 성분이고;
γL p는 γL에서의 극성력 성분이고;
γs d는 고체 상태의 표면 자유에너지의 분산력 성분이고;
γs p는 고체 상태의 표면 자유에너지의 극성력 성분이다.
세척용 시이트는 바람직하게는 세척층의 표면의 접촉각이 물에 대해 90도 이하, 바람직하게는 80 내지 50이도록 고안된다. 본 발명에서, 세척층이 전술한 범위에 속하는 물에 대한 접촉각과 표면 자유에너지를 갖도록 고안함으로써, 세척층이 세척될 부분에 붙어있는 이물질을 제거하도록 하는 효과가 세척층 등을 반송하는 동안 발휘될 수 있다.
또한, 세척층의 장력내 탄성 변형률(JIS K7127의 시험 방법에 기초함)은 2000 N/㎟ 이하, 바람직하게는 1N㎟ 보다 큰 것이 바람직하다. 장력내 탄성 변형률이 상기 범위로 고안되는 경우, 세척층이 실질적으로 점착성을 보유하지 않고 따라서 반송 문제점을 발생시키지 않고도 이물질을 제거할 수 있다.
세척층의 표면 전위가 10 kV를 능가하도록, 일반적으로 약 10 내지 50 kV가 되도록 설정되는 것이 바람직하다. 본 발명에서, 세척층이 이러한 특정 범위의 표면 전위를 갖는 경우, 전기장이 세척층 주변에 형성되어 강한 흡착력을 형성하고 세척층이 전술한 바와 같이 실질적으로 점착력을 보유하지 않은 상태에서도 흡착력으로 인하여 먼지 제거 효과가 달성될 수 있음이 고려될 수 있다.
이러한 표면 전위를 유지하는 방법은 구체적으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 열 일렉트렛법 등으로 일렉트렛으로서 다양한 중합체를 형성하는 방법 등(하기에서 "일렉트렛 형성법"으로 지칭됨), 물질내에서 흐르는 전류를 감소시키는 것으로 높은 부피 저항을 보유하는 물질을 선택함으로써 하전을 억제하는 방법을 들 수 있다.
이러한 중합체의 물질 등은 중합체가 일렉트렛으로서 형성될 수 있는 한 한정되지 않는다. 예를 들어 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리(비닐리덴 플루오라이드), 비닐리덴 플루로라이드, 비닐리덴 트리플루오라이드, 폴리테트라플루오로에틸렌 등과 같은 중합체, 가교반응 및 경화가 전술한 자외선, 열 등과 같은 활성 에너지원에 의해 촉진되는 경화 감압성 접착제 조성물을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 세척층이 실질적으로 점착성을 갖지 않는 것이 바람직하다. "실질적으로 점착성이 없다"라는 의미는, 점착성의 본질적인 특성을 미끄러짐에 대한 저항과 같은 마찰로서 가정하는 경우, 접착제 작용의 임의의 감압성 점성이 존재하지 않음을 의미한다. 감압성 점성은, 접착제 물질의 탄성의 변형률이 예를 들어 달퀴스트 표준법(Dahlquist's standard)에 따라 1N/㎟ 이하인 경우 나타난다. 따라서, 본 발명에서, 장력내 탄성 변형률이 특정한 범위, 즉 1 내지 3000N/㎟, 바람직하게는 100 내지 2000N/㎟이어서 탄성 변형률이 1N/㎟ 보다 크게 증가하는 경우, 이물질이 반송 문제를 유발하지 않고 제거될 수 있다. 장력내 탄성 변형률이 시험법 JIS K7127에 기초하여 측정된다.
물질을 선택함에 있어서 그의 장력내 탄성 변형률이 자외선, 열 등과 같은 활성 에너지 공급원에 의해 가교결합 반응 및 경화를 촉진함으로써 개선될 수 있는 물질이 세척층으로서 선택되는 것이 바람직하다. 추가로, 장치내의 세척층과 세척된 부분 사이의 습윤성이 적은 것이 바람직하다. 습윤성이 큰 경우, 반송시에 세척층이 세척된 표면에 강하게 달라붙어 반송 문제를 유발할 수 있기 때문이다. 또한, 세척층의 두께는 구체적으로 한정되지 않지만, 일반적으로 약 5 내지 100㎛로 설정된다.
이러한 세척층의 재료 등은 표면 저항이 전술한 범위인 경우라면 구체적으로 한정되지 않는다. 그러나, 전도성 기능을 갖는 점착제와 같은 전도성 물질을 함유하지 않는 접착제 층이 바람직하다. 추가로, 자외선, 열 등과 같은 활성 에너지 공급원에 의해 경화되어 분자 구조를 3차원 망상으로 변화시키고 접착력을 감소시시킬 수 있는 물질이 이러한 접착층으로서 바람직하다. 예를 들어 실리콘 웨이퍼(거울면)에 대한 180°탈착 접착력은 0.20N/10 mm 이하, 바람직하게는 약 0.010 내지 0.10 N/mm이다. 이러한 접착력이 0.20N/10 mm를 초과하는 경우, 반송중에 세척층이 장치의 세척된 부분에 접착되어 반송 문제를 야기할 수 있다.
이러한 세척층의 재료 등은, 표면 자유 에너지가 전술한 범위인 경우에는 구체적으로 한정되지 않는다. 자외선, 열 등과 같은 활성 에너지 공급원에 의해 경화되고 가교결합되어 분자 구조를 3차원 망상으로 변화시키고 접착력을 감소 또는 손실시킬 수 있는 접착층이 바람직하다. 이러한 접착층이 사용되는 경우, 세척층은 반송하는 동안 세척된 부분에 강하게 접착되지 않아, 세척층은 문제없이 반송될 수 있다.
이러한 세척층의 구체적인 예로서, 적어도 분자당 하나 이상의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 유발함으로써 수득된 물질, 및 감압성 접착제 중합체로 함유되는 중합 개시제, 활성 에너지를 적용함으로써 중합 및 경화 반응을 발생시킴으로써 접착력이 손실되는 물질을 들 수 있다. 이러한 감압성 접착제 중합체로서, 예를 들어 주요 단량체로서 아크릴산, 아크릴산 에스테르, 메타크릴산, 및 메타크릴산 에스테르중에서 선택된 (메타)아크릴산 및/또는 (메타)아크릴산 에스테르를 포함하는 아크릴산 중합체를 들 수 있다. 이러한 아크릴산 중합체를 합성하는데 있어서, 분자당 2개 이상의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물이 공중합 단량체로서 사용될 수 있고, 그렇지 않으면 불포화 이중 결합이 상기 불포화 이중 결합을 보유하는 화합물을 작용기 사이의 반응에 의해 합성된 아크릴산 중합체에 화학적으로 결합시킴으로서 아크릴산 중합체의 분자에 도입되는 경우, 이러한 중합체 자체가 활성 에너지에 의한 중합 및 경화 반응에 참여할 수 있다.
여기서, 비휘발성이고 중량 평균 분자량이 10000 미만인 화합물이 분자당 하나 이상의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서 바람직하다(이하에서 "중합화 불포화 화합물"로서 지칭됨). 분자량이 5000 미만인 화합물이 경화시에 접착층을 효과적으로 3차원 망상으로 변화시키도록 사용되어야만 함이 특히 바람직하다.
여기서, 비휘발성이고 중량평균 분자량이 10000이하인 저분자량 물질인 화합물이 중합된 불포화 화합물로서 바람직하다. 분자량이 5000 이하인 화합물이 경화시에 세척층을 효과적으로 3차원 망상으로 변화시키는데 사용되어야 함이 특히 바람직하다. 이러한 중합된 화합물로서는, 예를 들어 페녹시 폴리에틸렌 글리콜 (메타)아크릴레이트, ε-카프로락톤 (메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트, 에폭시(메타)아크릴레이트, 올리고에스테르 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들중 한가지 또는 2가지 타입이 사용될 수 있다.
또한, 세척층에 첨가되는 중합 개시제가 구체적으로 한정되지는 않지만, 공지된 개시제가 사용될 수 있다. 예를 들어, 열이 활성 에너지 공급원으로 사용되는 경우, 열 중합 개시제, 예를 들어 벤조일 퍼옥사이드, 아조비스이소부티로니트릴 등이 사용될 수 있고, 그렇지 않고 광이 활성 에너지 공급원으로서 사용되는 경우, 광중합 개시제, 예를 들어 벤조일, 벤조인에틸 에스테르, 디벤질, 이소프로필 벤조인 에스테르, 벤조페논, 마이클 케톤 클로로티옥산톤, 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 아세토페논 디에틸 케탈, 벤질디메틸 케탈, α-하이드록시사이클로헥실페닐 케톤, 2-하이드록시디메틸페닐 프로판, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등을 들 수 있다.
이러한 세척층이 기재 물질에 제공되는 경우 사용되는 기재 물질은 구체적으로 한정되지 않는다. 그러나, 예를 들면 가소성 필름, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 아세틸셀룰로즈, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보디이미드 등을 들 수 있다. 두께는 일반적으로 약 10 내지 100㎛이다.
추가로, 본 발명은, 세척층이 기재 물질의 한면에 제공되고 통상적인 접착층이 그의 다른 면에 제공된 세척용 시이트를 제공한다. 이러한 통상적인 접착층의 재료는, 접착층이 접착 기능을 만족시키는 한 구체적으로 한정되지는 않으며, 통상적인 접착제(예를 들어 아크릴계 접착제, 고무 접착제 등)가 사용될 수 있다.
이러한 구조에 따라, 세척용 시이트를 다양한 기판, 기타 테이프 시이트 등과 같은 반송부재에 통상적인 접착층에 의해 고착시키고, 그다음 장치내에 세척 기능을 갖는 반송부재로서 세척된 부분과 접촉하도록 반송하여 세척한다. 또한, 전술한 기판과 같은 반송부재를 재사용하기 위해서 세척한 후 이러한 접착층으로부터 기판을 박리하는 경우, 이러한 통상적인 접착층의 접착력이 다시 박리가능한 정도라면 구체적으로 한정되지는 않는다. 그러나, 세척용 시이트가 반송하는 동안 박리되지 않고 세척후 용이하게 박리될 수 있도록 실리콘 웨이퍼(거울면)에 대해 180° 탈착 접착력이 0.01 내지 0.98N/10mm 미만, 구체적으로 약 0.01 내지 0.5N/10mm 미만인 것이 바람직하다.
세척용 시이트가 붙어있는 반송부재는 구체적으로 한정되지는 않지만, 평면 패널 디스플레이를 위한 기판, 예를 들어 반도체 웨이퍼, LCD, PDP, 등, 컴팩트 디스크, MR 헤드, 및 기타 물질을 위한 기판을 들 수 있다.
또한, 본 발명은 다양한 전도성 시험기를 세척하기 위한 부재 및 이를 사용하는 전도성 시험기 세척법을 제공하며, 예를 들어 이물질로부터 영향을 받기 쉬운 반도체 장치, 인쇄된 기판 등과 같은 전도성 시험기를 위한 세척 부재 및 세척법을 제공한다.
반도체 제조에서 사용되는 다양한 전도성 시험기는 전도성 시험기측의 접점(IC 소켓 등의 접촉 핀)을 제품측의 말단(반도체 말단 등)과 접촉시킴으로써 전기 전도성을 시험한다. 이때, IC 말단과 접촉 핀의 접촉이 반복적으로 시험될 때마다 반복되는 경우, 접촉 핀이 IC 말단측의 물질(알루미늄, 경남 등)을 벗기고 그다음 이물질을 핀측에 옮겨 부착시키고, 이렇게 부착된 알루미늄, 경납 등이 산화되어 결함성 절연부를 형성한다. 최악의 경우, 시험 도중 전도율이 떨어진다. 따라서, 이러한 접착 핀에 부착된 이물질이 제거되도록, 접촉 핀의 이물질은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름상에 알루미나 미세 입자를 피복함으로써 수득된 부재, 또는 실리콘과 같은 고무 수지에 연마용 입자를 혼합함으로써 수득된 수지(이하에서는 접촉 핀 세척기로서 지칭됨)를 사용함으로써, 제거된다. 그러나, 최근에는, 쳐크 테이블상의 이물질의 제거에 대한 임의의 대응책이 두께 감소 및 반도체 제조 단계중의 웨이퍼의 길이의 증가를 수반함을 요구하는데, 이는 웨이퍼가 시험용 테이블(쳐크 테이블)상의 이물질에 의해 쪼개져서 척크 오차(chucking error) 등이 발생하기 때문이다. 이러한 이유 때문에, 쳐크 테이블상의 이물질을 제거하기 위해서, 주기적으로 장치를 중지시키고 테이블을 청소해야할 필요성이 발생한다. 따라서, 조작 속도의 감소가 유발되고 다량의 노동력이 요구되는 문제점이 발생한다.
이러한 환경에서, 본 발명의 목적은 전도성 시험기의 접촉 핀을 세척하고 쳐크 테이블, 반송 팔 등에 접착된 이물질을 간단하게 감소시키는 세척 부재 및 세척법을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위해서, 예의 연구한 결과, 본 발명의 발명자는 접촉 핀 세척기가 접촉하는 장치의 접촉면에 접착된 이물질을 제거하기 위한 세척층이 전도성 시험기(하기에서 접촉 핀 세척기로서 지칭함)의 전도 시험용 핀에 접착된 이물질을 제거하기 위한 부재의 한면에 제공되는 세척 부재가 반송되는 경우, 시험 장치내 접촉 핀의 세척 및 쳐크 테이블 등에 접착된 이물질의 제거가 동시에 수행되며, 또한 세척층의 마찰상수가 특정한 값을 초과하는 경우, 세척층이 문제 없이 시험 장치로 반송될 수 있고, 이물질이 간단히 제거될 수 있음을 발견하고, 본 발명을 완성하게 되었다.
즉, 본 발명은 전도성 시험 장치를 위한 세척 부재로서, 접촉 핀 세척기와 접촉한 장치의 접촉면에 접착된 이물질을 제거하기 위한 세척용 시이트가 장치(이하에서는 접착 핀 세척기로서 지칭됨)의 전도성 시험 접착 핀에 접착된 이물질을 제거하기 위한 부재의 한면에 제공된 세척 부재를 제공한다.
또한, 본 발명은 전도성 시험 장치를 위한 세척 부재로서, 장치의 전도성 시험 접착 핀에 접착된 이물질을 제거하기 위한 부재가 반송부재(이하에서는 접촉 핀 세척기로서 지칭됨)의 한면에 제공되고, 핀 세척기가 접착된 것으로 장치의 접촉면에 접착된 이물질을 제거하기 위한 세척용 시이트가 다른 면에 제공된 세척 부재가 제공된다.
본 발명의 세척 부재의 세척층은, 시험 장치로 확실하게 반송되고 이물질을간단하게 제거할 수 있는 한 구체적으로 한정되지 않는다. 그러나, 먼지 제거 특성의 측면 및 반송 특성면에서 마찰 계수가 1.0 이상, 바람직하게는 1.2 내지 1.8인 것이 바람직하다. 마찰 계수가 1.0 미만인 경우 세척층이 쳐크 테이블상의 이물질에 확실하게 붙지 못할 가능성이 있고, 마찰 계수가 너무 큰 경우, 반송 문제가 야기될 가능성이 있다. 본 발명에서, 세척층의 마찰 계수(μ)는 만능 장력 시험기를 사용하여 스테인레스 강판(50㎜×50㎜ 평판)이 세척층의 표면에 대해 미끌어지는 경우에 발생하는 마찰 저항력(F)을 측정하고, 그다음 마찰 저항력과 강판에 적용된 수직 하중(W)를 수학식 2에 대입함으로써 계산한다. 여기서, 마찰 계수는 본원에서 동적 마찰 계수를 의미한다:
상기 식에서, 각 기호는 하기와 같다.
μ는 동적 마찰 계수이고;
F는 마찰 저항력(F)이고;
W는 강판에 적용된 수직 하중(N)이다.
또한, 세척층의 장력내 탄성 변형률이 2000N/㎟ 이하, 바람직하게는 1N/㎟ 보다 크도록 설정되는 것이 바람직하다. 장력내 탄성 변형률이 2000N/㎟를 초과하면 세척층이 쳐크 테이블상의 이물질에 확실하게 부착되지 않을 가능성이 있는 반면, 장력내 탄성 변형률이 1N/㎟ 미만인 경우에는 반송 문제가 유발될 가능성이있다. 본 발명에서, 세척층의 마찰 계수 및 장력내 탄성 변형률이 이러한 특정한 범위에서 설정되는 경우, 세척용 시이트 등이 반송되는 경우 세척층이 실질적으로 점착력을 보유하지 않아서 세척층이 세척된 부분에 강하게 접착되지 않고 반송될 수 있다는 장점을 달성할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 접착 핀 세척기의 재료, 물질 등을 구체적으로 한정하지 않고 폭넓게 사용할 수 있다. 예를 들어, 부직물과 같은 기재물질(배면)상에 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 아세틸셀룰로즈, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보디이미드 등과 같은 가소성 필름, 실리콘과 같은 고무 수지, 알루미늄 미세 입자, 실리콘 카바이드, 크롬 산화물 등과 같은 마모성 입자를 피복함으로써 수득된 물질이 사용될 수 있지만, 전술한 바와 같이 물질을 한정하는 것은 아니다. 유사하게, 실리콘 웨이퍼 형태, IC 칩 형태 등과 같이 세척될 소켓 또는 IC 및 장치 유형에 따라 형태가 적당하게 사용될 수 있다.
이와 같은 구조에 따라, 세척용 시이트는 통상적인 접착층에 의해 다양한 기판 등과 같은 반송부재 또는 접착 핀을 위한 세척용 접착 핀 세척기의 미세척 측면에 접착되고, 그다음 쳐크 테이블 등과 접촉되도록 장치내 세척 기능을 갖는 반송부재로서 반송되어, 세척한다.
세척층이 제공된 반송부재는 구체적으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼, LCD, PDP 등과 같은 평면 패널 디스플레이를 위한 기판, 컴팩트 디스크, MR 헤드를 위한 기판, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 아세틸셀룰로즈, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보디이미드과 같은 가소성 필름을 들 수 있다.
본 발명은 다양한 기판가공장치를 위한 세척 기능을 보유한 반송부재를 제조하는 방법, 예를 들어 이물질에 매우 민감한 반도체 장치, 평면 패널 디스플레이, 인쇄된 기판 등과 같은 제조 장치, 검사 장치와 같은 기판가공장치를 위한 세척 기능을 보유한 반송부재를 제조하는 방법을 제공한다.
세척 기능을 보유한 반송부재(이하에서 세척 부재로서 지칭됨)를 제조하는 방법에 있어서, 예를 들어 반송부재의 형태보다 큰 세척용 시이트를 부재에 고착시키는 경우 기판 등과 같은 반송부재에 세척용 시이트를 고착시키고 그 다음 세척용 시이트를 부재의 형태에 따라 절단하는데, 시이트를 절단할 때 절단 스코브가 세척용 시이트로부터 발생하고 세척 부재 및 장치에 부착되기 때문에 문제가 발생한다. 또한, 우선 부재의 형태에 따라 가공된 라벨 세척용 시이트를 반송부재에 접착함으로써 세척 부재를 제조하는 경우, 라벨 작업시의 절단 스코브의 발생이 직접적인 절단법 보다 억제될 수 있다. 그러나, 라벨 시이트를 절단하는 것은 우선 가공 단계를 증가시키고, 따라서 세척 부재의 제조가 곤란하게 되어 작업능이 떨어진다.
이러한 환경하에서, 본 발명의 목적은 문제없이 기판가공장치에 반송될 수 있고 부착된 이물질을 간단하고 확실하게 제거할 수 있지만 직접 절단법에 의해 시이트를 절단하는데 있어서 절단 스코브를 발생시키지 않는 세척 부재를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
초기 연구 결과로서 전술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 발명자는,세척층이 기판 등과 같은 반송부재에 세척용 시이트를 접착시킴으로서 세척 부재를 제조하는데 있어서 직접 절단법에 의해 세척 부재가 제조된다면 활성 에너지에 의해 중합/경화되는 접착제로 형성되는 경우, 및 세척층의 중합/경화 반응이 반송부재의 형태로 세척용 시이트를 절단한 후에 접착층의 중합/경화 반응이 수행되는 경우, 문제없이 이물질을 간단하게 제거할 수 있는 세척 부재가 전술한 문제를 발생시키지 않고 제조될 수 있음을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 또한 반송부재의 형태보다 큰 형태를 갖는 통상적인 접착층에 의해 반송부재에 세척용 시이트를 접착시키고 반송부재의 형태를 따라 세척용 시이트를 절단시킴을 포함하는, 세척 기능을 갖는 반송부재를 제조하는 방법으로서, 여기서 활성 에너지에 의해 중합/경화되는 접착제로 형성된 세척층이 기재 물질의 한면에 제공되고, 통상적인 접착층이 이들의 다른 면에 제공되며, 세척층의 중합/경화 반응이 세척용 시이트가 반송부재의 형태로 절단된 후에 수행되는 방법을 제공한다.
본 발명의 반송부재를 제조하는 방법에 있어서, 세척층이 활성 에너지에 의해 중합/경화되는 접착제에 의해 형성되어야만 하고, 세척층의 중합/경화는 세척용 시이트가 절단된 후에 수행되어야만 한다. 이는, 세척층의 중합/경화 반응이 세척용 시이트의 절단 이전에 수행되는 경우, 세척층이 가교결합 반응으로 인해 높은 탄성 변형률을 갖고 또한 다량의 절단 스코브가 절단시에 발생하여 세척 부재 및 장치에 부착되기 때문이다. 시이트를 절단하는데 있어서 세척층으로부터 절단 스코브를 발생시키지 않기 위해서, 세척층의 장력내 탄성 변형률(시험법 JIS K7127)가 1N/㎟ 이하, 바람직하게는 0.1N/㎟ 이하이어야 함이 바람직하다. 시이트를 절단하는데 있어서 세척층으로부터 절단 스코브가 발생하는 것은 이러한 특정값 미만의 장력내 탄성 변형률을 설정함으로써 억제될 수 있고, 따라서, 절단 스코브가 접착되지 않은 세척 부재가 직접 절단법에 의해 제조될 수 있다. 또한, 중합/경화되는 접착제가 세척층으로서 사용되는 경우, 시이트를 절단한 후 세척층을 중합/경화함으로써 접착력은 세척층으로부터 실질적으로 상실된다. 따라서, 세척 부재를 반송하는 경우 장치의 접촉 부분과 강하게 접촉하지 않고, 확실하게 반송할 수 있는 세척 부재가 제공될 수 있다는 장점이 있다.
본 발명에 있어서, 가교결합 반응 및 경화가 전술한 활성 에너지에 의해 촉진될 수 있기 때문에, 시이트를 경화한 후 세척용 시이트의 장력내 탄성 변형률이 10 N/㎟ 이상, 바람직하게는 10 내지 2000 N/㎟이도록 하는 것이 바람직하다. 장력내 탄성 변형률이 2000 N/㎟를 초과하는 경우, 반송 시스템에서의 접착된 이물질의 제거능이 감소하는 반면, 장력내 탄성 모듈러스가 10 N/㎟ 미만인 경우 세척층이 반송시에 장치내 세척된 부분에 접착되어 반송 문제를 발생시킬 가능성이 있다.
본 발명에 따라 세척 부재를 제조하는 경우, 활성 에너지에 의해 중합/경화되는 접착제로 이루어진 세척층이 기재물질의 한면에 제공되고 통상적인 접착층이 이들의 다른면에 제공되는 세척용 시이트가 사용된다.
본 발명은 하기의 실시예에 기초하여 설명되지만, 본 발명은 이러한 실시예로 제한되는 것은 아니다. 하기에서, "부"라는 용어는 중량부를 의미한다.
실시예 1
자외선 경화 접착제 용액은, 폴리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 50부, 우레탄 아크릴레이트 50부, 벤질디메틸케탈 3부, 및 디페닐메탄디이소시아네이트 3부를 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량이 700000이며, 아크릴산-2-에틸 헥실 75부, 메틸 아크릴레이트 20부, 및 아크릴산 5부로 구성된 단량체 혼합 용액으로부터 수득됨) 100부에 넣고 균일하게 혼합함으로서 형성된다.
대조적으로, 통상적인 접착층은, 전술한 접착제에서 벤질디메틸케탈을 제거한 것을 제외하고는 동일한 방식으로 수득된 접착제 용액을, 폭이 250mm이고 두께가 25㎛인 폴리에스테르 기재 물질 필름의 표면에 도포하여 건조 후 두께가 10㎛이 되도록 하고 두께가 38㎛인 폴리에스테르 탈착 필름을 그 위에 고착시켜 제공하였다. 전술한 자외선 경화 접착제 용액을 기재 물질 필름의 다른면에 피복하여 건조 두께가 40㎛이 되도록 하고, 그다음 유사한 탈착 필름을 표면에 고착시켜 세척층으로서 접착층을 제공하였다.
중심 파장이 365 nm인 자외선을 광의 총량이 1000mJ/㎠이도록 상기 시이트에 조사함으로써 본 발명의 세척용 시이트가 수득되었다. 표면 저항은 세척용 시이트의 세척층측에 탈착 필름을 박리한 후 23℃의 온도 및 60%의 습도에서 표면 저항 측정 장치(미쓰비시 케미칼 인더스트리즈 리미티드(Mitsubishi Chemical Industries Ltd.)에서 제조한 타입 MCP-UP 450)에 의해 세척층을 통해 측정하는 경우, 이러한 표면 저항이 9.99×1013Ω/□를 초과하는 경우 표면 저항을 측정하는 것이 불가능하였다.
또한, 세척층측의 접착층을 폭이 10mm인 실리콘 웨이퍼의 거울면에 고착시키고, 그다음 실리콘 웨이퍼에 대한 180°탈착 접착력을 JIS ZO237를 기초로 하여 측정하는 경우, 0.078N/10mm가 수득되었다.
세척 기능을 갖는 반송용 세척 웨이퍼는 세척용 시이트의 통상적인 접착층에서 탈착 필름을 박리시키고, 그다음 수동 롤러를 사용하여 8인치 실리콘 웨이퍼의 후방(거울면)에 이러한 필름을 고착시켜 제조되었다.
대조적으로, 기판가공장치의 2개의 웨이퍼 스테이지를 제거하고 그다음 입경이 0.3㎛ 보다 큰 이물질의 개수를 레이저 이물질 측정 장치에 의해 계수하는 경우, 25000개의 이물질이 8인치 실리콘 웨이퍼 크기의 면적에서 계수되었고, 22000개의 이물질이 이들의 다른 영역에서 계수되었다.
그다음, 생성된 반송용 세척 웨이퍼의 세척층측의 탈착 필름을 박리하고 그다음 25000개의 이물질이 부착되어 있는 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판가공장치에 웨이퍼를 반송하는 경우, 웨이퍼를 문제없이 반송할 수 있었다. 그다음, 웨이퍼 스테이지를 제거하고, 입자가 0.3㎛ 보다 큰 이물질의 개수를 레이저 이물질 측정 장치로 계수하여, 6200개의 이물질이 8인치 실리콘 웨이퍼 크기에서 계수되었다. 따라서, 세척하기 전에 접착된 이물질은 갯수상으로 3/4이상 제거될 수 있었다.
대조예 1
세척용 시이트를 실시예 1와 동일한 방식으로 제조하되, 단 측쇄에 전도성 기능을 갖는 제 4 부류의 암모늄 염을 갖는 접착제(미쓰비시 케미칼 인더스트리즈리미티드에 의해 제조된 제품명 V-SQ-S6) 5 부를 세척층의 접착층에 첨가하고, 동일한 방식으로 세척층의 표면 저항을 측정한 결과, 5.5×1011Ω/?가 수득되었다. 또한, 실리콘 웨이퍼에 세척층의 접착층의 접착력을 측정하는 경우, 0.33N/10mm가 수득되었다.
이러한 세척용 시이트로부터 실시예 1과 동일한 방식으로 제조한 반송용 세척 웨이퍼를 22000개의 이물질이 접착되어 있는 것으로 웨이퍼 스테이지를 포함하는 기판가공장치로 반송하는 경우, 문제없이 웨이퍼를 반송할 수 있다. 그다음, 웨이퍼 스테이지를 제거하고, 입경이 0.3㎛ 이상인 이물질의 개수를 레이저 이물질 측정 장치로 계수한 결과, 20000개의 이물질이 8인치 실리콘 웨이퍼 크기에서 계수되었다. 따라서, 세척하기 전에 접착된 이물질은 개수상 약 1/11으로 제거될 수 있었다.
실시예 2
자외선 경화 접착제 용액은, 디펜타에리트토롤헥사아크릴레이트(니폰 신테틱 케미칼 인더스트리 캄파니 리미티드(The Nippon Synthetic Chemical Industry, Co., Ltd.)에서 제조된 제품명 UV 1700B) 150부, 벤질디메틸케탄올 5부, 및 디페닐메탄디이소시아네이트 3부를 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량이 700000이며, 아크릴산-2-에틸 헥실 75부, 메틸 아크릴레이트 20부 및 아크릴산 5부로 구성된 단량체 혼합 용액으로부터 수득됨) 100부에 넣고 균일하게 혼합함으로서 형성되었다.
대조적으로, 접착제 용액은 전술한 바와 같은 동일한 방식으로 수득되되, 단벤질디메틸케탄올을 전술한 접착제로부터 제거하였다.
통상적인 접착층은, 전술한 접착제 용액을, 기재 물질로서 폭이 250mm이고 두께가 25㎛인 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 한면에 도포함으로써 건조 두께가 10㎛이 되도록 하고, 그다음 두께가 38㎛인 폴리에스테르 탈착 필름을 표면상에 고착시켜 제공되었다. 또한, 접착층은 세척층으로서 전술한 자외선 경화 접착제 용액을 건조 두께가 20㎛인 기재 물질의 다른면상에 피복하여 건조 두께가 20㎛가 되도록 하고, 그다음 표면상에 유사한 탈착 필름을 고착시켜 세척층으로 제공하였다.
본 발명의 세척용 시이트 A는, 중심 파장이 365 nm이고 광의 총량이 2000 mJ/㎠인 자외선을 상기 시이트에 조사함으로써 수득되었다. 세척용 시이트의 세척층의 비유전율이 1MHz에서 LCR미터(휴렛 팩커드 캄파니 리미티드(Hewlett Packard Co. Ltd)에서 제조된 타입 4284A)에 의해 측정되는 경우, 2.8이 수득되었다.
실시예 3
본 발명의 세척용 시이트(B)는, 비유전율이 3.2인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름의 표면(폭이 250 mm이고, 두께가 25㎛임)에 실시예 2와 동일한 방식으로 통상적인 접착층을 제공하고, 그다음 유사한 탈착 필름을 상기 표면상에 고착시켜 수득되었다.
세척 기능을 보유하는 반송용 세척 웨이퍼 A 및 B는 생성된 세척용 시이트 A 및 B의 통상적인 접착층상에 탈착 필름을 박리하고 수동식 롤러로 8인치 실리콘 웨이퍼의 후면(거울면)에 필름을 고착시켜 제조하였다.
대조적으로, 새로운 8인치 실리콘 웨이퍼의 3개의 시이트의 거울면에서 0.2㎛ 보다 큰 크기를 갖는 이물질을 레이저 이물질 측정 장치에 의해 계수하는 경우, 제 1 시이트상에서는 11개의 이물질이 계수되었고, 제 2 시이트상에서는 10개의 이물질이 계수되었고, 제 3 시이트상에서는 8개의 이물질이 계수되었다. 거울면이 아래를 향하도록 하여 이러한 웨이퍼를 개별적인 정전기 흡착 기작을 갖는 기판가공장치로 반송하고, 그다음 거울면을 레이저 이물질 측정 장치로 측정하는 경우, 8인치 웨이퍼 크기의 면적에서 각각 32004개, 25632개 및 27484개의 이물질이 계수되었다.
그다음, 결과적으로 수득된 반송용 세척 웨이퍼 A 및 B의 세척층측의 탈착 필름을 박리하고, 전술한 32004개 및 27484개의 이물질이 각각 접착되어 있는 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판가공장치에 웨이퍼를 반송하는 경우, 웨이퍼가 문제없이 반송되었다. 그다음, 거울면을 아래로 향하게 하면서 입경이 0.2㎛ 이상인 10개 및 13개의 이물질을 반송하는 새로운 8인치 실리콘 웨이퍼에 대해, 입경이 0.2㎛ 이상인 이물질의 개수를 레이저 이물질 측정 장치로 계수하였다. 이러한 과정을 5회 수행하고, 결과를 하기 표 1에 제시하였다.
대조예 3
세척용 시이트 C는 실시예 3과 동일한 방식으로 수득되되, 비유전율이 2.0인 폴리테트라플루오로에틸렌을 실시예 3의 필름으로서 사용하였다.
세척용 시이트로부터 실시예 3과 동일한 방식으로 제조된 반송용 세척 웨이퍼 C를, 25632개의 이물질이 접착된 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판가공장치로 반송하였다. 이 과정을 실시예 3과 같이 5회 반복하고, 결과를 하기 표 1에 도시하였다.
| 이물질 방출 비율 | |||||
| 반송된 제 1 시이트 | 반송된 제 2 시이트 | 반송된 제 3 시이트 | 반송된 제 4 시이트 | 반송된 제 5 시이트 | |
| 실시예 2웨이퍼 A | 84% | 90% | 96% | 96% | 96% |
| 실시예 3웨이퍼 B | 69% | 72% | 73% | 73% | 75% |
| 대조예 3웨이퍼 C | 19% | 20% | 19% | 21% | 21% |
실시예 4
자외선 경화 접착제 용액은, 폴리에티렌 글리콜 200 디메타크릴레이트 50부(신-나카무라 케미칼 캄파니 리미티드(Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)에서 제조된 제품명 엔케스터(NKester) 4G) 50부, 우레탄 아크릴레이트(신-나카무라 케미칼 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 U-N-0.1) 50부, 폴리이소시아네이트 화합물(니폰 폴리우레탄 인더스트리 캄파니 리미티드(Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.)에서 제조된 제품명 칼라네이트(Colonate) L) 3부, 및 벤질디메틸케탈(시바-스페셜티 케미칼 캄파니 리미티드(Chiba-Speciality Chemicals Co., Ltd)에서 제조된 제품명 일루가큐어(Illugacure) 651) 3부를 광중합 개시제로서 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량이 700000이며, 아크릴산-2-에틸 헥실 75부, 메틸 아크릴레이트 20부 및 아크릴산 5부로 구성된 단량체 혼합 용액으로부터 수득됨) 100부에 넣고 균일하게 혼합함으로서 형성된다.
대조적으로, 통상적인 접착층은, 전술한 접착제 용액 A에서 광중합 개시제로서 벤질디메틸케탈을 제거한 것을 제외하고는, 동일한 방식으로 수득된 접착제 용액을, 폭이 250mm이고 두께가 25㎛인 폴리에스테르 기재 물질 필름의 표면에 도포하여 건조후 두께가 10㎛이 되도록 하고 두께가 38㎛인 폴리에스테르 탈착 필름을 그 위에 고착시켜 제공하였다. 그다음, 전술한 자외선 경화 접착제 용액 A를 기재 물질 필름의 다른면에 피복하여 건조 두께가 10㎛이 되도록 하고, 이로써 유사한 탈착 필름을 표면에 도포함으로써, 세척층으로서 접착층을 제공하였다.
중심 파장이 365 nm인 자외선을 광의 총량이 1000mJ/㎠이도록 상기 시이트에 조사함으로써 본 발명의 세척용 시이트를 수득하였다. 그다음, 이러한 세척용 시이트의 세척층측의 탈착 필름을 박리하였다. 세척층의 측정된 표면 자유에너지는 40.1 mJ/㎡이고, 물에 대해 측정된 접촉각은 78.2°였다.
세척 기능을 갖는 반송용 세척용 웨이퍼는, 이러한 세척용 시이트의 통상적인 접착층에 탈착 필름을 박리하고, 수동식 롤러에 의해 8인치 실리콘 웨이퍼의 후면(거울면)에 상기 필름을 고착시켜 제조하였다.
대조적으로, 기판가공장치의 2개의 웨이퍼 스테이지를 제거하고, 그다음 입경이 0.3㎛ 이상인 이물질의 개수를 레이저 이물질 측정 장치로 계수하여, 8인치 실리콘 웨이퍼 크기의 영역에서는 25000개의 이물질이 계수되었고, 그의 다른 영역에서 23000개의 이물질이 계수되었다.
그다음, 생성된 반송용 세척 웨이퍼의 세척층측의 탈착 필름을 박리하고, 그다음 웨이퍼를 25000개의 이물질이 접착되어 있는 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판가공장치로 반송하는 경우, 웨이퍼를 문제없이 반송할 수 있었다. 그다음, 웨이퍼스테이지를 제거하고, 입경이 0.3㎛ 초과인 이물질의 개수를 레이저 이물질 측정 장치로 계수하는 경우, 4800개의 이물질이 8인치 실리콘 웨이퍼 크기에서 계수되었다. 따라서, 세척하기 전에 접착된 이물질이 갯수상 4/5 이상으로 감소될 수 있었다.
대조예 4
세척용 시이트는 실시예 4와 동일한 방식으로 형성되되, 디펜타에리트토롤헥사아크릴레이트(더 니폰 신테틱 케미칼 인더스트리 캄파니 리미티드(The Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.)에서 제조된 제품명 UV700B) 100부, 폴리이소시아네이트 화합물(니폰 폴리우레탄 인더스트리 캄파니 리미티드(Nippon Polyurethane Industry Co. Ltd.)에서 제조된 제품명 칼라네이트 L) 3부, 벤질디메틸케탈(시바-스페셜티 케미칼 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 일루가큐어 651) 10부를 광중합 개시제로서 아크릴계 중합체(중량평균 분자량이 2800000임; 아크릴산-2-에틸 헥실 30부, 메틸 아크릴레이트 70부, 및 아크릴산 10부로 구성된 단량체 혼합 용액으로부터 수득됨) 100부에 넣고 균일하게 혼합함으로써 제조된 자외선 경화 접착제 용액 B를 사용하였다. 세척층의 측정된 표면 자유에너지는 24.6mJ/㎡였고, 물에 대해 측정된 접촉각은 82.3도였다.
그다음, 실시예 4에서와 같이 동일한 방식으로 수득된 반송용 세척 웨이퍼를 23000개의 이물질이 접착되어 있는 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판가공장치에 반송하는 경우, 웨이퍼를 문제없이 반송할 수 있었다. 그다음, 웨이퍼 스테이지를 제거하고 입경이 0.3㎛ 초과인 이물질의 개수를 레이저 이물질 측정 장치에 의해 계수하는 경우, 결과적으로 20000개의 이물질이 8인치 실리콘 웨이퍼 크기에서 계수되었다. 따라서, 세척 전에 접착된 이물질은 갯수상 약 1/8으로 제거될 수 있었다.
실시예 5
자외선 경화 접착제 용액은, 디펜타에리트토롤헥사아크릴레이트(더 니폰 신테틱 케미칼 인더스트리 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 UV1700B) 150부, 벤질디메틸케타놀 5부, 및 디페닐메탄디이소시아네이트 3부를 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량이 700000임; 아크릴산-2-에틸 헥실 75부, 메틸 아크릴레이트 20부, 아크릴산 5부로 구성된 단량체 혼합 용액으로부터 수득됨) 100부에 균일하게 혼합함으로써 수득되었다.
대조적으로, 전술한 접착제로부터 벤질디메틸케탈을 제거한 것을 제외하고는 동일한 방식으로 수득된 접착제 용액을, 폭이 250mm이고 두께가 70㎛이고 인장 강도가 250MPa인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 기재 물질 필름의 표면상에 피복하여 건조 두께가 10㎛이 되도록 하고, 이로써 두께가 38㎛인 폴리에스테르 탈착 필름을 표면에 고착시켜 통상적인 접착제 시이트를 제조하였다. 전술한 자외선 경화 접착제 용액을 기재 필름의 다른 면에 피복하여 건조 두께가 40㎛가 되도록 하고, 유사한 탈착 필름을 표면에 고착시켜 세척층을 제공하였다.
중심 파장이 365nm인 자외선을 세척층측의 상기 시이트에 광의 총량이 2000mJ/㎠이 되도록 조사하고, 그다음 세척층측의 탈착 필름을 박리하고, 그다음 세척층을 열 일렉트렛법을 사용함으로써 분위기내 전극 사이에 삽입하고, 그다음 100℃의 온도에서 20kV의 전압을 인가하고, 그다음 전압을 그대로 유지하면서 세척층을 40℃까지 냉각하고, 그다음 전압 인가를 중지하여 일렉트렛으로서 세척층을 형성하였다. 표면 전위를 정전기 측정 장치(심코 재팬 캄파니 리미티드(Simco Japan Co. Ltd.)에서 제조된 모델 FMX002)에 의해 25℃ 및 55%의 습도의 조건하에서 측정하는 경우, 15kV가 수득되었다. 또한, 세척층의 표면은 실질적으로 점착성을 보유하지 않고, 자외선 경화후의 세척층의 장력내 탄성 변형률이 1980 N/㎟였다.
세척 기능을 갖는 반송용 세척 웨이퍼는 생성된 세척용 시이트의 통상적인 접착층에서 탈착 필름을 박리하고, 그다음 수동식 롤러에 의해 8인치 실리콘 웨이퍼의 후면(거울면)에 필름을 고착시켜 제조되었다.
대조적으로, 새로운 8인치 실리콘 웨이프의 2개의 시이트의 거울면에 존재하는 0.2㎛ 보다 큰 크기를 갖는 이물질을 이물질 측정 장치에 의해 계수하는 경우, 제 1 시이트에서는 11개의 이물질이 계수되고, 제 2 시이트에서는 10개의 이물질이 계수되었다. 거울면을 아래로 향하게 하면서 이러한 웨이퍼를 개별적인 정전기 흡착 기작을 갖는 기판가공장치로 반송하고, 그다음 거울면을 레이저 이물질 측정 장치에 의해 측정하는 경우, 32004개 및 25632개의 이물질이 각각 8-인치 웨이퍼 크기의 면적에서 계수되었다.
그다음, 생성된 반송용 세척 웨이퍼의 세척층측의 탈착 필름을 박리하고, 그다음 각각 32004개 및 27484개의 이물질이 접착된 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판가공장치로 웨이퍼를 반송하는 경우, 웨이퍼는 문제없이 반송될 수 있다. 그다음, 거울면을 아래로 향하게 하면서, 0.2㎛ 보다 큰 이물질 10개가 접착된 새로운 8인치 실리콘 웨이퍼를 반송하고, 그다음 입경이 0.2㎛ 초과인 이물질을 레이저 이물질 측정 장치에 의해 계수하였다. 이러한 과정을 5회 반복하고, 결과를 하기 표 2에 제시하였다.
대조예 5
세척용 시이트는 실시예 5와 동일하되 단 측쇄내에 전도성 기능을 갖는 4급 암모늄 염을 갖는 첨가제(미쓰비시 케미칼 인더스트리즈 리미티드(Mitsubishi Chemical Industries Ltd.)에서 제조된 제품명 V-SQ-S6) 20부를 실시예 5의 세척용 시이트내 세척층에 첨가하는 방식으로 수득하였다. 실시예 5와 같이 자외선을 조사한 후 측정된 세척층의 표면 전위는 0.04 kV이고, 장력내 탄성 변형률은 1720 N/㎟이었다.
세척용 시이트로부터 실시예 5와 동일한 방식으로 제조된 반송용 세척 웨이퍼는, 실시예 5와 같이 25632개의 이물질이 부착된 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판가공장치에서 5회 수행하였다. 결과는 하기 표 2에서 제시하였다.
| 이물질 방출 비율 | |||||
| 반송된 제 1 시이트 | 반송된 제 2 시이트 | 반송된 제 3 시이트 | 반송된 제 4 시이트 | 반송된 제 5 시이트 | |
| 실시예 5 | 84% | 90% | 96% | 96% | 96% |
| 대조예 5 | 20% | 23% | 23% | 30% | 31% |
실시예 6
자외선 경화 접착제 용액은, 폴리에틸렌 글리콜 200 디메타크릴레이트(신-나카무라 케미칼 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 엔케스터4G) 50부, 우레탄 아크릴레이트(신-나카무라 케미칼 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 U-N-01) 50부, 및 폴리이소시아네이트 화합물(니폰 폴리우레탄 인더스트리 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 칼라네이트 L) 30부, 및 벤질디메틸케탈(시바-스페셜티 케미칼 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 일루가큐어 651) 3부를 광중합 개시제로서 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량이 700000임, 아크릴산-2-에틸-헥실 75부, 메틸 아크릴레이트 20부, 및 아크릴산 5부로 구성된 단량체 혼합 용액으로부터 수득됨) 100부에 넣어 균일하게 혼합함으로써 제조하였다.
대조적으로, 통상적인 접착층은 광중합 개시제인 벤질디메틸케탈을 전술한 접착제 용액 A로부터 제거한 점을 제외하면 동일한 방법으로 수득된 접착제 용액을, 폭이 250mm이고 두께가 25㎛인 폴리에스테르 기재 물질 필름의 한면에 피복하여 건조 두께가 10㎛가 되도록 하여, 두께가 38㎛인 폴리에스테르 탈착 필름을 표면에 고착시켜 제공되었다. 그다음, 세척층인 접착층은, 전술한 자외선 경화 접착제 용액 A를, 건조 두께가 10㎛인 기재 물질 필름의 다른면에 피복하여 유사한 탈착 필름을 표면에 고착시켜 제공되었다.
본 발명의 세척용 시이트는, 중심 파장이 365nm이고 상기 시이트상에 광의 총량이 1000mJ/㎠이 될 때까지 조사함으로써 수득되었다. 그다음, 상기 세척용 시이트의 세척층의 탈착 필름을 박리하고, 자외선 경화후의 세척층의 마찰 계수가 1.7이었고, 자외선 경화후에 세척층의 장력내 탄성 변형률이 50N/㎟였다. 그다음, 마찰 계수는, 세척층의 표면과 평행한 예정된 방향을 따라 300mm/분의 속도로 9.8N의 수직 하중하에서 50mm×50mm의 스테인레스 강을 움직이고, 만능 장력 시험기에의해 각 순간 발생한 마찰 저항력을 측정함으로써 계산하였다. 또한, 장력내 탄성 변형률은 시험법 JIS K7127에 기초하여 측정하였다.
세척 기능을 갖는 반송용 세척 웨이퍼는 상기 세척용 시이트의 통상적인 접착층 측면에서 탈착 필름을 박리하고, 그다음 수동식 롤러에 의해 8-인치 실리콘 웨이퍼 형태에 대한 접촉 핀 세척 부재로서 접촉 핀 세척기(패스 캄파니 리미티드(PASS Co. Ltd.)에서 제조된 제품명 패스칩(Pass chip))의 후면(비세척된 표면)상에 필름을 고착시켜 제조하였다.
그다음, 접촉 핀의 세척 및 쳐크 테이블의 세척은 세척 부재의 세척층에서 탈착 필름을 박리하고 반도체 제조시에 전도성 시험 장치로서 웨이퍼 프로브를 통해 모조 반송을 수행하는 경우, 세척층이 접촉 부분과 강하게 접촉되지 못하여 세척층이 문제없이 반송될 수 있다.
또한, 접촉 핀을 하기에서 현미경으로 관찰하는 경우, 세척하기 전에 핀에 접착된 산화물 등과 같은 이물질이 제거되어 이들의 세척도가 억제될 수 있다. 또한, 세척하기 전에 쳐크 테이블에서 관찰되는 것으로 입경이 약 1 mm인 실리콘 폐기물 등을 완전하게 세척할 수 있고, 이들이 깨끗함이 발견될 수 있다. 그다음 제품 웨이퍼의 25개의 시이트를 반송하여 실재로 시험하는 경우, 문제를 유발하지 않도록 공정을 수행할 수 있다.
실시예 7
자외선 경화 접착제 용액 A는 폴리에틸렌 글리콜 200 디메타크릴레이트(신-나카무라 케미칼 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 엔케스터4G ) 50부, 우레탄아크릴레이트(신-나카무라 케미칼 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 U-N-01) 50부, 폴리이소시아네이트 화합물(니폰 폴리우레탄 인더스트리즈 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 칼라네이트 L) 3부, 및 벤질디메틸케탈(시바-스페셜티 케미칼 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 일루가큐어 650) 3부를 광중합 개시제로서 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량이 700000임; 아크릴산-2-에틸 헥실 76부, 메틸 아크릴레이트 20부, 및 아크릴산 5부로 구성된 단량체 혼합 용액으로부터 제조됨) 100부에 첨가하여 균일하게 혼합하여 제조하였다.
대조적으로, 일반적인 감압성 접착제 용액 A는 벤질디메틸케타놀이 전술한 접착제로부터 제거된 점을 제외하고는 동일한 방식으로 수득되었다.
또한, 통상적인 접착층은 전술한 감압성 접착제 용액 A를, 폭이 250mm이고 두께가 25㎛인 폴리에스테르 기재 물질 필름의 한면상에 도포하여 건조 두께가 10㎛이 되도록 하여, 이로서 두께가 38㎛인 폴리에스테르 탈착 필름을 표면상에 고착시켜 제조하였다. 또한, 접착층은 건조 두께가 30㎛인 기재 물질의 다른면에 전술한 자외선 경화 접착제 용액을 피복하고 이로써 유사한 탈착 필름을 표면상에 고착시켜 세척층으로서 접착층을 제조하였다. 이렇게, 세척용 시이트 A가 제조되었다.
이러한 자외선 경화 접착제 용액 A의 장력내 탄성 변형률(시험법 JIS K7127)을 측정하는 경우, 경화 반응이 자외선에 의해 수행되는 경우 0.1N/㎟이 수득되는 반면, 중심 파장이 365nm인 자외선이 광의 총량이 1000 mJ/㎠이 될 때까지 조사한 후 49N/㎟가 수득되었다.
이러한 세척용 시이트 A를 사용함으로써, 직접 절단 시스템 테이프 스티커(니토 세이키 캄파니 리미티드(Nitto Seiki Co. Ltd)에서 제조한 NEL-DR8500II)에 의해 웨이퍼에 시이트를 고착시켰다. 이 시점에서, 시이트 A를 8-인치 실리콘 웨이퍼의 후면(거울면)에 고착시키고, 그다음 직접 절단법에 의해 웨이퍼 형태로 절단하였다. 25개의 시이트에 대해 이러한 과정을 연속적으로 수행한 경우, 시이트 절단에 있어서 절단 스코브가 발생하지 않았다.
그다음, 세척 기능을 갖는 반송용 세척 웨이퍼 A는, 중심 파장이 365nm인 자외선을 웨이퍼의 5개의 시이트에 광의 총량이 1000 mJ/㎠이 될 때까지 조사하여 제조하였다.
대조적으로, 새로운 8-인치 실리콘 웨이퍼의 4개의 시이트의 거울면의 입경이 0.2㎛ 보다 큰 이물질을 레이저 이물질 측정 장치로 계수하는 경우, 8개의 이물질이 제 1 시이트에서 계수되고, 11개의 이물질이 제 2 시이트에서 계수되고, 9개의 이물질이 제 3 시이트에서 계수되고, 5개의 이물질이 제 4 시이트에서 계수되었다. 이러한 웨이퍼는 거울면이 아래를 향하도록 하면서 개별적인 정전기 흡착 기작을 갖는 기판가공장치로 반송되고, 그다음 거울면을 레이저 이물질 측정 장치로 측정하는 경우, 각각 8-인치 웨이퍼 크기의 제1영역, 제2영역, 제3영역 및 제4영역에서 31254개, 29954개, 28683개 및 27986개의 이물질이 계수되었다.
그다음, 생성된 반송용 세척 웨이퍼 A의 세척층측의 탈착 필름을 박리하고, 그다음 웨이퍼를 31254개의 이물질이 접착된 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판가공장치로 반송하는 경우, 웨이퍼를 문제없이 반송할 수 있었다. 그다음, 입경이 0.2㎛ 초과인 10개의 이물질을 갖는 새로운 8인치 실리콘 웨이퍼를, 거울면이 아래를 향하도록 반송하고, 그다음 입경이 0.2㎛ 초과인 이물질을 레이저 이물질 측정 장치로 계수하였다. 이러한 과정을 5회 반복하고, 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
실시예 8
세척용 시이트 B는, 다작용성 우레탄 아크릴레이트(니폰 신테틱 케미칼 인더스트리 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 UV 1700B) 100 부, 폴리이소시아네이트 화합물(니폰 폴리우레탄 인더스트리 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 칼라네이트 P) 3부, 및 벤질디메틸케탈(시바-스페셜티 케미칼 캄파니 리미티드에서 제조된 제품명 일루가큐어 651) 10부를 광중합 개시제로서 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량이 2800000임; 아크릴산-2-에틸 헥실 75부, 메틸 아크릴레이트 20부, 및 아크릴산 5부로 구성된 단량체 혼합 용액으로부터 수득됨) 100부에 균일하게 혼합하여 수득한 자외선 경화 접착제 용액 B를 자외선 경화 접착제로서 사용한 점을 제외하고는 셀시예 7과 동일한 방식으로 제조하였다. 자외선 경화 접착제 B의 장력내 탄성 변형률을 측정하는 경우, 경화전에는 0.01N/㎟이 수득되었고, 중심 파장이 365nm인 자외선을 광의 총량이 1000 mJ/㎠이 될 때까지 조사한 후에는 1440 N/㎟이 수득되었다.
시이트를 보유한 웨이퍼의 25개 시이트를 실시예 7에서와 같이 이러한 세척용 시이트 B를 사용하여 직접 절단 시스템으로 제조하는 경우, 시이트를 절단하는 과정에서 절단 스코브가 발생하지 않았다. 그다음, 세척 기능을 갖는 반송용 세척 웨이퍼 B는 중심 파장이 365nm인 자외선을 이러한 웨이퍼의 5개의 시이트에 광의 총량이 1000 mJ/㎠이 될 때까지 조사하여 제조하였다.
그다음, 생성된 반송용 세척 웨이퍼 A의 세척층측의 탈착 필름을 박리하고 그다음 웨이퍼를 29954개의 이물질이 접착되어 있는 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판가공장치로 반송하는 경우, 웨이퍼를 문제없이 반송할 수 있었다. 그다음, 입경이 0.2㎠ 보다 큰 10개의 이물질을 보유하는 새로운 8인치 실리콘 웨이퍼를, 거울면이 아래를 향하도록 반송하고, 그다음 입경이 0.2㎠ 보다 큰 이물질을 레이저 이물질 측정 장치로 계수하였다. 이러한 공정을 5회 반복하고, 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
대조예 7
시이트를 보유하는 웨이퍼는, 실시예 7에서 세척용 시이트 A상에 웨이퍼를 붙이기 전에 중심 파장이 365nm인 자외선을 광의 총량이 1000mJ/㎠이 될 때까지 조사함으로써 세척용 시이트 C를 제조한다는 점을 제외하고는 유사하게 직접 절단 시스템에 의해 제조하는 경우, 시이트의 절단시에 다량의 절단 스코브가 세척층에서 발생하였다. 따라서, 다수의 절단 스코브는 시이트를 보유하는 웨이퍼의 가장자리, 웨이퍼의 후면, 및 테이프 페이스팅 장치에 붙었다. 따라서, 시이트를 보유하는 웨이퍼 C의 제조를 방해하였다.
대조예 8
세척용 시이트 D는 실시예 8에서 제시한 감압성 접착제 용액 A를 세척층을 위한 접착제로서 사용한다는 점을 제외하고는 실시예 7과 동일한 방식으로 제조하였다. 이러한 경우, 세척층의 장력내 탄성 변형률은 0.1N/㎟였다.
시이트를 보유하는 웨이퍼를 세척용 시이트 D로부터 실시예 7과 같이 동일한방식으로 직접 절단 시스템에 의해 제조되는 경우, 시이트를 절단하는 도중에 임의의 절단 스코브도 발생하지 않고, 따라서 웨이퍼의 25개 시이트를 제조할 수 있었다. 이러한 반송용 세척 웨이퍼 D를, 27986개의 이물질이 접착되어 있는 웨이퍼 스테이지를 갖는 기판가공장치로 반송하는 경우, 제 1 웨이퍼가 웨이퍼 스테이지에 붙어서 반송될 수 없없다.
| 이물질 폐기 비율 | |||||
| 반송된 제 1 시이트 | 반송된 제 2 시이트 | 반송된 제 3 시이트 | 반송된 제 4 시이트 | 반송된 제 5 시이트 | |
| 실시예 7 | 85% | 92% | 96% | 96% | 96% |
| 실시예 8 | 70% | 75% | 83% | 83% | 83% |
| 대조예 7 | (세척용 웨이퍼의 제조가 중지됨) | ||||
| 대조예 8 | 반송 문제 발생 | 반송 중단 | 반송 중단 | 반송 중단 | 반송 중단 |
전술한 바와 같이, 본 발명의 세척용 시이트에 따르면, 기판은 문제없이 기판가공장치로 반송되고, 장치에 접착된 이물질을 간단하게 줄일 수 있다.
본 발명이 특정 정도의 특수함을 갖는 바람직한 형태로 기술되어 있지만, 바람직한 형태의 본 발명의 개시내용은 하기 청구의 범위에서와 같이 본 발명의 진의 및 범주로부터 벗어나지 않은 채 구성의 세부사항, 및 부품의 조합과 배열을 변화시킬 수 있다는 점이 이해될 것이다.
Claims (27)
- 표면 저항이 1×1013Ω/?이상인 세척층을 포함하는 세척용 시이트.
- 제 1 항에 있어서,상기 세척층을 지지하기 위한 기재 물질을 추가로 포함하는 세척용 시이트.
- 제 1 항에 있어서,세척층이 제공된 표면을 갖는 기재 물질; 및상기 기재 물질의 다른 면에 놓인 통상적인 접착층을 추가로 포함하는 세척용 시이트.
- 제 1 항에 있어서,세척층의 비유전율이 2.0 보다 큰 세척용 시이트.
- 제 1 항에 있어서,세척층의 표면 자유에너지가 30mJ/㎡ 이상인 세척용 시이트.
- 제 5 항에 있어서,세척층의 물에 대한 접촉각이 90°이하인 세척용 시이트.
- 제 1 항에 있어서,세척층의 표면 전위가 10 kV를 초과하는 세척용 시이트.
- 제 7 항에 있어서,세척층이 열 일렉트렛법(thermal electret method)에 의해 일렉트렛(electret)으로서 형성되는 세척용 시이트.
- 제 1 항에 있어서,세척층이 실질적으로 점착성을 갖지 않는 세척용 시이트.
- 제 1 항에 있어서,세척층의 시험법 JIS K7127에 따라 측정한 장력내 탄성 변형률이 1 내지 3000N/㎟인 세척용 시이트.
- 제 1 항에 있어서,세척층이 활성 에너지에 의해 경화되는 접착층으로 형성되는 세척용 시이트.
- 제 3 항에 따른 세척용 시이트가 통상적인 접착층에 의해 반송부재에 제공되는, 세척 기능을 갖는 반송부재.
- 제 1 항에 따른 세척용 시이트 또는 제 12 항에 따른 반송부재를 기판가공장치에 반송하는 단계를 포함하는 기판가공장치 세척법.
- 전도성 시험 장치를 위한 세척 부재로서, 접촉 핀 세척기가 접촉한 장치의 접촉면에 접착된 이물질을 제거하기 위한 제 1 항에 따른 세척용 시이트가 장치의 전도성 시험 접촉 핀에 접착된 이물질을 제거하기 위한 부재의 한면에 제공된 세척 부재.
- 전도성 시험 장치를 위한 세척 부재로서, 장치의 전도성 시험 접촉 핀에 접착된 이물질을 제거하기 위한 접촉 핀 세척기를 반송부재의 한면에 제공하고, 접촉 핀 세척기가 접촉한 장치의 접촉면에 접착된 이물질을 제거하기 위한 제 1 항에 따른 세척용 시이트가 다른면에 제공된 세척 부재.
- 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,세척용 시이트에서 통상적인 접착층이 기재 물질의 한면에 제공되고, 접촉 핀 세척기가 접촉한 장치의 접촉면에 접착된 이물질을 제거하기 위한 세척층이 다른 면에 제공된 세척 부재.
- 제 1 항에 있어서,세척층의 마찰 계수가 1.0 이상인 세척용 시이트.
- 제 1 항에 있어서,세척층이 활성 에너지에 의해 경화된 접착층으로 형성된 세척용 시이트.
- 제 1 항에 있어서,제 18 항에 따른 접착층이 감압성 접착제 중합체, 분자당 하나 이상의 불포화 이중 결합을 갖는 중합화 불포화 화합물, 및 중합 개시제를 함유하는 세척용 시이트.
- 제 14 항 또는 제 15항에 따른 세척 부재를 전도성 시험기에 반송하는 단계를 포함하는 전도성 시험기 세척법.
- 활성 에너지에 의해 중합/경화되는 접착제로 형성된 세척층이 기재 물질의 한면에 제공되고 통상적인 접착층이 기재물질의 다른 면에 제공된 세척용 시이트를, 반송부재의 형태 보다 큰 형태를 갖는 통상적인 접착층에 의해 반송부재에 고착시키는 단계; 및반송부재의 형태에 따라 세척용 시이트를 절단하는 단계를 포함하고,세척용 시이트를 반송부재의 형태에 따라 절단한 후, 세척층의 중합/경화 반응을 수행함을 포함하는, 세척 기능을 갖는 반송부재의 제조방법.
- 제 21 항에 있어서,세척층이 감압성 접착제 중합체를 함유하는 경화 접착제, 분자당 하나 이상의 불포화 이중 결합을 갖는 중합화 불포화 화합물, 및 중합 개시제로 구성된 세척용 시이트를 사용하는, 세척 기능을 갖는 반송부재의 제조방법.
- 제 22 항에 있어서,감압성 접착제 중합체가 주요 단량체로서 (메타)아크릴산 알킬 에스테르를 함유하는 아크릴계 중합체로 형성된 세척 기능을 갖는 반송부재의 제조방법.
- 제 22 항에 있어서,제 22 항에 따른 중합 개시제가 광중합 개시제이고, 세척층이 광경화 접착층인 세척 기능을 갖는 반송부재의 제조방법.
- 제 21 항에 있어서,시이트를 절단하는 단계에서 세척층의 시험법 JIS K7127에 기초하여 장력내 탄성 변형률이 1N/㎟ 이하인 세척 기능을 갖는 반송부재의 제조방법.
- 제 21 항에 있어서,중합/경화 후의 세척층의 시험법 JIS K7127에 기초한 장력내 탄성 변형률이 10 N/㎟ 이상인 세척 기능을 갖는 반송부재의 제조방법.
- 활성 에너지로 중합/경화될 수 있는 접착제로 구성된 세척층이 기재 물질의 한면에 제공되고, 통상적인 접착층이 다른면에 제공되고, 세척층이 미경화 상태로, 제 21 항에 따른 세척 기능을 갖는 반송부재의 제조방법에 사용되는 세척용 시이트.
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