CN1440314A - 清洁片及其输运元件、以及衬底处理设备清洁方法 - Google Patents

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Abstract

一种清洁片，包括具有不低于1×1013Ω/□的表面电阻率的清洁层。在一种制造具有清洁功能的输运元件的方法中，将清洁片借助一普通粘结层粘到该输运元件上以具有比该输运元件的形状大的形状，然后沿该输运元件的形状切割该清洁片，在该清洁片中由借助作用能量聚合/固化的粘结剂形成的清洁层设置在基体材料的一个表面上，且一普通粘结层设置在其另一表面上，其中，该清洁层的聚合/固化反应在该清洁片被切割成该输运元件的形状后进行。

Description

清洁片及其输运元件、以及衬底处理设备清洁方法
技术领域
本发明涉及一种清洁各种装置的片及其输运元件、以及采用这两者的衬底处理设备清洁方法，该片是一种用于衬底处理设备的清洁片，其对例如用于半导体器件、平板显示器、印刷基板等的制造系统、测试系统等的外界物质(foreign matter)影响敏感。
背景技术
各种衬底处理设备在物理接触衬底的同时将该衬底运送到各输送系统。此时，如果外界物质粘在该衬底和该输送系统上，后续的衬底随后被污染，因而该设备必须定期停止并进行清洁工序。为此，存在导致运行速率降低和需要较大工作量的问题。为了克服这些问题，已经提出了通过输送其上粘有粘结物质的衬底来清洁/去除粘附在衬底处理设备内部的外界物质的方法(例如，待审的日本专利公告10-154686)、通过输送板状元件来去除粘附在衬底背面上的外界物质的方法(待审的日本专利公告11-87458)、以及采用通过电晕充电(corona charge)而荷电的假片的方法(待审的日本专利公告2000-260671)等。
通过输送其上粘附有粘结物质的衬底来清洁/去除粘附在衬底处理设备内部的外界物质的方法是克服以上问题的有效方法。然而，存在该粘结物质因粘结物质与设备接触部分粘结过紧以致无法分开而不能松脱的可能，使得有可能衬底不能可靠地输送。具体地，如果在平板的卡盘(chuck table)中采用低压吸附机理，则这种可能性较大。此外，通过传输板状元件来去除外界物质的方法可无阻碍地进行输运，但是存在至关重要的尘埃去除特性差的问题。此外，采用通过电晕充电而荷电的假片的方法是也可去除晶片附近的外界物质的有效方法，但是如果要使表面电势提高，则电晕的形成电势必须设置得较高。因此，如果将清洁片用作本发明，则由于孔根据组成材料而敞开，所以电晕处理条件不被设置得较强，并且表面电势不会增加。因此，表面电势通过电晕方法仅可充达几十伏特，于是外界物质的抽吸仍不充分。
发明内容
本发明根据以上情形而作出，且本发明的目的是提供一种清洁片，其使得可以在衬底处理设备中无故障地输运衬底，并且还可简单地减少粘附在设备上的外界物质。
为了实现以上目的，作为早期研究的结果，发现清洁片或输运元件可在衬底处理设备中无故障地输运，且通过输运该清洁片或具有诸如衬底的该清洁片的输运元件来将外界物质从衬底处理设备内部除去，可简单并可靠地去除外界物质，其中，作为清洁层的粘结剂层具有不低于一特定值的表面电阻率，或者具有不低于一特定值的相对介电常数或表面电势，或者具有不低于一特定值的表面自由能，从而实现本发明。
即，本发明涉及一种具有一清洁层的清洁片，该清洁层的表面电阻率不低于1×1013Ω/□。清洁片可设置有一基体材料。所述清洁层可设置在基体材料的一个表面上，且普通的粘结剂层可设置在其另一表面上。该清洁层的相对介电常数优选地大于2.0。清洁层的表面自由能优选地不小于30mJ/m2。清洁层的表面电势优选地超过10kV。该清洁层可通过热永久极化方法(thermal electret method)形成为驻极体。以上的清洁片还可在其它方面进一步得以改变。
本发明的特征和优点将因以下对优选实施例的详细描述而清楚。
具体实施方式
本发明的清洁片具有一清洁层(包括以下的清洁层样式，例如清洁片单体、叠层片、清洁片和基体材料的叠层片等)，其表面电阻率不低于1×1013Ω/□，优选地不低于1×1014Ω/□。本发明中，由于通过将该清洁层的表面电阻率构造得超过一特定值来将清洁层尽可能形成得接近于绝缘体，所以可实现以下的优点，即不仅粘附导致的外界物质可被俘获和吸收，而且静电导致的也可被俘获和吸附。因此，在表面电阻率设置为低于1×1013Ω/□的情形下，由这种静电导致的外界物质的俘获/吸附效应明显降低。
此外，需要以上清洁层由其在以下条件下测量的相对介电常数大于2.0，优选地不小于2.1，更优选地在2.1至10的材料形成。在本发明中，由于通过将清洁层的相对介电常数构造为超过这样的特定值来尽可能地将清洁层形成得接近高介电材料，所以可以获得由静电导致的外界物质可被捕捉和吸收的优点。
其中，相对介电常数采用与真空中的介电常数的一个比率来表示当电场施加在材料上时所储存的电能的大小，并基于JIS K6911测量。
这种清洁层的材料、构造方法等无特殊限制，只要相对介电常数设置在以上范围内即可。在本发明中，优选的是应当采用不包含诸如添加剂的具有导电作用的导电材料的有机材料。作为具体例子，例如，除了通过使分子中具有一个或多个不饱和双键的化合物包含在压敏粘结聚合物中获得的材料外，优选地还可采用橡胶、天然树脂、合成树脂等，该合成树脂例如为聚对苯二甲酸乙二醇酯、苯酚树脂、聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂、聚碳酸酯、硝酸纤维素、聚(二氟乙烯)、聚丙烯、聚酰亚胺、尼龙6、尼龙66、聚(甲基丙烯酸甲酯)、甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯共聚物、氟化乙烯/丙烯共聚物等。
此外，需要清洁层的表面自由能不应小于30mJ/m2，优选地从40到60mJ/m2。本发明中，清洁层(固态)的表面自由能表示通过以下方法获得的固态表面自由能值，该方法为：分别测量水和亚甲基碘化物对该清洁层表面的接触角；然后将此测量值和接触角测量液体的表面自由能值(已知)代入由Young方程和广义Fowkes方程推出的以下方程1；然后将两个所得的方程作为联立的线性方程求解。
<方程1> ( 1 + cos &theta; ) &CenterDot; &gamma; L = 2 ( &gamma; S d &gamma; L d ) + 2 ( &gamma; S p &gamma; L p ) 其中，方程中的每个符号分别如下：
θ：接触角
γL：接触角测量液体的表面自由能
γL d：γL中的分散力分量
γL p：γL中的极化力分量
γS d：固态表面自由能中的分散力分量
γS p：固态表面自由能中的极化力分量。
清洁层优选地构造成使得清洁层的表面相对于水具有不超过90度的接触角，更优选地从80至50度。在本发明中，通过将清洁层构造成使得其具有以上限定的范围内的相对于水的表面自由能和接触角，导致清洁层去除要被清洁位置上粘附的外界物质的作用可在清洁片等的输运过程中得以实施。
此外，需要清洁层的拉伸弹性模量(基于JIS K7127测量方法)应设置为不超过2000N/mm2，优选地大于1N/mm2。如果拉伸弹性模量构造在此范围内，则清洁层基本上不具有粘性，且因而外界物质可被去除，以不产生输运麻烦。
优选的是，清洁层的表面电势被设置为超过10kV，通常为约10kV至50kV。如下所述，本发明中可以认为，当清洁层具有此特定范围内的表面电势时，在清洁层周围形成电场以具有强的吸附力，于是即使在清洁层基本上不具有粘性的情况下，也可因该吸附力而取得尘埃去除效果。
保持这样的表面电势的方法无特殊限制。例如，可采用的方法为：通过热永久极化法将各种聚合物形成为驻极体的方法等(下文称为“驻极体形成法”)、通过选择具有高体积电阻率的材料以降低材料中流动的电流来抑制放电的方法等。
这样的聚合物的材料等不受限制，只要该聚合物能形成为驻极体即可。例如可采用：诸如聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸亚乙酯、聚(二氟乙烯)、偏二氟乙烯、三氟乙烯、聚四氟乙烯等聚合物；其中的交联反应和固化由在下文所述的诸如紫外线、热等的作用能量(active energy)源促进的固化压敏粘结合成物。
此外，优选的是，本发明的清洁层应当基本不具有粘性。其中“基本不具有粘性”表示，如果粘性的主要性能被认为是作为滑动阻力的摩擦力，则不存在代表粘附作用的压敏粘性。例如，根据Dahlquist标准，如果粘结材料的弹性模量在直到1N/mm2的范围内，则压敏粘性出现。因此在本发明中，当拉伸弹性模量构造在一特定范围内，即在1至3000N/mm2的范围内，优选地在100至2000N/mm2的范围内，使得弹性模量可提高到大于1N/mm2时，外界物质可被除去以至于不产生输运麻烦。此情况下，拉伸弹性模量基于JIS K7127测量方法测量。
优选的是，应当将这样的材料选作该清洁层，该材料的拉伸弹性模量可通过借助诸如紫外线、热等的作用能量源来促进交联反应和固化而得以提高。此外，优选的是，清洁层与设备中的被清洁部分之间的浸润性应当较小。如果该浸润性较大，则清洁片在输运过程中可能紧密地粘附在被清洁部分上，导致输运困难。此外，清洁层的厚度无特殊限制，但通常该厚度设置为约5至100μm。
该清洁层的材料等无特殊限制，只要表面电阻在以上范围内即可。但优选的是不包含具有导电作用的诸如添加剂的导电材料的粘结层。此外，作为这种粘结层，优选的是可通过诸如紫外线、热等的作用能量源固化以将分子结构变为立体网络并降低粘附力的材料。例如，硅晶片(镜面)的180°松脱的粘结力(releasing adhesive force)不超过0.20N/10mm，优选地为约0.010至0.10N/10mm。如果此粘结力超过0.2N/10mm，则该清洁层在输运过程中可能粘附在设备的被清洁部分上，导致输运困难。
该清洁层的材料等无特殊限制，只要表面自由能低于以上特定值即可。但优选的是，可通过诸如紫外线、热等的作用能量源固化并交联以将分子结构变为立体网络并降低或失去粘附力的粘结层。如果采用这样的粘结层，则清洁层在输运过程中不会牢牢地粘附在被清洁部分上，因此清洁层可无故障地得以输运。
作为这种清洁层的具体例子，可采用通过至少使分子中具有一个或多个不饱和双键的化合物、以及聚合引发剂包含在压敏粘结聚合物内而获得的材料，以及其粘性因通过施加作用能量来产生聚合和固化反应而丧失的材料。作为这样的压敏粘结聚合物，例如，可采用丙烯酸聚合物，该丙烯酸聚合物包括选自丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸、以及甲基丙烯酸酯的作为主要单体的(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸酯。在合成此丙烯酸聚合物时，如果不饱和双键通过经由官能团间的反应将具有该不饱和双键的化合物化学连接至合成的丙烯酸聚合物的分子上而引入到丙烯酸聚合物的分子中，则分子中具有两个或多个不饱和双键的化合物可用作共聚单体，此外，通过作用能量可使此化合物自身参与共聚和固化反应。
此处，非挥发的、且为具有小于10000的加权平均分子量(weight-averagemolecular weight)的小分子量物质的化合物优选地作为分子中具有一个或多个不饱和双键的化合物(下文称为“聚合的不饱和化合物)。特别优选的是，应当采用分子量小于5000的化合物以在固化中有效地执行粘结层的向三维网络的转变。
此处，非挥发的、且为加权平均分子量不超过10000的小分子量物质的化合物优选地作为聚合的不饱和化合物。特别优选的是，分子量不超过5000的化合物应当得以采用，以在固化中有效地进行清洁层向三维网络的转变。作为这样的聚合化合物，例如可采用苯氧基聚乙烯乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ε-羟基己酸内酯(甲基)丙烯酸酯、聚乙烯乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙烯乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、一缩二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、尿烷(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、寡酯(甲基)丙烯酸酯等。可采用其中的一种或两种。
此外，添加到清洁层中的聚合引发剂无特殊限制，可采用公知的引发剂。例如，如果采用热作为作用能量源，则可采用诸如过氧化苯酰、偶氮二异丁腈等的热聚合引发剂；如果采用光作为作用能量源，则可采用光聚合引发剂，例如苯甲酰、苯偶姻乙基酯、联苄基、异丙基苯偶姻酯、苯甲酮、Michler酮氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、乙酰苯二乙基缩酮、苯甲基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基二甲基苯基丙烷、2，2-二甲氧基-2-苯基乙酰苯等。
这样的清洁层设置到基体材料上时所用的基体材料无特殊限制。但是，例如可采用塑料膜，诸如聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、醋酸纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳二酰亚胺等。厚度通常约10至100μm。
此外，本发明提供该清洁片，其中清洁层设置在基体材料的一侧上，普通粘结层设置在其另一侧上。此普通粘结层的材料等无特殊限制，只要该粘结层能满足粘结功能即可，且可采用普通的粘结剂(例如丙烯酸粘结剂、橡胶粘结剂等)。
根据此结构，该清洁片通过普通粘结层粘附在诸如各种衬底、其它条带片(tape sheet)等的输运元件上，然后在设备中随着具有清洁功能的输运元件一起输运以接触进行清洁的被清洁部分。此外，如果衬底在清洁后从此粘结层上剥离以重复使用诸如以上衬底的输运元件，则这种普通粘结层的粘结力无特殊限制，只要其在可再次剥离的范围内即可。然而，优选的是硅晶片(镜面)的180°松脱的粘结力应当小于0.01至0.98N/10mm，更优选地为约0.01至0.5N/10mm，因为清洁片在输运过程中不剥离，而在清洁之后可容易地剥离。
其上粘附有该清洁片的输运元件无特殊限制，但是例如可采取用于诸如半导体晶片、LCD、PDP等的平板显示器的衬底；用于光盘、MR头的衬底；以及其它的衬底。
此外，本发明提供一种清洁各种导电测量仪的元件、以及一种采用该元件的导电测量仪清洁方法，例如用于诸如半导体器件、印刷基板等的导电测量仪的一种清洁元件和一种清洁方法，该仪器非常容易受到外界物质的影响。
半导体制造中采用的各种导电测量仪通过将导电测量仪侧部上的接触点(IC插座的接触针等)与产品侧部上的接线端(半导体接线端等)接触来测量电导。此时，当IC接线端与接触针的接触因反复进行的测试而重复时，接触针刮掉IC接线端侧上的材料(铝、焊料等)，然后外界物质传递并粘附在接触针一侧上，然后该粘附的铝、焊料等被氧化而导致不利的绝缘。在最坏的情形下，测试中的电导率降低。因此，为了将粘附在这些接触针上的外界物质除去，接触针上的外界物质利用通过将氧化铝微晶粒涂覆在聚四氟乙烯膜上获得的元件、或者通过将磨粒搀入橡胶树脂(诸如硅)获得的元件(下文称为接触针清洁器)来去除。然而，近年来，由于晶片因测量盘(卡盘)上的外界物质而折断，发生卡夹错误等，随着半导体制造步骤中晶片厚度的减小和长度的增加，需要一些针对卡盘上外界物质去除的对策。为此，为了去除卡盘上的外界物质，需要周期性地停止设备并清洁该盘。因此，出现了导致运行速率降低且需要大工作量的问题。
鉴于这样的情况，本发明的目的是提供一种能清洁导电测试仪的接触针并简单地减少粘附在卡盘、输运臂等上的外界物质的清洁元件和清洁方法。
为了实现以上目的，作为早期研究的结果，本发明的发明人发现，如果输运该清洁元件，则可同时进行测试设备中接触针的清洁和粘附在卡盘等上的外界物质的去除，该清洁元件中用于去除粘附在接触针清洁器与之接触的设备接触面(卡盘等)上的外界物质的清洁层设置在用于去除粘附在电导测试仪的电导测试针上的外界物质的元件(以下称作接触针清洁器)的一侧上；此外，如果清洁层的摩擦系数设置为超过一特定值，则清洁层可在测量设备中无故障地输运，且外界物质可简单地减少，于是完成本发明。
即，本发明提供一种清洁元件，其是用于电导测试设备的清洁元件，且其中用于去除粘附在接触针清洁器与之接触的设备接触面上的外界物质的清洁片设置在用于去除粘附在设备的电导测试接触针上的外界物质的元件(以下称作接触针清洁器)的一个表面上。
此外，本发明提供一种清洁元件，其是用于电导测试设备的清洁元件，且其中用于去除粘附在设备电导测试接触针上的外界物质的元件(下文称为接触针清洁器)设置在输运元件的一个表面上，用于去除粘附在接触针清洁器与之接触的设备接触表面上的外界物质的清洁片设置在另一表面上。
本发明的清洁元件的清洁层无特殊限制，只要其能安全地在测试设备中输运且其能简单地减少外界物质即可。但是从尘埃去除特性和输运特性的角度考虑，需要摩擦系数不应小于1.0，优选地为1.2至1.8。如果摩擦系数小于1.0，可能该清洁层不能稳定地粘附卡盘上的外界物质；而如果摩擦系数过大，可能导致发生输运故障。本发明中，清洁层的摩擦系数(μ)通过借助多功能拉伸测试仪测量不锈钢板(50mm×50mm平板)相对于清洁层表面滑动时产生的摩擦阻力(F)，并将此摩擦阻力和该时间中施加到该钢板上的垂直载荷(W)代入以下方程2来计算。其中，此摩擦系数表示此处的动态摩擦系数。
<方程2>
μ＝F/W，
其中，方程中的每个符号的含义分别表示如下。
μ：动态摩擦系数，
F：摩擦阻力[N]，
W：施加在钢板上的垂直载荷[N]。
此外，需要清洁层的拉伸弹性模量设置为应不超过2000N/mm2，优选地超过1N/mm2。如果拉伸弹性模量超过2000N/mm2，则清洁层可能不能稳定地粘附卡盘上的外界物质；然而，如果拉伸弹性模量低于1N/mm2，则可能导致输运故障。本发明中，如果清洁层的摩擦系数和拉伸弹性模量设置在这样的特定范围内，则可获得以下优点，即清洁层在清洁片等被输运时基本不具有粘性，于是该清洁层可无故障地输运而不会牢牢地粘在被清洁部分上。
本发明中采用的接触针清洁器的材料、形状等无特殊限制，它们可广泛地使用。例如，采用诸如聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、醋酸纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳二酰亚胺等的塑料膜，诸如硅的橡胶树脂，通过将诸如氧化铝微晶粒、碳化硅、氧化铬等磨粒(abrasivegrain)涂覆在诸如无纺布等基体材料(背衬)上获得的材料，但该材料不限于以上所述。类似地，该形状可根据待清洁的IC的插座的形状(例如硅晶片的形状、IC芯片形状等)以及设备的类型来适当地采用。
根据这样的结构，清洁片经由普通粘结层粘在用于接触针的清洁接触针清洁器的或诸如各种衬底等的输运元件的非清洁侧上，然后随具有清洁功能的输运元件一起在设备中输运，以接触卡盘等，籍此进行该清洁。
其上设置有清洁层的输运元件无特定限制。例如，用于诸如半导体晶片、LCD、PDP等平板显示器的衬底；用于光盘、MR头的基板；诸如聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、醋酸纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳二酰亚胺等的塑料膜可采用。
本发明提供一种制造用于各种衬底处理设备的具有清洁功能的输运元件的方法，例如一种制造用于诸如半导体器件、平板显示器、印刷基板等的制造设备、检测设备等的衬底处理设备的、具有清洁功能的输运元件的方法，这些设备对外界物质非常敏感。
对于制造具有清洁功能的输运元件(下文称为清洁元件)的方法而言，例如在清洁元件通过将清洁片粘在诸如衬底等的输运元件上而制造的情形下，如果比该元件形状大的清洁片粘在该元件上，然后该清洁片沿该元件的形状而切割(此方法在下文称为直接切割法)，则因切割锯屑在切割该片时从清洁层等产生，然后粘到该清洁元件和设备上，所以导致问题。此外，在清洁元件通过将提前加工成元件形状的条形清洁片(label cleaning sheet)粘结到输运元件上来制造的情况下，在加工该条的过程中切割锯屑的产生可相对于直接切割法而得到抑制。但是，切割该条形片必须提前进行，增加了操作步骤，于是清洁元件的制造变得麻烦，因而降低了工作能力。
鉴于此情形，本发明的目的是提供一种制造清洁元件的方法，该元件能在衬底处理设备中无故障地输运，且可简单且稳定地去除粘附的外界物质，且还不在通过直接切割法切割该片的过程中产生切割锯屑。
为了实现以上目的，作为早期研究结果，本发明的发明人发现，如果清洁层由粘结剂形成，且如果清洁层的聚合/固化反应在清洁片被切成输运元件的形状之后进行，则能无故障地简单地去除外界物质的清洁元件可得以制造，而不产生以上问题，因此完成本发明，其中该粘结剂在清洁元件通过直接切割法通过将清洁片粘到诸如衬底等的输运元件上来制造清洁元件而制造时借助作用能量聚合/固化。
即，本发明还提供一种制造具有清洁功能的输运元件的方法，其用于通过普通粘结层将清洁片粘到输运元件上而具有比输运元件的形状大的形状，然后沿输运元件的形状切割清洁片，该清洁片中由借助作用能量聚合/固化的粘结剂形成的清洁层设置在基体材料的一个表面上，普通粘结层设置在其另一个表面上，其中，该清洁层的聚合/固化反应在清洁片被切割成输运元件的形状后进行。
在本发明的输运元件的制造方法中，清洁层必须由通过作用能量聚合/固化的粘结剂形成，且该清洁层的聚合/固化反应必须在切割清洁片之后进行。这是因为，如果清洁层的聚合/固化反应先于清洁片的切割而进行，则该清洁层因交联反应而具有高的弹性模量，且大量的切割锯屑在切割中产生并粘附到清洁元件和设备上。为了不在切割该清洁片时从清洁层上产生切割锯屑，需要清洁层的拉伸弹性模量(JIS K7127测量法)不超过1N/mm2，优选地不超过0.1N/mm2。切割该清洁片时由清洁层产生切割锯屑可通过将拉伸弹性模量设置为低于该特定值来抑制，于是可通过直接切割法制造其上未粘附切割锯屑的清洁元件。此外，如果将聚合/固化的粘结剂用作清洁层，则其粘性通过切割清洁片之后聚合/固化该清洁层而基本从该清洁层上丧失。于是可以获得的优点是：可提供一种清洁元件，其在输运清洁元件的过程中从不牢牢地接触设备的接触部分，并能可靠地输运。
在本发明中，由于交联反应和固化通过以上的作用能量促进，所以需要该清洁片在该片的切割之后的拉伸弹性模量不低于10N/mm2，优选地为10至2000N/mm2。如果此拉伸弹性模量超出2000N/mm2，则去除粘附在输运系统上的外界物质的性能下降；但是如果拉伸弹性模量小于10N/mm2，则清洁层可能在输运中粘在设备的清洁部分上，导致输运困难。
在根据本发明的清洁元件制造方法中，采用如下的清洁片，其中，由通过作用能量聚合/固化的粘结剂形成的清洁层设置在基体材料的一个表面上，而普通粘结层设置在其另一表面上。
本发明将基于以下的例子进行说明，担本发明不局限于这些例子。以下，术语“份”是指重量份数。
例1
通过均匀地混合50份聚乙烯乙二醇二甲基丙烯酸酯、50份尿烷丙烯酸酯、3份苯甲基二甲基缩酮、以及3份联苯甲烷二异氰酸酯到100份丙烯酸聚合物(加权平均分子量为700000)中形成紫外线固化粘结剂溶液，该丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸构成的单体混合溶液获得。
相反，普通粘结层由涂覆粘结剂溶液到250mm宽25μm厚的聚酯基体材料膜的一个表面上以在干燥后具有10μm的厚度而制备，从而38μm厚的聚酯释放膜(releasing film)粘在该表面上，其中该粘结剂溶液以相同的方法获得，其不同在于从以上粘结剂中去除了苯甲基二甲基缩酮。粘结层通过将以上紫外线固化粘结剂溶液涂覆在基体材料膜的另一侧上以具有40μm的干燥厚度来制成为该清洁层，籍此，类似的释放膜涂在该表面上。
本发明的清洁片通过辐照中心波长为365nm的、总光量为1000mJ/cm2的紫外线到此片上而获得。当表面电阻率通过表面电阻率测量装置(Mitsubishi Chemical Industries Ltd.公司制造的MCP-UP450型)，在23℃的温度下和60％的湿度下，在此清洁片的清洁层侧上的释放膜剥离后，经由该清洁层而测量时，如果该表面电阻率超过9.99×1013Ω/□，则不可能测量表面电阻率。
此外，当清洁层侧上的粘结层涂在硅晶片的镜面上以具有10mm宽度，且然后硅晶片的180°松脱的粘结力基于JIS Z0237测量时，得到0.078N/10mm。
具有清洁功能的输运清洁晶片通过将此清洁片的普通粘结层侧上的释放膜剥离，然后将此膜通过手动辊粘到8英寸硅晶片的背面(镜面)上而制造。
相比之下，当去除衬底处理设备的两个晶片级(wafer stage)，然后用激光外界物质测量装置对尺寸不小于0.3μm的外界物质的数目进行计数时，在8英寸硅晶片尺寸的一个区域内数出25000个外界物质，且在其另一个区域中数出22000个外界物质。
然后，当所得的输运清洁晶片的清洁层侧上的释放膜剥离，且然后该晶片输运到具有其上粘附有25000个外界物质的晶片级的衬底处理设备内时，该晶片可无故障地输运。然后，当去除该晶片级，且然后用激光外界物质测量装置对尺寸超过0.3μm的外界物质的数量进行计数时，在8英寸硅晶片尺寸中数出了6200个外界物质。于是，清洁前粘附的外界物质在数量上可去除3/4或更多。
比较例1
当清洁片除了在清洁层的粘结层中加入了5份添加剂(MitsubishiChemical Industries Ltd.公司制造，产品名为V-SQ-S6)外，以与例1相同的方法制造，且然后以相同的方法测量清洁层的表面电阻率时，得到5.5×1011Ω/□，该添加剂在侧链上具有带导电功能的第四类铵盐。此外，当测量清洁层的粘结层对硅晶片的粘结力时，得到0.33N/10mm。
当以与例1相同的方法由此清洁片制造的输运清洁晶片输运到具有其上粘附有22000个外界物质的晶片级的衬底处理设备中时，晶片可无困难地输运。然后，在除去该晶片级并用激光外界物质测量装置对尺寸不小于0.3μm的外界物质的数量进行计数时，在8英寸硅晶片尺寸中数出了20000个外界物质。于是，清洁前粘附的外界物质在数量上只能被去除约1/11。
例2
通过均匀地混合150份六丙烯酸二季戊四醇(dipentaerythtorol-hexaacrylate)(Nippon Synthetic Chemical Industry，Co.，Ltd公司制造，产品名为UV1700B)、5份苯甲基二甲基酮环己醇(benzyldimethylketanol)、以及3份联苯甲烷二异氰酸酯到100份丙烯酸聚合物(加权平均分子量为700000)中形成紫外线固化粘结剂溶液，该丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸构成的单体混合溶液获得。
相反，粘结剂溶液以与以上相同的方法得到，除了从以上粘结剂中去除了苯甲基二甲基酮环己醇外。
普通粘结层由涂覆以上粘结剂溶液到250mm宽25μm厚的作为基体材料的聚对苯二甲酸乙酯的一个表面上以具有10μm的干燥厚度而制备，从而38μm厚的聚酯释放膜涂在该表面上。此外，该粘结层通过将以上紫外线固化粘结剂溶液涂覆在基体材料膜的另一侧上以具有20μm的干燥厚度来制备成该清洁层，籍此，类似的释放膜涂在该表面上。
本发明的清洁片A通过辐照中心波长为365nm的、总光量为2000mJ/cm2的紫外线到此片上而获得。当此清洁片的清洁层的相对介电常数通过LCR仪(Hewlett Packard Co.，Ltd.公司的4284A型)在1MHz测量时，获得2.8。
例3
本发明的清洁片B通过将普通粘结层以与例2相同的方法设置在其相对介电常数为3.2的聚对苯二甲酸乙酯膜(250mm宽，25μm厚)的一个表面上，然后将类似的释放膜涂在该表面上而获得。
具有清洁功能的输运清洁晶片A和B通过将所得清洁片A和B的普通粘结层侧上的释放膜剥离，然后将此膜通过手动辊粘到8英寸硅晶片的背面(镜面)上而制造。
相比之下，当用激光外界物质测量装置对三片新的8英寸硅晶片的镜面上的尺寸大于0.2μm的外界物质进行计数时，在第一片上数出了11个外界物质，在第二片上数出了10个外界物质，并在第三片上数出了8个外界物质。当这些晶片输运到具有分立静电吸引机构的衬底处理设备内并将该镜面朝向下方，然后通过激光外界物质测量设备测量镜面时，分别在8英寸晶片尺寸的区域内数出32004、25632和27484个外界物质。
然后，当所得的输运清洁晶片A、B的清洁层侧上的释放膜剥离，且然后该晶片被输运到具有其上分别粘附有32004个和27484个外界物质的晶片级的衬底处理设备内时，该晶片可无故障地输运。然后，其上粘附有尺寸不小于0.2μm的10个和13个外界物质的新的8英寸硅晶片得以输运，同时将其镜面朝向下方，且然后用激光外界物质测量装置对尺寸不小于0.2μm的外界物质进行计数。此过程进行5次，结果示于表1。
比较例3
清洁片C以与例3相同的方法获得，不同之处在于将相对介电常数为2.0的聚四氟乙烯用作例3中的薄膜。
以与例3相同的方法由清洁片制造的输运清洁晶片C被输运到具有其上粘附有25632个外界物质的晶片级的衬底处理设备内。此操作如例3那样重复5次，结果示于表1。
                          表1
                     外界物质去除率
   输运1片  输运2片  输运3片  输运4片  输运5片例2
     84％    90％      96％     96％     96％晶片A例3
       69％    72％    73％    73％    75％晶片B比较例3
       19％    20％    19％    21％    21％晶片C
例4
通过均匀地混合50份聚乙烯乙二醇200二甲基丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.公司制造，产品名Nkester4G)、50份尿烷丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.公司制造，产品名U-N-01)、3份聚异氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane Industry，Co.，Ltd公司制造，产品名Colonate L)、以及作为光聚合引发剂的3份苯甲基二甲基缩酮(Chiba-Speciality Chemicals Co.，Ltd.公司制造，产品名Illugacure 651)到100份丙烯酸聚合物(加权平均分子量为700000)中形成紫外线固化粘结剂溶液，该丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸构成的单体混合溶液获得。
相反，普通粘结层由涂覆粘结剂溶液到250mm宽25μm厚的聚酯基体材料膜的一个表面上以具有10μm的干燥厚度而制备，从而38μm厚的聚酯释放膜涂在该表面上，其中该粘结剂溶液以相同的方法获得，其不同在于从以上粘结剂溶液A中去除了作为光聚合引发剂的苯甲基二甲基缩酮。然后，该粘结层作为清洁层通过将以上紫外线固化粘结剂溶液A涂覆在基体材料膜的另一侧上以具有10μm的干燥厚度来制备，籍此，类似的释放膜涂在该表面上。
本发明的清洁片通过辐照中心波长为365nm的、总光量为1000mJ/cm2的紫外线到此片上而获得。然后，在此清洁片的清洁层侧上的释放膜被剥离。清洁层的测出的表面自由能为40.1mJ/m2，测出的相对于水的接触角为78.2度。
具有清洁功能的输运清洁晶片通过将此清洁片的普通粘结层侧上的释放膜剥离，然后将此膜通过手动辊粘到8英寸硅晶片的背面(镜面)上而制造。
相比之下，当去除衬底处理设备的两个晶片级，然后用激光外界物质测量装置对尺寸不小于0.3μm的外界物质的数目进行计数时，在8英寸硅晶片尺寸的一个区域内数出25000个外界物质，且在其另一个区域中数出23000个外界物质。
然后，当所得的输运清洁晶片的清洁层侧上的释放膜剥离，且然后该晶片被输运到具有其上粘附有25000个外界物质的晶片级的衬底处理设备内时，该晶片可无故障地输运。然后，当去除该晶片级，且用激光外界物质测量装置对尺寸超过0.3μm的外界物质的数量进行计数时，在8英寸硅晶片尺寸中数出了4800个外界物质。于是，清洁前粘附的外界物质在数量上可去除4/5或更多。
比较例4
清洁片以与例4的相同方法形成，不同在于采用了一种紫外线固化粘结剂溶液B，其通过均匀地混合100份六丙烯酸二季戊四醇(dipentaerythtorolhexaacrylate)(Nippon Synthetic Chemical Industry，Co.，Ltd公司制造，产品名为UV1700B)、3份聚异氰酸酯化合物(Nippon PolyurethaneIndustry，Co.，Ltd公司制造，产品名Colonate L)、以及作为光聚合引发剂的10份苯甲基二甲基缩酮(Chiba-Speciality Chemicals Co.，Ltd.公司制造，产品名Illugacure 651)到100份丙烯酸聚合物(加权平均分子量为2800000)中形成，该丙烯酸聚合物由30份丙烯酸-2-乙烷基已基、70份甲基丙烯酸酯和10份丙烯酸构成的单体混合溶液获得。清洁层的测出的表面自由能为24.6mJ/m2，测出的相对于水的接触角为82.3度。
然后，通过与例4中相同的方式获得的输运清洁晶片输运到具有其上粘附有23000个外界物质的晶片级的衬底处理设备内，该晶片可无故障地输运。然后，当去除该晶片级，且用激光外界物质测量装置对尺寸超过0.3μm的外界物质的数量进行计数时，在8英寸硅晶片尺寸中数出了20000个外界物质。于是，清洁前粘附的外界物质在数量上仅可去除约1/8。
例5
通过均匀地混合150份六丙烯酸二季戊四醇(dipentaerythtorol-hexaacrylate)(Nippon Synthetic Chemical Industry，Co.，Ltd公司制造，产品名为UV1700B)、5份苯甲基二甲基酮环己醇、以及3份联苯甲烷二异氰酸酯到100份丙烯酸聚合物(加权平均分子量为700000)中形成紫外线固化粘结剂溶液，该丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸构成的单体混合溶液获得。
相反，普通粘结层由涂覆粘结剂溶液到250mm宽、70μm厚且拉伸强度为250MPa的聚对苯二甲酸乙酯基体材料膜的一个表面上以具有10μm的干燥厚度而制备，从而38μm厚的聚酯释放膜涂在该表面上，该粘结剂溶液以相同的方法得到，除了从以上粘结剂中去除了苯甲基二甲基缩酮外。该清洁层通过将以上紫外线固化粘结剂溶液涂覆在基体材料膜的另一侧上以具有40μm的干燥厚度来制备，籍此，类似的释放膜涂在该表面上。
中心波长为365nm的紫外线以2000mJ/cm2的总光量从清洁层侧照射到此片上，然后剥离清洁层侧上的释放膜，然后在大气中通过采用热永久极化法将清洁层插入到电极之间，然后在100℃的温度下施加20kV的电压，然后在施加电压保持不变的同时将清洁层冷却到40℃，然后终止施加电压，以将清洁层形成为驻极体。当表面电势通过静电测量装置(Simco Japan Co.Ltd.公司制造的FMX002型)以20mm的电极样品间距，在25℃和55％RH(相对湿度)的条件下测量时，得到15kV。此外，清洁层的表面基本不具有粘性，且清洁层在紫外线固化后的拉伸弹性模量为1980N/mm2。
具有清洁功能的输运清洁晶片通过将所得清洁片的普通粘结层侧上的释放膜剥离，然后将此膜通过手动辊粘到8英寸硅晶片的背面(镜面)上而制造。
相比之下，当用激光外界物质测量装置对两片新的8英寸硅晶片的镜面上的尺寸大于0.2μm的外界物质进行计数时，在第一片上数出了11个外界物质，在第二片上数出了10个外界物质。当这些晶片输运到具有分立静电吸引机构的衬底处理设备内并将该镜面朝向下方，然后通过激光外界物质测量设备测量镜面时，分别在8英寸晶片尺寸的区域内数出32004、和25632个外界物质。
然后，当所得的输运清洁晶片的清洁层侧上的释放膜剥离，且然后该晶片输运到具有其上分别粘附有32004个和27484个外界物质的晶片级的衬底处理设备内时，该晶片可无故障地输运。然后，其上粘附有尺寸大于0.2μm的10个外界物质的新的8英寸硅晶片得以输运，同时将其镜面朝向下方，且然后用激光外界物质测量装置对尺寸大于0.2μm的外界物质进行计数。此过程进行5次，结果示于表2。
比较例5
其中除了在例5的清洁片内的清洁层中加入了20份添加剂(MitsubishiChemical Industries Ltd.公司制造，产品名为V-SQ-S6)外，清洁片以与例5相同的方法制造，该添加剂在侧链上具有带导电功能的第四类铵盐。清洁层的在如例5那样辐照紫外线后测量的表面电势为0.04kV，且拉伸弹性模量为1720N/mm2。
与例5相同，以与例5相同的方法由清洁片制造的输运清洁晶片在具有其上粘附有25632个外界物质的晶片级的衬底处理设备内运行5次。结果示于表2。
                        表2
                  外界物质去除率
     输运1片  输运2片  输运3片  输运4片  输运5片例5        84％    90％     96％     96％     96％比较例5    20％    23％     23％     30％     31％
例6
通过均匀地混合50份聚乙烯乙二醇200二甲基丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.公司制造，产品名Nkester4G)、50份尿烷丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.公司制造，产品名U-N-01)、3份聚异氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane Industry，Co.，Ltd公司制造，产品名Colonate L)、以及作为光聚合引发剂的3份苯甲基二甲基缩酮(Chiba-Speciality Chemicals Co.，Ltd.公司制造，产品名Illugacure 651)到100份丙烯酸聚合物(加权平均分子量为700000)中形成紫外线固化粘结剂溶液，该丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基己基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸构成的单体混合溶液获得。
相反，普通粘结层由涂覆粘结剂溶液到250mm宽25μm厚的聚酯基体材料膜的一个表面上以具有10μm的干燥厚度而制备，从而38μm厚的聚酯释放膜涂在该表面上，其中该粘结剂溶液以相同的方法获得，其不同在于从以上粘结剂溶液A中去除了作为光聚合引发剂的苯甲基二甲基缩酮。然后，该粘结层作为清洁层通过将以上紫外线固化粘结剂溶液A涂覆在基体材料膜的另一侧上以具有10μm的干燥厚度来制备，籍此，类似的释放膜涂在该表面上。
本发明的清洁片通过辐照中心波长为365nm的、总光量为1000mJ/cm2的紫外线到此片上而获得。然后，在此清洁片的清洁层侧上的释放膜被剥离，清洁层在紫外线固化之后的摩擦系数为1.7，清洁层在紫外线固化后的拉伸弹性模量为50N/mm2。此处，通过在9.8N的垂直载荷下，在300mm/min的速度下，沿平行于清洁层表面的预定方向移动50mm×50mm的不锈钢板，然后通过多功能拉伸测量仪测量该时候产生的摩擦阻力，计算出摩擦系数。此外，拉伸弹性模量基于JIS K7127测量法测量。
具有清洁功能的输运清洁晶片通过将此清洁片的普通粘结层侧上的释放膜剥离，然后将此膜通过手动辊粘到作为用于8英寸硅晶片形的接触针清洁元件的接触针清洁器(PASS Co.，Ltd.公司制造，产品名为Passchip)的背面(非清洁面)上而制造。
然后，当通过将清洁元件的清洁层侧上的释放膜剥离，并在半导体制造中作为导电测试装置的晶片探测器中模拟输运来清洁接触针和清洁卡盘时，清洁层根本不与接触部分强烈接触，于是清洁层可无困难地输运。
此外，当随后用显微镜观察接触针时，清洁前粘附在接触针上的诸如氧化物等的外界物质被消除了，且其清洁可检查。此外，清洁前在卡盘上出现的约1mm大小的硅废物等可完全清除，且其清洁可发现。然后，当输运25片产品晶片以进行实际测试时，该过程可得以进行而不导致问题。
例7
通过均匀地混合50份聚乙烯乙二醇200二甲基丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.公司制造，产品名NKester4G)、50份尿烷丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.公司制造，产品名U-N-01)、3份聚异氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane Industry，Co.，Ltd公司制造，产品名Colonate L)、以及作为光聚合引发剂的3份苯甲基二甲基缩酮(Chiba-Speciality Chemicals Co.，Ltd.公司制造，产品名Illugacure 651)到100份丙烯酸聚合物(加权平均分子量为700000)中形成紫外线固化粘结剂溶液A，该丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸构成的单体混合溶液获得。
相反，普通压敏粘结剂溶液A以与以上相同的方法获得，除了将苯甲基二甲基酮环己醇从以上粘结剂中除去以外。
普通粘结层由涂覆以上压敏粘结剂溶液A到250mm宽25μm厚的聚酯基体材料膜的一个表面上以具有10μm的干燥厚度而制备，从而38μm厚的聚酯释放膜涂在该表面上。此外，该粘结层通过将以上紫外线固化粘结剂溶液A涂覆在基体材料的另一侧上以具有30μm的干燥厚度来制备成清洁层，籍此类似的释放膜涂在该表面上。于是清洁片A得以制造。
当测量此紫外线固化粘结剂溶液A的拉伸弹性模量(JIS K7127测量方法)时，如果固化反应通过紫外线来进行，则得到0.1N/mm2，而在中心波长为365nm的紫外线辐照达1000mJ/cm2的总光量后，得到49N/mm2。
通过利用此清洁片A，该片通过直接切割系统条带粘着剂(Nitto SeikiCo.，Ltd.公司制造的NEL-DR8500II)粘在晶片上。此时，片A粘在8英寸硅晶片的背面(镜面)上，然后通过直接切割切成晶片的形状。当连续进行对25片的此操作时，切割锯屑在切割该片时根本不产生。
然后，具有清洁功能的输运清洁晶片A通过将中心波长为365nm的紫外线照射在5片这些晶片上直到1000mJ/cm2的总光量而得以制成。
相比之下，当用激光外界物质测量装置对4片新的8英寸硅晶片的镜面上尺寸大于0.2μm的外界物质进行计数时，在第一片上数出8个外界物质，在第二片上数出11个外界物质，在第三片上数出9个外界物质，且在在第四片上数出5个外界物质。当这些晶片输运到具有分立静电吸引机构的衬底处理设备内并将该镜面朝向下方，然后通过激光外界物质测量设备测量镜面时，分别在8英寸晶片尺寸的第一、第二、第三和第四区域内数出31254、29954、28683和27986个外界物质。
然后，当所得的输运清洁晶片A的清洁层侧上的释放膜剥离，且然后该晶片输运到具有其上粘附有31254个外界物质的晶片级的衬底处理设备内时，该晶片可无故障地输运。然后，其上粘附有10个尺寸大于0.2μm的外界物质的新的8英寸硅晶片得以输运，且将镜面朝向下方，然后用激光外界物质测量装置对尺寸超过0.2μm的外界物质进行计数。此操作重复5次，结果示于表3。
例8
清洁片B以与例7相同的方法形成，不同在于紫外线固化粘结剂溶液B，其通过均匀地混合100份多功能尿烷丙烯酸酯(Nippon Synthetic ChemicalIndustry，Co.，Ltd公司制造，产品名为UV1700B)、3份聚异氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane Industry，Co.，Ltd公司制造，产品名Colonate L)、以及作为光聚合引发剂的10份苯甲基二甲基缩酮(Chiba-Speciality Chemicals Co.，Ltd.公司制造，产品名Illugacure 651)到100份丙烯酸聚合物(加权平均分子量为2800000)中而形成为紫外线固化粘结剂，该丙烯酸聚合物由75份丙烯酸-2-乙烷基已基、20份甲基丙烯酸酯和5份丙烯酸构成的单体混合溶液获得。当测量此紫外线固化粘结剂B的拉伸弹性模量时，在固化前则得到0.01N/mm2，而在中心波长为365nm的紫外线辐照达1000mJ/cm2的总光量后，得到1440N/mm2。
当25片具有该片的晶片通过直接切割系统利用此清洁片B如例7那样形成时，切割锯屑在切割该片时根本不产生。然后，具有清洁功能的输运清洁晶片B通过将中心波长为365nm的紫外线照射在5片该些晶片上直到1000mJ/cm2的总光量而得以制成。
然后，当所得的输运清洁晶片B的清洁层侧上的释放膜剥离，且然后该晶片输运到具有其上粘附有以上29954个外界物质的晶片级的衬底处理设备内时，该晶片可无故障地输运。然后，其上粘附有10个尺寸大于0.2μm的外界物质的新的8英寸硅晶片得以输运，且将镜面朝向下方，然后用激光外界物质测量装置对尺寸超过0.2μm的外界物质进行计数。此操作重复5次，结果示于表3。
比较例7
当具有清洁片的晶片通过直接切割系统类似地制造，不同之处在于清洁片C在例7中晶片粘到清洁片A上之前通过将中心波长为365nm的紫外线照射达1000mJ/cm2的总光量而形成时，在切割该清洁片的过程中由清洁层产生大量的切割锯屑。于是，许多切割锯屑粘到具有清洁片的晶片的边缘上、晶片的背面上、以及条带粘结装置上。因此，具有清洁片的晶片C的制造被中断。
比较例8
清洁片D按与例7相同的方法制造，不同在于例8所示的压敏粘结剂溶液A被用作清洁层的粘结剂。在此情形下，清洁层的拉伸弹性模量为0.1N/mm2。
当具有清洁片的晶片通过直接切割系统按与例7相同的方法由清洁片D制造时，在切割清洁片的过程中未产生切割锯屑，于是可制造25片晶片。当这些输运清洁晶片D输运至具有其上粘附有27986个外界物质的晶片级的衬底处理设备内时，第一晶片粘附在该晶片级上，于是不能输运。
                      表3
                外界物质去除率
输运1片  输运2片  输运3片  输运4片  输运5片例7         85％    92％       96％     96％      96％例8         70％    75％       83％     83％      83％比较例7                 (清洁晶片的制造终止)比较例8  输运困难
              输运终止  输运终止  输运终止  输运终止
       发生
工业应用
如上所述，根据本发明的清洁片，衬底可在衬底处理设备中无故障地输运，还可简单地减少粘附在设备上的外界物质。
虽然本发明已经较为具体地参照其优选方式进行了说明，但是应当理解的是，在不脱离本发明的如权利要求所述的精神和范围的情况下，可在结构细节上、在各部分的组合和布置上对当前的优选方式的公开进行改变。

Claims (27)

1.一种清洁片，包括具有不低于1×1013Ω/□的表面电阻率的清洁层。
2.如权利要求1所述的清洁片，还包括支撑所述清洁层的基体材料。
3.如权利要求1所述的清洁片，还包括：
一基体材料，其具有其上设置有所述清洁层的一个表面；以及
一普通粘结层，其设置在所述基体材料的另一表面上。
4.如权利要求1所述的清洁片，其中，该清洁层的相对介电常数大于2.0。
5.如权利要求1所述的清洁片，其中，该清洁层的表面自由能不低于30mJ/m2。
6.如权利要求5所述的清洁片，其中，清洁层相对于水的接触角不大于90度。
7.如权利要求1所述的清洁片，其中，该清洁层的表面电势超过10kV。
8.如权利要求7所述的清洁片，其中，该清洁层通过热永久极化法形成为驻极体。
9.如权利要求1所述的清洁片，其中，该清洁层基本不具有粘性。
10.如权利要求1所述的清洁片，其中，该清洁层的根据JIS K7127测量方法的拉伸弹性模量为1至3000N/mm2。
11.如权利要求1所述的清洁片，其中，清洁层由通过作用能量固化的粘结层形成。
12.一种具有清洁功能的输运元件，该元件中，如权利要求3所述的清洁片通过一普通粘结层设置到输运元件上。
13.一种衬底处理设备清洁方法，其将如权利要求1所述的清洁片或如权利要求12所述的输运元件输运到一衬底处理设备中。
14.一种清洁元件，其是一种用于电导测量设备的清洁元件，且其中如权利要求1所述的用于去除粘附在设备的、有一个接触针清洁器与之接触的接触表面上的外界物质的清洁片设置在用于清除粘附在设备电导测量接触针上的外界物质的元件的一个表面上。
15.一种清洁元件，其是一种用于电导测量设备的清洁元件，且其中用于去除粘附在设备的电导测量接触针上的外界物质的接触针清洁器设置在一输运元件的一个表面上，且如权利要求1所述的用于去除粘附在设备的、该接触针清洁器与之接触的一个接触表面上的外界物质的清洁片设置在另一表面上。
16.如权利要求14和15中的任一项所述的清洁元件，其中，在该清洁片中，一普通粘结层设置在基体材料的一个表面上，且用于去除粘附在设备的、该接触针清洁器与之接触的接触表面上的外界物质的清洁层设置在另一表面上。
17.如权利要求1所述的清洁片，其中，清洁层的摩擦系数不小于1.0。
18.如权利要求1所述的清洁片，其中，清洁层由通过作用能量固化的粘结层形成。
19.如权利要求1所述的清洁片，其中，如权利要求18所述的粘结层是包括压敏粘结聚合物、在分子中具有一个或多个不饱和双键的聚合不饱和化合物、以及聚合引发剂的一种固化粘结剂。
20.一种电导测量仪清洁方法，其将如权利要求14和15中的任一项所述的清洁元件输运到电导测量仪中。
21.一种制造具有清洁功能的输运元件的方法，用于将清洁片借助一普通粘结层粘到该输运元件上以具有比该输运元件的形状大的形状，然后沿该输运元件的形状切割该清洁片，在该清洁片中由借助作用能量聚合/固化的粘结剂形成的清洁层设置在基体材料的一个表面上，且一普通粘结层设置在其另一表面上，其中，该清洁层的聚合/固化反应在该清洁片被切割成该输运元件的形状后进行。
22.如权利要求21所述的制造具有清洁功能的输运元件的方法，其中，采用其中的清洁层由包括压敏粘结聚合物、分子中具有一个或多个不饱和双键的聚合不饱和化合物、以及聚合引发剂的固化粘结剂形成的清洁片。
23.如权利要求22所述的制造具有清洁功能的输运元件的方法，其中，压敏粘结聚合物由包括(甲基)丙烯酸烃基酯的作为主要单体的丙烯酸聚合物形成。
24.如权利要求22所述的制造具有清洁功能的输运元件的方法，其中，如权利要求22所述的聚合引发剂是光聚合引发剂，且清洁层是光固化粘结层。
25.如权利要求21所述的制造具有清洁功能的输运元件的方法，其中，在切割该清洁片的过程中，该清洁层的根据JIS K7127测量方法的拉伸弹性模量不超过1N/mm2。
26.如权利要求21所述的制造具有清洁功能的输运元件的方法，其中，在聚合/固化后，该清洁层的根据JIS K7127测量方法的拉伸弹性模量不低于10N/mm2。
27.一种清洁片，其在如权利要求21所述的制造具有清洁功能的输运元件的方法中得以采用，其中，由借助作用能量聚合/固化的粘结剂形成的清洁层设置在基体材料的一个表面上，且一普通粘结层设置在另一表面上，且该清洁层处于未固化状态。
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