JP5528169B2 - 研磨パッドおよびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
R1−(OCH2CHR2)n−OH (1)
(式中、R1はメチル基またはエチル基であり、R2は水素原子またはメチル基であり、nは1〜5の整数である)で表される化合物であることが好ましい。かかる構成を備える研磨パッドでは、研磨対象物の表面に発生する微小うねりをさらに低減することができる。
R1−(OCH2CHR2)n−OH (1)
(式中、R1はメチル基またはエチル基であり、R2は水素原子またはメチル基であり、nは1〜5の整数である)で表される化合物を使用した場合、研磨対象物の表面に発生する微小うねりをさらに低減することができる。本発明にて使用可能であるモノオール化合物としては、具体的に例えば、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、2−メトキシエタノール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノ−t−ブチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−p−イソオクチルフェニルエーテル;酢酸、アクリル酸、メタクリル酸などのカルボン酸類のアルキレンオキサイド付加物など、が挙げられる。
JIS Z8807−1976に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を4cm×8.5cmの短冊状(厚み:任意)に切り出したものをサンプルとし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定には比重計(ザルトリウス社製)を用い、比重を測定した。
JIS K−7312に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を5cm×5cm(厚み:任意)の大きさに切り出したものをサンプルとし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定時には、サンプルを重ね合わせ、厚み10mm以上とした。硬度計(高分子計器社製、アスカーC型硬度計、加圧面高さ:3mm)を用い、加圧面を接触させてから30秒後の硬度を測定した。
非接触表面形状測定機(ZYGO社製NewView6300)を使用し、レンズ倍率2.5倍、ズーム倍率0.5倍で、バンドパスフィルターを200〜1250μmに設定して、研磨対象物の表面5点のRaを測定し、その平均値(nm)を微小うねりとした。なお、微小うねりを測定するにあたり、以下の研磨方法で研磨した研磨対象物を使用した。
両面研磨機の設定条件
両面研磨機;スピードファム社製 9B型両面研磨機
加工圧力:100g/cm2
定盤回転数:50rpm
研磨剤供給量:4L/min
投入した基板:オハラ社製 TS−10SX
投入した基板の枚数:25枚
基板厚みが初期厚みの85%になるまで連続研磨を行った。なお、使用した研磨剤は下記の方法により調整した。
水にSHOROX A−10(昭和電工社製)を添加し、混合して、比重1.06〜1.09になるように研磨剤を調整した。
使用した各原料は以下のとおりである。
(i)ポリオール化合物
ポリカプロラクトンポリオール 「プラクセル210N(PCL210N)」、官能基数:2、水酸基価:110mgKOH/g、ダイセル化学社製
ポリカプロラクトンポリオール 「プラクセル305(PCL305)」、官能基数:3、水酸基価:305mgKOH/g、ダイセル化学社製
ポリカプロラクトンポリオール 「プラクセル308(PCL308)」、官能基数:3、水酸基価:198mgKOH/g、ダイセル化学社製
ポリテトラメチレンエーテルグリコール 「PTMG1000」、官能基数:2、水酸基価:110mgKOH/g、三菱化学社製
ポリテトラメチレンエーテルグリコール 「PTMG2000」、官能基数:2、水酸基価:56mgKOH/g、三菱化学社製
ジエチレングリコール(DEG) 官能基数:2、水酸基価:1057mgKOH/g、ナカライテスク社製
1,4−ブタンジオール(1,4−BD) 官能基数:2、水酸基価:1247mgKOH/g、ナカライテスク社製
トリメチロールプロパンのプロピレンオキサイド付加体 「エクセノール890MP」、官能基数:3、水酸基価:865mgKOH/g、旭硝子社製
ジグリセリン 官能基数:4、水酸基価:1350mgKOH/g、和光純薬工業社製
(ii)モノオール化合物
ジエチレングリコールモノエチルエーテル(EtODEG) 官能基数:1、水酸基価:418mgKOH/g、ナカライテスク社製
ジエチレングリコールモノメチルエーテル(MeODEG) 官能基数:1、水酸基価:467mgKOH/g、ナカライテスク社製
(iii)触媒
「Kao No.25」、花王社製
(iv)整泡剤
「B8443」、ゴールドシュミット社製
(v)イソシアネート成分
カルボジイミド変性ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)、「ミリオネートMTL」、日本ポリウレタン工業社製
表1上段に記載の配合比率(数値は、ポリオール化合物全量を100重量部としたときの重量部)となるように各原料を容器に入れ、撹拌翼を用いて、回転数900rpmで反応系内に気泡を取り込むように約4分間激しく撹拌を行った。その後、カルボジイミド変性MDIを、NCO INDEXが1.10となるように添加し、約1分間撹拌して気泡分散ウレタン組成物を調製した。
2:研磨定盤
3:研磨剤(スラリー)
4:研磨対象物(半導体ウエハ、レンズ、ガラス板)
5:支持台(ポリッシングヘッド)
6、7:回転軸
Claims (8)
- 熱硬化性ポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、
前記熱硬化性ポリウレタン発泡体が、イソシアネート成分と活性水素含有化合物とを原料成分として含有し、
前記活性水素含有化合物が、官能基数が2以上であるポリオール化合物と、官能基数が1であるモノオール化合物と、を含有し、
前記モノオール化合物が、下記一般式(1):
R 1 −(OCH 2 CHR 2 ) n −OH (1)
(式中、R 1 はメチル基またはエチル基であり、R 2 は水素原子またはメチル基であり、nは1〜5の整数である)で表される化合物であることを特徴とする研磨パッド。 - 前記ポリオール化合物100重量部に対して、前記モノオール化合物を1〜20重量部含有する請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記ポリオール化合物100重量部中、官能基数が3〜4であり、かつ水酸基価が100〜1900mgKOH/gであるポリオール化合物を20〜75重量部含有する請求項1または2に記載の研磨パッド。
- 前記イソシアネート成分が、芳香族イソシアネートである請求項1〜3のいずれかに記載の研磨パッド。
- 前記イソシアネート成分が、カルボジイミド変性ジフェニルメタンジイソシアネートである請求項1〜4のいずれかに記載の研磨パッド。
- 前記熱硬化性ポリウレタン発泡体が、平均気泡径20〜300μmの略球状の気泡を有する請求項1〜5のいずれかに記載の研磨パッド。
- 官能基数が2以上であるポリオール化合物と、官能基数が1であるモノオール化合物と、を含有する活性水素含有化合物と、イソシアネート成分と、を原料成分として含有する気泡分散ウレタン組成物を機械発泡法により調製する工程、面材上に前記気泡分散ウレタン組成物を塗布する工程、前記気泡分散ウレタン組成物を硬化させることにより、平均気泡径20〜300μmの略球状の気泡を有する熱硬化性ポリウレタン発泡体からなる研磨層を形成する工程、および前記研磨層の厚さを均一に調整する工程を含み、
前記モノオール化合物が、下記一般式(1):
R 1 −(OCH 2 CHR 2 ) n −OH (1)
(式中、R 1 はメチル基またはエチル基であり、R 2 は水素原子またはメチル基であり、nは1〜5の整数である)で表される化合物である研磨パッドの製造方法。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
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Families Citing this family (6)
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US9079289B2 (en) | 2011-09-22 | 2015-07-14 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
TWI595968B (zh) * | 2016-08-11 | 2017-08-21 | 宋建宏 | 研磨墊及其製造方法 |
IL303114A (en) | 2017-05-12 | 2023-07-01 | Kuraray Co | Polyurethane for the polishing layer, the polishing layer including polyurethane and a modification method for the polishing layer, the polishing pad and the polishing method |
KR102638363B1 (ko) * | 2018-12-03 | 2024-02-19 | 주식회사 쿠라레 | 연마층용 폴리우레탄, 연마층 및 연마 패드 |
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Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3152162A (en) * | 1959-07-29 | 1964-10-06 | Bayer Ag | Polyisocyanate-carbodiimide adducts and process for the production thereof |
US4513124A (en) * | 1980-10-08 | 1985-04-23 | The Dow Chemical Company | Preparation of a copolymer polyahl using an addition polymerizable adduct of a polymeric monoahl and an ethylenically unsaturated coreactant |
US4950694A (en) * | 1989-06-29 | 1990-08-21 | Union Carbide Chemicals And Plastics Company Inc. | Preparation of polyurethane foams without using inert blowing agents |
KR920702018A (ko) * | 1989-08-01 | 1992-08-12 | 미시마 마사요시 | 웨이퍼 가공용 필름 |
US5124368A (en) * | 1991-07-29 | 1992-06-23 | Arco Chemical Technology, L.P. | Pour-in-place flexible polyurethane foam articles |
JPH05179211A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-07-20 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフイルム |
JP3410202B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2003-05-26 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
ZA945718B (en) * | 1993-08-03 | 1995-03-09 | Osi Specialties Inc | Process for forming polyurethane foam using mechanical cooling and an additive |
WO1997008749A1 (en) * | 1995-08-29 | 1997-03-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Deformable substrate assembly for adhesively bonded electronic device |
TW507334B (en) * | 1997-12-02 | 2002-10-21 | Cynex Kk | Resin package apparatus |
JP2000017252A (ja) | 1998-06-29 | 2000-01-18 | Dainippon Ink & Chem Inc | 研磨材組成物及びその研磨材 |
JP3669196B2 (ja) * | 1998-07-27 | 2005-07-06 | 日東電工株式会社 | 紫外線硬化型粘着シート |
JP4406983B2 (ja) | 1999-12-21 | 2010-02-03 | 旭硝子株式会社 | 硬質ポリウレタンフォームの製造方法 |
KR100691075B1 (ko) * | 2000-07-14 | 2007-03-09 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 세척용 시이트, 이를 사용한 반송부재, 및 이를 사용한기판가공장치 세척법 |
JP2003037089A (ja) | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの研磨方法 |
JP3894326B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2007-03-22 | ダイキン工業株式会社 | 合成樹脂発泡体の製造方法 |
KR100877389B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2009-01-07 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 및 그 제조 방법 |
JP3844081B2 (ja) * | 2002-04-25 | 2006-11-08 | ダイキン工業株式会社 | 合成樹脂発泡体の製造方法、発泡剤およびプレミックス |
JP2004136432A (ja) | 2002-09-24 | 2004-05-13 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨布及びその製造方法 |
AU2003302299A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-06-18 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Polishing pad and method for manufacturing semiconductor device |
US20050004404A1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-06 | Basf Akiengesellschaft | Process for the alkoxylation of monools in the presence of metallo-organic framework materials |
US20050070619A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-03-31 | Miller John William | Blowing agent enhancers for polyurethane foam production |
JP2006110665A (ja) | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨パッド |
JP2006206625A (ja) | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Toray Ind Inc | ポリウレタンフォームの製造方法 |
SG160368A1 (en) | 2005-03-08 | 2010-04-29 | Toyo Tire & Rubber Co | Polishing pad and process for producing the same |
JP4786347B2 (ja) | 2005-03-22 | 2011-10-05 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP4897238B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2012-03-14 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP2006334745A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Inoac Corp | 研磨用吸着パッド及びその製造方法 |
US20100009611A1 (en) * | 2006-09-08 | 2010-01-14 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Method for manufacturing a polishing pad |
US20080148649A1 (en) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Zhendong Liu | Ruthenium-barrier polishing slurry |
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