TW536751B - Cleaning sheet, conveying member using the same, and substrate processing equipment cleaning method using them - Google Patents

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TW536751B TW090111081A TW90111081A TW536751B TW 536751 B TW536751 B TW 536751B TW 090111081 A TW090111081 A TW 090111081A TW 90111081 A TW90111081 A TW 90111081A TW 536751 B TW536751 B TW 536751B
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Yoshio Terada
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Description

536751 五、發明說明（1) 技術領3 本發明係關於一種用於潔淨各種裝置之片材，一種用於 非常易受外來物質影響之基板處理設備（例如，半導體裝 置、平面顯示器、印刷基板等等之製造系統、測試系統等 等）之潔淨片材，及一種使用該片材之輸送構件，及一種 使用其等之基板處理設備潔淨方法。 背景技i
有各種基板處理設備邊輸送基板，邊使基板與各別的輸 送系統實體接觸。此時，如有外來物質黏著至基板及輸送 系統’則後續的基板會連續地受污染，因此，必需定期停 止設備及進行清潔程序。因此，其有造成操作速率降低^ 需要大量勞力的問題。為克服此等問題，而有人提出妳由 輸送經黏著有黏著物質之基板，而將黏著至基板處理；備 外來物質清潔/移除之方法“列如，纟經審查的日 im!'i 54686 ) ’經由輸送板狀構件，❿將黏著至 ^ 1 1 -37458)，/ΛΓΛ ί I Γ Γ ί ^，J ^ 法(未：審查的曰本專利公告2___。；：曰:圓之方 理；= : = : = 基板，而將黏著至基板處
的有效方法」移除之方法係克服以上問題 過強力地黏著，因而黏著 ：：一備接觸部分太 基板之輸送的可能性。尤1，、： =，“致有無法確定 table)中使用低壓吸入機 2 D之夾頭平台（chuck 钺構則此種可能性大。此外，經
C:\2D-CODE\90-07\9011108l.ptd $ 5頁 五、發明說明（2) 、由輸送板狀構件而移除外來物 达，但其會有重要的灰塵移除特 ’可無阻礙地進行輸 用利用電暈充電而充電之空白曰义：化的問題。此外’使 圓附近之外來物質移除的有效二之方法係亦為可將在晶 能的話，則必需將電暈產生位能:嘗試提高表面位 發明中使用潔淨片材，則由 洞俾^。因此，如於本 因而電暈處理條件不會強烈地#二係視組成材料而打開， 能。因在匕，利$ f晕方法僅=二且亦無&提高表面位 特，因此，外# ^ π 了將表面位能提高至數十伏 U此，外來物質的吸入尚不足夠。 本务明係鑑於此等情勢而進 6^7 ^ ^ 一種可茏一 4 ^啊之一目的為提供 單地降低黏著5:於基板處理設備中輸送基板’且亦可簡 . 至"又備之外來物質的潔淨片材。 淨52 = 士、目的，由認真研究的結果發現可經由輸送潔 所 I =潔淨片材之輸送構件諸如基板，以將外來物 ::二i處理設備之内部移除，而萬無-失地於基板處理 办从所*送/居淨片材或輸送構件’且可容易及確實地將外 ::=私除’其中作為潔淨層之黏著層具有不低於一特定 t义面，阻率，或具有不低於一特定值之相對介電常數 及义面位此’或具有不低於一特定值之表面自由能，因而 達成本發明。 如f έ之’本發明係關於一種具有潔淨層之潔淨片材，此 ^ /爭層之表面電阻率不低於1 X 1 〇13歐姆/平方。此潔淨片 材可具有基礎材料。可將前述之潔淨層設置於基礎材料之
五、發明說明（3) 潔i:i相：工；：：通黏著層設置於其之另-表面上。 由能以不低於30毫隹耳/卫士 · 〇較仏。Θ淨層之表面自 以超爾伏二I;:耳體j淨層面位能 為駐極體。以上的潔淨片材可更由豆他法將/糸/r層形成 本發明之特徵及優點面作修改。 明而明白。 j由以下之杈佳具體例的詳細說 佳方式 2:=潔：1::有：潔淨層（以下包括呈諸如潔淨 等等之模式“；ΐ)二片基礎材料之層 /平方，以不低於1 χ ：! 〇14歐姆；ϋ低於1 χ 1 〇13歐姆 =由將潔淨層之表面電阻率設計為明二 捉二：：：地接近絕緣體’而可獲致不僅可捕 靜電力所產生之外來物質的優點。因此，= 設為低於lx 1〇13歐姆/平 ；此在將表面電阻率 成；：來；質的捕捉/吸附效^將顯著地=靜電力所造 介電常數大i二上，的二層心f以下條件墙^ 常數設計為超過此特二 於經由將潔淨層之相對介電 接近高介電材/料，潔淨層形成為儘可能地 之外來物質的優點可獲致可捕捉及吸附由靜電力所產生 第7頁 C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 536751 五、發明說明（4) 當經由使用在真空中對介電常數 場，及根據JIS K6911測量時，此_ 而對材料施加電 存電能之大小。 此處相對介電常數表示儲 只要將相對介電常數設於以上笳 材料、設計方法等等並無特殊之限：内二貝J此等潔淨層之 不包含導電性材料諸如具有導電性在本發明，應使用 料較佳。舉特定的例子來說，除=加劑的有機材 個以上之不飽和雙鍵之化合物：父中具有- 而製得之材料外，可使用橡勝 聚合物中 肀料贫-田缺7泣& …、树月曰、合成樹脂諸如 。聚=:，!6、_素= 等較佳。 /本乙烯共“勿、氟乙烯/丙烯共聚物等 在匕外’希望潔淨層之表面自由能應不低 :,米\以自4°至60毫焦耳/平方米較佳。在本發；耳：： 二、固悲）之表面自由能係表示經由分別測量水及二： ，淨層之表面之接觸角，然後將此測量值及 量心 角之液體的表面自由能值（已獲知於文獻中）代入至 揚氏^_g’ s)方程式及延伸佛克（Μ#，）方程式所= 之方私式中然後再聯立解所產生之兩線性方程式而 固態的表面自由能值。 、阳传之 〈方程式1 >
(1 + cos 0 ) rL - 2 /ΓΤ7ΤΤΤ+2 /TT7T7T C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第8頁 536751 五、發明說明（5) ' ' 其中將方程式中之各符號各別說明如下。 Θ :接觸角 rL :經測量接觸角之液體的表面自由沾 ^ 月匕 T J : T L中之分散力成份 T LP : 7 L中之極性力成份 r Ts d 固態之表面自由能中之分散力成份 固態之表面自由能中之極性力成份 將潔淨片材設計成使潔淨層之表面對水~展現不多於9〇产 之接觸角較佳’自80至50度更佳。在本發明，經由將潔淨 層設計成使其展現落於以上所定義之範圍内之表面自由 及對水的接觸角’可於潔淨片材或其類似物之輸送過程 產生使潔淨層將黏著至待潔淨位置之外來物質移除的效 果。 > 、此外，希望應將潔淨層之拉伸彈性之模數（根據試 法JIS K7127)設為不大於2000牛頓/平方真米 ^ 牛頓/平方毫米較佳。如將拉伸彈性之J設計U二 圍内，則潔淨層實質上不具有黏性’因此，可將外:寺乾 移除，而不會產生輸送問題。 來物質 將潔淨層之表面位能設為超過1 〇仟伏特較佳，一 & ^ 10至5(H千伏特。在本發明，可考慮如潔淨層X‘有在2 = 定範圍内之表面位能，則在潔淨層之周圍形成電場而2 強烈的吸附力’因此’如稍後所說明，即使係在 ；： 質上不具有黏性的情況中，亦可由於吸附力而得到除^二
_|1mirnika
\\312\2d-code\90-07\9011l〇8i.ptd 第9頁 536751 五、發明說明（6) 維持此種表面位能之方法並益 可列舉利用熱駐極體方法等等； 上制：舉例來說， 之方法（以下簡稱為「駐極體成 ♦5物形成為駐極體 電阻率之材料，以降^ 成」），經由選擇具高體積 方法等等。降低材科中之電流流動，而抑制放電之 只要可將聚合物形成為駐極體， =並無限制。舉例來說，可列舉聚合聚合物之材料等 苯二甲酸乙烯酯、聚萃_ ψ ^ 口啫如聚丙烯、聚對 偏二氟乙烯、三敦乙稀醋、聚(偏二氟乙稀）、 *交聯反應及固化係藉由活：j m ’稍後說明之其 加速之固化感壓黏著劑組成物等等。〇各外光線、熱等等 此外，本發明之潔淨層實 抗滑動之阻力的摩擦，則將不疒 之基本性質假定為對 黏性。此感壓黏性係例如者表黏著劑功能的感壓 斯特（Dah 1 qu i s t )標準在至古彳土妒之彈性模數依據達奇 ，見…，在本發明，二以= 乾圍内，即在1至30 0 0牛頓/平 弹生之拉數設計於特定 2_牛頓/平方毫米較佳，以致^米之範圍内，以1〇〇至 1牛頓/平方毫米，則可將外來物質移广模數提高至大於 送問題。在此拉伸彈性、示，而不會產生輸 測量。 M數係根據試驗方法川K7I27 應選擇拉伸彈性之模數可經 線、熱等等加速交聯反應及固化活化能源諸如紫外光 9進之材料作為此種潔 第10頁 C:\2D-C0DE\90-07\90111081.ptd 五、發明說明（7) 净層較佳。此外， 濕性應小較佳。如二備中之潔淨部分之間的可 淨層之厚度並4::; Γ而造成輸送問題…卜，潔 微米。 寺殊之限制’但-般將厚度設至約5至10。 :要j面電阻率係在以上 寺專亚無特殊之限制。<旦不 匕匕種泳甲層之材料 功能之添加劑的黏著層為 丨材枓諸如具有導電 諸如紫外光線、熱等等固化以：=以可藉由活化能源 來說，對石=(=之材料作為此種黏著層較佳。舉例 頓/10毫米，以約0.01。至。J :黏二力不多於。·20牛 黏著力超過0.20牛頓/10真牛牛頓/10毫米較佳。如此 至設備中之潔淨部分，而：成輸：：：層:在=送中黏著 只要表面自由能係低於以的二0、機會發生。 材料等等並無特殊之限制。作則此種潔淨層之 線、熱等等固化及交聯，八=由活化能源諸如紫外光 構，及降低或喪失黏著力之黏；：=變為立體網狀結 分，因此，潔淨層可；；= 強烈地黏著至潔淨部 中爭層之特殊例可“經由使至少在分子 感壓黏著劑聚合物中而製得之材:物及♦5引發劑包含至 生聚合及固化反應，而使黏性2 ’及經由施加活化能產 义失之材料。關於此種感壓
C:\2D-C0DE\90-07\90H1081 .ptd $ 11頁 五、發明說明（8) 黏著劑聚合物，例如，可列舉包含選自丙烯酸、丙烯酸 曱基丙烯酸、及曱基丙烯酸酯之（甲基）丙烯酸及/或 ± 屯留触+工上立j;分么取人.丨v > 人.沐 酯 (甲基）丙烯酸酯為主要單體之丙烯酸系聚合物。在合成此 丙烯酸系聚合物時，可將在分子中具有二或多個不飽和雙 鍵之化合物使用作為共聚合單體，或者如經由將具有不飽 ^雙鍵,化合物藉由在官能基之間的反應化學鍵結至合成 侍之丙烯酸系聚合物之分子，而將不飽和雙鍵引入至丙烯 酸系聚合物之分子中，貝"藉活化能使此聚合物的本 與聚合及固化反應。 在此，將為非揮發性，且為具有低於1〇〇〇〇之重 ::子量之低分子量物質之化合物作為在分子中具有-或多 不飽和雙鍵之化合物較佳（以下簡稱為「聚合 和 δ物」）。應使用具有低於50〇〇之分 鈿矛 固^夺有效地將黏著層轉變成立體網狀結構化為y勿’以於 分子量之低分子量物質之化= = =〇〇〇之重量平均 佳。應使用具有不多於5 〇 〇 〇之分子二♦。不飽和化合物較 時有效地將黏著層轉變成立體二彳匕合物，以於固化 聚合化合物，舉例來說，可列舉—為特佳。關於此種 酸酯、ε -己内酯（甲基）丙烯醆牛鴨本氧&聚乙二醇（甲基）丙烯 烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯曰萨、聚乙一二醇二（甲基）丙 基）丙烯酸酯、二異戊四醇六（甲曰、二甲基丙烷三（甲 烯酸胺基甲酸酯、（甲基）丙烯酸二）—兩烯酸酯、（甲基）丙 聚酯等等。可使用其之一種類^二虱酯、（甲基）丙烯酸寡 战兩種類型。 536751 五、發明說明（9) m ’加至潔淨層之聚合引發劑並無特殊之限制，可使 :眾堯的引發劑。舉例來說，如使用 ΐ猜=列ΐ熱聚合引發劑諸如過氧化苯甲酸、偶氮雙異 丨發劑諸如苯甲酿基、…乙基醋、ί = : 息二苯曱酮、米她—…二 :::石:,喃、十二基+氧二苯并硫呢喃、二甲、 喃、二乙醇縮苯乙，、二甲醇縮苯甲路… ^基本基酮、2一羥二甲基苯基丙烷、2,2_二 本基本乙_等等。 Τ乳Ζ 料= =設；於；:^…寺，所使用之基礎材 ^…寻姝之限制但舉例來說，可列舉塑脒餐 :乙烯、聚對苯二甲酸乙稀醋、乙酿基纖維辛：：：：如 ^聚丙#、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳二； 厚度一般係約1 〇至1 〇 〇微米。 私寻寻。其 此外，本發明提供將潔淨層設置於基 將普通黏著層設置於其另一側上之潔i片楚=料之一側上及 層之材料等等並無特殊之限制，尸、要黏著：普通黏者 ’且可使用普通的黏著劑(例如，“酸 劑、橡膠黏著劑等等）。 ’ ^糸黏者 根據此種結構，藉由普通黏著層將潔淨 構件諸如各種基板、其他的帶狀片材等等之^著於輸送 具有潔淨功能之輸送構件於設備；然後再以 接觸，由此而進行潔淨作用。此夕卜，如 ^潔淨部分 办/尹之後將基板
536751
自此等黏著層剝除以將輸送構件 則此等普通黏著層之黏著力並： = 再利用， 可再度剝除的範圍内即可。然而：對矽：鬥，’、要其係在 剝離黏著力應低於0 . 01至〇 98頓^ ，見面）之180 係約〇. 至〇. 5牛頓A〇毫米，由牛於頓如^ 米車交佳，尤其 在輸送過程中被剝&，但卻可於 办甲片材將不會 除。 /月/糸之後容易地再次剝 黏著 說，可 等等， 此外 及使用 外來物 等用之 有各 試驗儀 上之端 時，當 時，接 然後外 的鋁、 中，試 觸插腳 對苯二 輸？無特殊之限制，但舉例來
朵雄Γ Ϊ f不益基諸如半導體晶圓、LCD、PDP 光碟之基板、MR磁頭等等。 ，本發明提供一種用於潔淨久 、 此構件之傳導試驗儀潔淨方法 ：Si、驗儀之構件 質影響之傳導試驗儀諸如半導# °，供非常易受 潔淨構件及料方法。導體以、印刷基板等 種使用於半導體製造中之傳暮 側上之接職（丨G插座之接&^儀/由使在傳導 子（半導體端子等等）接觸、#)與在產品侧 1C端子與接觸插腳經由重=電傳導。在測試 觸插腳㈣端子側上之材進：的試驗而重複接觸 來物質經㈣及黏著至接觸、焊料等等）刮除， 焊料等等經氧化而造成絕；巧側’接著此等黏著 驗中的傳導速率退化。因此1。在最糟的情況 之外來物質移除，經由使 $ 了將黏著至此等接 甲酸乙浠酷薄膜上而製得之】=化1呂微粒塗覆於聚 構件’或將磨蝕性顆粒
536751 五、發明說明（11) 混合至橡膠樹脂諸如矽中而製得之構件 插腳潔淨器），將接觸插腳上 下間稱為接觸 年來，隨著在半導體製造步驟中卜m移除。’然而，近 增加，而需要將在失頭平台上之外^ ^低及晶圓長度的 策，由於晶圓將會由於在試驗台面（央頭貝平i除的任何對 質而破裂，會產生央持誤差等等。頁千口）上之外來物 之外來物質移除，而產生定期停止設備及=ΐ頭平台上 求。因此，會有造成操作速率降低，且4二面的需 題。 而晋大1人力的問 試==觸清：腳本的為提供-種可潔淨傳導 臂等等之外來物質的潔：才及咸夹頭平台、輸送 人發現如輸送將用於移除黏著於，t發明之發明 設備之接觸表面（夾頭平A /、接觸插腳潔淨器接觸之 置於用於移除黏著至導^、）上之外來物質之潔淨層設 質之構件(以下簡稱為接觸插腳潔之傳插腳之外來物 件，則可同時進行接觸“益)=側上的潔淨構 爽頭平台等等之外來物質的移;=在试驗設備中黏著至 擦係數設為超過一特定值，則、·=、、Α ί外，如將潔淨層之摩 一失地輸送’且可簡單地減少;卜於=驗設備中萬無 明。 來物質，因此而完成本發 換言之，本發明提供一 件，其中將用於移除吨# 傳蛉試驗設備用之潔淨構 除黏者於與接觸插腳潔淨器接觸之設備 mm 第15頁 C： \2D-CODE\90-07\90lU08l.ptd 536751 五、發明說明（12) 之接觸表面上之外來物質之 至設備之傳導試驗接觸插腳:片材設置於用於移除黏著 為接觸插腳潔淨器）的一表 來物貝之構件（以下簡稱 此外’本發明提供一種 其中將用於移除黏著於設備驗設備用之潔淨構件， 物質之構件設置於輸送構件j &试驗接觸插腳上之外來 插腳潔淨器），及將用於移·;表面上（以下簡稱為接觸 觸之設備之接觸表面之外來物^者至與接觸插腳潔淨器接 面上。 卜來物質的潔淨片材設置於另一表 如本發明之潔淨構件之 送’且其可簡單地減少外來二可；；二==備中輸 :。:旦由除塵特性及輸送特性的觀點看、，’；：：：： …可能無法綠實地將夾頭平台上之外來物2 ，如摩擦係數太大，則有可能造成輸送失敗。 …、 滅淨層之摩擦係數（#)係㈣#利料 不銹鋼板(5。毫米X 5。毫米之平板)相對於潔淨：：： = 量所產生的摩擦阻力⑻，然後再將此摩捧阻力 及在忒時間中施加至鋼板之垂直負重（w)代入至以下之方 ^式2中而計算得。其中此摩擦係數在此係代表動摩擦係
〈方程式2 > β = F/W 其中將方程式中之各符號各別說明如下。
I C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第16頁 五、發明說明（13) # :動摩擦係數 F :摩擦阻力[牛頓] W :施加至鋼板之垂直負重[牛頓] 20二Ϊ頓：ΐ ΐ將潔淨層之拉伸彈性之模數設至不高於 2 0 00牛頓/平方毫米，以大於丨牛 如 ^申彈性之模數超過2㈣牛頓 千方， 實地將夹頭平台上之外來物質伸弹 ^ ^ ih μ 1 如將泳净層之摩擦係數及拉伸彈性之模數 二料獲致在輸送潔淨片材等等時， 、、，:、 /、有^性，因此，潔淨層可萬無一失地輸 运，而不會強烈地黏著至潔淨部分的優點。 特=:ί發明之接觸插腳潔淨器的材料、形狀等等姐無 薄腺祛二:1其可廣泛地作利用。舉例來說，使用塑膠 烯、:聚對苯二甲酸乙稀醋、。醯基纖維素、 算反^二^ f稀、聚酿胺、聚酿亞胺、聚碳二醯亞胺等 4 T t :知諸如矽，經由將磨蝕性顆粒諸如氧化鋁微 氧化鉻等等塗覆於基礎材料(襯料)諸如不織
料=㈣1付之材料，但此材料並不限定於以上的材 枓。同樣地，其形狀可根據待潔淨之插座或IC :二晶圓形狀、IC晶片形狀等等，及設備之類型而^ 根據此種形態，透過普通黏著層將潔淨片材黏 觸插H輸送構件諸如各種基板等等狀料接觸插腳ί
I 第17頁 C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 536751 五、發明說明（14) —-- 淨器的非潔淨側上，然後再以具有潔淨功能之輸送構件於 設備中輸送，而與夾頭平台等等接觸，因而進行潔淨作 用。 、 設置潔淨層之輸送構件並無特殊之限制。舉例 ，可 列舉，比方說，平面顯示器之基板諸如半 二 、Ρ^ΡΛΛ，光，之基板，MR磁頭，塑膠薄膜諸如聚乙烯 、聚對笨二甲酸乙烯酯、乙醯基纖維素、山匕^ 烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳二醯亞胺等等，馱如、水 本發明提供一種供各種基板處理設備用之且々 之輸送構件的製造方法，例如，用 ”有冻淨力 對外來物質非常敏感之半導體裝置Uf理設備，諸如 板等等之製造設備、檢查；以之…印刷基 構件的製造方法。 有〆/爭功能之輸送 關於具有潔淨功能之輸送構件（以 製造方法，舉例來說，在經由將潔淨片間= 諸如基板等等之上而製造潔淨構件之:者於輸送構件 形狀大之潔淨片材黏著至構件二枝如將較構件 潔淨片材（以下將此方法簡稱再广構件之形狀切割 割片材時自潔淨層等等產生切屑，法），則由於在切 件及設備，而會產生問題。此 ^ _者再黏著至潔淨構 ΓίΓΐ之：'淨片材黏著至輸送先加工成 程中切屑的產生。但標示片〜在標示之工“ 操作步驟增加，因此，潔淨構件進行，而使 _ <文麻煩，因而使工
C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第18頁 536751 五、發明說明（15) 作性退化。 鑑於此等情勢 地於基板處理設 來物質移除，以 產生之切屑之潔 為達成以上目 發現潔淨構件係 由將潔淨片材黏 如潔淨層係由藉 以及如潔淨層之 送構件的形狀之 外來物質剝離， 完成本發明。 換言之，本發 製造方法，其中 固化之黏著劑形 及將普通黏著層 黏著於輸送構件 狀，然後再沿輸 之聚合/固化反 後進行。 在本發明之輪 化能而聚合/固 化反應必需於切 ’本發明 備中輸送 及不會產 淨構件的 的，由認 利用直接 著於輸送 由活化能 聚合/固 後進行， 而不會產 明亦提供 將潔淨片 成之潔淨 設置於其 上，使其 送構件之 應係於將 送構件的 化之黏著 割潔淨片 之一目 ，且可 生由直 製造方 真研究 切割法 構件諸 而聚合 化反應 則可製 生以上 的為提 簡單及 接切割 法。 的結果 而在製 如基板 /固化 係於將 造能萬 問題之 供一種可 確實地將 法在切割 ’本發明 造潔淨構 荨等上而 之黏著劑 潔淨片材 無一失且 潔淨構件 萬無一失 黏著的外 片材時所 之發明人 件之時經 製得時， 所形成， 切割成輸 簡單地將 ’因此而 一種具有潔淨功能之輸送構件的 材（其中將由藉活化能而聚合/ 層設置於基礎材料之一表面上， 另一表面上）透過普通黏著層而 具有較輸送構件之形狀大的形 f狀切割潔淨片材，其中潔淨層 潔淨片材切割成輸送構件之形& 製造方法中，潔淨層必需由藉活 劑所形成，且潔淨層之聚合/固 材之後進行。此係由於如潔淨芦
C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第19頁 mm 536751 五、發明說明（16) ______ 合/固化反應係於切割潔淨片材之 將由於交聯反應而具有高的彈性模數 進仃，則潔淨層 2的切屬並會黏著至潔淨構件及設備且2割中將產生 不_自潔淨層產生切屑，希望潔淨層之=在切割片材時 (试驗方法JIS K7127)應不多於】牛^/ = ^性之模數 於0. 1牛頓/平方毫米較佳。可經由 笔米，以不多 J較此特定值低’而抑制在切割片材時自申^生之模數設 因此，可利用直接切割法製造不备心;f產生切 2。此外，如將經聚合，固化之黏“使潔淨構 】丨黏性實質上經由在將片材切割後使潔淨層’ 、自：净層喪失。因& ’可獲得可使 》化而 :中與設備之接觸部分強烈接觸之潔淨構 在本發明，由於交聯反應及固化藉由以上的处 數二因而希望於片材切割後，此種潔淨層之拉伸彈：：加 =低於i。牛頓/平方毫米’以1〇至2_牛頓/平3 ”乂佺。如此拉伸彈性之模數超過2〇〇〇牛頓/ 、，笔 ::黏著至輸送系統之外來物質移除的性 =:’
小於10牛頓…毫米，則潔淨層有 U达中黏者至設備中之潔淨部分，而造成輸：犯 ，衣造根據本發明之潔淨構件時，使用將由藉由活。 j ♦合/固化之黏著劑所形成之潔淨層設置於基礎粗硓 =面上，同時將普通黏著層設置於其另一表面上之潔J 第20頁 C:\2D-C0DE\90-07\90111081.ptd 536751 五、發明說明（17) 士發明將根據實施例而說明於下1本發明並不限於此 t貫施例。以下之術語「份」係指重量份數。 份之聚乙二醇二甲基丙浠酸酿、50份之丙稀酸 女基曱酉文酉曰、3份之二曱醇縮苯甲醛、及3份之二 —異氰酸酯均勻混合至100份之由75份丙烯酸2_乙某"己兀 酉旨' 20份丙烯酸甲醋、及5份丙烯酸所組 p 稀酸系聚合物(重量平均分子量7。二二 化成1外光固化黏著劑溶液。 醇：ί二！通黏著層係經由將以相同方式，…二甲 有2 5 〇毫米寬度及2 5微米厚度之聚s旨基y ^液一於具 二塗布至於乾燥之後具㈣微米之厚度材:提，二匕表 厚度3 8微米之聚酯剝離薄膜多 字 紫外朵面彳卜私μ ^ 表面上。經由將以上的 且有40η乎f : f J液塗布於基礎材料薄膜之另-側上至 類似的剝離薄膜黏貼於表面上。…、為“層，由此將 砦i ϊ:之潔淨片材係經由使具有365毫微米中心波長之 焦耳/平方公分之整體光量照射於此片 剝除後衣：用m此潔淨片材之潔淨層側上之剝離薄膜 表面電阻率測量裝·-關。型，三菱化 = 一3 …d^lesb 表面電阻率時，如此；f;6乂之濕度下經由潔淨層測量 匕表面電阻率超過9·99χ 1013歐姆/平 第21頁 C:\2D-CODE\90-07\9011108l.ptd 536751 五、發明說明（18) 方’則無法測量表面電阻率。 卜此：I 1將ί /爭層側上之黏著層黏貼於矽晶圓之鏡面 曰η之。li毛μ米之見度，然後再根據JIS Ζ0 2 37測量矽 日日腺'/1黏著力時，得到〇· 0 78牛頓/10毫米。 妙、：爯利1:: ^材之普通黏著層側上之剝離薄膜剝除， …、、後再利用手動幸昆將此簿胺^勤上Q # /曰打此溥膜黏貼於8央吋矽晶圓之背面（鏡 )上而衣付具有潔淨功能之輸送潔淨晶圓。 相對地’當將基板處理設備之兩 雷射外來物質測量裝置計算具#不低㈣3ζ除米尺、寸後利用 t物質的數目時，在8英吋矽晶圓尺寸之積叶 2 5 0 〇 〇個外來物質，及在i , t 積甲4开到 物質。 及在其另一面積中計算到22 0 0 0個外來 然後當將所產生之輸送潔淨晶圓之潔淨 臈剝除，接著再蔣曰圓仏、、，s θ + — θ上之剝碓溥 質之曰圓俨夕其4 Γ别达至/、有經黏著2 5 〇 0 0個外來物 貝之曰日SU又之基板處理設備中時’晶圓可物 =然後當將晶圓段移除，並利用雷射外來 ::具有南於〇. 3微米尺寸之外來物質的數目時，在8 :置 矽曰曰圓尺寸中計算到6200個外來物質。因此，，吋 之前黏著之外來物質的3/4以上去除。 」肘在滅淨 上匕較實施例1 '、 當以與實施例1相同之方式製造潔淨片材， 側鏈中具有第四録鹽之具有導電功能的添加飢產^伤在 V-SQ-S6，三菱化學工業股份有限 · ^ ^ ^ , J衣w )加入至衆、、金θ 者層中’然後再以相同方式測量潔淨層之表面電阻層 536751 五、發明說明（19) 率’得到5 · 5 X 1 011歐姆/平方。此外，备 著層對矽晶圓之黏著力時，得到〇 · 3 3牛頓/ ^ :層之黏 當將以與實施例1相同之方式自此潔淨片材制1/之 潔淨晶圓輸送至具有經黏著2 2 0 0 0個外來物質:曰:运 基板處理設備中時，晶圓可毫無問題地輪送'。然^曰 圓段移除，並利用雷射外來物質測量裝置管^田、曰曰 〇」3j毁米尺寸之外來物質的數目時，在8英吋；晶圓：：： 計算到2 0 0 0 0個外來物質。因此，僅可將在潔淨之前黏 之外來物質的約1 / 1 1去除。 實施例2 經由將1 5 0份之二異戊四醇六丙烯酸酯（產品名 UV 1 70 0B，尼彭合成化學工業股份有限公司（Nip叫n
Synthetic Chemical Industry Co.，Ltd·)製造）、5 份之 二曱醇縮苯甲醛、及3份之二苯基曱烷二異氰酸酯均勻77混 合至100份之由75份丙烯酸2-乙基己酯、20份丙烯酸甲 酯、及5份丙烯酸所組成之單體混合溶液製得之丙烯酸系 聚合物（重量平均分子量7 0 0 0 0 0 )中，而形成紫外光固化' 著劑溶液。 f 相對地，以與以上之相同方式，除了將二曱醇縮苯曱醛 自以上之黏著劑移除，而製得黏著劑溶液。
^由將以上的黏著劑溶液於作為基礎材料之具有2 5 〇亳 米寬度及2 5微来厚度之聚對苯二曱酸乙烯酯之一表面上塗 布至10微米之乾厚度而提供普通黏著層，由此將厚度3 8微 米之水Sg剝離薄膜黏貼於表面上。此外，經由將以上的紫
536751 五、發明說明（20) 』2 Γί ΐ劑溶液塗布於基礎材料之另-側上至具有20 制离隹镇=^ ’而將黏著層提供為潔淨層，由此將類似的 剝離溥Μ黏貼於表面上。 耳= 乂有3 6 5笔微米中心波長之紫外光線以2 0 0 0毫焦 之m :: a分之整體光量照射於此片材上，而製得本發明 C。2 1/、利用 LCR 儀（惠普公司（Hewlett Packard 考淨戶的相^ ^之4284A型）在1 MHz下測量此潔淨片材之 尹層的相對介電常數時，得到2. 8之值。 貫施例3 但 介例2相同之方式將普通黏著層提供於相對 二兒吊數為3· 2之聚對苯二甲酸乙 米，厚度25微米）之一面上，而制：：，見度25 0笔 然後再將類似的剝離薄膜黏貼於：于面上'明之办/r片材B ’ 薄；2 潔淨片材…之普通黏著層側上之剝離 之背面（於面Γ卜利用手動幸昆將薄膜黏貼於8英忖石夕晶圓 面仏面）上’而製得具有潔淨功能之輸送潔淨晶圓a 相對地，當利用雷射外來物質洌量桊w y # aa 8英吋矽晶圓之鏡面上之且右///里放置计异在二片新的 時，在第一片材卜 < 斤^夕於0 · 2微米尺寸之外來物質 冰 弟片材上计鼻到1 1個外來物質，在筐- K分μ 4 异到1 0個外來物質，及在第二、 弟一片材上叶 質。當將此等晶圓以材上計算到8個外來物 吸附機構之基= = ==送至具有個別靜電 ,1 t ^ Φ a, ^ 8 V?. ^ f * 社》央了曰曰囫尺寸之面積中分別計算到
536751 五、發明說明（21) 32 0 04、25 6 32、及27484個外來物質。 然後當將所產生之輸送潔淨晶圓A、B之潔淨層側上之剝 離薄膜剝除，接著再將晶圓輸送至分別具有經黏著以上之 3 2 0 0 4及2 7 4 8 4個外來物質之晶圓段之基板處理設備中時， 晶圓可毫無問題地輸送。然後將經黏著丨〇及丨3個具有不低 於〇 · 2微米尺寸之外來物質之新的8英吋晶圓以鏡面朝下地 輸送，然後利用雷射外來物質測量裝置計算具有不低於〇· 2微米尺寸之外來物質。將此方法進行五次/並將結果示. 於表1。 比較實施例3 以與實施例3相同之方式製得潔淨片材c， 電常數為2. 0之聚四氟乙浠使用作為實施例3中】::對)丨 將以與實施例3相同之方式自此潔淨片缚膜 淨晶圓C輸送至具有經黏著2 5 6 3 2個外來物併乂于日之β輸送潔 板處理設備中。如同實施例3將此操作貝之晶圓段之基 果示於表1。 、 设五次，並將結 1片材 輸送 實施例2 晶圓A 84% 實施例3 晶圓B 69% 表1
I圓 C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第25頁 536751
五、發明說明（22) 比較實施例3 晶圓C 19% 20% 1 9°/〇 21% 21% 實施例4 經由將50份之聚乙二醇20 0二曱基丙烯酸酯（產品名： NKester 4G ， Shin-Nakamura Chemical Co·， Ltd.製 造）、50份之丙烯酸胺基甲酸酯（產品名：U-N-01，
Sh i n-Nakamura Chemical Co. , Ltd.製造）、及3份之聚異 氰酸酯化合物（產品名：C ο 1 ο n a t e L，尼彭聚胺甲酸自旨工 業股份有限公司（Nippon Polyurethane Industry Co
Ltd·)製造）、及3份之作為光聚合引發劑之二甲醇縮苯甲 酿（產品名Illugacure 651 ’汽巴特用化學品股份有限公 司（Chiba-Speciality Chemicals Co.， Ltd.)製造）均勻 混合至100份之由75份丙烯酸2-乙基己酯、2〇份丙烯酸甲 酯、及5份丙烯酸所組成之單體混合溶液製得之丙 分子量7°°陳’而製備得紫外光固化 ，對地，晋通黏著層係經由將从仙叫 光聚合引發劑之二甲醇縮苯甲搭自以上，作； 除而製得之黏著劑溶涪协1女πη立业6 者^〉谷液A移 | 小 j τ\ητ Tf 马 =:製：之黏著劑溶液於具有25。毫度液a j 之聚酿基礎材料薄膜之—表面上塗且^未厗度 度而提供，由此將厚度38微米之聚酿制離之乾厚 士。然後經由將以上的紫外光固化黏、容夜:貝於表面 礎材料薄膜之另一側上至具有1〇微米之匕，塗布於基 祀与度，而提供作
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為潔淨層之黏著層，由此將類似的剝離薄膜黏貼於表面 本發明之潔淨片材係經由照射具有365毫微米中心波長 夕卜光線，直至將1 000毫焦耳/平方公分之整體光量昭 身:於匕片材上為止而製得。然後將此潔淨片材之潔淨層； 上之剝離溥膜剝除。潔淨層之測得的表面自由能為4〇 i毫 焦耳/平方米，及測得之對水的接觸角為78, 2度。 :由將此潔萍片材之普通黏著層側上之剝離薄膜剝除， 知後再利用手動㈣此薄膜黏貼於8英切晶圓之背面（鏡 面）上’而製得具有潔淨功能之輸送潔淨晶圓。
帝ΐ ΐ ΐ，#將基板處理設備之兩晶圓段移除，然後利用 田、^物貝測篁裝置計异具有不低於〇. 3微米尺寸之外 ==的數目時，在8英切日日日圓尺寸之—面積中計算到 固外來物質，及在其另一面積中計算到2 3 0 0 0個外來 物％ 。 :J當將所產生之輸送潔淨晶圓之潔淨層側上之剝離薄 2剝除，接著再將晶圓輸送至具有經黏著25〇〇〇個外來物 、貝之之基板處理設備中時’晶圓可毫無問題地輸
1將晶圓段移㉟，並利用雷射外來物質測量裝置 計异具有高於0. 3微米尺寸之外來物質的數目時，在8英吋 寸Π算到4800個外來物質…，可將在潔淨 之則黏者之外來物質的4/5以上去除。
比較實施你U 以與實施例4相同之方式形成潔淨片材，除了使用經由
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五、發明說明（24) 將100份之二異戊四醇六丙烯酸酯（產品名UV1 70 0B，尸〜 合成化學工業股份有限公司製造）、及3份之聚異氰酸黯化 合物（產品名：C ο 1 ο n a t e L，尼彭聚胺甲酸酯工業股份有 限公司製造）、及1 〇份之作為光聚合引發劑之二曱醇縮苯 甲醛（產品名I 1 lugacure 651，汽巴特用化學品股份有限 公司製造）均勻混合至1〇〇份之由30份丙烯酸2-乙基己酿' 7 0份丙烯酸甲酯、及1 〇份丙烯酸所組成之單體混合溶液掣 得之丙烯酸系聚合物（重量平均分子量2800000)中，而製& 備得之紫外光固化黏著劑溶液B。潔淨層之測得的表面自< 由能為2 4 · 6毫焦耳/平方米，及測得之對水的接觸角為 82· 3度。 …、 然後將利用與實施例4相同之方式製得之輸送潔淨晶圓 輸送至具有經黏著2 3 0 0 0個外來物質之晶圓段之基板處理 設備中’晶圓可毫無問題地輸送。然後當將晶圓段移除， 並利用雷射外來物質測量裝置計算具有多於〇· 3微米尺寸 之外來物質的數目時，在8英吋矽晶圓尺寸中計算到2 〇 〇 〇 〇 個外來物質。因此，僅可將在潔淨之前黏著之外來物質的 約1 / 8去除。 實施例5 經由將1 50份之二異戊四醇六丙烯酸酯（產品名 UV 1 7 0 0 B，尼彭合成化學工業股份有限公司製造）、5份之 一曱醇細苯甲醛、及3份之二苯基甲烷二異氰酸酯均勻混 合至100份之由75份丙烯酸2-乙基己酯、2〇份丙烯酸曱 酯、5份丙烯酸所組成之單體混合溶液製得之丙烯酸系聚
C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第28頁 536751 五、發明說明（25) =夜"平均分子量7_°°)中，而形成紫外光固化黏著 >相對地，普通黏著層係經由將以相同方式，除 Γ;— 米之乾厚度而供，由此將厚产 /、 貼於表面上。經由將以卜2度38^未之聚醋剥離薄膜黏 其礎材料策腺夕ΐ 光固化黏著劑溶液塗布於 基f材枓涛膜之另一側上至具有40微米之乾厚 潔片層，由此將類似的剝離薄膜黏貼於表面上。 /、 平ΐ J 米Λ心产長之紫外光線以20°°毫焦耳/ :氣 1 除，接著經由使用熱駐極體= 大：中將冰乎層插於電極之間，然後在100。 L ί伏特之？壓，然後邊照樣施加電壓邊使潔；又層：卻 體。♦利：3 :結束施加電壓，而將潔淨層形成為： σ門P5下、目丨曰主及55% RH之條件下，在20毫米之電極一樣 位能時’得到15仟伏特之值。此外，潔 之“彈性= ϊ性，且潔淨層於紫外光固化後 r坪f生之核數為1980牛頓/平方毫米。 經由將所產生之潔淨片材之普 展' ；.^w,,m 月面(鏡面)ι，而製得具有潔淨功能之輸送潔淨夕晶-:。之 第29頁 C:\2D-OODE\90-O7\9〇lli〇8l<ptd 536751 五、發明說明（26) 8 對地’當利用雷射外來物質測量裝置計算在兩片新的 日时秒晶圓之鏡面上之具有多於〇 · 2微米尺寸之外來物質 ^管在第一片材上計算到1 1個外來物質，及在第二片材上 送^到1 0個外來物質。當將此等晶圓以使其鏡面朝下地輸 =f具有個別靜電吸附機構之基板處理設備中，然後利用 :#外來物質測量設備測量鏡面時，在8英吋晶圓尺寸之 =中=別計算到320 04及2 5 632個外來物質。 s將所產生之輸送潔淨晶圓之潔淨層側上之剝離薄 =除’接著再將晶圓輸送至分別具有經黏著以上之 晶圓可ΓΓϊ，來物質之晶圓段之基板處理設備中時， 微平尺ΐ IH 2輸送。然後將經黏著10個具有多於0.2 用 =質之新的8英切晶圓以鏡面朝下地輸 米尺寸之外來物W來物測3裝置計算具有多於0. 2微 2。尺寸之外末物貝。將此方法重複五次，並將結果示於表 實施例5 當以與實施例5相同之古—、舍日 在側鏈中具有第四銨鹽之传j系淨片材，除了將2〇份 名：V-SQ-S6，三菱化學工辈電功能的添加劑（產品 施例5之潔淨片材之潔；層；製造)加入至實 線後測得之潔淨層的# ; a…上、$问貫施例5照射紫外光 之模數為丨了⑼牛頓2 為0.〇4仟伏特，及拉伸彈性 使以與實施例5相同方式淨 圓如同實施例5於具有經黏著2563乃材製得之輸送潔淨晶 " 2個外來物質之晶圓段之
C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第30頁 536751 五、發明說明（27) 基板處理設備中進行輸送五次。結果示於表2 表2 外來物質排除比 1片材 2片材 3片材 4片材 5片材 輸送 輸送 輸送 輸送 輸送 實施例5 84% 90% 9 6% 96% 96% 比較實施例5 20% 23% 23% 30% 31% 實施例6 經由將50份之聚乙二醇20 0二甲基丙烯酸酯（產品名： NKester4G，Shin-Nakamura Chemical Co. , Ltd.製造）、 50份之丙烯酸胺基曱酸酯（產品名：U-N-01，
Shin-Nakamura Chemical Co·，Ltd·製造）、及3 份之聚異 氰酸酯化合物（產品名：Col onate L，尼彭聚胺曱酸酯工 業股份有限公司製造）、及3份之作為光聚合引發劑之二甲 醇縮苯曱酸（產品名I Π u g a c u r e 6 5 1，汽巴特用化學品股 份有限公司製造）均勻混合至1 〇 〇份之由7 5份丙烯酸2 -乙基 己酯、2 0份丙烯酸甲酯、及5份丙烯酸所組成之單體混合 溶液製得之丙烯酸系聚合物（重量平均分子量7 〇 〇 〇 〇 〇 )中， 而製備得紫外光固化黏著劑溶液。 相對地，普通黏著層係經由將以相同方式，除了將作為 光聚合引發劑之二甲醇縮苯甲醛自以上之黏著劑溶液A移 除而製得之黏著劑溶液於具有25 0毫米寬度及25微米厚度 之聚酯基礎材料薄膜之一表面上塗布至具有1 0微米之乾厚
C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第31頁 536751
ΐ而將厚度38微米之聚醋剝離薄膜黏貼於表面 礎材；;上的紫外光固化黏著劑溶液Α塗布於基 為潔淨声之有10微米之乾厚度’而提供作 上。s之黏者層，由此將類似的剝離薄膜黏貼於表面 之潔係經由照射具有365毫微米中心波長 射於此片材上為止二°宅焦耳，平方公分之整體光量照 ν,,, „,； Πί: 在此，摩擦係數係經由使50毫米Λ毫 士之不錄鋼板在垂直負重9.8牛頓下以，='5〇笔 度沿預定方向與潔淨層之表面 ^/刀釦之速 用的拉伸試驗儀測量當時所產生：摩二且力:2用通 經由將此潔淨片材：：=;:=SK7127測量。 然後再利用手動輕將此薄膜黏貼二“8之剝離^專曰膜剝除， 之接觸插腳潔淨構件之接觸插;^產：：曰曰圓形狀 PaSSChip，PASSCo·，Ltd 制、皮、灸乎以產口口名· 上’而製得具有潔淨功能之面(非潔淨表面） 然後當經由將潔淨構件之晶圓。 然後再仿造輸送通過在半導：制：：士之剝離薄膜剝除， 晶圓探針，而清潔接觸= 測試裝置之 全未與接觸部分強烈地接觸，因：二：毫
C:\2D-CQDE\90-07\90111081.ptd 第32頁 536751 五、發明說明（29) 輸送。 此外，當其後利用顯微鏡觀察接觸插腳時，在清潔之前 黏著至插腳之外來物質諸如氧化物等等經除去，且可檢查 其清潔作用。此外，在清潔之前出現於夾頭平台上之具有 約1毫米尺寸之矽廢料等等可完全被清潔，且可發現其清 潔作用。然後當將2 5片產物晶圓輸送，以實際進行試驗 時，此方法可進行，而不會產生問題。 實施例7 經由將50份之聚乙二醇200二曱基丙稀酸g旨（產品名： NKester4G，Shin-Nakamura Chemical Co·，Ltd 製造）、 50份之丙烯酸胺基甲酸酯（產品名：u-N-01，
Shin-Nakamura Chemical Co·，Ltd·製造）、及3 份之聚異 氰酸酯化合物（產品名：Colonate L，尼彭聚胺甲酸醋工 業股份有限公司製造）、及3份之作為光聚合引發劑之0二曱 醇縮苯甲酸（產品名I 1 lugacure 65 1，汽巴特用化學品股 份有限公司製造）均勻混合至1 〇 〇份之由7 5份丙烯酸2 一乙基 己酯、2 0份丙烯酸曱酯、及5份丙烯酸所組成之單體混合 溶液製得之丙烯酸系聚合物（重量平均分子量7 〇 〇 〇 〇 〇 )中， 而製備得紫外光固化黏著劑溶液A。
相對地，一般的感壓黏著劑溶液A係以與以上相同的方 式製得，除了將二曱醇縮苯曱醛自以上的黏著劑移除。 普通黏著層係經由將以上的感壓黏著劑溶液人於且$ 毫米寬度及25微米厚度之聚酯基礎材料薄膜之一表面^ 布至具有1()微米之乾厚度而提供’由此將厚度38^米之^
J/J 丄 五、發明說明（30) 酉曰剝離薄膜黏貼於表面上。 ^ 1.1 t-j >r,A ^ ^ ^ ^ ^ 之乾厚度，而提供作為潔淨 至具有30微米 離薄膜黏貼於表面上。如^ :之^者層，由此將類似的剝 洛、、Hi I &呰冰i ί如此製得潔淨片材Α。 田測里此i外先固化黏著 驗方法ns K7!27)時，如利^ =A之拉伸彈性之模數（試 測得〇· 1牛頓/平方毫米，# 1外光線進行固化反應，則 長之紫外光線照射直至;_、毫而焦於使具有二5微米中心波 後，測得4 9牛頓/平方毫米。“、、 方公分之整體光量 經由使用此潔淨片材A，利 (NEL-DR8500II ，Nitto Seiki Γ ^剎系統帶型標籤 貼於晶圓上。此時，將片枯A f·， ΐ(1•製造）將片材黏 (鏡面…然雜晶圓之背面 對25個片材連續進行此操作j 圓形狀。當 切屑。 t在切割片材時完全未產生 然後經由對五片此等晶圓照射且 之紫外光線直幻，毫焦耳；微米中心波
而製造具有潔淨功能之輸送潔二工;；\之整體光量為1 相對地，當利用雷射外來物質、、丨旦 州晶圓之鏡面上之具有/於=== 牯，在第一片材上計算到8個外來物所， 算到11個外來物質，在第三片材貝一片材上 及在第四片#_h計算到5個外來物物質
其鏡面朝下地輸送至具有個別靜吸w ; 11 # ® U 月？ ^吸附機構之基板處3
536751 五、發明說明（31) 傷中，然後利用雷射外來物質測量設備測量鏡面時，分別 在8英忖晶圓尺寸之第一、第一、篦二、只 、 咏 ^ 昂一弟一及第四面積中計 异到31254、29954、28683及27986個外來物質。 #然後當將所產生之輸送潔淨晶圓A之潔淨層胃側上之剝離 薄膜剝除，接著再將晶圓輸送至具有經黏著以上之31254 ，外來物質之晶圓段之基板處理設備中時，晶圓可毫無問 題地輸送。然後將經黏著丨0個具有多於〇· 2微米尺寸之外 來物質之新的8英吋矽晶圓以鏡面朝下地輸送，然後利用 雷射外來物質測量裝置計算具有多於〇· 2微米尺;^之外來 物質。將此操作重複五次，並將結果示於表3。 t施例8 以與實施例7相同之方式製備潔淨片材B，除了將經由將 1 0 0份之多官能丙烯酸胺基曱酸酯（產品名i 7 B，尼士/ 合成化學工業股份有限公司製造）及3份之聚異氰酸酯匕化^入 物（產品名：Colonate L，尼彭聚胺曱酸酯工業股广曰口 公司製造）、及ίο份之作為光聚合引發劑之二甲醇限 輕（產品名Illugacure 651，汽巴特用化學品股份
司製造）均勻混合至1 〇 〇份之由7 5份丙烯酸2 -乙基已酽义A 份丙烯酸甲酯、及5份丙烯酸所組成之單體混合溶液9 f 0 之丙烯酸系聚合物（重量平均分子量2 8 〇 〇 〇 〇 〇 )中而件 紫外光固化黏著劑溶液B作為紫外光固化黏著劑。^= 此紫外光固化黏著劑B之拉伸彈性之模數時，於固^ ’則= 測得0 · 0 1牛頓/平方毫米，然而於使具有3 6 5毫微米 波長之紫外光線照射直至1 〇 〇 〇毫焦耳/平方公分^ 〜 楚體光
C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第35頁 536751 五、發明說明（32) 夏後，測得1 440牛頓/平方毫米。 25 例7利用直接切創系統使用此潔淨片材B製造 片/、有片材之晶圓時，在切割片材時完全未產生切屑。 =後=由使具有365毫微米中心波長之紫外光線照射至五 此等晶圓，直至1 〇 0 0毫焦耳//平方公分之整體光量為 ’而製得具有潔淨功能之輸送潔淨晶圓B。 广然後當將所產生之輸送潔淨晶圓A之潔淨層側上之剝離 專膜剝除’接著再將晶圓輸送至具有經黏著以上之2 9 g 5 4 ^固外來物質之晶圓段之基板處理設備中時，晶圓可毫無問 題地輸送。接著使經黏著有丨〇個具有多於〇 · 2微米尺寸之 外來物質之新的8英吋晶圓以鏡面朝下地輸送，然後再利 用雷射外來物質測量設備計算具有多於〇· 2微米尺寸之外 來物質。將此操作重複五次，並將結果示於表3。 达較實施例7 當以類似方式利用直接切割系統製造具有片材之晶圓， 除了潔淨片材C係經由在將晶圓黏貼於實施例7中之潔淨片 材A上之前，使具有3 6 5毫微米中心波長之紫外光線照射直 至1 〇 〇 〇毫焦耳/平方公分之整體光量為止而製得，在切割 片材時自潔淨層產生大量的切屑。因此，有許多切屑黏著 於具有片材之晶圓的邊緣、晶圓之背面、及膠帶黏貼装置 上。因此，具有片材之晶圓C的製造被中斷。 比較實施例8 以與實施例7相同之方式製造潔淨片材d，除了將實施例 8所示之感壓黏著劑溶液a使用作為潔淨層之黏著劑。在此
536751 五、發明說明（33) 情況：潔？層之拉伸彈性之、^^一 當以與實施例7相同之方、為0· 1牛頓/平方毫米。 材D製造具有片材之晶圓二=用直接切割系統自潔淨片 因此可製得2 5片晶圓。當 切割片材時未產生切眉， 有經黏著2 7 9 8 6個外來物質之曰等。輪送潔淨晶圓d輸送至具 時，第一晶圓黏著至晶圓 日日圓段之基板處理設備中 曰^又，因此無法輸送 —片材 片材 實施例7 實施例8 比較實施 例7 75% 83% 96% 96% 潔淨晶圓之製造停止） 83% 發生輸 送問題 輸送停 止 輸送停 止 輸送停 止 輸送停 止 工業應用性 如前所述，根據本發明之潔淨片材， 基板處理設備中輸送，且可容易地減少黏著 來物質。 & 7袖考於设備上之外 雖然本發明已就其具有特定程度特異性 明，但應明瞭可不脫離如後文提出專利申=式作次 神及範圍，而就構造之細節及零件之組合及配置 第37頁 C:\2D-CGDE\90-07\90111081.ptd 536751 五、發明說明（34)佳形式之揭示内容。
C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第38頁 536751 圖式簡單說明 C:\2D-CODE\90-07\90111081.ptd 第39頁

Claims (1)

  1. 5剛 -案號 90111081 Λ_ 曰 9L 12〇 -3替換頁 六、申請專利範9] 1. 一種用於基板處理設備之潔淨片材，包括： 具有不低於1 X 1 013歐姆/平方之表面電阻率的潔淨層； 以及 用於支承該潔淨層之基礎材料，在其之一表面上設置該 潔淨層。 2. 如申請專利範圍第1項之潔淨片材，其更包括在該基 礎材料之另一表面上的普通黏著層。 3. 如申請專利範圍第1項之潔淨片材，其中，該潔淨層 之相對介電常數大於2. 0。 4. 如申請專利範圍第1項之潔淨片材，其中，該潔淨層 之表面自由能不低於30毫焦耳/平方米。 5. 如申請專利範圍第4項之潔淨片材，其中，該潔淨層 之對水的接觸角不多於9 0度。 6. 如申請專利範圍第1項之潔淨片材，其中，該潔淨層 之表面位能超過1 0什伏特。 7. 如申請專利範圍第6項之潔淨片材，其中，該潔淨層 係利用熱駐極體法形成為駐極體。 8. 如申請專利範圍第1項之潔淨片材，其中，該潔淨層 實質上不具有黏性。 :9.如申請專利範圍第1項之潔淨片材，其中，該潔淨層 之根據試驗方法J I S Κ 7 1 2 7之拉伸彈性之模數係為1至3 0 0 0 牛頓/平方毫米。 1 0.如申請專利範圍第1項之潔淨片材，其中，該潔淨層 係由藉由活化能而固化之黏著層所形成。 ❹
    901]1081(替換）-2.ptd 第40頁 修止i 充kH-9Qm〇81 _ 年 11 · -種具有潔淨功能之輪送 2將-種潔淨片材設置於件’其中透過/通黏著 包括： 再件上，其中，该潔淨片材 具有不低於1 X 10〗3歐姆/ 以及 万之表面電阻率的潔淨層； 、用於支承該潔淨層之基礎材 潔淨層。 ；+’在其之一表面上設置該 1 2.如申請專利範圍第丨丨項 片材更包括在該基礎材料之另一知廷構件，其中，該潔淨 1 3·如申請專利範圍第丨項:表面上的普通黏著層。 板處理設備潔淨方法，係夢$潔淨片材，其使用於一種基 理設備中。 $ 9將該潔淨片材輸送至基板處 1 4 ·如申請專利範圍第丨丨項之 基板處理設備潔淨方法，係 ' 痛迻構件，其使用於一種 處理設備中。 3將該輪送構件輸送至基板 15· —種用於傳導試驗設備 心 ，黏著於與接觸插腳潔淨器接办構件，其中將用於移 J物質之—種潔淨片材設置於，設備之接觸表面上之外 :1: f觸插腳之外來物質之構件：移除黏著至設備之傳導 /尹片材包括： 件的-表面上，其中，該潔 具有不低於i x i，歐 以及 方之#; + 表面電阻率的潔淨層， 用於支承該潔淨層之基 潔、、备爲 r曰 < 巷石竣材料，户* 冰/尹層。 在其之—表面上設置該
    53f751 — 二案號90Π1081_年月日__ 六、申請專利範圍 1 6.如申請專利範圍第1 5項之潔淨構件，其中，該潔淨 片材更包括在該基礎材料之另一表面上的普通黏著層。 1 7. —種用於傳導試驗設備之潔淨構件，其中將用於移 除黏著於設備之傳導試驗接觸插腳上之外來物質之接觸插 腳潔淨器設置於輸送構件之一表面上，及將用於移除黏著 至與接觸插腳潔淨器接觸之設備之接觸表面之外來物質之 一種潔淨片材設置於另一表面上，其中，該潔淨片材包 括： 具有不低於1 X 1 013歐姆/平方之表面電阻率的潔淨層； 以及 用於支承該潔淨層之基礎材料，在其之一表面上設置該 潔淨層。 1 8.如申請專利範圍第1 7項之潔淨構件，其中，該潔淨 片材更包括在該基礎材料之另一表面上的普通黏者層。 1 9.如申請專利範圍第1 5或1 7項之潔淨構件，其中，在 該潔淨片材中，將普通黏著層設置於基礎材料之一表面 上，及將用於移除黏著至與接觸插腳潔淨器接觸之設備之 接觸表面之外來物質之潔淨層設置於另一表面上。 2 0.如申請專利範圍第1項之潔淨片材，其中，該潔淨層 之摩擦係數不低於1. 0。 2 1 .如申請專利範圍第1項之潔淨片材，其中，該潔淨層 係由藉由活化能而固化之黏著層所形成。 2 2.如申請專利範圍第1項之潔淨片材，其中，該如申請 專利範圍第2 1項之黏著層係包含感壓黏著劑聚合物、在分
    90111081.ptc 第42頁 536751 Ϊ 案號90111081 年月日 修正 1-.Γ--—-- 六、申請專利範圍 子中具有一或多個不飽和雙鍵之聚合不飽和化合物、及聚 合引發劑之固化黏著劑。 2 3.如申請專利範圍第1 5或1 7項之潔淨構件，其使用於 一種傳導試驗儀潔淨方法，係藉由將該潔淨構件輸送至傳 導試驗儀中。 2 4. —種具有潔淨功能之輸送構件之製法，包括將潔淨 片材（其中將由藉活化能而聚合/固化之黏著劑形成之潔 淨層設置於基礎材料之一表面上，及將普通黏著層設置於 其另一表面上）透過普通黏著層而黏著於輸送構件上，使 其具有較輸送構件之形狀大的形狀，然後再沿輸送構件之 形狀切割潔淨片材，其中潔淨層之聚合/固化反應係於將 潔淨片材切割成輸送構件之形狀後進行。 2 5.如申請專利範圍第24項之具有潔淨功能之輸送構件 之製法，其中，在該潔淨片材中，使用由包含感壓黏著劑 聚合物、在分子中具有一或多個不飽和雙鍵之聚合不飽和 化合物、及聚合引發劑之固化黏著劑所形成之潔淨層。 2 6.如申請專利範圍第2 5項之具有潔淨功能之輸送構件 之製法，其中，該感壓黏著劑聚合物係由包含（曱基）丙烯 酸烷基酯為主要單體之丙烯酸系聚合物所形成。 2 7.如申請專利範圍第25項之具有潔淨功能之輸送構件 之製法，其中，該如申請專利範圍第2 5項之聚合引發劑係 為光聚合引發劑，及該潔淨層係為光固化黏著層。 2 8.如申請專利範圍第24項之具有潔淨功能之輸送構件 之製法，其中，在切割片材時，該潔淨層之根據試驗方法
    90111081.ptc 第43頁 53^751 _案號90111081_年月曰 修正_ I 六、申請專利範圍 J I S K 7 1 2 7之拉伸彈性之模數不多於1牛頓/平方毫米。 2 9.如申請專利範圍第24項之具有潔淨功能之輸送構件 之製法，其中，於聚合/固化之後，該潔淨層之根據試驗 方法J IS K7 127之拉伸彈性之模數不低於10牛頓/平方毫 米。 3 0.如申請專利範圍第24項之具有潔淨功能之輸送構件 之製法，其中，將該潔淨片材裡之可藉由活化能而聚合/ 固化之黏著劑所形成之潔淨層設置於基礎材料之一表面 上，及將普通黏著層設置於另一表面上，及該潔淨層係為 固化狀態。
    \\326\2d-\91-06\90111081.ptc 第44頁
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