TW201509536A - 噴嘴、洗淨裝置及洗淨方法 - Google Patents

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Abstract

抑制噴嘴的路徑內壁被切削而產生的金屬汙 染發生於洗淨後的基板的洗淨面。 本發明之一態樣係於使CO2粒子對基板 噴出的噴嘴(11)，特徵係於前述噴嘴內壁被形成具有Hv1000~5000之維氏硬度的硬質膜之噴嘴(11)。

Description

噴嘴、洗淨裝置及洗淨方法
本發明係關於使CO2粒子噴出之噴嘴、藉由CO2粒子進行洗淨的洗淨裝置及洗淨方法。
圖4係供說明從前的洗淨裝置之用的模式圖。
此洗淨裝置，具有：加入被加壓至6MPa的液化二氧化碳(液化CO2)的鋼瓶(未圖示)，被連接於該鋼瓶的噴嘴101，保持基板102的保持機構(未圖示)，具備吸氣口104a的導管104，送風機(BLOWER)，高效率粒子空氣濾器(HEPA FILTER)。保持機構，係使基板102的表面(洗淨面)與水平面幾乎成平行，且在使基板102的表面朝上(與重力方向相反側的方向)的位置保持基板102的機構。
前述之洗淨裝置如下所述地運轉。鋼瓶內之被加壓的液化CO2被供給至噴嘴101，藉著使該液化CO2通過噴嘴101噴出的CO2粒子103，吹噴至藉由保持機構保持的基板102表面，吹掉附著於基板102的微粒等，把該被吹掉的微粒等藉由送風機由基板102的橫側的吸氣口 104a進行吸氣而除去。接著，由該吸氣口104a通過導管104的微粒等以高效率粒子空氣濾器捕獲，除去了微粒等的氣體再度被供給至基板102上。噴嘴101為不銹鋼製，基板102例如為半導體製程之掀離(lift-off)後的矽晶圓或玻璃基板。又，相關於前述洗淨裝置的技術揭示於專利文獻1。
然而，在前述從前的洗淨裝置，液化CO2通過噴嘴101時，CO2粒子103會衝突於不銹鋼製的噴嘴101的路徑內壁，使得該路徑內壁的Fe或Cr等金屬微量地被削下，而噴出包含該金屬的CO2粒子103。因為藉由此CO2粒子103洗淨矽晶圓或玻璃基板，所以洗淨後的矽晶圓或玻璃基板的表面會殘存Fe或Cr等金屬，會因為該金屬導致污染矽晶圓或玻璃基板。
此外，在前述從前的洗淨裝置，藉由保持機構保持基板102於使基板102表面(洗淨面)朝上而且與水平面幾乎呈平行的位置，所以在該基板102的表面藉由從噴嘴101吹噴的CO2粒子103吹掉基板102上的微粒等之後，該微粒會再附著於基板102的表面。因此，會於洗淨後的基板102的表面殘留微粒等，而降低基板的表面的洗淨效果。特別是基板的尺寸越大，微粒等的再附著就越容易發生，使得洗淨效果容易變低。
此外，在前述從前的洗淨裝置，由吸氣口104a通過導管104之微粒等以高效率粒子空氣濾器除去，再度對基板102上供給該除去後的氣體，所以會有高 效率粒子空氣濾器無法捕獲的微小金屬粉或者毛邊等再附著於基板102上的情形。結果，會使基板表面的洗淨效果降低。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]
USP6,099,396
本發明之一態樣係以抑制噴嘴的路徑內壁被切削而產生的金屬汙染發生於洗淨後的基板的洗淨面作為課題。
此外，本發明之一態樣，係以抑制微粒等的再附著導致的洗淨效果的降低作為課題。
以下，說明本發明的種種態樣。
[1]一種噴嘴，係使CO2粒子對基板噴出，特徵為：於前述噴嘴內壁被形成具有Hv1000~5000之維氏硬度的硬質膜。
[2]於前述[1]之噴嘴，特徵為前述硬質膜係包含由DLC、TiN、TiCrN、 CrN、TiCNi、TiAlN、Al2O3、AlCrN、ZrO2、SiC、Cr、NiP、WC、SiO2、Ta2O5、SiN、及SiaAlbOcNd(矽鋁氧氮聚合材料)之群所選擇的一種之膜。
[3]於前述[1]或[2]之噴嘴，特徵為前述硬質膜為DLC膜，前述DLC膜之含氫量為30原子百分比以下。
[4]於前述[3]之噴嘴，特徵為前述DLC膜，係藉由使用頻率10kHz~1MHz(較佳為50kHz~800kHz)之高頻輸出的電漿CVD法來成膜。
[5]於前述[3]之噴嘴，特徵為前述DLC膜，係藉由使用頻率50kHz~500kHz之高頻輸出的電漿CVD法來成膜。
[5-1]一種噴嘴之製造方法，係製造使CO2粒子對基板噴出的噴嘴之方法，特徵係於前述噴嘴的內壁，藉由使用頻率10kHz~1MHz(較佳為50kHz~800kHz)之高頻輸出的電漿CVD法來形成DLC膜。
[6]於前述[1]至[5]之任一之噴嘴，特徵為前述噴嘴，為文氏管(Venturi tube)。
[7]一種洗淨裝置，特徵為具備：前述[1]至[6]之任一項之噴嘴，對前述噴嘴供給加壓的CO2之CO2供給機構，及保持基板的保持機構， 對前述噴嘴供給加壓的CO2，藉由從前述噴嘴噴出的CO2粒子洗淨被保持於前述保持機構的前述基板。
[8]於前述[7]之洗淨裝置，特徵為具有被配置於前述保持機構所保持的前述基板的下方之排氣機構，前述保持機構，係把前述基板保持於與前述基板的洗淨面相反側的面與水平面之夾角成為45°~180°(較佳為70°~110°)的範圍內的位置之機構。
[9]於前述[7]或[8]之洗淨裝置，特徵為CO2粒子由前述噴嘴噴出的方向與前述基板的洗淨面之夾角在20°~90°之範圍內。
[10]於前述[8]或[9]之洗淨裝置，特徵為前述排氣機構，具有被配置於前述基板的下方的排氣口，及被連接於前述排氣口的排氣路徑；前述排氣路徑具有延伸至前述排氣口的下方的路徑。
[11]於前述[8]至[10]之任一之洗淨裝置，特徵為藉由前述保持機構保持的前述基板及前述噴嘴被配置於真空室內，藉由前述排氣機構排氣的氣體被排出至前述真空室外。
[12]一種洗淨裝置，特徵為具備：保持基板的保持機構，對被保持於前述保持機構的前述基板噴出CO2粒子之噴嘴， 對前述噴嘴供給加壓的CO2之CO2供給機構，及被配置於前述保持機構所保持的前述基板的下方之排氣機構，前述保持機構，係把前述基板保持於與前述基板的洗淨面相反側的面與水平面之夾角成為45°~180°(較佳為70°~110°)的範圍內的位置之機構。
[12-1]於前述[12]之洗淨裝置，特徵為前述噴嘴，為文氏管(Venturi tube)。
[12-2]於前述[12]或[12-1]之洗淨裝置，特徵為CO2粒子由前述噴嘴噴出的方向與前述基板的洗淨面之夾角在20°~90°之範圍內。
[13]於前述[12]、[12-1]及[12-2]之任一之洗淨裝置，特徵為前述排氣機構，具有被配置於前述基板的下方的排氣口，及被連接於前述排氣口的排氣路徑；前述排氣路徑具有延伸至前述排氣口的下方的路徑。
[14]於前述[12]、[12-1]、[12-2]及[13]之任一之洗淨裝置，特徵為藉由前述保持機構保持的前述基板及前述噴嘴被配置於真空室內，藉由前述排氣機構排氣的氣體被排出至前述真空室外。
[15]一種洗淨裝置，特徵為具備：保持基板的保持機構， 對被保持於前述保持機構的前述基板噴出CO2粒子之噴嘴，對前述噴嘴供給加壓的CO2之CO2供給機構，及被配置於前述保持機構所保持的前述基板的下方之排氣機構，特徵為前述排氣機構，具有被配置於前述基板的下方的排氣口，及被連接於前述排氣口的排氣路徑；前述排氣路徑具有延伸至前述排氣口的下方的路徑。
[16]於前述[15]之洗淨裝置，特徵為藉由前述保持機構保持的前述基板及前述噴嘴被配置於真空室內，藉由前述排氣機構排氣的氣體被排出至前述真空室外。
[17]一種洗淨方法，係藉由從噴嘴噴出的CO2粒子洗淨基板的方法，特徵為：於前述噴嘴內壁被形成具有Hv1000~5000之維氏硬度的硬質膜。
[18]於前述[17]之洗淨方法，特徵為前述硬質膜係包含由DLC、TiN、TiCrN、CrN、TiCNi、TiAlN、Al2O3、AlCrN、ZrO2、SiC、Cr、NiP、WC、SiO2、Ta2O5、SiN、及SiaAlbOcNd(矽鋁氧氮聚合材料)之群所選擇的一種之膜。
[19]於前述[17]之洗淨方法，特徵為前述硬質膜為DLC膜，前述DLC膜之含氫量 為30原子百分比以下。
[19-1]於前述[17]至[19]之任一之洗淨方法，特徵為前述噴嘴，為文氏管(Venturi tube)。
[20]於前述[17]至[19]、[19-1]之任一之洗淨方法，特徵為洗淨前述基板時，把前述基板配置於與前述基板的洗淨面相反側的面與水平面之夾角成為45°~180°(較佳為70°~110°)的範圍內的位置。
[20-1]於前述[17]至[20]、[19-1]之任一之洗淨方法，特徵為CO2粒子由前述噴嘴噴出的方向與前述基板的洗淨面之夾角在20°~90°之範圍內。
[21]一種洗淨方法，係藉由從噴嘴噴出的CO2粒子洗淨基板的方法，特徵為：特徵為洗淨前述基板時，把前述基板配置於與前述基板的洗淨面相反側的面與水平面之夾角成為45°~180°(較佳為70°~110°)的範圍內的位置。
[22]於前述[20]、[20-1]及[21]之任一之洗淨方法，特徵為洗淨前述基板時，由前述基板的下方排氣。
[22-1]於前述[21]或[22]之洗淨方法，特徵為前述噴嘴，為文氏管(Venturi tube)。
[22-2]於前述[21]、[22]及[22-1]之任一之洗淨方法， 特徵為CO2粒子由前述噴嘴噴出的方向與前述基板的洗淨面之夾角在20°~90°之範圍內。
根據本發明之一態樣，可以抑制噴嘴的路徑內壁被切削而產生的金屬汙染發生於洗淨後的基板的洗淨面。
此外，根據本發明之一態樣的話，可以抑制微粒等的再附著導致的洗淨效果的降低。
11‧‧‧噴嘴
12‧‧‧基板
12a‧‧‧與基板洗淨面(表面)相反側的面(背面)
12b‧‧‧基板的洗淨面(表面)
13‧‧‧液化碳酸氣體(液化CO2)
14‧‧‧鋼瓶
15‧‧‧配管
16‧‧‧閥
17‧‧‧保持部
18‧‧‧真空泵
19‧‧‧加熱器
20‧‧‧水平面
21‧‧‧CO2粒子由噴嘴噴出的方向
22‧‧‧排氣路徑
22a‧‧‧排氣口
23‧‧‧排氣手段
24,25,26‧‧‧箭頭
27‧‧‧真空室
31‧‧‧第2螺帽
32‧‧‧圍岩(ground)
33‧‧‧第1螺帽
34‧‧‧柱塞
35‧‧‧第2密合墊
36‧‧‧第1密合墊
37‧‧‧噴嘴本體
41‧‧‧壓力控制閥
42‧‧‧高效率粒子空氣濾器
43‧‧‧卸壓閥
44‧‧‧乾燥空氣
101‧‧‧噴嘴
102‧‧‧基板
103‧‧‧CO2粒子
104‧‧‧導管
104a‧‧‧吸氣口
圖1係模式顯示相關於本發明之一態樣的洗淨裝置之圖。
圖2係由基板12的表面側所見之圖1所示的保持機構及排氣機構之圖。
圖3(A)係圖1所示的噴嘴11的剖面圖，(B)係由基端側所見之(A)所示的噴嘴之圖。
圖4係供說明從前的洗淨裝置之用的模式圖。
以下，使用圖式詳細說明本發明之實施型態。但是本發明並不以下列說明為限定，在不逸脫本發明的要旨及其範圍的情況下將其形態或者詳細內容加以種種 的變更，對於熟悉該項技藝者應該是很容易理解的。亦即，本發明之並不限定解釋為如下所示的實施型態的記載內容。
如圖1及圖2所示，洗淨裝置具有噴嘴11、對噴嘴11供給加壓的液化碳酸氣體(液化CO2)的CO2供給機構、保持基板12的保持機構、以及被配置於基板12的下方之排氣機構。
噴嘴11，可以是文氏管(Venturi tube)或者是第拉瓦噴嘴(de Laval nozzle)。又，於本說明書，所謂文氏管(Venturi tube)是應用文土里效應(Venturi effect)之管，所謂文土里效應是指藉由窄化收縮流體的流動，使流速增加的效果，第拉瓦噴嘴(de Laval nozzle)是指流體通過的路徑的中間部分變窄的管，是具有如沙漏形狀的路徑的噴嘴，藉由使流體通過該處使其加速，可以得到超音速的噴嘴，文氏管(Venturi tube)也包含第拉瓦噴嘴(de Laval nozzle)。
CO2供給機構，具有被加入加壓到6MPa的液化碳酸氣體(液化CO2)13的鋼瓶14，此鋼瓶14藉由配管15被連接於閥16之一端。配管15具有虹吸(siphon)管為佳。閥16之另一端被連接於噴嘴11之一端。藉由打開閥16使鋼瓶14內之被加壓的液化CO2 13通過配管15及閥16被供給至噴嘴11，由噴嘴11之另一端噴出CO2粒子。
保持機構，具有保持基板12的保持部17，與被連接於保持部17的真空泵18。藉由真空泵18進行抽 真空使基板12真空吸附而保持於保持部17。被保持於保持部17的基板12之與洗淨面相反側的面(背面)12a與水平面20所夾的角度θ1為90°。此外，於保持部17被配置加熱基板12的加熱器19。
又，在本實施型態，與基板12的洗淨面相反側的面12a與水平面20所夾的角度θ1為90°，但不以此為限，只要角度θ1在45°~180°的範圍內的話，任一角度皆可。
CO2粒子由噴嘴11噴出的方向21與基板12的洗淨面(表面)12b所夾的角度θ2只要在20°~90°的範圍內即可。
排氣機構，具有被配置於基板12的下方的排氣口22a，被連接於此排氣口22a的排氣路徑22，被連接於排氣路徑22的排氣手段(例如排氣泵)23。排氣路徑22具有延伸至排氣口22a的下方之路徑。又，於本說明書，「下方」意味著重力方向。
此外，於排氣路徑22被配置壓力控制閥41，藉由壓力控制閥41可以控制根據排氣手段23之排氣的壓力。此外，於排氣路徑22被配置高效率粒子空氣濾器42，藉由高效率粒子空氣濾器42捕獲排氣中的微粒等，使除去微粒等之後的氣體往真空室27的外部排出。
如圖3(A),(B)所示，噴嘴11，具有噴嘴本體37，第1密合墊36，第2密合墊35，柱塞34，第1螺帽33，圍岩(ground)32與第2螺帽31。詳細地說，於噴嘴本 體37的基端側依序被連接著第1密合墊36，第2密合墊35，柱塞34，於柱塞34被連接著圍岩32的先端。噴嘴本體37，第1密合墊36，第2密合墊35，柱塞34及圍岩32係藉由第1螺帽33固定。於圍岩32的基端被安裝著第2螺帽31。於這樣的構造之噴嘴11的內側被設有供液化CO2 13通過的路徑。
於噴嘴11的內壁(構成供通過液化CO2 13之用的路徑的面)被形成具有Hv1000~5000之維氏硬度的硬質膜。此硬質膜只要是包含由DLC(Diamond Like Carbon)、TiN、TiCrN、CrN、TiCNi、TiAlN、Al2O3、AlCrN、ZrO2、SiC、Cr、NiP、WC、SiO2、Ta2O5、SiN、及SiaAlbOcNd(矽鋁氧氮聚合材料)之群所選擇之一種之膜即可，在本實施型態，使用含氫量30原子百分比以下之DLC膜作為硬質膜。藉由使含氫量為30原子百分比以下，可以使DLC膜為硬質之膜。此外，DLC膜，以具有Hv1200~3500之維氏硬度為佳。
前述DLC膜，係藉由在噴嘴11的內壁，使用頻率10kHz~1MHz(較佳為50kHz~800kHz，更佳為50kHz~500kHz)之高頻輸出之電漿CVD法來成膜者。藉由如此般使用10kHz~1MHz之頻率可以形成硬質的DLC膜。
如圖1所示，噴嘴11、基板12、保持機構及排氣路徑22被配置於真空室27內。此外，洗淨裝置，具有對真空室27內導入乾燥空氣44或氮氣的導入機構，於 真空室27內被配置卸壓閥43。進行基板12的洗淨時，藉由前述導入機構對真空室27內導入乾燥空氣44或氮氣，藉由卸壓閥43往真空室27的外部排出乾燥空氣或氮氣，以乾燥空氣或氮氣(-70℃~-100℃)之氛圍，把露點控制在-20℃程度。採用這樣的氛圍的理由，是因為供洗淨基板12之用的CO2粒子是在-73℃程度的溫度，對基板12吹噴CO2粒子的話基板12會被冷卻，容易於基板12附著水滴，所以要控制露點使水滴不附著於基板12。此外，進行基板12的洗淨時藉由以加熱器19加熱基板12，可以防止水滴附著於基板12。
其次，說明使用圖1所示的洗淨裝置洗淨基板的方法。
首先，於保持部17載置基板12，以藉由真空泵18抽真空的方式使基板12真空吸附而保持於保持部17。接著，以使與基板12的表面(洗淨面)相反側的面與水平面所夾的角度θ1成為45°~180°(較佳為70°~110°)的範圍內的方式調整基板12的位置。又，在圖1中θ1為90°。
其次，藉由對真空室27內導入乾燥空氣44或氮氣，以乾燥空氣或者氮氣(-70℃~-100℃)的氛圍，使真空室27內露點控制在-20℃程度。
其次，藉由打開閥16把鋼瓶14內的被加壓的液化CO2 13通過配管15及閥16供給置噴嘴11。接著，流入圍岩32內的液化CO2 13，在隨著流往先端側剖面變窄的柱塞34的內部被壓縮，在柱塞34的先端的孔口 (最細部)藉由流速增加的文土里效應(Venturi effect)而被加速。該被加速的液化CO2 13，藉由具有末端擴大的剖面之第1及第2密合墊36,35而被絕熱膨脹成為CO2粒子，該CO2粒子藉由噴嘴本體37整流。使該被整流的CO2粒子由噴嘴本體37往相對基板12的表面12b成傾斜的方向21噴出。使該噴出的CO2粒子，如圖2的箭頭26所示掃描基板12的表面12b同時進行吹噴，洗淨基板12的表面全體。此時，藉由被吹噴到基板12的表面的CO2粒子吹掉基板12表面的微粒等，該被吹掉的微粒等如箭頭24那樣也利用到重力同時通過排氣口22a、排氣路徑22、壓力控制閥41及高效率粒子空氣濾器42藉由排氣手段排氣到真空室27的外部。
其後，如箭頭25那樣使保持部17旋轉45°或90°，使被保持於保持部17的基板12旋轉45°或90°。
接著，已與前述同樣的方法，掃描基板12的表面12b同時吹噴CO2粒子，洗淨基板12的表面全體。此時，被吹掉的基板12的表面的微粒等如箭頭24那樣通過排氣口22a、排氣路徑22、壓力控制閥41及高效率粒子空氣濾器42而藉由排氣手段23排氣。
其後，藉由反覆進行以與前述同樣的方法使被保持於保持部17的基板12旋轉45°或90°，以及以與前述同樣的方法洗淨基板12的表面全體，結束基板12的表面的洗淨。
根據本實施型態的話，因為於噴嘴11內壁形 成具有Hv1000~5000維氏硬度的硬質膜，所以液化CO2通過噴嘴11時，即使CO2粒子衝突於噴嘴11的路徑內壁也可以抑制該路徑內壁被削。因此，即使藉由CO2粒子洗淨基板12，也可以抑制洗淨後的基板12的表面受到金屬汙染。此外，可以延長噴嘴11的壽命。
此外，根據本實施型態的話，使由噴嘴噴出的CO2粒子吹噴於基板12時的基板12的位置，為與基板12的表面(洗淨面)相反側的面與水平面的夾角θ1在45°~180°之範圍內，使被吹掉的基板12表面的微粒等也利用到重力同時如箭頭24那樣由基板12的下方排氣。因此，可以抑制微粒等再附著於基板12。
總之，在角度θ1成為45°~180°的範圍內的位置配置基板12，而且把排氣路徑22及排氣手段23配置於基板12的下方，所以將微粒等予以排氣時，可以不僅利用排氣手段23的排氣力，也利用到重力進行排氣。結果，可以抑制藉由CO2粒子吹掉基板12上的微粒等之後，該微粒等再附著於基板12的表面。亦即，可以抑制微粒等的再附著導致的洗淨效果的降低。
此外，根據本實施型態的話，排氣機構的排氣路徑22具有延伸至排氣口22a的下方的路徑，所以在將微粒等予以排氣時，可以抑制該微粒等再附著於基板12的表面。
此外，根據本實施型態的話，在使由噴嘴噴出的CO2粒子對基板12吹噴而洗淨基板12時，使由基板 12吹掉的微粒等通過排氣口22a，排氣路徑22，壓力控制閥41及高效率粒子空氣濾器42而藉由排氣手段23往真空室27的外部排氣。因此，可以抑制如從前技術那樣無法以高效率粒子空氣濾器捕獲的微小微粒等再附著於基板上。結果，可以抑制基板表面的洗淨效果降低。
11‧‧‧噴嘴
31‧‧‧第2螺帽
32‧‧‧圍岩(ground)
33‧‧‧第1螺帽
34‧‧‧柱塞
35‧‧‧第2密合墊
36‧‧‧第1密合墊
37‧‧‧噴嘴本體

Claims (24)

  1. 一種噴嘴，係使CO2粒子對基板噴出，其特徵為：於前述噴嘴內壁被形成具有Hv1000~5000之維氏硬度的硬質膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之噴嘴，其中前述硬質膜係包含由DLC、TiN、TiCrN、CrN、TiCNi、TiAlN、Al2O3、AlCrN、ZrO2、SiC、Cr、NiP、WC、SiO2、Ta2O5、SiN、及SiaAlbOcNd(矽鋁氧氮聚合材料)之群所選擇的一種之膜。
  3. 如申請專利範圍第1項之噴嘴，其中前述硬質膜為DLC膜，前述DLC膜之含氫量為30原子百分比以下。
  4. 如申請專利範圍第3項之噴嘴，其中前述DLC膜，係藉由使用頻率10kHz~1MHz之高頻輸出的電漿CVD法來成膜。
  5. 如申請專利範圍第3項之噴嘴，其中前述DLC膜，係藉由使用頻率50kHz~500kHz之高頻輸出的電漿CVD法來成膜。
  6. 如申請專利範圍第1、3至5項之任一項之噴嘴，其中前述噴嘴，為文氏管(Venturi tube)。
  7. 一種洗淨裝置，其特徵為具備：申請專利範圍第1、3至6項之任一項之噴嘴， 對前述噴嘴供給加壓的CO2之CO2供給機構，及保持基板的保持機構，對前述噴嘴供給加壓的CO2，藉由從前述噴嘴噴出的CO2粒子洗淨被保持於前述保持機構的前述基板。
  8. 如申請專利範圍第7項之洗淨裝置，其中具有被配置於前述保持機構所保持的前述基板的下方之排氣機構，前述保持機構，係把前述基板保持於與前述基板的洗淨面相反側的面與水平面之夾角成為45°~180°的範圍內的位置之機構。
  9. 如申請專利範圍第8項之洗淨裝置，其中CO2粒子由前述噴嘴噴出的方向與前述基板的洗淨面之夾角在20°~90°之範圍內。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之洗淨裝置，其中前述排氣機構，具有被配置於前述基板的下方的排氣口，及被連接於前述排氣口的排氣路徑，前述排氣路徑具有延伸至前述排氣口的下方的路徑。
  11. 如申請專利範圍第8至10項之任一項之洗淨裝置，其中藉由前述保持機構保持的前述基板及前述噴嘴被配置於真空室內，藉由前述排氣機構排氣的氣體被排出至前述真空室外。
  12. 一種洗淨裝置，其特徵為具備：保持基板的保持 機構，對被保持於前述保持機構的前述基板噴出CO2粒子之噴嘴，對前述噴嘴供給加壓的CO2之CO2供給機構，及被配置於前述保持機構所保持的前述基板的下方之排氣機構，前述保持機構，係把前述基板保持於與前述基板的洗淨面相反側的面與水平面之夾角成為45°~180°的範圍內的位置之機構。
  13. 如申請專利範圍第12項之洗淨裝置，其中前述排氣機構，具有被配置於前述基板的下方的排氣口，及被連接於前述排氣口的排氣路徑；前述排氣路徑具有延伸至前述排氣口的下方的路徑。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之洗淨裝置，其中藉由前述保持機構保持的前述基板及前述噴嘴被配置於真空室內，藉由前述排氣機構排氣的氣體被排出至前述真空室外。
  15. 一種洗淨裝置，其特徵為具備：保持基板的保持機構，對被保持於前述保持機構的前述基板噴出CO2粒子之噴嘴，對前述噴嘴供給加壓的CO2之CO2供給機構，及被配置於前述保持機構所保持的前述基板的下方之排 氣機構，前述排氣機構，具有被配置於前述基板的下方的排氣口，及被連接於前述排氣口的排氣路徑；前述排氣路徑具有延伸至前述排氣口的下方的路徑。
  16. 如申請專利範圍第15項之洗淨裝置，其中藉由前述保持機構保持的前述基板及前述噴嘴被配置於真空室內，藉由前述排氣機構排氣的氣體被排出至前述真空室外。
  17. 一種洗淨方法，係藉由從噴嘴噴出的CO2粒子洗淨基板的方法，其特徵為：於前述噴嘴內壁被形成具有Hv1000~5000之維氏硬度的硬質膜。
  18. 如申請專利範圍第17項之洗淨方法，其中前述硬質膜係包含由DLC、TiN、TiCrN、CrN、TiCNi、TiAlN、Al2O3、AlCrN、ZrO2、SiC、Cr、NiP、WC、SiO2、Ta2O5、SiN、及SiaAlbOcNd(矽鋁氧氮聚合材料)之群所選擇的一種之膜。
  19. 如申請專利範圍第17項之洗淨方法，其中前述硬質膜為DLC膜，前述DLC膜之含氫量為30原子百分比以下。
  20. 如申請專利範圍第17至19項之任一項之洗淨方法，其中洗淨前述基板時，把前述基板配置於與前述基板的洗 淨面相反側的面與水平面之夾角成為45°~180°的範圍內的位置。
  21. 一種洗淨方法，係藉由從噴嘴噴出的CO2粒子洗淨基板的方法，其特徵為：洗淨前述基板時，把前述基板配置於與前述基板的洗淨面相反側的面與水平面之夾角成為45°~180°的範圍內的位置。
  22. 如申請專利範圍第20或21項之洗淨方法，其中洗淨前述基板時，由前述基板的下方排氣。
  23. 一種洗淨方法，係藉由從噴嘴噴出的CO2粒子洗淨基板的方法，其特徵為：洗淨前述基板時，藉由被配置於前述基板的下方之排氣口及排氣路徑進行排氣，前述排氣路徑，被連接於前述排氣口，且係延伸至前述排氣口的下方的路徑。
  24. 如申請專利範圍第23項之洗淨方法，其中前述基板及前述噴嘴被配置於真空室內，藉由前述排氣路徑排氣的氣體被排出至前述真空室外。
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