CN114433561A - 表面处理设备及表面处理方法 - Google Patents

表面处理设备及表面处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114433561A
CN114433561A CN202111271116.5A CN202111271116A CN114433561A CN 114433561 A CN114433561 A CN 114433561A CN 202111271116 A CN202111271116 A CN 202111271116A CN 114433561 A CN114433561 A CN 114433561A
Authority
CN
China
Prior art keywords
particles
nozzle
surface treatment
treatment apparatus
supply line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111271116.5A
Other languages
English (en)
Inventor
俞昇男
金善一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN114433561A publication Critical patent/CN114433561A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
    • C23C4/11—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B08B5/023—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • B08B5/043—Cleaning travelling work
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
    • C23C4/134—Plasma spraying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2205/00—Details of machines or methods for cleaning by the use of gas or air flow

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Absorbent Articles And Supports Therefor (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明构思提供一种用于处理待处理物体的表面的方法，其中设置在用于处理诸如晶圆等基材的设备中且被污染的部件作为待处理物体。在实施例中，该表面处理方法包括：在其中设置有前述物体的气氛中形成真空且通过第一粒子与物体的表面上的污染物的碰撞以超音速速率来清洁该物体的表面。

Description

表面处理设备及表面处理方法
技术领域
本文所述的发明构思的实施例涉及用于去除附着到设置于用于处理诸如晶圆等基材的设备中的部件的表面上的污染物且使该部件的表面再生的表面处理设备及方法。
背景技术
大气等离子喷雾(atmospheric plasma spray；APS)涂布薄膜是热喷雾涂布薄膜，且APS涂布技术是其中诸如Y2O3的陶瓷材料经高温等离子热源熔化且喷射在基底材料的表面上的涂布过程。
APS涂布技术具有的缺点在于，因为由于熔化的制品通过与基底材料接触而快速冷却，在涂布薄膜内部及其表面上存在空隙层及裂隙层。然而，由于在半导体过程中快速堆叠适用于抗等离子及抗腐蚀环境的Y2O3薄膜的优点，APS涂布技术已经受到广泛应用。
图1是示出通过在阳极氧化铝合金基底材料上执行APS涂布获得的部件在干蚀刻过程中使用达约600小时之后的状态的照片。当在干蚀刻过程中使用经受APS涂布的部件时，由于过程气及副产物，在涂布薄膜的周边上形成聚合物层作为残余物。在过程的初始阶段，通过室内干洗(in-suite dry cleaning；ISD)去除聚合物层。然而，随着处理时间推移，去除对黏着的比率下降，且反应薄膜扩展成涂布薄膜内部的孔隙层及裂隙层。
其后，当涂布表面的最外面周边过渡到反应饱和状态时，实现了蚀刻速率且相应地执行装备PM作业。此时，经拆卸部件的涂布薄膜的内部变性，使得在使用酸性化学品或碱性化学品时，除了涂布薄膜之外，阳极氧化绝缘薄膜也受到破坏。使用通常使用的研磨头的清洁方法可能通过向表面实体施加力而导致涂布厚度减小以及表面平均粗糙度改变。
发明内容
本发明构思的实施例提供一种用于有效地清洁在用于处理基材的设备中使用的部件的表面处理设备及方法。
与相关技术相比，本发明构思的实施例提供一种用于在用于处理基材的设备中使用的部件的清洁过程中减少涂布厚度的表面处理设备及方法。
本发明构思的实施例提供一种用于通过对在用于处理基材的设备中使用的部件进行清洁并继续涂布该部件来减少花费在该部件的再生上的时间的表面处理设备及方法。
本发明构思的实施例提供一种不使用诸如酸性化学处理或碱性化学处理的化学处理过程的环境友好的表面处理设备及方法。
待由本发明构思解决的技术问题并不限制于前述问题，且本文未提及的任何其他技术问题将由本发明构思涉及的那些本领域普通技术人员从以下描述中充分理解。
根据实施例，一种表面处理设备包括：腔室，在该腔室中具有处理空间；排气管线，该排气管线用于抽空该处理空间；支承构件，该支承构件设置在该处理空间中且支承待处理物体；喷嘴，该喷嘴向该物体以超音速速率喷射粒子或气体；移动构件，该移动构件使该喷嘴或该物体相对于彼此移动，及主供应管线，该主供应管线向该喷嘴供应第一粒子。
在实施例中，该第一粒子可具有与该物体的涂布成分相同的成分或硬度与该物体的该涂布成分的硬度相似的成分。
在实施例中，该第一粒子可包括Y2O3、Al2O3、YAG、YSZ及Zr2O3中的一者或多者。
在实施例中，该第一粒子可由原料粒子粒化而成或可以粉末状态提供。
在实施例中，该第一粒子可具有几μm至100μm之大小。
在实施例中，该第一粒子可与载体气体一起被供应。
在实施例中，该表面处理设备可进一步包括将该气体供应到该喷嘴的气体供应管线。
在实施例中，该气体供应管线可连接到该主供应管线，且该第一粒子可经由与该主供应管线连接的粒子供应管线供应到该主供应管线。
在实施例中，该表面处理设备可进一步包括控制器，且该控制器可执行控制以经由该喷嘴以超音速速率喷射该第一粒子。
在实施例中，表面处理设备可进一步包括控制器，且该控制器执行：控制以经由该喷嘴以超音速速率喷射该第一粒子且使该物体或该喷嘴相对于彼此移动，使得通过该第一粒子与该物体的表面上的污染物的碰撞从该物体的表面去除该污染物；可停止该第一粒子的供应；且可执行控制以经由该喷嘴喷射该气体以吹扫残留在该物体的表面上的残余物。
在实施例中，该表面处理设备可进一步包括控制器，且该主供应管线可向该喷嘴另外供应与该第一粒子相同或不同的第二粒子。该控制器可执行控制以经由该喷嘴以超音速速率喷射该第一粒子且使该物体或该喷嘴相对于彼此移动，使得通过该第一粒子与该物体的表面上的污染物的碰撞从该物体的表面去除该污染物；可停止该第一粒子的该供应，可执行控制以经由该喷嘴喷射该气体以吹扫残留在该物体的该表面上的残余物；且可执行控制以经由该喷嘴喷射该第二粒子以利用该第二粒子涂布该物体的该表面。
在实施例中，该物体可以是被设置在用于处理诸如晶圆等基材的设备中的部件且可由涂布有Y2O3的铝材料形成。
根据实施例，提供一种用于处理待处理物体的表面的方法，其中设置在用于处理诸如晶圆等基材的设备中且被污染的部件作为待处理物体。该方法包括：在其中设置有该物体的气氛中形成真空且通过第一粒子以超音速速率与该物体的表面上的污染物碰撞来清洁该物体的该表面。
在实施例中，该第一粒子可具有与该物体的涂布成分相同的成分或硬度与该物体的涂布成分的硬度相似的成分。
在实施例中，该第一粒子可包括Y2O3、Al2O3、YAG、YSZ及Zr2O3中的一者或多者。
在实施例中，该第一粒子可由原料粒子被粒化而成或可以粉末状态提供。
在实施例中，该第一粒子可具有几μm至100μm之大小。
在实施例中，该第一粒子可与载体气体一起供应。
在实施例中，该方法可进一步包括：在清洁该物体的该表面之后停止该等第一粒子的供应，且通过向该物体的经清洁表面吹扫气体来去除残留在该物体的表面上的残余物。
在实施例中，该方法可进一步包括：在去除残留在该物体的该表面上的该残余物之后，通过与该第一粒子相同或不同的第二粒子与该物体的表面的碰撞，用该第二粒子涂布该物体的表面。
附图说明
结合以下随附附图，上述及其他目的及特征根据以下描述将变得显而易见，其中除非另外说明，贯穿整个各个附图，相似的附图标记是指相似的部件，且附图如下：
图1是示出通过在阳极氧化铝合金基底材料上执行APS涂布获得的部件在干蚀刻过程中使用达约600小时之后的状态的照片。
图2示出根据本发明构思的实施例的表面处理设备的示意图及包括在该表面处理设备中的喷嘴的剖视图。
图3是示出根据本发明的实施例的表面处理方法的流程图。
图4是示出使用根据图2的实施例的表面处理设备清洁部件的表面的步骤的视图。
图5是示出使用根据图2的实施例的表面处理设备向部件的表面吹扫气体的步骤的视图。
图6是示出使用根据图2的实施例的表面处理设备涂布部件的表面的步骤的视图。
图7是示出根据本发明构思的各种实施例的部件的经清洁表面的照片。
具体实施方式
其后，将参考随附附图更详细地描述本发明构思的实施例。然而，本发明构思可以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文阐述的实施例。而是，提供这些实施例以便本公开内容将为彻底及完全的，且将为本领域普通技术人员完全传达本发明构思的范围。在附图中，为了阐述说明，夸大了组件的尺寸。
图2示出根据本发明构思的实施例的表面处理设备的示意图及包括在该表面处理设备中的喷嘴的剖视图。将参考图2描述根据实施例的表面处理设备。表面处理设备包括喷嘴110、移动构件120及控制器200。表面处理设备包括支承待清洁的物体10的支座(未示出)。表面处理设备可包括提供处理空间的腔室(未示出)。腔室(未示出)的处理空间可处于真空气氛下。例如，腔室(未示出)的处理空间可与排气管线(未示出)连接，且处理空间中的气氛可经由连接到排气管线(未示出)的真空泵(未示出)被抽空。因此，可在处理空间中形成真空气氛。待清洁的物体10可放置在真空气氛中。待清洁的物体10可在真空气氛中被处理。
喷嘴110直接或间接地耦合到移动构件120且可在X轴方向、Y轴方向或Z轴方向上移动。例如，移动构件120可利用在X轴方向、Y轴方向或Z轴方向上可移动的移动级(movingstage)来实施。可替代地，移动构件120可利用机械臂来实施。
虽然移动构件120示出为与喷嘴110直接或间接地耦合，但移动构件120可被配置为相对于喷嘴110移动物体10。例如，移动构件120可被配置为在X轴方向、Y轴方向或Z轴方向上移动支承待处理物体10的支座(未示出)，且可以相对于喷嘴110移动物体10。
喷嘴110利用超音速喷嘴实施且以超音速速率喷射清洁粒子1，该清洁粒子1将在下文描述。超音速喷嘴可通过各种已知文件引用。喷嘴110可定位成朝向待清洁的物体10的表面。污染物20可沉积在物体10上，以形成薄膜。
喷嘴110与主供应管线131连接。主供应管线131与粒子供应管线132及气体供应管线135连接。粒子供应管线132向喷嘴110供应清洁粒子1。清洁粒子储存构件140可设置在粒子供应管线132的端部处。清洁粒子储存构件140可呈漏斗的形式提供。粒子供应管线132可连接到清洁粒子储存构件140的下端。清洁粒子储存构件140可与载体气体供应管线134连接。载体气体供应管线134可向清洁粒子储存构件140供应载体气体。载体气体可携带供应到喷嘴110的清洁粒子。载体气体供应管线134可与载体气体供应150连接。载体气体可以是空气或惰性气体。气体供应管线135将气体供应到喷嘴110。气体供应管线135可与气体供应160连接。主阀131a可与主供应管线131并列设置。第一阀132a可与粒子供应管线132并列设置。第二阀135a可与气体供应管线135并列设置。第三阀134a可与载体气体供应管线134并列设置。加热器138可与载体气体供应管线134并列设置，且可将经供应的载体气体加热到设置温度。主阀131a、第一阀132a、第二阀135a及第三阀134a可仅利用打开阀/关闭阀实施，但也可利用可调节流量率的流量控制阀实施。
虽然未图示出，但流量计可分别与主供应管线131、粒子供应管线132、气体供应管线135及载体气体供应管线134并列设置。
控制器200可控制主阀131a、第一阀132a、第二阀135a、第三阀134a及移动构件120。
清洁粒子1通过喷嘴110以超音速速率喷射。清洁粒子1可作为颗粒或粉末提供。例如，Y2O3、Al2O3、YAG、YSZ或Zr2O3可被选择为清洁粒子1。除了那些列出的之外，清洁粒子1可作为具有与待清洁的物体10的涂布薄膜的硬度值相似的硬度值的粒子提供。关于相似硬度值，当物体10的涂布薄膜为Y2O3时，Al2O3、YAG、YSZ或Zr2O3具有与物体10的涂布薄膜的硬度值相似的硬度值。可选择并可单独供应一种或多种类型的清洁粒子1。当单独提供一种或多种类型的清洁粒子时，可进一步提供连接到主供应管线131以供应不同清洁粒子的附加的供应管线。
清洁粒子1可被粒化而成。表面处理设备可包括使原料粒子粒化的组件。原料粒子的尺寸可为几μm，且通过使原料颗粒粒化所获得的清洁粒子1的尺寸可为几十μm。例如，清洁粒子1的尺寸(大小)可在几μm至100μm的范围内。清洁粒子1的尺寸(大小)可优选地在20μm至50μm的范围内。当原料颗粒被粒化且大小变大时，碰撞能量可能增强。清洁粒子1的大小及形状可根据涂布薄膜及污染物薄膜的硬度来不同地设置。
图3是示出根据本发明构思的实施例的表面处理方法的流程图。将参考图3描述根据实施例的表面处理方法。
根据实施例的表面处理方法包括：拆卸待清洁的部件的步骤(S10)；通过在真空中经由超音速喷嘴110喷射清洁粒子来清洁部件的步骤(S20)；通过向已清洁部件吹扫气体来去除经清洁部件的表面上的灰尘的步骤(S30)；及重新涂布经清洁部件的表面的步骤(S40)。
图4是示出使用根据图2的实施例的表面处理设备清洁部件的表面的步骤的视图。图5是示出使用根据图2的实施例的表面处理设备来向部件的表面吹扫气体的步骤的视图。图6是示出使用根据图2的实施例的表面处理设备来涂布部件的表面的步骤的视图。使用表面处理设备的表面处理方法将与图3一起参考图4至图6以顺序次序描述。
从基材处理设备拆卸待清洁的物体10并将该待清洁的物体10提供给表面处理设备。待清洁的物体10可以是通过使用Y2O3在阳极氧化铝合金基底材料上执行APS涂布而获得的部件。待清洁的物体10可具有根据过程的进展沉积在其上的污染物20。污染物20可以是聚合物基底的污染物。
参考图4，主阀131a、第一阀132a及第三阀134a打开，且第二阀135a关闭。以超音速速率将清洁粒子1喷射在物体10的已污染表面上。清洁粒子1及表面的碰撞能量能够在真空气氛中精细调节。清洁粒子1及污染物20彼此碰撞且污染物20从物体10的表面掉落。
当清洁粒子1的温度或清洁粒子1周围的温度升高时，清洁粒子1的动能可能会增大。因此，可通过控制清洁粒子1的温度或与清洁粒子1一起供应的载体气体的温度来调节清洁力。
参考图5，主阀131a及第二阀135a打开，且第一阀132a及第三阀134a关闭。通过向物体10的经清洁表面吹扫气体来去除残留在物体10的已清洁表面上的灰尘。气体可以是与载体气体相同类型的气体且可以是惰性气体或空气。根据本发明构思的实施例，将具有与涂布薄膜的表面的硬度相似的硬度的粉末而不是诸如氩气或二氧化碳的精细粒子用作清洁粒子1，且因此清洁粒子1在与污染物20碰撞后不会升华。清洁粒子1残留在物体10的表面上的未经升华的残余物及污染物的残余物可通过气体吹扫从物体10的表面去除。经吹扫残余物可经由排气管线(未示出)释放。
参考图6，主阀131a、第一阀132a及第三阀134a打开，且第二阀135a关闭。清洁粒子1喷射在物体10的经清洁表面。在该步骤中，清洁粒子1作为涂布粒子。
通过控制清洁粒子1周围的气氛或载体气体的温度、喷嘴110喷射清洁粒子1时的压力及清洁粒子1的粒径，将清洁粒子1沉积在物体10的经清洁表面上。虽然在图6的实施例中已经描了清洁粒子1作为涂布粒子提供，但涂布粒子可与在清洁过程中使用的清洁粒子不同。如上所述，当经由喷嘴110单独供应两种或更多种类型的粒子时，可进一步提供连接到主供应管线131以供应不同粒子的附加的供应管线。
图7是示出根据本发明构思的各种实施例的部件的经清洁表面的照片。
第一清洁区域、第二清洁区域及第三清洁区域分别在不同条件下被清洁，且确定在所有情况下都存在清洁力。
通过将干净干燥空气(clean dry air；CDA)作为载体气体喷射Y2O3粒子50次来清洁第一清洁区域。以30标准升每分钟(slm)来供应CDA。确定第一清洁区域的涂布厚度减小了10μm。
通过将干净干燥空气(CDA)作为载体气体喷射Y2O3粒子100次来清洁第二清洁区域。以30标准升每分钟(slm)来供应CDA。确定第二清洁区域之涂布厚度减小了12μm。虽然清洁粒子1喷射到第二经清洁区域100次，但确定涂布厚度没有显著减小且仅去除了污染物。
通过将干净干燥空气(CDA)作为载体气体喷射Al2O3粒子50次来清洁第三清洁区域。以30标准升每分钟(slm)来供应CDA。确定第三清洁区域的涂布厚度减小了4μm。
在清洁之后，经清洁表面可将干净干燥空气(CDA)作为载体气体用Y2O3来涂布。例如，涂布粒子可作为具有几μm或更小的粒子的粉末提供，且可以不同的设置其中储存涂布粒子的粒子储存构件及其中储存清洁粒子的粒子储存构件。
与常规研磨清洁方法中的厚度减小相比，根据本发明构思的实施例的厚度减小非常小。例如，在研磨的情况下，涂布厚度减小了20μm，然而在本发明构思的实施例中，图7中第二清洁区域中的涂布厚度减小了12μm。因此，部件的涂布效能可保留更长的时间。此外，根据本发明构思的实施例，通过控制粒子的大小、粒子的类型及喷射速度，经由喷嘴供应的粒子可适用于清洁粒子及涂布粒子。因此，在清洁待清洁的物体的表面之后，能够持续执行沉积，且因此提高生产力。
此外，根据本发明构思的实施例，涂布步骤是在清洁步骤之后执行。因此，可保持对初始涂布薄膜的损失厚度及表面粗糙度的补偿，且因此当安装半导体处理腔室时，可能使受到遭遇初始条件困扰的发生最小化。
如上所述，根据本发明构思的实施例，表面处理设备及方法可以高效地清洁部件。
根据本发明构思的实施例，与相关技术相比，表面处理设备及方法可降低在部件的清洁过程中涂布厚度的减小。
根据本发明构思的实施例，与相关技术相比，表面处理设备及方法可降低在部件的清洁过程中表面平均粗糙度的减小。
根据本发明构思的实施例，表面处理设备及方法可通过清洁部件并持续涂布部件来降低花费在使部件再生上的时间。
根据本发明构思的实施例，表面处理设备及方法可以在不使用诸如酸性化学处理或碱性化学处理的化学处理过程的情况下环境友好地使部件再生。
本发明构思的功效并不限制于前述功效，且本文未提及的任何其他功效可由本发明构思涉及的那些本领域普通技术人员从该说明书及附图中充分理解。
上述描述举例说明本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的实施例，且本发明构思可用于各种其他组合、变化及环境中。即，在不脱离本说明书中揭示的本发明构思的范围、书面公开的等效范围及/或本领域普通技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行改变或修改。书面实施例描述了用于实施本发明构思的技术精神的最佳状态，且可进行本发明构思的特定应用及目的中所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在限制所揭示的实施例状态中的本发明构思。此外，应理解为所附权利要求包括其他实施例。
虽然已经参考实施例描述了本发明构思，但对于本领域普通技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神及范围的情况下可以进行各种改变及修改。因此，应当理解，上述实施例并非限制性的，而是示例性的。

Claims (20)

1.一种表面处理设备，包括：
腔室，在所述腔室中具有处理空间；
排气管线，所述排气管线被配置用于抽空所述处理空间；
支承构件，所述支承构件设置在所述处理空间中且被配置为支承待处理物体；
喷嘴，所述喷嘴被配置为以超音速速率向所述物体喷射粒子或气体；
移动构件，所述移动构件被配置为使所述喷嘴或所述物体相对于彼此移动；以及
主供应管线，所述主供应管线被配置为向所述喷嘴供应第一粒子。
2.根据权利要求1所述的表面处理设备，其中所述第一粒子具有与所述物体的涂布成分相同的成分或硬度与所述物体的所述涂布成分的硬度相似的成分。
3.根据权利要求1所述的表面处理设备，其中所述第一粒子包括Y2O3、Al2O3、YAG、YSZ及Zr2O3中的一者或多者。
4.根据权利要求2或3所述的表面处理设备，其中所述第一粒子由原料粒子粒化而成或以粉末状态提供。
5.根据权利要求4所述的表面处理设备，其中所述第一粒子具有几μm至100μm的大小。
6.根据权利要求1所述的表面处理设备，其中所述第一粒子与载体气体一起供应。
7.根据权利要求1所述的表面处理设备，还包括：
气体供应管线，所述气体供应管线被配置为向所述喷嘴供应所述气体。
8.根据权利要求7所述的表面处理设备，其中所述气体供应管线连接到所述主供应管线，且
其中所述第一粒子经由与所述主供应管线连接的粒子供应管线供应到所述主供应管线。
9.根据权利要求7所述的表面处理设备，还包括：
控制器，
其中所述控制器执行控制以经由所述喷嘴以超音速速率喷射所述第一粒子。
10.根据权利要求8所述的表面处理设备，还包括：
控制器，
其中所述控制器：
执行控制以经由所述喷嘴以超音速速率喷射所述第一粒子且使所述物体或所述喷嘴相对于彼此移动，使得通过所述第一粒子与所述物体的表面上的污染物的碰撞从所述物体的表面去除所述污染物；及
停止所述第一粒子的供应且执行控制以经由所述喷嘴喷射所述气体以吹扫残留在所述物体的所述表面上的残余物。
11.根据权利要求1所述的表面处理设备，还包括：
控制器，
其中所述主供应管线被配置为向所述喷嘴另外供应与所述第一粒子相同或不同的第二粒子，且
其中所述控制器：
执行控制以经由所述喷嘴以超音速速率喷射所述第一粒子且使所述物体或所述喷嘴相对于彼此移动，使得通过所述第一粒子与所述物体的所述表面上的污染物的碰撞从所述物体的表面去除所述污染物；
停止所述第一粒子的供应且执行控制以经由所述喷嘴喷射所述气体以吹扫残留在所述物体的表面上的残余物；及
执行控制以经由所述喷嘴喷射所述第二粒子以利用所述第二粒子涂布所述物体的所述表面。
12.根据权利要求1所述的表面处理设备，其中所述物体是设置在用于处理诸如晶圆等基材的设备中的部件且由涂布有Y2O3的铝材料形成。
13.一种用于处理待处理物体的表面的方法，其中设置在用于处理诸如晶圆等基材的设备中且被污染的部件作为所述待处理物体，所述方法包括：
在其中设置有所述物体的气氛中形成真空；及
通过第一粒子以超音速速率与所述物体的表面上的污染物碰撞来清洁所述物体的所述表面。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一粒子具有与所述物体的涂布成分相同的成分或硬度与所述物体的所述涂布成分的硬度相似的成分。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一粒子包括Y2O3、Al2O3、YAG、YSZ及Zr2O3中的一者或多者。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其中所述第一粒子由原料粒子粒化而成或以粉末状态提供。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一粒子具有几μm至100μm的大小。
18.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一粒子与载体气体一起供应。
19.根据权利要求13所述的方法，还包括以下步骤：
在清洁所述物体的所述表面之后停止所述第一粒子的供应，并且通过向所述物体的经清洁表面吹扫气体来去除残留在所述物体的所述表面上的残余物。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括：
在去除残留在所述物体的所述表面上的所述残余物之后，通过与所述第一粒子相同或不同的第二粒子与所述物体的所述表面的碰撞，用所述第二粒子涂布所述物体的所述表面。
CN202111271116.5A 2020-10-30 2021-10-29 表面处理设备及表面处理方法 Pending CN114433561A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200143563A KR102649715B1 (ko) 2020-10-30 2020-10-30 표면 처리 장치 및 표면 처리 방법
KR10-2020-0143563 2020-10-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114433561A true CN114433561A (zh) 2022-05-06

Family

ID=81362713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111271116.5A Pending CN114433561A (zh) 2020-10-30 2021-10-29 表面处理设备及表面处理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11866819B2 (zh)
JP (1) JP7261280B2 (zh)
KR (1) KR102649715B1 (zh)
CN (1) CN114433561A (zh)
TW (1) TWI818336B (zh)

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0854024A2 (en) * 1997-01-20 1998-07-22 Agency of Industrial Science and Technology of Ministry of International Trade and Industry Thin-film fabrication method and apparatus
WO2001000336A1 (fr) * 1999-06-24 2001-01-04 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Procede et dispositif de lavage par pulverisation d'un fluide
KR20020076474A (ko) * 2001-03-28 2002-10-11 삼성전자 주식회사 표면으로부터 오염물을 제거하는 세정 장비 및 이를이용한 세정 방법
WO2005089107A2 (en) * 2004-01-08 2005-09-29 University Of Virginia Patent Foundation Apparatus and method for applying coatings onto the interior surfaces of components and related structures produced therefrom
US20110104369A1 (en) * 2008-07-24 2011-05-05 Ok Ryul Kim Apparatus and method for continuous powder coating
JP2012136757A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Canon Anelva Corp 真空装置用部品および、それを備えた成膜装置
US20120247670A1 (en) * 2011-03-31 2012-10-04 Iwatani Corporation Substrate cleaning apparatus and vacuum processing system
WO2015022732A1 (ja) * 2013-08-13 2015-02-19 株式会社ユーテック ノズル、洗浄装置及び洗浄方法
US20150068560A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-12 Tel Fsi, Inc. Apparatus and method for scanning an object through a fluid spray
KR20170044396A (ko) * 2015-10-15 2017-04-25 아이원스 주식회사 반도체 공정 장비 부품의 코팅층 재생 방법 및 이에 따른 반도체 공정 장비 부품
WO2017098823A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
CN108292598A (zh) * 2015-11-30 2018-07-17 东京毅力科创株式会社 基板处理装置的腔室清洁方法
WO2019057310A1 (en) * 2017-09-25 2019-03-28 Applied Materials, Inc. SYSTEM FOR CLEANING A VACUUM CHAMBER, METHOD FOR CLEANING A VACUUM CHAMBER, AND USE OF A COMPRESSOR FOR CLEANING A VACUUM CHAMBER
WO2020110858A1 (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置
JP2020141128A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 Toto株式会社 半導体製造装置用部材および半導体製造装置用部材を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3212914A (en) * 1961-05-23 1965-10-19 Union Carbide Corp Electric pulse coating process and apparatus
US3745034A (en) * 1970-08-14 1973-07-10 Nat Steel Corp Electrostatic coating of metal powder on metal strip
US4025664A (en) * 1974-01-02 1977-05-24 Eppco Container coating method
US4411935A (en) * 1981-11-02 1983-10-25 Anderson James Y Powder flame spraying apparatus and method
JPH0419070A (ja) 1990-05-11 1992-01-23 Sony Corp パウダービームエッチングとデポジションの方法及びその装置
CA2055897C (en) * 1990-11-21 1997-08-26 Larry Sokol Chamber for applying a thermal spray coating and method of using the same
US5931721A (en) 1994-11-07 1999-08-03 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Aerosol surface processing
DE19548607A1 (de) * 1995-12-23 1997-06-26 Gema Volstatic Ag Pulver-Sprühbeschichtungsvorrichtung
JPH09299889A (ja) * 1996-05-09 1997-11-25 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 洗浄装置
JPH10223587A (ja) 1997-01-31 1998-08-21 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd ウェーハの洗浄装置
JP3790627B2 (ja) 1998-02-13 2006-06-28 住友重機械工業株式会社 表面洗浄方法及び装置
JP2963993B1 (ja) * 1998-07-24 1999-10-18 工業技術院長 超微粒子成膜法
US7108894B2 (en) * 1998-09-30 2006-09-19 Optomec Design Company Direct Write™ System
US6368658B1 (en) * 1999-04-19 2002-04-09 Scimed Life Systems, Inc. Coating medical devices using air suspension
US6730349B2 (en) * 1999-04-19 2004-05-04 Scimed Life Systems, Inc. Mechanical and acoustical suspension coating of medical implants
KR100328640B1 (ko) 1999-06-21 2002-03-20 오자와 미토시 표면세정방법 및 장치
KR100359339B1 (ko) 1999-12-28 2002-11-01 (주)케이.씨.텍 반도체 장비 세정 장치 및 방법
US7255934B2 (en) * 2000-10-23 2007-08-14 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Composite structure body and method and apparatus for manufacturing thereof
US6915964B2 (en) * 2001-04-24 2005-07-12 Innovative Technology, Inc. System and process for solid-state deposition and consolidation of high velocity powder particles using thermal plastic deformation
US7247338B2 (en) * 2001-05-16 2007-07-24 Regents Of The University Of Minnesota Coating medical devices
WO2003000397A1 (fr) * 2001-06-22 2003-01-03 Kabushiki Kaisha Powrex Dispositif de traitement de particules de poudre
DE60335394D1 (de) * 2002-10-09 2011-01-27 Nat Inst For Materials Science Verfahren zur herstellung eines metall berzugs mit einer hvof-spritzpistole und vorrichtung zum thermischen spritzen
JP2004200476A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Canon Inc 圧電素子の製造方法
DE20305947U1 (de) * 2003-04-11 2003-06-18 Wagner Ag Altstaetten J Vorrichtung zur Reinigung einer Pulverbeschichtungskabine und Pulverbeschichtungskabine mit Reinigungsvorrichtung
JP4202856B2 (ja) * 2003-07-25 2008-12-24 東京エレクトロン株式会社 ガス反応装置
US20050126476A1 (en) * 2003-11-05 2005-06-16 Nordson Corporation Improved particulate material application system
US7128948B2 (en) * 2003-10-20 2006-10-31 The Boeing Company Sprayed preforms for forming structural members
US7226510B2 (en) * 2003-10-27 2007-06-05 Fujifilm Corporation Film forming apparatus
US7488389B2 (en) * 2004-03-26 2009-02-10 Fujifilm Corporation Nozzle device, film forming apparatus and method using the same, inorganic electroluminescence device, inkjet head, and ultrasonic transducer array
US7220456B2 (en) * 2004-03-31 2007-05-22 Eastman Kodak Company Process for the selective deposition of particulate material
US20060040048A1 (en) * 2004-08-23 2006-02-23 Taeyoung Han Continuous in-line manufacturing process for high speed coating deposition via a kinetic spray process
JP3784404B1 (ja) * 2004-11-24 2006-06-14 株式会社神戸製鋼所 溶射ノズル装置およびそれを用いた溶射装置
JP4664054B2 (ja) * 2004-12-09 2011-04-06 富士フイルム株式会社 成膜装置
JP4931381B2 (ja) 2005-02-08 2012-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置，基板処理装置の制御方法，プログラム
JP2007016288A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Toyota Motor Corp 軸受材被覆摺動部材の製造方法及び軸受材被覆摺動部材
JP4813115B2 (ja) * 2005-07-14 2011-11-09 国立大学法人東北大学 半導体製造装置用部材及びその洗浄方法
ATE552917T1 (de) * 2005-08-24 2012-04-15 Brother Ind Ltd Vorrichtung und verfahren zur erzeugung von schichten
EP1757373B1 (en) * 2005-08-24 2012-04-11 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus, film forming method and method for manufacturing piezoelectric actuator
JP4120991B2 (ja) 2005-09-05 2008-07-16 福岡県 洗浄ノズル及びそれを用いた洗浄方法
DE102005060754A1 (de) * 2005-12-16 2007-07-05 Kronotec Ag Verfahren und Anlage zum Aufbringen fester Partikel auf ein Substrat
WO2007089881A2 (en) * 2006-01-31 2007-08-09 Regents Of The University Of Minnesota Electrospray coating of objects
US9248217B2 (en) * 2006-01-31 2016-02-02 Nanocopocia, LLC Nanoparticle coating of surfaces
US20070190261A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Ronald Darnell Overspray apparatus and process
JP5159634B2 (ja) * 2006-12-07 2013-03-06 独立行政法人物質・材料研究機構 ウォームスプレーコーティング方法とその粒子
JP4586823B2 (ja) * 2007-06-21 2010-11-24 トヨタ自動車株式会社 成膜方法、伝熱部材、パワーモジュール、車両用インバータ、及び車両
US8636846B2 (en) * 2007-06-29 2014-01-28 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Aerosol-generating apparatus, film-forming apparatus, and aerosol-generating method
JP5293989B2 (ja) * 2007-07-24 2013-09-18 ノードソン株式会社 少量液体の噴霧装置
DE102007040154A1 (de) * 2007-08-24 2009-05-07 Dürr Systems GmbH Verfahren zur Versorgung einer Beschichtungsanlage mit einem partikelförmigen Hilfsmaterial
KR20090050707A (ko) 2007-11-16 2009-05-20 포항공과대학교 산학협력단 초음속 노즐을 이용한 나노입자 세정장치 및 그 세정방법
JP4965479B2 (ja) * 2008-02-15 2012-07-04 株式会社アルバック スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットの洗浄方法
US8349398B2 (en) * 2008-06-02 2013-01-08 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Normal pressure aerosol spray apparatus and method of forming a film using the same
KR101038187B1 (ko) * 2008-11-05 2011-06-01 주식회사 펨빅스 온도조절장치가 구비된 고상파우더 진공증착장치 및 고상파우더 진공증착방법
WO2010013304A1 (ja) * 2008-07-28 2010-02-04 タマティーエルオー株式会社 物理蒸着装置及び物理蒸着方法
US8246903B2 (en) * 2008-09-09 2012-08-21 H.C. Starck Inc. Dynamic dehydriding of refractory metal powders
US8192799B2 (en) * 2008-12-03 2012-06-05 Asb Industries, Inc. Spray nozzle assembly for gas dynamic cold spray and method of coating a substrate with a high temperature coating
JP2010192673A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム及びコンピュータ読取可能な記憶媒体
WO2011044451A2 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
CN102189753B (zh) * 2010-03-15 2015-03-18 海德堡印刷机械股份公司 用于对印刷页张撒布粉末的设备
US8795762B2 (en) * 2010-03-26 2014-08-05 Battelle Memorial Institute System and method for enhanced electrostatic deposition and surface coatings
US8389066B2 (en) 2010-04-13 2013-03-05 Vln Advanced Technologies, Inc. Apparatus and method for prepping a surface using a coating particle entrained in a pulsed waterjet or airjet
JP5186528B2 (ja) * 2010-04-23 2013-04-17 日本発條株式会社 導電部材及びその製造方法
JP5666167B2 (ja) * 2010-05-07 2015-02-12 日本発條株式会社 ステージヒータ及びシャフトの製造方法
JP5162621B2 (ja) * 2010-05-07 2013-03-13 日本発條株式会社 温度調節装置、冷却装置、及び温度調節装置の製造方法
JP5463224B2 (ja) * 2010-07-09 2014-04-09 日本発條株式会社 流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレート
CN103180490A (zh) * 2010-11-02 2013-06-26 日本碍子株式会社 晶体制造方法
JP5191527B2 (ja) * 2010-11-19 2013-05-08 日本発條株式会社 積層体および積層体の製造方法
JP5712054B2 (ja) * 2011-05-31 2015-05-07 日本発條株式会社 シャフト付きヒータユニットおよびシャフト付きヒータユニットの製造方法
JP5548167B2 (ja) * 2011-07-11 2014-07-16 日本発條株式会社 積層体及び積層体の製造方法
US9555473B2 (en) * 2011-10-08 2017-01-31 The Boeing Company System and method for increasing the bulk density of metal powder
GB201118698D0 (en) * 2011-10-28 2011-12-14 Laser Fusion Technologies Ltd Deposition of coatings on subtrates
US20130126773A1 (en) * 2011-11-17 2013-05-23 General Electric Company Coating methods and coated articles
JP5840959B2 (ja) * 2012-01-16 2016-01-06 エムテックスマート株式会社 塗布方法及び装置
KR101439168B1 (ko) 2012-09-19 2014-09-12 우범제 웨이퍼 상에 잔존하는 공정가스를 제거하는 웨이퍼 퍼징 카세트를 갖춘 웨이퍼 처리장치
JP5941818B2 (ja) 2012-10-10 2016-06-29 日本発條株式会社 成膜方法及び成膜装置
US20160047029A1 (en) * 2013-03-15 2016-02-18 Aeromet Technologies, Inc. Method and Apparatus for Depositing Protective Coatings and Components Coated Thereby
JP6162333B2 (ja) * 2013-07-11 2017-07-12 ぺムヴィックス コーポレーションFemvix Corp. 固相パウダーコーティング装置及びコーティング方法
US9433957B2 (en) * 2014-01-08 2016-09-06 United Technologies Corporation Cold spray systems with in-situ powder manufacturing
WO2015157816A1 (en) * 2014-04-15 2015-10-22 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Process for producing a preform using cold spray
KR101559112B1 (ko) 2014-05-13 2015-10-13 주식회사 펨빅스 공정부품 표면의 세라믹 코팅막 및 이의 형성방법
JP6511858B2 (ja) * 2015-02-27 2019-05-15 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送室
US10328441B2 (en) * 2016-04-29 2019-06-25 Semes Co., Ltd. Nozzle unit and coating apparatus including the same
US20180311707A1 (en) 2017-05-01 2018-11-01 Lam Research Corporation In situ clean using high vapor pressure aerosols
KR102054428B1 (ko) * 2017-05-19 2019-12-10 한국에너지기술연구원 촉매 제조장치 및 시스템
EP3552715B1 (de) * 2018-04-12 2021-02-17 Wagner International Ag Pulverbeschichtungsanlage mit kupplung und verfahren zum reinigen der pulverbeschichtungsanlage

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0854024A2 (en) * 1997-01-20 1998-07-22 Agency of Industrial Science and Technology of Ministry of International Trade and Industry Thin-film fabrication method and apparatus
WO2001000336A1 (fr) * 1999-06-24 2001-01-04 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Procede et dispositif de lavage par pulverisation d'un fluide
KR20020076474A (ko) * 2001-03-28 2002-10-11 삼성전자 주식회사 표면으로부터 오염물을 제거하는 세정 장비 및 이를이용한 세정 방법
WO2005089107A2 (en) * 2004-01-08 2005-09-29 University Of Virginia Patent Foundation Apparatus and method for applying coatings onto the interior surfaces of components and related structures produced therefrom
US20110104369A1 (en) * 2008-07-24 2011-05-05 Ok Ryul Kim Apparatus and method for continuous powder coating
JP2012136757A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Canon Anelva Corp 真空装置用部品および、それを備えた成膜装置
US20120247670A1 (en) * 2011-03-31 2012-10-04 Iwatani Corporation Substrate cleaning apparatus and vacuum processing system
WO2015022732A1 (ja) * 2013-08-13 2015-02-19 株式会社ユーテック ノズル、洗浄装置及び洗浄方法
US20150068560A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-12 Tel Fsi, Inc. Apparatus and method for scanning an object through a fluid spray
KR20170044396A (ko) * 2015-10-15 2017-04-25 아이원스 주식회사 반도체 공정 장비 부품의 코팅층 재생 방법 및 이에 따른 반도체 공정 장비 부품
CN108292598A (zh) * 2015-11-30 2018-07-17 东京毅力科创株式会社 基板处理装置的腔室清洁方法
WO2017098823A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
WO2019057310A1 (en) * 2017-09-25 2019-03-28 Applied Materials, Inc. SYSTEM FOR CLEANING A VACUUM CHAMBER, METHOD FOR CLEANING A VACUUM CHAMBER, AND USE OF A COMPRESSOR FOR CLEANING A VACUUM CHAMBER
WO2020110858A1 (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置
JP2020141128A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 Toto株式会社 半導体製造装置用部材および半導体製造装置用部材を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11866819B2 (en) 2024-01-09
TW202216314A (zh) 2022-05-01
JP2022074074A (ja) 2022-05-17
TWI818336B (zh) 2023-10-11
US20220136100A1 (en) 2022-05-05
KR102649715B1 (ko) 2024-03-21
JP7261280B2 (ja) 2023-04-19
KR20220058142A (ko) 2022-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5660640A (en) Method of removing sputter deposition from components of vacuum deposition equipment
US8292698B1 (en) On-line chamber cleaning using dry ice blasting
JP6162417B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3228644B2 (ja) 真空処理装置用素材及びその製造方法
KR20160084386A (ko) 반도체 제조 컴포넌트들을 위한 고순도 금속성 탑 코트
KR100945315B1 (ko) 플라즈마 처리 용기의 재생 방법, 플라즈마 처리 용기내부 부재, 플라즈마 처리 용기 내부 부재의 제조 방법,및 플라즈마 처리 장치
KR100913847B1 (ko) 기판 탑재대의 제조 방법
KR20100011576A (ko) 내 플라즈마성 갖는 세라믹 코팅체
TWI428987B (zh) Film Forming Method and Memory Media of Titanium (Ti) Membrane
US20060124155A1 (en) Technique for reducing backside particles
WO2009116588A1 (ja) 表面処理方法、シャワーヘッド部、処理容器及びこれらを用いた処理装置
JP2007332462A (ja) プラズマ処理装置の再生方法，プラズマ処理容器内部材，プラズマ処理容器内部材の製造方法及びプラズマ処理装置
JP2013518177A (ja) コーティング設備の洗浄方法
CN114433561A (zh) 表面处理设备及表面处理方法
KR20080055645A (ko) 기판 탑재대, 기판 탑재대의 제조 방법, 기판 처리 장치,유체 공급기구
WO2023208255A1 (zh) 一种颗粒污染物的清洗方法
US11124659B2 (en) Method to selectively pattern a surface for plasma resistant coat applications
US20210265137A1 (en) Reconditioning of reactive process chamber components for reduced surface oxidation
JP7191558B2 (ja) 成膜装置および成膜方法、クリーニング方法
JP2000246198A (ja) 治具表面の付着物剥離除去および洗浄方法
CN114585454A (zh) 基片清洗装置和基片清洗方法
CN217222765U (zh) 一种用于清洗颗粒污染物的清洗装置及生产系统
WO2018030236A1 (ja) 付着物除去方法
TW201808480A (zh) 附著物去除方法
TW476986B (en) Process for cleaning ceramic articles

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination