WO2009116588A1 - 表面処理方法、シャワーヘッド部、処理容器及びこれらを用いた処理装置 - Google Patents

Abstract

　本発明方法は、シャワーヘッドおよび処理容器等の金属母材の表面に、非昇華性材料よりなるブラスト材（例えばアルミナ）を用いてブラスト処理を行う第１のブラスト工程と、前記第１のブラスト工程が行われた前記金属母材の表面に、昇華性材料よりなるブラスト材（例えばドライアイス）を用いてブラスト処理を行う第２のブラスト工程と、を備える。第１のブラスト工程により金属母材の表面を適度に粗面化することにより成膜処理中に生じた付着膜の剥離を生じ難くして、付着膜に由来するパーティクルの発生を防止するとともに、第２のブラスト工程により金属母材の表面に付着している非昇華性ブラスト材の残渣をほぼ確実に除去し、金属母材から脱落する非昇華性ブラスト材の残渣に由来するパーティクルの発生を防止する。

Description

表面処理方法、シャワーヘッド部、処理容器及びこれらを用いた処理装置

　本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対して所定の処理を施すための処理装置、これに用いるシャワーヘッド部、処理容器及び表面処理方法に関する。

　一般に、半導体集積回路等の半導体装置を製造するためには、シリコン基板等よりなる半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、アニール処理、拡散処理等の各種の処理が繰り返し行われる。

　上記の各種の処理の一つである成膜処理を行う成膜装置においては、真空排気可能になされた処理容器内に設けた載置台上に半導体ウエハが載置され、この載置台に対向する天井部に設けたシャワーヘッド部から処理容器内に所定の成膜ガスが流され、所定の温度に維持されたウエハ上に薄膜が形成される（特開平１１－１８６１９７号公報、特開２００４－２３２０８０号公報等を参照）。

　上記薄膜は、半導体ウエハの表面に堆積するだけでなく、処理容器の内面やシャワーヘッド部の表面等にも不要な付着膜として不可避的に堆積する。上記不要な付着膜が剥がれ落ちて製品歩留まりの低下の原因となるパーティクルが発生することを防止するために、定期的に或いは不定期的に必要に応じて、上記不要な付着膜を除去するクリーニング処理が行われる。

　また、不要な付着膜が容易には剥がれ落ちないようにするために、付着膜の密着性を高めるための処理も行われている。特開２００２－１１５０６８号公報は、シャワーヘッド部の表面にアルミナ溶射を行って前記表面を粗面化する（微小な凹凸を形成する）ことにより、アンカー（Anchor）効果によって付着膜の剥離を防止する技術を開示している。

　特開２００２－１１５０６８号公報には、シャワーヘッド部の表面にアルミナブラスト処理を施すことにより前記表面を粗面化する技術も検討された旨が記載されている。当該文献には、ブラスト処理により表面を粗面化することにより、シャワーヘッド部の表面が機械加工面である場合と比較すれば、パーティクルの発生をある程度は抑制することができることが記載されている。しかしながら、ブラスト処理により得られるパーティクルの抑制効果は、近年のパーティクルレベルの要求を十分に満足しているとは言い難い。特開２００２－１１５０６８号公報には、アルミナブラストによるパーティクル抑制効果はアルミナ溶射によるパーティクル抑制効果よりも劣る旨が記載されている。さらに当該文献では、その原因として、アルミナブラスト処理によって表面にミクロ的な鋭利な突起が生じ、突起の部分における応力集中により付着膜にクラックが生じて付着膜が剥離するのではないかと推定している。

　しかしながら、アルミナ溶射が粗面化のための最善の方法とは言い難い。アルミナ溶射により部品製造コストは増大するし、アルミナ溶射粒子が脱落してパーティクルとなるおそれもあるからである。従って、ブラスト処理の改善により十分に満足できるパーティクルの抑制が達成されるのであれば、その方がむしろ好ましい。

発明の概要

　本発明は、上記の状況を考慮してなされたものであり、パーティクルの発生を抑制することができる改善されたブラスト(blasting)処理技術により特徴付けられる表面処理方法を提供することを目的としている。さらに本発明は、上記表面処理方法が適用された部品および当該部品を備えた処理装置を提供することを目的としている。

　発明者らの研究の結果、アルミナブラスト処理を行った部材（例えばシャワーヘッド）の表面にはかなりの量のアルミナ粒子（ブラスト材の残渣）が残留し、このブラスト材の残差が装置運転時の温度上昇に伴う母材（シャワーヘッド材料）の熱膨張により脱落して、パーティクルとなっていることが分かった。一般的にはアルミナブラスト処理を行った後には、超音波洗浄、ブラシ洗浄等の洗浄が行われるが、このような洗浄は母材に突き刺さった粒子を除去するには不十分であることがわかった。そして、本発明者は、アルミナ粒子等の硬質非昇華性材料による第１のブラスト処理の後、昇華性材料粒子特にドライアイス粒子をブラスト材とする第２のブラスト処理を行うことにより、第１のブラスト処理後に母材上に残留するブラスト材の残渣を効率良く除去して、ブラスト材の残渣に由来するパーティクルを激減させることを見いだした。好都合なことに、第２のブラスト処理で用いるブラスト材は昇華して消失するため、第２のブラスト処理のブラスト材の残渣が母材の表面に残留することはない。また、第１のブラスト処理に用いられるブラスト材よりも一般的に柔らかいブラスト材を用いて実行される第２のブラスト処理によれば、第１のブラスト処理により得られた面粗さを大きく損なうことなく、特開２００２－１１５０６８号公報に記載されているような母材表面のミクロ的な突起の鋭利さを緩和できるものと考えられる。従って、付着膜の剥離に起因するパーティクルの発生も防止することができると考えられる。すなわち、第１のブラスト処理と第２のブラスト処理との組み合わせにより生じる相乗効果により、パーティクルを大幅に抑制することができるものと考えられる。

　本発明は上記の知見に基づきなされたものである。すなわち、本発明によれば、金属母材に所定の表面処理を施す表面処理方法において、前記金属母材の表面に、非昇華性材料よりなる非昇華性ブラスト材を用いてブラスト処理を行う第１のブラスト工程と、前記第１のブラスト工程が行われた前記金属母材の表面に、昇華性材料よりなる昇華性ブラスト材を用いてブラスト処理を行う第２のブラスト工程と、を備えた表面処理方法が提供される。

　前記第２のブラスト工程が行われた前記金属母材の表面を洗浄する洗浄工程を設けてもよい。

　前記非昇華性ブラスト材は、セラミック材、樹脂、金属酸化物および石英よりなる群から選択される１の材料とすることができる。この場合、前記セラミック材は、アルミナ（Ａｌ_２ Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）およびシリコンカーバイト（ＳｉＣ）よりなる群から選択することができる。また、前記金属酸化物は、ＺｒＯ_２またはＴｉＯ_２ とすることができる。

　前記昇華性ブラスト材は、ドライアイスとすることができる。

　前記金属母材は、被処理体に対して所定の処理を行うための処理装置に用いられるシャワーヘッド部とすることができる。前記金属母材は、被処理体に対して所定の処理を行うための処理装置に用いられる処理容器とすることができる。

　前記第１及び第２のブラスト工程は、それぞれ前記金属母材の表面の選択された領域のみに対して行うことができる。

　一実施形態において、前記金属母材は、被処理体に対して所定の処理を行うための処理装置に用いられるシャワーヘッド部であり、前記第１及び第２のブラスト工程は、前記シャワーヘッド部に設けたガス噴射孔の周辺部の領域のみに対して選択的に行われる。

　さらに本発明によれば、上記の表面処理方法が施されたシャワーヘッド部および処理容器が提供される。

　さらに本発明によれば、上記の表面処理が施された処理容器と、上記の表面処理が施されたシャワーヘッド部と、前記処理容器内に設けられて前記被処理体を載置するための載置台と、前記処理容器内の雰囲気を排気するための排気系とを備えた処理装置が提供される。

本発明に係る表面処理方法を施した金属母材を用いた処理装置の一例を示す概略構成図である。 本発明の表面処理方法の流れを示す模式図である。 本発明の表面処理方法の流れを示すフローチャートである。 昇華性ブラスト材によるブラスト処理の評価を説明するための電子顕微鏡写真である。 本発明方法と従来方法により製造したシャワーヘッド部を用いた処理装置におけるパーティクルの評価を説明するための図である。 本発明方法の変形実施形態を説明するための図である。

発明を実施するための形態

　以下に、本発明の好適な実施形態について添付図面を参照して詳述する。まず、最初に、本発明の表面処理方法を施した金属母材と、当該金属母材を備えた処理装置について説明する。以下に説明される例示的な実施形態において、金属母材は、シャワーヘッド部および処理容器であり、これら２つの部材のうちの少なくとも一方の部材に対して本発明の表面処理を施すことできる。

　図１は本発明に係る表面処理方法を施した金属母材を用いた処理装置の一例を示す概略構成図である。図２は本発明の表面処理方法の流れを示す模式図である。図３は本発明の表面処理方法の流れを示すフローチャートである。ここでは、処理装置としてはプラズマを用いてＴｉ膜の成膜処理を行う成膜装置を例にとって説明するが、これに限定されないのは勿論である。

　図１に示すように、この処理装置２は、ニッケル若しくはニッケル合金またはアルミニウム若しくはアルミニウム合金等の金属材料からなる筒体状の処理容器４を有している。処理容器４は接地されている。処理容器４は、その内面に後述する本発明の表面処理方法が施される金属母材である。処理容器４内には、容器底部から起立する支柱６により支持された例えば窒化アルミニウム等のセラミック材からなる載置台８が設けられている。載置台８の上面にはウエハＷが載置される。

　載置台８内には、モリブデン線からなるヒータすなわち加熱手段１０が埋め込まれており、上記ウエハＷを所定の温度に加熱できるようになっている。さらに載置台８内には、加熱手段１０の上方に、メッシュ状の導電部材１２が埋め込まれている。導電部材１２は図示しない配線により接地されており、載置台８がプラズマ発生用の下部電極（グランド電極）として機能できるように構成されている。下部電極にバイアス用の高周波電圧を印加するように構成してもよい。載置台８の下方には、ウエハＷを搬出入する際に上昇してウエハＷを下側より突き上げて支持するリフタピン（図示せず）が設けられている。

　処理容器４の底部には排気口１４が形成されている。排気口１４には真空ポンプおよび圧力調整弁等を含む排気系１６が接続されており、処理容器４内の雰囲気を真空引きして所定の圧力に維持できるようになっている。

　処理容器４の側壁には、ウエハＷを搬出入できる大きさの開口１８が形成されており、この開口１８にゲートバルブＧが設けられている。更に、処理容器４の天井部は開口されており、この開口部分に絶縁部材２０を介してガス導入手段として例えばシャワーヘッド部２２が気密に装着されている。シャワーヘッド部２２は、ニッケル若しくはニッケル合金またはアルミニウム若しくはアルミニウム合金等の金属材料により構成される。シャワーヘッド部２２は、上部電極としての機能も有する。シャワーヘッド部２２内には、拡散室２４が形成されている。

　シャワーヘッド部２２の下面のガス噴射面２８には、上記拡散室２４に連通された多数のガス噴射孔３０が形成されており、処理容器４内の処理空間Ｓへ所望のガスを導入できるようになっている。シャワーヘッド部２２、特にその下面のガス噴射面２８は、本発明の表面処理方法が施される金属母材である。

　シャワーヘッド部２２の上部にはガス導入口３２が形成されている。ガス導入口３２から所定のガス、ここでＴｉＣｌ_４ 、Ｈ_２ 、Ａｒガスがそれぞれ流量制御されつつシャワーヘッド部２２内に導入され、これらのガスは拡散室２４内で拡散されて、ガス噴射孔３０からウエハＷの上方の処理空間Ｓに均一に噴射される。なお、拡散室は１つに限定されず、使用するガス種によっては拡散室を２以上設けてもよい。この場合、別々のガス導入口から導入した異なるガスを個別に処理空間Ｓに噴射することもできる。

　シャワーヘッド部２２には、マッチング回路３４およびプラズマ生成用の高周波電源３６（例えば周波数４５０ｋＨｚ）等が介設された給電ライン３８が接続されており、上部電極であるシャワーヘッド部２２と下部電極である載置台８との間にプラズマを生成することができるようになっている。処理容器４内の処理空間Ｓで処理ガスとしてＴｉＣｌ_４ 、Ｈ_２ およびＡｒを供給するとともに高周波電力によりプラズマを生成し、かつウエハＷを加熱手段１０により所定の温度に加熱することにより、プラズマアシストＣＶＤによりウエハＷの表面にＴｉ膜を成膜できるようになっている。

［表面処理方法］
　以上のように構成された処理装置２の処理容器４及びシャワーヘッド部２２に対して、上述したように本発明の表面処理方法が施されている。以下にその表面処理方法について説明する。図２及び図３に示すように、ここでは処理容器４およびシャワーヘッド部２２が金属母材４０となり、本発明の表面処理方法が実施される。

　この表面処理方法は、金属母材４０の表面に、非昇華性材料よりなる非昇華性ブラスト材を用いて第１のブラスト処理を行う第１のブラスト工程（Ｓ１，図２（Ａ）参照）と、上記第１のブラスト工程が行われた上記金属母材４０の表面に、昇華性材料よりなる昇華性ブラスト材を用いて第２のブラスト処理を行う第２のブラスト工程（Ｓ２，図２（Ｂ）参照）とを有している。ここで、「非昇華性材料」とは、表面処理を行なう間、もしくは表面処理後の温度・圧力条件において昇華しない材料を意味し、「昇華性材料」とは、表面処理を行なう間、もしくは表面処理後の温度・圧力条件において昇華する材料を指す。好ましくは、第２のブラスト工程の後に、第２のブラスト処理が施された金属母材４０の表面を洗浄する洗浄工程を行う（Ｓ３，図２（Ｃ）参照）。

　上記第１のブラスト工程においては、非昇華性ブラスト材として、例えばセラミック材であるアルミナ（Ａｌ_２ Ｏ_３）を用いることができる。アルミナの微細粒子からなるブラスト材を、エアーブラスト機を用いて圧縮空気により噴射することにより第１のブラスト工程を行うことができる。

　この場合、ブラスト材の粒径は、♯２２０～♯２０の範囲のものを用いることができる。ここで♯（メッシュ）は、ティラー（Tyler）による粒体の粒の粗さを示す単位である。処理容器４を金属母材４０として用いた場合には、この処理容器４の内面全体に対してブラスト処理を行うことが好ましい。また上記シャワーヘッド部２２を金属母材４０として用いた場合には、シャワーヘッド部２２のガス噴射面２８に対してブラスト処理を行うことが好ましく、シャワーヘッド部２２が処理空間Ｓに晒される表面全面に対してブラスト処理を行うことがより好ましい。

　これにより、金属母材４０の表面は略均一に粗面化されて、当該表面に微細な凹凸が形成される。金属母材４０の表面の表面粗さＲａ（JIS B 0601-1994で定義される算術平均粗さ）は、１．０～２．０μｍ程度とすることが好ましい。
　なお、非昇華性ブラスト材は、アルミナに限定されず、セラミック材、樹脂、金属酸化物および石英から選択することができる。上記セラミック材は、アルミナ（Ａｌ_２ Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）から選択することができる。上記金属酸化物は、ＺｒＯ_２ およびＴｉＯ_２ から選択することができる。

　上記第２のブラスト工程においては、昇華性ブラスト材として、例えばドライアイスを用いることができる。ドライアイス微細粒子からなるブラスト材を、例えばエアーブラスト機を用いて圧縮空気により噴射することに第２のブラスト工程を行うことができる。

　第２のブラスト処理は、少なくとも第１のブラスト処理が行われた表面全体に対して行う。第２のブラスト処理を行うことにより、先の第１のブラスト処理を行った時に金属母材４０の表面に付着した剥がれ落ち難い非昇華性ブラスト材、すなわちアルミナのブラスト材をほぼ確実に除去することができる。
　アルミナを用いたブラスト処理を行った後は、前述したように超音波洗浄等を行ってブラスト面に付着している残渣を取り除くのが一般的である。しかしながら、超音波洗浄ではブラスト面に浅く突き刺さっている残渣を除去することは容易であるが、深く突き刺さっている残渣を除去することは困難である。

　これに対して本発明方法では、アルミナを用いたブラスト処理後に、ドライアイスを用いたブラスト処理を施すことにより、超音波洗浄では除去できない深く突き刺さった残渣も容易に除去することができる。なお、非常に深く突き刺さった残渣は、ドライアイスを用いたブラスト処理によっても除去することはできないが、このような残渣は金属母材４０がウエハ処理時に高温になっても金属母材４０表面から抜け落ちることは殆ど無いため、パーティクルの問題が生ずることがない。
　また、ドライアイスのブラスト材は、金属母材４０の表面に突き刺さったとしても常温常圧下で昇華するため、金属母材４０の表面に残留することはない。

　更には、ドライアイスを用いたブラスト処理は、アルミナを用いたブラスト処理の表面粗さを大きく変化させることなないため、アルミナでのブラスト処理後の表面状態を概ねそのまま維持することができる。このため、アルミナでのブラスト処理により得られた母材表面の凹凸によるアンカー効果が損われることはなく、付着膜の剥離を確実に防止することができる。また、ドライアイスを用いたブラスト処理は、アルミナを用いたブラスト処理により母材表面に生じた突起の鋭利さを緩和し、このような突起の先端に生じ得る応力集中を緩和するものと考えられる。この点からも、より確実に付着膜の剥離を防止することができるものと考えられる。すなわち、第２のブラスト処理に用いられる昇華性ブラスト材（例えばドライアイス）は、一般的には第１のブラスト処理に用いられる非昇華性ブラスト材（例えばアルミナ）よりも柔らかいため、上述のようにアンカー効果を損なうことなく、かつ、母材表面の突起の鋭利さを適度に緩和する効果があるのである。

　上記洗浄工程としては、例えば超音波洗浄を行うことができる。ここでは、第２のブラスト工程が施された金属母材４０を、例えば純水等からなる洗浄液４２に浸漬し、これに超音波を印加して洗浄を行う（図２（Ｃ）参照）。

　これにより、金属母材４０に残留し脱落の可能性のある残渣をほぼ完全に取り除くことができる。なお、この洗浄工程では、上記の超音波洗浄に代えて、金属母材４０の表面に高圧水を噴射する高圧水洗浄、または金属母材４０の表面に洗浄水をかけながらブラシ掛けを行うブラシ洗浄等を行うことができる。なお、この洗浄工程は省略してもよい。

　上述したように、本発明方法によれば、非昇華性ブラスト材、例えばアルミナを用いて第１のブラスト工程を行った後に、昇華性ブラスト材、例えばドライアイスを用いて第２のブラスト工程を行っているため、金属母材４０の表面に付着している脱落し難い非昇華性ブラスト材の残渣をほぼ確実に除去することができる。このため、ブラスト材の残渣に由来するパーティクルの発生を大幅に抑制することができる。また、第１のブラスト工程により適度に粗面化された金属母材４０の表面は、第２のブラスト工程により損なわれることはない（むしろ有利に変化するものと考えられる）。このため、金属母材４０の粗面化によるアンカー効果により付着膜の密着性が向上し、これにより付着膜に由来するパーティクルの発生を大幅に抑制することができる。

［昇華性ブラスト材によるブラスト処理の評価］
　次に、本発明方法の利点を実証するために行った実験結果について説明する。

　金属母材４０としてニッケルからなるシャワーヘッド部２２の表面に、本発明方法として、第１のブラスト工程としてアルミナによるブラスト処理を施し、次に第２のブラスト工程としてドライアイスによりブラスト処理を施した。このように処理を行ったシャワーヘッド部２２の表面に強粘着力のカーボンテープを貼り付けて、しばらくした後にこれを剥がし、このカーボンテープの表面を電子顕微鏡により観察した。

　比較例１～３については、まず、本発明方法と同様にアルミナによるブラスト処理を施した。次に、比較例１では、ブラスト処理後のシャワーヘッド部の表面に対して３回の超音波洗浄を行った。比較例２では、ブラスト処理後のシャワーヘッド部の表面に洗浄液を供給しつつブラシ掛けしてブラシ洗浄を行った。比較例３では、ブラスト処理後のシャワーヘッド部の表面に対して高圧水を噴射することによって高圧水洗浄を行った。

　このように処理を行った比較例１～３のシャワーヘッド部の表面に強粘着力のカーボンテープを貼り付けて、しばらくした後にこれを剥がし、このカーボンテープの表面を電子顕微鏡により観察した。

　図４では、倍率が５０倍および１０００倍の電子顕微鏡写真を示している。比較例１～３の場合には多くのブラストの残渣が付着しているが、本発明方法の場合にはブラストの残渣は僅かしかなく、本発明方法の有効性を確認することができた。特に１０００倍の写真に示すように、パーティクルのサイズが０．１μｍ程度以上のものも本発明方法により有効に除去できることを確認することができた。

　なお、上記カーボンテープに付着したパーティクルを成分分析器にて分析したところ、Ａｌ元素とＯ 元素の存在が認められ、カーボンテープへの付着物はＡｌ_２ Ｏ_３ （アルミナ）であることが確認された。

　さらに、本発明方法と従来方法により製造したシャワーヘッド部を処置装置に設置して昇温し、発生するパーティクル量を確認する実験を行った。その結果を図５に示す。従来方法として、上述した比較例１の工程によりシャワーヘッド部を処理した。本発明方法として、アルミナブラスト処理（第１のブラスト処理）とドライアイスブラスト処理（第２のブラスト処理）とを行って、最後に超音波洗浄を施した。

　以上のように処理が施された各シャワーヘッド部を、図１において説明したような成膜装置に設置し、半導体ウエハを載置台８に載置し、加熱手段１０により処理容器２内を昇温した。その後、半導体ウエハの表面に付着しているパーティクル数をカウントした。パーティクル数が図５の表に示されている。加熱手段１０の設定温度（成膜温度に相当）は、２００℃、４５０℃、６４０℃とした。また、処理容器内にプリコート処理を施した後に、加熱手段１０の温度を４５０℃に設定して昇温処理を行ったものに対しても同様にパーティクル数をカウントした。

　図５から明らかなように、加熱手段１０の温度が２００℃、４５０℃、６４０℃及び４５０℃（プリコート膜有）におけるパーティクル数は、従来方法の場合には、それぞれ５９３、１６１、６８７、６２個であるが、本発明方法の場合には、それぞれ３、３９、３０、０であり、本発明方法の場合には従来方法と比較してパーティクル数が遥かに少なくなっていた。すなわち、本発明方法の有効性を確認することができた。

［本発明方法の変形実施形態］
　次に、本発明方法の変形実施形態について説明する。先に説明した実施形態では、金属母材４０の表面全面に対してブラスト処理を行った。しかしながら、第１及び第２のブラスト工程を、金属母材の表面の選択された領域のみに対して行ってもよい。

　図６はこのような本発明方法の変形実施形態を説明するための図である。図６（Ａ）はブラスト処理後のシャワーヘッド部のガス噴射面の一部を示す平面図、図６（Ｂ）はその製造工程の途中の状態を示す断面図である。

　ここでは、第１及び第２のブラスト工程は、シャワーヘッド部２２に設けたガス噴射孔３０の周辺部の表面に対してのみに選択的に行われている。すなわち、図６（Ａ）に示すように、シャワーヘッド部２２のガス噴射面２８においては、ガス噴射孔３０の周辺部４４（梨地で示す）のみに選択的に第１及び第２のブラスト工程が施されている。この場合、例えばガス噴射孔３０の直径Ｌ１は１ｍｍ程度であり、円形の周辺部４４の直径Ｌ２は３ｍｍ程度である。

　このような選択領域のみに対してブラスト処理を行う場合には、図６（Ｂ）に示すようにシャワーヘッド部２２の前面側に、周辺部４４と同じ直径の複数の孔部４６を有するマスク４８を、各孔部４６がそれぞれガス噴射孔３０に対応するように配置し、この状態でブラスト処理を行えばよい。なお、この場合、第２のブラスト工程は、マスク４８を取り除いた状態で行ってもよい。

　このような選択領域のみに対するブラスト処理を行う理由は以下の通りである。すなわち、シャワーヘッド部２２を上部電極として用いる場合において、ガス噴射面２８にブラスト処理により微少な凹凸が生じると表面積が増加して、上部電極と下部電極との間に形成される容量成分が設計値から大きく変動する恐れがある。しかしながら、この場合においても、膜剥がれの起点となり易いガス噴射孔３０の周辺部に関しては、膜の密着性を向上させて膜剥がれの発生を防止することが望ましい。このような場合に、上述したように、ガス噴射孔３０の周辺部４４のみにブラスト処理が行われることになる。

　なお、上記の実施形態においては、処理装置がＴｉ膜の成膜処理を行うものであったが、これに限定されず、処理装置はどのような膜種を成膜するものであってもよい。また、上記の実施形態においては、シャワーヘッド部２２が高周波電力を印加されるものであったが、高周波電力が印加されないシャワーヘッド部２２に本発明を適用することもできる。

　また、処理装置により処理される被処理体は半導体ウエハに限定されるものではなく、ガラス基板、ＬＣＤ基板、セラミック基板等であってもよい。

Claims (13)

1. 　金属母材に所定の表面処理を施す表面処理方法において、
   　前記金属母材の表面に、非昇華性材料よりなる非昇華性ブラスト材を用いてブラスト処理を行う第１のブラスト工程と、
   　前記第１のブラスト工程が行われた前記金属母材の表面に、昇華性材料よりなる昇華性ブラスト材を用いてブラスト処理を行う第２のブラスト工程と、
   を備えたことを特徴とする表面処理方法。
2. 　前記第２のブラスト工程が行われた前記金属母材の表面を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする、請求項１に記載の表面処理方法。
3. 　前記非昇華性ブラスト材は、セラミック材、樹脂、金属酸化物および石英からなる群から選択される１の材料からなることを特徴とする、請求項１に記載の表面処理方法。
4. 　前記非昇華性ブラスト材はセラミック材からなり、このセラミック材は、アルミナ（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）およびシリコンカーバイト（ＳｉＣ）からなる群から選択されたものであることを特徴とする、請求項１に記載の表面処理方法。
5. 　前記非昇華性ブラスト材は金属酸化物からなり、この金属酸化物はＺｒＯ_２ またはＴｉＯ_２ であることを特徴とする、請求項１に記載の表面処理方法。
6. 　前記昇華性ブラスト材はドライアイスからなることを特徴とする、請求項１に記載の表面処理方法。
7. 　前記金属母材は、被処理体に対して所定の処理を行うための処理装置に用いられるシャワーヘッド部であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
8. 　前記金属母材は、被処理体に対して所定の処理を行うための処理装置に用いられる処理容器であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
9. 　前記第１及び第２のブラスト工程は、それぞれ前記金属母材の表面の選択された領域のみに対して行われることを特徴とする請求項１に記載の表面処理方法。
10. 　前記金属母材は、被処理体に対して所定の処理を行うための処理装置に用いられるシャワーヘッド部であり、前記第１及び第２のブラスト工程は、前記シャワーヘッド部に設けたガス噴射孔の周辺部の領域のみに対して行われることを特徴とする請求項９に記載の表面処理方法。
11. 　請求項７または１０に記載された表面処理方法が施されたことを特徴とするシャワーヘッド部。
12. 　請求項８に記載した表面処理方法が施されたことを特徴とする処理容器。
13. 　被処理体に対して所定の処理を施すための処理装置において、
    　請求項１２に記載された処理容器と、
    　請求項１１に記載されたシャワーヘッド部と、
    　前記処理容器内に設けられて前記被処理体を載置するための載置台と、
    　前記処理容器内の雰囲気を排気するための排気系と、
    を備えたことを特徴とする処理装置。

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