JP2011122226A - 厚膜ｄｌｃ被覆部材およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＤＬＣ膜の諸性質を、それぞれの用途における要求特性などに応じて、二次的に改質することを目的とするものである。
【解決手段】基材の表面に、膜厚３μｍ超の厚膜ＤＬＣを被覆してなる部材において、この厚膜ＤＬＣは、水素が１３〜３０原子％、残部が炭素である微粒子の堆積層からなるものであって、残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の熱処理ＤＬＣの膜であることを特徴とする厚膜ＤＬＣ被覆部材。
【選択図】図１

Description

本発明は、厚膜ＤＬＣ被覆部材とその製造方法に関し、特に、成膜後のＤＬＣ膜を熱処理することによって、このＤＬＣ膜の機械的、化学的および／または電気的諸性質を改質してなる部材と、この部材の有利な製造方法についての提案である。

近年、炭化水素系ガスを成膜材料として、主に炭素と水素とからなる硬質膜の被覆処理法が実用化され、多くの産業分野において利用されている。この炭素と水素を主成分とする硬質膜は、アモルファスながらダイヤモンド構造（ＳＰ３構造）とグラファイト構造（ＳＰ２構造）とが混在したものであって、ダイヤモンドライクカーボン、所謂、ＤＬＣと呼ばれている。

このＤＬＣの膜は、硬質で低い摩擦係数を有することから、当初は耐摩耗性を必要とする切削工具類や摺動部材、回転部材の表面に施工されていたが、最近では、その他の産業分野における表面処理皮膜としても採用されている。

例えば、このＤＬＣ膜は、無気孔の状態に成膜されたものだと、酸やアルカリあるいはハロゲン化合物などに対して卓越した耐食性を発揮するため、半導体加工装置用部材の耐食性向上や、これらの部材の酸、純水による洗浄に対する良好な汚染物質の除去機能を備えた皮膜などとして利用されている（特許文献１〜７）。

また、ＤＬＣ膜のＣとＨからなる構造にＦを結合させたＣＦ_２基およびＣＦ_３基を付与することによって、皮膜に一段と高い潤滑性と親水性を付与する技術（特許文献８〜１５）が開示され、これらの技術は、磁気ディスクや医療用器材の分野で利用されている。さらに、ＤＬＣ膜の優れた滑り特性は、樹脂形成用金型の表面処理のために適用されている（特許文献１６、１７）。

一方、ＤＬＣ膜を形成するための方法や、その装置の開発研究も精力的に行われ、最近では、イオン化蒸着法やアークイオンプレーティング法、高周波・高電圧パルス重畳型成膜法、プラズマブースター法、プラズマＣＶＤ法などのＤＬＣ膜形成方法とそのための装置が開発されている。これらの方法によって形成されるＤＬＣ膜は、アモルファス状の、硬質で耐摩耗性に優れた皮膜になる点では共通している。しかし、複雑な形状を有する被処理体に対して均一に成膜できるか否かについては差があり、課題が残っていた。ただし、これらの形成方法のうち、高周波・高電圧パルス重畳型のプラズマＣＶＤ方法は、膜厚の均等な被覆形成性能を有し、初期残留応力の小さいＤＬＣ膜の形成が可能になったことから、新しい適用分野の開拓に貢献している。

発明者等は、高周波・高電圧パルス重畳型プラズマＣＶＤ法（以下、「プラズマＣＶＤ法と略記」する）の適用により、従来ＤＬＣ皮膜の膜質や硬度、摩擦係数などの機械的特性の改良、適用範囲の拡大により、汎用的な工学分野への展開を進めてきた。その結果、上記プラズマＣＶＤ法の適用によって形成されたＤＬＣ膜は、残留応力が小さく、硬さこそ他の方法で得られるＤＬＣ膜に比較して低いものの、複雑形状の部材に対しても、均一なＤＬＣ膜を形成する上で有効である。例えば、この技術は、半導体加工装置用部材への耐食・耐プラズマ・エロージョン性（特許文献１８〜２０）や溶射皮膜の開口気孔への充填（特許文献２１、２２）、ポンプインペラー、圧縮機翼などの防食・防汚対策（特許文献２３〜２６）などの付与を目的とした技術に応用できる。

次に、本発明の技術に属する他の先行特許文献としては、特許文献２７に開示のものがある。この技術は、アモルファス状ＤＬＣ膜の表面に存在するＣ−Ｈｘ結合（ｘ＝１、２、３）を、ガスイオンボンバード処理によって減少させて、摩擦係数を低減させる方法であって、ＤＬＣ膜を真空中またはガス雰囲気中で熱処理することが開示されている。この技術は、ＤＬＣ膜表面の摩擦抵抗の低減を目的としており、そのため、ＤＬＣ膜の表面から０．０１〜０．１μｍ程度の厚さを除去したり、ＤＬＣ膜表面のＣ−Ｈｘ結合の減少を目的としているものである。ただし、この技術は、極めて限定されたＤＬＣ膜の改質に止まっており、ＤＬＣ膜全体の機械的、電気的および化学的性質を改質するための技術ではない。

特開平９−３１３９２６号公報 特開２００２−１１０６５５号公報 特開２００３−１３３１４９号公報 特開２０００−２６２９８９号公報 特開２０００−７０８８４号公報 特開２０００−２６５９４５号公報 特開２００３−２０９０８６号公報 特開平１１−１５８３６１号公報 特開平１１−３３００６６号公報 特開平９−４４８４１号公報 特開平１０−６８０８３号公報 特開平１０−１９８９５３号公報 特開２０００−９６２３３号公報 特開２００３−３１０７４４号公報 特開２００３−２１７８４５号公報 特開２００４−１３０７７５号公報 特開２００４−３１５８７６号公報 特開２００７−３２４３５３号公報 特開２００６−８９８２２号公報 特開２００６−１１８０５３号公報 特開２００７−３２１１９４号公報 特開２００７−２３１７８１号公報 特開２００７−３２７３４９号公報 特開２００７−３２７３５０号公報 特開２００７−２３１７８１号公報 特開２００９−１３８６７４号公報 特開２００８−１４４２７３号公報

従来のＤＬＣ膜の諸性質は、成膜プロセスや成膜条件、成膜原料である炭化水素ガスの種類によって決定されている。このため、ＤＬＣ膜を形成したとしても、すべての分野、例えば、このＤＬＣ膜に何らかの加工を施すような分野においても、十分な機能を発揮するものにはなっておらず、用途によっては、多様な要求特性の一部が満足できず使用できないことがある。即ち、
（ａ）成膜後にＤＬＣ皮膜の残留応力を変化させたい場合、
（ｂ）硬さに代表されるＤＬＣ皮膜の機械的性質を、成膜後に変化させたい場合、
（ｃ）電気抵抗値で代表されるＤＬＣ膜の電気特性を変化させたい場合、
（ｄ）ＤＬＣ膜の表面摩擦抵抗値のみならず、摺動環境下における凝着特性を変化させたい場合、
（ｅ）ＤＬＣ膜の密着性を変化させたい場合、
などの要求特性を、成膜後のＤＬＣ膜を対象として、これらの要求特性を常に満足させる方法については、未だに実用化されていないのが実情である。

そこで、本発明は、従来技術によって成膜されたＤＬＣ膜の諸性質を、それぞれの用途における要求特性などに応じて、２次的処理によって改質して用途適性を向上させてなるＤＬＣ被覆部材の提供とそれの有利な製造方法を提案することを目的とする。

前記課題を解決するため、本発明では、所定の条件で成膜されたＤＬＣ膜に、所定の熱処理を施すことによって、ＤＬＣ皮膜の特性を、２次的に改質する技術を提案するものである。

なお、本発明では、
（１）ＤＬＣ膜を、酸素ガス中、空気中、不活性ガス中または真空中のいずれか１以上の雰囲気中で熱処理する。
（２）上記熱処理を行うことによって、ＤＬＣ膜を構成する主要成分の炭素と水素の結合力を増加させたり、水素ガスの離脱反応などによって誘発されるＤＬＣ膜の機械的、電気的および化学的性質を、２次的に変化させて改質する。
（３）上記熱処理は、温度が高くなればなるほど速くなって、膜の改質特性も大きく変化するが、処理温度を必要以上に高くすると、ＤＬＣ本来の機能を消失するので、ＤＬＣ膜の加熱温度と膜の変化を調査して、許容し得る熱処理の最高温度と処理時間を設定する。
ことなどが重要である。

このような知見の下に開発した本発明は、基材の表面に、膜厚３μｍ超の厚膜ＤＬＣを被覆してなる部材において、この厚膜ＤＬＣは、水素が１３〜３０原子％、残部が炭素である超微粒子の堆積層からなるものであって、残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の熱処理ＤＬＣの膜であることを特徴とする厚膜ＤＬＣ被覆部材である。

また、本発明は、基材の表面に形成された、膜厚が３μｍ超、水素が１３〜３０原子％で残部が炭素である超微粒子の堆積層からなる厚膜ＤＬＣを、残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００となるように熱処理することを特徴とする厚膜ＤＬＣ被覆部材の製造方法である。

本発明においては、特に、
（１）熱処理前の厚膜ＤＬＣは、プラズマＣＶＤ法によって形成された初期残留応力が１．０ＧＰａ未満のものであること、
（２）前記熱処理後厚膜ＤＬＣは、その表面に、レーザビーム熱源もしくは電子ビーム熱源が照射される被加工膜であること、
（３）前記基材は、金属、非金属のいずれかである無機質化合物または非金属の有機質化合物であること、
（４）ＤＬＣ膜の前記熱処理は、成膜温度以上〜５５０℃以下の温度で、０．１〜３０時間の条件で行う処理であること、
（５）厚膜ＤＬＣの前記熱処理は、酸素ガス中、空気中、不活性ガス中および真空中から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気中で行うこと、
（６）前記熱処理後厚膜ＤＬＣは、その表面が、レーザビーム熱源もしくは電子ビーム熱源が照射されてなる被加工膜であることを特徴とする請求項５〜８のいずれか１に記載の厚膜ＤＬＣ被覆部材の製造方法。
（７）前記基材は、金属・合金、非金属の無機質化合物および非金属の有機質化合物のうちから選ばれたいずれか一種以上のものからなること、
が、上記の解決手段として採用することが望ましい。

本発明は、前記のように構成された場合、次のような効果が期待できる。
（１）成膜後の厚膜ＤＬＣを対象として所定の熱処理を行うことによって、膜の特性を被加工膜としての適性に合うように２次的に変化させることができる。即ち、成膜直後の未処理ＤＬＣ被覆部材は、硬さや摩擦係数、電気的性質あるいは耐食性などの諸性質が大きく改善され、ＤＬＣ被覆部材としての用途が拡がる。特に、たとえＤＬＣ膜の用途および特性が、ＤＬＣ膜の製造プロセス、条件、原料などによって予め決定されているような場合であっても、本発明方法に従えば、該ＤＬＣ膜の諸性質を熱処理によって大幅に変えることができるので、適用分野の拡大とともに、ＤＬＣ膜の諸性質を用途に適したものに改質することができるようになる。
（２）ＤＬＣ膜の熱処理は、酸素ガス中や大気中、不活性ガス中、真空中のいずれでも可能であるうえ、熱処理の温度もＤＬＣ膜の分解温度以下（約５５０℃）という低温下で、しかも処理時間も約３０時間以内に処理することができるので、生産性に富み、経済的である。
（３）熱処理後厚膜ＤＬＣは、レーザビーム熱源によって彫刻溝とすることが容易で、耐摩耗性に優れたＤＬＣ膜の上に直接形成されたものになるため、溝が形崩れすることなく、その溝形状を長期間にわたって正確に維持し得るので、寿命の長いインプリント用部材などとして用いることが可能である。

本発明に係るＤＬＣ膜の熱処理の工程の一例を示す模式図である。 本発明に適したＤＬＣ膜被覆形成のためのプラズマＣＶＤ装置の概略図である。 ＤＬＣ膜の熱分析曲線である。 ＤＬＣ膜の残留応力測定用試験片とその変位のもようを示す略線図である。 ＤＬＣ膜の熱処理による加熱温度・時間と硬さとの関係を示すグラフである。 レーザビーム熱源によって彫刻加工されたＤＬＣ膜表面の拡大ＳＥＭ像（線状彫刻）である。 レーザビーム熱源によって彫刻加工されたＤＬＣ膜表面の拡大ＳＥＭ像（ポケット型彫刻）である。 ＤＬＣ膜の体積抵抗率を測定するための説明図である。 室温から１６０℃までの温度範囲におけるＤＬＣ膜の体積抵抗率の測定値のグラフである。 １００℃〜１６００℃までの温度範囲におけるＤＬＣ膜の室温状態における体積抵抗率の測定値のグラフである。

図１は、基材表面にＤＬＣ膜を直接、またはアンダーコートを介して間接的に被覆形成し、次いで、熱処理を施し、その後、皮膜表面に加工を施す一連の工程例を示したものである。以下、この工程例の順序に従って、本発明製造方法と本発明部材とを具体的に説明する。

（１）ＤＬＣ膜を被覆するための基材
ＤＬＣ膜を被覆形成するための基材としては、下記のものが推奨される。
（ａ）金属基材：金属基材としては、普通鋼、Ｃｒを含むステンレス鋼や耐熱鋼などの特殊鋼、Ｎｉ基合金やＣｏ基合金の他、ＡｌやＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、ＷならびにＭｏなどの金属やこれらの合金などを用いることができる。
（ｂ）無機質の非金属基材：非金属基材としては、炭素やグラファイト、石英、ガラス、炭化物、珪化物、窒化物などの焼結体および薄膜などを用いることができる。
（ｃ）有機質基材：有機質基材としては、フェノールやメラミン、エポキシ、ポリウレタン、シリコーンなどの熱硬化性樹脂、ポリエチレンやポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル・ニトリル、ブタジエンなどの熱可塑性樹脂、天然および合成ゴムなどを用いることができる。

なお、Ｎｉおよびその合金、Ｃｕおよびその合金などの基材や非金属基材、有機質基材の一部には、ＤＬＣ膜との密着性が乏しい傾向があるが、このような基材については、予め、これらの基材の表面に、アンダーコートとして、電気めっき法や化学めっき法（無電解めっき法）、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法などによって、ＣｒやＮｂ、Ｔａ、Ｓｉなどの金属・合金またはこれらの金属の炭化物などの薄膜を、０．１〜３μｍの厚さに被覆形成することが望ましい。これらのアンダーコートは、基材と良好な密着性を発揮するとともに、アンダーコートの表面に施工するＤＬＣ膜とも強い密着性を示すからである。これらのアンダーコートの厚さは、これが０．１μｍより薄いと、均等な厚さにするのが困難であり、一方、３μｍより厚いアンダーコートは、長時間を必要とするうえ、余り厚くしても、その効果が飽和することになる。

ただし、前記有機質基材については、耐熱性が低いため、後述する熱処理を２００℃以上の温度で行うとき、基材自体の劣化が問題となることが考えられる。この場合でも、発明者等の知見によると、１８０℃以下の熱処理であれば、基材の劣化よりもＤＬＣ皮膜による改質効果の方が大きいことを知見しているので、該有機質基材を対象とする場合には、１８０℃以下の熱処理が推奨される。

（２）ＤＬＣ膜の被覆形成方法
基材（アンダーコートつき基材を含む）表面へのＤＬＣ膜の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法やイオン化蒸着法、アークイオンプレーティング法、プラズマブースタ法などの方法が知られている。そして、形成されるＤＬＣ膜の性質は、被覆形成の方法やその条件によって異なるのが普通である。一般に、ＤＬＣ膜は、硬さや表面摩擦係数の小さいものを製造しようとした場合、成膜時の残留応力が大きくなる傾向がある。従って、もしＤＬＣ膜を厚く成長させようとすると、皮膜内部の残留応力値が大きくなり、時として基材との接合力よりも大きくなって、皮膜が基材から剥離することがあった。発明者らの経験によると、硬質のＤＬＣ膜の最大厚さは３μｍ未満にとどまっている。ここで言う硬質のＤＬＣ膜の硬さは、Ｈｖ：３０００以上のものである。

しかし、水素含有量を比較的多く含有するＤＬＣ膜は、膜の硬さが若干小さくなるものの、残留応力値は抑制される傾向があり、そのため厚膜の形成が容易になる。発明者らの実験によると、水素含有量を１３〜３０ａｔ％の範囲に制御すると、成膜に時間がかかるものの８０μｍ程度の厚膜の形成が可能である。そのため、こうした厚膜ＤＬＣの場合、その表面を研磨したり、レーザビーム熱源を照射して彫刻加工などを施したりすることができるようになる。なお、本発明方法は、残留応力の小さい厚膜ＤＬＣを形成する場合に好適に利用できる。

以下、本発明に係る厚膜ＤＬＣの膜を形成するのに適した成膜方法について説明する。以下に説明する方法は、本発明者らが提案した特開２００８−２３１５２０号公報に開示の方法と同種の技術であって、成膜時に素材（被処理基材）を処理容器（対極）に対して、相対的に負の電位に維持しつつ気相状態の炭化水素のラジカル、分子イオンなどの正に帯電したものを電気化学的に基材表面に引き付け、最終的には炭素と水素を主成分とするアモルファス状の固形物微粒子をその表面に析出させる技術であって、このような現象を効果的に実行するため、高周波とプラズマを重畳させる形式のプラズマＣＶＤ法と呼ばれている技術である。

図２は、炭素と水素を主成分とするアモルファス状ＤＬＣ膜を厚く被覆形成するための、プラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。この装置は、接地された反応容器２１と、この反応容器に対して、バルブ２７ａ、バルブ２７ｂを介して接続される成膜用の有機系ガス（主として炭化水素系ガス）導入装置（図示せず）と、反応容器を真空引きする真空ポンプ（図示せず）と、反応容器内の所定の位置に配設される被処理体である基材２２に接続される導体２３および導入端子２９を介して高電圧パルスを印加するための高電圧パルス発生電源２４と、高電圧導入部２９を介して導体２３に高周波を印加し、基材２１の周囲にプラズマを発生させるためのプラズマ発生用電源２５、ならびに、パルスおよび高周波を同時に印加するために用いられる重畳装置２６とで構成されている。

このプラズマＣＶＤ装置を用いて、被処理基材の表面にＤＬＣ膜を成膜するには、まず、基材を反応容器の所定位置に設置し、真空装置を稼動させて該反応容器内の空気を排出して脱気した後、ガス導入装置によって炭素水素系の有機ガスを該反応容器内に導入する。なお、有機ガスの導入に先駆けて、Ａｒガス、Ｈ_２ガスなどを導入した後、高周波電圧を印加して、被処理体の表面をＡｒやＨイオン衝撃（イオンボンバードメント）によって清浄化処理を施すことが好ましい。

次いで、プラズマ発生用電源からの高周波電力を基材に印加する。なお、反応容器は、アース線２８によって電気的に中性状態にあるため、基材は、相対的に負に帯電した状態となる。このため炭化水素ガスのプラズマ中に存在する正イオンは、該基材の表面全体に対して、比較的均等に発生し、ＤＬＣ膜の平準化析出を促す特徴がある。

高電圧パルス発生装置から、高電圧パルス（負の高電圧パルス）を基材に印加すると、炭化水素系ガスのプラズマ中の正イオンが、該被処理基材の表面に電気的に誘引吸着されることとなる。このような操作によって、被処理体の表面に、ＤＬＣの超微粒子が堆積して膜が形成される。即ち、反応容器２１内では、炭素と水素を主成分とするアモルファス状の炭素・水素固形物を主成分とするＤＬＣの膜が、被処理基材の表面に気相析出し、これを被覆するようにして形成されるものと推測される。

このプラズマＣＶＤ装置の反応容器内へ導入する成膜用の炭化水素系のガスとしては、以下の（イ）〜（ロ）に示すような有機質の炭化水素ガスを単独または２種以上の混合ガスを用いる。
（イ）常温（１８℃）で気相状態のもの
ＣＨ_４、ＣＨ_２ＣＨ_２、Ｃ_２Ｈ_２、ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_３、ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３
（ロ）常温で液相状態のもの
Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_３、Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２ＣＨ、Ｃ_６Ｈ_４（ＣＨ_３）_２、ＣＨ_３（ＣＨ_２）_４ＣＨ_３、Ｃ_６Ｈ_１２、Ｃ_６Ｈ_４Ｃｌ

上記の炭素水素系のガスは、常温で気相状態のものは、そのままの状態で反応容器内へ導入できるが、液相状態の化合物はこれを加熱してガス化させ、そのガス（蒸気）を反応容器内へ供給することができる。

（３）本発明に係るＤＬＣ膜を構成する炭素と水素の含有比率
一般的なＤＬＣ膜は、成膜時に大きな残留応力が発生するため、硬く耐摩耗性に優れているものの柔軟性に欠ける特徴がある。そのため、厚膜の形成が困難で、生成したＤＬＣ膜にも局部的な多くの微小欠陥が発生しやすく、また、たとえ熱処理したとしても、基材／ＤＬＣ膜の熱膨張係数の相違に起因する熱応力の発生によって、特に厚膜の場合に、剥離しやすくなる。

この対策として、本発明では、ＤＬＣ膜を形成する炭素と水素の割合に着目し、特に、水素含有量を全体の１３〜３０原子％に制御することによって、硬いというＤＬＣ膜本来の特性を維持しつつ、該ＤＬＣ膜に柔軟性を付与することとした。具体的には、ＤＬＣ膜中に含まれる水素含有量を１３〜３０原子％とし残部を炭素含有量とする。なお、このような組成のＤＬＣ膜を形成するには、成膜用の炭化水素系ガス中に占める炭素と水素含有比が異なる化合物を混合することによって果すことができる。

このように、水素含有量の多いＤＬＣ膜は、その表面硬さが、マイクロビッカース硬さで、Ｈｖ：７００〜２８００程度となるので、工具鋼などに形成されるＤＬＣ膜に比較すると軟質であり、ある程度の変形にも耐える柔軟性がある。

本発明方法にあって、基材表面に被覆形成されるＤＬＣ膜は、３μｍ超５０μｍ以下の膜厚にする。ＤＬＣの膜厚が３μｍ以下では、熱処理時に膜の微小欠陥を通じて雰囲気中の酸素ガス（空気）が該皮膜の欠陥部を通って内部に侵入し、基材を酸化させ、このことによって、ＤＬＣ膜を剥離させる可能性が大きい。一方、膜厚が５０μｍより厚くなると、成膜に長時間を要し、生産コストの上昇原因となったり、ＤＬＣ膜の成長に伴う残留応力の増大による基材との接合力の低下を招く危険が考えられる。

本発明では、基材が非電気伝導体の合成樹脂板やそのシートあるいはそのフィルムである場合、その基材の表面にＤＬＣ膜を直接被覆形成するには、これらを金属板などに取り付けて操作すれば、恰も金属電極と同じように、これらの合成樹脂体の表面にＤＬＣ膜を被覆形成することができる。また、図４に示したプラズマＣＶＤ装置において、パルスの波形を正のみに制御することによっても、非電気伝導体の表面にＤＬＣ膜を被覆形成することが可能である。

なお、上記プラズマＣＶＤ装置では、高電圧パルス発生電源２４の出力電力を下記（ａ）〜（ｄ）のように変化させることによって、被処理体２２に対して金属等のイオン注入を実施することができる。例えば、被処理体が金属質の場合には、ＴｉやＳｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃなどの炭化物生成自由エネルギーの小さい金属イオンを注入すれば、その表面に被覆形成されるＤＬＣ膜の密着性を向上させることが可能である。

（ａ）イオン注入を重点的に行う場合：１０〜４０ｋＶ
（ｂ）イオン注入と皮膜形成の両方を行う場合：５〜２０ｋＶ
（ｃ）皮膜形成のみを行う場合：数百Ｖ〜数ｋＶ
（ｄ）スパッタリングなどを重点的に行う場合：数百Ｖ〜数ｋＶ
（ｅ）前記高電圧パルス発生源２４では、パルス幅：１μｍｓｅｃ〜１０ｍｓｅｃ、パルス数：１〜複数回のパルスを繰り返すことも可能である。
（ｆ）プラズマ発生用電源２５の高周波電力の出力周波数は、数十ｋＨＺから数ＧＨｚの範囲で変化させることができる。

（４）ＤＬＣ膜の熱処理
ＤＬＣ膜、即ち、この膜が被覆形成されている部材の熱処理方法について説明する。ＤＬＣ膜の熱処理温度は、ＤＬＣ膜や基材の耐熱温度、熱処理雰囲気などによって決定される。例えば、図３は、プラズマＣＶＤ法によって形成されたＤＬＣ膜の熱分析曲線を示したものである（炭素含有量８７原子％、水素含有量１３原子％）。この図から明らかなように、空気中で加熱されたＤＬＣ膜は５５０℃までは、重量減少量が全く変化しないが、５５０℃を超える付近から重量の減少は顕著になる。つまり、５５０℃以上では、ＤＬＣ膜は分解することがわかる。空気中におけるこのような変化は、ＤＬＣ膜と空気中の酸素（Ｏ_２）によって、次のような化学反応によって起こるものと推定される。
ＤＬＣ膜中の炭素（Ｃ）＋空気中の酸素（Ｏ_２）→二酸化炭素（ＣＯ_２）
ＤＬＣ膜中の水素（Ｈ）＋空気中の酸素（Ｏ_２）→水蒸気（Ｈ_２Ｏ）
ＤＬＣ膜中の水素（Ｈ）が水素ガス（Ｈ_２）となって脱離する反応

一方、不活性ガス（Ａｒ）中の熱分析曲線では、ＤＬＣ膜の重量減少が始まる温度は、空気中での処理より幾分高温側へ移る傾向が見られるが、その差は工学的には無視できる程度である。むしろ、５５０℃付近から始まるＤＬＣ膜の重量減少の速度が、空気中に比較すると緩やかになる。この原因は、不活性ガス中には酸素ガスが含まれていないため、ＤＬＣ膜の分解反応では、水素ガスの放出のみとなる結果、炭素成分がＣＯ_２ガスとなって消失する反応がなく、炭素成分はグラファイト化（黒鉛化）して残留するためと考えられる。

以上の結果から、ＤＬＣ膜の熱処理雰囲気は、酸素ガスを含まない雰囲気であれば、例えば、真空中であっても、不活性ガス中と同様な重量減少曲線を示すものと推定される。

以上の説明ならびに図３に示す結果から、ＤＬＣ膜の熱処理は、５５０℃付近を上限として行うことで、膜質の劣化を招くことなく、物理化学的特性を変化させることができる。即ち、水素含有量が１３〜３０原子％で残部が炭素（７０〜７８原子％）であるＤＬＣ膜については、熱処理を行う場合、最高温度は５５０℃程度、一方、最低温度は、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する際に好適な基材の温度である８０℃程度とすることが好ましい。

次に、熱処理の時間は、ＤＬＣ膜の熱分析曲線から明らかなように、温度が高くなるほど短時間で変化することから、実用的かつ安全性を考慮して、５分〜３０時間程度の範囲にて変化させることが望ましい。

（５）熱処理後ＤＬＣ膜の硬さ
一般的なＤＬＣ膜と比較すると、本発明に適合するＤＬＣ膜は、比較的軟質で水素含有量が高い特徴がある。とくにプラズマＣＶＤ法により形成したものは、これを熱処理することにより、膜の硬さ（Ｈｖ）を１１００〜２７００程度、平均的には、図５に示すように、熱処理の温度、時間にもよるが、温度：３００℃〜６００℃、時間；１〜２４時間で、１３００〜１８００程度を示すものとなり、硬さと軟らかさとを兼ね備えた被加工皮膜に改質されることがわかる。これは後述するレーザビーム照射による彫刻溝を形成する場合に好適な膜と言える。

（６）熱処理に適したＤＬＣ膜の残留応力
気相状態の炭化水素ガスから析出する、アモルファス状炭素水素固形物微粒子の堆積層であるＤＬＣ膜は、必然的に残留応力が発生する。こうした残留応力を内蔵するＤＬＣ膜は、膜厚が大きくなればなるほど、残留応力も大きくなる。そして、最終的には、その残留応力が膜の密着強さより大きくなって、ＤＬＣ膜が剥離するに至る。現在、ＤＬＣ膜の被覆形成法として多くの種類の装置やプロセスが開発されているが、その適用条件の一つとして、ＤＬＣ膜の残留応力によって決定される限界膜厚がある。

とくに、本発明に従って多くの水素（１３〜３０原子％）を含ませることで、厚膜にしたＤＬＣ膜は、たとえ１０μｍを超えるような膜が形成できたとしても、熱処理をする場合、ＤＬＣ膜と基材との熱膨張係数の差によって、膜に大きな熱応力が発生することになるので、この対策についての配慮が必要である。

そこで、本発明では、熱処理を好適に実施できるＤＬＣ膜の初期残留応力（成膜時の残留応力）の許容値を、次に示すような方法によって求めた。
ＤＬＣ膜の残留応力の評価は、図４に示すように、試験片の一端を固定した短冊形の薄い石英基板（寸法：幅５ｍｍ×長さ５００ｍｍ×厚さ０．５ｍｍ）の一方の面に、ＤＬＣ膜を形成し、成膜の前後の石英基板の変位量（δ）を測定することによって、膜の残留応力を求めるが、具体的には、下記Stoneyの式によって残留応力（σ）を計算した。

Ｅ：基板のヤング率＝７６．２ＧＰａ
ｖ：基板のポアソン比＝０．１４
ｂ：基板の厚さ＝０．５ｍｍ
ｌ：ＤＬＣ膜が形成された基板の長さ
δ：変位量
ｄ：ＤＬＣの膜厚

表１は、各種成膜プロセスによって形成されたＤＬＣ膜（水素１３原子％、炭素８７原子％）について、上記の方法によって初期残留応力値および熱処理後残留応力値を求めたものである。これらの結果から明らかなように、アークイオンプレーティング法、イオン化蒸着法などの方法で形成されたＤＬＣ膜の初期残留応力は１３〜２０ＧＰａである。これに対し、プラズマＣＶＤ法で形成されたＤＬＣ膜の初期残留応力は０．３〜０．９８ＧＰａの範囲にある。つまり、本発明（プラズマＣＶＤ法に従う）に適合するＤＬＣ膜の初期残留応力は、１ＧＰａ以下の非常に小さい膜でなければならないことがわかる。従って、水素を多量に含む本発明に係るプラズマＣＶＤ法によるＤＬＣ膜であれば、厚膜であっても、また、その後に熱処理をするような場合でも、これらにも十分に対応することが可能であることがわかる。

なお、表１に示すとおり、ＤＬＣ膜の最大形成厚さは、水素含有量１３原子％のＤＬＣ膜を形成した場合、プラズマＣＶＤ法であれば、成膜時間は長くなるものの、厚さ５０μｍ程度の膜厚のものを得ることができたが、他の成膜方法では３μｍ厚さ以上の膜の形成は困難であった。

さらに、表１に示す各ＤＬＣ膜の表面硬さを測定したところ、プラズマＣＶＤ法により形成したＤＬＣの膜は、マイクロビッカース硬さ（Ｈｖ）で７００〜２８００程度、平均で１１００程度と低いのに対し、他の方法で形成されたＤＬＣ膜の硬さは、Ｈｖ＝３０００以上であり、硬いことがわかった。これらの結果から判ることは、プラズマＣＶＤ法に比べ、イオンプレーティング法やイオン化蒸着に従うＤＬＣ膜の場合、たとえ水素含有量を多くしても、ＤＬＣ膜の硬さは大きく、ＤＬＣ膜の成膜時における初期残留応力値もまた大きくなることが窺える。

そこで、上記各ＤＬＣ膜を熱処理を施したところ、熱処理後残留応力値は、それぞれ表１に示すとおりとなった。とくに、プラズマＣＶＤ法によって成膜したＤＬＣ膜の場合１〜５ＧＰａであるのに対し、他の方法では、２０〜３５ＧＰａである。このことから、本発明に従う方法の下に形成したＤＬＣ膜については、熱処理後残留応力は、１ＧＰａを超えるものの、５ＧＰａ程度に抑えることが可能であり、硬度もそれほど高くならないので、厚膜ＤＬＣとしても、後述するように、これをレーザー照射や電子ビーム照射などの加工を施すのに有効である。

なお、残留応力測定後の試験片を拡大鏡で観察したところ、アークイオンプレーティング法およびイオン蒸着法で形成された膜には、微小な剥離が多数発生しており、耐熱性に乏しい傾向も確認された。

（７）被加工膜としての厚膜ＤＬＣ
以上説明したような方法で基材表面に被覆形成されるＤＬＣ膜は、これを被加工膜として利用する場合、３〜５０μｍという厚膜に形成されることが好適である。この理由は、膜厚が３μｍ以下では、例えば、これをレーザビーム熱源によって彫刻加工して得られるレーザビーム彫刻溝ような場合、この溝のアスペクト比を大きくすることができなくなると共に、基材表面の“うねり”や僅かな変形の影響を受け易り、インプリント部材の溝形成に障害となるためである。また、レーザビーム熱源による彫刻加工精度の僅かな狂いやＤＬＣ膜の局部的に発生するレーザの吸収率の相違によって、レーザビーム彫刻溝がＤＬＣ膜を完全に突き切って、基材まで達するおそれがあるためである。一方、膜厚が５０μｍより厚く成膜するには、長時間を要して生産コストの上昇を招いたり、ＤＬＣ膜の成長に伴う残留応力の増大による基材との接合力の低下の危険が考えられるからである。

なお、膜厚の大きい（例えば１０μｍ以上）ＤＬＣ膜を形成した場合、時として、その表面に微小な円形状の凸起物（例えば、Ｒｚ≦１．０μｍ）が複数個生成することがある。このような場合には、必要に応じて、該円形状の凸起物を除去するためにバブ研磨（ポリッシング）などを行い、平滑な表面（例えば、Ｒａ≦０．１μｍ）に仕上げることが好ましい。

（ａ）レーザビーム彫刻加工の概要
この処理は、基材表面への厚膜ＤＬＣ膜の被覆形成と熱処理を終えた後、その熱処理後ＤＬＣ膜の表面に対し、レーザビームを直接照射することにより、工学的な模様を彫刻するものである。

この処理でレーザ光源として用いるのは、ＣＯ_２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、半導体レーザ、エキシマレーザなどの市販のレーザ加工用光源を用いることができる。得られる工学的模様の彫刻は、予めプログラムを組んだコンピュータによる自動操作によって行うことが推奨されるが、彫刻溝の大小（幅の深さ）の相違によっては、レーザビームの集光用レンズなどを手動によって調整しても差支えない。

このレーザビームによる前記ＤＬＣ膜への彫刻加工は、レーザビーム熱源の照射よって行われるが、その照射（加熱）が局所的に行われるため、非照射部にまで熱が伝達することがなく、照射（加熱）の局部においてのみ、ＤＬＣ成分がＣＯ_２、Ｈ_２Ｏなどの気体となって輝散することになる。その結果、ＤＬＣ膜面には、とくにレーザビーム彫刻溝周辺に溶融残渣物が付着残存するようなことがなく、しかも、他の個所に影響することなく精密で正確な彫刻溝模様を形成することができる。

図６および図７は、本発明方法によって、レーザビーム彫刻を行ったＤＬＣ膜の外観ＳＥＭ像を示したものである。図示例のレーザビームの熱源としては、下記の仕様のものを用いたが、金属やセラミックスの彫刻に適用されるものに比較すると、比較的低出力のものでよい。

レーザ出力：５０Ｗ〜１ＫＷ
パルス周波数：１００００Ｍｚ〜５００００Ｈｚ
進行速度：０．１〜５００ｍｍ／ｍｉｎ

＜実施例１＞
この実施例は、ＤＬＣ膜の耐食性を、水素含有量の異なる膜を試料として、熱処理を施した後の、塩水噴霧試験方法によって調査した結果を報告するものである。

（１）供試皮膜
供試皮膜として、水素含有量が１３〜３５原子％の範囲で異なる１２μｍ厚さのＤＬＣ膜をＳＵＳ４１０鋼（寸法：５０ｍｍ×５０ｍｍ×３．５ｍｍ）の表面に被覆形成したものを用いた。

（２）皮膜の熱処理条件
雰囲気：空気中
温 度：３００℃、４５０℃、５５０℃、６００℃
時 間：３時間

（３）試験方法
上記熱処理を施したＤＬＣ膜をＪＩＳ２３７１規定の塩水噴霧試験方法により、熱処理による皮膜の耐食性定価の有無を調べた。なお、塩水噴霧試験時間は９６時間である。

（４）試験結果
試験結果を表２に要約した。この結果から明らかなように、ＤＬＣ膜の水素含有量を１３〜３５原子％に変化させても、５５０℃以下の温度で加熱しても、赤さびの発生は見られず、良好な耐食性を維持しているのが確認できた。しかし、６００℃に加熱したＤＬＣ膜では、供試した全皮膜とも赤さびの発生が見られるので、加熱による皮膜の欠陥の発生が考えられた。なお、水素含有量の高い試験片Ｎｏ．６のＤＬＣ膜では、５５０℃の加熱においても、赤さびらしい痕跡の発生が認められるので、皮膜に微小な欠陥の発生が推定される。水素含有量の多いＤＬＣ膜では、他のＤＬＣ膜に比較して、一般に軟質で、曲げ変形に対しては優れた柔軟性を示すものの、高温加熱条件下では、ＤＬＣ膜からの水素の離脱反応による微小欠陥の発生率が高くなる傾向が窺える。

＜実施例２＞
この実施例は、ＤＬＣ膜の熱処理温度と硬さの変化について調査した結果を示すものである。

（１）供試ＤＬＣ膜
ＳＵＳ３０４鋼（寸法 ５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍ）の全面に対して、厚さ１０μｍのＤＬＣ膜を被覆形成した。ＤＬＣ膜の組成は水素２０原子％、残り炭素である。

（２）加熱条件
雰囲気：空気中
温 度：室温（２０℃）、３００℃、３５０℃、５５０℃、６００℃
時 間：１〜６０時間

（３）硬さ試験機
マクロビッカース試験機を用い、荷重５Ｎの条件で１試料当り、１０点測定し、その平均値を算出した。また、硬さ測定は、何れの加熱温度のものも、所定の時間加熱した後、室温にまで冷却した後、実施した。

（４）試験結果
試験結果を図５に示した。この結果から明らかなように、供試ＤＬＣ膜の室温における硬さは、Ｈｖ：１１５０であったものが、それぞれの温度に加熱すると、１時間程度で硬さが上昇し、その傾向は加熱温度が高くなるほど顕著となっている。しかし、６００℃に加熱したＤＬＣ膜の硬さは５０時間を経過すると、急激な硬度低下を示した。この原因は、加熱によるＤＬＣ膜の脱水素反応が進み、ＤＬＣ膜の炭素成分がグラファイト化（黒鉛化）が起こっているものと考えられる。なお、ＤＬＣ膜の加熱雰囲気をＡｒガス中や真空中に変えても、加熱によるＤＬＣ膜の硬化現象は認められたので、熱処理によるＤＬＣ膜の硬さを調整できる見通しが得られた。

＜実施例３＞
この実施例では、熱処理後ＤＬＣ膜についての摩擦係数の変化を調査した。

（１）供試ＤＬＣ膜
ＳＵＳ３０４鋼（寸法：直径５０ｍｍ×厚さ６ｍｍ）の表面に、厚さ１０μｍのＤＬＣ膜を被覆形成させたが、その際、ＤＬＣ膜中に含まれる水素含有量を１３〜２０原子％に変化させた。

（２）供試皮膜の熱処理条件
雰囲気：空気中
温 度：室温（２０℃）、３００℃、４５０℃
時 間：１時間

（３）試験方法
熱処理後ＤＬＣ膜の摩擦係数の測定には、下記の装置と条件により実施した。
Ｂａｌｌ ｏｎ Ｄｉｓｋ式摩擦係数計測装置（神鋼造機（株）製 ＳＺ−ＦＴ−９３Ｂ型）
試験荷重 ５Ｎ（０．５ｋｇｆ）
回転速度 ４００ｒ．ｐ．ｍ．
回転半径 ５ｍｍ
試験時間 １５ｍｉｎ
摩耗相手材 Ａｌボール（直径３／１６インチ）
比較例 Ｃｒめっき
ＷＣ−１２％Ｃｏ溶射皮膜
ＳＵＪ２（ＪＩＳ Ｇ４８０５、高炭素クロム軸受鋼）

（４）試験結果
試験結果を表３に示した。この結果から明らかなように、比較例として同じ条件で摩擦係数を測定したＣｒめっき、ＷＣ−１２％Ｃｏ溶射皮膜およびＳＵＪ２鋼板が０．３〜０．８の高い摩擦係数を示すのに対して、熱処理後ＤＬＣ膜（Ｎｏ．１〜５）は常温はもとより、３００℃、４５０℃に加熱した後も、０．１〜０．２の低い摩擦係数を維持しており、摺動的な摩擦に対して十分実用化できる見通しが得られた。

＜実施例４＞
この実施例では、熱処理後ＤＬＣ膜の電気特性について調査した。

（１）供試ＤＬＣ膜
供試ＤＬＣ膜として、ＳＵＳ３０４鋼（寸法：直径５０ｍｍ×厚さ１０ｍｍ）の表面に、水素含有量１８原子％、残部炭素からなるＤＬＣ膜を１８μｍの厚さに形成したものを作製した。

（２）供試皮膜の熱処理条件
供試皮膜は、体積抵抗率の測定に先駆けて、下記の条件で熱処理を行った。
雰囲気：空気中
温 度：１００℃、２００℃、３００℃、４００℃、５００℃、６００℃
時 間：１時間

（３）試験方法
ＤＬＣ膜の体積抵抗率は、次に示す装置と条件により実施した。
試験規格 ＪＩＳ Ｋ６９１１に準拠
試験装置 超絶縁抵抗計 Ｒ８３４０Ａ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製）
デジタルマルチメータ Ｒ６４４１Ａ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製）
Ｔｅｓｔ Ｆｉｘｔｕｒｅ Ｒ１２７０２Ａ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製）
電極の形状 主電極 φ１０ｍｍ
対電極にはＳＵＳ３０４鋼板を使用
電極の材料 主電極：導電性ペースト
印加電圧 １０Ｖ／ｍｉｎ
試験環境 ２２℃／６０％ＲＨ

図８に、ＤＬＣ膜の体積抵抗率の測定要領を示した。ＳＵＳ３０４鋼の基材８１を＋極とし、その表面に形成されているＤＬＣ膜８２の表面に、基材と同質のＳＵＳ３０４鋼（φ１０ｍｍ）の−極８３を導電性ペースト８４を介してＤＬＣ膜に密着させる。その後、直流電源８５によって、基材８１と対極８３を導線８６によって接続させ、電極間に電圧を負荷した際に流れる電流値を電流計８７によって測定し、次式から体積抵抗率を求めた。実際の測定に際しては、基材の端部からの電流を防ぐため、基材の端部にガード電極を設けたが、ここでは省略した。

ここで、Ｐｖ：体積抵抗率（Ω・ｃｍ）
ｄ ：主電極の直径（２．５４ｃｍ）
ｔ ：試験基材の厚さ（ｃｍ）
Ｒｖ：体積抵抗（Ω）
π ：円周率

（４）試験結果
図９は、予備試験として実施した成膜直後のＤＬＣ膜の常温（２０℃）〜１６０℃に加熱した状態における電気抵抗率を測定した結果である。この結果によると熱処理後ＤＬＣ膜の電気抵抗率は、温度が上昇するほど直線的に低下することがわかる。この実験装置では、１６０℃以上の高温下における電気抵抗率の測定は不可能であったため、最高温度を１６０℃としたものである。

次いで、図１０は、それぞれの温度で熱処理を行った後、これを室温（２０℃）まで冷却したＤＬＣ膜の電気抵抗率を測定した結果である。この測定結果によると、３００℃以下の熱処理を施しても、室温まで冷却すると、初期の電気抵抗率の値に復帰するが、それ以上の高温に曝露すると、室温に冷却しても電気抵抗率は加熱前の値まで戻らず、低い電気抵抗値の状態を維持することが判明した。以上の結果から、ＤＬＣ膜の熱処理は、膜の電気特性値に対して、比較的敏感に影響を与えることが確認された。特に、３００℃以上に熱処理することで、熱処理前ＤＬＣ膜よりも低電気抵抗率のＤＬＣ膜を提供することができることが判った。

本発明の技術は、現行のＤＬＣ膜が利用されている分野を含む、下記の産業分野への利用が期待される。
ａ．機械産業では、工作機械、織機、ポンプブロワーなどの回転機械、プラスチック炭素などのフィルムシート、繊維などの製造機・装置類、カメラ、光学機器、印刷機械装置
ｂ．電（気）機産業では、テレビ、ラジオ、洗濯機、冷蔵庫、冷暖房機などの家電製品をはじめ、パソコン、コピーなどの事務用機器、通信・受信用機器
ｃ．半導体産業では、Ｓｉ、硝子などの精密研磨および加工装置
ｄ．バイオ、生物化学、医・薬学分野において要求される無菌および培養部材
化学プラント、石油化学、石油精製プラントなどに使用されている各種部材
以上の各種機械、装置、部材に要求されている機械的、電気的、化学的性能に応える皮膜として利用できる。
ｅ．本発明に係るＤＬＣ膜へのレーザービーム照射による微細彫刻溝を形成する技術は、インプリント部材の製造技術の他、印刷用凹版、凸版の彫刻への応用が可能である。また、機械装置の軸受やシャフト類などの摺動部にＤＬＣ膜を被覆形成した後、この膜にレーザビーム熱源によって螺旋形の溝を加工して潤滑油の通路を形成する技術としても利用できる。

２１ 反応容器
２２ 基材
２３ 導体
２４ 高電圧パルス発生電源
２５ プラズマ発生用電源
２６ 重畳装置
２７ａ バルブ
２７ｂ バルブ
２８ アース
２９ 導入端子
８１ 基材（ＳＵＳ３０４鋼）＋極
８２ 供試ＤＬＣ膜
８３ 対極（ＳＵＳ３０４鋼）−極
８４ 導電性ペースト
８５ 直流電源
８６ 導線
８７ 電流計

Claims (9)

1. 基材の表面に、膜厚が３μｍ超の厚膜ＤＬＣを被覆してなる部材において、この厚膜ＤＬＣは、水素が１３〜３０原子％、残部が炭素である超微粒子の堆積層であって、残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００の熱処理ＤＬＣの膜であることを特徴とする厚膜ＤＬＣ被覆部材。
2. 熱処理前の厚膜ＤＬＣは、プラズマＣＶＤ法によって形成され、初期残留応力が１．０ＧＰａ未満のものであることを特徴とする請求項１に記載の厚膜ＤＬＣ被覆部材。
3. 前記熱処理後厚膜ＤＬＣは、その表面に、レーザビーム熱源もしくは電子ビーム熱源が照射される被加工膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の厚膜ＤＬＣ被覆部材。
4. 前記基材は、金属、非金属のいずれかである無機質化合物または非金属の有機質化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の厚膜ＤＬＣ被覆部材。
5. 基材の表面に形成された、膜厚が３μｍ超、水素が１３〜３０原子％で残部が炭素である超微粒子の堆積層からなる厚膜ＤＬＣを、残留応力が１．０ＧＰａ以上、硬さ（Ｈｖ）が７００〜２８００となるように熱処理することを特徴とする厚膜ＤＬＣ被覆部材の製造方法。
6. 熱処理前の厚膜ＤＬＣは、プラズマＣＶＤ法によって形成され、初期残留応力が１．０ＧＰａ未満のものであることを特徴とする請求項５に記載の厚膜ＤＬＣ被覆部材の製造方法。
7. ＤＬＣ膜の前記熱処理は、成膜温度以上〜５５０℃以下の温度で、０．１〜３０時間の条件で行う処理であることを特徴とする請求項５または６に記載の厚膜ＤＬＣ被覆部材の製造方法。
8. 厚膜ＤＬＣの前記熱処理は、酸素ガス中、空気中、不活性ガス中および真空中から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気中で行うことを特徴とする請求項５〜７のいずれか１に記載の厚膜ＤＬＣ被覆部材の製造方法。
9. 前記熱処理後厚膜ＤＬＣは、その表面が、レーザビーム熱源もしくは電子ビーム熱源が照射される被加工膜であることを特徴とする請求項５〜８のいずれか１に記載の厚膜ＤＬＣ被覆部材の製造方法。

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