JP2002047571A - 成膜装置のクリーニング方法 - Google Patents
成膜装置のクリーニング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 周辺機器および部品を損傷させることなく成
膜室の内部に付着した膜を高圧下で迅速に除去すること
ができる成膜装置のクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 成膜後に、成膜室内を一方側に排気する
とともに、エッチングガスを他方側から成膜室内に導入
して成膜室の内圧を数百Ｔｏｒｒ程度の高圧に保持し、
エッチングガス成分を作用させて付着した不要な膜を除
去する。
膜室の内部に付着した膜を高圧下で迅速に除去すること
ができる成膜装置のクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 成膜後に、成膜室内を一方側に排気する
とともに、エッチングガスを他方側から成膜室内に導入
して成膜室の内圧を数百Ｔｏｒｒ程度の高圧に保持し、
エッチングガス成分を作用させて付着した不要な膜を除
去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜室の内部に付
着した不要な膜を除去する成膜装置のクリーニング方法
に関する。
着した不要な膜を除去する成膜装置のクリーニング方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】成膜装置は半導体ウエハなどの基板に膜
を堆積させる装置であるが、その過程において基板を支
持するサセプタ及びその周辺部にも膜が付着堆積するの
で、これをクリーニングにより定期的に除去する必要が
ある。例えば週に数回程度は装置を停止させて成膜室内
をクリーニング処理する必要がある。
を堆積させる装置であるが、その過程において基板を支
持するサセプタ及びその周辺部にも膜が付着堆積するの
で、これをクリーニングにより定期的に除去する必要が
ある。例えば週に数回程度は装置を停止させて成膜室内
をクリーニング処理する必要がある。
【０００３】従来のクリーニング方法は、およそ５０Ｔ
ｏｒｒの低い圧力で行っていたため堆積物を削り取る速
度（エッチングレート）が遅く、クリーニング処理時間
が約１００分間にも及んでいた。このように長時間にわ
たるクリーニング処理は成膜装置の稼働率を低下させる
原因となっている。
ｏｒｒの低い圧力で行っていたため堆積物を削り取る速
度（エッチングレート）が遅く、クリーニング処理時間
が約１００分間にも及んでいた。このように長時間にわ
たるクリーニング処理は成膜装置の稼働率を低下させる
原因となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、クリーニング
処理にかかる時間を短縮するために、圧力を上昇させて
エッチングレートを増大させることが考えられる。しか
し、高い圧力下でクリーニング処理を行うと、サセプタ
に内蔵されたヒータ等の部品が腐食されて損傷を受ける
という問題がある。
処理にかかる時間を短縮するために、圧力を上昇させて
エッチングレートを増大させることが考えられる。しか
し、高い圧力下でクリーニング処理を行うと、サセプタ
に内蔵されたヒータ等の部品が腐食されて損傷を受ける
という問題がある。
【０００５】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであって、周辺機器および部品を損傷させるこ
となく壁面に付着した膜を高圧下で迅速に除去すること
ができる成膜装置のクリーニング方法を提供することを
目的とする。
れたものであって、周辺機器および部品を損傷させるこ
となく壁面に付着した膜を高圧下で迅速に除去すること
ができる成膜装置のクリーニング方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る成膜装置の
クリーニング方法は、成膜室の内部に付着した不要な膜
を除去する成膜装置のクリーニング方法であって、成膜
後に、成膜室内を一方側に排気するとともに、エッチン
グガスを他方側から成膜室内に導入して成膜室の内圧を
数百Ｔｏｒｒ程度の高圧に保持し、エッチングガス成分
を作用させて付着した不要な膜を除去することを特徴と
する。
クリーニング方法は、成膜室の内部に付着した不要な膜
を除去する成膜装置のクリーニング方法であって、成膜
後に、成膜室内を一方側に排気するとともに、エッチン
グガスを他方側から成膜室内に導入して成膜室の内圧を
数百Ｔｏｒｒ程度の高圧に保持し、エッチングガス成分
を作用させて付着した不要な膜を除去することを特徴と
する。
【０００７】この場合に、Ｏリング付き弁体を有する自
動圧力制御バルブを用いて成膜室内を排気することによ
り成膜室の内圧を３００〜５００Ｔｏｒｒの範囲に圧力
制御することが好ましい。成膜室の内圧が５００Ｔｏｒ
ｒを超えると、減圧装置（Ｏリング付き弁体を有する自
動圧力制御バルブを含む真空排気装置）が腐食により損
傷を受けるなどの安全上の問題を生じるとともに、エッ
チング速度の増加効果がほぼ飽和するので、成膜室の内
圧の上限値は５００Ｔｏｒｒとすることが望ましい。一
方、従来の圧力５０Ｔｏｒｒに比べてエッチング速度に
有意の差を生じるようにするためには図６に示すように
３００Ｔｏｒｒ以上に昇圧する必要があるので、成膜室
の内圧の下限値は３００Ｔｏｒｒとすることが望まし
い。
動圧力制御バルブを用いて成膜室内を排気することによ
り成膜室の内圧を３００〜５００Ｔｏｒｒの範囲に圧力
制御することが好ましい。成膜室の内圧が５００Ｔｏｒ
ｒを超えると、減圧装置（Ｏリング付き弁体を有する自
動圧力制御バルブを含む真空排気装置）が腐食により損
傷を受けるなどの安全上の問題を生じるとともに、エッ
チング速度の増加効果がほぼ飽和するので、成膜室の内
圧の上限値は５００Ｔｏｒｒとすることが望ましい。一
方、従来の圧力５０Ｔｏｒｒに比べてエッチング速度に
有意の差を生じるようにするためには図６に示すように
３００Ｔｏｒｒ以上に昇圧する必要があるので、成膜室
の内圧の下限値は３００Ｔｏｒｒとすることが望まし
い。
【０００８】また、サセプタ内部に不活性ガスを供給し
てサセプタ内部の部材の腐食損傷を防止することが好ま
しい。不活性ガスには窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウ
ムガス等を用いる。窒素ガスを用いる場合は、標準状態
（大気圧／室温）で６リットル／分以上の流量とするこ
とが好ましい。標準状態で６リットル／分以上の流量の
窒素ガスをサセプタ内部に供給すると、図５に示すよう
にサセプタ内部のヒータやリフトピン等の削れ量が略ゼ
ロになるからである。
てサセプタ内部の部材の腐食損傷を防止することが好ま
しい。不活性ガスには窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウ
ムガス等を用いる。窒素ガスを用いる場合は、標準状態
（大気圧／室温）で６リットル／分以上の流量とするこ
とが好ましい。標準状態で６リットル／分以上の流量の
窒素ガスをサセプタ内部に供給すると、図５に示すよう
にサセプタ内部のヒータやリフトピン等の削れ量が略ゼ
ロになるからである。
【０００９】エッチングガスにはＣｌＦ3ガス単体又は
ＣｌＦ3ガスに他のガス成分としてＯ 2，Ｎ2,Ａｒ，Ｈｅ
等の不活性ガスのうち少なくとも１つを混合したガスを
用いることが好ましい。なお、ＣｌＦ3ガスの他にエッ
チングガスとしてはＣＦ4，ＳＦ6，ＮＦ3，ＣＨ2Ｆ2ガ
ス単体又はこれらのガスにＯ2，Ｎ2,Ａｒ，Ｈｅ等の不
活性ガスのうち少なくとも１つを混合したガスを用いる
ようにしてもよい。
ＣｌＦ3ガスに他のガス成分としてＯ 2，Ｎ2,Ａｒ，Ｈｅ
等の不活性ガスのうち少なくとも１つを混合したガスを
用いることが好ましい。なお、ＣｌＦ3ガスの他にエッ
チングガスとしてはＣＦ4，ＳＦ6，ＮＦ3，ＣＨ2Ｆ2ガ
ス単体又はこれらのガスにＯ2，Ｎ2,Ａｒ，Ｈｅ等の不
活性ガスのうち少なくとも１つを混合したガスを用いる
ようにしてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明の好ましい実施の形態について説明する。
明の好ましい実施の形態について説明する。
【００１１】成膜装置１のチャンバ２内には、図１に示
すようにサセプタ１２が設けられ、被処理体としての半
導体ウエハＷがサセプタ１２上に載置されるようになっ
ている。チャンバ２の内部は整流板３により上下に仕切
られ、上部にはガス導入部４が形成され、下部には成膜
室５が形成されている。
すようにサセプタ１２が設けられ、被処理体としての半
導体ウエハＷがサセプタ１２上に載置されるようになっ
ている。チャンバ２の内部は整流板３により上下に仕切
られ、上部にはガス導入部４が形成され、下部には成膜
室５が形成されている。
【００１２】チャンバ２の上部壁を成膜ガス供給管６お
よびエッチングガス供給管７がそれぞれ貫通し、各供給
管の開口部６ａ，７ａがガス導入部４にそれぞれ連通し
ている。成膜ガス供給管６はバルブ６ｂを介して図示し
ないガス供給源に連通している。このガス供給源は成膜
ガスとしてのシラン、ジシラン等を収容した複数のガス
ボンベを備えている。一方、エッチングガス供給管７は
バルブ７ｂを介して図示しないガス供給源に連通してい
る。このガス供給源はクリーニング用のエッチングガス
としてのＣｌＦ３を収容したガスボンベを備えている。
供給管６又は７を介してガス導入部４にガスを供給する
と、ガスは整流板３の多数の孔３ａを通って下方の成膜
室５に流れ込むようになっている。
よびエッチングガス供給管７がそれぞれ貫通し、各供給
管の開口部６ａ，７ａがガス導入部４にそれぞれ連通し
ている。成膜ガス供給管６はバルブ６ｂを介して図示し
ないガス供給源に連通している。このガス供給源は成膜
ガスとしてのシラン、ジシラン等を収容した複数のガス
ボンベを備えている。一方、エッチングガス供給管７は
バルブ７ｂを介して図示しないガス供給源に連通してい
る。このガス供給源はクリーニング用のエッチングガス
としてのＣｌＦ３を収容したガスボンベを備えている。
供給管６又は７を介してガス導入部４にガスを供給する
と、ガスは整流板３の多数の孔３ａを通って下方の成膜
室５に流れ込むようになっている。
【００１３】チャンバ２の下部壁を複数の排気管８がそ
れぞれ貫通している。これらの排気管８の開口部８ａは
サセプタ１２の周囲で成膜室５に連通開口している。複
数の排気管８はバルブ８ｂに合流し、さらに自動圧力制
御バルブ９を経由して真空ポンプ１０の吸引口に連通し
ている。真空ポンプ１０は成膜室５の内圧が例えば１×
１０-3〜１×１０-6Torrのレベルになるまで排気する能
力を有している。
れぞれ貫通している。これらの排気管８の開口部８ａは
サセプタ１２の周囲で成膜室５に連通開口している。複
数の排気管８はバルブ８ｂに合流し、さらに自動圧力制
御バルブ９を経由して真空ポンプ１０の吸引口に連通し
ている。真空ポンプ１０は成膜室５の内圧が例えば１×
１０-3〜１×１０-6Torrのレベルになるまで排気する能
力を有している。
【００１４】次に、図２および図３を参照しながら自動
圧力制御バルブ（ＡＰＣ）９について説明する。
圧力制御バルブ（ＡＰＣ）９について説明する。
【００１５】ＡＰＣ９は、真空ポンプ１０による成膜室
５の排気量を制御するためのものであり、ケース９１、
弁体９２、Ｏリング９３、弁座９４、シャフト９５、ス
テッピングモータ９６をそれぞれ備えている。ケース９
１内には弁体９２が流路９０を塞ぐように可動にシャフ
ト９５に支持されている。弁体９２の外周には保持溝が
形成され、この保持溝にＯリング９３が嵌め込まれてい
る。Ｏリング９３は硬質の樹脂又は金属でつくられ、ケ
ース９１の内面に形成された弁座９４に当接され、流路
９０を気密に塞ぐようになっている。シャフト９５はス
テッピングモータ９６の駆動軸に連結されている。モー
タ９６によりシャフト９５を回転角度制御動作させる
と、弁体９２の開度が変わるようになっている。
５の排気量を制御するためのものであり、ケース９１、
弁体９２、Ｏリング９３、弁座９４、シャフト９５、ス
テッピングモータ９６をそれぞれ備えている。ケース９
１内には弁体９２が流路９０を塞ぐように可動にシャフ
ト９５に支持されている。弁体９２の外周には保持溝が
形成され、この保持溝にＯリング９３が嵌め込まれてい
る。Ｏリング９３は硬質の樹脂又は金属でつくられ、ケ
ース９１の内面に形成された弁座９４に当接され、流路
９０を気密に塞ぐようになっている。シャフト９５はス
テッピングモータ９６の駆動軸に連結されている。モー
タ９６によりシャフト９５を回転角度制御動作させる
と、弁体９２の開度が変わるようになっている。
【００１６】モータ９６の電気回路はケーブル９７を介
して図示しない電源に接続され、電源はコントローラ
（図示せず）の出力部に接続されている。コントローラ
の入力部には成膜室５に取り付けられた圧力センサ（図
示せず）が接続されている。コントローラは、圧力セン
サから成膜室内圧の検出信号を受けると、これに基づい
てモータ９６の電源に指令信号を送り、ＡＰＣ９の弁体
９２の開度を変えさせるようになっている。
して図示しない電源に接続され、電源はコントローラ
（図示せず）の出力部に接続されている。コントローラ
の入力部には成膜室５に取り付けられた圧力センサ（図
示せず）が接続されている。コントローラは、圧力セン
サから成膜室内圧の検出信号を受けると、これに基づい
てモータ９６の電源に指令信号を送り、ＡＰＣ９の弁体
９２の開度を変えさせるようになっている。
【００１７】サセプタ１２はチャンバ２の下部に取り付
けられている。サセプタ１２の上部にはウエハホルダ１
３が設けられ、この上にウエハＷが載置されるようにな
っている。サセプタ１２は円筒状をなし、その内部には
少なくとも３本のリフトピン１４とヒータ１８がそれぞ
れ設けられている。
けられている。サセプタ１２の上部にはウエハホルダ１
３が設けられ、この上にウエハＷが載置されるようにな
っている。サセプタ１２は円筒状をなし、その内部には
少なくとも３本のリフトピン１４とヒータ１８がそれぞ
れ設けられている。
【００１８】リフトピン１４はシリンダ１６に昇降可能
に支持されている。シリンダ１６によりリフトピン１４
を上昇させると、各ピン１４はウエハホルダ１３の貫通
孔１３ａを通ってホルダ１３より突出してウエハＷを上
方に突き上げるようになっている。リフトピン１４は耐
食性金属、樹脂、カーボン材あるいはセラミックででき
ている。
に支持されている。シリンダ１６によりリフトピン１４
を上昇させると、各ピン１４はウエハホルダ１３の貫通
孔１３ａを通ってホルダ１３より突出してウエハＷを上
方に突き上げるようになっている。リフトピン１４は耐
食性金属、樹脂、カーボン材あるいはセラミックででき
ている。
【００１９】ヒータ１８は渦巻状をなし、ウエハホルダ
１３とほぼ平行に設けられている。このヒータ１８は抵
抗発熱体からなり、最高加熱温度が約１０００℃であ
る。ヒータ１８の電源も図示しないコントローラにより
制御されるようになっている。
１３とほぼ平行に設けられている。このヒータ１８は抵
抗発熱体からなり、最高加熱温度が約１０００℃であ
る。ヒータ１８の電源も図示しないコントローラにより
制御されるようになっている。
【００２０】チャンバ２の下部壁のほぼ中央をパージガ
ス供給管２０が貫通し、供給管の開口部２０ａがサセプ
タ１２の内部に連通している。パージガス供給管２０は
バルブ２０ｂを介して図示しない窒素ガス供給源に連通
している。バルブ２０ｂは流量制御弁であり、ガス供給
源からサセプタ１２の内部に供給される窒素ガスの流量
が制御されるようになっている。
ス供給管２０が貫通し、供給管の開口部２０ａがサセプ
タ１２の内部に連通している。パージガス供給管２０は
バルブ２０ｂを介して図示しない窒素ガス供給源に連通
している。バルブ２０ｂは流量制御弁であり、ガス供給
源からサセプタ１２の内部に供給される窒素ガスの流量
が制御されるようになっている。
【００２１】次に、クリーニング動作について説明す
る。
る。
【００２２】繰り返しの成膜処理により成膜室５の内壁
面２ａやサセプタ１２の外周面等には例えばポリシリコ
ン膜が多量に付着堆積している。このポリシリコン膜を
以下の条件で除去した。
面２ａやサセプタ１２の外周面等には例えばポリシリコ
ン膜が多量に付着堆積している。このポリシリコン膜を
以下の条件で除去した。
【００２３】排気管８を介してチャンバ２の内部を真空
排気した状態から、成膜室５の内圧を希釈ガスやサセプ
タパージガスによって約３８５Ｔｏｒｒまで上昇させた
ところでエッチングガスとしてＣｌＦ３単体ガスを約６
００ｓｃｃｍの流量で供給管７を介してチャンバ２内に
導入した。排気とガス供給とがバランスして成膜室５の
内圧が約３８５ＴｏｒｒになるようにＡＰＣ９の開度を
制御した。クリーニング処理中はパージガス供給管２０
を介して窒素ガスをサセプタ１２の内部に供給し、パー
ジガスによりヒータ１８およびリフトピン１４の腐食を
防止した。
排気した状態から、成膜室５の内圧を希釈ガスやサセプ
タパージガスによって約３８５Ｔｏｒｒまで上昇させた
ところでエッチングガスとしてＣｌＦ３単体ガスを約６
００ｓｃｃｍの流量で供給管７を介してチャンバ２内に
導入した。排気とガス供給とがバランスして成膜室５の
内圧が約３８５ＴｏｒｒになるようにＡＰＣ９の開度を
制御した。クリーニング処理中はパージガス供給管２０
を介して窒素ガスをサセプタ１２の内部に供給し、パー
ジガスによりヒータ１８およびリフトピン１４の腐食を
防止した。
【００２４】これによりチャンバ内壁面２ａ、整流板３
の下面、サセプタ１２の外周面にそれぞれ付着したポリ
シリコン膜を除去した。本実施例では約１４〜１７分間
のクリーニング処理により成膜室５の内壁面２ａおよび
サセプタ１２の外周面等からほぼ完全に付着膜を除去す
ることができた。
の下面、サセプタ１２の外周面にそれぞれ付着したポリ
シリコン膜を除去した。本実施例では約１４〜１７分間
のクリーニング処理により成膜室５の内壁面２ａおよび
サセプタ１２の外周面等からほぼ完全に付着膜を除去す
ることができた。
【００２５】図４は横軸に自動圧力制御バルブ（ＡＰ
Ｃ）の開度（％）をとり、縦軸に成膜室内の圧力（Ｐ
ａ）をとって、Ｏリング付きＡＰＣを用いて成膜室内を
圧力制御した結果（実施例）とＯリング無しＡＰＣを用
いて成膜室内を圧力制御した結果（比較例）とを比べて
その減圧効果を示す特性線図である。図中の特性線Ａ
（黒菱形）は実施例の方式で制御した結果を、特性線Ｂ
（黒三角）は比較例の方式で制御した結果を示す。図か
ら明らかなようにＯリング無しＡＰＣ（特性線Ｂ）より
もＯリング付きＡＰＣ（特性線Ａ）のほうが排気コンダ
クタンスの調整幅が広いことがわかる。従って、成膜プ
ロセスは膜の均一性や被覆性能を向上させるために低圧
で行われるため、Ｏリング付きＡＰＣを用いることによ
り高圧クリーニング処理が可能な圧力から成膜処理可能
な圧力までを１つのＡＰＣで対応させることができる。
また、クリーニングと成膜とで別々の排気系をもつ必要
がなくなるので、コストダウンに寄与することができ
る。
Ｃ）の開度（％）をとり、縦軸に成膜室内の圧力（Ｐ
ａ）をとって、Ｏリング付きＡＰＣを用いて成膜室内を
圧力制御した結果（実施例）とＯリング無しＡＰＣを用
いて成膜室内を圧力制御した結果（比較例）とを比べて
その減圧効果を示す特性線図である。図中の特性線Ａ
（黒菱形）は実施例の方式で制御した結果を、特性線Ｂ
（黒三角）は比較例の方式で制御した結果を示す。図か
ら明らかなようにＯリング無しＡＰＣ（特性線Ｂ）より
もＯリング付きＡＰＣ（特性線Ａ）のほうが排気コンダ
クタンスの調整幅が広いことがわかる。従って、成膜プ
ロセスは膜の均一性や被覆性能を向上させるために低圧
で行われるため、Ｏリング付きＡＰＣを用いることによ
り高圧クリーニング処理が可能な圧力から成膜処理可能
な圧力までを１つのＡＰＣで対応させることができる。
また、クリーニングと成膜とで別々の排気系をもつ必要
がなくなるので、コストダウンに寄与することができ
る。
【００２６】図５は横軸にパージガスとしてのＮ2ガス
流量（標準リットル／分）をとり、縦軸にクリーニング
ガスによるサセプタ内部のエッチング速度（μｍ／分）
をとって、両者の関係について調べた特性線Ｃを示す図
である。図から明らかなように、パージガス流量の増加
に伴いサセプタ内部の削れ量は急激に減少し、窒素ガス
流量が標準状態で６リットル／分以上になると、削れ量
がほぼゼロになる。
流量（標準リットル／分）をとり、縦軸にクリーニング
ガスによるサセプタ内部のエッチング速度（μｍ／分）
をとって、両者の関係について調べた特性線Ｃを示す図
である。図から明らかなように、パージガス流量の増加
に伴いサセプタ内部の削れ量は急激に減少し、窒素ガス
流量が標準状態で６リットル／分以上になると、削れ量
がほぼゼロになる。
【００２７】図６は横軸に成膜室内の圧力（Ｔｏｒｒ）
をとり、縦軸にエッチング速度（μｍ／分）をとって、
エッチング速度の圧力依存性を示す特性線Ｄを示す図で
ある。エッチング速度の計測点は、チャンバ内壁面２
ａ、整流板３の下面、サセプタ１２の外周面でそれぞれ
１箇所とした。
をとり、縦軸にエッチング速度（μｍ／分）をとって、
エッチング速度の圧力依存性を示す特性線Ｄを示す図で
ある。エッチング速度の計測点は、チャンバ内壁面２
ａ、整流板３の下面、サセプタ１２の外周面でそれぞれ
１箇所とした。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、周辺機器および部品を
損傷させることなく成膜室の内部に付着した膜を高圧下
で迅速に除去することができる。
損傷させることなく成膜室の内部に付着した膜を高圧下
で迅速に除去することができる。
【図１】本発明の実施形態に係る成膜装置のクリーニン
グ方法に用いられた装置の概要を示す内部透視断面図。
グ方法に用いられた装置の概要を示す内部透視断面図。
【図２】自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）をガス流路に直
交する方向から見て示す図。
交する方向から見て示す図。
【図３】自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）をガス流路に平
行な方向から見て示す図。
行な方向から見て示す図。
【図４】ＡＰＣ開度と成膜室の圧力との関係をＯリング
の有無により比較して示す特性線図。
の有無により比較して示す特性線図。
【図５】パージガスとしてのＮ2ガス流量とクリーニン
グガスによるサセプタ内部の削れ量との関係を示す特性
線図。
グガスによるサセプタ内部の削れ量との関係を示す特性
線図。
【図６】クリーニング処理時における成膜室内の圧力と
エッチング速度との関係を示す特性線図。
エッチング速度との関係を示す特性線図。
１…成膜装置、 ２…チャンバ、２ａ…内壁面、 ３…整流板、 ４…ガス導入部、 ５…成膜室、 ６…成膜ガス供給管、 ７…エッチングガス供給管、 ８…排気管、 ９…自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）、 ９０…ガス流路、 ９１…ケース、 ９２…弁体、 ９３…Ｏリング、 ９４…弁座、 ９５…シャフト、 ９６…モータ、 １０…真空ポンプ、 １２…サセプタ、 １３…ウエハホルダ、 １４…リフトピン、 １６…昇降シリンダ、 １８…ヒータ、 ２０…パージガス供給管、 Ｗ…ウエハ。
Claims (5)
- 【請求項１】 成膜室の内部に付着した不要な膜を除去
する成膜装置のクリーニング方法であって、 成膜後に、成膜室内を一方側に排気するとともに、エッ
チングガスを他方側から成膜室内に導入して成膜室の内
圧を数百Ｔｏｒｒ程度の高圧に保持し、エッチングガス
成分を作用させて付着した不要な膜を除去することを特
徴とする成膜装置のクリーニング方法。 - 【請求項２】 Ｏリング付き弁体を有する自動圧力制御
バルブを用いて成膜室内を排気することにより成膜室の
内圧を３００〜５００Ｔｏｒｒの範囲に圧力制御するこ
とを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 サセプタ内部に不活性ガスを供給してサ
セプタ内部の部材の腐食損傷を防止することを特徴とす
る請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 標準状態で６リットル／分以上の流量の
窒素ガスを供給してサセプタ内部を窒素ガスパージする
ことを特徴とする請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 エッチングガスとしてＣｌＦ3ガス単体
又はＣｌＦ3ガスに他の成分ガスを混合したガスを用い
ることを特徴とする請求項１記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000229212A JP2002047571A (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 成膜装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000229212A JP2002047571A (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 成膜装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002047571A true JP2002047571A (ja) | 2002-02-15 |
Family
ID=18722372
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000229212A Pending JP2002047571A (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 成膜装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002047571A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011035434A (ja) * | 2002-03-28 | 2011-02-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法およびクリーニング方法 |
-
2000
- 2000-07-28 JP JP2000229212A patent/JP2002047571A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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