KR20120029987A - 액 처리 방법, 액 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 액 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성된 기판의 이면으로부터 티탄 함유막을 제거할 때에, 기판의 이면에 잔류하는 티탄 원소를 종래부터 짧은 시간에 제거할 수 있는 액 처리 방법을 제공한다.
본 발명은 처리액에 의해 기판의 이면을 처리하는 액 처리 방법으로, 회전 가능하게 설치되고 기판을 지지하는 지지부에 의해, 표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성되어 있는 기판을 지지하고, 지지부에 지지되어 있는 기판을, 지지부와 함께 회전시키고, 회전하는 기판의 이면에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액을 공급하고, 공급한 제1 처리액에 의해 기판의 이면을 처리하는 제1 공정(S11)과, 제1 공정(S11) 후에, 회전하는 기판의 이면에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액을 공급하고, 공급한 제2 처리액에 의해 기판의 이면을 처리하는 제2 공정(S12)을 포함한다.

Description

액 처리 방법, 액 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 액 처리 장치{LIQUID PROCESSING METHOD, RECORDING MEDIUM HAVING RECORDED PROGRAM FOR EXECUTING LIQUID PROCESSING METHOD THEREIN AND LIQUID PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 처리액을 이용하여 처리하는 액 처리 방법, 이 액 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 액 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스나 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서는, 피처리 기판인 반도체 웨이퍼나 유리 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 하는 액 처리 프로세스가 다용되고 있다.
이러한 액 처리 프로세스의 하나로서, 기판의 이면에 처리액을 공급하고, 공급한 처리액에 의해, 기판의 이면에 액 처리를 하는 액 처리 프로세스가 있다.
예컨대, 반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서는, 회로 형성면인 기판의 표면에 각종 박막을 형성하기 위해서 성막 공정이 실행되는 경우가 있다. 성막 공정에서는, 기판의 표면뿐만 아니라 회로 형성면이 아닌 기판의 이면에도 박막이 성막되는 경우가 있다. 기판의 이면에 형성된 박막은, 그 후의 제조 공정 중에서, 예컨대 열처리 등을 할 때에 기판에 휘어짐을 발생시키는 요인으로도 되기 때문에, 제거하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 기판의 이면에 처리액을 공급하고, 공급된 처리액에 의해, 기판의 이면을 에칭 처리하는 액 처리 프로세스를 행하는 경우가 있다.
이러한 액 처리 프로세스를 행하는 액 처리 장치로서, 기판의 하면에 처리액을 공급함으로써, 기판의 하면에 대하여 액 처리를 하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 개시하는 예에서, 기판 처리 장치는, 기판 유지 수단(지지부), 제1 구동 수단(회전부) 및 에칭액 공급 수단(처리액 공급부)을 구비하고 있다. 기판 유지 수단은, 기판을 수평 자세로 지지한 상태로 유지한다. 제1 구동 수단은, 기판 유지 수단에 유지된 기판을 수직 방향의 축심 주위에서 회전시킨다. 에칭액 공급 수단은, 기판 유지 수단에 유지되고 제1 구동 수단에 의해 회전하는 기판의 하면에 처리액을 공급한다.
또한, 기판의 표면 및 이면에, 티탄을 함유하는 티탄 함유막이 형성된 기판으로부터, 티탄 함유막을 에칭 처리하여, 제거하기 위한 처리액으로서, 플루오르화수소산을 포함하는 에칭액을 이용하는 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 2000-235948호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 2005-97715호 공보
그런데, 플루오르화수소산을 포함하는 에칭액을 처리액으로서 이용하여, 표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성된 기판의 이면으로부터 티탄 함유막을 제거하기 위한 액 처리 방법 및 액 처리 장치에서는, 다음과 같은 문제가 있다.
플루오르화수소산을 포함하는 처리액을 회전하는 기판의 이면에 공급하여, 기판의 이면으로부터 티탄 함유막을 제거할 때에, 기판의 이면에서의 티탄 함유막의 막 두께가 대략 0과 같게 되었을 때에도, 원소 분석에 의해 검출되는 티탄 원소의 검출치가 허용되는 소정의 값 이하로 감소하지 않는다. 따라서 티탄 원소의 검출치를 소정의 값 이하로 하기 위해서, 기판의 이면에서의 티탄 함유막의 막 두께가 대략 0과 같게 된 후에, 장시간 처리액에 의해 더 처리하지 않으면 안 된다. 즉, 발명자는 기판의 표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성된 기판의 이면으로부터 티탄 함유막을 제거할 때에, 기판의 이면에 잔류하는 티탄 원소를 단시간에 제거할 수 없다는 것을 발견하였다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성된 기판의 이면으로부터 티탄 함유막을 제거할 때에, 기판의 이면에 잔류하는 티탄 원소를 종래보다 짧은 시간에 제거할 수 있는 액 처리 방법 및 액 처리 장치를 제공한다.
전술한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에서는, 이하에 진술하는 각 수단을 강구한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 처리액에 의해 기판의 이면을 처리하는 액 처리 방법으로서, 회전 가능하게 설치되고, 기판을 지지하는 지지부에 의해, 표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성되어 있는 기판을 지지하고, 상기 지지부에 지지되어 있는 상기 기판을, 상기 지지부와 함께 회전시키고, 회전하는 상기 기판의 상기 이면에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액을 공급하고, 공급한 상기 제1 처리액에 의해 상기 기판의 상기 이면을 처리하는 제1 공정과, 상기 제1 공정 후에, 회전하는 상기 기판의 상기 이면에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액을 공급하고, 공급한 상기 제2 처리액에 의해 상기 기판의 상기 이면을 처리하는 제2 공정을 포함하는 액 처리 방법이 제공된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 처리액에 의해 기판의 이면을 처리하는 액 처리 장치로서, 회전 가능하게 설치되고, 기판을 지지하는 지지부와, 상기 지지부를 회전시키는 회전부와, 상기 지지부에 지지되어 있는 기판의 이면에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급부와, 상기 지지부에 지지되어 있는 기판의 이면에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급부와, 상기 제1 처리액 공급부와 상기 제2 처리액 공급부를 전환하는 제1 개폐 기구와, 상기 회전부와 상기 제1 개폐 기구를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 지지부에 의해, 표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성되어 있는 기판을 지지하고, 상기 지지부에 지지되어 있는 상기 기판을, 상기 회전부에 의해 상기 지지부와 함께 회전시키고, 회전하는 상기 기판의 상기 이면에, 상기 제1 처리액 공급부에 의해 상기 제1 처리액을 공급하고, 상기 제1 처리액에 의한 처리 후에, 회전하는 상기 기판의 상기 이면에, 상기 제2 처리액 공급부에 의해, 상기 제2 처리액을 공급하도록, 상기 회전부와 상기 제1 개폐 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성된 기판의 이면으로부터 티탄 함유막을 제거할 때에, 기판의 이면에 잔류하는 티탄 원소를 종래보다 짧은 시간에 제거할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 액 처리 장치의 구성을 도시하는 개략 단면도이다.
도 2는 실시형태에 따른 액 처리 장치의 회전컵 근방을 확대한 개략 단면도이다.
도 3은 실시형태에 따른 액 처리 장치의 회전컵의 사시도이다.
도 4는 실시형태에 따른 액 처리 방법의 순서를 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 5는 실시형태에 따른 액 처리 방법에 있어서의 웨이퍼의 회전수의 시간 변화를 도시하는 그래프이다.
도 6은 실시형태에 따른 액 처리 방법에 있어서의 웨이퍼의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 7은 비교예 1에 따른 액 처리 방법에 있어서의 웨이퍼의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 8은 비교예 2에 따른 액 처리 방법에 있어서의 웨이퍼의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 9는 티탄 함유막의 막 두께의 시간 변화를, 실시형태와 비교예의 사이에서 비교하여 모식적으로 도시하는 그래프이다.
도 10은 실시형태에 따른 액 처리 방법을 행한 후의 웨이퍼의 표면의 사진을, 비교예 1에 따른 액 처리 방법을 행한 후의 웨이퍼의 표면의 사진과 비교하여 도시한 도면이다.
도 11은 실시형태에 따른 액 처리 방법에 있어서 티탄 함유막이 에칭되는 모습을, 비교예 1에 따른 액 처리 방법에 있어서 티탄 함유막이 에칭되는 모습과 비교하여 도시한 도면이다.
도 12는 실시형태의 변형예에 따른 액 처리 장치의 구성을 도시하는 개략 단면도이다.
도 13은 실시형태의 변형예에 따른 액 처리 방법의 순서를 설명하기 위한 플로우 차트이다.
도 14는 실시형태의 변형예에 따른 액 처리 방법에 있어서의 웨이퍼의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
다음으로, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 관해서 도면을 참고로 설명한다. 여기서는, 본 발명을 회로 형성면이 아닌 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라 칭함)의 이면을 처리하는 액 처리 장치에 적용한 경우에 관해서 설명한다.
(실시형태)
먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 실시형태에 따른 액 처리 장치에 관해서 설명한다. 본 실시형태의 액 처리 장치는, 피처리체인 반도체 웨이퍼(W)(이하, 웨이퍼(W)로 지칭함)의 하면에 처리액을 공급하여, 웨이퍼(W)의 하면을 처리하는 것이다.
도 1은, 본 실시형태에 따른 액 처리 장치(100)의 구성을 도시하는 개략 단면도이다. 도 2는, 본 실시형태에 따른 액 처리 장치(100)의 회전컵(30) 근방을 확대한 개략 단면도이다. 도 3은, 본 실시형태에 따른 액 처리 장치(100)의 회전컵(30)의 사시도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 액 처리 장치(100)는, 처리액 공급 기구(10), 배출 기구(20), 회전컵(30), 지지핀(35), 탑 플레이트(40), 베이스 플레이트(베이스; 50), 회전 구동부(60), 및 제어부(70)를 구비한다.
또한, 회전 구동부(60)는, 본 발명에 있어서의 회전부에 해당한다. 또한, 회전컵(30) 및 지지핀(35)은, 본 발명에 있어서의 지지부에 해당한다.
처리액 공급 기구(10)는, 웨이퍼(W)의 하면에 처리액을 공급한다. 배출 기구(20)는, 웨이퍼(W)를 처리한 처리액을 배출한다. 회전컵(30)은, 웨이퍼(W)의 주연부 외측에 설치되고, 웨이퍼(W)를 처리한 처리액을 배출 기구(20)로 유도한다.
처리액 공급 기구(10)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 처리액 공급부(11a), 제2 처리액 공급부(11b), 순수 공급부(11c), 제1 개폐 기구(11d ) 및 처리액 공급관(12)을 갖는다. 제1 처리액 공급부(11a), 제2 처리액 공급부(11b) 및 순수 공급부(11c)는, 각각 제1 처리액(E1), 제2 처리액(E2) 및 순수(DIW)를 전환 가능하게 공급한다. 제1 개폐 기구(11d)는, 제1 처리액 공급부(11a)와, 제2 처리액 공급부(11b)와, 순수 공급부(11c)를 전환 가능하게 처리액 공급관(12)에 접속한다. 즉, 제1 개폐 기구(11d)는, 제1 처리액 공급부(11a)와, 제2 처리액 공급부(11b)와, 순수 공급부(11c)를 전환하기 위한 것이다. 또한, 제1 개폐 기구(11d)는, 제1 처리액 공급부(11a), 제2 처리액 공급부(11b) 및 순수 공급부(11c)의 전체 공급을 중지시킬 수 있다. 처리액 공급관(12)은, 제1 처리액 공급부(11a), 제2 처리액 공급부(11b) 및 순수 공급부(11c)로부터 전환 가능하게 공급된 제1 처리액(E1), 제2 처리액(E2) 또는 순수(DIW)를 웨이퍼(W)의 하면측까지 유도한다. 처리액 공급관(12)의 상면은, 처리액 공급구(12a)를 구성하고 있다.
본 실시형태에서는, 처리액 공급 기구(10)는, 예컨대, 먼저, 제1 처리액 공급부(11a)에 의해 플루오르화수소산(HF)을 포함하는 제1 처리액(E1)을 공급하고, 다음에, 제2 처리액 공급부(11b)에 의해 암모니아과수(SC1)를 포함하는 제2 처리액(E2)을 공급하고, 그 후, 순수 공급부(11c)에 의해 순수(DIW)를 공급하도록 구성할 수 있다.
배출 기구(20)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 배액컵(21) 및 배액관(22)을 갖는다. 배액컵(21)은, 회전컵(30)에 의해서 유도되는 처리액을 받는다. 배액관(22)은, 배액컵(21)에 의해서 받은 처리액을 배출한다. 또한, 배액컵(21)의 주위에는, 배기컵(23)이 설치되고, 배기컵(23)에는, 배기컵(23) 내의 질소 가스 등의 기체를 흡인하여 배출하는 배기관(24)이 설치된다. 또한, 배기관(24)에는, 흡인력을 부여하는 배출 흡인부(도시하지 않음)가 연결되어 있다.
지지핀(35)은, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 회전컵(30)의 하단에서, 주연부 내측으로 돌출하도록 복수 설치된다. 지지핀(지지부; 35)은, 웨이퍼(W)의 주연부의 하면을 지지한다.
탑 플레이트(40)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 지지핀(35)에 의해서 지지된 웨이퍼(W)의 상면측에, 웨이퍼(W)를 덮도록 설치된다. 탑 플레이트(40)의 내부에는, 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스(본 실시형태에서는 질소 가스)를 공급하는 불활성 가스 공급부(46)에 연결된 불활성 가스 공급관(47)이 연장되어 있다. 또한, 불활성 가스 공급관(47)은, 탑 플레이트(40)의 중심부에 단부가 있고, 이 단부가 불활성 가스 공급구(47a)를 구성하고 있다. 또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 탑 플레이트(40)에는, 탑 플레이트(40)를 상하방향으로 이동시키는 탑 플레이트 구동부(49)가 연결되어 있다.
베이스 플레이트(베이스; 50)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 회전컵(30)의 하방측에 설치된다. 베이스 플레이트(베이스; 50)는, 중공 형상으로 이루어지고, 아래쪽을 향해서 연장하는 중공 구조의 회전축(51)이 설치된다.
회전 구동부(60)는, 회전축(51)을 회전시키는 것이다. 회전 구동부(60)는, 회전축(51)에 연결되어 있다. 회전 구동부(60)에 의해 회전축(51)을 회전시킴에 따라, 베이스 플레이트(50) 및 회전컵(30)을 회전시킬 수 있고, 회전컵(30)에 설치된 지지핀(35) 상의 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다.
회전 구동부(60)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 모터(61), 풀리(62) 및 구동 벨트(63)를 갖는다. 풀리(62)는, 회전축(51)의 주연부 외측에 배치되어 있다. 구동 벨트(63)는, 풀리(62)에 걸려 있다. 모터(61)는, 구동 벨트(63)에 구동력을 부여함으로써, 풀리(62)를 통해 회전축(51)을 회전시키는 것이다. 회전축(51)의 주연부 외측에는 베어링(52)이 배치되어 있다.
또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 회전컵(30)과 회전축(51)의 중공 내에는, 리프트핀(55a)을 갖고, 중공 형상으로 이루어지는 리프트핀 플레이트(55)와, 이 리프트핀 플레이트(55)로부터 아래쪽으로 연장하고, 중공 형상으로 이루어지는 리프트축(56)이 배치되어 있다. 또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 리프트핀 플레이트(55) 및 리프트축(56)의 내부(중공 공간 내부)에는, 처리액 공급관(12)이 상하방향으로 연장하고 있다. 또한, 리프트축(56)에는, 이 리프트축(56)을 상하방향으로 이동시키는 리프트축 구동부(도시하지 않음)가 연결되어 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 베이스 플레이트(50)와 회전컵(30)의 사이에는 스페이서(31)가 배치되어 있고, 이 스페이서(31) 내에는, 회전컵(30)과 베이스 플레이트(50)를 체결하는 나사 등의 체결 부재(32)가 설치된다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 회전컵(30)에는 체결 부재(32)를 관통시키기 위한 구멍부(30a)가 형성되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 지지핀(35)과 회전컵(30)이 일체로 구성되어 있다. 또한, 스페이서(31)와 회전컵(30)도 일체로 구성되어 있다.
제어부(70)는, 예컨대, 도시하지 않는 연산 처리부, 기억부 및 표시부를 갖는다. 연산 처리부는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit)을 갖는 컴퓨터이다. 기억부는, 연산 처리부에, 각종의 처리를 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고, 예컨대 하드디스크에 의해 구성되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이다. 표시부는, 예컨대 컴퓨터의 화면을 포함한다. 연산 처리부는, 기억부에 기록된 프로그램을 판독하여 후술하는 액 처리 방법을 실행한다.
즉, 제어부(70)는, 회전 구동부(60), 제1 개폐 기구(11d)를 제어한다.
다음에, 본 실시형태에 따른 액 처리 장치(100)의 작용에 관해서 진술한다.
먼저, 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해서, 캐리어(도시하지 않음)로부터 취출된 웨이퍼(W)가, 리프트축 구동부(도시하지 않음)에 의해 전달 위치(상측 위치)에 위치 결정된 리프트핀 플레이트(55)의 리프트핀(55a) 상에 배치된다. 이때, 탑 플레이트(40)는, 탑 플레이트 구동부(49)에 의해서, 웨이퍼(W)의 전달 위치보다도 상측 위치에 위치 결정되어 있다.
다음으로, 리프트축 구동부(도시하지 않음)에 의해서, 리프트핀 플레이트(55)가 아래쪽으로 이동하하여 웨이퍼 처리 위치에 위치 결정된다(도 1 참조). 이와 같이 리프트핀 플레이트(55)가 아래쪽으로 이동하고 있는 사이에, 회전컵(30)에 설치된 지지핀(35)에 의해서, 웨이퍼(W)의 주연부가 지지된다. 그 후, 탑 플레이트 구동부(49)에 의해서, 탑 플레이트(40)가 하측 위치에 위치 결정된다.
또한, 본 실시형태에서는, 회전컵(30)의 내주면(30f)이 아래쪽을 향해서 경사져 있다(도 2 참조). 이 때문에, 소정의 위치로 웨이퍼(W)를 하측으로 미끄러지게 할 수 있어, 웨이퍼(W)를 지지핀(35)에 의해서 확실하게 지지시킬 수 있다.
다음으로, 회전 구동부(60)에 의해 회전축(51)이 회전 구동됨에 따라, 베이스 플레이트(50) 및 회전컵(30)이 회전되고, 이 결과, 회전컵(30)에 설치된 지지핀(35) 상의 웨이퍼(W)가 회전된다(도 1 참조). 여기서, 회전축(51)은, 모터(61)로부터 구동 벨트(63)를 통해 풀리(62)에 구동력이 부여됨으로써, 회전 구동된다.
이때, 웨이퍼(W)의 하면에는, 처리액 공급 기구(10)에 의해 제1 처리액(E1)[혹은 제2 처리액(E2)]이 공급된다(도 1 참조). 그리고 웨이퍼(W)의 하면에 공급된 제1 처리액(E1)[혹은 제2 처리액(E2)]은, 웨이퍼(W)가 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해서 주연부 외측을 향하여 이동된다.
한편, 탑 플레이트(40)의 중심부에 마련된 불활성 가스 공급구(47a)로부터는 질소(N2) 가스가 공급된다(도 1 참조). 그리고, 이 질소 가스는, 웨이퍼(W)의 상면을 거친 후, 웨이퍼(W)의 외주부로 흐른다.
다음으로, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 제어부(70)에 의해 액 처리 장치(100)를 이용하여 행해지는 액 처리 방법에 관해서 설명한다. 도 4는, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법의 순서를 설명하기 위한 플로우 차트이다. 도 5는, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법에 있어서의 웨이퍼(W)의 회전수의 시간 변화를 도시하는 그래프이다. 도 6은, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법에 있어서의 웨이퍼(W)의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 또한, 도 6에서는, 도시를 쉽게 하기 위해서, 웨이퍼(W)와 처리액 공급 기구(10)만을 도시하고 있다(후술하는 도 8, 도 9에 있어서도 동일).
본 실시형태에 따른 액 처리 방법은, 상면(표면; TS) 및 하면(이면; BS)에 티탄 함유막(TF)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1) 및 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)을 순차적으로 공급하여, 하면(이면; BS)으로부터 티탄 함유막(TF)을 제거하는 것이다.
또한, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법에서는, 표면이 상면(TS)이 되고, 이면이 하면(BS)이 되도록 웨이퍼(W)를 지지하는 예에 관해서 설명한다. 그러나 웨이퍼(W)의 상면(TS)에 제1 처리액(E1) 및 제2 처리액(E2)을 공급하도록 구성된 액 처리 장치를 이용하여도 좋고, 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 이면이 상면(TS)으로 되고, 표면이 하면(BS)이 되도록 웨이퍼(W)를 지지하여도 좋다.
본 실시형태에 따른 액 처리 방법은, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 공정(스텝 S11), 제2 공정(스텝 S12), 린스 공정(스텝 S13) 및 건조 공정(스텝 S14)을 포함한다.
제1 공정(스텝 S11)에서는, 제1 회전수(V1)로 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)을 공급한다.
먼저, 상면(표면; TS) 및 하면(이면; BS)에 티탄 함유막(TF)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 캐리어로부터 취출한다. 그리고 캐리어로부터 취출한 웨이퍼(W)를, 리프트핀 플레이트(55)의 리프트핀(55a) 상에 배치한다. 또한, 리프트핀 플레이트(55)를 웨이퍼 처리 위치까지 아래쪽으로 이동시킴으로써, 회전 가능하게 설치되고 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 지지핀(35)에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부를 지지한다. 그 후, 탑 플레이트 구동부(49)에 의해 탑 플레이트(40)를 하측 위치로 하강시킨다.
다음으로, 회전컵(30)의 지지핀(35)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를, 도 5에 도시한 바와 같이, 회전컵(30)과 함께 제1 회전수(V1)로 회전시킨다. 그리고 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태로, 제1 개폐 기구(11d)를 전환하여, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에, 처리액 공급 기구(10)의 제1 처리액 공급부(11a)에 의해 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)을 공급한다. 제1 처리액(E1)을 공급하기 시작한 직후의 웨이퍼(W)의 상태를, 도 6의 (a)에 도시한다.
도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 공급된 제1 처리액(E1)은, 웨이퍼(W)가 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서 주연부 외측을 향하여 이동한다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)이 제1 처리액(E1)에 의해 처리된다.
또한, 예컨대, 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 회전수(V1)를 상대적으로 높은 회전수로 할 수 있다.
또한, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서 주연부 외측을 향하여 이동한 제1 처리액(E1)의 일부를 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)으로부터 상면(표면; TS)으로 돌아 들어가도록 하여도 좋다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부에도 제1 처리액(E1)이 공급되어, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부도 제1 처리액(E1)에 의해 처리되게 된다.
제1 처리액(E1)의 공급을 계속하면, 후술하는 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)으로부터 티탄 함유막(TF)이 제거된다.
티탄 함유막(TF)으로서는, 티탄을 포함하는 막이라면 좋고, 예컨대 산화티탄(TiOx)을 이용할 수 있다. 또한, 티탄 함유막(TF)의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 40 nm로 할 수 있다.
제1 회전수(V1)는, 1000 rpm 이상 2000 rpm 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 하는 이유는, 제1 회전수(V1)가 1000 rpm 미만인 경우에는, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부보다 중심측까지 제1 처리액(E1)이 돌아 들어갈 우려가 있고, 또한, 제1 회전수(V1)가 2000 rpm을 넘을 경우에는, 제1 처리액(E1)이 회전컵(30)에 접촉하여 액이 대량으로 튀어, 제1 처리액(E1)에 의해 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)을 오염시켜 버리기 때문이다.
제1 처리액(E1)으로서, 예컨대, 50 wt%의 플루오르화수소산 수용액을 이용할 수 있다.
제1 처리액(E1)의 공급량은, 500 sccm 이상 1500 sccm 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 하는 이유는, 제1 처리액(E1)의 공급량이 500 sccm 미만인 경우에는, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 균일하게 제1 처리액(E1)을 공급할 수 없고, 또한, 제1 처리액(E1)의 공급량이 1500 sccm을 넘는 경우에는, 제1 처리액(E1)이 회전컵(30)에 접촉하여 액이 대량으로 튀어, 제1 처리액(E1)에 의해 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)를 오염시켜 버리기 때문이다.
공급하는 제1 처리액(E1)의 온도는, 60℃ 이상 80℃ 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 하는 이유는, 온도가 60℃ 미만인 경우에, 에칭율이 작아져 실용적이지 않고, 또한, 온도가 80℃를 넘는 경우에, 액 처리 장치의 각 부재의 내열성을 높일 필요가 있어, 제조비용이 증가하기 때문이다.
제1 공정(스텝 S11)의 처리 시간으로서는, 2분 이상 10분 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 하는 이유는, 처리 시간이 2분 미만인 경우에, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)으로부터 티탄 함유막(TF)을 제거할 수 없고, 또한, 처리 시간이 10분을 넘으면, 처리 공정 전체의 시간이 길어져 제조 비용이 증가하기 때문이다.
다음에, 제2 공정(스텝 S12)에서는, 제2 회전수(V2)로 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)을 공급한다.
제1 공정(스텝 S11) 후에, 즉, 제1 처리액(E1)에 의한 처리 후에, 제1 처리액(E1)의 공급을 정지한다. 그리고 회전컵(30)의 지지핀(35)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를, 도 5에 도시한 바와 같이, 회전컵(30)과 함께 제2 회전수(V2)로 회전시킨다. 그리고 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태로, 제1 개폐 기구(11d)에 의해 제1 처리액 공급부(11a)로부터 제2 처리액 공급부(11b)로 전환하고, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에, 처리액 공급 기구(10)의 제2 처리액 공급부(11b)에 의해 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)을 공급한다. 제2 처리액(E2)을 공급하기 시작한 직후, 그리고 제2 처리액(E2)의 공급을 정지하기 직전의 웨이퍼(W)의 상태를, 각각 도 6의 (b) 및 도 6의 (c)에 도시한다.
도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 공정(스텝 S11) 후에는, 이미 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)으로부터 티탄 함유막(TF)이 제거되어 있다. 그리고 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 공급된 제2 처리액(E2)은, 웨이퍼(W)가 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서 주연부 외측을 향하여 이동한다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)이 제2 처리액(E2)에 의해 처리된다.
또한, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서 주연부 외측을 향하여 이동한 제2 처리액(E2)은, 일부가 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)으로부터 상면(표면; TS)으로 돌아 들어간다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부에도 제2 처리액(E2)이 공급되어, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부도 제2 처리액(E2)에 의해 처리된다.
또한, 제2 회전수(V2) 및 질소 가스의 유량을 조절함으로써, 제2 처리액(E2)이 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부로 돌아 들어가는 양을 조정할 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시한 바와 같이, 제2 회전수(V2)를, 제1 회전수(V1)보다도 낮은 회전수로 할 수 있다. 제2 회전수(V2)를 제1 회전수(V1)보다도 낮게 함으로써, 제2 공정(스텝 S12)에서 제2 처리액(E2)이 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)으로 돌아 들어가는 양을, 제1 공정(스텝 S 11)에서 제1 처리액(E1)이 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)으로 돌아 들어가는 양보다도 많게 할 수 있다.
또한, 실시형태의 변형예를 이용하여 설명하는 바와 같이, 제2 처리액 공급 기구에 의해, 웨이퍼(W)의 주연부(베벨)에 제3 처리액을 공급하여도 좋다.
그 후, 제2 처리액(E2)의 공급을 계속하면, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 측면 및 상면(표면; TS)의 주연부로부터도 티탄 함유막(TF)이 제거된다. 또한, 제1 공정(스텝 S11)에서 이미 티탄 함유막(TF)이 제거된 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 잔류하는 티탄 원소가 제거된다.
본 실시형태에서는, 제1 공정(스텝 S11)에서 에칭율이 높은 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)을 공급하고, 제2 공정(스텝 S12)에서 에칭율이 낮은 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)을 공급한다. 이 때문에, 보다 짧은 시간에 하면(이면; BS)으로부터 티탄 함유막(TF)을 제거할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 제1 공정(스텝 S11)에서 제1 처리액(E1)이 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)으로 돌아 들어가는 양을, 제2 공정(스텝 S 12)에서 제2 처리액(E2)이 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)으로 돌아 들어가는 양보다도 적게 할 수 있다. 이 때문에, 상면(표면; TS)에서의 티탄 함유막(TF)이 제거되는 부분(주연부)과 티탄 함유막(TF)이 제거되지 않는 부분(중심부)의 경계 부근에서, 티탄 함유막(TF)이 취약하게 되어 플레이크형으로 박리되는 일이 없다. 따라서 제2 공정(스텝 S12)에서는, 상면(표면; TS)에 있어서 티탄 함유막(TF)이 제거되지 않은 부분(중심부)으로부터 티탄 함유막(TF)이 제거되는 부분(주연부)에 걸쳐서, 티탄 함유막(TF)의 막 두께가 한결같이 감소하도록, 티탄 함유막(TF)을 에칭할 수 있다.
제2 회전수(V2)는, 800 rpm 이상 1400 rpm 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 하는 이유는, 제2 회전수(V2)가 800 rpm 미만인 경우에는, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 균일하게 제2 처리액(E2)을 공급할 수 없고, 또한, 제2 회전수(V2)가 1400 rpm을 넘을 경우에는, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)으로 제2 처리액(E2)이 충분히 돌아 들어가지 않기 때문이다.
제2 처리액(E2)으로서, 암모니아수(NH4OH)와 과산화수소수(H2O2)로 이루어지는 암모니아과수(SC1)을 사용할 수 있다. 즉, 제2 처리액(E2)으로서, 암모니아 및 과산화수소를 포함한다.
제2 처리액(E2)에 있어서의 암모니아 및 과산화수소의 농도로서는, 암모니아의 농도가 중량비로 3 wt% 이상이고, 또한, 과산화수소의 농도가 중량비로 30 wt% 이상인 것이 바람직하다. 이와 같이 하는 이유는, 암모니아의 농도가 중량비로 3 wt% 미만이거나, 또는, 과산화수소의 농도가 중량비로 30 wt% 미만이면, 티탄 함유막(TF)을 에칭하는 에칭율이 저하하기 때문이다.
제2 처리액(E2)의 공급량은, 500 sccm 이상 1500 sccm 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 하는 이유는, 제2 처리액(E2)의 공급량이 500 sccm 미만인 경우에는, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 균일하게 제2 처리액(E2)를 공급할 수 없고, 또한, 제2 처리액(E2)의 공급량이 1500 sccm을 넘는 경우에는, 제2 처리액(E2)이 회전컵(30)에 접촉하여 액이 대량으로 튀어, 제2 처리액(E2)에 의해 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)을 오염시켜 버리기 때문이다.
공급하는 제2 처리액(E2)의 온도는, 60℃ 이상 80℃ 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 하는 이유는, 온도가 60℃ 미만인 경우에, 에칭율이 작아져 실용적이지 않고, 또한, 온도가 80℃를 넘을 경우에, 액 처리 장치의 각 부재의 내열성을 높일 필요가 있어, 제조비용이 증가하기 때문이다.
제2 공정(스텝 S12)의 처리 시간으로서는, 1분 이상 10분 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 하는 이유는, 처리 시간이 1분 미만인 경우에, 티탄 함유막(TF)이 제거된 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 잔류하는 티탄 원소를 완전히 제거할 수 없고, 또한, 처리 시간이 10분을 넘는 경우에, 처리 공정 전체의 시간이 길어져 제조 비용이 증가하기 때문이다.
제2 공정(스텝 S12) 후, 린스 공정(스텝 S13)에서는, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 순수(DIW)를 공급한다.
회전컵(30)의 지지핀(35)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를, 회전컵(30)과 함께 회전시킨 상태로, 제1 개폐 기구(11d)를 전환하여, 제2 처리액 공급부(11b)에 의한 제2 처리액(E2)의 공급을 정지하고, 순수 공급부(11c)에 의한 순수(DIW)의 공급을 시작한다. 그리고, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에, 순수 공급부(11c)에 의해 순수(DIW)를 공급한다.
린스 공정(스텝 S13) 후, 건조 공정(스텝 S14)에서는, 웨이퍼(W)를 건조한다.
회전컵(30)의 지지핀(35)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를, 회전컵(30)과 함께 회전시킨 상태로, 제1 개폐 기구(11d)를 전환하여, 순수 공급부(11c)에 의한 순수(DIW)의 공급을 정지한다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 잔류하는 순수(DIW)는 원심력에 의해 주연부 외측으로 털어내어져, 웨이퍼(W)는 스핀 건조된다.
건조 공정(스텝 S14) 후, 회전컵(30)의 회전이 정지되어, 지지핀(35)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 회전도 정지되어, 액 처리가 종료한다.
다음으로, 비교예1, 2와 비교하여, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 잔류하는 티탄 원소를 보다 짧은 시간에 제거할 수 있고, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)에서 플레이크형으로 박리되는 것을 방지할 수 있는 것에 관해서 설명한다.
도 7은, 비교예 1에 따른 액 처리 방법에 있어서의 웨이퍼(W)의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
비교예 1에 따른 액 처리 방법은, 상면(표면; TS) 및 하면(이면; BS)에 티탄 함유막(TF)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)만을 공급하여, 하면(이면; BS)으로부터 티탄 함유막(TF)을 제거하는 것이다. 즉, 본 실시형태에 있어서의 제2 공정(스텝 S12)을 갖지 않는 것 이외에는, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법과 동일하다.
회전컵(30)의 지지핀(35)에 지지되어 있고, 상면(표면; TS) 및 하면(이면; BS)에 티탄 함유막(TF)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 회전컵(30)과 함께 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에, 처리액 공급 기구(10)에 의해 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)을 공급한다. 제1 처리액(E1)의 공급을 시작한 직후, 그리고 제1 처리액(E1)의 공급을 정지하기 직전의 웨이퍼(W)의 상태를, 각각 도 7의 (a) 및 (b)에 도시한다.
도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 공급된 제1 처리액(E1)은, 웨이퍼(W)가 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서 주연부 외측을 향하여 이동한다. 또한, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서 주연부 외측을 향하여 이동한 제1 처리액(E1)은, 일부가 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)으로부터 상면(표면; TS)으로 돌아 들어간다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부에도 제1 처리액(E1)이 공급되어, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부도 제1 처리액(E1)에 의해 처리된다.
그 후, 제1 처리액(E1)의 공급을 계속하면, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)으로부터 티탄 함유막(TF)이 제거된다. 또한, 웨이퍼(W)의 측면으로부터도 티탄 함유막(TF)이 제거된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부로부터도 티탄 함유막(TF)이 제거된다.
도 8은, 비교예 2에 따른 액 처리 방법에 있어서의 웨이퍼(W)의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
비교예 2에 따른 액 처리 방법은, 상면(표면; TS) 및 하면(이면; BS)에 티탄 함유막(TF)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)만을 공급하여, 하면(이면; BS)으로부터 티탄 함유막(TF)을 제거하는 것이다. 즉, 본 실시형태에 있어서의 제1 공정(스텝 S11)을 갖지 않는 것 이외에는, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법과 동일하다.
회전컵(30)의 지지핀(35)에 지지되어 있고, 상면(표면; TS) 및 하면(이면; BS)에 티탄 함유막(TF)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 회전컵(30)과 함께 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에, 처리액 공급 기구(10)에 의해 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)을 공급한다. 제2 처리액(E2)의 공급을 시작한 직후, 그리고 제2 처리액(E2)의 공급을 정지하기 직전의 웨이퍼(W)의 상태를, 각각 도 8의 (a) 및 (b)에 도시한다.
도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 공급된 제2 처리액(E2)은, 웨이퍼(W)가 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서 주연부 외측을 향하여 이동한다. 또한, 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서 주연부 외측을 향하여 이동한 제2 처리액(E2)은, 일부가 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)으로부터 상면(표면; TS)으로 돌아 들어간다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부에도 제2 처리액(E2)이 공급되어, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부도 제2 처리액(E2)에 의해 처리된다.
그 후, 제2 처리액(E2)의 공급을 계속하면, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)으로부터 티탄 함유막(TF)이 제거된다. 또한, 웨이퍼(W)의 측면으로부터도 티탄 함유막(TF)이 제거된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부로부터도 티탄 함유막(TF)이 제거된다.
도 9는, 티탄 함유막(TF)의 막 두께의 시간 변화를, 실시형태와 비교예의 사이에서 비교하여 모식적으로 도시하는 그래프이다. 도 9의 (a), (b) 및 (c)는, 각각 실시형태, 비교예 1 및 비교예 2에 있어서의 시간 변화를 도시한다. 티탄 함유막(TF)의 막 두께는, 예컨대 X선 반사율법에 의해 측정할 수 있다.
비교예 1에서는, 실시형태와 같이 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)을 이용하기 때문에, 처리를 시작한 후, 티탄 함유막(TF)의 막 두께가 0이 되는 시각 t1은, 도 9의 (b)에 도시하는 비교예 1과, 도 9의 (a)에 도시하는 실시형태의 사이에서 대략 동일하다. 즉, 처리를 시작한 후, 티탄 함유막(TF)의 막 두께가 0이 되기까지의 처리 시간(T1)은, 도 9의 (b)에 도시하는 비교예 1과, 도 9의 (a)에 도시하는 실시형태의 사이에서 대략 동일하다.
그러나, 도 11을 이용하여 후술하는 바와 같이, 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)만을 이용한 경우에는, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서의 티탄 함유막(TF)의 막 두께가 대략 0과 같게 된 후에, 티탄 원소의 검출치를 허용치 이하로 하기 위해서, 추가로 장시간 처리하지 않으면 안 된다. 조건에 따라 달라지기는 하지만, 예컨대, 시각 t1으로부터 시각 t2까지의 시간[도 9의 (b)에 있어서의 처리 시간 T2']이, 처리를 시작한 후부터, 시각 t1까지의 시간[도 9의 (a)에 있어서의 처리 시간 T1]에 대하여 수백 %에 달하는 경우도 있다.
한편, 전반에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)을 이용하여, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서의 티탄 함유막(TF)의 막 두께가 대략 0과 같게 된 후, 후반에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)을 이용한 경우에는, 티탄 원소의 검출치를 허용치 이하로 하기 위해서, 장시간 처리할 필요가 없다. 조건에 따라 달라지기는 하지만, 예컨대, 시각 t1으로부터 시각 t2까지의 시간[도 9의 (a)에 있어서의 처리 시간 T2)은, 처리를 시작한 후부터, 시각 t1까지의 시간[도 9의 (a)에 있어서의 처리 시간 T1]에 대하여 10% 정도로 충분하다.
따라서, 티탄 원소의 검출치가 허용치 이하가 되는 시각 t2는, 도 9의 (a)에 도시하는 실시형태쪽이, 도 9의 (b)에 도시하는 비교예 1보다도 빠르다. 따라서, 본 실시형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 잔류하는 티탄 원소를 보다 짧은 시간에 제거할 수 있다.
반대로, 비교예 2에서는, 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)만을 이용하기 때문에, 전반에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)을 이용한 경우보다도 에칭율이 낮다. 따라서, 처리를 시작한 후, 티탄 함유막(TF)의 막 두께가 0이 되는 시각 t1은, 도 9의 (a)에 도시하는 본 실시형태쪽이, 도 9의 (c)에 도시하는 비교예 2보다도 빠르다. 즉, 처리를 시작한 후, 티탄 함유막(TF)의 막 두께가 0이 되기까지의 처리 시간은, 도 9의 (a)에 도시하는 본 실시형태에 있어서의 처리 시간 T1쪽이, 도 9의 (c)에 도시하는 비교예 2에 있어서의 처리 시간 T1'보다도 짧다.
또한, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서의 티탄 함유막(TF)의 막 두께가 대략 0과 같게 된 후, 티탄 원소의 검출치를 허용치 이하로 하기 위해서, 추가로 처리하는 처리 시간은, 양자 모두 제2 처리액(E2)을 이용하기 때문에, 비교예 2[도 9의 (c)에 있어서의 처리 시간 T2)과 본 실시형태[도 9의 (a)에 있어서의 처리 시간 T2)의 사이에서 대략 동일하다.
따라서, 티탄 원소의 검출치가 허용치 이하가 되는 시각 t2는, 도 9의 (a)에 도시하는 실시형태쪽이, 도 9의 (c)에 도시하는 비교예 2보다 빠르다.
이상으로부터, 본 실시형태에 따르면, 비교예 1 및 비교예 2보다도, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 잔류하는 티탄 원소를 보다 짧은 시간에 제거할 수 있다.
다음에, 실시형태 및 비교예 1에 따른 액 처리 방법을 행한 후, 상면(표면; TS)에서의 티탄 함유막(TF)이 제거된 부분(주연부)과 티탄 함유막(TF)이 제거되지 않은 부분(중심부)의 경계 부근에서의 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)을 전자현미경(Scanning Electron Microscope; SEM)에 의해 관찰했다. 실시형태 및 비교예 1에 있어서의 결과를, 각각 도 10의 (a) 및 (b)에 도시한다. 도 10은, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법을 행한 후의 웨이퍼(W)의 표면의 사진을, 비교예 1에 따른 액 처리 방법을 행한 후의 웨이퍼(W)의 표면의 사진과 비교하여 도시한 도면이다.
도 10의 (a)에 도시한 바와 같이, 실시형태에 따른 액 처리 방법에서는, 주연부와 중심부의 경계 부근에서 상면(표면; TS)이 플레이크형보다도 개선되어, 대략 평탄한 것을 알 수 있다. 한편, 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 비교예 1에 따른 액 처리 방법에서는, 주연부와 중심부의 경계 부근에서 상면(표면; TS)에 미세한 요철이 관찰되고, 티탄 함유막(TF)이 다수의 개소에서 박리되어 있는 것을 알 수 있다.
즉, 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)만을 이용하는 비교예 1에 따르면, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)에서 티탄 함유막(TF)이 플레이크형으로 박리된다. 한편, 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)에 의해 처리한 후, 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)에 의해 처리하는 본 실시형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)에서 티탄 함유막(TF)이 플레이크형으로 박리하는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 잔류하는 티탄 원소를 보다 짧은 시간에 제거할 수 있고, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)에서 플레이크형으로 박리하는 것을 방지할 수 있는 것은, 예컨대 도 11을 이용하여 설명할 수 있다. 도 11은, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법에 있어서 티탄 함유막(TF)이 에칭되는 모습을, 비교예 1에 따른 액 처리 방법에 있어서 티탄 함유막(TF)이 에칭되는 모습과 비교하여 도시한 도면이다.
도 11의 (a), (b) 및 (c)의 각각은, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법의 제1 공정(스텝 S11)에 있어서의, 제1 처리액(E1)의 공급을 시작한 직후, 도중, 그리고 제1 처리액(E1)의 공급을 정지하기 직전의 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)의 상태를 도시한다. 또한, 도 11의 (d)는, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법의 제2 공정(스텝 S12)을 행한 후의 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)의 상태를 도시한다.
한편, 도 11의 (e), (f) 및 (g)의 각각은, 비교예 1에 따른 액 처리 방법에 있어서, 제1 처리액(E1)의 공급을 시작한 직후, 도중, 그리고 제1 처리액(E1)의 공급을 정지하기 직전의 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)의 상태를 도시한다.
티탄 함유막(TF)은, 예컨대 도 11의 (a) 및 (e)에 도시한 바와 같이, 예컨대 결정립(G)과 입계(GB), 또는 결정화하고 있는 부분(G)과 결정화하지 않은 부분(GB)이 혼재되어 있는 것으로 생각된다. 그리고, 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)을 이용할 때는, 결정립(G)과 입계(GB), 혹은 결정화하고 있는 부분(G)과 결정화하지 않은 부분(GB)의 각각의 부분에 있어서, 에칭율이 다른 것으로 생각된다. 따라서, 비교예 1에 따른 액 처리 방법에 있어서는, 제1 처리액(E1)의 공급에 따라, 예컨대 도 11의 (f)에 도시한 바와 같이, 에칭율이 큰 부분, 예컨대 입계(GB)나 결정화하지 않는 부분(GB)이 먼저 제거된다. 그리고, 티탄 함유막(TF)이 전면(全面)에 걸쳐 한결같이 에칭되지 않기 때문에, 막 두께 측정에 의해 막 두께가 0으로 측정된 경우에도, 도 11의 (g)에 도시한 바와 같이, 에칭율이 작은 결정립(G) 또는 결정화하고 있는 부분(G)이 잔존한다. 이 때문에, 원소 분석에 의해 검출되는 티탄 원소의 검출치가 허용치보다도 커지는 것으로 생각된다.
본 실시형태에 있어서도, 제1 공정(스텝 S11)에서 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)을 이용할 때는, 결정립(G)과 입계(GB), 혹은 결정화하고 있는 부분(G)과 결정화하지 않은 부분(GB)의 각각의 부분에 있어서 에칭율이 다른 것으로 생각된다. 따라서, 본 실시형태에 따른 액 처리 방법에 있어서는, 제1 처리액(E1)의 공급에 따라, 예컨대 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이, 에칭율이 큰 부분, 예컨대 입계(GB)나 결정화하지 않은 부분(GB)이 먼저 제거된다. 그리고, 에칭율이 큰 부분, 예컨대 입계(GB)나 결정화하지 않은 부분(GB)이 먼저 제거됨으로써, 도 11의 (c)에 도시한 바와 같이, 결정립(G)이 박리되듯이 제거된다. 따라서, 티탄 함유막(TF)을 제거할 때까지 요하는 시간이 짧다.
한편, 본 실시형태에 있어서, 제2 공정(스텝 S12)에서 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)을 이용할 때는, 결정립(G)과 입계(GB), 혹은 결정화하고 있는 부분(G)과 결정화하지 않은 부분(GB)의 각각의 부분에 있어서, 에칭율은 대략 동일한 것으로 생각된다. 따라서 도 11의 (d)에 도시한 바와 같이, 결정립(G) 혹은 결정화하고 있는 부분(G)이 하면(이면; BS)의 전면에 걸쳐 완전히 에칭된다. 이 때문에, 원소 분석에 의해 검출되는 티탄 원소의 검출치가 허용치 이하로 되는 것으로 생각된다.
(실시형태의 변형예)
다음으로, 도 12를 참조하여, 실시형태의 변형예에 따른 액 처리 장치에 관해서 설명한다. 본 변형예에 따른 액 처리 장치는, 웨이퍼(W)의 주연부에도 처리액을 공급하는 점에서, 실시형태에 따른 액 처리 장치와 상이하다. 즉, 본 변형예에 따른 액 처리 장치는, 웨이퍼(W)의 하면 및 상면의 주연부에 처리액을 공급하여, 웨이퍼(W)의 하면 및 상면의 주연부를 처리하는 것이다.
도 12는, 본 변형예에 따른 액 처리 장치(100a)의 구성을 도시하는 개략 단면도이다.
도 12에 도시한 바와 같이, 액 처리 장치(100a)는, 처리액 공급 기구(10), 배출 기구(20), 회전컵(30), 지지핀(35), 탑 플레이트(40), 베이스 플레이트(베이스; 50), 회전 구동부(60), 제어부(70), 및 제2 처리액 공급 기구(80)를 갖는다. 제2 처리액 공급 기구(80) 이외의 부분은, 도 1을 이용하여 설명한 실시형태에 따른 액 처리 장치와 동일하며, 도 1과 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
제2 처리액 공급 기구(80)는, 도 12에 도시한 바와 같이, 제3 처리액 공급부(81a), 제2 순수 공급부(81b), 제2 개폐 기구(81c) 및 제2 처리액 공급관(82)을 갖는다. 제3 처리액 공급부(81a)는, 제3 처리액(E3)을 공급하고, 제2 순수 공급부(81b)는, 순수(DIW)를 공급한다. 제2 개폐 기구(81c)는, 제3 처리액 공급부(81a)와 제2 순수 공급부(81b)를 전환 가능하게 제2 처리액 공급관(82)에 접속한다. 즉, 제2 개폐 기구(81c)는, 제3 처리액 공급부(81a)와 제2 순수 공급부(81b)를 전환하기 위한 것이고, 제3 처리액 공급부(81a)로부터의 제3 처리액(E3)의 공급을 전환하기 위한 것이다. 제2 처리액 공급관(82)은, 제3 처리액 공급부(81a)로부터 전환 가능하게 공급된 제3 처리액(E3) 및 제2 순수 공급부(81b)로부터 전환 가능하게 공급된 순수(DIW)를 웨이퍼(W)의 주연부까지 유도한다. 제2 처리액 공급관(82)의 하면은, 제2 처리액 공급구(82a)을 구성하고 있다.
본 변형예에서는, 제2 처리액 공급 기구(80)도, 처리액 공급 기구(10)와 같이, 예컨대, 우선, 제3 처리액 공급부(81a)에 의해 암모니아과수(SC1)를 포함하는 제3 처리액(E3)을 공급하고, 그 후, 제2 순수 공급부(81b)에 의해 순수(DIW)를 공급하도록 구성할 수 있다.
또한, 본 변형예에서, 제어부(70)는, 회전 구동부(60), 제1 개폐 기구(11d), 제2 개폐 기구(81c)를 제어한다.
본 변형예에 따른 액 처리 장치(100a)의 작용도, 실시형태에 따른 액 처리 장치(100)의 작용과 대략 동일하다. 다만, 본 변형예에 따른 액 처리 장치(100a)는, 제2 처리액 공급 기구(80)를 구비한다. 따라서, 회전 구동되는 웨이퍼(W)의 상면의 주연부에는, 제2 처리액 공급 기구(80)에 의해 처리액이 공급된다.
다음으로, 도 13 및 도 14를 참조하여, 제어부(70)에 의해 액 처리 장치(100a)를 이용하여 행해지는 액 처리 방법에 관해서 설명한다. 도 13은, 본 변형예에 따른 액 처리 방법의 순서를 설명하기 위한 플로우 차트이다. 도 14는, 본 변형예에 따른 액 처리 방법에 있어서의 웨이퍼(W)의 상태를 모식적으로 도시하는 단면도이다. 또한, 도 14에서는, 도시를 쉽게 하기 위해서, 웨이퍼(W), 처리액 공급 기구(10) 및 제2 처리액 공급 기구(80)만을 도시하고 있다.
본 변형예에 따른 액 처리 방법은, 상면(표면; TS) 및 하면(이면; BS)에 티탄 함유막(TF)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)를 회전시키고, 회전하는 웨이퍼(W)의 이면에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1) 및 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)을 순차적으로 공급하여, 하면(이면; BS)으로부터 티탄 함유막(TF)을 제거하는 것이다. 다만, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)을 공급할 때에, 회전하는 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부에 암모니아과수를 포함하는 제3 처리액(E3)을 공급한다.
또한, 본 변형예에 따른 액 처리 방법에서도, 표면이 상면(TS)으로 되고, 이면이 하면(BS)으로 되도록 웨이퍼(W)를 지지하는 예에 관해서 설명한다. 그러나, 웨이퍼(W)의 상면(TS)에 제1 처리액(E1) 및 제2 처리액(E2)을 공급하도록 구성된 액 처리 장치를 이용하여도 좋고, 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 이면이 상면(TS)으로 되고, 표면이 하면(BS)으로 되도록 웨이퍼(W)를 지지하여도 좋다.
본 변형예에 따른 액 처리 방법은, 도 13에 도시한 바와 같이, 제1 공정(스텝 S21), 제2 공정(스텝 S22), 제3 공정(스텝 S23), 린스 공정(스텝 S24) 및 건조 공정(스텝 S25)을 포함한다.
제1 공정(스텝 S21)에서는, 제1 회전수(V1)로 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)을 공급한다. 제1 공정(스텝 S21)은, 실시형태에 있어서의 제1 공정(스텝 S11)과 마찬가지로 할 수 있다.
또한, 제1 처리액(E1)의 공급을 시작한 직후의 웨이퍼(W)의 상태를, 도 14의 (a)에 도시한다.
제1 공정(스텝 S21) 후, 즉 제1 처리액(E1)에 의한 처리 후에, 제2 공정(스텝 S22)에서는, 제2 회전수(V2)로 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)을 공급한다. 제2 공정(스텝 S22)은, 실시형태에 있어서의 제2 공정(스텝 S12)과 마찬가지로 할 수 있다.
다만, 본 변형예에서는, 제3 공정(스텝 S23)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부에 제3 처리액(E3)을 공급한다. 이 때문에, 제2 공정(스텝 S22)에서는, 공급된 제2 처리액(E2)의 일부가 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)으로부터 상면(표면; TS)으로 돌아 들어가도록 하지 않아도 좋다.
제3 공정(스텝 S23)에서는, 회전하는 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부에 암모니아과수를 포함하는 제3 처리액(E3)을 공급한다. 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태로, 제2 개폐 기구(81c)를 전환하여, 회전하는 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부에, 제2 처리액 공급 기구(80)의 제3 처리액 공급부(81a)에 의해 암모니아과수를 포함하는 제3 처리액(E3)을 공급한다. 제3 공정(스텝 S23)은, 제2 공정(스텝 S22)과 동시에 행할 수도 있고, 동시에 행하지 않을 수도 있다. 여기서는, 이하, 제3 공정(스텝 S23)을 제2 공정(스텝 S22)과 동시에 행하는 예에 관해서 설명한다.
제2 처리액(E2)의 공급 및 제3 처리액(E3)의 공급을 시작한 직후, 그리고 제2 처리액(E2)의 공급 및 제3 처리액(E3)의 공급을 정지하기 직전의 웨이퍼(W)의 상태를, 각각 도 14의 (b) 및 (c)에 도시한다.
도 14의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 공급된 제2 처리액(E2)은, 웨이퍼(W)가 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에서 주연부 외측을 향하여 이동한다. 또한, 도 14의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부에 공급된 제3 처리액(E3)도, 웨이퍼(W)가 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)에서 주연부 외측을 향하여 이동한다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS), 측면, 및 상면(표면; TS)의 주연부가 제2 처리액(E2) 및 제3 처리액(E3)에 의해 처리된다.
그 후, 제2 처리액(E2) 및 제3 처리액(E3)의 공급을 계속하면, 도 14의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 측면 및 상면(표면; TS)의 주연부로부터도 티탄 함유막(TF)이 제거된다. 또한, 제1 공정(스텝 S21)에서 이미 티탄 함유막(TF)이 제거된 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 잔류하는 티탄 원소가 제거된다.
이때 상면(표면; TS)에 있어서 티탄 함유막(TF)이 제거된 부분(주연부)과 티탄 함유막(TF)이 제거되지 않은 부분(중심부)의 경계 부근에서, 티탄 함유막(TF)이 취약하게 되어 플레이크형으로 박리하는 일이 없다. 따라서, 상면(표면; TS)에 있어서 티탄 함유막(TF)이 제거되지 않은 부분(중심부)으로부터 티탄 함유막(TF)이 제거된 부분(주연부)에 걸쳐서, 티탄 함유막(TF)의 막 두께가 한결같이 감소하도록, 티탄 함유막(TF)을 에칭할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 액 처리 방법과 동일하게, 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액(E1)만을 이용하는 경우, 그리고 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액(E2)만을 이용하는 경우에 비교하여, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 잔류하는 티탄 원소를보다 짧은 시간에 제거할 수 있다.
제3 처리액(E3)으로서는, 제2 처리액(E2)과 같이, 암모니아수(NH4OH)와 과산화수소수(H2O2)로 이루어지는 암모니아과수(SC1)를 사용할 수 있다. 즉, 제3 처리액(E3)으로서, 암모니아 및 과산화수소를 포함한다.
제3 처리액(E3)에 있어서의 암모니아 및 과산화수소의 농도로서는, 제2 처리액(E2)과 같이, 암모니아의 농도가 중량비로 3 wt% 이상이고, 또한, 과산화수소의 농도가 중량비로 30 wt% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 제3 처리액(E3)은, 암모니아 및 과산화수소의 농도가, 제2 처리액(E2)에 있어서의 암모니아 및 과산화 수소의 농도와 동일하여도 좋고, 또는 제2 처리액(E2)에 있어서의 암모니아 및 과산화수소의 농도와 상이하여도 좋다.
또한, 제3 공정(스텝 S23) 후, 린스 공정(스텝 S24)에서는, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 순수(DIW)을 공급한다.
회전컵(30)의 지지핀(35)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를, 회전컵(30)과 함께 회전시킨 상태로, 제1 개폐 기구(11d)를 전환하여, 제2 처리액 공급부(11b)에 의한 제2 처리액(E2)의 공급을 정지하고, 순수 공급부(11c)에 의한 순수(DIW)의 공급을 시작한다. 그리고, 회전하는 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에, 순수 공급부(11c)에 의해 순수(DIW)를 공급한다.
또한, 본 변형예에서는, 제2 개폐 기구(81c)를 전환하여, 제3 처리액 공급부(81a)에 의한 제3 처리액(E3)의 공급을 정지하고, 제2 순수 공급부(81b)에 의한 순수(DIW)의 공급을 시작한다. 그리고, 회전하는 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부에, 제2 순수 공급부(81b)에 의해 순수(DIW)를 공급한다.
린스 공정(스텝 S24) 후, 건조 공정(스텝 S25)에서는, 웨이퍼(W)를 건조한다.
회전컵(30)의 지지핀(35)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를, 회전컵(30)과 함께 회전시킨 상태로, 제1 개폐 기구(11d ) 및 제2 개폐 기구(81c)를 전환하여, 순수 공급부(11c) 및 제2 순수 공급부(81b)에 의한 순수(DIW)의 공급을 정지한다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 하면(이면; BS)에 잔류하는 순수(DIW) 및 웨이퍼(W)의 상면(표면; TS)의 주연부에 잔류하는 순수(DIW)가, 원심력에 의해 주연부 외측으로 털어 내어지고, 웨이퍼(W)는 스핀 건조된다.
건조 공정(스텝 S25) 후에, 회전컵(30)의 회전이 정지되어, 지지핀(35)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 회전도 정지되어, 액 처리가 종료한다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 관해서 기술했지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시형태로 한정되는 것이 아니라, 특허청구범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 여러 가지의 변형 및 변경이 가능하다.
10 : 처리액 공급 기구 11a : 제1 처리액 공급부
11b : 제2 처리액 공급부 11d : 제1 개폐 기구
30 : 회전컵 35 : 지지핀
60 : 회전 구동부 80 : 제2 처리액 공급 기구
81a : 제3 처리액 공급부 81c : 제2 개폐 기구
70 : 제어부 100 : 액 처리 장치

Claims (12)

  1. 처리액에 의해 기판의 이면을 처리하는 액 처리 방법으로서,
    회전 가능하게 설치되고, 기판을 지지하는 지지부에 의해, 표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성되어 있는 기판을 지지하고, 상기 지지부에 지지되어 있는 상기 기판을, 상기 지지부와 함께 회전시키고, 회전하는 상기 기판의 상기 이면에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액을 공급하고, 공급한 상기 제1 처리액에 의해 상기 기판의 상기 이면을 처리하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정 후에, 회전하는 상기 기판의 상기 이면에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액을 공급하고, 공급한 상기 제2 처리액에 의해 상기 기판의 상기 이면을 처리하는 제2 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 공정은, 공급한 상기 제1 처리액에 의해 상기 기판의 상기 이면을 처리함으로써, 상기 기판의 상기 이면으로부터 상기 티탄 함유막을 제거하는 것이고,
    상기 제2 공정은, 공급한 상기 제2 처리액에 의해 상기 기판의 상기 이면을 처리함으로써, 상기 티탄 함유막이 제거된 상기 기판의 상기 이면에 잔류하는 티탄원소를 제거하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이면은 하면이며, 상기 표면은 상면인 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 공정은, 상기 하면에 공급한 상기 제1 처리액을 상기 하면으로부터 상기 상면으로 돌아 들어가게 하고, 돌아 들어간 상기 제1 처리액에 의해 상기 상면의 주연부를 처리하는 것이고,
    상기 제2 공정은, 상기 하면에 공급한 상기 제2 처리액을 상기 하면으로부터 상기 상면으로 돌아 들어가게 하고, 돌아 들어간 상기 제2 처리액에 의해 상기 상면의 주연부를 처리하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  5. 제3항에 있어서, 회전하는 상기 기판의 주연부에 암모니아과수를 포함하는 제3 처리액을 공급하고, 공급한 상기 제3 처리액에 의해 상기 상면의 주연부를 처리하는 제3 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 공정은, 상기 기판을, 상기 지지부와 함께 제1 회전수로 회전시키고, 상기 제1 회전수로 회전하는 상기 기판의 상기 하면에 상기 제1 처리액을 공급하는 것이고,
    상기 제2 공정은, 상기 기판을, 상기 지지부와 함께 상기 제1 회전수보다도 낮은 제2 회전수로 회전시키고, 상기 제2 회전수로 회전하는 상기 기판의 상기 하면에 상기 제2 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 액 처리 방법.
  7. 컴퓨터에 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 액 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
  8. 처리액에 의해 기판의 이면을 처리하는 액 처리 장치에 있어서,
    회전 가능하게 설치되고, 기판을 지지하는 지지부와,
    상기 지지부를 회전시키는 회전부와,
    상기 지지부에 지지되어 있는 기판의 이면에 플루오르화수소산을 포함하는 제1 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급부와,
    상기 지지부에 지지되어 있는 기판의 이면에 암모니아과수를 포함하는 제2 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급부와,
    상기 제1 처리액 공급부와 상기 제2 처리액 공급부를 전환하는 제1 개폐 기구와,
    상기 회전부와 상기 제1 개폐 기구를 제어하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 지지부에 의해, 표면 및 이면에 티탄 함유막이 형성되어 있는 기판을 지지하고, 상기 지지부에 지지되어 있는 상기 기판을, 상기 회전부에 의해 상기 지지부와 함께 회전시키고, 회전하는 상기 기판의 상기 이면에, 상기 제1 처리액 공급부에 의해 상기 제1 처리액을 공급하고, 상기 제1 처리액에 의한 처리 후에, 회전하는 상기 기판의 상기 이면에, 상기 제2 처리액 공급부에 의해, 상기 제2 처리액을 공급하도록, 상기 회전부와 상기 제1 개폐 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 공급한 상기 제1 처리액에 의해 상기 기판의 상기 이면을 처리함으로써, 상기 기판의 상기 이면으로부터 상기 티탄 함유막을 제거하고,
    공급한 상기 제2 처리액에 의해 상기 기판의 상기 이면을 처리함으로써, 상기 티탄 함유막이 제거된 상기 기판의 상기 이면에 잔류하는 티탄 원소를 제거하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 이면은 하면이며, 상기 표면은 상면인 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판을, 상기 지지부와 함께 제1 회전수로 회전시키고, 상기 제1 회전수로 회전하는 상기 기판의 상기 하면에 상기 제1 처리액을 공급하고, 상기 하면에 공급한 상기 제1 처리액을 상기 하면으로부터 상기 상면으로 돌아 들어가게 하고, 돌아 들어간 상기 제1 처리액에 의해 상기 상면의 주연부를 처리하고, 상기 제1 처리액에 의한 처리 후에, 상기 기판을, 상기 지지부와 함께 상기 제1 회전수보다도 낮은 제2 회전수로 회전시키고, 상기 제2 회전수로 회전하는 상기 기판의 상기 하면에 상기 제2 처리액을 공급하고, 상기 하면에 공급한 상기 제2 처리액을 상기 하면으로부터 상기 상면으로 돌아 들어가게 하고, 돌아 들어간 상기 제2 처리액에 의해 상기 상면의 주연부를 처리하도록, 상기 회전부와 상기 제1 개폐 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 지지부에 지지되어 있는 기판의 주연부에 암모니아과수를 포함하는 제3 처리액을 공급하는 제3 처리액 공급부와,
    상기 제3 처리액 공급부로부터의 상기 제3 처리액의 공급을 전환하는 제2 개폐 기구를 구비하고,
    상기 제어부는, 회전하는 상기 기판의 주연부에, 상기 제3 처리액 공급부에 의해 상기 제3 처리액을 공급하고, 공급한 상기 제3 처리액에 의해 상기 상면의 주연부를 처리하도록, 상기 제2 개폐 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 액 처리 장치.
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