JP6513492B2 - 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 366
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 160
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 90
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 76
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000003020 moisturizing effect Effects 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
前記基板保持機構により保持された基板を第1回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第1リンス液供給部から第1リンス液を供給して前記基板表面を第1リンス液で覆う第1リンス液供給工程と、
前記第1リンス液供給工程の後、前記基板上の中央部と周縁部との間に第2リンス液供給部からの第2リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された基板の回転数を、前記第1回転数より小さな第2回転数まで下げることにより、前記基板表面全域を第1リンス液および第2リンス液で覆う第2リンス液供給工程と、
前記第2リンス液供給工程の後、前記基板表面全域を第1リンス液および第2リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された基板を回転させながら、前記基板の周縁部に洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法である。
前記基板保持機構により保持された基板上の中央部に第1リンス液を供給する第1リンス液供給部と、
前記基板保持機構により保持された基板上の中央部と周縁部との間に第2リンス液を供給する第2リンス液供給部と、
前記基板保持機構により保持された基板の周縁部に当接する洗浄ブラシと、
前記基板保持機構、前記第1リンス液供給部および前記第2リンス液供給部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は前記基板保持機構、前記第1リンス液供給部および前記第2リンス液供給部を制御して、前記基板保持機構により保持された基板を第1回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第1リンス液を供給して前記基板表面を第1リンス液で覆い、
前記基板上の中央部と周縁部との間に第2リンス液供給部からの第2リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された基板の回転数を、前記第1回転数より小さな第2回転数まで下げることにより、前記基板表面全域を第1リンス液及び第2リンス液で覆い、前記基板表面全域を第1リンス液および第2リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された基板を回転させながら、前記基板の周縁部に前記洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄することを特徴とする基板処理装置である。
基板処理方法は、回転自在の基板保持機構により基板を保持する工程と、
前記基板保持機構により保持された基板を第1回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第1リンス液供給部から第1リンス液を供給して前記基板表面を第1リンス液で覆う第1リンス液供給工程と、前記第1リンス液供給工程の後、前記基板上の中央部と周縁部との間に第2リンス液供給部から第2リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された基板の回転数を、前記第1回転数より小さな第2回転数まで下げることにより、前記基板表面全域を第1リンス液および第2リンス液で覆う第2リンス液供給工程と、前記第2リンス液供給工程の後、前記基板表面全域を第1リンス液および第2リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された基板を回転させながら、前記基板の周縁部に洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄する工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体である。
以下に、本発明に係る基板処理方法、基板処理装置および基板処理プログラムを格納した記憶媒体の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
以上の実施形態では、基板Wの回転数を高速の第1回転数から低速の第2回転数まで低下させながら、ノズル25Aにより第1リンス液R1を基板Wの中央部W1に供給するとともに、ノズル25Bにより第2リンス液R2を基板Wの中央部W1と周縁部W2との間に供給するようにした。しかし、第2リンス液供給工程は、以上の制御に限定されない。例えば、基板Wの回転数を高速の第1回転数において、ノズル25Bにより第2リンス液R2を開始し、ウエハWの全域を第1リンス液R1と第2リンス液R2で覆った後で、基板Wの回転数を高速の第1回転数から低速の第2回転数まで低下させるようにしてもよい。すなわち、基板Wの回転数が第2回転数まで下がったときに基板Wの表面全域が第1リンス液および第2リンス液で覆うことができれば、第2リンス液R2の供給開始のタイミングは任意に決めて良い。
次に図11により本発明の他の実施形態について説明する。
11 裏面周縁部処理装置
12 制御装置
15 基板保持機構
22 カップ
25A 第1リンス供給部
25B 第2リンス供給部
63 洗浄ブラシ
64 ノズル
W 基板
W1 中央部
W2 周縁部
R1 第1リンス液
R2 第2リンス液
R3 洗浄水
Claims (7)
- 回転自在の基板保持機構により基板の裏面を保持する工程と、
前記基板保持機構により保持された基板を第1回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第1リンス液供給部から第1リンス液を供給して前記基板表面を第1リンス液で覆う第1リンス液供給工程と、
前記第1リンス液供給工程の後、第1リンス液供給部から第1リンス液を供給しながら、前記基板上の中央部と周縁部との間に第2リンス液供給部からの第2リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された基板の回転数を、前記第1回転数より小さな第2回転数まで1〜2秒間をかけて下げることにより、前記基板表面全域を第1リンス液および第2リンス液で覆う第2リンス液供給工程と、
前記第2リンス液供給工程の後、前記基板表面全域を第1リンス液および第2リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された基板を回転させながら、前記基板の周縁部に洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄する工程と、
を備え、
前記洗浄ブラシは前記基板の外周端縁を洗浄する小径ブラシ部と、前記小径ブラシ部に連結され、前記基板の裏面の外周端から内周側を洗浄する大径ブラシ部とを有し、前記洗浄ブラシの近傍に前記洗浄ブラシに対して洗浄液を供給するノズルを設けたことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板を洗浄する工程において、前記第2リンス液供給部は、前記第2リンス液が前記基板の表面を流れて前記洗浄ブラシに到着する位置に、前記第2リンス液を供給することを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記第2リンス液供給工程の後、前記基板保持機構により保持された前記基板の裏面に対して薬液を供給することを特徴とする請求項1または2記載の基板処理方法。
- 基板の裏面を保持する、回転自在の基板保持機構と、
前記基板保持機構により保持された基板上の中央部に第1リンス液を供給する第1リンス液供給部と、
前記基板保持機構により保持された基板上の中央部と周縁部との間に第2リンス液を供給する第2リンス液供給部と、
前記基板保持機構により保持された基板の周縁部に当接する洗浄ブラシと、
前記基板保持機構、前記第1リンス液供給部および前記第2リンス液供給部を制御する制御部とを備え、
前記洗浄ブラシは前記基板の外周端縁を洗浄する小径ブラシ部と、前記小径ブラシ部に連結され、前記基板の裏面の外周端から内周側を洗浄する大径ブラシ部とを有し、前記洗浄ブラシの近傍に前記洗浄ブラシに対して洗浄液を供給するノズルを設け、
前記制御部は前記基板保持機構、前記第1リンス液供給部および前記第2リンス液供給部を制御して、前記基板保持機構により保持された基板を第1回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第1リンス液を供給して前記基板表面を第1リンス液で覆い、
前記第1リンス液供給部から第1リンス液を供給しながら、前記基板上の中央部と周縁部との間に前記第2リンス液供給部からの第2リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された前記基板の回転数を、前記第1回転数より小さな第2回転数まで1〜2秒間をかけて下げることにより、前記基板表面全域を第1リンス液及び第2リンス液で覆い、前記基板表面全域を第1リンス液および第2リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された前記基板を回転させながら、前記基板の周縁部に前記洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄することを特徴とする基板処理装置。 - 前記第2リンス液供給部は、前記第2リンス液が前記基板の表面を流れて前記洗浄ブラシに到着する位置に、前記第2リンス液を供給することを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
- 前記基板保持機構により保持された前記基板の裏面に対して薬液処理を施す裏面薬液処理部を設け、前記制御部は裏面薬液処理部を制御して、前記第1リンス液および前記第2リンス液で前記基板表面全域を覆う際、前記基板の裏面に対して薬液を供給することを特徴とする請求項4または5記載の基板処理装置。
- コンピュータに基板処理方法を実行させるための基板処理プログラムを記憶した記憶媒体において、
基板処理方法は、回転自在の基板保持機構により基板を保持する工程と、
前記基板保持機構により保持された基板を第1回転数で回転させながら、前記基板上の中央部に第1リンス液供給部から第1リンス液を供給して前記基板表面を第1リンス液で覆う第1リンス液供給工程と、
前記第1リンス液供給工程の後、第1リンス液供給部から第1リンス液を供給しながら、前記基板上の中央部と周縁部との間に第2リンス液供給部から第2リンス液の供給を開始し、その後、前記基板保持機構により保持された基板の回転数を、前記第1回転数より小さな第2回転数まで1〜2秒間をかけて下げることにより、前記基板表面全域を第1リンス液および第2リンス液で覆う第2リンス液供給工程と、
前記第2リンス液供給工程の後、前記基板表面全域を第1リンス液および第2リンス液で覆った状態で、前記基板保持機構により保持された基板を回転させながら、前記基板の周縁部に洗浄ブラシを当接させて前記基板を洗浄する工程と、を備え、
前記洗浄ブラシは前記基板の外周端縁を洗浄する小径ブラシ部と、前記小径ブラシ部に連結され、前記基板の裏面の外周端から内周側を洗浄する大径ブラシ部とを有し、前記洗浄ブラシの近傍に前記洗浄ブラシに対して洗浄液を供給するノズルを設けたことを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015115011A JP6513492B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015115011A JP6513492B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017005030A JP2017005030A (ja) | 2017-01-05 |
JP6513492B2 true JP6513492B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=57754381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015115011A Active JP6513492B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6513492B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6730202B2 (ja) | 2017-01-16 | 2020-07-29 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 制御システム、ガスタービン、発電プラント及び燃料温度の制御方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3933670B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2007-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP2010003739A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2010016157A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置 |
KR101806191B1 (ko) * | 2010-06-17 | 2017-12-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
JP6379400B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2018-08-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR101673061B1 (ko) * | 2013-12-03 | 2016-11-04 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
2015
- 2015-06-05 JP JP2015115011A patent/JP6513492B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017005030A (ja) | 2017-01-05 |
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