JP2002075953A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板表面の中央部に処理液が付着することを防
止でき、かつ、基板表面の周辺部に処理液による処理を
良好に施すことができるとともに、処理液の再利用も可
能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】基板Ｗは、バキュームチャック１によって
ほぼ水平に保持された状態で回転される。基板Ｗに対向
して、基板Ｗよりも小さな外形の遮断板２が配置されて
いる。遮断板２は、基板Ｗと同じ方向にほぼ同じ速さで
回転される。遮断板２の上に薬液供給ノズル４１または
純水供給ノズル４２から処理液（薬液または純水）が供
給される。この処理液は、遠心力により、遮断板２の回
転半径方向外方へと向かい、基板Ｗの上面の周辺部に落
下する。基板Ｗから外方へと落下する処理液（とくに薬
液）は、スプラッシュガード６０の回収処理液受け部６
２によって受けられ、その下方の回収溝５２から回収ラ
イン５５へと導かれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、基板の周辺部を
処理液（たとえば、エッチング液）によって選択的に処
理するための基板処理装置および基板処理方法に関す
る。処理対象の基板には、半導体ウエハ、光および光磁
気ディスク、液晶表示装置用ガラス基板、ならびにＰＤ
Ｐ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板などの
各種の被処理基板（特に、ほぼ円形の基板）が含まれ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面、裏
面および端面の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した
後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理
が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅
薄膜は、ウエハの表面の素子形成領域に形成されていれ
ばよいから、ウエハの表面の周辺部（たとえば、ウエハ
の周縁から幅５mm程度の部分）、裏面および端面に形成
された銅薄膜は不要となる。

【０００３】ウエハの周辺部に形成されている金属薄膜
を除去するための装置は、たとえば、本願の出願人の先
願に係る特願平１１−１０４１７１号に開示されてい
る。この先願に係る装置では、スピンチャックでウエハ
を保持するとともに、これを鉛直軸線まわりに回転させ
る一方、ウエハの上面に純水を供給しつつ、ウエハの周
辺部に薬液（エッチング液）を供給する構成を採用して
いる。純水の供給により、ウエハの中央部付近に薬液の
飛沫が達しても、この薬液は速やかに洗い流される。し
たがって、ウエハの中央付近の金属薄膜を侵すことな
く、周辺部の金属薄膜を選択的に除去できる。

【０００４】また、本願出願人の製作に係る他の装置で
は、スピンチャックで保持しているウエハの下面から薬
液を供給し、ウエハの上面への薬液の回り込みを利用し
て、ウエハ上面の周辺部の処理を行う構成が採用されて
いる。ウエハの下面に薬液を供給する必要性から、スピ
ンチャックは、ウエハの下面に対して非接触の状態でウ
エハを保持できる構造となっている。すなわち、この装
置のスピンチャックは、複数本のチャックピンで、ウエ
ハの端面を握持する構成となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ウエハの中央
付近の保護のために純水をウエハの上面に供給する構成
では、薬液が純水によって希釈されてしまうから、この
薬液を回収して再利用することができない。そのため、
薬液は使い捨てになり、その消費量が多くなるのが欠点
であった。また、ウエハの裏面から上面への薬液の回り
込みを利用する構成では、薬液がチャックピンで跳ね返
り、ウエハ上面の中央付近を侵す場合があった。これを
防止するために、ウエハの上面に窒素ガスを吹き付ける
構成の採用が提案されているが、それでもなお、ウエハ
上面の中央付近の保護に万全を期することができない。
しかも、ウエハの端面を併せて処理するためには、チャ
ックピンによるウエハの握持をウエハの回転中に緩める
ことが好ましいが、そのための構成が複雑であるという
問題がある。

【０００６】そこで、この発明の第１の目的は、基板表
面の中央部に処理液が付着することを防止でき、かつ、
基板表面の周辺部に処理液による処理を良好に施すこと
ができるとともに、処理液の再利用も可能な基板処理装
置および基板処理方法を提供することである。また、こ
の発明の第２の目的は、基板表面の中央部に処理液が付
着することを防止でき、かつ、基板表面の周辺部に処理
液による処理を良好に施すことができるとともに、基板
の端面の処理を簡単な構成で行える基板処理装置および
基板処理方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）の周辺部の上面に処理液を供給して、基板の周辺
部を処理する基板処理装置であって、基板を保持しつ
つ、ほぼ鉛直な回転軸を中心に当該基板を回転させる基
板回転保持手段（１）と、この基板回転保持手段に保持
された基板の上面に対向して設けられ、上記基板回転保
持手段の回転軸に沿う軸を中心に回転する回転部材
（２）と、基板の周辺部の上面に処理液が落下するよう
に、上記回転部材上に処理液を吐出する処理液吐出手段
（４１，４２）とを含むことを特徴とする基板処理装置
である。ただし、括弧内の英数字は、後述の実施形態に
おける対応構成要素を表す。以下、この項において同
じ。

【０００８】この構成によれば、処理対象の基板は、ほ
ぼ鉛直な回転軸を中心に回転させられるとともに、この
基板の上面に対向して回転部材が設けられる。この回転
部材は、基板の回転軸に沿う軸を中心に回転する。この
回転部材の上面に、処理液吐出手段から処理液が吐出さ
れる。処理液は、回転部材の上面に達すると、遠心力が
与えられて、回転部材の回転半径方向外方に移動する。
これにより、処理液は、回転部材から落下して、基板の
周辺の上面に導かれることになる。

【０００９】このようにして、基板の周辺の上面に選択
的に処理液を供給することができるから、基板の周辺部
を良好に処理することができる。また、回転部材から落
下して基板の周辺部の上面に導かれる処理液は、回転部
材の回転半径方向への遠心力が与えられているから、基
板の上面に落下した処理液が基板の中央領域に導かれる
ことはない。したがって、基板の上面に純水を供給して
その中央部を保護する必要がない。その結果、基板の周
縁部の上面に落下して基板処理に用いられた後の処理液
は、回収して再利用することができる。

【００１０】請求項２記載の発明は、上記回転部材は、
外形が基板よりも小さな板状体であることを特徴とする
請求項１記載の基板処理装置である。この構成によれ
ば、回転部材が板状体で構成されていることにより、回
転部材の上面に吐出された処理に効果的に遠心力を与え
ることができる。また、回転部材を構成する板状体が、
処理対象の基板よりも小さな外形を有しているから、基
板の周縁部の上面に処理液を確実に落下させることがで
きる。

【００１１】なお、回転部材の他の形態として、回転中
心から回転半径方向外方に向かうに従って下方に向かう
傾斜面を有する錐体状のものを用いてもよい。この錐体
状の回転部材は、回転対称な上面（処理液が流れる面）
を有するものであることが好ましく、たとえば傘形状の
ものまたはドーム形状のものなどを適用することができ
る。ただし、処理液が流れる上面は必ずしも回転対称の
形状を有している必要はなく、たとえば、角錐形状の回
転部材を適用してもよい。

【００１２】また、回転部材は、周方向に沿って波状の
凹凸が形成されたものであってもよいし、回転中心から
回転半径方向外方に向かう溝が上面に形成されたもので
あってもよい。回転部材の上面に溝を形成する場合に
は、この溝は、回転半径方向外方に向かうに従って回転
部材の回転方向とは反対側にカーブする形態に形成され
ていることが好ましい。また、回転部材は、外形（基板
回転保持手段に保持された基板を見下す平面視における
外形）が、基板よりも大きな板状体または上述のような
錐状体であってもよい。このような場合であっても、た
とえば、回転部材の周縁部に基板の周縁部の上面に処理
液を落下させるための切欠きを形成したり、適当な位置
に開口を形成したりしておくことによって、基板の上面
に処理液を導くことができる。

【００１３】請求項３記載の発明は、上記回転部材と上
記基板回転保持手段に保持された基板との間に気体（好
ましくは、窒素ガス等の不活性ガス）を供給する気体供
給手段（３３）をさらに含むことを特徴とする請求項１
または２記載の基板処理装置である。この構成によれ
ば、基板回転保持手段に保持された基板と回転部材との
間に気体を供給することによって、基板の周辺部の上面
に落下した処理液が、基板の中央領域に導かれることを
さらに確実に防止することができる。

【００１４】請求項４記載の発明は、上記基板回転保持
手段は、基板の下面を吸着して保持する下面吸着型保持
機構（１）であることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の基板処理装置である。この構成では、
基板の下面を吸着することによって基板が保持されるか
ら、基板の端面を全周に渡って露出させておくことがで
きる。これにより、基板周縁部の上面から基板の端面を
伝って落下する処理液により、基板の端面を全周に渡っ
て処理することができる。これにより、基板の回転中に
基板の握持を緩めたりするための複雑な構成を要するこ
となく、基板の端面に対する処理を良好に行うことがで
きる。

【００１５】請求項５記載の発明は、上記基板の周辺部
に供給された後の処理液を回収するための処理液回収手
段（６０，６２，５２）をさらに含むことを特徴とする
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であ
る。この構成によれば、基板の周縁部を処理するために
用いられた後の処理液（たとえば薬液）が回収される。
上述のとおり、基板の中央領域の保護のために純水を用
いる必要がないので、基板の周縁部の上面に供給された
処理液は、当初の濃度をほぼ保持したままで、希釈され
ることなく基板から落下することになる。そこで、この
処理液を処理液回収手段によって回収することにより、
回収された処理液を基板の処理のために再利用すること
ができる。これによって、処理液の消費量を格段に低減
することができる。

【００１６】処理液回収手段は、たとえば、基板回転保
持手段によって保持されて回転される基板の回転半径方
向外方に配置されて、遠心力のために基板の表面から回
転半径方向外方に飛び出してくる処理液を受ける回収処
理液受け部（６０，６２）と、この処理液受け部で受け
られて落下する処理液を回収するための処理液回収溝
（５２）とを有するものであってもよい。請求項６記載
の発明は、基板（Ｗ）の周辺部の上面に処理液を供給し
て、基板の周辺部を処理する方法であって、基板をほぼ
水平な姿勢で鉛直軸線まわりに回転させる工程と、基板
の上面に対向して回転部材（２）を配置し、この回転部
材を基板の回転軸線とほぼ同軸の回転軸線まわりに回転
させる工程と、回転状態の上記回転部材の上に処理液を
供給し、この処理液を、上記回転部材から、回転状態の
上記基板の周辺部に落下させる工程とを含むことを特徴
とする基板処理方法である。

【００１７】これにより、請求項１に関連して説明した
効果を奏することができる。この基板処理方法の発明に
関しては、基板処理装置に関連して述べたのと同様な変
形を施すことができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明する
ための概念図である。この基板処理装置は、ほぼ円形の
基板である半導体ウエハ（以下単に「ウエハＷ」とい
う。）の上面の周辺部に対して、処理液による表面処理
を施すためのものである。この場合、処理液とは、ウエ
ハＷの表面の薄膜（たとえば、銅薄膜）を剥離するため
のエッチング液であってもよい。

【００１９】この基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平
に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸
線まわりにウエハＷを回転させるためのバキュームチャ
ック１を備えている。バキュームチャック１は、ウエハ
Ｗの下面を吸着して保持する。したがって、処理対象の
ウエハＷは、その上面の全域および端面の全周を露出し
た状態で保持されることになる。バキュームチャック１
の下面には、チャック回転駆動機構１２によって回転さ
れる回転軸１１がほぼ鉛直方向に沿って固定されてい
る。この回転軸１１は、内部が中空の中空軸となってい
て、この回転軸１１の内部には、真空ポンプ１３に接続
された吸着用配管１４が挿通している。この構成によっ
て、真空ポンプ１３により吸着用配管１４の内部を排気
すると、バキュームチャック１の表面（上面）に形成さ
れた吸着孔（図示せず）の働きによって、ウエハＷの下
面がバキュームチャック１の上面に真空吸着される。こ
の状態で、チャック回転駆動機構１２の働きにより、回
転軸１１およびバキュームチャック１が鉛直軸線まわり
に回転されることになる。

【００２０】バキュームチャック１の上方には、バキュ
ームチャック１の上面（吸着面）に対向するように、す
なわち、バキュームチャック１に保持されたウエハＷの
上面に対向するように、遮断板２が設けられている。こ
の遮断板２は、この実施形態では、図２に示すように、
ウエハＷの半径よりも小さな半径の円板形状を有してい
る。遮断板２の上面には、回転軸１１と共通の軸線に沿
う回転軸２１が固定されている。この回転軸２１は、中
空に形成されていて、この回転軸２１内を通って、窒素
ガス供給源３１からの窒素ガスを窒素ガス供給バルブ３
２を介して遮断板２とウエハＷとの間の空間に供給する
窒素ガスノズル３３が設けられている。

【００２１】図１に示されているように、遮断板２に関
連して、この遮断板２を上下動させるための遮断板昇降
機構２２と、回転軸２１を回転させることによって、遮
断板２を回転駆動するための遮断板回転駆動機構２３と
が設けられている。遮断板回転駆動機構２３は、チャッ
ク回転駆動機構１２と同期するように制御されるように
なっていて、バキュームチャック１と遮断板２０とは、
同じ方向にほぼ同じ速さで回転駆動される。

【００２２】遮断板昇降機構２２は、遮断板２を、処理
対象のウエハＷの搬入時および搬出時に上方に大きく退
避した退避位置と、ウエハＷに対する処理を行うために
バキュームチャック１に保持されたウエハＷに近接した
処理位置との間で、昇降させる働きを有している。さら
に、遮断板昇降機構２２は、ウエハＷを処理するとき
に、遮断板２の上下位置を調整して、ウエハＷの表面と
遮断板２の下面とのギャップｂを調整する働きを有して
いる。

【００２３】遮断板２の上方には、この遮断板２の上面
に薬液（たとえばエッチング液）を供給するための薬液
供給ノズル４１と、遮断板２の上面に純水を供給するた
めの純水供給ノズル４２とが配置されている。薬液供給
ノズル４１および純水供給ノズル４２は、処理位置にあ
る遮断板２の上面の中央位置近傍に向けて、薬液および
純水をそれぞれ吐出するように配置されている。薬液供
給ノズル４１には、薬液供給源４３から薬液供給バルブ
４４を介して薬液が供給されるようになっている。ま
た、純水供給ノズル４２には、純水供給源４５から、純
水供給バルブ４６を介して、純水が供給されるようにな
っている。

【００２４】バキュームチャック１などは、耐薬液性の
材料（たとえば、フッ素樹脂）で構成された処理カップ
５０内に収容されている。この処理カップ５０の底部に
は、バキュームチャック１の外側において、ウエハＷの
処理に用いられた後の処理液を排液するための排液溝５
１が、半径方向内方側に形成されており、ウエハＷの処
理のために用いられた後の処理液を回収するための回収
溝５２が半径方向外方側に形成されている。排液溝５１
と回収溝５２とは、筒状の仕切壁５３によって区画され
ている。

【００２５】仕切壁５３の上方には、ウエハＷからの処
理液が外部に飛散することを防止するためのスプラッシ
ュガード６０が設けられている。このスプラッシュガー
ド６０は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称な
形状を有している。スプラッシュガード６０は、耐薬液
の材料、すなわちたとえばフッ素樹脂などで構成されて
いる。このスプラッシュガード６０は、スプラッシュガ
ード昇降駆動機構６５によって、図３(a)および図３(b)
に示されているように、上下動されるようになってい
る。

【００２６】スプラッシュガード６０は、ウエハＷの回
転軸線に対向するように開いた溝状の排液受け部６１を
上方部の内面に有している。また、スプラッシュガード
６０の下方部には、ウエハＷの回転半径方向外方に向か
うに従って下方に向かう傾斜面の形態をなした回収液受
け部６２が形成されている。また、回収液受け部６２の
上端付近には、処理カップ５０に形成された仕切壁５３
を受け入れるための仕切壁収納溝６３が形成されてい
る。

【００２７】スプラッシュガード昇降駆動機構６５は、
スプラッシュガード６０を、図３(a)に示す回収位置
（上昇位置）と、図３(b)に示す排液位置（下降位置）
との間で上下動させる。また、スプラッシュガード昇降
駆動機構６５は、処理対象のウエハＷの搬入／搬出の際
に、スプラッシュガード６０を回収位置（図３(a)）よ
りもはるかに上方の退避位置に退避させる。スプラッシ
ュガード６０が図３(a)に示す回収位置にあるとき、回
収液受け部６２は、バキュームチャック１に保持された
ウエハＷの上面とほぼ同じ高さに位置している。このと
きには、ウエハＷの上面に供給された処理液は、遠心力
によって回転半径方向外方に飛び出し、回収液受け部６
２によって受けられた後、その下方の回収溝５２と導か
れる。回収溝５２には薬液供給源４３へと薬液を導くた
めの回収ライン５５（図１参照）が接続されている。

【００２８】一方、ウエハＷに供給された処理液を廃棄
すべきときには、スプラッシュガード６０は、図３(b)
に示す排液位置へと導かれる。この状態では、排液受け
部６１が、ウエハＷの上面とほぼ等しい高さに位置す
る。したがって、ウエハＷから回転半径方向外方に飛び
出した処理液は、排液受け部６１によって受けられた後
に、その下方の排液溝５１へと落下する。この排液溝５
１には、排液ライン５６が接続されている。

【００２９】図１に示すように、この基板処理装置に
は、装置の各部を制御するためのコントローラ３５が備
えられている。このコントローラ３５は、チャック回転
駆動機構１２、真空ポンプ１３、遮断板昇降機構２２、
遮断板回転駆動機構２３、窒素ガス供給バルブ３２、薬
液供給バルブ４４、純水供給バルブ４６、およびスプラ
ッシュガード昇降駆動機構６５などを制御する。コント
ローラ３５による各部の制御によって、ウエハＷに対し
て次のような処理が実行される。

【００３０】図示しない搬送ロボットの働きによって、
処理前のウエハＷがバキュームチャック１の上面に置か
れると、コントローラ３５は真空ポンプ１３を作動させ
て、ウエハＷをバキュームチャック１の上面に吸着させ
る。このとき、スプラッシュガード６０および遮断板２
は、バキュームチャック１の上方の退避位置にあって、
ウエハＷの搬入を阻害しないようにされている。この状
態から、遮断板昇降機構２２が制御され、遮断板２がバ
キュームチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接
した位置（処理位置）に導かれる。一方、コントローラ
３５は、スプラッシュガード昇降駆動機構６５を制御
し、スプラッシュガード６０を図３(a)に示す回収位置
に導く。この状態で、コントローラ３５は、チャック回
転駆動機構１２および遮断板回転駆動機構２３を作動さ
せ、バキュームチャック１（すなわち、ウエハＷ）およ
び遮断板２を、同じ方向にほぼ同じ速さで回転させる。
その一方で、コントローラ３５は、薬液供給バルブ４４
を開成して、薬液供給ノズル４１から薬液（エッチング
液）を吐出させる。さらに、コントローラ３５は、窒素
ガス供給バルブ３２を開き、遮断板２とウエハＷの上面
との間に窒素ガスを供給させる。

【００３１】このときの処理の様子は、図４に図解的に
示されている。回転状態の遮断板２の上面に薬液供給ノ
ズル４１から薬液ＣＨが供給されると、この薬液ＣＨに
は回転力が与えられるから、それに応じた遠心力が作用
する。これにより、遮断板２のほぼ中央付近に供給され
た薬液ＣＨは、遮断板２の回転半径方向外方側へと導か
れる。そして、遮断板２の縁部からウエハＷの上面の周
辺部へと落下することになる。これにより、ウエハＷの
上面の周辺部が薬液ＣＨによる選択的な処理を受けるこ
とになる。

【００３２】ウエハＷの周辺部の上面に落下した薬液Ｃ
Ｈには、ウエハＷの回転半径方向外方に向かう遠心力が
作用しているから、ウエハＷの上面の中央領域に薬液Ｃ
Ｈが導かれることはない。しかも、上述のとおり、遮断
板２とウエハＷとの間には、遮断板２の中心から窒素ガ
スが供給されているから、この空間には、回転中心から
外方へと向かう気流が形成されている。これによって、
薬液ＣＨの飛沫がウエハＷの中央領域に導かれることを
確実に阻止している。

【００３３】ウエハＷの上面から飛び出した薬液は、図
３(a)に示されているように、スプラッシュガード６０
の回収液受け部６２から、回収溝５２へと落下し、回収
ライン５５を介して薬液供給源４３に回収されて再利用
される。この実施形態では、薬液によりウエハＷの上面
の周辺部を処理するときには、純水は供給されないの
で、ウエハＷの上面の周辺部に供給された薬液は、その
濃度をほぼ当初の値に保持したままで、ウエハＷの表面
から落下していく。したがって、これを回収して再利用
することが可能であり、これにより薬液の消費量を格段
に低減することができる。

【００３４】ウエハＷを予め定める所定時間にわたって
薬液で処理した後には、コントローラ３５は、薬液供給
バルブ４４を閉じて、薬液供給ノズル４１からの薬液の
吐出を停止させる。引き続き、コントローラ３５は、純
水供給バルブ４６を開き、純水供給ノズル４２から遮断
板２の中央に向けて純水を吐出させる。この純水の吐出
よりも早く、コントローラ３５は、スプラッシュガード
昇降駆動機構６５を制御して、スプラッシュガード６０
を図３(b)に示す排液位置へと下降させる。これによ
り、薬液による処理の場合と同じく、ウエハＷの上面の
周辺部に純水が供給され、薬液を洗い流すためのリンス
処理が行われる。

【００３５】ウエハＷの表面から回転半径方向外方に飛
び出したリンス処理後の純水は、スプラッシュガード６
０の排液受け部６１によって受けられた後、排液溝５１
へと落下して、排液ライン５６に導かれることになる。
なお、薬液供給バルブ４４を閉じるよりも早く純水供給
バルブ４６を開いてもよいが、この純水供給バルブ４６
を開くよりも早く、スプラッシュガード６０は排液位置
に移動されている必要がある。

【００３６】こうしてリンス処理が終了すると、スプラ
ッシュガード６０および遮断板２が上方の退避位置に上
昇させられ、処理後のウエハＷが搬出される。このウエ
ハＷは、たとえば、ウエハＷを水洗し、その後に水分を
振り切って乾燥するための水洗・乾燥処理ユニットへと
受け渡される。このような水洗および乾燥処理は、図１
に示された基板処理装置内で行うこととしてもよいが、
薬液によりウエハＷの上面の周辺部の処理（たとえばエ
ッチング処理）を行うときのウエハＷの回転数が５００
〜６００ｒｐｍであるのに対して、ウエハＷの表面の水
分を振り切るときには、処理時間の短縮化の観点から、
２５００〜３５００ｒｐｍの回転数でウエハＷを高速回
転させることが好ましい。バキュームチャック１は、そ
の性質上、ウエハＷの保持力には限界があるので、上記
のような高速回転には適さないから、比較的低速の回転
数で時間をかけて水切り乾燥を行わざるをえない。した
がって、水洗・乾燥処理を別の処理ユニットで行うこと
により、ウエハＷに対する処理時間を短縮できる。

【００３７】以上のように、この実施形態によれば、バ
キュームチャック１にほぼ水平に保持されたウエハＷに
対向して遮断板２を配置し、この遮断板２をウエハＷと
同期回転させるとともに、遮断板２の上面に処理液（薬
液または純水）を供給するようにしている。これによ
り、処理液は、遮断板２の上面の回転によって遠心力が
与えられた後に、ウエハＷの上面の周辺部へと落下する
ことになる。これにより、ウエハＷの上面の中央領域に
処理液が導かれることを回避しつつ、ウエハＷの上面の
周辺部を良好に処理することができる。さらに、ウエハ
Ｗの上面の周辺部を薬液で処理する際に、ウエハＷに純
水を供給する必要がないので、薬液が希釈されることが
なく、この薬液を回収して再利用することができる。こ
れにより、薬液の消費量を著しく低減することができ
る。

【００３８】なお、遮断板２の直径は、ウエハＷの直径
と、その上面の周辺部の処理すべき領域の幅（エッチン
グ幅）とに応じて定められる。さらに、遮断板２とウエ
ハＷの上面との間のギャップｂ、遮断板２の回転数、ウ
エハＷの回転数（バキュームチャック１の回転数）、お
よび窒素ガスノズル３３から吐出される窒素ガスの流量
のうちの１つ以上のパラメータ（コントローラ３５にお
いて可変設定可能なパラメータ）を調整することによっ
て、処理領域の幅を可変設定することができる。

【００３９】遮断板２の上面に供給された処理液をこの
遮断板２の周縁部にほぼ均等に導くためには、図２に示
されているように、遮断板２の上面に、その中心から半
径方向外方に向かう溝２ａを形成しておくことが好まし
い。さらに、この溝２ａは、半径方向外方に向かうに従
って、遮断板２の回転方向とは反対方向へと曲がるカー
ブ形状に形成されていることが好ましい。以上、この発
明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形
態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態
では、円板形状の遮断板２を用いた例について説明した
が、たとえば、図５に示すように、回転方向に波打つ波
板状の遮断板２Ａを上述の遮断板２に代えて用いてもよ
い。

【００４０】また、図６(a)〜(c)に示すように、回転中
心から回転半径方向外方に向かうに従って下方へと傾斜
した傾斜面を上面として有するほぼ円錐形状の遮断板２
Ｂ，２Ｃ，２Ｄを遮断板２に代えて用いてもよい。この
場合に、遮断板２Ｂ，２Ｃ，２Ｄの上面は、一定の傾斜
を有している必要はなく、上に凸の湾曲した傾斜面（す
なわち、ドーム型。図６(b)参照）であってもよいし、
下に凸の湾曲した傾斜面（図６(c)）であってもよい。
図６(a)〜(c)のいずれの形態の遮断板２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ
を用いる場合にも、平面視における遮断板２Ｂ，２Ｃ，
２Ｄの外形は、処理対象のウエハＷの外形よりも小さく
されていることが好ましい。

【００４１】ただし、遮断板２の外形は、必ずしもウエ
ハＷの外形よりも小さくなっている必要ない。たとえ
ば、図７に示すように、処理液をウエハＷの上面の周辺
部に落下させるための切欠き部２ｂを外周縁に有する、
ウエハＷよりも大きな外形の円板形状の遮断板２Ｅを遮
断板２に代えて用いてもよい。この場合には、遮断板２
Ｅの中心から半径方向外方に向かい、切欠き部２ｂに至
る溝２ｃが遮断板２Ｅの上面に形成されていることが好
ましい。この溝２ｃは、半径方向外方に向かうに従っ
て、遮断板２Ｅの回転方向とは反対の方向に曲がるカー
ブ形状を有していることがさらに好ましい。

【００４２】また、遮断板は、平面視においてほぼ円形
に形成されている必要はない。たとえば、三角形、四角
形、五角形・・・・・・などの多角形（とくに正多角形）板状
体を円形の遮断板２に代えて用いることもできるし、三
角錐体、四角錐体、五角錐体・・・・・・などの多角錐体（と
くに正多角錐体）を遮断板２に代えて用いることもでき
る。また、上述の実施形態では、ウエハＷと遮断板２と
の間に不活性ガスとしての窒素ガスを供給することとし
ているが、この窒素ガスの供給は省かれてもよい。ま
た、不活性ガスを供給する場合に、窒素ガス以外のたと
えばアルゴンなどの他の不活性ガスを適用してもよいこ
とは言うまでもない。

【００４３】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を説明するための概念図である。

【図２】遮断板の構成を説明するための斜視図である。

【図３】スプラッシュガードの上下動による処理液の回
収および廃棄の切換えを説明するための図である。

【図４】処理液による処理の様子を説明するための図で
ある。

【図５】遮断板の他の構成例を示す斜視図である。

【図６】遮断板のさらに他の構成例を示す斜視図であ
る。

【図７】遮断板のさらに他の構成例を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１ バキュームチャック ２ 遮断板 ２ａ 溝 ２ｂ 切欠き部 ２ｃ 溝 ２Ａ 遮断板 ２Ｂ 遮断板 ２Ｃ 遮断板 ２Ｄ 遮断板 ２Ｅ 遮断板 １１ 回転軸 １２ チャック回転駆動機構 １３ 真空ポンプ １４ 吸着用配管 ２０ 遮断板 ２１ 回転軸 ２２ 遮断板昇降機構 ２３ 遮断板回転駆動機構 ３１ 窒素ガス供給源 ３２ 窒素ガス供給バルブ ３３ 窒素ガスノズル ３５ コントローラ ４１ 薬液供給ノズル ４２ 純水供給ノズル ４３ 薬液供給源 ４４ 薬液供給バルブ ４５ 純水供給源 ４６ 純水供給バルブ ５０ 処理カップ ５１ 排液溝 ５２ 回収溝 ５５ 回収ライン ５６ 排液ライン ６０ スプラッシュガード ６１ 排液受け部 ６２ 回収液受け部 ６５ スプラッシュガード昇降駆動機構 Ｗ ウエハ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板の周辺部の上面に処理液を供給して、
   基板の周辺部を処理する基板処理装置であって、 基板を保持しつつ、ほぼ鉛直な回転軸を中心に当該基板
   を回転させる基板回転保持手段と、 この基板回転保持手段に保持された基板の上面に対向し
   て設けられ、上記基板回転保持手段の回転軸に沿う軸を
   中心に回転する回転部材と、 基板の周辺部の上面に処理液が落下するように、上記回
   転部材上に処理液を吐出する処理液吐出手段とを含むこ
   とを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】上記回転部材は、外形が基板よりも小さな
   板状体であることを特徴とする請求項１記載の基板処理
   装置。
3. 【請求項３】上記回転部材と上記基板回転保持手段に保
   持された基板との間に気体を供給する気体供給手段をさ
   らに含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板
   処理装置。
4. 【請求項４】上記基板回転保持手段は、基板の下面を吸
   着して保持する下面吸着型保持機構であることを特徴と
   する請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装
   置。
5. 【請求項５】上記基板の周辺部に供給された後の処理液
   を回収するための処理液回収手段をさらに含むことを特
   徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理
   装置。
6. 【請求項６】基板の周辺部の上面に処理液を供給して、
   基板の周辺部を処理する方法であって、 基板をほぼ水平な姿勢で鉛直軸線まわりに回転させる工
   程と、 基板の上面に対向して回転部材を配置し、この回転部材
   を基板の回転軸線とほぼ同軸の回転軸線まわりに回転さ
   せる工程と、 回転状態の上記回転部材の上に処理液を供給し、この処
   理液を、上記回転部材から、回転状態の上記基板の周辺
   部に落下させる工程とを含むことを特徴とする基板処理
   方法。