JP3761415B2 - 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハなどの円形の被処理基板に対して、基板周縁部に処理液を供給して処理を施すための基板周縁処理装置、および基板周縁処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、半導体装置の製造工程では、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）周縁部の不要な薄膜を除去するために、半導体ウェハの周縁部にのみエッチング液を供給してエッチング処理を施す、いわゆるベベルエッチングを行うことがある。
従来の基板周縁処理装置としては、エッジリンス方式で処理を行うためのものとチャック方式で処理を行うためのものとがある。
【０００３】
エッジリンス方式は、ウェハを水平に保持して回転させながら、細管からウェハの周縁部に向かってエッチング液などの薬液を吐出し、同時に純水を上方から基板中心部近傍に供給する方法である。この方法によれば、ウェハ上面において周縁部以外は純水に覆われているので、遠心力で飛散した処理液がウェハ上に再付着するのを避けることができる。
チャック方式は、ウェハ周辺をチャックピンにより支持してウェハを水平に回転させ、ウェハ裏面全体が処理液に覆われるように処理液を供給し、さらに処理液をウェハ表面側の周縁部に回り込ませる方法である。ウェハ周辺でチャックピンにより支持されている部分を処理するため、ウェハは、チャックピンによる把持を一時的に解除することによって、ウェハ上の液の慣性力の働きにより、チャックピンに対して相対的に回転させられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、エッジリンス方式では、処理が施される領域は、純水と薬液との境界で決まるので、処理が施される領域の幅を精度よく制御することができなかった。
また、純水と薬液とが混ざってしまうため、処理液を再使用することができなかった。
【０００５】
チャック方式では、薬液の流れの中にチャックピンがあるため、薬液が跳ね、ウェハに再付着するという問題があった。
また、チャックピンに対するウェハの相対的な回転は、ウェハ上の処理液の慣性に頼っているため、処理の再現性が低い。
さらに、チャックピンに対するウェハの相対的な回転により、処理前と処理後とでウェハの角度方向が変化する。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、処理が施される領域の幅を精度よく制御することができる基板周縁処理装置を提供することである。
この発明の他の目的は、処理液を再使用することができる基板周縁処理装置を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、処理液が基板に再付着しない基板周縁処理装置を提供することである。
【０００７】
この発明のさらに他の目的は、処理の再現性が高い基板周縁処理装置を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、処理前と処理後とで基板の角度方向が変化しない基板周縁処理装置を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、処理が施される領域の幅を精度よく制御することができる基板周縁処理方法を提供することである。
【０００８】
この発明のさらに他の目的は、処理液を再使用することができる基板周縁処理方法を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、処理液が基板に再付着しない基板周縁処理方法を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、処理の再現性が高い基板周縁処理方法を提供することである。
【０００９】
この発明のさらに他の目的は、処理前と処理後とで基板の角度方向が変化しない基板周縁処理方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の課題を解決するための請求項１記載の発明は、所定の処理液（１９，２０）を用いて円形基板（Ｗ）の周縁部を洗浄またはエッチングする基板周縁処理装置であって、上記円形基板を保持する基板保持手段（１，６０）と、この基板保持手段に保持された上記円形基板の周縁部の少なくとも一部を覆うように配置可能な凹部（４４，５３，５９）を有し、上記円形基板に垂直な回転軸線まわりに回転する回転体（２，４，２１，５１，５２，５８）と、この回転体を上記回転軸線まわりに回転させる回転手段（４６，２４、３４）と、上記回転体の凹部に処理液を供給する処理液供給手段（６）と、を備えたことを特徴とする基板周縁処理装置である。
【００１１】
請求項１１記載の発明は、円形基板を基板保持手段で保持する工程と、上記円形基板に垂直な回転軸線まわりに回転し凹部を備えた回転体を、この凹部が上記円形基板の周縁部の少なくとも一部を覆うように配置する工程と、上記回転体を、回転手段により回転させる工程と、処理液を、処理液供給手段により上記凹部に供給する工程と、を含むことを特徴とする基板周縁処理方法である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じである。
【００１２】
基板保持手段は、円形基板の周縁部以外を保持する構成とすることができる。
この発明によれば、たとえば、回転体を回転させた後、処理液を回転体の凹部に供給すると、処理液は回転体による遠心力により凹部内に張りついて保持される。凹部への処理液の供給量を適当に設定することにより、円形基板周縁部は凹部内の処理液に浸漬した状態となるので、円形基板周縁の処理が施される。円形基板上で処理が施される領域の幅は、凹部内の処理液の量で決まるので精度がよい。処理が施される領域では、円形基板の保持を行わない構成とすることができるので、処理の再現性がよい。円形基板の保持は、円形基板の中央部などでしっかり行い、基板保持手段に対する円形基板の角度方向が変わらないようにすることができる。
【００１３】
処理液の供給を開始してから、円形基板を回転させることとしてもよい。
凹部は、円形基板の周縁部を全周にわたって覆うように配置可能であってもよく、円形基板の周縁部の一部のみを覆うように配置可能であってもよい。
請求項２記載の発明は、上記処理液供給手段は、処理液が上記円形基板の周縁部に達するまで処理液を供給可能であることを特徴とする請求項１記載の基板周縁処理装置である。
【００１４】
この発明によれば、処理を行うために必要な量の処理液を凹部に供給することができる。必要量の処理液が供給されると、処理液の供給を停止する構成としてもよい。
請求項３記載の発明は、上記処理液供給手段は、上記回転体が回転している際に上記凹部に処理液を供給可能であることを特徴とする請求項１または２記載の基板周縁処理装置である。
【００１５】
この発明によれば、処理液の供給に先立って回転体を回転させておくことができるので、供給された処理液の大部分は凹部に保持される。したがって、処理液を無駄にすることがない。
請求項４記載の発明は、上記基板保持手段は、上記円形基板を、この円形基板の中心を通り上記円形基板に垂直な基板軸（Ａ）を中心に回転させるものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
【００１６】
この発明によれば、円形基板も回転可能なので、円形基板に対する処理液の相対速度を制御することができる。たとえば、凹部と基板保持手段とを同一方向同一の回転速度で回転させ、処理液に対する円形基板の相対的な動きをなくすことができる。すなわち、静的な状態で処理を行うことができるので、処理液が跳ねたりして円形基板に再付着することがない。
請求項５記載のように、上記基板保持手段は、上記円形基板を吸着保持可能であってもよい。
【００１７】
請求項６記載の発明は、上記回転体は、上記基板保持手段に保持された円形基板に垂直な方向に二分割可能な第１部分（４，５２）および第２部分（２，２１，５１）を備えていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
たとえば、回転体が凹部で分割可能に構成されている場合、円形基板周縁の処理が終了した後、回転体を分割させることにより、処理液を側方へ排出することができる。したがって、処理が終了した後、処理液が円形基板の周縁部以外の部分に付着することがない。
【００１８】
請求項７記載の発明は、上記第１部分および第２部分のうちの一方は、上記円形基板の表面に対して所定の間隙をもって対向する円板（２，２１）であることを特徴とする請求項６記載の基板周縁処理装置である。
この発明によれば、円形基板の表面に対して所定の間隙をもって対向する円板を、円形基板周縁の処理のためにも用いることができる。
請求項８記載の発明は、さらに、上記円形基板表面に気体を供給する気体供給手段を備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
【００１９】
この発明によれば、たとえば、円形基板周縁の処理を行った後、窒素ガスを吹き付けながら円形基板の乾燥を行うことができる。これにより、円形基板の酸化を防ぐことができる。
請求項９記載の発明は、上記処理液供給手段が純水を含む複数種類の処理液を供給可能であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
【００２０】
この発明によれば、円形基板の周縁部に対してエッチングなどの処理を行った後、純水で洗浄してエッチング液を除去することができる。エッチング液などの薬液と純水とは、１つの配管で切り換えて供給されてもよく、別個に設けられた配管から供給されてもよい。
請求項１０記載の発明は、さらに、処理液を分離回収するための処理液回収容器（７）を、上記回転体の側方に設けたことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
【００２１】
たとえば、回転体が凹部で分割可能に構成されている場合、円形基板周縁のエッチング処理が終了した後、回転体を分割させると、エッチング液は遠心力により回転体の側方へと排出される。この排出されたエッチング液を受けて処理液回収容器導けば、円形基板周縁の処理が終了したエッチング液を回収することができる。
その後、エッチング処理と同様の方法で、円形基板の周縁部を純水により洗浄した場合、たとえば、凹部の回転を止めて重力の作用により純水を排出することができる。この場合、エッチング液と純水とは、別の経路で排出されるので、分離回収することができる。したがって、回収した処理液を再使用することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板周縁処理装置の図解的な断面図である。
この基板周縁処理装置は、処理対象である円形の半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）Ｗの周縁部の不要な薄膜を除去するベベルエッチング処理などを実施するためのものである。この基板周縁処理装置は、ウェハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック１と、処理時にスピンチャック１とともに回転される円板状の遮断板２と、遮断板２を保持して回転および昇降させる遮断板保持機構３と、遠心力により処理液を保持する回転体４と、回転体４に処理液を供給する処理液供給配管６と、回転体４を回転駆動させる回転機構４６と、処理後の処理液を回収する処理液回収容器７とを備えている。
【００２３】
スピンチャック１は、鉛直方向に沿わせて配置されたチャック軸１１と、このチャック軸１１の上端からほぼ水平方向にのびたチャックベース１２とを有している。チャックベース１２の上面には、ウェハＷを吸着して保持するための吸引孔１５が設けられている。吸引孔１５は真空配管１３に連通しており、真空ポンプ（図示せず）などに接続して、その内部の空気を排気することができる。チャック軸１１には、たとえばモータなどの駆動源（図示せず）を含む回転駆動部１４が結合されている。したがって、チャックベース１２でウェハＷを吸引保持した状態で、回転駆動部１４によってチャック軸１１を回転させることにより、ウェハＷを水平面内で回転させることができる。スピンチャック１に保持されたウェハＷの中心を通りこのウェハＷに垂直な基板軸Ａが、スピンチャック１の回転軸線に一致するように、ウェハＷは配置される。
【００２４】
回転体４は、基板軸Ａに対してほぼ回転対称形であるドラム形状を有し、スピンチャック１の側方を囲むように配置されている。回転体４は、スピンチャック１に保持されたウェハＷの外周と対向する面を有するリング状の対向面部４１と、対向面部４１の下端から中心側に水平に張り出した処理液保持底板４２と、対向面部４１の下端から下方にのびた円筒体４３とを備えている。対向面部４１の直径は、遮断板２の直径にほぼ等しく、遮断板２は対向面部４１上部を密閉して覆うことが可能である。平面視において、スピンチャック１に保持されたウェハＷは、その外周から内方にかけて一定の幅で処理液保持底板４２と重なる。
【００２５】
回転体４は、円筒体４３下部に内設されたベアリング８を介して、回転可能に支持されている。円筒体４３下部内面でベアリング８の上方には、リングギア９が設けられている。回転体４の内側下方にはギア１０を有するモータ４５が設けられており、リングギア９とギア１０とは噛合している。モータ４５を回転させることにより、回転体４を回転させることができる。回転体４の回転軸線は、基板軸Ａに一致する。
【００２６】
遮断板２は、ウェハＷの表面に対して所定の間隙（たとえば、０．１〜１．０ｍｍ、好ましくは０．５ｍｍ）をもって対向し、ウェハＷの表面に平行な円板であって、処理対象のウェハＷの直径よりわずかに大きな直径を有している。遮断板保持機構３は、スピンチャック１の外側に鉛直方向に沿って設けられた支持軸３１と、支持軸３１を上下動させるための駆動力を発生する昇降駆動部３２と、支持軸３１の上端から水平方向にのびたアーム３３と、アーム３３の先端下面に取り付けられ鉛直方向にのびた回転駆動可能な保持軸３４とを有している。保持軸３４の先端には、遮断板２が水平に取り付けられている。以上の構成により、遮断板２とチャックベース１２とは平行となる。
【００２７】
この機構により、昇降駆動部３２の駆動力で支持軸３１を上下動させることにより、遮断板２を、対向面部４１上部に接触させた接触位置（図１に実線で示す）と対向面部４１の上方に離間した離間位置（図１に２点鎖線で示す）との間で変位させることができる。また、保持軸３４を回転駆動させることにより遮断板２を回転させることができる。
処理液供給配管６は、装置の下方よりのびており、その一方端に吐出口５を有している。吐出口５は、スピンチャック１に保持されたウェハＷと処理液保持底板４２との間の上下位置で、対向面部４１を向くように配設されている。処理液供給配管６の他方端は、エッチング液貯留槽および純水貯留槽（図示せず）に接続されており、エッチング液および純水を切り換えて供給することが可能である。
【００２８】
処理液回収容器７は、ドラム形状を有し、回転体４のさらに外側に配置されている。処理液回収容器７は、その上端が対向面部４１の上端より高い上下位置に配されており、その下端が回転体４の下端より低い上下位置に配されている。また、処理液回収容器７は、その上端が内側に向かって傾斜しており、その下端で回転体４の下端を覆うように屈曲した屈曲部１６を有している。
次に、この基板周縁処理装置を用いて、ウェハＷ周縁の処理方法を説明する。
【００２９】
まず、遮断板２を離間位置に配置し、搬送ロボット（図示せず）により、ウェハＷをチャックベース１２上の所定位置に、すなわち、スピンチャック１の回転軸線が基板軸Ａに一致するように載置する。そして、ウェハＷをチャックベース１２に吸着させる。
次に、昇降駆動部３２により遮断板２を下降させて対向面部４１上部に接触させる。この状態で、対向面部４１、遮断板２、および処理液保持底板４２により、リング状で内方に開いた凹部４４が形成される。凹部４４は、ウェハＷの周縁部を覆うように配置している。そして、モータ４５、保持軸３４、および回転駆動部１４を駆動して、回転体４、遮断板２、およびスピンチャック１を同一方向に同一の回転速度で回転させる。
【００３０】
続いて、処理液供給配管６より、エッチング液１９を供給する。エッチング液１９は、吐出口５から凹部４４に向かって吐出される。このとき、凹部４４（回転体４）は回転しているので、エッチング液１９は、遠心力により対向面部４１内面に張りついた状態となり、凹部４４内に保持される。
凹部４４内に所定量のエッチング液１９が満たされると、吐出口５からのエッチング液１９の供給を止める。このとき、凹部４４内に一定量以上のエッチング液１９が満たされていると、ウェハＷの周縁部は、エッチング液１９に浸漬した状態となり、ウェハＷ周縁部にエッチング処理が施される。凹部４４とスピンチャック１とは、同一方向に同一の回転速度で回転しているので、エッチング液１９に対するウェハＷの相対的な動きはない。
【００３１】
所定時間、エッチングを行った後、昇降駆動部３２により遮断板２を上昇させる。すると凹部４４は対向面部４１と遮断板２との間で分割され、エッチング液１９は遠心力によりこれらの間から側方へ向かって排出され、エッチングは終了する。側方へ排出されたエッチング液１９は、処理液回収容器７の内側面にあたる。処理液回収容器７の上端が内側に向かって傾斜していることから、エッチング液１９は、処理液回収容器７の外側へは移動し難くなっている。その後、エッチング液１９は処理液回収容器７の内側面を下方へと移動し、処理液回収容器７の下端の屈曲部１６に回収される。回収されたエッチング液１９は、さらにエッチング液貯留槽（図示せず）へと導かれる。
【００３２】
次に、再び遮断板２を下降させて対向面部４１上部に接触させ、回転体４、遮断板２、およびスピンチャック１を同一方向に同一の回転速度で回転させる。そして、処理液供給配管６の吐出口５より凹部４４に純水２０を供給する。凹部４４内には純水２０が満たされ、ウェハＷの周縁部は純水２０に浸漬されることにより洗浄される。すなわち、ウェハＷの周縁部に付着したエッチング液１９などは除かれる。
【００３３】
所定時間洗浄を行った後、遮断板２を上昇させずに、遮断板２および回転体４の回転を停止する。すると、純水２０は重力の作用により、凹部４４から下方へ流れ落ちる。流れ落ちた純水は、受け容器（図示せず）を経て廃液ラインへと導かれる。
回転体４および遮断板２は回転を停止させ、スピンチャック１はそのまま回転を継続する。これにより、ウェハＷの乾燥が行われる。ウェハＷが乾燥すると、回転を停止し、ウェハＷを基板周縁処理装置から搬出する。以上で、ウェハＷ周縁の処理を終了する。
【００３４】
このような、基板周縁処理装置によれば、ウェハＷ上で処理が施される領域の幅は、凹部４４内の処理液の量で決まるので精度がよい。処理が施される領域では、ウェハＷは保持されていないので、処理の再現性がよい。ウェハＷの保持は、ウェハＷの中央部で吸着によりしっかり行われており、スピンチャック１に対するウェハＷの角度方向が変わらないようにすることができる。
処理時には、エッチング液１９などの薬液に対するウェハＷの相対的な動きがなく、静的な状態で処理を行うことができるので、処理液が跳ねたりしてウェハＷに再付着することがない。なお、エッチング時や洗浄時に、必要により、回転体４および遮断板２の回転速度とスピンチャック１の回転速度とを異ならせ、処理液に対してウェハＷを相対的に動かすことも可能である。
【００３５】
上記の装置によれば、処理液回収容器７により回収されたエッチング液は、他の処理液と分離回収することが可能である。したがって、回収したエッチング液を再使用することが可能である。
保持軸３４中に窒素ガス配管を通し、遮断板２に設けた穴より窒素ガスを供給可能な構成としてもよい。その場合、ウェハＷの乾燥時にウェハＷに窒素ガスを供給し、ウェハＷの酸化を防止することができる。
【００３６】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る基板周縁処理装置の図解的な断面図である。図１に示す実施形態による基板周縁処理装置と同一構成である部分は同一符号を付して説明を省略する。
この実施形態においては、真空配管１３以外に処理液供給配管６も、チャックベース１２およびチャック軸１１内部に挿通されている。チャック軸１１は、下方で中空モータ２４により回転駆動可能に支持されている。チャック軸１１の下端は、ベアリング２６を介して固定部材２５に回転可能に内嵌している。固定部材２５の上部で、チャック軸１１の周囲には回転シール２７が設けられている。固定部材２５には、処理液導入配管２８が設けられており、処理液導入配管２８はチャック軸１１中の回転する処理液供給配管６へ処理液を送液可能に接続されている。固定部材２５の下端には、真空配管１３に連通した排気孔２９が設けられている。
【００３７】
このような機構により、回転するチャック軸１１内部の処理液供給配管６に処理液を送液したり、真空配管１３中の空気を排気したりすることが可能となっている。
処理液供給配管６の吐出口５は、チャックベース１２の側面に設けられている。チャックベース１２の側面下部からは、円板状の処理液保持底板５２が張り出している。
【００３８】
遮断板２１は、保持軸３４に固定されておらず、これらは別体となっている。遮断板２１の上面中央部には、上部が上に広がった把持部２２が設けられている。保持軸３４の下端には、把持部２２を把持することができるハンド３５が備えられている。保持軸３４は、回転駆動する機構を有していない。遮断板２１の外周部から下方に向かって短筒部５１がのびている。短筒部５１の下端には、円周方向に一定間隔で切欠５５が設けられている。また、その切欠５５に対応するように、処理液保持底板５２の外周から側方に向かって突起５４が張り出している。
【００３９】
処理するウェハＷの直径は、チャックベース１２の直径より大きく、遮断板２１の直径より小さい。
昇降駆動部３２やハンド３５が制御されて、遮断板２２はウェハＷが吸着されたチャックベース１２上に載置される。すると、突起５４は切欠５５に嵌合し、遮断板２１、短筒部５１、処理液保持底板５２、およびチャックベース１２により、環状中空部５３が形成される。吐出口５は、環状中空部５３内に開口しているので、吐出口５から環状中空部５３に処理液を供給することができる。
【００４０】
突起５４と切欠５５との嵌合により、スピンチャック１を回転させると、遮断板２１も一緒に回転する。この状態で環状中空部５３に処理液を供給すると、処理液は遠心力により短筒部５１に張りついて保持される。ウェハＷは、この環状中空部５３に張り出しているので、一定量以上の処理液を環状中空部５３に満たすことにより、ウェハＷの周縁の処理を行うことができる。このまま環状中空部５３の回転を停止しても、処理液の量が一定量以下であれば、処理液の液面ＢはウェハＷの下方となるので処理を終了することができる。
【００４１】
この基板周縁処理装置においては、１つの中空モータ２４により、スピンチャック１や遮断板２１などを回転させる構成なので、装置の構造が単純となる。
図３は、本発明の第３の実施形態に係る基板周縁処理装置の図解的な断面図である。図１や図２に示す実施形態による基板周縁処理装置と同一構成である部分は同一符号を付して説明を省略する。
遮断板２１は、第１の実施形態と同様、保持軸３４の下端に固定されている。保持軸３４は回転駆動させることができ、保持軸３４を回転駆動させることにより遮断板２１を回転させることができる。
【００４２】
一方、チャック軸１１には、回転駆動部１４は結合されていない。チャック軸１１は回転可能である。
昇降駆動部３２により、遮断板２１をスピンチャック１の上に降ろすと、突起５４と切欠５５と嵌合する。保持軸３４により遮断板２１を回転させると、スピンチャック１も一緒に回転する。すなわち、この実施形態においても、１つの保持軸３４により、スピンチャック１や遮断板２１などを回転させる構成なので、装置の構造が単純となる。
【００４３】
図４は、本発明の第４の実施形態に係る基板周縁処理装置の一部を示す図解的な平面図であり、図５は、その図解的な断面図である。
３つ１組で１枚のウェハＷを保持することができるローラ６０が３組配置されている。３組のローラ６０に保持された３枚のウェハＷは、等間隔をあけて配置される。
ローラ６０は外周にＶ溝を有しており、ウェハＷをその端部がＶ溝に嵌る状態で保持することができる（図５（ａ））。１組のローラ６０のうちの１つは駆動源に結合されており、ウェハＷを回転させることが可能である。１組のローラ６０は、互いに間隔を拡げてウェハＷの着脱を行うことが可能である。
【００４４】
回転体５８は、円板の外周部が下方から内方へ屈曲して凹部５９を形成した構造を有している。回転体５８は、回転した状態で凹部５９に処理液１９，２０を保持可能である。凹部５９は環状になっており、その内方端６１の輪郭は、ウェハＷの直径の約３倍の直径を有している。ローラ６０に保持された３枚のウェハＷは、ほぼ凹部５９内の空間に内接する位置に配置される。すなわち、回転体５８の凹部５９は、３枚のウェハＷの周縁部の一部を覆っている。また、ウェハＷは、ローラ６０を移動させることにより、回転体５８の中心方向と外周方向とに移動させることができる。
【００４５】
処理時には、まず、ウェハＷが受け渡しに際して凹部５９の内方端６１にかからない位置で、３枚のウェハＷをそれぞれ３組のローラ６０で保持する。そして、回転体５８を回転させ、凹部５９に処理液１９，２０を保持させる。そして、ウェハＷを回転させながら、ウェハＷを凹部５９の方へ移動させ、その一部が処理液１９，２０に浸漬する状態にする（図５（ｂ））。ウェハＷは回転しているので、処理液１９，２０に浸漬する部分は順次移動し、一定時間内にはウェハＷ周縁の全周が浸漬することになる。このようにして、ウェハＷ周縁の処理を行うことができる。処理を終了するときは、ウェハＷを回転体５８の内方側に移動させてから、回転体５８の回転を停止する。これにより、処理液１９，２０は下方で落下する。
【００４６】
このような処理装置によれば、複数枚のウェハＷを同時に処理することができる。ウェハＷを保持する位置は、処理を施すウェハＷ周縁部であるが、ウェハＷはローラ６０により密接されて保持され、規則的な回転を与えられるので、処理の再現性はよい。しかも、ウェハＷを保持する部分は処理液中にはないので、処理液が跳ねてウェハＷに再付着することはない。
また、この実施形態では、真空による吸着でウェハＷを保持していないので、裏面パーティクルに対して有利になる。
【００４７】
第１ないし第３の実施形態では、純水２０を供給する処理液供給配管６とエッチング液１９を供給する処理液供給配管６とは共通であったが、これらは別個に設けられていてもよい。処理液はウェハＷの裏面に向けて供給してもよい。また、第１の実施形態では、処理液は凹部４４から溢れる前に供給を停止することとしているが、常に新液を供給してもよい。その場合、凹部４４を形成する対向面部４１に、適当な流量で処理液を排出するための処理液排出孔４７が設けられた構成とすることができる（図６）。
【００４８】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板周縁処理装置の図解的な断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る基板周縁処理装置の図解的な断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る基板周縁処理装置の図解的な断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る基板周縁処理装置の一部を示す図解的な平面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る基板周縁処理装置の一部を示す図解的な断面図である。
【図６】処理液排出孔を備えた凹部の構造を示す図解的な断面図である。
【符号の説明】
１ スピンチャック
２，２１ 遮断板
４，５８ 回転体
５ 吐出口
６ 処理液供給配管
７ 処理液回収容器
４４，５９ 凹部
４６ 回転機構
５３ 環状中空部

Claims (11)

1. 所定の処理液を用いて円形基板の周縁部を洗浄またはエッチングする基板周縁処理装置であって、
   上記円形基板を保持する基板保持手段と、
   この基板保持手段に保持された上記円形基板の周縁部の少なくとも一部を覆うように配置可能な凹部を有し、上記円形基板に垂直な回転軸線まわりに回転する回転体と、
   この回転体を上記回転軸線まわりに回転させる回転手段と、
   上記回転体の凹部に処理液を供給する処理液供給手段と、を備えたことを特徴とする基板周縁処理装置。
2. 上記処理液供給手段は、処理液が上記円形基板の周縁部に達するまで処理液を供給可能であることを特徴とする請求項１記載の基板周縁処理装置。
3. 上記処理液供給手段は、上記回転体が回転している際に上記凹部に処理液を供給可能であることを特徴とする請求項１または２記載の基板周縁処理装置。
4. 上記基板保持手段は、上記円形基板を、この円形基板の中心を通り上記円形基板に垂直な基板軸を中心に回転させるものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
5. 上記基板保持手段は、上記円形基板を吸着保持可能であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
6. 上記回転体は、上記基板保持手段に保持された円形基板に垂直な方向に二分割可能な第１部分および第２部分を備えていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
7. 上記第１部分および第２部分のうちの一方は、上記円形基板の表面に対して所定の間隙をもって対向する円板であることを特徴とする請求項６記載の基板周縁処理装置。
8. さらに、上記円形基板表面に気体を供給する気体供給手段を備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
9. 上記処理液供給手段が純水を含む複数種類の処理液を供給可能であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
10. さらに、処理液を分離回収するための処理液回収容器を、上記回転体の側方に設けたことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
11. 円形基板を基板保持手段で保持する工程と、
    上記円形基板に垂直な回転軸線まわりに回転し凹部を備えた回転体を、この凹部が上記円形基板の周縁部の少なくとも一部を覆うように配置する工程と、
    上記回転体を、回転手段により回転させる工程と、
    処理液を、処理液供給手段により上記凹部に供給する工程と、を含むことを特徴とする基板周縁処理方法。

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