JP5646528B2 - 液処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板を水平に保持して液処理を行う液処理装置に関する。
半導体製品の製造プロセスやフラットパネルディスプレー(FPD)の製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハやガラス基板に処理液を供給して液処理を行うプロセスが多用されている。このようなプロセスとして、例えば、基板に付着したパーティクルやコンタミネーション等を除去する洗浄処理などがある。
洗浄処理を実施する液処理装置として、半導体ウエハ等の基板をスピンチャックに保持し、ウエハを水平に回転させた状態でウエハの上面に処理液(薬液、リンス液等)を供給して洗浄処理を行う枚葉式の回転洗浄装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開平10−209254号公報
しかしながら、ウエハを洗浄処理する際、ウエハの周縁部が、スピンチャックの保持部によって保持されている。このため、保持部によって保持されているウエハの領域に処理液が到達しにくくなり、当該領域およびその周辺領域を洗浄処理することが困難になっていた。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板に液処理が行われない未処理領域が形成されることを防止する液処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板に処理液を供給するノズルと、前記基板保持部に対して昇降自在に設けられた昇降部材と、前記昇降部材を昇降駆動する昇降駆動部と、を備え、前記基板保持部は、保持ベースと、前記保持ベースに移動自在に設けられ、各々が当該基板の周縁部に係合する係合位置と当該基板を開放する開放位置との間で付勢力付与機構の付勢力によって移動する第1係合部材および第2係合部材と、を有し、前記第1係合部材に、前記昇降部材の外周面に当接した第1当接部が連結され、前記第2係合部材に、前記昇降部材の外周面に当接した第2当接部が連結され、前記昇降部材は、その外周面に設けられた、当該昇降部材の昇降方向において互いに異なる位置に配置された上側被当接部および下側被当接部を有し、前記第1当接部が前記上側被当接部に当接している場合、前記第1係合部材は前記係合位置に移動すると共に、前記第2係合部材は前記開放位置に移動し、前記第2当接部が前記下側被当接部に当接している場合、前記第1係合部材は前記開放位置に移動すると共に、前記第2係合部材は前記係合位置に移動することを特徴とする液処理装置を提供する。
本発明の液処理装置によれば、基板に液処理が行われない未処理領域が形成されることを防止できる。
図1は、本実施の形態による液処理装置を含む液処理システムを上方から見た平面図である。 図2は、図1の液処理システムにおける液処理装置の側面断面図である。 図3は、図2に示す液処理装置における基板保持部およびその周辺に位置する構成要素を示す縦断面図であって、昇降筒部材が下降位置に位置付けられた状態を示す縦断面図である。 図4は、ウエハが保持された基板保持部を示す平面図である。 図5は、図2に示す液処理装置における基板保持部およびその周辺に位置する構成要素を示す縦断面図であって、昇降筒部材が中間位置に位置付けられた状態を示す縦断面図である。 図6は、図2に示す液処理装置における基板保持部およびその周辺に位置する構成要素を示す縦断面図であって、昇降筒部材が上昇位置に位置付けられた状態を示す縦断面図である。 図7は、昇降筒部材を部分的に拡大した断面図である。 図8(a)は、図7のA−A線断面を示す図であり、図8(b)は、図7のB−B線断面を示す図である。 図9は、回転駆動部の回転軸と昇降筒部材との連結構造の詳細を示す図である。 図10は、本実施の形態による液処理方法の各工程における昇降筒部材の位置およびリフトベースの位置を示す図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
まず、図1を用いて、本発明の実施の形態による液処理装置を含む液処理システムについて説明する。
図1に示すように、液処理システム100は、外部から被処理基板としての半導体ウエハ等の基板(以下、ウエハWという)を収容したキャリアを載置するための載置台101と、キャリアに収容されたウエハWを取り出すための搬送アーム102と、搬送アーム102によって取り出されたウエハWを載置するための棚ユニット103と、棚ユニット103に載置されたウエハWを受け取り、当該ウエハWを液処理装置10内に搬送する搬送アーム104と、を備えている。図1に示すように、液処理システム100には、複数(図1に示す態様では8個)の液処理装置10が設けられている。
また、各液処理装置10の側壁には、搬送アーム104により液処理チャンバ20内へウエハWを搬入したり液処理チャンバ20からウエハWを搬出したりするための開口11が設けられている。この開口11には、当該開口11を開閉するためのシャッタ12が設けられている。
次に、本実施の形態による液処理装置10の概略的な構成について図2および図3を用いて説明する。
図2に示すように、本実施の形態による液処理装置10は、ウエハWが収容され、この収容されたウエハWの液処理が行われる液処理チャンバ20と、液処理チャンバ20の上方に設けられ、当該液処理チャンバ20内に清浄な空気をダウンフローとして供給するエアフード80と、を備えている。
このうち液処理チャンバ20内には、ウエハWを水平に保持して回転させるための基板保持部21が設けられている。基板保持部21に保持されたウエハWの径方向周囲にはリング状のドレインカップ46(後述)が設けられている。このドレインカップ46は、ウエハWの液処理を行う際に当該ウエハWに供給された後の処理液を回収して排出するために設けられている。
次に、液処理装置10の各構成要素の詳細について図3乃至図9を用いて説明する。
図3に示すように、基板保持部21は、ウエハWを水平に離間して保持するチャックベース(保持ベース)22と、チャックベース22上に昇降自在に設けられたリフトベース23と、リフトベース23上に設けられ、ウエハWの下面を支持する複数のリフトピン24と、チャックベース22に回動自在に設けられた6つのチャック部材31、32(係合部材)と、を有している。
リフトベース23は、後述するリフトロッド71によって押し上げられて、チャックベース22から離れて上昇する。すなわち、リフトベース23は、チャックベース22上に載置された下降位置と、この下降位置から上昇した上昇位置との間で昇降する。このうち、リフトベース23が下降位置に位置付けられている場合、ウエハWの周囲には、後述の回転カップ45が位置付けられる(図3および図5参照)。また、図6に示すように、リフトベース23が上昇位置に位置付けられている場合、ウエハWは回転カップ45よりも上方に位置付けられ、搬送アーム104(図1参照)によってウエハWを搬入出する。なお、リフトピン24は、周方向に等間隔で3つ設けられているが、図3においては、便宜上、2つのリフトピン24のみを表示している。
6つのチャック部材31、32は、図4に示すように、ウエハWの周方向に互いに交互に配置された3つの第1チャック部材31および3つの第2チャック部材32からなっている。これら3つの第1チャック部材31または3つの第2チャック部材32によって、ウエハWは安定して保持される。なお、第1チャック部材31および第2チャック部材32は、ウエハWの周方向に等間隔で配置されていることが好ましいが、ウエハWを安定して保持可能であれば、等間隔に配置されることに限られない。
各チャック部材31、32は、ウエハWの周縁部に係合する係合位置と当該ウエハWを開放する開放位置との間で回動(移動)する。すなわち、各チャック部材31、32は、回動支点31a、32aを中心に回動するようにチャックベース22に取り付けられ、係合位置において、ウエハWの側面に接触すると共にウエハWの下面のうちの周縁側部分に接触してウエハWに係合する。ここで、図3においては、左側に示した第1チャック部材31が係合位置に位置付けられている状態を示し、右側に示した第2チャック部材32が開放位置に位置付けられている状態を示している。また、各チャック部材31、32は、チャックベース22の周縁部に形成された周縁貫通穴22aを介して上方に延びるように形成されている。なお、ウエハWの周縁部にチャック部材31、32を係合させてウエハWを保持している間、ウエハWはリフトピン24からわずかに離間している。
このような基板保持部21は、ウエハWと共に回転するように構成されている。すなわち、液処理装置10は、液処理チャンバ20に固定されたフレーム13と、このフレーム13に取り付けられ、基板保持部21を回転駆動する回転駆動部25(例えば、回転モータ)と、を有している。回転駆動部25は円筒状の回転軸26を含み、この回転軸26はチャックベース22に連結されており、チャックベース22は回転駆動部25によって回転する。また、リフトベース23は、チャックベース22上に載置された下降位置に位置付けられている場合、チャックベース22と回転方向で係合して、チャックベース22と共に回転する。このようにして、基板保持部21に保持されたウエハWは、水平に回転するように構成されている。
図3に示すように、基板保持部21に保持されたウエハWの上方に、当該ウエハWの上面に処理液を供給する上面側処理液ノズル35が設けられている。この上面側処理液ノズル35はノズル支持アーム37によって支持されている。また、上面側処理液ノズル35に処理液供給部38が連結されている。処理液供給部38は、酸性処理液(例えば、希フッ酸(DHF)など)、アルカリ性処理液(例えば、アンモニア水と過酸化水素を混合したアンモニア過水(SC1)など)およびリンス処理液(例えば、純水など)を選択的に上面側処理液ノズル35に供給するように構成されている。
ノズル支持アーム37には、上面側処理液ノズル35に隣接して上面側乾燥ガスノズル36が設けられている。この上面側乾燥ガスノズル36に乾燥ガス供給部39が連結されている。乾燥ガス供給部39は、乾燥ガス(例えば、N2ガスなどの不活性ガス)を上面側乾燥ガスノズル36に供給するように構成されている。
また、チャックベース22に保持されたウエハWの下方に、当該ウエハWの下面に処理液または乾燥ガスを選択的に供給する昇降軸部材40が設けられている。すなわち、昇降軸部材40は、基板保持部21に保持されたウエハWの下面に処理液を供給する下面側処理液供給管41と、当該ウエハWの下面に乾燥ガスを供給する下面側乾燥ガス供給管42と、を有している。このうち下面側処理液供給管41には、上述した処理液供給部38が連結されており、酸性処理液、アルカリ性処理液およびリンス処理液が、上面側処理液ノズル35と同期して選択的に供給される。下面側乾燥ガス供給管42には、上述した乾燥ガス供給部39が連結されており、乾燥ガスが、上面側乾燥ガスノズル36と同期して供給される。
昇降軸部材40は、リフトベース23の中央部に設けられた貫通穴およびチャックベース22の中央部に設けられた貫通穴を通って、ウエハWの下面に近接した位置に延びている。このようにして、下面側処理液供給管41および下面側乾燥ガス供給管42から、ウエハWの下面に処理液または乾燥ガスが供給される。また、昇降軸部材40は、後述するように、リフトベース23と連動して昇降するように構成されている。すなわち、リフトベース23が、後述するリフトロッド71によって押し上げられる際、昇降軸部材40も上昇する。
昇降軸部材40の上端には、ヘッド部材43が設けられている。このヘッド部材43は、後述する空気供給路90としての昇降筒部材50から送られてくる空気の流れる向きを、ウエハWの径方向に変えて、ウエハWとリフトベース23との間に形成されたウエハ下方空間96に空気を供給する。このヘッド部材43とリフトベース23とにより、後述する空気供給路90の供給口92が形成されている。
基板保持部21に保持されたウエハWの径方向周囲には、リング状の回転カップ45が配設されている。この回転カップ45は、図示しない接続部により、チャックベース22と一体的に回転する。また、回転カップ45は、基板保持部21により支持されたウエハWを側方から囲っている。このため、回転カップ45は、ウエハWの液処理を行う際に、ウエハWから側方に飛散した処理液を受けることができる。また、回転カップ45は、上方に開口する回転カップ開口部45aを有しており、ウエハWの搬入出の際に、ウエハWは、リフトベース23と共に回転カップ開口部45aを通って昇降する。
また、回転カップ45の径方向周囲には、リング状のドレインカップ(回収カップ)46が設けられている。このドレインカップ46は、基板保持部21の側方(より具体的には回転カップ45の側方)に設けられており、ウエハWから側方に飛散した処理液を回収する。すなわち、回転カップ45とチャックベース22との間の隙間から側方に飛散した処理液が、ドレインカップ46によって回収される。なお、ドレインカップ46は、液処理チャンバ20内において、回転することなく、その位置が固定されている。
ドレインカップ46の下方には、液処理チャンバ20内の雰囲気を排出する排出部47が設けられている。具体的には、液処理チャンバ20内の雰囲気と共に、ドレインカップ46により回収された処理液が、排出部47にて排出される。排出部47には気液分離部(図示せず)が接続されており、排出部47から排出された処理液およびガスが分離されて排液および排気が行われる。
次に、チャック部材31、32を係合位置と開放位置との間で回動させる機構について説明する。
昇降筒部材50は、下降位置と、下降位置より上方に位置する中間位置と、中間位置よりさらに上方に位置する上昇位置とに、位置付けられる。ここで、図3は、昇降筒部材50が下降位置に位置付けられている状態を示し、図5は、昇降筒部材50が中間位置に位置付けられている状態を示し、図6は、昇降筒部材50が上昇位置に位置付けられている状態を示している。また、図7は、昇降筒部材50が各位置に位置付けられた場合における昇降筒部材50と、第1ローラ55a(後述)および第2ローラ56a(後述)との配置関係を示している。
すなわち、昇降筒部材50は、第1チャック部材31を係合位置に回動させる下降位置と、第2チャック部材32を係合位置に回動させる中間位置との間で昇降する。さらに、昇降筒部材50は、中間位置と上昇位置との間で昇降可能になっており、昇降筒部材50が上昇位置に位置付けられている場合(図6参照)、第1チャック部材31および第2チャック部材32は、共に開放位置に位置付けられる。
図3および図7に示すように、昇降筒部材50は、その外周面に設けられた、昇降筒部材50の昇降方向において互いに異なる位置に配置された上側被当接部51および下側被当接部52を有している。概略的には、上側被当接部51は、下側被当接部52より上方に配置され、下側被当接部52は、上側被当接部51より下方に配置されている。また、上側被当接部51および下側被当接部52は、昇降筒部材50の外周面に対して凹状に形成されている。なお、本実施の形態においては、凹状の上側被当接部51は、昇降筒部材50の上端まで延びており、図3においては段付状に示されている。さらに、上側被当接部51および下側被当接部52は、図8(a)、(b)に示すように、第1チャック部材31および第2チャック部材32に対応する角度で、互いに離間して、周方向に等間隔にそれぞれ3つ設けられている。
一方、図3に示すように、各第1チャック部材31に、昇降筒部材50の外周面に当接した第1当接部55が連結されている。第1当接部55が上側被当接部51に当接している場合、第1チャック部材31は係合位置に回動すると共に、第2チャック部材32は開放位置に回動する。詳細には、第1チャック部材31にリンク部材57の一端がリンクピン31bにて結合されている。このリンクピン31bは、第1チャック部材31の回動支点31aの上方に配置されている。リンク部材57の他端には、上述した第1当接部55が連結されている。また、リンク部材57は、後に詳述するように、バネ部材58(図4参照)の付勢力によって、昇降筒部材50の側に付勢されている。さらに、第1当接部55は、昇降筒部材50の外周面において昇降方向に転動自在な円筒状の第1ローラ55aを含んでいる。このような構成により、昇降筒部材50の外周面に当接している第1当接部55が、昇降筒部材50の昇降によって凹状の上側被当接部51に進出して当接した場合、リンク部材57およびリンクピン31bが昇降筒部材50の側に移動して、第1チャック部材31が回動支点31aを中心に(図3における時計方向に)回動して、係合位置に位置付けられる。
同様にして、各第2チャック部材32に、昇降筒部材50の外周面に当接した第2当接部56が連結されている。第2当接部56が下側被当接部52に当接している場合、第1チャック部材31は開放位置に回動すると共に、第2チャック部材32は係合位置に回動する。詳細には、第2チャック部材32にリンク部材57の一端がリンクピン32bにて結合されている。このリンクピン32bは、第2チャック部材32の回動支点32aの上方に配置されている。リンク部材57の他端には、上述した第2当接部56が連結されている。また、リンク部材57は、後に詳述するように、バネ部材58(図4参照)の付勢力によって、昇降筒部材50の側に付勢されている。さらに、第2当接部56は、昇降筒部材50の外周面において昇降方向に転動自在な円筒状の第2ローラ56aを含んでいる。このような構成により、昇降筒部材50の外周面に当接している第2当接部56が、昇降筒部材50の昇降によって凹状の下側被当接部52に進出して当接した場合、リンク部材57およびリンクピン32bが昇降筒部材50の側に移動して、第2チャック部材32が回動支点32aを中心に(図3における反時計方向に)回動して、係合位置に位置付けられる(図5参照)。
第1ローラ55aおよび第2ローラ56aは、図4に示すように、圧縮バネとして機能するバネ部材(付勢力付与機構)58によって昇降筒部材50の側に付勢されている。すなわち、バネ部材58の一端は、リンク部材57に固定されたリンク側端部57aに連結され、他端は、チャックベース22に固定されたベース側端部22bに連結されている。このようにして、バネ部材58は、リンク部材57を介してローラ55a、56aを昇降筒部材50の側に付勢している。このことにより、各チャック部材31、32は、係合位置の側にそれぞれ付勢され、ウエハWを保持する。
なお、図4に示すように、本実施の形態においては、各リンク部材57には、一対のバネ部材58が連結されており、これら一対のバネ部材58の間にリンク部材57が介在されている。このようにして、第1当接部55、第2当接部56およびリンク部材57の移動をスムーズにし、第1チャック部材31および第2チャック部材32の回動をスムーズにしている。
このバネ部材58の付勢力によって、昇降筒部材50が下降位置に位置付けられている場合、図3および図7に示すように、第1ローラ55aが上側被当接部51に進出し、3つの第1チャック部材31が係合位置に位置付けられてウエハWを保持する。この場合、第2ローラ56aは昇降筒部材50の外周面に乗り上げ、第2チャック部材32は開放位置に位置付けられる。
また、昇降筒部材50が中間位置に位置付けられている場合、図5および図7に示すように、バネ部材58の付勢力によって第2ローラ56aが下側被当接部52に進出し、3つの第2チャック部材32が係合位置に位置付けられてウエハWを保持する。この場合、第1ローラ55aは昇降筒部材50の外周面に乗り上げ、第1チャック部材31は開放位置に位置付けられる。
さらに、昇降筒部材50が上昇位置に位置付けられている場合、図6および図7に示すように、第1ローラ55aおよび第2ローラ56aは共に昇降筒部材50の外周面に乗り上げ、第1チャック部材31および第2チャック部材32は共に開放位置に位置付けられる。
ところで、図7に示すように、昇降筒部材50の上側被当接部51の下部51aは、下側被当接部52の上部52aと、昇降筒部材50の昇降方向において同じ位置(高さ)に配置されている。このことにより、上側被当接部51と下側被当接部52とが昇降筒部材50の昇降方向においてオーバーラップする領域を形成することができる。このため、ウエハWに係合するチャック部材31、32を切り替える際(すなわち、昇降筒部材50が下降位置から中間位置に上昇する場合または中間位置から下降位置に下降する場合)、第1ローラ55aおよび第2ローラ56aが対応する上側被当接部51または下側被当接部52に同時に進出した状態(図7における同時進出位置)となり、ウエハWは、一時的に第1チャック部材31および第2チャック部材32によって保持される。このため、ウエハWに係合するチャック部材31、32を切り替える際に、ウエハWがリフトピン24に載置されることを防止すると共に第1チャック部材31および第2チャック部材33のいずれによってもウエハWが保持されない状態を回避することができ、チャック部材31、32の切替をスムーズに行うことができる。なお、上側被当接部51の下部51aが、下側被当接部52の上部52aより下方に配置されて、上側被当接部51と下側被当接部52とが昇降筒部材50の昇降方向においてオーバーラップする領域を増大させてもよい。
昇降筒部材50は、昇降シリンダ(昇降駆動部)60によって昇降するように構成されている。すなわち、昇降シリンダ50は、図3に示すように、フレーム13に固定された昇降シリンダ60に、昇降連結部材61を介して連結されており、昇降連結部材61を介して昇降する。また、上述した昇降軸部材40は、円筒状の昇降筒部材50の内側を通って延びており、昇降筒部材50は、昇降軸部材40に対しても昇降自在に構成されている。
昇降筒部材50には、回転駆動部25の回転軸26が連結されている。具体的には、図9に示すように、回転軸26の下端部に回転軸フランジ65が固定され、この回転軸フランジ65から複数の嵌合ピン66が下方に延びている。昇降筒部材50には昇降筒フランジ67が固定され、この昇降筒フランジ67に、嵌合ピン66が摺動自在に嵌合する嵌合穴68が設けられている。各嵌合ピン66が昇降筒フランジ67の嵌合穴68に嵌合することにより、昇降筒部材50は回転軸26と共に回転し、各嵌合ピン66が対応する嵌合穴68内を摺動することにより、昇降筒部材50は回転軸26に対して昇降する。このようにして、昇降筒部材50は、回転軸26を介して基板保持部21と共に回転駆動すると共に回転軸26に昇降自在に連結されている。また、昇降連結部材61は、ベアリング62を用いて昇降筒部材50に連結されており、昇降筒部材50と共に回転することはなく、昇降筒部材50は昇降連結部材61に対して回転自由になっている。
昇降連結部材61には昇降ガイド部材63が設けられている。この昇降ガイド部材63は、フレーム13に固定されたガイドレール14に案内されて当該ガイドレール14に沿って昇降する。このことにより、昇降筒部材50は、鉛直方向にスムーズに昇降できる。
なお、本実施の形態においては、図5に示すように、昇降筒部材50が中間位置にある場合、昇降連結部材61の上面が、後述するリフト連結部材72の下面に当接している。この場合、昇降シリンダ60の上昇力が、後述するリフトシリンダ70によって抑えられて、昇降連結部材61に連結された昇降筒部材50が必要以上に上昇することを防止している。
次に、リフトベース23を押し上げる機構について説明する。
リフトベース23は、フレーム13に固定されたリフトシリンダ(リフト駆動部)70によって昇降するように構成されている。すなわち、リフトシリンダ70によってリフトロッド71が押し上げられて、リフトベース23がチャックベース22から離れて上昇する。このリフトロッド71は、リフトシリンダ70にリフト連結部材72を介して連結されている。より具体的には、リフトロッド71の下端はリフト連結部材72に固定され、リフトロッド71の上端はリフトベース23の下面に当接自在になっている。すなわち、リフトベース23が下降位置に位置付けられている場合、リフトロッド71の上端は、リフトベース23の下面から離間しているが、リフトベース23をチャックベース22から上昇させる際にリフトベース23の下面に当接する。また、リフトロッド71は、チャックベース22に設けられた貫通穴を通って上方に延びている。このようにして、リフトシリンダ70は、リフトロッド71を介して、リフトベース23をチャックベース22から上昇させる。
また、リフト連結部材72は、後述する空気供給路90の昇降供給管94に連結され、この昇降供給管94には昇降軸部材40が固定されている。このようにして、リフトシリンダ70は、リフトベース23を上昇させる際、リフト連結部材72および昇降供給管94を介して昇降軸部材40を、その上端部に設けられたヘッド部材43と共に上昇させる。なお、昇降供給管94と昇降筒部材50とは、互いに昇降自由になっている。すなわち、昇降筒部材50の内面に、昇降供給管94の外面が摺動自在に嵌合している。このことにより、昇降筒部材50は、昇降供給管94に対して昇降自由かつ回転自由に構成されている。
なお、リフト連結部材72には、リフトガイド部材73が設けられている。このリフトガイド部材73は、上述したガイドレール14に案内されて当該ガイドレール14に沿って昇降する。このことにより、リフトロッド71とリフトベース23が鉛直方向にスムーズに昇降できる。
次に、図2を用いて、エアフード80について説明する。
エアフード80には、基板保持部21に保持されたウエハWの上方に設けられ、ウエハWに向かって空気を送り込む(供給する)ファン(空気供給部)81が設けられている。また、エアフード80内において、ファン81の下方にフィルタ部材82が設けられている。このフィルタ部材82は、ファン81から送り込まれた空気から塵埃などを取り除いて空気を清浄化する。フィルタ部材82には、ULPAフィルタ(Ultra Low Penetration Air Filter)を用いることが好適である。また、フィルタ部材82の下方には、整流部材83が離間して設けられている。この整流部材83は、フィルタ部材82により清浄化された空気を整流して、ウエハWへのダウンフローを形成する。整流部材83には、複数の開口83aを有するパンチング板を用いることが好適である。
次に、ウエハWとリフトベース23との間に形成されたウエハ下方空間96に空気を供給する空気供給路90について説明する。
図2に示すように、基板保持部21に保持されたウエハWの下面とリフトベース23との間に形成されたウエハ下方空間96に、ファン81から供給された空気を吸引して供給する空気供給路90が設けられている。ウエハWが回転している間、遠心力によってウエハ下方空間96の圧力が低下して負圧になることから、このウエハ下方空間96の圧力と吸引口91(後述)における圧力との差によって、ファン81から供給された空気が、空気供給路90によって吸引されてウエハ下方空間96に供給される。
本実施の形態においては、空気供給路90は、フィルタ部材82と整流部材83との間に形成された空気供給空間95の空気を吸引するように構成されている。すなわち、空気供給路90は、空気供給空間95に配置され、空気供給空間95の空気を吸引する吸引口91と、ウエハ下方空間96に配置され、吸引口91から吸引された空気をウエハ下方空間96に供給する供給口92と、を有している。また、吸引口91は、平面視で(図2において、ウエハWを上方から見た場合)、ドレインカップ46の外側に配置されている。
また、本実施の形態においては、図2および図3に示すように、空気供給路90は、一端に吸引口91が設けられたチャンバ側供給管93と、チャンバ側供給管93に連結された昇降自在な上述の昇降供給管94と、円筒状の回転軸26の内側を通る円筒状の昇降筒部材50(貫通供給管)と、昇降軸部材40の上端に設けられたヘッド部材43とにより主に構成されている。すなわち、吸引口91から吸引された空気は、チャンバ側供給管93、昇降供給管94および昇降筒部材50を通って供給口92に送られる。なお、チャンバ側供給管93は、昇降供給管94の昇降に追従できるように柔軟性を有している。
チャンバ側供給管93は、空気供給空間95から、液処理チャンバ20の内部を通って当該液処理チャンバ20の外部に抜けるように形成されている。そして、チャンバ側供給管93のうちエアフード80内の部分および液処理チャンバ20内の部分は、平面視で、ドレインカップ46の外側に配置されている。このようにして、ドレインカップ46の上方の領域には、チャンバ側供給管93が配置されることを防止し、ドレインカップ46で囲まれる領域に供給される清浄な空気のダウンフローが乱れることを防止している。
上述したように、昇降供給管94の内側および昇降筒部材50の内側には、ウエハWの下面に処理液を供給する下面側処理液供給管41を有する昇降軸部材40が設けられている。昇降供給管94の内面および昇降筒部材50の内面と昇降軸部材40の外面との間に形成された空間が供給される空気の流路となっている。
図3に示すように、昇降筒部材50の内面には、昇降筒部材50の内側を通る空気に旋回流を発生させる羽根(旋回流発生機構)97が設けられている。昇降筒部材50はウエハWと共に回転するため、ウエハWが回転している間、羽根97は回転する。このことにより、昇降筒部材50の内側を通る空気に旋回流を発生させ、ウエハ下方空間96に強制的に空気を送り込むことができ、ウエハ下方空間96に供給される空気の流量を増大させることができる。このため、ウエハ下方空間96の圧力が過剰に低下することを抑制することができる。とりわけ、ウエハWの回転数が増大するにつれて、遠心力によってウエハ下方空間96の圧力が低下する傾向にあるが、ウエハWの回転数に応じて旋回流を強めてウエハ下方空間96に供給される空気の流量を強制的に増大させることができ、ウエハ下方空間96の圧力が過剰に低下することをより一層抑制できる。
また、空気供給路90の供給口92は、昇降軸部材40の上端に設けられたヘッド部材43とリフトベース23とにより形成されている。このヘッド部材43により、昇降筒部材50から送られてくる空気の流れる向きを、ウエハWの径方向に変えてウエハ下方空間96に空気を供給する。
昇降供給管94は、上述したように、リフト連結部材72に連結されており、リフトシリンダ70によって昇降する。また、昇降供給管94は、上述したように、昇降筒部材50に対して昇降自由になっている。このようにして、昇降供給管94は、リフトベース23と共に昇降する。
また、空気供給路90の吸引口91の流路断面積は、供給口92の流路断面積(とりわけ供給口92における最小流路断面積)と同一となっている。このことにより、圧力損失による空気の流量の低下を防止することができると共に、吸引口91の周囲の雰囲気の流れが乱れることを抑制することができる。なお、同一とは、厳密な意味での同一という意味に限られることはなく、同一とみなすことができる程度の製造誤差等を含む意味として用いている。
また、図2に示すように、液処理装置10は、その全体の動作を統括制御するコントローラ(制御部)200を有している。コントローラ200は、液処理装置10の全ての機能部品(例えば、基板保持部21、回転駆動部25、昇降シリンダ60、リフトシリンダ70、ファン81等)の動作を制御する。コントローラ200は、ハードウエアとして例えば汎用コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム(装置制御プログラムおよび処理レシピ等)とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、あるいはCD−ROM、DVD、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。このような記憶媒体が図2において参照符号201で示されている。プロセッサ202は必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体201から呼び出して実行させ、これによってコントローラ200の制御の下で液処理装置10の各機能部品が動作して所定の処理が行われる。コントローラ200は、図1に示す液処理システム100全体を制御するシステムコントローラであってもよい。
次に、上述した液処理装置10を用いたウエハWの洗浄処理方法について、図10を用いて説明する。以下に示す洗浄処理の一連の工程は、コントローラ200が液処理装置10の各機能部品の動作を制御することにより行われる。
まず、液処理チャンバ21内の基板保持部21にウエハWが保持される(ステップS1)。
この場合、まず、リフトシリンダ70によって、リフトロッド71を介してリフトベース23が上昇位置に上昇する。このことにより、リフトベース23が、回転カップ45およびドレインカップ46よりも上方に位置付けられる。この場合、リフトベース23と共に昇降供給管94および昇降軸部材40が上昇し、昇降筒部材50が上昇位置に上昇する。また、液処理チャンバ20の開口11(図1参照)に設けられたシャッタ12が開けられる。
続いて、液処理装置10の外部から、ウエハWが搬送アーム104により開口11を通って液処理チャンバ20内に搬入される。搬入されたウエハWは、リフトベース23上のリフトピン24に移載される。リフトピン24にウエハWが載置された後、搬送アーム104はチャンバ20から退避する。
次いで、ファン81から空気の供給が開始される。このことにより、エアフード80から液処理チャンバ20内に清浄化された空気がダウンフローで供給される。すなわち、ファン81から送り込まれた空気が、フィルタ部材82によって清浄化されて、整流部材83によってダウンフローとしてウエハWに向けて供給される。この供給された空気が排出部47で排気されることにより、液処理チャンバ20内の雰囲気の置換が行われる。なお、以下に示す各工程においても、エアフード80から清浄化された空気の供給が続けられ、液処理チャンバ20内に、酸性処理液のミスト、またはアルカリ性処理液のミストが滞留することを防止している。
次に、リフトシリンダ70によって、リフトベース23を下降位置に下降する。このことにより、リフトベース23がチャックベース22に載置される。その後、リフトシリンダ70が駆動され続けて、リフトロッド71およびリフト連結部材72が更に下降する。このことにより、リフトロッド71の上端がリフトベース23の下面から離間する。
リフトベース23が下降する際、昇降筒部材50は中間位置に下降する。すなわち、リフトベース23が下降している間、その途中のタイミングで、リフト連結部材72の下面が昇降連結部材61の上面に当接し、リフトシリンダ70によって、リフト連結部材72と共に昇降連結部材61が下降する。このことにより、昇降筒部材50が上昇位置から中間位置に下降する。この際、第2チャック部材32に連結された第2ローラ56aが、バネ部材58の付勢力によって昇降筒部材50の凹状の下側被当接部52に進出して当接する。このことにより、第2チャック部材32が開放位置から係合位置に回動してウエハWの周縁部にそれぞれ係合し、ウエハWがリフトピン24から第2チャック部材32に受け渡される。
基板保持部21の第2チャック部材32にウエハWが保持された後、回転駆動部25によって、基板保持部21のチャックベース22の回転を開始し、ウエハWの回転速度が所定の回転速度となるまで加速される。このようにして、3つの第2チャック部材32により保持されているウエハWが所定の回転速度で回転する。この際、チャックベース22は、回転軸26を介して回転駆動部25により回転駆動され、チャックベース22上に載置されているリフトベース23も回転し、回転軸26に連結されている昇降筒部材50も同期して回転する。
ウエハWを保持した基板保持部21が回転すると、遠心力によりウエハWの下面とリフトベース23との間に形成されたウエハ下方空間96から空気がウエハWの径方向周囲に排出され、当該ウエハ下方空間96の圧力が低下する。このため、空気供給路90の吸引口91において、エアフード80内のフィルタ部材82と整流部材83との間に形成された空気供給空間95から清浄化された空気が、必要量吸引される。吸引された空気は、チャンバ側供給管93、昇降供給管94および昇降筒部材50を通って供給口92に流れ、当該供給口92からウエハ下方空間96に供給される。このようにして、ウエハ下方空間96の圧力が過剰に低下することが抑制される。とりわけ、本実施の形態によれば、昇降筒部材50の内面に羽根97が設けられていることから、ウエハWの回転数に応じてウエハ下方空間96に供給される空気の流量を強制的に増大させることができ、ウエハ下方空間96の圧力が過剰に低下することをより一層抑制することができる。なお、ウエハ下方空間96の圧力は、過剰に低下していなければよく、ウエハWが撓んだり破損したりしない程度に微負圧になっていることが好ましい。このことにより、回転しているウエハWをウエハ下方空間96の側に引き寄せることができ、チャック部材31、32によって安定して保持することができる。また、以下に示す各工程においても、ウエハWが回転している間、ウエハWの回転数に応じて、空気供給路90によってウエハ下方空間96に清浄化された空気の供給が続けられる。
ウエハWの回転速度が所定の回転速度に達した後、ウエハWの酸性処理(酸性処理液による液処理を、便宜上、酸性処理として記す)が行われる(ステップS2)。すなわち、ウエハWが所定の回転速度で回転した状態で、処理液供給部38から上面側処理液ノズル35および下面側処理液供給管41に酸性処理液が送られて、上面側処理液ノズル35からウエハWの上面に酸性処理液が供給されると共に、下面側処理液供給管41から当該ウエハWの下面に酸性処理液が供給され、ウエハWが酸性処理される。ウエハWの上面および下面に供給された酸性処理液は、ウエハWの回転により生じる遠心力によってウエハWの径方向周囲に飛散し、回転カップ45によって受けられる。回転カップ45によって受けられた酸性処理液は、回転カップ45とチャックベース22との間の隙間を通って径方向周囲に流れ、ドレインカップ46によって回収される。回収された酸性処理液は、液処理チャンバ20内の雰囲気と共に排出部47に送られて排出される。
ウエハWの酸性処理が行われている間、ウエハWを保持するチャック部材31、32が切り替えられる。すなわち、ウエハWが第2チャック部材32により保持された状態で、所定時間、酸性処理が行われ、その後、ウエハWを保持するチャック部材31、32が第1チャック部材31に切り替えられて、所定時間、酸性処理が行われる。
この場合、昇降シリンダ60によって、昇降筒部材50が中間位置から下降位置に下降する。この際、第1チャック部材31に連結された第1ローラ55aが、バネ部材58の付勢力によって昇降筒部材50の上側被当接部51に進出して当接する。このことにより、第1チャック部材31が開放位置から係合位置に回動してウエハWの周縁部にそれぞれ係合する。一方、第2チャック部材32に対応する下側被当接部52に進出していた第2ローラ56aは、昇降筒部材50の円筒状の外周面に乗り上げて後退し、第2チャック部材32は、係合位置から開放位置に回動し、ウエハWの周縁部をそれぞれ開放する。このことにより、ウエハWを保持するチャック部材31、32が切り替わり、切り替わった3つの第1チャック部材31によってウエハWが水平状態で保持される。このため、3つの第2チャック部材32によって覆われていたウエハWの領域が露出され、当該領域とその周辺領域においても酸性処理が行われる。なお、ウエハWが第2チャック部材32により保持された状態で酸性処理が行われる時間と、ウエハWが第1チャック部材31により保持された状態で酸性処理が行われる時間は、同等にすることが好ましい。このことにより、ウエハWの酸性処理をより一層均一化させることができる。
ところで、ウエハWを保持するチャック部材31、32が切り替わる際、一時的に第1チャック部材31および第2チャック部材32によってウエハWは保持される。すなわち、昇降筒部材50の上側被当接部51の下部51aが、下側被当接部52の上部52aと昇降方向において同じ位置(高さ)に配置されていることから、昇降筒部材50の下降に伴い、下側被当接部52に進出していた第2ローラ56aが昇降筒部材50の外周面に乗り上げる前に、第1ローラ55aが当該上側被当接部51に進出する。このことにより、一時的に第1チャック部材31および第2チャック部材32が、共に係合位置に位置付けられる。その後、昇降筒部材50がさらに下降することにより、第2ローラ56aが昇降筒部材50の外周面に乗り上げ、第2チャック部材32が係合位置から開放位置に回動する。このようにして、ウエハWを保持するチャック部材31、32が切り替えられる。
ウエハWの酸性処理が終了した後、ウエハWはリンス処理される(ステップS3)。この場合、処理液供給部38から上面側処理液ノズル35および下面側処理液供給管41に純水が送られて、上面側処理液ノズル35からウエハWの上面に純水が供給されると共に、下面側処理液供給管41からウエハWの下面に純水が供給される。
ウエハWのリンス処理が行われている間、ウエハWを保持するチャック部材31、32が切り替えられる。すなわち、ウエハWが第1チャック部材31により保持された状態で、所定時間、リンス処理が行われ、その後、ウエハWを保持するチャック部材31、32が第2チャック部材32に切り替えられて、所定時間、リンス処理が行われる。
この場合、昇降シリンダ60によって、昇降筒部材50が下降位置から中間位置に上昇する。この際、第2チャック部材32に連結された第2ローラ56aが、バネ部材58の付勢力によって昇降筒部材50の下側被当接部52に進出して当接する。このことにより、第2チャック部材32が開放位置から係合位置に回動してウエハWの周縁部にそれぞれ係合する。一方、第1チャック部材31に対応する上側被当接部51に進出していた第1ローラ55aは、昇降筒部材50の円筒状の外周面に乗り上げて後退し、第1チャック部材31は、係合位置から開放位置に回動し、ウエハWの周縁部をそれぞれ開放する。このことにより、切り替わった3つの第2チャック部材32によってウエハWが水平状態で保持される。このため、ウエハWを保持するチャック部材31、32が切り替わり、3つの第1チャック部材31によって覆われていたウエハWの領域が露出され、当該領域とその周辺領域においてもリンス処理が行われる。なお、ウエハWが第1チャック部材31により保持された状態でリンス処理が行われる時間と、ウエハWが第2チャック部材32により保持された状態でリンス処理が行われる時間は、同等にすることが好ましい。このことにより、ウエハWのリンス処理をより一層均一化させることができる。
ところで、ウエハWを保持するチャック部材31、32が切り替わる際、昇降筒部材50が中間位置から下降位置に下降する場合と同様に、一時的に第1チャック部材31および第2チャック部材32によってウエハWは保持される。すなわち、昇降筒部材50の上昇に伴い、上側被当接部51に進出していた第1ローラ55aが昇降筒部材50の外周面に乗り上げる前に、第2ローラ56aが当該下側被当接部52に進出する。このことにより、一時的に第1チャック部材31および第2チャック部材32が、共に係合位置に位置付けられる。その後、昇降筒部材50がさらに上昇することにより、第1ローラ55aが昇降筒部材50の外周面に乗り上げ、第1チャック部材31が係合位置から開放位置に回動する。このようにして、ウエハWを保持するチャック部材31、32が切り替えられる。
ウエハWのリンス処理が終了した後、ウエハWはアルカリ性処理(アルカリ性処理液による液処理を、便宜上、アルカリ性処理として記す)される(ステップS4)。この場合、処理液供給部38から酸性処理と同様にして、上面側処理液ノズル35を介してウエハWの上面にアルカリ性処理液が供給されると共に、下面側処理液供給管41を介してウエハWの下面にアルカリ性処理液が供給される。ウエハWの上面および下面に供給されたアルカリ性処理液は、ドレインカップ46により回収されて、排出部47に送られて排出される。
ウエハWのアルカリ性処理が行われている間、上述した酸性処理と同様にして、昇降筒部材50が中間位置から下降位置に下降して、ウエハWを保持しているチャック部材が、第2チャック部材32から第1チャック部材31に切り替えられる。このことにより、3つの第2チャック部材32によって覆われていたウエハWの領域が露出され、当該領域とその周辺領域においてもアルカリ性処理が行われるようになる。
続いて、ステップS3と同様にして、ウエハWがリンス処理される(ステップS5)。
ウエハWのリンス処理が終了した後、ウエハWは乾燥処理される(ステップS6)。この場合、乾燥ガス供給部39から上面側乾燥ガスノズル36を介してウエハWの上面に乾燥ガスが供給されると共に、下面側乾燥ガス供給管42を介してウエハWの下面に乾燥ガスが供給される。ウエハWの上面および下面に供給された乾燥ガスは、酸性処理液およびアルカリ性処理液と同様に、ドレインカップ46により回収されて、排出部47に送られて排出される。
ウエハWの乾燥処理が行われている間、上述した酸性処理およびアルカリ性処理と同様にして、昇降筒部材50が中間位置から下降位置に下降して、ウエハWを保持しているチャック部材31、32が、第2チャック部材32から第1チャック部材31に切り替えられる。このことにより、3つの第2チャック部材32によって覆われていたウエハWの領域が露出され、当該領域とその周辺領域においても乾燥処理が行われるようになる。
ウエハWの乾燥処理が終了した後、ウエハWの回転速度を減速して、ウエハWの回転を停止する。このことにより、ウエハ下方空間96の圧力が、液処理チャンバ20内の圧力の負圧状態が解消され、空気供給路90によるウエハ下方空間96への空気の供給は停止する。
その後、ウエハWが基板保持部21から取り出されて液処理チャンバ20から搬出される(ステップS7)。
この場合、まず、昇降シリンダ60によって、昇降筒部材50が下降位置から中間位置に上昇する。次に、昇降シリンダ60およびリフトシリンダ70によって、リフトベース23が、その下降位置から上昇位置に上昇すると共に、昇降筒部材50が、その中間位置から上昇位置に上昇する。このことにより、ウエハWは、チャック部材31、32から開放されて、リフトピン24上に載置される。また、ウエハWは、リフトベース23の上昇に伴い回転カップ45およびドレインカップ46より上方に位置付けられる。そして、液処理チャンバ20の開口11(図1参照)に設けられたシャッタ12が開けられる。その後、開口11を介して液処理装置10の外部から搬送アーム104が液処理チャンバ20内に入り、リフトピン24に載置されているウエハWが搬送アーム104に移載され、ウエハWは液処理装置10の外部に搬出される。このようにして、本実施の形態による一連のウエハWの液処理が完了する。
このように本実施の形態によれば、各処理工程(酸性処理工程、アルカリ性処理工程、リンス処理工程、乾燥処理工程)において、昇降筒部材50が昇降することにより、ウエハWを保持するチャック部材31、32が切り替えられる。このことにより、ウエハWのうち切替前にウエハWを保持していたチャック部材31、32と接触していた領域が露出され、当該領域においても各種処理を行うことができる。とりわけ、ウエハWの当該領域がチャック部材31、32に接触している間、当該領域の周辺領域も各種処理が困難になっているが、上述のようにウエハWを保持するチャック部材31、32を切り替えることにより、当該周辺領域にも各種処理を行うことができる。このため、ウエハWに、各種処理が行われない未処理領域が形成されることを防止し、ウエハWの各種処理を均一化させることができる。
また、本実施の形態によれば、チャック部材31、32の切替を、昇降筒部材50を昇降させることによって行うことができる。このことにより、チャック部材31、32の切替を、任意のタイミングで行うことができる。
また、本実施の形態によれば、昇降筒部材50の上側被当接部51および下側被当接部52は、昇降筒部材50の外周面に対して凹状に形成されている。このことにより、昇降筒部材50の機械加工を簡素化することができる。
また、本実施の形態によれば、上側被当接部51の下部51aは、下側被当接部52の上部52aと、昇降筒部材50の昇降方向において同じ位置に配置されている。このことにより、ウエハWに係合するチャック部材31、32を切り替える際、第1ローラ55aおよび第2ローラ56aが対応する上側被当接部51または下側被当接部52に同時に進出した状態となり、ウエハWを、一時的に第1チャック部材31および第2チャック部材32によって保持することができる。このため、ウエハWに係合するチャック部材31、32を切り替える際に、ウエハWが第1チャック部材31および第2チャック部材32のいずれにも保持されない状態を回避してウエハWがリフトピン24に載置されることを防止し、チャック部材31、32の切替をスムーズに行うことができる。また、ウエハWの回転を止めることなく、チャック部材31、32の切替を行うことができ、ウエハWの液処理の効率が低下することを防止できる。
また、本実施の形態によれば、第1チャック部材31に連結された第1当接部55は、昇降筒部材50の昇降方向に転動自在な第1ローラ55aを含んでいる。このことにより、第1当接部55が昇降筒部材50の昇降にスムーズに追従することができる。このため、第1チャック部材31がスムーズに回動することができる。同様にして、第2チャック部材32に連結された第2当接部56は、昇降筒部材50の昇降方向に転動自在な第2ローラ56aを含んでいることにより、第2当接部56が昇降筒部材50の昇降にスムーズに追従することができ、第2チャック部材32がスムーズに回動することができる。この結果、チャック部材31、32を切り替える際、チャック部材31、32によりウエハWに衝撃が与えられることを防止し、ウエハWの周縁部が、第1チャック部材31または第2チャック部材32の回動によって破損することを防止できる。
また、本実施の形態によれば、昇降筒部材50は円筒状に形成されている。このことにより、ウエハWの下面に処理液を供給するための下面側処理液供給管41を、昇降筒部材50の内側に通すことができる。このため、ウエハWの下面を液処理すると共に、ウエハWに未処理領域が形成されることを防止できる。
また、本実施の形態によれば、昇降筒部材50は、基板保持部21と共に回転する。このことにより、第1チャック部材31および第2チャック部材32の係合位置または開放位置を維持することができる。すなわち、昇降筒部材50の上側被当接部51または下側被当接部52に進出し、第1チャック部材31および第2チャック部材32と共に回転している第1ローラ55aまたは第2ローラ56aを、その進出状態に維持することができる。このため、回転しているウエハWを確実に保持することができる。
また、本実施の形態によれば、ウエハWが回転している間、遠心力によって、ウエハWとリフトベース23との間に形成されたウエハ下方空間96の圧力が低下して負圧になり、エアフード80内のフィルタ部材82と整流部材83との間に形成された空気供給空間95と、ウエハ下方空間96の圧力との差によって、空気供給路90により、空気供給空間95から清浄化された空気を吸引して、ウエハ下方空間96に供給することができる。このことにより、ウエハ下方空間96の圧力が過剰に低下することを抑制でき、当該ウエハ下方空間96の圧力低下によってウエハWが撓んだりまたは破損したりすることを抑制できる。すなわち、ウエハ下方空間96の圧力が低下すると、ウエハWが撓んだり破損したりする可能性があるが、本実施の形態によれば、当該ウエハ下方空間96の圧力が過剰に低下することを抑制しているため、ウエハWの撓みおよび破損を防止できる。また、このように、ウエハ下方空間96の圧力が過剰に低下することを抑制するために、ファン81から液処理チャンバ20に供給される空気を用いているため、ウエハWの撓みおよび破損を防止するためのランニングコストを、例えば、N2ガスなどを用いる場合に比べて、確実に低減させることができる。この結果、ウエハWの撓みおよび破損を低ランニングコストで防止することができる。
また、本実施の形態によれば、空気供給路90の吸引口91が、平面視で、ドレインカップ46の外側に配置されている。このことにより、液処理チャンバ20内のドレインカップ46で囲まれる領域に供給される清浄な空気のダウンフローが乱れることを防止できる。このため、清浄化された空気を効率良くウエハWに向けて供給することができ、液処理チャンバ20内の雰囲気を効率良く置換することができる。
また、本実施の形態によれば、空気供給路90の吸引口91の流路断面積は、供給口92の流路断面積と同一になっている。このことにより、圧力損失による空気の流量の低下を防止することができると共に、吸引口91の周囲の雰囲気の流れが乱れることを抑制できる。このため、清浄化された空気を効率良くウエハWに向けて供給することができ、液処理チャンバ20内の雰囲気を効率良く置換することができる。
また、本実施の形態によれば、空気供給路90は、回転駆動部25の円筒状の回転軸26の内側を通っている。このことにより、ウエハ下方空間96において、最も圧力が低下する傾向にある略中央部分に空気を供給することができ、ウエハ下方空間96の圧力が過剰に低下することを効果的に抑制することができる。
また、本実施の形態によれば、空気供給路90の昇降供給管94の内側に、ウエハWの下面に処理液を供給するための下面側処理液供給管41が設けられている。このことにより、ウエハWの下面を液処理すると共に、ウエハ下方空間96の圧力が過剰に低下することを抑制してウエハWの撓みおよび破損を防止できる。
また、本実施の形態によれば、昇降筒部材50の内側に、ウエハWの下面に処理液を供給するための下面側処理液供給管41が設けられている。このため、ウエハWの下面を液処理すると共に、ウエハWの撓みおよび破損を防止できる。
さらに、本実施の形態によれば、昇降筒部材50の内面に、昇降筒部材50を通る空気に旋回流を発生させる羽根97が設けられている。このことにより、ウエハWの回転数に応じて旋回流を強め、ウエハ下方空間96に供給される空気の流量を強制的に増大させることができる。このため、ウエハ下方空間96の圧力が過剰に低下することをより一層抑制することができる。
なお、本実施の形態による液処理装置は、上記の態様に限定されるものではなく、様々な変更を加えることができる。
例えば、本実施の形態においては、上側被当接部51および下側被当接部52が、昇降筒部材50の外周面に対して凹状に形成されている例について説明したが、このことに限られることはなく、上側被当接部51および下側被当接部52は、昇降筒部材50の外周面に対して凸状に形成されていてもよい。この場合、例えば、チャック部材31、32とリンク部材57とを連結しているリンクピン31b、32bを、チャック部材31、32の回動支点31a、32aの下方に配置させることにより、上側被当接部51(または下側被当接部52)により、対応する第1当接部55(または第2当接部56)を後退させて、第1チャック部材31(または第2チャック部材32)を開放位置から係合位置に回動させることができる。
また、本実施の形態においては、各処理工程において、ウエハWを保持するチャック部材31、32が1回切り替わる例について説明した。このことに限られることはなく、ウエハWを保持するチャック部材31、32は、複数回切り替わるようにしてもよい。また、酸性処理、アルカリ性処理および乾燥処理においては、初めに第2チャック部材32によってウエハWを保持して、その後にウエハWを保持するチャック部材31、32が第2チャック部材32から第1チャック部材31に切り替わる例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、初めに第1チャック部材31によってウエハWを保持して、その後に第1チャック部材31から第2チャック部材32に切り替わるようにしてもよい。同様に、リンス処理においては、初めに第1チャック部材31によってウエハWを保持して、その後にウエハWを保持するチャック部材31、32が第1チャック部材31から第2チャック部材32に切り替わる場合に限られることはなく、初めに第2チャック部材32によってウエハWを保持して、その後に第2チャック部材32から第1チャック部材31に切り替わるようにしてもよい。すなわち、各処理工程においてウエハWを保持するチャック部材31、32は、少なくとも1回チャック部材31、32が切り替わるのであれば、第1チャック部材31および第2チャック部材32のいずれであってもよい。
また、本実施の形態においては、チャック部材31、32を回動するための昇降筒部材50が筒状に形成されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、ウエハWの下面に処理液または乾燥ガスを供給しない場合、中実状の昇降部材を用いることもできる。
また、本実施の形態においては、第1当接部55は、昇降筒部材50の昇降方向に転動自在な円筒状の第1ローラ55aを含み、第2当接部56は、昇降筒部材50の昇降方向に転動自在な円筒状の第2ローラ56aを含んでいる例について説明した。しかしながら、第1当接部55および第2当接部56は、円筒状のローラ55a、56aの代わりに、上側被当接部51または下側被当接部52に進出自在な球体を含んでいてもよい。
また、本実施の形態においては、第1チャック部材31および第2チャック部材32が、係合位置と開放位置との間で回動する例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、第1チャック部材31および第2チャック部材32が、係合位置と開放位置との間で直線状に移動するように構成してもよい。
また、本実施の形態においては、付勢力付与機構としてのバネ部材58により、チャック部材31、32が係合位置の側に付勢されている例について説明したが、これに限られることはなく、例えば、圧力空気を用いてチャック部材31、32を付勢してもよく、あるいは、磁石を用いてチャック部材31、32を付勢してもよい。
また、本実施の形態においては、空気供給路90が設けられている例について説明しているが、これに限られることはない。
さらに、本実施の形態においては、ウエハWを洗浄する洗浄処理液(酸性処理液、アルカリ性処理液など)をウエハWに供給してウエハWを洗浄処理(液処理)する例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、ウエハWにエッチング液、めっき液、現像液などを供給して、ウエハWをエッチング処理、メッキ処理、現像処理する場合にも適用することができる。
10 液処理装置
21 基板保持部
22 チャックベース
25 回転駆動部
26 回転軸
31 第1チャック部材
32 第2チャック部材
35 上面側処理液ノズル
41 下面側処理液供給管
46 ドレインカップ
50 昇降筒部材
51 上側被当接部
51a 下部
52 下側被当接部
52a 上部
55 第1当接部
55a 第1ローラ
56 第2当接部
56a 第2ローラ
58 バネ部材
60 昇降シリンダ
W ウエハ

Claims (7)

  1. 基板を水平に保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された前記基板に処理液を供給するノズルと、
    前記基板保持部に対して昇降自在に設けられた昇降部材と、
    前記基板保持部に保持された前記基板の下面に処理液およびガスの少なくとも1つを供給する下面側供給管を有する軸部材と、
    前記昇降部材を昇降駆動する昇降駆動部と、を備え、
    前記基板保持部は、保持ベースと、前記保持ベースに移動自在に設けられ、各々が当該基板の周縁部に係合する係合位置と当該基板を開放する開放位置との間で付勢力付与機構の付勢力によって移動する第1係合部材および第2係合部材と、を有し、
    前記第1係合部材に、前記昇降部材の外周面に当接した第1当接部が連結され、
    前記第2係合部材に、前記昇降部材の外周面に当接した第2当接部が連結され、
    前記昇降部材は、前記軸部材を内側に通すように円筒状に形成され、前記昇降部材の外周面に設けられた、当該昇降部材の昇降方向において互いに異なる位置に配置された上側被当接部および下側被当接部を有し、
    前記第1当接部が前記上側被当接部に当接している場合、前記第1係合部材は前記係合位置に移動すると共に、前記第2係合部材は前記開放位置に移動し、
    前記第2当接部が前記下側被当接部に当接している場合、前記第1係合部材は前記開放位置に移動すると共に、前記第2係合部材は前記係合位置に移動し、
    前記ノズルから前記基板に処理液を供給している間、前記昇降部材の昇降方向の位置は、前記第1当接部が前記上側被当接部に当接する、または前記第2当接部が前記下側被当接部に当接するように変化し、前記軸部材の昇降方向の位置は変化しないことを特徴とする液処理装置。
  2. 前記昇降部材の前記上側被当接部および前記下側被当接部は、当該昇降部材の外周面に対して凹状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
  3. 前記上側被当接部の下部は、前記昇降部材の昇降方向において、前記下側被当接部の上部と同じ位置または当該下側被当接部の当該上部より下方に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の液処理装置。
  4. 前記第1当接部および前記第2当接部は、前記昇降部材の外周面において昇降方向に転動自在なローラを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の液処理装置。
  5. 前記ノズルは、前記基板保持部に保持された前記基板の上面に処理液を供給するように構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の液処理装置。
  6. 前記基板保持部を回転駆動する回転軸を含む回転駆動部を更に備え、
    前記昇降部材は、前記回転軸に連結されて、前記基板保持部と共に回転することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の液処理装置。
  7. 前記基板保持部は、前記基板の周方向に互いに交互に配置された3つの前記第1係合部材および3つの前記第2係合部材を有し、
    前記昇降部材は、前記第1係合部材および前記第2係合部材に対応する3つの前記上側被当接部および3つの前記下側被当接部を有していることを特徴とする請求項6に記載の液処理装置。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9412639B2 (en) 2013-12-06 2016-08-09 Tel Fsi, Inc. Method of using separate wafer contacts during wafer processing
CN107112257A (zh) * 2014-12-10 2017-08-29 东京毅力科创Fsi公司 检测从旋转卡盘丢失的晶片
CN104492764A (zh) * 2014-12-26 2015-04-08 苏州凯锝微电子有限公司 一种晶圆清洗系统
SG11201909037TA (en) * 2017-03-30 2019-10-30 Acm Res Shanghai Inc Substrate cleaning apparatus
JP6954160B2 (ja) * 2018-02-02 2021-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理装置のティーチング方法
JP7304742B2 (ja) * 2019-06-06 2023-07-07 東京エレクトロン株式会社 基板加工装置
JP7370201B2 (ja) * 2019-09-20 2023-10-27 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7325283B2 (ja) * 2019-09-27 2023-08-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP2022191540A (ja) * 2021-06-16 2022-12-28 株式会社荏原製作所 基板支持機構、基板洗浄装置及び基板処理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63153839A (ja) * 1986-08-13 1988-06-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の回転保持装置
JPH04186626A (ja) 1990-11-16 1992-07-03 Nec Yamaguchi Ltd エッチング装置
JP3831043B2 (ja) 1997-01-24 2006-10-11 東京エレクトロン株式会社 回転処理装置
JPH10303110A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US20040065540A1 (en) * 2002-06-28 2004-04-08 Novellus Systems, Inc. Liquid treatment using thin liquid layer
TWI261875B (en) * 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
JP2004006672A (ja) * 2002-04-19 2004-01-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2004186633A (ja) * 2002-12-06 2004-07-02 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 平板状被処理物の処理装置および処理方法
JP4397299B2 (ja) * 2004-07-30 2010-01-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

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