JP2015213114A - 液除去方法及び液除去装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する処理を効率よく且つ適切に行う。
【解決手段】レジストパターン11が形成されたウェハ10の表面10aのリンス液Rの除去処理において、先ず、ウェハ10の表面10aにリンス液Rがある状態で、当該ウェハ10の表面10aに対向し、且つリンス液Rに接するようにテンプレート20を配置する。その後、ウェハ10とテンプレート20の間隔を一定に保った状態で、ウェハ10とテンプレート20の間からリンス液Rを流出させて除去する。
【選択図】図6
【解決手段】レジストパターン11が形成されたウェハ10の表面10aのリンス液Rの除去処理において、先ず、ウェハ10の表面10aにリンス液Rがある状態で、当該ウェハ10の表面10aに対向し、且つリンス液Rに接するようにテンプレート20を配置する。その後、ウェハ10とテンプレート20の間隔を一定に保った状態で、ウェハ10とテンプレート20の間からリンス液Rを流出させて除去する。
【選択図】図6
Description
本発明は、パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する液除去方法、及び当該液除去方法に用いられる液除去装置に関する。
半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。そして、このレジストパターンをマスクとして、ウェハのエッチング処理が行われ、ウェハ上の被処理膜に所定のパターンが形成される。
上述した各処理後にはウェハの表面が洗浄され、特に現像処理後の洗浄やエッチング処理後の洗浄処理では、パターンが形成されたウェハの表面が洗浄される。しかしながら、近年の半導体デバイスの高集積化に伴い、パターンの微細化と高アスペクト比化が進み、洗浄処理において、いわゆるパターン倒れの問題が大きくなってきている。パターン倒れは、洗浄処理のリンス液の除去工程において、リンス液が各パターン間から抜け出る際に、リンス液の表面張力によりパターンが引っ張られて倒れる現象である。そして、特にライン・アンド・スペース・パターンの場合、気相と液相の界面(気液界面)がパターンの長手方向(水平方向)に延伸するため、当該気液界面の長さに比例してパターンに作用するリンス液の表面張力が大きくなり、パターン倒れの問題が顕著となる。
かかるパターン倒れを抑制しつつ、ウェハ表面に残ったリンス液を除去する方法としては、従来、種々の方法が提案されている。例えば特許文献1には、リンス液によるリンス洗浄後に、ウェハ表面にリンス液よりも表面張力が小さい液剤、例えば有機溶剤を供給し、リンス液を液剤に置換してから当該液剤を除去する方法が開示されている。かかる場合、液剤の除去時にパターンに作用する表面張力を小さくし、パターン倒れを抑制する。
また、例えば特許文献2には、リンス液によるリンス洗浄後に、ウェハ表面に疎水化ガスを噴出する方法が開示されている。かかる場合、ウェハ(パターン)の表面を疎水化して、リンス液の除去時にパターンに作用する表面張力を小さくし、パターン倒れを抑制する。
しかしながら、特許文献1、2に記載のいずれの方法を用いた場合でも、ウェハ表面の洗浄処理に必要なリンス液等に加えて、別途、液剤や疎水化ガスが必要になる。そうすると、これら液剤や疎水化ガスを供給するための工程数が増え、洗浄処理のスループットが低下する。また、使用される液剤や疎水化ガス自体にコストがかかり、さらには液剤や疎水化ガスを供給するための供給機構を設けるにもコストがかかる。このため、洗浄処理を効率よく行うには改善の余地がある。
また、特許文献1、2に記載のいずれの方法を用いた場合でも、パターンに作用する表面張力を小さくするのには限界がある。そうすると、例えばパターンの微細化と高アスペクト比化がさらに進んだ場合には、パターン倒れを防止できないおそれがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する処理を効率よく且つ適切に行うことを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する液除去方法であって、前記基板の表面に液体がある状態で、当該基板の表面に対向し、且つ前記液体に接するように液除去治具を配置し、前記基板と前記液除去治具の間隔を一定に保った状態で、前記液体を除去することを特徴としている。
本発明によれば、基板と液除去治具との間隔を一定に保つことで、基板の表面から液体を除去する際、基板(パターン)と液除去治具の間で液体の表面張力を発生させて、当該パターンの深さ方向に気液界面を形成する。そうすると、従来のようにパターンの長手方向(水平方向)に延伸して形成された気液界面に比べて、本発明では気液界面をパターンの深さ方向(鉛直方向)に形成するので、その気液界面の長さを短くすることができる。したがって、パターンに作用する処理液の表面張力を小さくすることができ、パターン倒れを抑制することができる。しかも、上述した本発明の原理は、例えばパターンの微細化と高アスペクト比化が進んだ場合にも適用でき、液除去処理を適切に行うことができる。
また、本発明では、従来のように基板の表面上の液体以外の他の液体や気体を必要とせず、当該他の液体や気体を供給するための機構も必要としない。そうすると、液除去処理のスループットを向上させることができ、また当該液除去処理にかかるコストを低廉化することも可能となる。したがって、液除去処理を効率よく行うことができる。
前記基板と前記液除去治具の間から前記液体を流出させて除去してもよい。かかる場合、前記基板及び前記液除去治具を回転させ、前記基板と前記液除去治具の間から前記液体を流出させて除去してもよい。
前記液除去治具には厚み方向に貫通する貫通孔が形成され、前記貫通孔から前記液体を流出させて除去してもよい。かかる場合、前記液除去治具には、前記貫通孔に連通する液排出部が設けられ、前記基板と前記液除去治具の間から前記貫通孔を介して前記液排出部に、毛細管現象によって前記液体を流通させてもよい。また、前記基板の表面には、前記パターンが設けられる半導体チップ領域が複数形成され、前記貫通孔は、前記半導体チップ領域間に対応する位置に形成されていてもよい。
前記液除去治具を加熱することによって、前記液体を除去してもよい。
別な観点による本発明は、パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する液除去装置であって、前記基板の表面に液体がある状態で、当該基板の表面に対向し、且つ前記液体に接するように配置される液除去治具と、前記基板と前記液除去治具の間隔を一定に保つ保持機構と、を有することを特徴としている。
前記液除去装置は、前記基板及び前記液除去治具を回転させる回転機構をさらに有していていもよい。
前記液除去治具には、前記基板と前記液除去治具の間の前記液体を流出させるために厚み方向に貫通する貫通孔が形成されていてもよい。かかる場合、前記液除去治具には、前記貫通孔に連通する液排出部が設けられ、前記液排出部は、前記基板と前記液除去治具の間から前記貫通孔を介して前記液排出部に、毛細管現象によって前記液体を流通させるように設けられていてもよい。また、前記基板の表面には、前記パターンが設けられる半導体チップ領域が複数形成され、前記貫通孔は、前記半導体チップ領域間に対応する位置に形成されていてもよい。
前記液除去装置は、前記液除去治具を加熱する加熱機構をさらに有していてもよい。
本発明によれば、パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する処理を効率よく且つ適切に行うことができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態では、レジストパターンが形成された基板としてのウェハの表面をリンス液で洗浄した後、当該ウェハの表面のリンス液を除去する処理について、この液除去処理で用いられるウェハ及び液除去装置の構成と共に説明する。なお、以下の説明で用いる図面において、各構成要素の寸法は、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の寸法に対応していない。
先ず、本実施の形態の液除去処理で用いられるウェハの構成について説明する。図1及び図2に示すように、ウェハ10の表面10aにはレジストパターン11が形成されている。レジストパターン11は、フォトリソグラフィー処理を行い、すなわちウェハ10上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理を順次行って形成される。レジストパターン11は、ライン・アンド・スペース・パターンであって、本明細書では便宜上、凸に突起したライン部分をレジストパターン11と称する。なお、ウェハ10の表面10aには被処理膜(図示せず)が形成されており、当該被処理膜上にレジストパターン11が形成される。
レジストパターン11は、半導体デバイスの後工程で製造される半導体チップ12(以下、「チップ12」という場合がある。)毎に纏まって形成されている。チップ12はウェハ面内均一に複数形成され、複数のチップ12、12間にはスクライブライン13が格子状に形成されている。なお、スクライブライン13とは、ウェハ10が切断され複数のチップ12に分割される際のラインのことである。本実施の形態で行われる洗浄処理は前工程であり、ウェハ10の表面10aには、実際にはチップ12とスクライブライン13は形成されていないが、説明を容易にするため、図1及び図2中に点線で描図している。また、ウェハ10の表面10aにおいてチップ12が形成される領域は、本発明における半導体チップ領域に対応している。
次に、液除去装置の構成について説明する。液除去装置は、液除去治具としてのテンプレートと、ウェハとテンプレートの間隔を一定に保つ保持機構とを有している。テンプレートは、例えば略円盤形状を有し、ウェハ10の平面視における形状と同一の形状を有している。テンプレートには例えば炭化珪素(SiC)などが用いられる。保持機構は、ウェハ10の外周部とテンプレートの外周部の複数箇所を保持して、ウェハとテンプレートの間隔を一定に保つ。
次に、以上のように構成されたウェハ10及び液除去装置を用いた液除去処理について説明する。
図3に示すように洗浄処理が終了したウェハ10の表面10aには、当該洗浄処理で使用したリンス液Rが残っている。本実施の形態では、このリンス液Rをウェハ10の表面10aから除去する。
先ず、図4に示すようにテンプレート20を、その表面20aがウェハ10の表面10aに対向するように配置する。なお、図4において、テンプレート20は、表面20aが下側で裏面20bが上側になるように配置される。
その後、図5に示すように保持機構30を用いて、ウェハ10の外周部とテンプレート20の外周部の複数箇所を保持する。そして、ウェハ10の表面10aとテンプレート20の表面20aの間隔が一定に保たれる。また、テンプレート20は、その表面20aがリンス液Rに接するように配置される。
その後、吸引機構(図示せず)によって、図6に示すようにレジストパターン11の一方の側からリンス液Rを吸引する。リンス液Rは、ウェハ10とテンプレート20の間から流出して除去される。このとき、ウェハ10(レジストパターン11)とテンプレート20の間には、リンス液Rの表面張力が作用する。そうすると、リンス液Rと、ウェハ10とテンプレート20間の空気Aとの間に、レジストパターン11の深さ方向(Z方向)に気液界面Fが形成される。そして、この気液界面Fを維持しつつ、リンス液Rはレジストパターン11、11間をその長手方向(Y方向)に沿って流れる。
なお、ウェハ10とテンプレート20間の空気Aは、当該ウェハ10とテンプレート20の側方から流入させてもよい。或いはテンプレート20に空気孔(図示せず)を形成し、当該空気孔から空気Aをウェハ10とテンプレート20間に流入させてもよい。
このようにリンス液Rがウェハ10から除去される際、気液界面Fの長さが短いため、レジストパターン11に作用する表面張力が小さくなる。このため、レジストパターン11がパターン倒れすることがない。次に、このようにレジストパターン11のパターン倒れを抑制できる理由について説明する。
従来、図7に示すようにレジストパターン11、11間からリンス液rを排出する際、リンス液rと空気aの間の気液界面fは、レジストパターン11の長手方向(Y方向)に形成される。すなわち、気液界面fの長さLはレジストパターン11の長手方向の長さとなり、例えば4mmと長くなる。そうすると、この気液界面fの長さLに比例し、レジストパターン11に作用する気液界面fにおけるリンス液rの表面張力が大きくなる。しかも、リンス液rを排出する際には、気液界面fが鉛直下方に下がる。このため、レジストパターン11のパターン倒れが生じやすかった。
これに対して、本実施の形態の形態によれば、図8に示すようにレジストパターン11、11間からリンス液Rを排出する際、リンス液Rと空気Aの間の気液界面Fは、レジストパターン11の深さ方向(Z方向)に形成される。すなわち、気液界面Fの長さDはレジストパターン11の深さ方向の長さとなって、例えば4μmと短くなり、従来の気液界面fの長さLに比べて極めて短くできる。このため、この気液界面Fの長さDに比例し、レジストパターン11に作用する気液界面Fにおけるリンス液Rの表面張力も極めて小さくできる。そして、リンス液Rを除去する際には、気液界面Fをレジストパターン11の長手方向に移動させる。このため、レジストパターン11のパターン倒れを確実に抑制することができる。
以上のように本実施の形態によれば、リンス液Rの除去時において、レジストパターン11の深さ方向に気液界面Fを形成するので、レジストパターン11に作用する表面張力を小さくして、当該レジストパターン11のパターン倒れを抑制することができる。しかも、この原理は、例えばレジストパターン11の微細化と高アスペクト比化が進んだ場合にも適用でき、リンス液の除去処理を適切に行うことができる。
また、本実施の形態では、従来のようにリンス液R以外の他の液体や気体を必要とせず、当該他の液体や気体を供給するための機構も必要としない。そうすると、液除去処理のスループットを向上させることができ、また当該洗浄処理にかかるコストを低廉化することも可能となる。したがって、液除去処理を効率よく行うことができる。
なお、保持機構30の構成は本実施の形態に限定されず、ウェハ10の表面10aとテンプレート20の表面20aの間隔を一定に保つものであれば、種々の構成を取り得る。例えば図9に示すように保持機構30は、テンプレート20の表面20aの外周部に設けられた複数の突起部31を有していていてもよい。この突起部31がウェハ10の表面10aに当接して、ウェハ10の表面10aとテンプレート20の表面20aの間隔が一定に保たれる。
以上の実施の形態では、ウェハ10とテンプレート20の間からリンス液Rを流出させて除去していたが、テンプレート20に形成された貫通孔からリンス液Rを除去してもよい。
図10に示すようにテンプレート20には、厚み方向に貫通する貫通孔21が形成されている。貫通孔21は、表面20aから裏面20bまで貫通する細管であり、表面20aと裏面20bにおいて開口している。また、貫通孔21は、テンプレート20の面内において任意の位置に複数設けられている。
かかる場合、図11に示すようにテンプレート20を、その表面20aがウェハ10の表面10aに対向し、且つウェハ10上のリンス液Rに接するように配置する。このとき、保持機構30によって、ウェハ10の表面10aとテンプレート20の表面20aの間隔が一定に保たれる。そして、吸引機構(図示せず)によって、テンプレート20の裏面20b側からリンス液Rを吸引する。リンス液Rは、貫通孔21から流出して除去される。
本実施の形態においても、リンス液Rと空気Aの間に、レジストパターン11の深さ方向(Z方向)に気液界面Fが形成されるため、上述した実施の形態の効果を享受することができる。すなわち、レジストパターン11に作用する表面張力を小さくして、当該レジストパターン11のパターン倒れを抑制することができる。
以上のように、ウェハ10とテンプレート20の間のリンス液Rを除去する方法は、当該ウェハ10とテンプレート20の間からリンス液Rを流出させて除去する方法や、テンプレート20の貫通孔21からリンス液Rを流出させて除去する方法等がある。いずれの方法においても、上記実施の形態では吸引機構(図示せず)を用いてリンス液Rを流出させていたが、リンス液Rを流出させる方法は、種々の方法を取り得る。
ウェハ10とテンプレート20の間のリンス液Rを除去するため、例えばリンス液Rを毛細管現象によって流出させてもよい。図12及び図13に示すようにテンプレート20には、表面20aから裏面20bまで厚み方向に貫通する貫通孔22が複数形成されている。貫通孔22は、例えば矩形状の平面形状を有するスリット状に構成されており、表面20aにおいて開口している。また、貫通孔22は、チップ12、12間のスクライブライン13に対応する位置に形成されている。なお、技術的な理解を容易にするため、図12中には、ウェハ10のレジストパターン11、チップ12、スクライブライン13を点線で図示している。また、貫通孔22は、各チップ12に対応して形成されていてもよいし、或いは複数のチップ12に対して1箇所に形成されていてもよい。
各貫通孔22には、リンス液Rを排出するための液排出部23が当該貫通孔22に連通して設けられている。液排出部23は、テンプレート20の裏面10bに設けられている。液排出部23はリンス液Rを排出して収容する所定の容積を有し、液排出部23には例えば多孔質体が用いられる。
以上のように貫通孔22は細いスリット状であり、その内部のリンス液Rに毛細管現象を生じせしめる。また、例えばスポンジが水を吸収するように、多孔質体である液排出部23はリンス液Rを吸収し、ウェハ10とテンプレート20の間のリンス液Rを汲み上げる役割を果たす。そして、貫通孔22を通じて液排出部23に進入したリンス液Rに対して、毛細管現象が働く。かかる場合、図14に示すように、ウェハ10とテンプレート20の間にあるリンス液Rは、毛細管現象により、貫通孔22を介して液排出部23まで流通する。したがって、ポンプなどの外的な力を使用しなくても、リンス液Rを排出することが可能になる。
リンス液Rに対して毛細管現象を生じさせるための、貫通孔22と液排出部23の具体的な寸法については、公知のラプラスの式等を用いて算出することができ、或いはシミュレーションや実験等を行って導出することもできる。
なお、液排出部23の構成は本実施の形態に限定されず、リンス液Rに対して毛細管現象を生じさせる構成であれば、種々の構成を取り得る。例えば液排出部23は、貫通孔22から複数の細溝に分岐した細溝構造を有していてもよい。このように貫通孔22から液排出部23に至るまでを細孔もしくは細溝で構成することにより、リンス液Rに対して毛細管現象が働き、リンス液Rを排出することができる。但し、液排出部23として、多孔質体を用いた方が、細溝構造に比して製造が容易である。
かかる場合、図14に示すようにテンプレート20を、その表面20aがウェハ10の表面10aに対向し、且つウェハ10上のリンス液Rに接するように配置する。このとき、保持機構30によって、ウェハ10の表面10aとテンプレート20の表面20aの間隔が一定に保たれる。そして、ウェハ10とテンプレート20の間のリンス液Rは、毛細管現象により、貫通孔22を介して液排出部23まで流通して除去される。
本実施の形態においても、リンス液Rと空気Aの間に、レジストパターン11の深さ方向(Z方向)に気液界面Fが形成されるため、上述した実施の形態の効果を享受することができる。すなわち、レジストパターン11に作用する表面張力を小さくして、当該レジストパターン11のパターン倒れを抑制することができる。
しかも、貫通孔22と液排出部23は、チップ12毎に設けられているので、当該チップ12に形成されるレジストパターン11、11において、リンス液Rを適切に除去することができる。
また、ウェハ10とテンプレート20の間のリンス液Rを除去するため、例えばウェハ10を回転させることによって、ウェハ10とテンプレート20の間からリンス液Rを流出させてもよい。液除去装置は、図15に示すようにウェハ10の裏面10bを保持し、当該ウェハ10を回転させる回転機構としてのスピンチャック40を有している。スピンチャック40は、駆動部(図示せず)によって鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
テンプレート20には、厚み方向に貫通する貫通孔24が形成されている。貫通孔24は、表面20aから裏面20bまで貫通する細管であり、表面20aと裏面20bにおいて開口している。貫通孔24は、テンプレート20の中心部に1箇所形成されている。この貫通孔24は、ウェハ10とテンプレート20の間に空気Aを流入させるための孔である。但し、ウェハ10とテンプレート20の間に空気Aを流入させる方法は任意であって、例えばウェハ10とテンプレート20の側方から空気Aを流入させる場合、貫通孔24を省略してもよい。
かかる場合、図15に示すようにテンプレート20を、その表面20aがウェハ10の表面10aに対向し、且つウェハ10上のリンス液Rに接するように配置する。このとき、保持機構30によって、ウェハ10の表面10aとテンプレート20の表面20aの間隔が一定に保たれて、固定される。
その後、図16に示すようにスピンチャック40に保持されたウェハ10を回転させる。そうすると、ウェハ10とテンプレート20の間のリンス液Rは、当該リンス液Rにかかる遠心力により、レジストパターン11の長手方向に沿って外周部に拡散し流出する。
本実施の形態においても、リンス液Rと空気Aの間に、レジストパターン11の深さ方向(Z方向)に気液界面Fが形成されるため、上述した実施の形態の効果を享受することができる。すなわち、レジストパターン11に作用する表面張力を小さくして、当該レジストパターン11のパターン倒れを抑制することができる。
また、ウェハ10とテンプレート20の間のリンス液Rを除去するため、例えばテンプレート20を加熱して、ウェハ10とテンプレート20の間のリンス液Rを気化させてもよい。液除去装置は、図17に示すようにテンプレート20を加熱する加熱機構としてのヒータ50を有している。ヒータ50は、テンプレート20の内部に設けられている。
かかる場合、図17に示すようにテンプレート20を、その表面20aがウェハ10の表面10aに対向し、且つウェハ10上のリンス液Rに接するように配置する。このとき、保持機構30によって、ウェハ10の表面10aとテンプレート20の表面20aの間隔が一定に保たれる。
その後、図18に示すようにヒータ50によってテンプレート20を加熱し、ウェハ10とテンプレート20の間のリンス液Rを加熱して気化させる。リンス液Rは、その外周部において空気Aに接している面から気化する。この際、周囲の雰囲気を減圧すれば、リンス液Rの気化はさらに促進される。そして、リンス液Rが除去される。
本実施の形態においても、リンス液Rと空気Aの間に、レジストパターン11の深さ方向(Z方向)に気液界面Fが形成されるため、上述した実施の形態の効果を享受することができる。すなわち、レジストパターン11に作用する表面張力を小さくして、当該レジストパターン11のパターン倒れを抑制することができる。
以上の実施の形態では、ウェハ10の表面10aをリンス液Rで洗浄した後、当該リンス液Rを除去する処理を行う場合について説明したが、本発明は種々の液体を除去する処理に適用できる。
また、本発明が適用される液除去処理に応じて、ウェハ10上に形成されるパターンもレジストパターン11に限定されず、種々のパターンを取り得る。当該パターンは、例えばエッチング処理後の被処理膜のパターンであってもよいし、或いは半導体デバイスの金属パターンであってもよい。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
10 ウェハ
11 レジストパターン
12 チップ
13 スクライブライン
20 テンプレート
21 貫通孔
22 貫通孔
23 液排出部
24 貫通孔
30 保持機構
31 突起部
40 スピンチャック
50 ヒータ
A 空気
F 気液界面
R リンス液
11 レジストパターン
12 チップ
13 スクライブライン
20 テンプレート
21 貫通孔
22 貫通孔
23 液排出部
24 貫通孔
30 保持機構
31 突起部
40 スピンチャック
50 ヒータ
A 空気
F 気液界面
R リンス液
Claims (13)
- パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する液除去方法であって、
前記基板の表面に液体がある状態で、当該基板の表面に対向し、且つ前記液体に接するように液除去治具を配置し、
前記基板と前記液除去治具の間隔を一定に保った状態で、前記液体を除去することを特徴とする、液除去方法。 - 前記基板と前記液除去治具の間から前記液体を流出させて除去することを特徴とする、請求項1に記載の液除去方法。
- 前記基板及び前記液除去治具を回転させ、前記基板と前記液除去治具の間から前記液体を流出させて除去することを特徴とする、請求項2に記載の液除去方法。
- 前記液除去治具には厚み方向に貫通する貫通孔が形成され、
前記貫通孔から前記液体を流出させて除去することを特徴とする、請求項1に記載の液除去方法。 - 前記液除去治具には、前記貫通孔に連通する液排出部が設けられ、
前記基板と前記液除去治具の間から前記貫通孔を介して前記液排出部に、毛細管現象によって前記液体を流通させることを特徴とする、請求項4に記載の液除去方法。 - 前記基板の表面には、前記パターンが設けられる半導体チップ領域が複数形成され、
前記貫通孔は、前記半導体チップ領域間に対応する位置に形成されることを特徴とする、請求項4又は5に記載の液除去方法。 - 前記液除去治具を加熱することによって、前記液体を除去することを特徴とする、請求項1に記載の液除去方法。
- パターンが形成された基板の表面上の液体を除去する液除去装置であって、
前記基板の表面に液体がある状態で、当該基板の表面に対向し、且つ前記液体に接するように配置される液除去治具と、
前記基板と前記液除去治具の間隔を一定に保つ保持機構と、を有することを特徴とする、液除去装置。 - 前記基板及び前記液除去治具を回転させる回転機構をさらに有することを特徴とする、請求項8に記載の液除去装置。
- 前記液除去治具には、前記基板と前記液除去治具の間の前記液体を流出させるために厚み方向に貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする、請求項8に記載の液除去装置。
- 前記液除去治具には、前記貫通孔に連通する液排出部が設けられ、
前記液排出部は、前記基板と前記液除去治具の間から前記貫通孔を介して前記液排出部に、毛細管現象によって前記液体を流通させるように設けられていることを特徴とする、請求項10に記載の液除去装置。 - 前記基板の表面には、前記パターンが設けられる半導体チップ領域が複数形成され、
前記貫通孔は、前記半導体チップ領域間に対応する位置に形成されることを特徴とする、請求項10又は11に記載の液除去装置。 - 前記液除去治具を加熱する加熱機構をさらに有することを特徴とする、請求項8に記載の液除去装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014094975A JP2015213114A (ja) | 2014-05-02 | 2014-05-02 | 液除去方法及び液除去装置 |
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