JP2021089112A - 気化器 - Google Patents
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- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 141
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 79
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 57
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 42
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 16
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 12
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 197
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 126
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
<乾燥処理装置の概要>
まず、本実施の形態の気化器を用いた乾燥処理装置の概要について説明し、その後、気化器を説明する。図1は、乾燥処理装置100の構成の一例を概略的に示すブロック図である。この乾燥処理装置100は乾燥ユニット200と流体供給ユニット300とを含んでいる。乾燥ユニット200は配管群80を介して流体供給ユニット300と接続されている。乾燥ユニット200は流体供給ユニット300から供給される流体を用いて基板に対する処理を行う。
乾燥ユニット200の構成は特に限定されないものの、その一例について概説する。図2は、乾燥ユニット200の構成の一例を概略的に示す図である。図2の例では、乾燥ユニット200は、複数の基板Wに対して一括して乾燥処理を行うバッチ式の装置である。
次に、乾燥ユニット200に有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給ユニット1について説明する。この蒸気供給ユニット1は液体の有機溶剤を気化させることにより、有機溶剤の蒸気を生成し、その蒸気を乾燥ユニット200に供給する。よって、蒸気供給ユニット1は気化器であるともいえる。以下では、蒸気供給ユニット1を気化器1とも呼ぶ。
次に、気化器1の動作の一例を説明する。まず、制御部9がバルブ72を開く。これにより、液ノズル7から液体の有機溶剤がタンク2内に供給され、タンク2内には所定量の有機溶剤が貯留される。次に制御部9はタンクヒータ3に加熱を行わせる。これにより、タンク2内に貯留された有機溶剤が加熱され、気化が促進される。さらに制御部9はバルブ52を開きつつ、ガスヒータ6に加熱を行わせる。これにより、ガスノズル5からタンク2内の上部空間に高温の不活性ガスが吐出される。さらに制御部9は循環ポンプ43を作動させて有機溶剤を溶剤ノズル4へ送液させる。これにより、溶剤ノズル4からタンク2内の上部空間にミスト状の有機溶剤が吐出される。溶剤ノズル4から吐出された有機溶剤の微小液滴群は、ガスノズル5からの高温の不活性ガスによって速やかに気化する。タンク2内の上部空間における有機溶剤の蒸気は不活性ガスとともに、蒸気供給配管8の先端口8aに流入し、その供給先である乾燥ユニット200に供給される。
図6は、第2の実施の形態にかかる気化器1Aの構成の一例を概略的に示す図である。気化器1Aはバブリング機構10の有無を除いて、気化器1と同様の構成を有している。バブリング機構10は、タンク2内に貯留された有機溶剤をバブリングする。より具体的には、バブリング機構10は、タンク2内に貯留された有機溶剤の内部に複数の気泡を供給する。
2 タンク
3 タンクヒータ(ヒータ)
4 溶剤ノズル
5 ガスノズル
6 第1ガスヒータ(ヒータ)
8 蒸気供給配管
10 バブリング機構
11 バブリング管
12 第2ガス供給配管(ガス供給配管)
14 第2ガスヒータ(ヒータ)
41 循環配管(配管)
51 第1ガス供給配管(ガス供給配管)
Claims (10)
- 溶剤を気化させる気化器であって、
前記溶剤を貯留するタンクと、
前記タンクを加熱するタンクヒータと、
前記タンクの上部空間に設置されており、前記溶剤をミスト状に吐出する溶剤ノズルと、
前記タンクの前記上部空間に設置されており、高温ガスを吐出して、前記溶剤ノズルからのミスト状の前記溶剤を前記高温ガスにより気化させるガスノズルと、
ガスを加熱する第1ガスヒータと、
前記溶剤ノズルに接続されており、前記第1ガスヒータによって加熱された前記ガスを前記高温ガスとして前記ガスノズルに供給する第1ガス供給配管と、
前記タンクの前記上部空間において開口し、前記溶剤の蒸気を乾燥ユニットに供給する蒸気供給配管と
を備える、気化器。 - 請求項1に記載の気化器であって、
前記溶剤ノズルの吐出口は下側を向いており、
前記ガスノズルの吐出口の高さ位置は、前記溶剤ノズルの吐出口の高さ位置よりも低い、気化器。 - 請求項1または請求項2に記載の気化器であって、
平面視において、前記ガスノズルの吐出口は前記溶剤ノズルの吐出口に向いており、前記ガスノズルから吐出された前記高温ガスは、前記溶剤ノズルからのミスト状の前記溶剤を気化させつつ、前記溶剤の蒸気を前記蒸気供給配管の先端口に搬送する、気化器。 - 請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の気化器であって、
前記ガスノズルの内部流路のうち吐出口側の流路端部の断面は、前記吐出口に向かうにつれて広くなる、気化器。 - 請求項1から請求項4のいずれか一つに記載の気化器であって、
前記第1ガスヒータによって加熱された前記高温ガスの第1ガス温度は、前記タンク内に貯留された前記溶剤の液体温度よりも高い、気化器。 - 請求項5に記載の気化器であって、
前記液体温度は前記溶剤の沸点未満であり、前記第1ガス温度は前記溶剤の沸点よりも高い、気化器。 - 請求項1から請求項6のいずれか一つに記載の気化器であって、
前記タンク内に貯留された前記溶剤をバブリングするバブリング機構をさらに備える、気化器。 - 請求項7に記載の気化器であって、
前記バブリング機構は、
前記タンク内に貯留された前記溶剤に浸漬する位置に設けられ、当該溶剤中にバブリングガスを供給するバブリング管と、
バブリングガスを加熱する第2ガスヒータと、
前記第2ガスヒータによって加熱された前記バブリングガスを前記バブリング管に供給する第2ガス供給配管と
を含み、
前記第2ガスヒータによって加熱された前記バブリングガスの第2ガス温度は、前記タンク内に貯留された前記溶剤の液体温度よりも高い、気化器。 - 請求項8に記載の気化器であって、
前記第1ガスヒータによって加熱された前記高温ガスの第1ガス温度は、前記第2ガス温度よりも高い、気化器。 - 請求項1から請求項9のいずれか一つに記載の気化器であって、
前記タンクと前記溶剤ノズルとを接続する循環配管と、
前記循環配管に改装され、前記タンク内に貯留された前記溶剤を前記溶剤ノズルに送液する循環ポンプと
をさらに備える、気化器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019220265A JP7278204B2 (ja) | 2019-12-05 | 2019-12-05 | 気化器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019220265A JP7278204B2 (ja) | 2019-12-05 | 2019-12-05 | 気化器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021089112A true JP2021089112A (ja) | 2021-06-10 |
JP7278204B2 JP7278204B2 (ja) | 2023-05-19 |
Family
ID=76220174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2019220265A Active JP7278204B2 (ja) | 2019-12-05 | 2019-12-05 | 気化器 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP7278204B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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