JP2023007226A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】下面に液体が付着した基板が乾燥処理部に投入されることをより確実に防止しうる技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は、上面が処理液で濡れた状態の基板を搬送する基板搬送部と、前記処理液で濡れた状態の基板を乾燥させる乾燥処理部と、を備え、前記乾燥処理部は、前記基板搬送部との間で前記基板の受け渡しが行われる受渡エリアと、前記基板の上面の乾燥処理が行われる乾燥エリアを、を有し、前記受渡エリアに、前記基板搬送部から受け取った前記基板を水平姿勢で支持する基板支持部材と、前記基板の下面が前記処理液で濡れていた場合に、前記基板支持部材により支持されている前記基板の下面にガスを吹きつけることにより前記下面の乾燥を行う基板下面乾燥部と、が設けられている。【選択図】図１８Ａ

Description

本開示は、基板処理装置に関する。
半導体装置の製造においては、液処理ユニットにおいて、薬液を用いて基板にウエットエッチング処理または洗浄処理等の液処理が施される。近年では、パターンの微細化に伴い、パターン倒壊が一段と生じ易くなっており、パターン倒壊を効果的に防止することができる超臨界乾燥処理が注目されている。超臨界乾燥処理は、例えば、超臨界チャンバ内において、基板の表面（上面）全体を覆うＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を、超臨界ＣＯ２（超臨界状態の二酸化炭素）で置換し、その後、基板周囲雰囲気を常圧にすることにより超臨界ＣＯ２を基板から除去することにより行われる。液処理ユニットにおいてＩＰＡ液膜を基板表面に形成するときに、あるいは液処理ユニットから超臨界チャンバに基板を搬送するときに基板の裏面（下面）にＩＰＡが周り込むことがある。超臨界チャンバ内に超臨界ＣＯ２を導入するときに基板の下面に付着したＩＰＡが基板の上面に周り込むと、基板の表面にパーティクルが発生するおそれがある。
特許文献１には、液処理ユニット（液処理部）から超臨界チャンバ（乾燥処理部）に基板を搬送する基板搬送部に設けた気体供給部により、基板の搬送中に、基板の下面に不活性ガスを吹き付けて基板の下面にＩＰＡが周り込むことを防止することが記載されている。
国際公開ＷＯ２０２１／０３３５８８
本開示は、下面に液体が付着した基板が乾燥処理部に投入されることをより確実に防止しうる技術を提供する。
本開示の一実施形態に係る基板処理装置は、基板処理装置は、上面が処理液で濡れた状態の基板を搬送する基板搬送部と、前記処理液で濡れた状態の基板を乾燥させる乾燥処理部と、を備え、前記乾燥処理部は、前記基板搬送部との間で前記基板の受け渡しが行われる受渡エリアと、前記基板の上面の乾燥処理が行われる乾燥エリアを、を有し、前記受渡エリアに、前記基板搬送部から受け取った前記基板を水平姿勢で支持する基板支持部材と、前記基板の下面が前記処理液で濡れていた場合に、前記基板支持部材により支持されている前記基板の下面にガスを吹きつけることにより前記下面の乾燥を行う基板下面乾燥部と、が設けられている。
本開示によれば、下面に液体が付着した基板が乾燥処理部に投入されることをより確実に防止することができる。
基板処理装置の一実施形態に係る基板処理システムの概略横断面図である。 図１の基板処理システムに設けられた搬送装置の一構成例を示す概略側面図である。 図２に示された搬送装置の第１保持部の概略平面図である。 図２に示された搬送装置の第２保持部の概略平面図である。 図３に示された第２保持部の概略断面図である。 図１の基板処理システムに設けられた液処理ユニットの一構成例を示す概略縦断面図である。 図１の基板処理システムに設けられた乾燥処理ユニットの一構成例を示す概略斜視図である。 図７に示された乾燥処理ユニットの基板保持部の一構成例を示す概略斜視図である。 図８に示された基板保持部の概略断面図である。 図７に示された乾燥処理ユニットに設けられた基板下面乾燥部、液受け部、基板下面濡れ検知部等の一構成例を示す概略平面図である。 図１０におけるXI-XI線に沿った概略断面図である。 図２に示された搬送装置の動作を液処理ユニットと関連付けて説明する図である。 図２に示された搬送装置の動作を液処理ユニットと関連付けて説明する図である。 図２に示された搬送装置の動作を液処理ユニットと関連付けて説明する図である。 図２に示された搬送装置の動作を液処理ユニットと関連付けて説明する図である。 図２に示された搬送装置の動作を液処理ユニットと関連付けて説明する図である。 図２に示された搬送装置の動作を液処理ユニットと関連付けて説明する図である。 基板が乾燥処理ユニットに搬入されてから処理容器に搬入されるまでの乾燥処理ユニットの一連の動作を説明するための概略側面図である。 基板が乾燥処理ユニットに搬入されてから処理容器に搬入されるまでの乾燥処理ユニットの一連の動作を説明するための概略平面図である。 基板が乾燥処理ユニットに搬入されてから処理容器に搬入されるまでの乾燥処理ユニットの一連の動作を説明するための概略側面図である。 基板が乾燥処理ユニットに搬入されてから処理容器に搬入されるまでの乾燥処理ユニットの一連の動作を説明するための概略平面図である。 基板が乾燥処理ユニットに搬入されてから処理容器に搬入されるまでの乾燥処理ユニットの一連の動作を説明するための概略側面図である。 基板が乾燥処理ユニットに搬入されてから処理容器に搬入されるまでの乾燥処理ユニットの一連の動作を説明するための概略平面図である。 基板が乾燥処理ユニットに搬入されてから処理容器に搬入されるまでの乾燥処理ユニットの一連の動作を説明するための概略側面図である。 基板が乾燥処理ユニットに搬入されてから処理容器に搬入されるまでの乾燥処理ユニットの一連の動作を説明するための概略平面図である。 基板が乾燥処理ユニットに搬入されてから処理容器に搬入されるまでの乾燥処理ユニットの一連の動作を説明するための概略側面図である。 基板が乾燥処理ユニットに搬入されてから処理容器に搬入されるまでの乾燥処理ユニットの一連の動作を説明するための概略平面図である。 基板支持部材の他の実施形態を示す概略縦断面図である。 基板下面濡れ検知部の他の実施形態について説明するための概略斜視図である。 基板下面濡れ検知部のさらに他の実施形態について説明するための概略斜視図である。 乾燥処理ユニットの他の実施形態を示す概略側面図である。 図２６の乾燥処理ユニットのトレイの構成例を示す概略平面図である。 乾燥処理ユニットのさらに他の実施形態を示す概略側面図である。
基板処理装置の一実施形態を、添付図面を参照して説明する。
＜基板処理システムの全体構成＞
まず、基板処理システム１の全体構成について説明する。図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備えている。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備えている。キャリア載置部１１には、処理対象の複数枚の基板Ｗ例えば半導体ウエハを水平姿勢で鉛直方向に等間隔で収容する複数のキャリアＣが載置される。
なお、基板Ｗは、デバイス形成面である表面と、その反対側の面である裏面を有しているが、この基板処理システム１においては、常に、表面が上向きになるように、つまり表面が上面となるように取り扱われる。以下、本明細書において、表面は上面とも呼び、裏面は下面とも呼ぶこととする。
搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置されている。搬送装置１３は、キャリア載置部１１上にある任意のキャリアＣと受渡部１４との間で基板Ｗの搬送を行うことができる。搬送装置１３として、当該技術分野において公知のウエハ搬送用の多関節ロボット、直角座標型ロボット等の任意の形式の搬送ロボットを用いることができる。
処理ステーション３は、搬送ブロック４と、搬送ブロック４の両側に設けられた２つの処理ブロック５とを備えている。
搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送エリア１５内に配置された搬送装置１６とを備えている。搬送エリア１５は、たとえば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する略直方体の領域である。搬送装置１６は、受渡部１４と複数の処理ブロック５との間で基板Ｗの搬送を行うことができる。
各処理ブロック５は、基板Ｗに液処理を行う液処理ユニット１７と、基板Ｗに超臨界乾燥処理を行う乾燥処理ユニット１８と、乾燥処理ユニット１８に超臨界乾燥処理のための処理流体を供給する処理流体供給ユニット１９とを備えている。
基板処理システム１は、制御装置６を備えている。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部６１と記憶部６２とを備えている。
制御部６１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１６、液処理ユニット１７および乾燥処理ユニット１８等の動作を制御する。
かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置６の記憶部６２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
記憶部６２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
＜搬送装置＞
次に、図２を参照して、搬送エリア１５に配置された搬送装置１６の構成の一例について説明する。
搬送装置１６は、各々１枚の基板Ｗを保持することができる第１保持部１１０および第２保持部１２０と、第１進退機構１３０と、第２進退機構１４０と、昇降機構１５０と、水平移動機構１６０とを備えている。機構１３０、１４０，１５０，１６０は、エアシリンダあるいはボールねじ等の適当なリニアアクチュエータを備えた移動機構として構成することができる。
第１進退機構１３０は、第１保持部１１０を水平方向（Ｙ軸方向）に進退させる。第２進退機構１４０は、第２保持部１２０をＹ軸方向に沿って進退させる。昇降機構１５０は、第１進退機構１３０および第２進退機構１４０を鉛直方向に沿って移動させることにより、第１保持部１１０および第２保持部１２０を昇降させる。水平移動機構１６０は、昇降機構１５０を水平方向（Ｘ軸方向）に移動させることにより、第１保持部１１０および第２保持部１２０をＸ軸方向に移動させる。
図３に示すように、第１保持部１１０は、二股の平板状のベース部１１１と、ベース部１１１の表面に設けられた複数の支持部材１１２とを備える。第１保持部１１０は、複数の支持部材１１２を用いて基板Ｗを下方から支持することによって基板Ｗを水平に保持する。
図４および図５に示すように、第２保持部１２０は、ベース部１２１と、複数の支持ピン１２２と、複数のチャック１２３と、ガス供給部１２４と、排液部１２５とを備える。
ベース部１２１は、全体として板状の部材であり、その上面側中央部に基板Ｗよりも大径の円盤状の凹部１２１ａを有する。複数の支持ピン（支持部材）１２２が凹部１２１ａの底面から上方に突出し、基板Ｗの周縁部を下方から支持する。各支持ピン１２２は、適当なリニアアクチュエータを備えた昇降機構１２２ａによって、鉛直方向に昇降可能である。
複数のチャック（把持部材）１２３は、凹部１２１ａの周壁の内面に設けられている。各チャック１２３は、適当なアクチュエータを備えた移動機構１２３ａによって基板Ｗの径方向に沿って基板Ｗに対して接離するように移動し、基板Ｗを保持あるいは解放することができる。
ガス供給部１２４は、複数の吐出口１２４ａと、供給管１２４ｂと、流量調整部１２４ｃと、ガス供給源１２４ｄとを備えており、吐出口１２４ａから制御された流量でガスを吐出することができる。ガス供給源１２４ｄから供給されるガスは、例えば不活性ガス、具体的には例えば窒素ガスとすることができる。
複数の吐出口１２４ａは、ベース部１２１の凹部１２１ａの底面に設けられ、基板Ｗと同心の円周に沿って等間隔で配置されている。複数の吐出口１２４ａから基板Ｗの下面の周縁部に向かってガスを吐出することにより、基板Ｗの上面にある液膜Ｌを構成する液が、基板Ｗの下面に回り込むことを抑制することができる。
図５に示すように、第２保持部１２０は、基板Ｗの上面、好ましくは、基板Ｗ上に形成された液膜Ｌの上面がベース部１２１の上面よりも低くなるような高さ位置において基板Ｗを保持する。このため、ガス供給部１２４からのガスによって基板Ｗから離脱した液が、第２保持部１２０の外部に飛散することを抑制することができる。
排液部１２５は、凹部１２１ａの底面の中央部に設けられた開口とすることができる。排液部１２５は排出管１２５ａに接続されている。液が基板Ｗから脱落した場合には、その液を排液部１２５および排出管１２５ａを介して第２保持部１２０の外部に排出することができる。
図５に概略的に示すように、ベース部１２１の凹部１２１ａの底面に、基板下面濡れ検知部としてのカメラ１２８を設けてもよい。カメラ１２８は、例えば円形の凹部１２１ａの円周方向に沿って等間隔に設けることができる。この場合、基板Ｗの下面のリング状の周縁領域の全てがいずれかのカメラ１２８により撮像されるように複数のカメラ１２８を配置することが好ましい。このため、具体的には、隣接する２つのカメラ１２８の撮像範囲が僅かに重複するように、複数のカメラ１２８を配置することができる。
＜液処理ユニット＞
次に、液処理ユニット１７の構成の一例について説明する。図６に示すように、液処理ユニット１７は、基板Ｗを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄ユニットとして構成されている。
図６に示すように、液処理ユニット１７は、アウターチャンバー２３と、アウターチャンバー２３内に設けられて基板保持回転機構（スピンチャックと呼ばれる）２５と、少なくとも１つの処理液ノズル２６ａを先端に担持するノズルアーム２６とを有している。基板保持回転機構２５は、基板Ｗを水平姿勢で保持し鉛直軸線周りに回転させる。処理液ノズル２６ａから、薬液、リンス液等の処理液が基板Ｗに供給され、これにより基板Ｗの上面にウエットエッチングまたは薬液洗浄等の液処理が施される。
基板保持回転機構２５の回転軸の内部には、基板Ｗの下面中央部にガス（好ましくは窒素ガス等の不活性ガスを）を供給するために、ガス供給路２５ａが形成されている。
液処理ユニット１７において、例えば、ＳＣ１洗浄工程、ＤＩＷ（純水）リンス工程、ＤＨＦ洗浄工程およびＤＩＷリンス工程が順次行われる。各工程で用いられた処理液は、インナーカップ２４により回収され、排液口２３ａまたは排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。
最後のリンス処理の後にＩＰＡ液膜形成工程が行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面にＩＰＡ（液体）を供給する。これにより、基板Ｗの上面に残留するＤＩＷがＩＰＡに置換される。
少なくともＩＰＡ液膜形成工程が行われているときに、ガス供給路２５ａを介して基板Ｗの下面中央部にガス、好ましくは不活性ガスが供給される。基板Ｗの下面中央部に供給された気体は、基板Ｗの下面に沿って基板Ｗの周縁に向けて流れる。これにより、ＩＰＡ液膜形成工程が行われているときに、基板Ｗの上面に供給されたＩＰＡが基板Ｗの下面に回り込むことを抑制することができる。その後、基板Ｗの回転が停止される。基板Ｗの回転停止前のＩＰＡ供給流量およびウエハ回転速度により基板Ｗ停止時に基板Ｗの上面に形成されるＩＰＡ液膜の膜厚が定まる。
ＩＰＡ液膜形成処理の終了後、基板Ｗは、その表面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、基板保持回転機構２５に設けられた受け渡し機構（後述するリフターピン２５ｂ）により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。
＜乾燥処理ユニット＞
次に、乾燥処理ユニットの構成の一例について説明する。図１に示すように、乾燥処理ユニット１８は、乾燥エリア１８１および受渡エリア１８２を備えている。乾燥エリア１８１は、超臨界乾燥処理が行われる領域であり、後述する処理容器３１が配置されている領域と見なしてよい。受渡エリア１８２は、搬送装置１６と後述するリフターピン３９ａとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる場所、および、リフターピン３９ａと後述するトレイ（基板保持部）３２との間で基板Ｗの受け渡しが行われる場所を包含する領域として定義される。例示された実施形態において、受渡エリア１８２は、後述する処理容器３１から引き出された状態にあるトレイ３２を鉛直方向に移動させたときの軌跡により定義される略直方体の領域であるとも言える。
図７に示すように、乾燥処理ユニット１８は、処理容器３１と、基板保持部３２と、蓋体３３と、リフター（基板昇降機構）３９とを備えている。基板保持部３２はトレイの形態を有しており、以下において「トレイ３２」と呼ぶこととする。
処理容器３１は、１６～２０ＭＰａ程度の高い内圧に耐える圧力容器であり、超臨界チャンバとも呼ばれる。処理容器３１は、乾燥エリア１８１（図１参照）に配置されている。
トレイ３２は、基板Ｗを水平姿勢で支持する。トレイ３２は蓋体３３に一体的に結合されている。蓋体３３には移動機構３３ａが連結されている。移動機構３３ａは、エアシリンダ等の適当なリニアアクチュエータにより構成することができる。移動機構３３ａにより、トレイ３２には、乾燥エリア１８１（詳細には処理容器３１の内部）と受渡エリア１８２との間を水平方向（例えばＸ方向）に移動することができる。
トレイ３２が処理容器３１の内部に収容されたときに、蓋体３３が処理容器３１の開口部３４を塞ぐようになっている。トレイ３２が処理容器３１内の圧力により開かないようにするために閂状のロック機構（図示せず）を設けることができる。
トレイ３２がＹ方向に移動するように乾燥処理ユニット１８を設置してもよい。この場合、乾燥エリア１８１が、基板Ｗの搬出入用の開口１８０（図１を参照）から遠い側に設けられ、受渡エリア１８２が開口１８０に近い側に設けられることになる。
処理容器３１の壁には、供給ポート３５Ａ，３５Ｂおよび排出ポート３６が設けられている。供給ポート３５Ａ，３５Ｂ供給ライン３５Ｃ，３５Ｄにそれぞれ接続されている。排出ポート３６は、排出ライン３６Ａに接続されている。
供給ポート３５Ａは、処理容器３１の開口部３４とは反対側の側壁に設けられている。供給ポート３５Ａには、多数の開口を有する流体供給ヘッダー３７Ａが接続されている。流体供給ヘッダー３７Ａに形成された多数の開口は、開口部３４の方を向いている。
供給ポート３５Ｂは、処理容器３１の底壁に設けられている。供給ポート３５Ｂは、処理容器３１内に収容されたトレイ３２の底面に対向するように、処理容器３１内に開口している。排出ポート３６は、開口部３４の下方に設けられている。排出ポート３６には、多数の開口を有する流体排出ヘッダー３８が接続されている。
リフター３９は、複数のリフターピン３９ａと、リフターピン３９ａを昇降させる昇降駆動部３９ｂとを備える。リフターピン３９ａは、搬送装置１６との間で基板Ｗの受け渡しを行う受け渡し位置（上限位置）と、待機位置（下限位置）との間で昇降することができる。待機位置は、トレイ３２の開閉動作を妨げないトレイ３２より下方の位置である。
図８および図９に示すように、トレイ３２は、板状のベース部３２ａと、ベース部３２ａに設けられた複数の支持部材３２ｂと、ベース部３２ａを鉛直方向に貫通する複数の貫通孔３２ｄとを備えている。ベース部３２ａの上面には、基板Ｗよりも大径の円形の凹部３２ａ１が形成されている。複数の支持部材３２ｂは、凹部３２ａ１の底面から突出している。基板Ｗは、凹部３２ａ１内において支持部材３２ｂにより支持される。このとき、基板Ｗの下面と凹部３２ａ１の底面との間に隙間が形成される。
円形の凹部３２ａ１の周縁部領域に支持部材３２ｂが配置されている。複数の貫通孔３２ｄは支持部材３２ｂよりも半径方向内側の領域に配置されている。複数の貫通孔３２ｄは、供給ポート３５Ｂからトレイ３２のベース部３２ａに吹きつけられた処理流体を基板Ｗの下面とベース部３２ａの上面との間の空間に導く流路としての役割を有する。複数の貫通孔３２ｄのうち、凹部３２ａ１の中央部領域に形成された３つの貫通孔３２ｄは、リフターピン３９ａの挿通孔としての役割も有する。
ここで、乾燥処理ユニット１８において実行される超臨界乾燥処理について簡単に説明しておく。一実施形態において、超臨界乾燥処理は、基板Ｗ上にあるＩＰＡ液膜を超臨界状体の処理流体ここでは（二酸化炭素（ＣＯ２））で置換し、その後、ＣＯ２を気化させることにより基板Ｗを乾燥させるものである。当業者において周知のように、超臨界乾燥処理によれば、パターン倒壊を防止しつつ基板Ｗを乾燥させることができる。
超臨界乾燥処理は、昇圧工程、流通工程および減圧工程を含む。昇圧工程では、超臨界状態の処理流体（超臨界ＣＯ２）の供給源から供給されてきた処理流体が供給ポート３５Ｂを介して処理容器３１内に供給され、これにより処理容器３１内の圧力を上昇させてゆく。処理容器３１内の圧力が処理容器内に存在する流体（ＣＯ２＋ＩＰＡ）が超臨界状態に維持されることが保証される臨界圧力まで上昇したら、流通工程に移行する。流通工程では、処理容器３１内に臨界圧力以上の圧力を維持しつつ、流体供給ヘッダー３７Ａから処理流体を供給しながら、流体排出ヘッダー３８を介して処理容器３１内の処理流体を排出する。これにより、基板Ｗ上のＩＰＡがＣＯ２で置換される。その後、処理容器３１内を大気圧まで減圧する減圧工程を実施し、これにより基板Ｗ上の超臨界状態のＣＯ２が気化され、ウエハが乾燥する。
図示はしないが、排出ポート３６に接続された排出ライン３６Ａには処理容器３１からの処理流体の排出量を調整するダンパが設けられている。このダンパにより、上記各工程において、処理容器３１内の圧力および処理流体の流通流量が制御される。
乾燥処理ユニット１８の構成は上述したものに限定されるものではなく、例えば、上記と同様の超臨界乾燥処理を実施するために設計されたものであるなら、任意の公知の乾燥処理ユニットを用いることができる。
基板Ｗの上面に形成された液膜Ｌの液が基板Ｗの下面に付着した状態で超臨界乾燥処理（特に昇圧工程）が実施されると、基板Ｗの下面に付着した液が基板Ｗの上面に周り込むおそれがある。供給ポート３５Ｂからトレイ３２に向けて吐出された処理流体は、トレイ３２の貫通孔３２ｄを通って基板Ｗの下面に向けて流れ、基板Ｗの下面に衝突した後に、基板Ｗの周縁に向けて流れる。
この処理流体の流れにより、基板Ｗの下面に付着している液が、基板Ｗの下面に付着していた汚染物質と一緒に基板Ｗの上面に周り込むおそれがある。この汚染物質は、乾燥後に、基板Ｗの上面にパーティクルとなって残留する恐れがある。従って、超臨界乾燥処理の開始時点に基板Ｗの下面に液が付着していない状態とすることが望ましい。
＜基板下面乾燥部、液受け部、基板下面濡れ検知部＞
上記の課題を解決するため、図１０および図１１に示すように、乾燥処理ユニット１８の受渡エリア１８２には、基板下面乾燥部２００と、その関連機器である液受け部３００および基板下面濡れ検知部４００が設けられている。以下、これらについて詳述する。
図示された実施形態においては、基板下面乾燥部２００、液受け部３００および基板下面濡れ検知部４００が一体化されて１つのユニットを構成している。
液受け部３００は、受渡エリア１８２に引き出されたトレイ３２の真上に設けられた液受けカップ３０２の形態を有している。この液受けカップ３０２は２つの半体（第１部分３０３、第２部分３０４）から構成されている。図示例では、第１部分３０３および第２部分３０４の合わせ面（分割面）は、ＹＺ平面と平行であるが、ＸＺ平面と平行であってもよい。
第１部分３０３および第２部分３０４は、それぞれの移動機構３０５，３０６により両部分３０３，３０４が互いに係合する係合位置と互いに離間した分離位置との間で、Ｘ方向（水平方向）に移動することができる。移動機構３０５，３０６は、エアシリンダ等の適当なリニアアクチュエータから構成することができる。
第１部分３０３および第２部分３０４が互いに係合して一体化すると、全体としてリング状の液受けカップ３０２の形態となる。液受けカップ３０２は、リング状の底壁３０７と、底壁の周縁から鉛直方向上方に立ち上がるリング状の側壁３０８とを有する。底壁３０７の中央部には、底壁３０７を上下に貫通する少なくとも１つの穴３０９が形成されている。例示された実施形態おいては、「少なくとも１つの穴３０９」は、平面視で、前述した複数（本例では３本の）リフターピン３９ａを包含しうる円の形を有する単一の穴３０９である。
単一の穴３０９のサイズは、好ましくは、トレードオフの関係にある下記の要件を考慮して決定することができる。
（１）互いに係合した第１部分３０３および第２部分３０４からなる液受けカップ３０２が、基板Ｗから吹き飛ばされた液体を支障無く受け止めることができる（液捕捉効率）。
（２）互いに分離した第１部分３０３および第２部分３０４との間を、リフターピン３９ａにより支持された基板Ｗが通過することができる（基板通過容易性）。
穴３０９のサイズが小さいと、分離位置にある第１部分３０３および第２部分３０４との間の距離（離間距離）をほぼ基板Ｗの直径に相当する距離としなければ、基板Ｗを第１部分３０３および第２部分３０４との間を通過させることができない。穴３０９のサイズを大きくすることにより、上記離間距離を小さくしても、基板Ｗを第１部分３０３および第２部分３０４との間を通過させることができる。なお、液を基板の半径方向外向きに吹き飛ばすのであれば、穴３０９のサイズを大きくしても問題はない（後述するノズルの説明を参照）。一方で、第１部分３０３および第２部分３０４を遠く離間させうるスペースが乾燥処理ユニット１８内に確保できるのであれば、穴３０９のサイズは小さくてもよい。この場合、吹き飛ばした液をより確実に回収することができる。
「少なくとも１つの穴３０９」に求められることは、複数（本例では３本の）リフターピン３９ａの通過を許容すること、当該穴３０９に前述した複数（本例では３本の）リフターピン３９ａが通されているときに、液受けカップ３０２の分割動作を妨げないことである。このため、上記の「少なくとも１つの穴３０９」は、液受けカップ３０２の分割動作の方向に延びる１つ以上（例えばリフターピン３９ａの数と同数の）の長穴であってもよい。この長穴は前述した第１部分３０３および第２部分３０４の分割面まで延びる。
基板下面乾燥部２００は、基板Ｗを乾燥させるための乾燥用ガスを下面の周縁部に吹き付けるノズル２０２の形態とすることができる。乾燥用ガスとしては、例えば低湿度かつ低酸素濃度のガス、具体的には例えば窒素ガス等の不活性ガスとすることができる。乾燥用ガスとして、ドライエアを用いてもよい。
ノズル２０２は、液受けカップ３０２の底壁３０７の周方向に沿って等間隔で穿たれた複数のガス吐出口２０３（図１０にはその一部のみが示されている）を備えている。底壁３０７の内部には、底壁３０７の周方向に沿って延び、各ガス吐出口２０３にガスを供給するガス供給路２０４が形成されている。
各ガス吐出口２０３は、基板Ｗの下面に付着した液体を基板の周縁に向けて移動させつつ、基板Ｗの周縁の外方に吹き飛ばすことができるように、斜め上方に向けて開口している。ガス供給路２０４は、図１０に概略的に示されたように、ガス供給部２０５に接続されている。ガス供給部２０５は、例えば工場用力としての窒素ガス供給源と、窒素ガス供給源とガス供給路２０４とを連通させる管路と、管路に介設された流量制御機器（開閉弁、流量制御弁等）などから構成することができる。
第１部分３０３および第２部分３０４のガス供給路２０４は、第１部分３０３および第２部分３０４を係合させた場合に互いに連結されるように構成されていてもよいし、互いに分離されたままとなるように構成されていてもよい。前者の場合、ガス供給部２０５は１つだけ設けてもよい。
底壁３０７の下方の空間に向けてガスを吐出する別のガス吐出口（破線矢印２０６により概略的に示す）を液受けカップ３０２に設けてもよい。この別のガス吐出口２０６はガス供給路２０４に接続してもよいし、底壁３０７内に形成した別のガス供給路に接続してもよい。液受けカップ３０２の真下には、受け渡し位置にあるトレイ３２が位置する。別のガス吐出口から（矢印２０６で示すように）ガスをトレイ３２に吹き付けることにより、トレイ３２の上面あるいは支持ピン（支持部材３２ｂ）に液（例えばＩＰＡ）が付着したとしていたとしても、それを除去することができる。
ノズル２０２（ガス吐出口２０３＋ガス供給路２０４）を形成する穴または凹部を液受けカップ３０２の底壁３０７内に形成することに代えて、複数のガス吐出口を有する半円形に曲げられた管（図示せず）を底壁３０７の例えば上面に取り付け、これをノズルとして用いてもよい。
ガス吐出口２０３から吐出されたガスにより、基板Ｗの下面の周縁部に付着していた液体（ＩＰＡ）は吹き飛ばされて、液受けカップ３０２の側壁３０８に衝突するか、あるいは底壁３０７の上に落ちる。底壁３０７の最外周部には、液受け溝３１１が円周方向に沿って延びている。好ましくは、底壁３０７は、半径方向外側に向けて低くなるように傾斜している。従って、側壁３０８にまたは底壁３０７に着液した液体は、液受け溝３１１に流入する。
液受け溝３１１には、１つ以上のドレン穴３１０が形成されている。液受け溝３１１の底面は、好ましくは各ドレン穴３１０に向けて傾斜している。ドレン穴３１０には排出管（図示せず）が接続されている。排出管は、工場の有機排液系に接続されている。ドレン穴３１０から排出される液（ＩＰＡ）は通常は微量であり、かつ、容易に蒸発することを考慮すると、排出管を工場の有機排気系に接続してもよい。
図１１に概略的に示されるように、基板下面濡れ検知部４００として、液受けカップ３０２の底壁３０７にカメラ４０２を設けてもよい。カメラ４０２は、液受けカップ３０２の円周方向に沿って等間隔に設けることができる。この場合、基板Ｗの下面のリング状の周縁領域の全てがいずれかのカメラ４０２により撮像されるように複数のカメラ４０２を配置することが好ましい。具体的には、隣接する２つのカメラ４０２の撮像範囲が僅かに重複するように、複数のカメラ４０２を配置することができる。モバイル端末に利用されるような小型カメラを底壁３０７に埋め込んでもよい。
カメラ４０２は、ガス吐出口２０３から吹き出されたガスにより吹き飛ばされた液滴が付着しないような位置に設けることが好ましい。図１１に示す例では、カメラ４０２は、ガス吐出口２０３よりも半径方向内側の位置に設けられている。
制御装置６に備えられた画像解析機能を用いてカメラ４０２の撮像データに対して画像解析が行われ、基板Ｗの下面の周縁部に液が付着しているか否かの判定が行われる。
図２に破線で概略的に示すように、搬送装置１６の第１保持部１１０の上方にガス吐出部１７０を設けてもよい。ガス吐出部１７０は、例えば、昇降機構１５０の一部を成す支柱に取り付けられて、第１保持部１１０および第２保持部１２０と一緒に移動することができる。ガス吐出部１７０から窒素ガス等の不活性ガスあるいはドライエアを第１保持部１１０および第２保持部１２０を吹きつけることにより、第１保持部１１０および第２保持部１２０に付着した液（例えばＩＰＡ）を除去することができる。
＜基板処理システムの動作＞
次に、基板処理システム１の動作について説明する。以下に説明する各動作は、制御部６１による制御の下で実行される。
キャリアＣに収容された基板Ｗを搬送装置１３が取り出して受渡部１４に載置する。つづいて、搬送装置１６は、受渡部１４から基板Ｗを取り出した後、取り出した基板Ｗを液処理ユニット１７へ搬入する。
具体的には、搬送装置１６は、第１保持部１１０（図３参照）を用いて受渡部１４から基板Ｗを取り出す。そして、搬送装置１６は、基板Ｗを第１保持部１１０により保持した状態で受渡部１４から液処理ユニット１７へ搬送する。
次に、液処理ユニット１７で基板Ｗに液処理が施される。具体的には、回転する基板Ｗに薬液を供給してウエットエッチングまたは薬液洗浄を行い、その後、基板Ｗにリンス液（例えば純水）を供給してリンス処理を行う。その後、基板Ｗの上面にＩＰＡを供給して、基板Ｗの上面にあるリンス液をＩＰＡで置換するＩＰＡ置換処理（ＩＰＡ液膜形成処理）を行う。ＩＰＡ置換処理の終期に、基板Ｗの回転数およびＩＰＡの供給流量を適宜調整することにより、基板Ｗの上面に予め定められた厚さのＩＰＡの液膜Ｌを形成する。
次に、液処理ユニット１７内にある膜Ｌが形成された基板Ｗを搬送装置１６が取り出す。具体的には、図１２に示すように、液処理ユニット１７の基板保持回転機構２５の複数のリフターピン２５ｂを上昇させることによって、基板Ｗを上昇させる。つづいて、搬送装置１６は、第１保持部１１０を前進させて第１保持部１１０を基板Ｗの下方に配置させる。次に、図１３に示すように、第１保持部１１０を上昇し、基板Ｗをリフターピン２５ｂから取り去る。
次いで、図１４に示すように、搬送装置１６は、第２保持部１２０を前進させて第１保持部１１０の下方に位置させる。次いで、図１５に示すように、第２保持部１２０に設けられた支持ピン１２２が上昇して第１保持部１１０が保持している基板Ｗを持ち上げる。次いで、図１６に示すように、第１保持部１１０が後退して液処理ユニット１７から退出する。
次いで、支持ピン１２２が下降することにより、基板Ｗが図５に示すように第２保持部１２０の凹部１２１ａ内で保持されるようになる。詳細には、支持ピン１２２が基板Ｗをチャック１２３の高さまで下降させ、次いで、チャック１２３が基板Ｗに向けて前進することにより基板Ｗをしっかりと把持し、次いで、支持ピン１２２がさらに下降して基板Ｗから離れることにより、図５の状態になる。次いで、第２保持部１２０も液処理ユニット１７から退出する。
次に、搬送装置１６は、基板Ｗを第２保持部１２０により保持した状態で乾燥処理ユニット１８まで搬送する。基板Ｗが第２保持部１２０に保持されている間（搬送中も含む）、ガス供給部１２４の複数の吐出口１２４ａから基板Ｗの下面の外周部に向けて気体を吐出する。これにより、基板Ｗの上面に形成された液膜Ｌの液が基板Ｗの下面に回り込むことが防止または少なくとも抑制される。
なお、液処理ユニット１７で基板Ｗの液処理が完了した時点で既に液体が基板Ｗの下面に付着している場合もありうる。基板Ｗの下面に液が付着しているか否かは例えば第２保持部１２０のベース部１２１に設けたカメラ１２８により検出することができる。
搬送目的場所である乾燥処理ユニット１８の正面に到着したら、先に説明した図１３から図１７に至る手順とは逆の手順により、基板Ｗを第１保持部１１０により保持させる。
その後に乾燥処理ユニット１８内において実行される手順については、図１１、図１２および図１８～図２２を参照して説明する。なお、図１８～図２２は、図面の見やすさを重視して、乾燥処理ユニット１８のトレイ３２がＹ方向に移動するように記載している。トレイ３２がＸ方向にする場合も、個々の手順は図１８～図２２に示したものと実質的に同じある。
まず、図１８に示すように、乾燥処理ユニット１８の基板Ｗの搬出入用の開口１８０（図１を参照）を通して、基板Ｗを保持している搬送装置１６の第１保持部１１０を乾燥処理ユニット１８内に侵入させる。なお、開口１８０にシャッターが設けられている場合には、当該シャッターは、搬送装置１６の第１保持部１１０および第２保持部１２０が開口１８０を通るときに開かれ、それ以外のときには閉じられる。
次に、乾燥処理ユニット１８のリフターピン３９ａを上昇させることにより、第１保持部１１０に保持された基板Ｗを上昇させて、複数のリフターピン３９ａに基板Ｗを支持させる。これに代えて、搬送装置１６の第１保持部１１０を下降させることにより、予め上昇させておいた複数のリフターピン３９ａに基板Ｗを支持させてもよい。次に、搬送装置１６は、第１保持部１１０を後退させて、乾燥処理ユニット１８から退出させる（図１９を参照）。
次に、図２０に示すように、リフターピン３９ａを下降させることにより、基板Ｗが液受け部３００内に収まる高さ位置まで基板Ｗを下降させ、そこで停止させる。これにより、図１０および図１１に示すように、リフターピン３９ａに支持されたままで基板Ｗが液受け部３００としての液受けカップ３０２内に収まる。
次に、カメラ４０２により基板Ｗの下面の周縁部を撮影し、画像解析により基板Ｗの下面の周縁部にＩＰＡが付着しているか否かを判定する。ＩＰＡが付着していたならばガス吐出口２０３から基板Ｗの下面の周縁部に向けて窒素ガスを吹き付け、ＩＰＡを吹き飛ばして基板Ｗの下面の周縁部を乾燥させる。吹き飛ばされたＩＰＡは液受け部３００により受け止められる。液受けカップ３０２により受け止められたＩＰＡは、液受けカップ３０２の表面で蒸発するか、あるいは、液受け溝３１１およびドレン穴３１０を介して液受けカップ３０２から排出される。画像解析によりＩＰＡが付着していないことが確認された場合には、窒素ガスの吹きつけは行わなくてもよい。
次に、図２１に示すように、移動機構３０５，３０６を動作させて第１部分３０３および第２部分３０４を分離する。そして、リフターピン３９ａを下降させることにより、第１部分３０３および第２部分３０４の間を通して基板Ｗを下降させ、トレイ３２の上に載置する。リフターピン３９ａはさらに、トレイ３２の移動を邪魔しない待機位置（下限位置）まで下降し、そこで停止する。
次に、図２２に示すように、基板Ｗを支持したトレイ３２を前進させて処理容器３１内に収容する。
次に、公知の方法により、処理容器３１内でトレイ３２上に支持された基板Ｗの超臨界乾燥処理が行われる。
次に、処理容器３１から乾燥処理済みの基板Ｗを支持したトレイ３２が引き出される。次いで、リフターピン３９ａが上昇し、これによりトレイ３２上の基板Ｗが持ち上げられて、分離状態にある液受け部３００の第１部分３０３および第２部分３０４の間を通過して、受け渡し位置まで上昇する。
次に、先に図１８および図１９で説明した手順と逆の手順により、リフターピン３９ａ上の基板Ｗが、搬送装置１６の第１保持部１１０により保持される。その後、第１保持部１１０が乾燥処理ユニット１８から退出する。その後、搬送装置１６は、基板Ｗを受渡部１４へ載置し、次いで、搬送装置１３が受渡部１４から基板Ｗから取り出してキャリアＣへ戻す。これにより、１枚の基板Ｗについての一連の処理が終了する。
上記実施形態によれば、基板Ｗがトレイ３２に載置される直前の時点で基板Ｗの下面上へのＩＰＡ付着の有無の確認が（ＩＰＡ付着が有った場合にはＩＰＡの乾燥も）行われる。このため、基板Ｗの下面上にＩＰＡが付着した状態で基板Ｗが処理容器３１内に収容される可能性をほぼ無くすことができる。
なお、トレイ３２に基板下面濡れ検知部（カメラ）および基板下面乾燥部（窒素ガスノズル）を設けることも考えられる。しかしながら、高圧環境に耐え得るカメラあるいはセンサ類をトレイ３２に設けることは容易ではないし、可能であったとしても高いコストが予想される。また、基板下面乾燥部（ノズルおよびガス供給系）を超臨界処理流体により悪影響を受けないようにトレイ３２に組み込むことも容易ではないし、可能であったとしても高いコストが予想される。また、トレイ３２に基板Ｗを載せた後に基板Ｗの下面にある液（ＩＰＡ）を吹き飛ばすと、吹き飛ばした液によりトレイ３２が汚染される可能性もある。上記のことを考慮すると、トレイ３２に基板Ｗが載置される直前に液受け部３００内で基板下面の濡れ検知および基板下面の乾燥を行う本実施形態の構成は非常に好ましいものであると考えられる。
上記実施形態の変形実施形態として以下の構成および／または運用を採用することができる。
図２３に示すように、前述したリフターピン３９ａに代えて、昇降軸３９ｃと、昇降軸３９ｃを昇降させる昇降機構３９ｄと、昇降軸３９ｃの上端に設けられた吸着パッド３９ｅと、を設けてもよい。トレイ３２には、吸着パッド３９ｅが通過可能な貫通穴３２ｆが設けられる。この構成において、基板Ｗは、吸着パッド３９ｅに真空吸着された状態で昇降する。
吸着パッド３９ｅを用いる場合、さらに、昇降機構３９ｄに昇降軸３９ｃを回転させる回転機構を付設してもよい。言い換えれば、昇降機構３９ｄに代えて、昇降回転機構を設けてもよい。この場合、基板Ｗを、その上面上にある液膜を形成するＩＰＡが零れ落ちない程度の低速で回転させてもよい。
基板Ｗを回転させながら基板Ｗの下面の検査を行うことにより、例えばカメラ４０２の数が１つであっても、基板Ｗの下面周縁部の全周を検査することができる。基板Ｗを回転させながら基板Ｗの下面の乾燥処理を行うのであれば、ガス吐出口２０３の数を削減しても、均一な乾燥を行うことができる。また、カメラ４０２とガス吐出口２０３とを遠ざけることにより（異なる周方向位置に配置することにより）、ガスにより吹き飛ばされた液がカメラ４０２に直接付着することを防止することができる。
基板下面濡れ検知部４００として、例えば図２４に概略的に示されるように、反射型の検知部４０３を設けてもよい。反射型の検知部４０３は、基板Ｗの周縁部の下方に円周状のアレイを成すように配置された多数の検知素子を備えている。各検知素子は、検査光を基板Ｗの下方から基板Ｗの下面の周縁部に照射する光照射部と、基板Ｗの下面で反射された検査光を受光する受光部とを有している。反射型の検知部４０３は、基板Ｗの昇降が検知部４０３により妨害されないように、２つ以上（図示例では２つ）に分割され、駆動機構４０４により互いに接離可能となっている。分割されている点および接離可能な点においては、先に説明した液受け部３００と同様である。
反射型の検知部４０３の受光部は、例えば、受光した光の強度に応じた信号を発信する。この信号に基づいて例えば制御装置６によりデータ解析が行われ、基板Ｗの下面の周縁部に液が付着しているか否かの判定が行われる。
反射型の検知部４０３は、例えばレーザ変位計のような検査デバイスであってもよい。基板Ｗの下面の周縁部にＩＰＡの液滴が存在している場合、例えば液滴の場所で局所的に検出距離が小さくなる。これを利用して、液滴の存在を検出することができる。
基板下面濡れ検知部４００として、例えば図２５に概略的に示されるように、透過型の検知部を設けてもよい。透過型の検知部は、基板Ｗの周縁部の上方に配置された光照射部４０５と、基板Ｗの周縁部の下方に配置された受光部４０６とを有する。受光部４０６は、基板Ｗの周縁部の下方に円周状のアレイを成すように配置された多数の受光素子を有している。基板Ｗの上面の周縁部に全周にわたって均一な強度の光を照射することができるのであれば、光照射部４０５の構成は任意である。光照射部４０５および受光部４０６の各々は、基板Ｗの昇降を妨害しないように、２つ以上（図示例では２つ）に分割され、駆動機構４０７，４０８により互いに接離可能となっている。分割されている点および接離可能な点においては、先に説明した液受け部３００と同様である。
透過型の検知部の受光部４０６は、例えば、受光した光の強度に応じた信号を発信する。この信号に基づいて例えば制御装置６によりデータ解析が行われ、基板Ｗの下面の周縁部に液が付着しているか否かの判定が行われる。
図２４および図２５に示した基板下面濡れ検知部４００は、反射型の検知部４０３および受光部４０６を基板Ｗの周縁の真下に設ける必要があることから、基板下面乾燥部２００および液受け部３００から分離して設けた方が好ましい。図２４に示した基板下面濡れ検知部４００は、液受け部３００から離して例えば液受け部３００の上方に設けることができる。そうすることにより、基板下面乾燥部２００により吹き飛ばされた液が、反射型の検知部４０３および受光部４０６を濡らすおそれがなくなる。この場合、基板下面濡れ検知部４００により先に基板Ｗの下面に液が付着しているか否かを検査する。そして、液が付着している場合には、基板下面乾燥部２００付きの液受け部３００内に基板Ｗを収容し、基板Ｗの下面の乾燥を行う。液が付着していない場合には、液受け部３００を２つに分離して、基板Ｗを液受け部３００を通過させてトレイ３２の上に置くことができる。
なお、基板下面濡れ検知部４００への液付着防止対策（例えば窒素ガスパージ等）が講じられるならば、図２４および図２５に示した基板下面濡れ検知部４００を液受け部３００に組み込んでも構わない。図２４および図２５に示した基板下面濡れ検知部４００を液受け部３００に組み込む場合、反射型の検知部４０３および受光部４０６は、液受けカップ３０２の底壁３０７の上面の上に設置するか、上面に埋め込むことができる。光照射部４０５は、例えば、液受けカップ３０２の側壁３０８の上端部に取り付けることができる。なおこの場合、駆動機構４０４，４０７，４０８は不要である。
図２６に示すように、液受け部３００をトレイ３２より低い高さ位置に設けてもよい。この場合、トレイ３２の開閉（処理容器３１に対する進退）がリフターピン３９ａにより妨害されないように、図２７に示すように、トレイ３２に１つ以上のスリット３２ｅを設けることができる。
図２６の構成を採用した場合における基板Ｗを処理容器３１内に収容するまでの手順について以下に簡単に説明する。
まず、乾燥処理ユニット１８内に侵入した搬送装置１６の第１保持部１１０が、上限位置（図２６に示す高さ位置）にあるリフターピン３９ａに基板Ｗを載置し、液処理ユニット１７から退出する。次に、リフターピン３９ａが下降し、基板Ｗを液受け部３００内に収容する。このとき、トレイ３２は基板Ｗの下降を邪魔しないように、退避位置（図２６に示す水平方向位置）に退避している。液受け部３００内において基板下面濡れ検知部４００により基板Ｗの下面に液が付着しているか否かが検査され、液が付着していたら基板下面乾燥部２００により液を除去する。
次に、リフターピン３９ａが基板Ｗをトレイ３２よりもやや高い高さ位置まで上昇させ、次いで、トレイ３２が処理容器３１に向けて前進する。これにより、スリット３２ｅにリフターピン３９ａが通された状態となる。次に、リフターピン３９ａが下降して、基板Ｗをトレイ３２の所定位置に載置する。リフターピン３９ａはさらに下限位置まで下降し、これによりリフターピン３９ａがスリット３２ｅから脱出する。次いで、トレイ３２がさらに前進し、これにより基板Ｗを載置したトレイ３２が処理容器３１内に収容される。
図２８に示すように、乾燥処理ユニット１８が可動のトレイ３２を備えていなくてもよい。この場合、処理容器３１内に基板保持構造物３１ａ（基板保持部）が設けられており、基板保持構造物に搬送装置１６の第１保持部１１０が直接基板Ｗを載置するようになっている。トレイ３２に連結されていた蓋体３３に代えて、処理容器３１に蓋体３３ｂが設けられている。
図２８の実施形態においては、まず、乾燥処理ユニット１８内に侵入した搬送装置１６の第１保持部１１０が、上限位置（図２８に示す高さ位置）にあるリフターピン３９ａに基板Ｗを載置し、液処理ユニット１７から退出する。次に、リフターピン３９ａが下降し、基板Ｗを液受け部３００内に収容する。液受け部３００内において基板下面濡れ検知部４００により基板Ｗの下面に液が付着しているか否かが検査され、液が付着していたら基板下面乾燥部２００により液を除去する。
次に、基板Ｗを支持しているリフターピン３９ａが上限位置まで上昇し、再度乾燥処理ユニット１８内に侵入した搬送装置１６の第１保持部１１０が、リフターピン３９ａから基板Ｗを受け取る。次いで第１保持部１１０は処理容器３１内に基板Ｗを搬入し、処理容器３１内に設けられた基板保持構造物３１ａ（基板保持部）に基板Ｗを載置し、次いで液処理ユニット１７から退出する。次に、蓋体３３ｂにより処理容器３１が密閉される。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等の半導体装置の製造において用いられる他の種類の基板であってもよい。
Ｗ 基板
１６ 基板搬送部（搬送装置）
１８ 乾燥処理部
１８１ 乾燥エリア
１８２ 受渡エリア
３９ａ，３９ｃ，３９ｅ 基板支持部材
２００ 基板下面乾燥部

Claims (14)

  1. 上面が処理液で濡れた状態の基板を搬送する基板搬送部と、
    前記処理液で濡れた状態の前記基板を乾燥させる乾燥処理部と、
    を備え、
    前記乾燥処理部は
    前記基板搬送部との間で前記基板の受け渡しが行われる受渡エリアと、
    前記基板の上面の乾燥処理が行われる乾燥エリアと、を有し、
    前記受渡エリアに、
    前記基板搬送部から受け取った前記基板を水平姿勢で支持する基板支持部材と、
    前記基板の下面が前記処理液で濡れていた場合に、前記基板支持部材により支持されている前記基板の下面にガスを吹きつけることにより前記下面の乾燥を行う基板下面乾燥部と、
    が設けられている、基板処理装置。
  2. 前記受渡エリアに設けられ、前記基板搬送部が前記受渡エリアに搬入した前記基板の下面が濡れているか否かを検出する基板下面濡れ検知部をさらに備えた、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記受け渡しエリアに設けられ、前記基板下面乾燥部による前記基板の下面の乾燥時に前記基板の下面から離脱した処理液を受ける液受け部をさらに備えた、請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 前記液受け部に、前記基板下面濡れ検知部および前記基板下面乾燥部が一体化されている、請求項２に従属する請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記基板支持部材を昇降させる昇降機構をさらに備え、これにより前記基板支持部材が前記基板を支持した状態で前記受渡エリア内を昇降可能となっている、請求項１から４のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記乾燥処理部は、その中で前記基板の乾燥処理が行われる処理容器と、前記処理容器の中で前記基板を支持する基板保持部と、を有し、
    前記基板保持部は、前記処理容器の外側かつ前記受渡エリア内の外位置と、前記処理容器内の内位置との間で、水平方向に移動可能であり、
    前記基板保持部は、当該基板保持部を上下方向に貫通する貫通穴を有しており、
    前記基板支持部材は、前記基板保持部の上方であって、かつ、前記基板支持部材と前記基板搬送部との間で基板の受け渡しが行われる第１高さ位置と、前記基板保持部の下方の第２高さ位置との間を上下方向に移動可能であり、
    前記基板下面乾燥部は、前記第１高さ位置と前記第２高さ位置との間の第３高さ位置において前記基板支持部材により支持された前記基板の下面の乾燥を行うことができるように設けられている、
    請求項５記載の基板処理装置。
  7. 前記受け渡しエリアに設けられるとともに、前記基板下面乾燥部による基板の乾燥時に、前記第３高さ位置にある前記基板支持部材により支持された前記基板の下面から離脱した処理液を受ける液受け部をさらに備えている、請求項６記載の基板処理装置。
  8. 前記液受け部は、当該液受け部を上下方向に貫通するとともに前記基板支持部材が通過可能な貫通穴を有している、請求項７記載の基板処理装置。
  9. 前記液受け部は、分離および係合可能な第１部分および第２部分を有しており、前記第１部分および前記第２部分が分離しているときに、前記基板を支持している前記基板支持部材が、前記第１部分および前記第２部分の間に形成された隙間を上下方向に通過可能である、請求項７または８記載の基板処理装置。
  10. 前記液受け部は、平面視でリング形状を有しているか、あるいは全体としてカップ形の形状を有している、請求項９記載の基板処理装置。
  11. 前記基板支持部材は、昇降可能な複数のリフターピンを備え、各リフターピンは、その上端により前記基板の下面を支持する、請求項５から１０のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  12. 前記基板支持部材は、昇降可能な昇降軸と、前記昇降軸の上端に設けられた吸着パッドとを有し、前記吸着パッドは、前記基板の下面を吸着することにより前記基板を支持する、請求項５から１０のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  13. 前記昇降軸を鉛直軸線周りに回転させる回転機構をさらに備えた、請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記乾燥処理部は、超臨界状態の処理流体を用いて前記基板から前記処理液を除去して前記基板を乾燥させるように構成されている、請求項１から１３のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
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