CN114258581A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114258581A
CN114258581A CN202080057711.6A CN202080057711A CN114258581A CN 114258581 A CN114258581 A CN 114258581A CN 202080057711 A CN202080057711 A CN 202080057711A CN 114258581 A CN114258581 A CN 114258581A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
unit
drying
wafer
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080057711.6A
Other languages
English (en)
Inventor
山中励二郎
福井祥吾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN114258581A publication Critical patent/CN114258581A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本公开的基板处理装置(1)包括：液处理部(17)、干燥处理部(18)、输送部(16)以及气体供给部(124、35)。液处理部通过对基板(W)进行液处理而使基板的表面润湿。干燥处理部配置在与液处理部不同的位置，用于进行使表面润湿的基板干燥的干燥处理。输送部从液处理部取出表面润湿的基板并将其向干燥处理部输送。气体供给部在从液处理部取出表面润湿的基板之后到在干燥处理部开始干燥处理为止的期间中的至少一部分的期间内，向表面润湿的基板的背面供给气体。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往，在利用液体对半导体晶圆等基板的表面进行处理之后的干燥工序中，公知有以下技术：通过使被液体润湿了表面的状态下的基板与超临界状态的处理流体接触而使基板干燥。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-251550号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的目的在于提供以下技术：在使用超临界状态的处理流体而使基板干燥的技术中，能够抑制微粒向基板的表面附着。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置包括：液处理部、干燥处理部、输送部以及气体供给部。液处理部通过对基板进行液处理而使基板的表面润湿。干燥处理部配置在与液处理部不同的位置，用于进行使表面润湿的基板干燥的干燥处理。输送部从液处理部取出表面润湿的基板并将其向干燥处理部输送。气体供给部在从液处理部取出表面润湿的基板之后到在干燥处理部开始干燥处理为止的期间中的至少一部分的期间内，向表面润湿的基板的背面供给气体。
发明的效果
根据本公开，在使用超临界状态的处理流体而使基板干燥的技术中，能够抑制微粒向基板的表面附着。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理系统的结构的图。
图2是表示实施方式的输送装置的结构的侧视图。
图3是表示实施方式的第1保持部的结构的俯视图。
图4是表示实施方式的第2保持部的结构的俯视图。
图5是表示实施方式的第2保持部的结构的侧剖视图。
图6是表示实施方式的液处理单元的结构的图。
图7是实施方式的干燥处理单元的外观立体图。
图8是实施方式的第3保持部的俯视图。
图9是实施方式的第3保持部的侧剖视图。
图10是表示实施方式的基板处理系统所执行的处理的步骤的流程图。
图11是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
图12是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
图13是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
图14是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
图15是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
图16是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
图17是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
图18是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
图19是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
图20是表示实施方式的输送装置的动作例的图。
具体实施方式
以往，公知有以下技术：当在基板的表面形成液膜之后，使用超临界状态的处理流体而使基板干燥。
在此，当对在表面形成了液膜的基板进行输送时，基板的液膜的液体有可能向基板的背面迂回。若迂回到基板的背面的液体在之后的干燥处理中由于处理流体的流动而返回到基板的表面，则有可能在基板的附着有返回的液体的表面部分处产生微粒。
因此，在使用超临界状态的处理流体而使基板干燥的技术中，期望的是，抑制微粒向基板的表面附着。
以下，参照附图对用于实施本公开的基板处理装置和基板处理方法的形态(以下，记载为“实施方式”)进行详细地说明。另外，本公开的基板处理装置和基板处理方法并不被本实施方式所限定。此外，各实施方式能够在不使处理内容产生矛盾的范围内适当组合。此外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
此外，在以下参照的各附图中，为了易于说明，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，并将Z轴正方向设为铅垂向上方向的直角坐标系。此外，有时将以铅垂轴线作为旋转中心的旋转方向称为θ方向。
此外，在以下所示的实施方式中，虽然有时使用“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”这样的表述，但是这些表述并不需要严密地为“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表述容许制造精度、设置精度等的偏差。
〔1.基板处理系统的结构〕
首先，参照图1对实施方式的基板处理系统的结构进行说明。图1是表示实施方式的基板处理系统的结构的图。
如图1所示，基板处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻地设置。
送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置有多个载体C，该多个载体C将多张半导体晶圆(以下，记载为“晶圆W”)以水平状态收纳。
输送部12与载体载置部11相邻地设置。在输送部12的内部配置输送装置13和交接部14。
输送装置13包括用于保持晶圆W的晶圆保持机构。此外，输送装置13能够向水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴线为中心回转，使用晶圆保持机构而在载体C与交接部14之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送模块4和多个处理模块5。
输送模块4包括输送区域15和输送装置16。输送区域15例如是沿着送入送出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)延伸的长方体状的区域。在输送区域15配置输送装置16。
输送装置16包括用于保持晶圆W的晶圆保持机构。输送装置16能够向水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴线为中心回转，使用晶圆保持机构而在交接部14与多个处理模块5之间进行晶圆W的输送。
多个处理模块5在输送区域15的两侧与输送区域15相邻地配置。具体地说，多个处理模块5配置在输送区域15的与送入送出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)正交的方向(Y轴方向)上的一侧(Y轴正方向侧)和另一侧(Y轴负方向侧)。
各处理模块5包括液处理单元17、干燥处理单元18以及供给单元19。
液处理单元17进行对晶圆W的作为图案形成面的上表面进行清洗的清洗处理。此外，液处理单元17进行在清洗处理后的晶圆W的表面(上表面)形成液膜的液膜形成处理。后面叙述液处理单元17的结构。
干燥处理单元18对液膜形成处理后的晶圆W进行超临界干燥处理。具体地说，干燥处理单元18通过使液膜形成处理后的晶圆W与超临界状态的处理流体接触而使该晶圆W干燥。
干燥处理单元18包括进行超临界干燥处理的处理区域181和在输送模块4与处理区域181之间交接晶圆W的交接区域182。这些处理区域181和交接区域182沿着输送区域15排列。后面叙述干燥处理单元18的具体的结构。
供给单元19对干燥处理单元18供给处理流体。具体地说，供给单元19具备包括流量计、流量调整器、背压阀以及加热器等的供给设备组和用于收纳供给设备组的框体。在实施方式中，供给单元19向干燥处理单元18供给CO2作为处理流体。
基板处理系统1包括控制装置6。控制装置6例如是计算机，包括控制部61和存储部62。
控制部61包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、ROM(Read OnlyMemory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机、各种的电路。该微型计算机的CPU通过读取并执行存储在ROM的程序，从而控制输送装置16、液处理单元17以及干燥处理单元18等的动作。
该程序记录在能够由计算机读取的记录介质，也可以是从该记录介质加载到控制装置6的存储部62的程序。作为能够由计算机读取的记录介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、小型光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
存储部62例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件或者硬盘、光盘等存储装置来实现。
〔2.输送装置的结构〕
接着，参照图2对在输送区域15配置的输送装置16的结构进行说明。图2是表示实施方式的输送装置16的结构的侧视图。
如图2所示，实施方式的输送装置16包括：第1保持部110、第2保持部120、第1进退机构130、第2进退机构140、升降机构150以及水平移动机构160。
第1保持部110用于保持晶圆W。第2保持部120配置在第1保持部110的下方，用于保持晶圆W。后面叙述第1保持部110和第2保持部120的结构。
第1进退机构130使第1保持部110沿着水平方向、具体地说是沿着与输送区域15的延伸方向正交的Y轴方向使第1保持部110进退。第2进退机构140使第2保持部120沿着Y轴方向进退。
升降机构150通过使第1进退机构130和第2进退机构140沿着铅垂方向移动，从而使第1保持部110和第2保持部120升降。水平移动机构160通过使升降机构150沿着X轴方向移动，从而使第1保持部110和第2保持部120在输送区域15的延伸方向上水平移动。
接着，参照图3对第1保持部110的结构进行说明。图3是表示实施方式的第1保持部110的结构的俯视图。
如图3所示，第1保持部110例如包括具有横向宽度比晶圆W的直径小的两叉形状的平板状的基座部111和设于基座部111的表面的多个支承构件112。第1保持部110通过使用多个支承构件112从下方支承晶圆W而将晶圆W保持为水平。
接着，参照图4和图5对第2保持部120的结构进行说明。图4是表示实施方式的第2保持部120的结构的俯视图。图5是表示实施方式的第2保持部120的结构的侧剖视图。
如图4和图5所示，第2保持部120包括：基座部121、多个支承构件122、多个把持部123、第1气体供给部124以及排液部125。
基座部121是配置在晶圆W的下方的板状的构件。在基座部121形成有直径比晶圆W的直径大的圆形状的凹部121a，晶圆W借助后述的多个支承构件122载置在该凹部121a内。
多个支承构件122是从凹部121a的底面向上方突出的构件，用于从下方支承晶圆W的外周部。晶圆W通过被支承于多个支承构件122，而成为相对于基座部121浮起的状态。
各支承构件122与升降机构122a连接，能够利用升降机构122a沿着铅垂方向移动。即，多个支承构件122能够相对于基座部121升降。由此，多个支承构件122能够在比基座部121的表面高的位置支承晶圆W，并且也能够在比基座部121的上表面低的位置支承晶圆W。
也可以是，升降机构122a例如利用马达等电动机的驱动力使支承构件122升降。此外，也可以是，升降机构122a利用由压电元件产生的逆压电效应使支承构件122升降。此外，也可以是，升降机构122a利用气压使支承构件122升降。
另外，第2保持部120不一定需要包括多个升降机构122a。即，也可以是，第2保持部120是包括使多个支承构件122一体地升降的一个升降机构122a的结构。
多个把持部123例如设于凹部121a的周壁。各把持部123与移动机构123a连接，能够利用移动机构123a沿着水平方向、具体地说是沿着晶圆W的径向移动。如此，多个把持部123能够相对于晶圆W靠近或后退。由此，多个把持部123能够通过朝向晶圆W移动而从侧方把持晶圆W。此外，多个把持部123能够通过远离晶圆W来解除把持着晶圆W的状态。
如图5所示，多个把持部123在如下高度位置把持晶圆W：至少晶圆W的表面、优选的是在晶圆W上形成的液膜L的表面比基座部121的上表面低。由此，在利用后述的第1气体供给部124向晶圆W的背面(下表面)的外周部供给气体时，能够抑制液膜L的液体向第2保持部120的外部飞散。另外，从晶圆W落下来的液膜L的液体在被收集于基座部121的凹部121a之后，由后述的排液部125从凹部121a排出。
第1气体供给部124对由多个把持部123把持的晶圆W的背面的外周部供给气体。由此，第1气体供给部124能够抑制在晶圆W的表面形成的液膜L的液体从晶圆W的表面的周缘部向晶圆W的背面迂回的情况。
第1气体供给部124包括：多个喷出口124a、供给管124b、流量调整部124c以及气体供给源124d。
多个喷出口124a设于基座部121的凹部121a的底面，朝向晶圆W的背面的外周部喷出气体。多个喷出口124a以沿着与晶圆W同心的圆的圆周在圆周上排列的方式配置于凹部121a的底面。由此，第1气体供给部124能够在晶圆W的整周上适当地抑制液膜L的液体向晶圆W的背面迂回。
供给管124b将多个喷出口124a与气体供给源124d连接起来，供从气体供给源124d供给的气体流通。流量调整部124c设于供给管124b的中途部，通过开闭供给管124b，开始或停止气体的自喷出口124a的喷出，或者调整从喷出口124a喷出的气体的流量。气体供给源124d例如供给氮气作为气体。另外，从气体供给源124d供给的气体例如也可以是氩气等除了氮气以外的非活性气体。第1气体供给部124通过使用非活性气体作为向晶圆W的背面供给的气体，从而能够抑制例如晶圆W的氧化等。另外，气体供给源124d也可以供给除了非活性气体以外的气体、例如干燥空气等。
排液部125例如是设于凹部121a的底面的中央部的开口。排液部125与排出管125a连接，能够经由排出管125a将积存在凹部121a的液膜L的液体等向第2保持部120的外部排出。
另外，多个支承构件122、多个把持部123以及多个喷出口124a的数量不限定于图示的例子。
〔3.液处理单元的结构〕
接着，参照图6对液处理单元17的结构进行说明。图6是表示实施方式的液处理单元17的结构的图。液处理单元17例如构成为利用旋转清洗逐张地对晶圆W进行清洗的单片式的清洗装置。
如图6所示，液处理单元17利用在形成处理空间的外室23内配置的晶圆保持机构25将晶圆W保持为大致水平，使该晶圆保持机构25绕铅垂轴线旋转从而使晶圆W旋转。然后，液处理单元17使喷嘴臂26进入旋转的晶圆W的上方，从设于该喷嘴臂26的顶端部的化学溶液喷嘴26a按照预定的顺序供给化学溶液、冲洗液，从而进行晶圆W的表面的清洗处理。
在液处理单元17，在晶圆保持机构25的内部形成有气体供给路径25a。液处理单元17向晶圆W的背面中央部供给从上述气体供给路径25a供给的气体、例如氮气等非活性气体。
对于清洗处理，例如，最初由作为碱性的化学溶液的SC1液(氨和过氧化氢水的混合液)进行微粒、有机性的污染物质的去除，接着，由作为冲洗液的去离子水(DeIonizedWater：以下，记载为“DIW”)进行冲洗清洗。接着，由作为酸性化学溶液的稀氢氟酸水溶液(Diluted HydroFluoric acid：以下，记载为“DHF”)进行自然氧化膜的去除，接着，由DIW进行冲洗清洗。
上述的各种化学溶液被外室23、配置于外室23内的内杯24承接，从设于外室23的底部的排液口23a、设于内杯24的底部的排液口24a排出。然后，外室23内的气氛从设于外室23的底部的排气口23b排出。
液膜形成处理在清洗处理中的冲洗处理之后进行。具体地说，液处理单元17一边使晶圆保持机构25旋转，一边向晶圆W的表面和背面供给IPA液体。由此，使在晶圆W的两面残留的DIW置换为IPA。
此时，液处理单元17从气体供给路径25a向晶圆W的背面中央部供给气体。供给到晶圆W的背面中央部的气体沿着晶圆W的背面朝向晶圆W的背面的外周部流动。由此，在液处理单元17的液膜形成处理中，能够抑制供给到晶圆W的表面的IPA向晶圆W的背面迂回。之后，液处理单元17缓缓地停止晶圆保持机构25的旋转。
在结束了液膜形成处理的晶圆W的表面形成有IPA液体的液膜，在该状态下，利用设于晶圆保持机构25的交接机构(后述的升降销25b)向输送装置16交接，并从液处理单元17送出。防止以下情况的发生：在从液处理单元17向干燥处理单元18输送晶圆W的输送过程中、向干燥处理单元18送入的送入动作过程中，由于晶圆W上表面的液体蒸发(气化)，在晶圆W上形成的液膜发生图案倒塌。
〔4.干燥单元的结构〕
接着，参照图7～图9对干燥处理单元18的结构进行说明。图7是实施方式的干燥处理单元18的外观立体图。图8是实施方式的第3保持部的俯视图。图9是实施方式的第3保持部的侧剖视图。
如图7所示，干燥处理单元18包括：处理容器31、第3保持部32、盖体33以及升降机39。
处理容器31例如是能够形成16～20MPa程度的高压环境的压力容器。处理容器31配置于处理区域181(参照图1)，超临界干燥处理在处理容器31的内部空间即处理空间进行。
第3保持部32在水平方向上保持晶圆W。盖体33支承第3保持部32。盖体33与移动机构33a连接，利用移动机构33a在处理区域181与交接区域182之间水平移动。通过盖体33向处理区域181移动，第3保持部32被配置于处理容器31的内部，盖体33堵塞处理容器31的开口部34。
在处理容器31的壁部设有供给端口35A、35B、排出端口36。供给端口35A与向处理空间内供给处理流体的供给管线35C连接。供给端口35B与向处理空间内供给处理流体的供给管线35D连接。排出端口36与从处理空间排出处理流体的排出管线36A连接。
供给端口35A连接于处理容器31的与开口部34相反的一侧的侧面，供给端口35B与处理容器31的底面连接。此外，排出端口36与开口部34的下方侧连接。另外，供给端口35A、35B、排出端口36的数量没有特别限定。
在处理容器31的内部设有流体供给集管37A、37B和流体排出集管38。流体供给集管37A、37B和流体排出集管38均形成有多个开孔。
流体供给集管37A与供给端口35A连接，在处理容器31的内部同与开口部34相反的一侧的侧面相邻地设置。此外，在流体供给集管37A形成的多个开孔朝向开口部34侧。
流体供给集管37B与供给端口35B连接，设于处理容器31的内部的底面的中央部。在流体供给集管37B形成的多个开孔朝向上方。
流体排出集管38与排出端口36连接，在处理容器31的内部与开口部34侧的侧面相邻，并且设于比开口部34靠下方的位置。在流体排出集管38形成的多个开孔朝向流体供给集管37A侧。
干燥处理单元18从流体供给集管37A、37B向处理容器31的内部供给被加热了的处理流体，并且经由流体排出集管38排出处理容器31内的处理流体。另外，在处理流体的排出路径设有用于调整处理流体自处理容器31排出的排出量的缓冲器，利用缓冲器调整处理流体的排出量，以便将处理容器31内的压力调整为期望的压力。由此，在处理容器31内维持处理流体的超临界状态。以下，将超临界状态的处理流体记载为“超临界流体”。
若在晶圆W的表面形成的液膜L的液体向晶圆W的背面迂回的状态下进行超临界干燥处理，则由于从流体供给集管37B等向晶圆W的背面供给的超临界流体的流动，迂回到背面的液体有可能返回晶圆W的表面。在该情况下，有可能在晶圆W的附着有返回的液体的表面部分产生微粒。
在晶圆W的图案形成面(上表面)存在的IPA液体通过与处于高压状态(例如，16MPa)的超临界流体接触，从而逐渐地溶解于超临界流体，最终置换为超临界流体。由此，图案之间的间隙成为被超临界流体充满的状态。
之后，干燥处理单元18将处理容器31内的压力从高压状态减压至大气压。由此，充满图案之间的间隙的超临界流体变化为通常的、即气体状态的处理流体。
如此，干燥处理单元18在将存在于图案形成面的IPA液体置换为超临界流体之后，通过使超临界流体回到气体状态的处理流体，从而从图案形成面去除IPA液体而使图案形成面干燥。
超临界流体与液体(例如IPA液体)相比粘度较小，此外，溶解液体的能力也较高，并且在超临界流体和处于平衡状态的液体、气体之间不存在界面。因而，通过进行超临界干燥处理，能够不受表面张力的影响地使液体干燥。即，能够抑制图案在干燥处理时倒塌。
另外，在实施方式中，使用IPA液体作为干燥防止用的液体，使用CO2作为处理流体，但也可以使用除了IPA以外的液体作为干燥防止用的液体，还可以使用除了CO2以外的流体作为处理流体。
升降机39包括多个升降销39a和与多个升降销39a的下端连接而支承多个升降销39a的支承体39b。
升降机39利用升降驱动部(未图示)升降。具体地说，升降机39在同输送装置16之间进行晶圆W的交接的交接位置与待机位置之间升降。待机位置是不与盖体33以及第3保持部32干渉的、比盖体33和第3保持部32靠下方的位置。
如图8和图9所示，第3保持部32包括基座部32a、多个支承构件32b以及多个贯通孔32d。
基座部32a是配置于晶圆W的下方的板状的构件。在基座部32a形成有直径比晶圆W的直径大的圆形状的凹部32a1，晶圆W借助后述的多个支承构件32b载置在该凹部内。
多个支承构件32b是从在基座部32a形成的凹部32a1的底面向上方突出的构件，从下方支承晶圆W的外周部。晶圆W被多个支承构件32b支承，从而成为相对于基座部32a浮起的状态(参照图9)。多个支承构件32b的数量、配置不限定于图示的例子。
多个贯通孔32d形成于在基座部32a形成的凹部32a1的底面，在铅垂方向上贯穿基座部32a。多个贯通孔32d例如形成于比多个支承构件32b靠在基座部32a形成的圆形状的凹部的径向内侧的位置。多个贯通孔32d作为从处理空间31a的底面31c供给的处理流体的流路发挥功能。此外，多个贯通孔32d中的、在上述圆形状的凹部的中央部形成的三个贯通孔32d也作为升降销39a的贯穿孔发挥功能。多个贯通孔32d的数量、配置不限定于图示的例子。
此外，如图9所示，干燥处理单元18还包括第2气体供给部35。第2气体供给部35配置于交接区域182(参照图1)。
第2气体供给部35包括：喷出部35a、供给管35b、流量调整部35c以及气体供给源35d。喷出部35a以喷出口朝向上方的状态配置于在交接区域182配置的第3保持部32的下方。供给管35b将喷出部35a与气体供给源35d连接起来，供从气体供给源35d供给的气体流通。流量调整部35c设于供给管35b的中途部，通过开闭供给管35b，开始或停止气体的自喷出部35a的喷出，或者调整从喷出部35a喷出的气体的流量。气体供给源35d例如供给氮气等非活性气体作为气体。另外，气体供给源35d也可以供给除了非活性气体以外的气体、例如干燥空气等。
第2气体供给部35从喷出部35a朝向第3保持部32所具备的基座部32a的下表面喷出气体。向基座部32a的下表面喷出来的气体在经由在基座部32a形成的多个贯通孔32d到达晶圆W的背面之后，沿着晶圆W的背面朝向晶圆W的背面的外周部流动。由此，能够在使晶圆W从输送装置16交接至第3保持部32之后，直到第3保持部32移动到处理容器31内而开始干燥处理为止的期间，抑制向晶圆W的表面供给的IPA向晶圆W的背面迂回。
另外，也可以是，第2气体供给部35还包括使喷出部35a水平移动的移动机构。由此，能够遍及晶圆W的背面的外周部地供给气体，而能够更可靠地抑制液膜L的液体向晶圆W的背面迂回。
〔5.关于基板处理系统的具体的动作〕
接着，参照图10～图20对基板处理系统1的具体的动作进行说明。图10是表示实施方式的基板处理系统1所执行的处理的步骤的流程图。另外，在图10示出了将晶圆W送入液处理单元17到从干燥处理单元送出为止的处理步骤的一例。此外，图11～图20是表示实施方式的输送装置16的动作例的图。图10所示的各处理步骤根据控制部61的控制来执行。
在基板处理系统1中，首先，输送装置13取出收纳在载体C的晶圆W并将其载置于交接部14。接下来，输送装置16在从交接部14取出了晶圆W之后，如图10所示，将取出来的晶圆W向液处理单元17送入(步骤S101)。
具体地说，输送装置16使用第1保持部110(参照图3)从交接部14取出晶圆W。然后，输送装置16将使用第1保持部110保持着的晶圆W从交接部14向液处理单元17输送。
接下来，在基板处理系统1中，液处理单元17对晶圆W进行液处理(步骤S102)。具体地说，液处理单元17在使用化学溶液、冲洗液进行了晶圆W的表面的清洗处理之后，进行向晶圆W的表面供给IPA液体而形成液膜L的液膜形成处理。
接下来，在基板处理系统1中，将液处理后的晶圆W即形成有液膜L的晶圆W从液处理单元17向输送装置16交接(步骤S103)。
具体地说，如图11所示，首先，液处理单元17通过使设于晶圆保持机构25的多个升降销25b上升，从而使用多个升降销25b使液处理后的晶圆W上升。接下来，输送装置16通过使用第1进退机构130(参照图2)使第1保持部110水平移动，而使第1保持部110配置于晶圆W的下方。然后，如图12所示，输送装置16使用升降机构150(参照图2)使第1保持部110上升。由此，晶圆W被从液处理单元17向输送装置16交接。
接下来，在基板处理系统1中，输送装置16将晶圆W从第1保持部110转移到第2保持部120(步骤S104)。
具体地说，如图13所示，输送装置16通过使用第2进退机构140(参照图1)使第2保持部120水平移动，从而使第2保持部120配置于第1保持部110的下方。之后，如图14所示，输送装置16通过使用多个升降机构122a使多个支承构件122上升，从而使在第1保持部110保持的晶圆W由多个支承构件122支承。
接下来，如图15所示，输送装置16使用第1进退机构130使第1保持部110后退。之后，输送装置16在使用多个升降机构122a使多个支承构件122下降了之后，使用多个移动机构123a使多个把持部123水平移动，从而使用多个把持部123把持晶圆W。由此，能够在后述的第1吹扫处理中抑制由从第1气体供给部124供给的气体引起的晶圆W的位置偏移。
如此，输送装置16将液处理后的晶圆W从第1保持部110转移到第2保持部120。
接下来，在基板处理系统1中，开始第1吹扫处理(步骤S105)。具体地说，输送装置16通过使用流量调整部124c(参照图5)打开供给管124b，从而从第1气体供给部124所具备的多个喷出口124a朝向晶圆W的背面的外周部喷出气体。由此，抑制在晶圆W的表面形成的液膜L的液体向晶圆W的背面迂回。
接下来，在基板处理系统1中，在进行着上述第1吹扫处理的状态下，将晶圆W向干燥处理单元18送入(步骤S106)。
具体地说，如图17所示，输送装置16在使用第2保持部120保持着晶圆W的状态下，将晶圆W从液处理单元17送出。然后，输送装置16使保持着晶圆W的第2保持部120配置于在干燥处理单元18的交接区域182配置的第3保持部32的上方。
之后，输送装置16通过使用流量调整部124c关闭供给管124b，从而结束第1吹扫处理(步骤S107)。
接下来，在基板处理系统1中，输送装置16进行从第2保持部120向第1保持部110的晶圆W的转移(步骤S108)。
具体地说，输送装置16在使多个支承构件122上升了之后，如图18所示，通过使第1保持部110水平移动，从而使第1保持部110配置于晶圆W的下方。然后，输送装置16通过使多个支承构件122下降而将晶圆W向第1保持部110交接。之后，如图19所示，输送装置16使第2保持部120后退。
接下来，在基板处理系统1中，进行晶圆W从输送装置16向干燥处理单元18的交接(步骤S109)。
具体地说，干燥处理单元18通过使多个升降销39a上升，从而使在第1保持部110保持着的晶圆W上升，而使晶圆W支承于多个升降销39a。或者，也可以是，输送装置16通过使第1保持部110下降，从而使晶圆W支承于预先上升了的多个升降销39a。之后，输送装置16使第1保持部110后退。然后，干燥处理单元18通过使多个升降销39a下降而使晶圆W保持于第3保持部32。
接下来，在基板处理系统1中，开始第2吹扫处理(步骤S110)。具体地说，干燥处理单元18通过使用流量调整部35c(参照图9)打开供给管35b，从而从第2气体供给部35所具备的喷出部35a朝向第3保持部32所具备的基座部32a的下表面喷出气体。
向基座部32a的下表面喷出来的气体在穿过形成于基座部32a的多个贯通孔32d到达了晶圆W的背面之后，沿着晶圆W的背面朝向晶圆W的背面的外周部流动。由此，抑制在晶圆W的表面形成的液膜L的液体向晶圆W的背面迂回。
接下来，干燥处理单元18通过使用移动机构33a(参照图8)使第3保持部32水平移动，从而将晶圆W向处理容器31送入(步骤S111)。干燥处理单元18在第3保持部32的移动开始了之后，在将晶圆W送入处理容器31内之前，停止由第2气体供给部35进行的气体的喷出。另外，也可以是，干燥处理单元18在第3保持部32的移动开始之前，停止由第2气体供给部35进行的气体的喷出。
接下来，在基板处理系统1中，进行超临界干燥处理(步骤S112)。具体地说，干燥处理单元18通过使液膜形成处理后的晶圆W与超临界状态的处理流体接触而使该晶圆W干燥。
接下来，在基板处理系统1中，输送装置16将晶圆W从干燥处理单元18送出(步骤S113)。具体地说，输送装置16使用第1保持部110保持超临界干燥处理后的晶圆W，并从输送装置16送出保持着的晶圆W。之后，输送装置16将晶圆W向交接部14载置，输送装置13自交接部14取出晶圆W并向载体C返回。由此，对于一张晶圆W的一系列的基板处理结束。
〔6.变形例〕
也可以是，对于输送装置16，在第1吹扫处理中，根据输送装置16的动作变更从第1气体供给部124供给的气体的流量。
例如，也可以是，对于输送装置16，在步骤S106中，在包括由第2进退机构140进行的第2保持部120的水平移动的开始时刻在内的预定的期间以及包括结束时刻在内的预定的时间内，增加气体的流量。此外，也可以是，对于输送装置16，在步骤S106中，在包括由水平移动机构160进行的第2保持部120的水平移动的开始时刻在内的预定的期间以及包括结束时刻在内的预定的时间内，增加气体的流量。由此，能够在第2保持部120的动作开始、动作结束或者方向改变时，更可靠地抑制液膜L的液体从晶圆W滴落。
此外，也可以是，输送装置16根据于液膜形成处理中在晶圆W的表面形成的液膜L的液量，变更在第1吹扫处理中从第1气体供给部124供给的气体的流量。即，也可以是，对于输送装置16，液膜L的液量越多，越增加从第1气体供给部124供给的气体的流量。由此，能够更妥善地抑制液膜L的液体向晶圆W的背面迂回。
如上所述，实施方式的基板处理装置(作为一例，基板处理系统1)包括：液处理部(作为一例，液处理单元17)、干燥处理部(作为一例，干燥处理单元18)、输送部(作为一例，输送装置16)以及气体供给部(作为一例，第1气体供给部124和第2气体供给部35)。液处理部通过对基板(作为一例，晶圆W)进行液处理而使基板的表面润湿。干燥处理部配置在与液处理部不同的位置，进行使表面润湿的基板干燥的干燥处理。输送部从液处理部取出表面润湿的基板并将其向干燥处理部输送。气体供给部在从液处理部取出表面润湿的基板之后到在干燥处理部开始干燥处理为止的期间中的至少一部分的期间内，向表面润湿的基板的背面供给气体。
由此，在从液处理部取出表面润湿的基板之后到在干燥处理部开始干燥处理为止的期间中的至少一部分的期间内，抑制液体从基板的表面向背面迂回。因而，能够在使用超临界状态的处理流体来使基板干燥的技术中抑制微粒向基板的表面附着。
也可以是，气体供给部包括第1气体供给部(作为一例，第1气体供给部124)。第1气体供给部设于输送部。通过在输送部设置第1气体供给部，从而例如能够抑制在从液处理部向干燥处理部的输送过程中的液体向基板的背面迂回。
也可以是，输送部包括：第1保持部(作为一例，第1保持部110)、第2保持部(作为一例，第2保持部120)以及水平移动机构(作为一例，水平移动机构160)。第1保持部从液处理部承接表面润湿的基板。第2保持部从第1保持部承接表面润湿的基板并将其向干燥处理部输送。水平移动机构在液处理部与干燥处理部之间使第1保持部和第2保持部移动。在该情况下，也可以是，第1气体供给部设于第2保持部。
在从液处理部承接基板的第1保持部之外还设置第2保持部，通过在该第2保持部设置第1气体供给部，从而不会对从液处理部承接基板的动作造成妨碍，能够抑制液体向基板的背面迂回。
也可以是，第2保持部包括基座部(作为一例，基座部121)和多个支承构件(作为一例，多个支承构件122)。基座部配置于第1保持部的下方。多个支承构件能够相对于基座部升降，而从下方支承表面润湿的基板。在该情况下，也可以是，第1气体供给部设于基座部。通过在基座部设置第1气体供给部，能够容易地对与第2保持部一起移动的基板进行气体的供给。
也可以是，第2保持部还包括多个把持部(作为一例，多个把持部123)。多个把持部从侧方把持表面润湿的基板。通过使用多个把持部从侧方把持表面润湿的基板，能够抑制由从第1气体供给部供给的气体引起的基板的位置偏移。
也可以是，第1气体供给部包括多个喷出口(作为一例，多个喷出口124a)。多个喷出口朝向基板的背面的外周部喷出气体。由此，能够更可靠地抑制液体向基板的背面迂回。
也可以是，气体供给部包括第2气体供给部(作为一例，第2气体供给部35)。第2气体供给部设于干燥处理部。通过在干燥处理部设置第2气体供给部35，例如能够在表面润湿的状态的基板送入到干燥处理部之后直到干燥处理开始为止的期间抑制液体向基板的背面迂回。
干燥处理部还包括：处理容器(作为一例，处理容器31)、第3保持部(作为一例，第3保持部32)以及移动机构(作为一例，移动机构33a)。处理容器进行干燥处理。第3保持部用于保持表面润湿的基板。移动机构使第3保持部在同处理容器相邻的交接区域(作为一例，交接区域182)与处理容器的内部之间移动。在该情况下，也可以是，第2气体供给部设于交接区域。通过在交接区域设置第2气体供给部，例如能够在直到干燥处理开始的期间，在使表面润湿的基板在交接区域待机的情况下，抑制液体向待机中的基板的背面迂回。
也可以是，气体供给部对基板的背面供给非活性气体。通过使用非活性气体，例如能够抑制基板的氧化等。
另外，在上述的实施方式中，对在液处理部使液膜形成于基板的表面的情况的例子进行了说明，但对于基板处理装置，只要在液处理部使基板的表面润湿即可，不一定需要在基板的表面形成液膜。
应该认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示而并非限制性的。实际上，上述的实施方式可以以各种形态实现。另外，上述的实施方式也可以在不脱离权利要求书及其主旨的范围内以各种形态进行省略、置换、变更。
附图标记说明
W、晶圆；1、基板处理系统；2、送入送出站；3、处理站；5、处理模块；16、输送装置；17、液处理单元；18、干燥处理单元；19、供给单元；31、处理容器；32、第3保持部；35、第2气体供给部；110、第1保持部；120、第2保持部；121、基座部；122、支承构件；123、把持部；124、第1气体供给部；125、排液部；130、第1进退机构；140、第2进退机构；150、升降机构；160、水平移动机构。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
液处理部，其通过对基板进行液处理而使所述基板的表面润湿；
干燥处理部，其配置在与所述液处理部不同的位置，用于进行使所述表面润湿的所述基板干燥的干燥处理；
输送部，其从所述液处理部取出所述表面润湿的所述基板并将其向所述干燥处理部输送；以及
气体供给部，其在从所述液处理部取出了所述表面润湿的所述基板之后到在所述干燥处理部开始所述干燥处理为止的期间中的至少一部分的期间内，向所述表面润湿的所述基板的背面供给气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述气体供给部包括设于所述输送部的第1气体供给部。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述输送部包括：
第1保持部，其从所述液处理部承接所述表面润湿的所述基板；
第2保持部，其从所述第1保持部承接所述表面润湿的所述基板并将其向所述干燥处理部输送；以及
水平移动机构，其使所述第1保持部和所述第2保持部在所述液处理部与所述干燥处理部之间移动，
所述第1气体供给部设于所述第2保持部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述第2保持部包括：
基座部，其配置于所述第1保持部的下方；以及
多个支承构件，其能够相对于所述基座部升降，用于从下方支承所述表面润湿的所述基板，
所述第1气体供给部设于所述基座部。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述第2保持部还包括用于从侧方把持所述表面润湿的所述基板的多个把持部。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述第1气体供给部包括朝向所述基板的背面的外周部喷出所述气体的多个喷出口。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述气体供给部包括设于所述干燥处理部的第2气体供给部。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
所述干燥处理部还包括：
处理容器，其用于进行所述干燥处理；
第3保持部，其用于保持所述表面润湿的所述基板；以及
移动机构，其使所述第3保持部在同所述处理容器相邻的交接区域与所述处理容器的内部之间移动，
所述第2气体供给部设于所述交接区域。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述气体供给部对所述基板的背面供给非活性气体。
10.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括以下工序：
使用用于对基板进行液处理的液处理部使所述基板的表面润湿的工序；
使用干燥处理部使所述表面润湿的所述基板干燥的工序，该干燥处理部配置在与所述液处理部不同的位置，用于使所述表面润湿的所述基板干燥；
从所述液处理部取出所述表面润湿的所述基板并将其向所述干燥处理部输送的工序；以及
在从所述液处理部取出了所述表面润湿的所述基板之后到在所述干燥处理部开始所述使所述表面润湿的所述基板干燥的工序为止的期间中的至少一部分的期间内，向所述表面润湿的所述基板的背面供给气体的工序。
CN202080057711.6A 2019-08-22 2020-08-11 基板处理装置和基板处理方法 Pending CN114258581A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-152014 2019-08-22
JP2019152014 2019-08-22
PCT/JP2020/030534 WO2021033588A1 (ja) 2019-08-22 2020-08-11 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114258581A true CN114258581A (zh) 2022-03-29

Family

ID=74660978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080057711.6A Pending CN114258581A (zh) 2019-08-22 2020-08-11 基板处理装置和基板处理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7337175B2 (zh)
KR (1) KR20220046669A (zh)
CN (1) CN114258581A (zh)
WO (1) WO2021033588A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023007226A (ja) 2021-07-01 2023-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1672682A4 (en) * 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP2008243935A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US9587880B2 (en) 2012-05-31 2017-03-07 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for drying substrate
JP6906331B2 (ja) * 2017-03-02 2021-07-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021033588A1 (ja) 2021-02-25
KR20220046669A (ko) 2022-04-14
JP7337175B2 (ja) 2023-09-01
JPWO2021033588A1 (zh) 2021-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107403742B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR102604997B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
KR100914764B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
CN112652551A (zh) 基板处理系统和基板处理方法
JP2018093063A (ja) 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システム
CN112652552A (zh) 基板处理系统和基板处理方法
CN216389270U (zh) 基片处理系统
KR20110113132A (ko) 기판 처리 장치
US20190103291A1 (en) Substrate processing apparatus
JP4053800B2 (ja) 基板処理装置
CN107492513B (zh) 液处理装置、液处理方法以及存储介质
CN211182165U (zh) 基板处理装置
KR101964655B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN114258581A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR20210134502A (ko) 기판 처리 장치
JP2010114101A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI791109B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN110429041B (zh) 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
KR102678998B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
KR102679000B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101979601B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN110660701A (zh) 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
JP2020017618A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20220359233A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN112585722B (zh) 基片处理方法和基片处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination