TW587278B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

(1) 玖、發明說明 (發明况明應敘明·發賴屬之技觸域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明 技術領域 本發明係關於一種微影投射裝置包括： -一用於供應一輻射投影束之輻射系統； -一用於支撐圖型形成構件之支撐結構，該圖型形成構件 是用來按照欲有之圖型將投影束圖型化； -一用於保持一基板之基板座； •一用於將圖型化之束投射至基板目標部分上之投影.系 統； 其中置有對污染物敏感組件之第一室；及 -用於以第一清除氣體清除該第一室内部之第一氣體供應 構件。 八… 先前技術 此處所用之「圖型形成構件」一詞應廣義解釋為係指用 以使一進入之輻射束具有相當於在基板目標部分中所形成 圖型之圖型化斷面之裝置；在本文中亦可用「光閥」一詞。 一般§之，該圖型會對應於在目標部分所形成一裝置中之 特定功能層，諸如一積體電路或其他裝置（見下文）。該圖 型形成構件包括： _ 一掩模。掩模構想在石印術中為人所熟知，它包括之掩 模類型有諸如二進位、交互位移與衰減位移以及各種混 a聖掩模。在輻射束中放置此種掩模使得投碰在掩模上 之輻射可有按照掩模上圖型之選擇性發射（若為發射型 掩模時）或反射（若為反射型掩模時）。對掩模而言，該支 (2)587278 發明說明續頁 从7 j續貝 =結構通常為-掩模座，能確使掩模料錢來 —之欲有位置，且在必要時可對著輻射束移動。田 —可程式化之鏡陣列。該裝置之—例為具有― 控制層及一反射表面之矩陣可存 '少 干J什取衣面。該裝 射表面之被存取區將入射光反射為衍射二 対取區㈣人射光反料未衍射n適當 為可將未衍射光從被反射之束中廣 〜 不L愿出而僅留下衍射光； 匕方式，該束即被按照矩陣可存取表面之存取圖型加 =化二程式化鏡陣列之另一實例是使用排成矩陣 、兄，精者施加一適當之本地電場或用一壓電致動穿 置使每-小鏡繞著-軸傾斜。同樣地，鏡可被矩陣存取衣 破存取之鏡將進人之輻射束朝著與未被存取者所反射不 问之方向反射；以此方式，被反射之束即按照矩陣可存 取鏡之存取圖型被加以圖型化。可用適當之電子裝置進 行所需之矩陣存取。在上述兩種情形中，圖型形：構件 可包括-個或多個可程式化之鏡陣列。關於此處所述鏡 陣列之更多資訊可得自美國第us 5,296,891及仍5,523,⑼號 專利與第W0 98/38597及W0 98/33096號PCT專利申請之 中效將之列此做為參考。就可程式化之鏡陣列而言， 該支擇結構可視需要而製成固定或可移動之框或台。° 可程式化之液晶顯示陣列。美國第us 5,229,872號專利 中即有该種結構之舉例，茲將之列此做為參考。如上所 述，該支撐結構可視需要而製成固定或可移動之框或 台。 -6 - (3) (3) 繁切說明續頁 掩;:：月汁’本文之其餘部分在某些處可能特別針對、、牛及 掩核或掩模台舉例；但在該處所 圖㈣成構件之廣泛文義中去發現。則應… 4放影投影裝置可用％ 下^ 於積體電路（ICS)之製造中。在此愔带 -圖二：成構件可產生對應於IC各層之電路圖型，且此 晶圓)之目=有一層對輕射敏感材料(抗㈣之基板⑼ 般令來，單:^❹含有—個或多個晶片處）上成像。一 之相# 包括先後透過投影系統被—次—個昭射 上之:=τ整個網路。在目前之袭置中，藉掩模台 型=進仃圖型形成可分辨不同類型之機器。在-種類 …放影投影裝置中，每一目標部分 個 掩模圖型曝光於目声邮八L · L -人將4•個 . 、不。刀上，此種裝置通常稱為晶圓步進 ^在另—種通常稱為步進與掃描之裝 朝著—既定基準方向(择描方向)以投影束= =掩:圖型且同步掃描與此方向平行或反平行之基板 :被 將為掩杈台被掃描因數之Μ倍。關於此 ，，置之更多資訊可獲自美國第喊酬 中，絲將之列此做為參考。 :使用微影投影裝置之製造過程中，一圖型(例如一掩 模中者）被成像於一至少其一部 以上U Wβ 1刀復座有對輻射敏感材料 (^^之基板上α在此一成像步驟前，該基板可能經 贫 '一諸^充放電、塗敷抗银劑及軟供烤。曝光後， 〜反可此經過其他程序，諸如曝光後供烤，顯影、硬烘 (4) (4)587278 烤及對成像特性之測量/檢查。& ^^^^— 諸如一積體電路铲置κ ’、之私序是用為使 -硌衷置之個別層形成圖 型化之層可經過各種加工，諸 ★定於疋该圖 至眉、乳化、化學-機械拋光等 成、、 之層。若需若干声睥， 一王用為几成個別 不同部分。最後將會有一系 #序次其 上。鈇後這此梦番、士 ’、 衣置出現於基板（晶圓） 置可塊或㈣技術互相分開而各個裳 置可^在連接至支桿等之載體上。關於此種加卫之進— 二。日可獲自McG贿厕出版公司1997年出版p伽猶—所 著Μ晶片製造··半導體加工實 ^ _

貝丨不子曰导」一書弟二版，ISB 0-07-067250_4，茲將之列此做為參考。 為間明計，投影系統在下文中稱為「透鏡」；但此一名 詞應廣義解釋為包含各種類型之投影系統，包括例如折射 光學系統、反射光學系統及兼折射與反射系統。韓射系統 亦包括按照這些設計類型之任_種操作而用做導引，形成 或控制韓射投影束之組件，組件在下文中可統稱或個 別稱為「透鏡」。此外，該微影裝置可為具有兩個或更多 基板台（及/或兩個或更多掩模台）之類型。在該種「多級」 裝置中，附加之台可並行使用，或對一個或多個台實施預 備步驟而一個或多個其他台則用為曝光。在美國第 US 5,969,441及W0 98/40791號專利中曾說明一種雙級微影裝 置，茲將之列此做為參考。 上述裝置之主要光學元件，例如投影透鏡，必須保持不 受諸如氧、水分及碳氫化合物之污染。污染源包括裝置周 (5) (5)587278 圍之環境、裝置内諸釦站私π十4从 掩模。污3物心-抗蝕劑、輻射源及 十σ吸收輻射而導致無法接受之損失及/或束 強度之局部變化。因 不 細杜一由L 以义須確貝將導入含有對污染物敏感 組件至中之外來丨亏迅 可木物減至取少，並且將在此室附近或其 中所產生而透人制·、、云、、九^ i 攻八對/可染敏感組件中之污染物減最 發明内容 / 本=一目的是減少到達光學組件之外來污染物之位 準亚除去其内部所產生之污染物。 按知、本發明達到此一目的及其他目的之本文 微影裝置，其特徵為該裝置更包括： 斤边之 一弟二氣體供應構件用以對界定該室外殼之外部表面供 應一第二清除氣體流。 /、 此裝置頗為有利，因對該室外部表面之清除可除去許 夕在4至周圍所產生之污染物並減少進入位於該室内組件 之外來3染物。任何漏人該室内者將主要為乾淨之清除氣 體。以第二氣體流清除該室之外部表面能確使該室内污染 物之位準甚至低於緊圍著該室之區域内者，且非常低。 在本發明一較佳實例中，提供一圍著第一室之第二室， 而第一氣體清除裝置則清除位於第一與第二室間之空間。 第二室之外殼對外來污染物之進入提供附加之阻礙:進一 步減少第一室内污染物之位準。此外，界定需要加以清除 之空間可大為減少所需之清除氣體量而防止清除氣體干擾 到第二室外之其他組件。 最好在第二室外殼内提供一被第二氣體流覆蓋之開口及 (6)587278 因其可對第一室提 且實質上不會增加 這樣頗為有利 用物件與控制 一通過該開口之鏈路。 供一機械連接及其他有 室内污染物之位準。 第二室可有 圍著該 部分之介面 須通過該開 因而也減少 在本發明 蔽與通過該 其可進一步 部。 按照本發 體幕或導向 如此則可不 屏蔽，如此 口擴散之距 第一室内污 另一較佳實 開口之鏈路 減少污染物 明第二實例 該室外部表 需要第二室 開口並突入在第二室外該裝置第二 頗為有利。這樣藉著增大污染物必 離而減少第二室内污染物之位準。 染物之位準。 例中，在安步μ 女展於苐二室上之介面屏 間提供-密封。這樣頗為有利，因 從該裝置第二部分進入第二室之内 第至之外部表面是以一清除氣 面之夕個清除氣體喷嘴加以清除。 出口用以排出已清 開口對界定第一室 流。此一出口可以 第一清除氣體與第 定第一室外殼外部 一清除氣體甚至可 置製造方法，其包 知：照本發明之另一方面，第一室有一 除過第一室内部後之第一清除氣體，該 外冗又之外部表面產生一額外之清除氣體 也可不必連接至用以把從第一室排出之 二清除氣體加以混合並將混合氣供至界 表面之氣體混合裝置。藉著重新使用第 更為減少所需之清除氣體量。 按照本發明之又一方面，提供一種裝 括之步驟為： 提供一至少在其一部分上覆蓋有對輻射敏感材料層之基 -10 - (7) (7)587278 兔曰月說明續頁 板； —用一輻射系統提供一輻射投影束； ^ 圖型形成構件使投影束在其斷面上有一圖型· -將已圖型化之投影束投射至對輻射敏感材料層之一目 部分上； •提供一第一清除氣體流來清除其中置有對污染物敏感之 6亥元件製造裝置組件之室之内部；及 其特徵為： 一提供一第二清除氣體流至界定該室外殼之外部表面以便 清除該表面。 雖然在本文中可能提到將本發明之裝置用於製造積體電 路’但應明確瞭解該裝置有許多其他可能之用4。例如， 可用來製造積體朵签& & m 、先千糸統、用於磁定域記憶體之導引與偵 = 液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟於此項技術者即 文中關於故些其他應用之上下文中所稱之、 「晶圓」或「晶H -r八 缸 「曰曰片」可分別用更通俗之名詞「掩模」、「基 板」及「目標部分」來取代。 本文中所用之「輻射 電磁輕射，包括紫外_=束」等名詞包含所有類型之 咖旬與超紫外線料（例=如波長為365,248,193,157或126 走式雷；击々L ，皮長在5-20 nm者）以及諸如離子 术驭冤子束之粒子束。 實施方式 實例1 圖1所示為按照本發 _ 貫例之微影投影裝置。該裝置 -11 - (8)587278 發明說明續頁 包括： ①一輻射系統Ex，IL用以供應一輻射（例如紫外線輻射）投 影束PB，該系統在此一特殊情形下亦包括—輻射源; .一備有保持一掩模MA(例如網線）之掩模座且連接至用以 將掩模對著項目PL準確定位之第一定位構件之第一物件台 (掩模台）MT ; °

.一備有保持-基板w(例如塗有抗蝕劑之矽晶圓)之基板 座且連接至用以將基板對著項目PL準確定位之第二定位構 件之第二物件台（基板台）WT ; .一投影系統（透鏡）PL(例如一反射或反射兼折射系統或一 鏡組）用以將掩模MA之被照射部分成像於基板W之一目標 部分c(例如包括一個或多個晶片處）。 此處2述之裝置為發射型（亦即有一發射掩模）。但一般言 。匕亦可為反射型（有一反射掩模）。又一種情形是該裝 置可用另外一種圖型形成構件，諸如前述類型之可程式化 鏡陣列。

/ LA(例如一準分子雷射器）產生一雷射束。此束可直 或經過諸如束擴展器Ex之調節裝置AM後被饋入一照明 統(照明器)IL中。照明器几可包括用以設定該束中強度 配之外#及/或内部輻射範圍（通常分別稱為外σ及内σ ) “ —π匕會包括各種其他組件，諸如一積分器IN及 電容器C〇。在此情形下，投碰在掩模MA上之束pB在其丨 面中即有所需之一致性強度分配。 應注意，圖1中之源LA可能在微影投影裝置之外殼内（ -12- (9)587278 發明1C明續頁 源LA為-水銀燈時常是如此情形），但它也 微旦 投影裝置之遠處，產生之輕射束則被導入該裝置(例1; 助於適當之導引鏡）；當源LA為一準分子雷射器時則^ 後者之’h开,。本發明及申請專利範圍中包含該兩種情形。 然後束PB載取保持在掩模台MT上之掩模ma。束四 掩模說後通過透鏡PL，透鏡將束PB聚焦於基板W之目% 部分c。藉第：定位構件（及干涉儀測量裝置if)之助，可: 確移動基板台WT ’例如讀對束PB路徑巾不同之 分C定位。同樣地’第一定位構件可用於掩模對束四路 徑之準確定位，例如從—掩模資料庫以 祖後或在掃描中進行。—_，物件台MT:= 是精助於圖i中並未明確顯示出之長衝程模組(路線 及短衝程模組（精確定位Η旦I為晶圓步進器（相對於 與掃描裝置）時，掩模台附可僅連接至一短衝程致動器或 可加以固定。 圖不之裝置可用於兩種不同模式中·· 1·在步進杈式中，掩模SMA必須保持靜止且一次（亦即單 快閃」）將整個掩模圖像投影於目標部分。然後將 基板口 WT朝X及/或y方向移動使束PB可照射到一不同之 標部分C ; 2·在知描杈式_，除一既定目標部分c並不在單一「快閃」 中曝光外’基本上仍用同樣之做法。#外則更換為，掩模 台MT以速度v朝一既定方向（所謂之「掃描方向」，例如乂 方向）移動而促使投影束PB在一掩模圖像上掃描；並且基 -13- 587278 (ίο) 發明說明續頁 板台WT同時以ν=Μν之速度朝相同或相反方 Μ為透鏡PL之放大（通常％=1/4或1/5”以此方式可對— 之目標部分C曝光而不必一定要在析像度上有所妥協。大 圖2所示為其中裝有對污染物敏感組件之該裝置之^ 10。該組件可能是一投影系統或照明系統或投影系統： 明系統中之一組件（例如一光學元件）。在本實例中，二 室10是位於由一障壁15所界定之第二室9中。在界定=一 室10之外殼14與第二室9之障壁15間之空間則界定該裝置在 第-室外之第-部分6。ρ章壁15將該裝置之第一冑分6與 二部分5隔開。視要防範污染物者為何組件而定，第一及

第二部分6, 5均可位於投影系統中，或第—室可為投W 統或某種其他組件。同樣地，任一室均可為一軍 統之投影光學箱。 又心糸 第一室Η)之内部是以通過入口 u提供而從出口 η排出之 -氣體流來清除。第一室1〇之外部表面則是以通過… 提供而從出口Π排出之-氣體流來清除。障壁糾通過該 裝置第一部分6氣體流之組合能確使該裝罝第一部分6中 (亦即第一至中）污染物之位準大為低於該裝置第二部分$ 中者。該裝置第一部分6外部之污染物(諸如來自裝置外部 3及來自位於裝置第二部分5中組件之污染物)被限制通 過p早壁15。漏過障壁15及在裝置第_部分6内產生之污毕 物則被清除氣體從出口17沖刷出去。但在光學組件中要求 之最大污染位準可能低於在裝置第一部分6中可獲得者。 因此該組件是放在界定第一室1〇之外殼心。此一外殼可 -14- 587278 (ii) 1} 發明說明^~ 防止或大為減少污染物從裝置第一部分6進入室i〇中及因 而進入光學組件中。此外，漏過外殼14及在第一室1〇中產 生之任何污染物均被清除氣體從出口 12沖刷出去。 用於沖刷第一室10及第二室9之清除氣體最好對所用之 輪射透明。適當可用氣體之舉例有二碳⑺:)、氦（He)、氬（Ar)、 氮（&)、氧（Ne)、氙（Xe)或彼等中之兩種或多種混合氣體。 在本發明一典型實例中，第一室之内部是以He氣清除而第 一至10之外部，即裝置之第一部分6，是以N2氣清除。在 任何情形下均應儘量少以含氧及水蒸氣成分之氣體用於清 除，取好是根本不用。水蒸氣之適量限度為小於〇·5 而 氧成分之適量限度則為小於1 ppm。 用於清除第一室内部清除氣體中之污染物微量（亦即氣 體中污染物之比例）必須低於用於清除第一室外部清除氣 體中者。但清除氣體要求之污染物微量愈低，其生產成本 則愈咼：因此希望儘量少用最清潔之清除氣體，亦即適用 於清除第一室内部者。戶斤以清除第-室10内部與外部清除 氣體之供應應加以分開。但在某些情形下可能要最 置之複雜性減至最小。在該種情形下則可將清除第一室;0 内部與外部清除氣體之供應合而為_。在任何情形下 種清除氣體之污染物微量均要低於二 允 氣中之污染物微量。 ^^工 因清除第一室10外部之要戋T 4A u # φ 要求不右μ除其内部者嚴格，擬 重新使用攸出口12排出之第-清除氣體來清除第—室之外 部。為此目的，出口 12可遠技尽 了連接至用以將從第-室10所排出 -15- (12) (12)587278 之弟一清除氣體與第二清除氣體加以混合 人々 至第-室10外部之氣體混合裝置（未示出），或:匕口乳體供 一清除氣體直接供至第一室10之外部。 —可將該第 第至丨〇通常在其本身與位於裝置第 -部分間須有一鍵路。圖3所示為提供：==置之 入該裝置第-部分6之污染物減至最少之裝置。：日進 =該：置第一部分6内且以障壁22與該裝置之第二= ^開。如上所述，第一室10及該裝置之第_ 氣體流加以清除。 邛刀6被一種 障壁22有一開口 23,鏈路21通過該開口將 裝置第二部分5中之-組件(未示出)。該鏈路可；； 機械連接而提供一用於以位於該裝置第二部分5 /、 第-室K)加以定位之裝置’例如對第—室丨。提供： 源或> 除氣體之一實用鏈路，或—控制鏈路。 如圖3所示’障壁22最好有一圍著開口 23且伸入 卜分5中之介面屏蔽24。介面屏蔽Μ會增大 物必須從該裝置第二部分5通過而擴散至該褒置： 之距離，因❿減少第一部分6中污染 二刀6 為圓柱型。 干匕貫貝上可 圖4所示為關於圖3中上述安排之一種變化。位於該裝置 第-部分6中之第-室1()被通過將該裝置第—與第二^八 隔開之障壁32中一開口 33之鏈路31鏈接至該裝置第二部Z 5。於此情形下，在鏈路31與介面屏蔽％間提供—密封％。 該密封進-步減少從該裝置第二部分5漏進第一部分 -16- (13) 587278 ^嗯、明祝w續頁 染物。重要的是密封35應以諸如多 ~~ 低硬度軟橡膠製成，俾減少該裂罝包件：：：類似硬度之 除減少進入該裝罝第一部分6之污染：:動之傳：。 減小從該裝置第一部分6至第二 、，使用密封會 於爷梦詈笛Λ ν 刀之清除氣體流。若用 於。亥衣置弟一部分6之清除氣體為 用 因苴會干耨竹於吁姑里哲 b -占了此頗重要， :曰干擾位於该裝置弟二部分5中干涉儀之性能。 圖5所示為關於圖3與4中 丄w女排之又一稽變 路對障壁所需之垂直移動較大 種又化右鏈 位於兮穿 τ，此—安排即特別有用。 仅於4居置第一部分6中之第一 篦-邡八< rK 至ΙΟ被鏈接至位於該裝置 弟一部分5中之該裝置組 忒罝 八 知 |网開该裝置第一盥篦-卹

分之障壁42有一開口 43， 弟/、弟一 W 、主八^ 鍵路41通過該開口。開口 43祜一 >月除氣體幕掩蓋。該清除 過開口相對一邊上之出：47:幕疋由在開口43-邊上且通 除教辦蓋奢# 、 被抽出之出口 46所提供。該清 Τ Λ ^ ^ ^ ^ „ 過開口擴散之污染。該清除氣體幕 J為除清除該裝置第—μ \ ^ 祁/刀6所用氣體外而提供者，或者 了為清除該裝置第一邱 不且乐一分6裝置之一部分。 應知上述類型之裝¥ 淨 置要在一乾淨室之環境中操作。該乾 靡π i Η * 苐二至且在該室中之任何氣流也不 氣^ 第〜供應。該寺乾淨室中之空氣含有 體。 適合用做目前所述應用中之清除氣 在圖6所示之另一 除氣體幕55 (圖中僅 實例中，第一室1 〇之外部表面是用 顯示兩個）來清除。在此情形下則不 清 需 -17- (14) (14)587278 說明績頁 要界定該裝置被沖洗—部分之第二室。如前所一 10之内部被加以清除。在本發明本實例之另—情形:yf 一至之外部表面是以被導至盆 第 嘴加以清除。 -外…之多個清除氣體噴 雖已說明本發明之特殊實例，但應知本發明亦可用 與该况明不同之方式來實施。該說明並非對本發明加以 制。 " 圖式簡單說明 現參考附圖僅以舉例方式對本發明之實例加以說明，在 附圖中： 圖1所示為按照本發明一實例之微影投影裝置； 圖2所示為按照本發明其中進入之外來污染物被減少且 内部污染物被除去之室； 圖3所示為按照本發明與一封包其中進入之外來污染物 被減少且内部污染物被除去之第一室之第二室外面一組件 相鏈接之室； 圖4所示為圖3中室之變化；及 圖5所示為圖3中室之另一變化； 圖6所示為按照本發明其中進入之外來污染物被減少且 内部污染物被除去之另一種室。 在圖式中相同之參考符號均指示相同之零件。 號說且 MA 掩模 M1 (待澄清） -18 - 587278 (15) M2 (待澄清） P1 (待澄清） P2 (待澄清） LA 輻射源 Ex 束擴展器 IL 照明系統（照明器） AM 調整裝置 IN 積分器 CO 電容器 PB 束 MT 掩模台 PL 棱鏡 RF (待澄清） W 基板 WT 基板台 IF 干涉儀測量裝置 5 第二部分 6 第一部分 9 第二室 10 第一室 11 清除氣體 12 清除氣體 14 外罩 15 障壁 發明說明續頁

-19- (16) ) 清除氣體 清除氣體 鏈路 障壁 開口 介面屏蔽 鏈路 障壁 開口 介面屏蔽 密封 鏈路 障壁 開口 (待澄清） 出口 出σ 組件 幕 發明說明續頁 -20-

Claims (1)

1. 拾、申請專利範圍 1. 一種微影投影裝置，包括： -=用卩提供一輻射投影束之輕射系統； -一用以支撐圖型形成構件 件用I^ 支撐結構，該圖型形成肩 :用來按照-欲有之圖型將投影束圖型化； 用以保持一基板之基板台； -一用以將圖型化之束投射至其 系統； 木仅耵至基板-目標部分上之投f _ 一其中置有對污染物敏感組件之第一室；及 弟-清除氣體清除第一室内部之第一氣體供制 其特徵為該裝置更包括： 用Μ供應第二清除氣體流至界定第一室外殼外部名 面之第二氣體供應構件。 2·如申明專利範圍第1項之微影投影裝置，其中今第一 ^ 除氣體有較第-室周圍空氣中低之污染物微量：第4 3·如U利範圍第1或2項之微影投影裝置，中 室至f有一部分圍住該投影系統。 第一 4·如申味專利範圍第1或2項之微影投影裝置，更包括 第一室之第-… 尺a括圍住 至，其中該第二氣體供應構件清除第一 第二至間之空間。 /、 在該第二室巾 芏甲之—開口；及 通過該開口之一鏈路； •女申明專利範圍第4項之微影投影裝置， -在該第二它# * 587278 圍績頁 其中該鏈路為第一含& 接。 為弟至與位於第二室外-組件之間提供連 6.如申請專利範圍第5項之微影投影裝置 更包括一圍住哕Η η 八弟一至 固住痃開U且從第二室伸出之— 7·如申請專利笳圊笛 )丨卸辱蚊。 J乾圍弟6項之微影投影裝置， 路與-介面屏蔽間之一密封。 更-括在㈣ 8·::請專利範圍第5項之微影投影裝置，其中該第二室 L亥開ϋ彡上之一氣體出口及在該開口相對一邊 上之氣體抽出器’因而以一氣體幕蓋住該開口。 9.如申明專利乾圍第丨或2項之微影投影裝置，其中該 氣體供應構件越過至少第 幕。 乂第至之面“-清除氣體 10·如申叫專利範圍第1或2項之微影投影裝置，其中該第二 氣體供應構件在接近第一室至少一面處為清除氣體提： 多個出口。 11. :申請專利範圍第⑷項之微影投影裝置，《中該第一 室包括-出口在已清除過第一室内部後將第一清除氣體 排出’該出口對界定第一室外殼之外部表面產生一額外 之清除氣體流。 12. 如申請專利範圍第u項之微影投影襄置，其中該出口是 連接至將從第一室排出之氣體與第二清除氣體加以混合 並將該混合氣體供應至界定第一室外殼外部表面之氣體 混合裝置。 13·如申請專利範圍第1或2項之微影投影裝置，其中該第一 -2- 587278 申請專利範圍續頁. 或第二氣體供應構件供應包括％、He、Ar、Kr、Ne、Xe 等氣體之一種或該等氣體中兩種或多種之混合氣體。 14- 一種元件製造方法，包括下列步驟： -提供一至少其一部分覆蓋有對輻射敏感材料層之基 板； -用一幸§射系統提供一輻射投影束； -用圖型形成構件使投影束斷面上有一圖型； -將已圖型化之輻射束投射至對輻射敏感材料層之一目 籲 標部分上； -提供一第一清除氣體流來清除該元件製造裝置其中置 有對污染物敏感組件之室之内部；及 其特徵為： -對界定該室外殼之外部表面提供一第二清除氣體流俾 清除該表面。