KR100654418B1 - 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 제조된 디바이스 - Google Patents

리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 제조된 디바이스 Download PDF

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Abstract

리소그래피 투영장치는 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포함한다. 상기 투영시스템은 1이상의 광학 능동 거울 및 거울들 및/또는 그들의 지지구조체로 들어가거나 그로부터 나오는 열 방사선을 차단하기 위해서 특별히 위치된 열 차폐부를 포함한다. 상기 열 차폐부는 능동적으로 냉각되며, 상기 거울들 및 상기 열 차폐부는 능동 냉각으로 인한 거울들의 진동을 감소시키도록 지지프레임상에 별도로 지지된다. 상기 열 차폐부는, 거울들로 들어가거나 거울들로부터 나오는 열 방사선을 차단하는 개별 거울들을 위한 각자의 열 차폐부 및/또는 지지구조체로 나오거나 그로부터 들어가는 열 방사선을 차단하는 열 차폐부를 포함한다.

Description

리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 제조된 디바이스{Lithographic Apparatus, Device Manufacturing Method, and Device Manufactured Thereby}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 도시하는 도면;
도 2는 투영시스템을 도시하는 도면;
도 2a는 투영시스템의 상세도;
도 3은 제어 루프를 도시하는 도면;
도 4는 다수의 대안적인 거울 차폐 구성을 도시하는 도면;
도 5는 또 다른 거울 차폐 구성을 도시하는 도면이다.
본 발명은,
- 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;
- 필요한 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구성부(support arrangement);
- 기판을 유지하는 기판테이블; 및
- 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포 함하는 리소그래피 투영장치에 관한 것이다.
여기서 사용되는 "패터닝수단"이라는 용어는 기판의 타겟부에 생성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하도록 사용될 수 있는 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝 수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함된다. 방사선빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크상의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과마스크의 경우) 또는 반사(반사마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우, 상기 지지구조체는 일반적으로 마스크테이블이 될 것이며, 이것은 입사되는 투영빔 내의 소정위치에 마스크가 잡혀 있을 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크가 상기 빔에 대하여 이동될 수 있다.
- 프로그램가능한 거울 어레이. 이러한 장치의 예로는, 점탄성제어 층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는 (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울 어레이의 대안적인 실시예는 적절히 국부화된 전기장을 가하거나 압전작동수단(piezoelectric actuation mean)을 채용하여 축을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용하는 것이다. 마찬가지로, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울은 입사되는 방사선빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사한다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 패터닝수단은 1이상의 프로그래밍가능한 거울 어레이를 포함할 수 있다. 이러한 거울 어레이에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 프로그래밍가능한 거울 어레이의 경우, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
- 프로그래밍가능한 LCD 어레이. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상기와 마찬가지로, 이 경우의 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 패터닝수단은 IC의 개별층에 해당하는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 상기 패턴은 한 층의 방사선감응재(레지스트)로 코팅된 기판(실리콘웨이퍼)상의 타겟부(예를 들면, 1이상의 다이로 구성되는)에 이미징될 수 있다. 일반적으로, 한장의 웨이퍼에는 인접하여 있는 여러 개의 타겟부로 구성된 전체적인 네트워크를 포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 한 가지 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 투영빔하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반평행한 방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율인자 Ｍ(일반적으로 <1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속력의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 많은 정보는 예를 들어, US 6,046,792호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서도 인용참조되고 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 이미징된다. 이 이미징 단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 이미징된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC(집적 회로) 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 모두가 개별층을 마무르도록 하는 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 어레이가 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는, 예를 들어, 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997년, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학, 반사광학 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 상기 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어하기 위한 임의의 설계방식에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 더 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 듀얼스테이지 리소그래피장치가 개시되어 있으며, 둘 모두는 본 명세서에서 인용 참조되고 있다.
유럽 특허 출원 제 1178357호로부터, 리소그래피 장치는 구성요소의 대부분이 진공챔버내에 위치된다는 것을 알 수 있다. 투영빔은 렌즈 대신에 다수의 광학 능동 거울(optically active mirror)을 통하여 마스크를 기판상으로 이미징시킨다. 예를 들어, EUV(극자외선) 투영빔이 사용되는 경우에 이러한 구성이 요구되는 이유는, 대기 압력하의 가스내의 EUV 투영빔은 투영 목적으로는 유용하지 않으며 또한 굴절 광학 요소는 EUV 방사선에서는 이용할 수 없기 때문이다. 여타의 종류의 빔에 대하여도 동일하게 적용된다.
유럽 특허 출원 제 1178357호는, 진공 챔버의 벽들로부터의 또는 진공 펌프로부터의 열 방사선이 열 팽창 또는 수축을 유도할 수 있기 때문에, 진공하에서의 작동은 온도 안정성 문제를 유발할 수 있다는 것을 주지시킨다. 이는 지지구조체, 기판테이블, 투영시스템 또는 기준프레임과 같은 온도에 민감한 구성요소(temperature critical component)들이 영향을 받게 되는 경우에 이미징 오차들이 생기게 한다.
EP 1178357호는 열원과 온도에 민감한 구성요소들 사이에 개재된 열 차폐부(heat shield)인 "온도 제어 부재"를 효율적으로 사용함으로써 이 문제를 해결한다. 상기 열 차폐부는 등온(isothermal)으로 유지되어야만 하는 온도에 민감한 구성요소의 적어도 일부분을 둘러싼다. 일 실시예에서, 열 차폐부는 온도에 민감한 구성요소를 향하는 쪽에 높은 흡수 마무리(high absorption finish)를 가져, 열 차폐부로부터 입사되는 방사선으로 온도에 민감한 구성요소의 온도를 조절한다. EP 1178357호에서 "조절한다"는 것은 상기 차폐부로부터의 방사선이 온도에 민감한 구성요소의 온도를 안정화하는 것만을 제시하는 것처럼 보인다. 어떠한 능동 온도 제어 루프도 제시되지 않았다.
이 형태의 해결책은 열 차폐부 자체가 임의의 온도로 가열되지 않는 경우에만 작용됨은 물론이다. EP 1178357호는 강한 열원이 존재하는 경우에 이것이 어떻게 보장되어야 하는지를 언급하지 않고 있다. 더욱이, 투영시스템내의 투영빔으로부터의 방사선의 흡수는 투영시스템 자체를 온도에 민감한 구성요소 및 동시에 열원 둘 모두가 되도록 변화(turn)시킬 수 있어, 모든 열원들과 온도에 민감한 구성요소들 사이에 열 차폐부를 개재시키는 것이 불가능하다.
대체로, 능동 열 전달, 예를 들어 유체 냉각 또는 열 파이프를 사용하는 냉각, 또는 열이 전달되게 하는 여하한의 형태라도 온도에 민감한 구성요소의 온도를 제어하는데 사용될 수 있다. 또한, 이러한 능동 열 전달은 온도가 안정되게 유지되도록 제어 루프에 의하여 조절될 수 있는 것이 바람직하다. 하지만, 투영시스템에 적용되는 경우, 이러한 형태의 열 전달은 기계적인 진동들을 유발할 수 있어, 예를 들어 가해진 냉각 또는 요구되는 기계적인 연결들로 인하여 이미징 오차가 생긴다. 이러한 문제는, 더 많은 냉각 능력이 요구되는 경우에 증가한다.
본 발명의 목적은 열 전달로 인한 기계적인 진동의 영향을 최소화하면서 능동 열 전달로 리소그래피 장치의 투영시스템의 온도 안정성을 보장하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 투영시스템에 영향을 주는 온도를 조절하기 위한 제어 루프를 사용가능하게 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 리소그래피 장치의 투영시스템내에서의 투영빔의 흡수로 인한 열 문제를 감소시키는 것이다.
본 발명은 제1항에 서술된 바와 같은 리소그래피 장치를 제공한다. 투영시스템의 거울들 및/또는 그것들의 지지구조체는 열 차폐부에 의하여 차폐된다. 능동 열 전달 회로는 열 차폐부를 열적으로 조절하는데 사용된다. 상기 열 전달 회로는 열 차폐부에 직접적으로 또는 간접적으로 결합된 열 전달 유체를 전달하는 파이프를 포함하는 것이 바람직하다. (일반적으로, 열 전달은 열 차폐부에 관하여 순수한 냉각 효과(net cooling effect)를 가지지만, 대안적으로 열 전달은 온도가 너무 높게 상승하는 경우에 감소되는 순수한 가열 효과(net heating effect)를 가질 수도 있다.)
열 차폐부는 거울들 및 그들의 지지구조체와는 별도로 지지된다. 그 결과로, 능동 냉각으로 인한 진동은 거울들에 대해 최소한의 영향을 준다. 한편으로 열 차폐부들의 다른 한편으로는 거울들 및 이들의 지지구조체의 유일한 공통 지지체는 공통 메트롤로지 프레임이거나, 메트롤로지 프레임을 통하여 거울들을 지지하는 또 다른 프레임상에 있는 것이 바람직하다. 일 실시예에서, 열 차폐부와 지지구조체 둘 모두는 메트롤로지 프레임에 의하여 지지되며, 열 차폐부와 지지구조체 또는 거울 사이에는 여타의 기계적인 상호연결이 존재하지 않는다.
열 차폐부들은 거울들 및/또는 지지구조체로 들어가거나 그로부터 나오는 열 방사선을 차단한다. 열 차폐부들은 소정 형상을 가지며, 차폐된 지지구조체로 들어가거나 차폐된 지지구조체로부터 나오는 열 방사선의 대부분(적어도 50%, 바람직하게는 80% 이상)을 차단하고 또한 차단된 열 방사선의 일부분이 보호된 지지구조체 또는 거울로 들어가지 않거나 보호된 지지구조체 또는 거울로부터 나오지 않도록 위치되는 것이 바람직하다.
각자의 열 차폐부 각각은 이 방식으로 모든 여타의 구성요소들로부터 가능한 한 많이 각자의 거울 또는 지지구조체의 일부만을 차폐하는 것이 바람직하다.
따라서, 최소 열 전달이 각각의 열 차폐부에 요구되어, 진동의 양의 감소 및 열 차폐부들로부터의 거울들 및/또는 지지구조체의 선택적인 온도 조절이 간단해진다. 이는 예를 들어 열 차폐부가 관련된 거울 또는 구조체의 일부의 표면에 타이트하게(tightly) 붙어 있는 경우 실현될 수 있어서, 열 차폐부와 표면 사이의 거리가 열 차폐부의 공간 범위보다 작게 된다.
일 실시예에서, 열 차폐부는 거울들로부터 멀리 향해 있는(face away), 거울들의 지지구조체의 외측 표면에 제공된다. 이러한 외측 표면은 다른 구성요소로부터 방사된 열에 가장 영향을 받기 쉽다. 지지구조체는 투영빔을 통과시키고 및/또는 고진공이 지지구조체의 내부에 실현되도록 하는 구멍들을 제외하고 거울들을 싸는(encase) 것이 바람직하다. 특히, 거울들의 지지구조체는 적어도 1이상의 축선을 따라 양쪽에서 거울들을 둘러싸도록 배치되어, 열 차폐부들이 양쪽에서 외측 표면상에 제공되는 것이 바람직하다.
지지구조체로부터 멀리 향해 있는 열 차폐부의 표면의 흡수 계수는 지지구조체를 향해 있는 열 차폐부의 표면의 흡수 계수보다 작은 것이 바람직하다(예를 들어, 지지구조체를 향해 있는 표면의 흡수 계수는 0.8보다 크고, 지지구조체로부터 멀리 향해 있는 표면의 흡수 계수는 0.2보다 작다). 따라서, 열 차폐부는 지지구조체의 온도를 결정하는 역할을 하며, 지지구조체 외부로부터 흡수되는 열을 보상하기 위한 최소 냉각이 요구된다. 대안적으로, 높은 흡수 계수(>0.8) 또는 낮은 흡수 계수(<0.2)가 적어도 국부적으로 두 표면상에 이용될 수 있는데, 예를 들어 표면에 대하여 충분한 능동 냉각 능력이 있는 곳에서는 높은 흡수 및 냉각 능력이 떨어지는 곳에서는 낮은 흡수가 이용될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 열 차폐부들은 투영시스템의 광학 능동 거울들의 개개의 것들에 대해 열 차폐부들을 포함한다. 거울의 거울 열 차폐부는 투영빔이 반사되는 거울의 앞면의 일부를 덮는 것은 아닐지라도, 상기 거울 열 차폐부가 가능한 한 거울의 많은 부분, 그리고 적어도 앞면에 대향하는 뒷면을 덮는 것이 바람직하다. 적어도 거울 열 차폐부는 상기 차폐부가 차단하는 열 방사선의 대부분이 차폐된 거울로 들어가거나 거울로부터 나오도록 위치되며, 바람직하게는 상기 열 방사선의 대부분은 투영빔이 반사되는 앞면의 일부로 들어가거나 앞면으로부터 나오는 열 방사선을 제외하고 거울로 들어가거나 거울로부터 나온다.
거울 열 차폐부는 투영빔 반사 손실로 인한 가열에 의하여 발생된 열 방사선을 흡수한다. 개별 거울용 거울 차폐부를 사용함으로써, 요구되는 냉각량 및 거울의 지지구조체에 관한 영향이 최소화된다. 거울 차폐부는 적어도 거울의 뒷면을 향하는 것이 바람직하나, 상기 거울 차폐부는 거울의 앞면과 뒷면 사이의 거울의 측면들을 향하도록 형상화되는 것이 더욱 바람직하고, 투영빔이 입사되지 않는 앞면의 일부분을 향하도록 형상화되는 것이 더더욱 바람직하다.
거울을 향해 있는 거울 열 차폐부의 표면은 거울로부터 멀리 향하는 표면보다 높은 흡수 계수를 가지는 것이 바람직하다. 따라서, 거울 차폐부의 열이 감소되며, 이는 공간 한계로 인해 작은 열 전달 능력만이 거울에 이용가능한 경우에 중요할 수 있다. 대안적으로, 높은 흡수 계수(>0.8)가 거울로부터 멀리 향해 있는 거울 차폐부의 표면에 이용되어, 여타의 거울들 또는 지지구조체쪽으로의 열 방사선의 반사를 방지할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 열 차폐부는 1이상의 거울을 향해 있는 지지구조체의 내측 표면을 덮는 내측 열 차폐부를 포함한다. 상기 거울들을 향해 있는 내측 열 차폐부의 표면은 지지구조체에 대해 거울로부터 멀리 향해 있는 표면보다 낮은 흡 수 계수를 가지는 것이 바람직하다. 따라서, 거울의 가열이 감소된다. 대안적으로, 높은 흡수 계수(>0.8)가 거울을 향해 있는 거울 차폐부의 표면상에 사용되어, 여타의 거울들 또는 지지구조체쪽으로의 열 방사선의 반사를 방지할 수 있다. 또한, 지지구조체를 위해 낮은 흡수 계수가 적어도 국부적으로 사용될 수 있다.
열 전달 회로에 의하여 전달된 열의 양은 열 차폐 온도와 같은 온도가 실질적으로 일정하게 유지되도록 작동하는 제어 루프로 조절되는 것이 바람직하다. 거울 열 차폐부가 개별 거울에 제공되는 경우, 거울의 온도는 외부 영향을 거의 또는 완전히 받지 않고 특정적으로 제어된다. 이와 유사하게, 거울의 지지구조체의 온도는 내측 및/또는 외측 차폐부를 제공함으로써 특정적으로 제어된다. 그 결과로, 투영 렌즈의 광학 특성이 안정되게 유지된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 청구항 제11항에 따른 디바이스 제조방법이 제공된다. 상기 방법에 따르면, 1이상의 광학 능동 거울 및/또는 1이상의 광학 능동 거울의 지지구조체로 들어가고 그로부터 나오는 열 방사선은 전체적으로 1이상의 거울 및 그것의 지지구조체와 별도로 지지되는 1이상의 열 차폐부에 의하여 차폐된다. 열 전달 유체는 열 차폐부에 기계적으로 부착된 파이프를 통하여 1이상의 열 차폐부로 공급된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 장치는 많은 여타의 응용례를 가짐을 이해하여야 한다. 상기 리소그래피장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정디스플레이(LCD), 박막자기헤드의 제조에도 채택될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적 인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체될 수 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 파장이 5 내지 20㎚ 범위인) 극자외(EUV)방사선을 포함한 모든 형태의 전자기방사선 뿐만 아니라 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포괄하여 사용된다.
이하, 대응하는 참조부호가 대응하는 부분을 나타내는 첨부된 도면을 참조하여, 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예를 서술한다.
도 1은 본 발명의 방법에 사용될 수 있는 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는;
- 방사선(예를 들어, EUV 방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특히 이 경우 방사선시스템은 방사선소스(LA)도 포함한다);
- 마스크(예를 들어, 레티클)를 지지하는 마스크 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정디바이스(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 실리콘웨이퍼)을 유지하는 기판 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정디바이스(PW)에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함) 상으로 마스크(MA)의 조사된 부분을 이미징시키는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 한 세트의 거울)을 포함한다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사마스크를 채택한) 반사형이다. 하지만, 일반적으로 상기 장치는 (예를 들어, 투과마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 상기 언급한 바와 같은 형태의 프로그램 가능한 거울 어레이와 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
상기 소스(LA)(예를 들어, 레이저 생성 플라즈마원 또는 방전원)는 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더와 같은 컨디셔닝수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기분포의 외측반경 및/또는 내측반경범위(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 구성요소을 포함하여 이루어진다. 또한, 그것은 일반적으로 인티그레이터 및 콘덴서와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 소스(LA)는 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사선소스(LA)가 흔히 수은램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 흔히 방사선소스(LA)가 엑시머레이저인 경우이다. 본 발명 및 청구항은 이들 시나리오를 모두 포함한다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(PW)(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단(PM)은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략위치설정) 및 짧은 행정모듈(미세위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정모듈에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝모드에서는 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔모드에서는 소정타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
상기 예시의 리소그래피 투영장치는 빔(PB)이 마스크(MA)상에 입사된 다음 기판(W)의 타겟 영역상으로 입사되는 진공 챔버(VC)를 포함한다.
소위 "메트롤로지 프레임"(MF)은 주요 장치 구조체로부터 기계적으로 격리된 격리된 기준 프레임을 제공한다. 메트롤로지 프레임은 예를 들어 탄성 계수가 낮은 탄성 지지체를 실현하는 에어마운트(미도시됨)에 의하여 지지되는 무거운 테이블로서 실현될 수 있다. 메트롤로지 프레임(MF)은 간섭계(IF) 및 여타의 위치 센서와 같은 감응성 구성요소를 지지하며 그것들을 진동으로부터 격리시킨다.
투영 렌즈(PL)는 탄성 요소(resilient element; 12) 및 지지체(11)를 통하여 메트롤로지 프레임(MF)상에 장착된다. 투영 렌즈(PL)는 차폐 구조체(10)에 의하여 부분적으로 둘러싸여 있는데, 이 차폐구조체는 메트롤로지 프레임(MF)상에 자신의 지지체(14)를 가지며, 열 전달 유체(heat transport fluid)용 공급 파이프(16) 및 열 전달 액체(heat transport liquid)용 유인 파이프(abduction pipe)(18)에 결합된다.
도 2는 투영 렌즈(PL) 및 그것의 차폐 구조의 일 실시예를 보다 상세히 도시한다. 투영 렌즈(PL)는 다수의 광학 능동 거울(20)(오직 하나의 거울(20)에만 참조 번호가 제공됨) 및 지지구조체(26)를 포함한다. 거울들(20)은 마스크(MA)를 기판(W)상에 이미징시키도록 배치된다. 거울들 및 지지구조체는 Zerodur 또는 ULE(Ultra Low Expansion) 유리(Zerodur 및 ULE는 상표임)와 같이 낮은 열 팽창 계수를 갖는 유리로 만들어지는 것이 바람직하다. 또한, 인바(Invar)가 지지구조체(26)로 사용될 수도 있다.
알 수 있는 바와 같이, 지지구조체(26)는 단지 거울들(20)이 부착된 레그부 뿐만 아니라, 투영빔이 통과하는 개구부를 실질적으로 제외하고는 거울들(20)이 그 안에 놓이고 거울들(20)을 대부분 둘러싸고 있는 박스도 포함할 수 있다. 대안적으로, 케이지가 사용될 수 있다. 거울을 구비한 이 박스 또는 케이지의 전체는 메트롤로지 프레임(MF)상에 지지된다.
차폐 구조체는 거울 차폐부들(22)(오직 하나에만 참조 번호가 제공됨), 외측 차폐부(28) 및 내측 차폐부(29)를 포함한다. 도 1에서 알 수 있듯이, 한편으로 거울들(20) 및 지지구조체(26) 그리고 다른 편으로는 거울 차폐부들(22), 외측 차폐부(28) 및 내측 차폐부(29)는 각각 메트롤로지 프레임(MF)상에 그들 자체의 지지체를 가진다. 거울 차폐부들(22), 외측 차폐부(28) 및 내측 차폐부(29)는 메트롤로지 프레임(MF)상의 조합된 지지체를 가질 수 있거나 별도의 지지체들이 사용될 수도 있다. 특히, 차폐부용 지지체들은 대안적으로 진공 챔버(VC)에 또는 메트롤로지 프레임 이외의 베이스 프레임(미도시됨)에 연결될 수도 있다. 지지구조체(26)는 메트롤로지 프레임(MF)의 진동으로부터 지지구조체를 격리시키기 위하여 탄성 요소(12)를 통하여 지지된다.
간명함을 위해서 하나의 탄성 요소(12)만이 도시되어 있지만, 지지구조체(26)는 이러한 다수의 요소들을 통하여 병렬로 하여 지지될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 이와 유사하게, 차폐부들(28, 29, 22)은 메트롤로지 프레임(MF)상의 1보다 많은 지점상에 지지될 수 있으며, 그것들 중 어떤 것도 지지구조체(26)를 지지하는 탄성 요소(12) 또는 여타의 탄성 요소들을 통하여 지지되지 않는다.
도 2a는 투영시스템의 상세도이며, 거울 차폐부(22)와 이격된, 지지구조체(26)와 거울(20)사이의 기계적인 연결부들(200)을 예시한다. 바람직하게는, 거울 차폐부(22)는 내측 차폐부(29)로의 지지 연결부들(202)을 가지지만, 대안적으로 거울 차폐부(22)는 별도로 지지될 수도 있다.
각자의 거울 차폐부(22)는 각각의 거울들(20)에 제공된다. 각각의 거울 차폐부(22)는 투영빔(PB)을 반사시키는 거울(20)의 면과 지지구조체(26)상에 거울(20)을 지지하는 연결부들을 제외하고 거울(20)을 실질적으로 전체적으로 타이트하게 둘러싼다. 거울 차폐부(22)들의 정확한 기하학적인 배치는 문제가 되지 않으나, 상기 차폐부들은 거울 차폐부들(22)에 의하여 차단되는 열 방사선의 대부분이 여타의 구조체 사이가 아닌 거울(20)로 들어가거나 거울로부터 나가는 열 방사선이도록 형상화되는 것이 바람직하다. 거울 차폐부들은 투영빔(PB)을 반사시키는 거울(20)의 일부분으로부터의 열 방사선을 제외하고, 거울(20)로 들어가거나 그로부터 나오는 열 방사선의 대부분(예를 들어 >50%)을 차단하도록 배치되는 것이 바람직하다.
도 4는 거울(20)의 뒷면(40)상에만 제공되거나, 측면(42)이 덮이도록 거울(20)의 형상을 따르거나, 심지어는 투영빔(PB)에 의하여 조사되지 않은 앞면(44)의 일부마저도 덮이도록 거울(20)의 형상을 따른 거울 차폐부(22)의 다양한 구성을 도시한다. 후자의 구성은 여타의 구조체들에 의한 열 및 여타의 구조체들의 열을 가능한 한 많이 방지할 수 있어 바람직하다.
열 전달 파이프(24)는 거울 차폐부들(22)에 부착되는 것이 바람직하다. 외측 차폐부(28)는 거울(20)로부터 멀리 향해 있는 지지구조체(26)의 면에 인접하여 제공되며, 내측 차폐부(29)는 거울(20)을 향해 있는 지지구조체의 면에 인접하여 제공된다. 열 전달 파이프(27)는 외측 차폐부(28)와 내측 차폐부(29) 둘 모두에 제공되는 것이 바람직하다. 열 전달 파이프(24, 27)는 직렬 회로 또는 병렬 회로로 배치될 수 있다.
도 5는 열 차폐부(52)가 거울(50) 표면에 대한 평균 법선(average normal)을 따라 일 방향을 따라 연장되는 대안적인 실시예를 도시한다. 이 방식으로, 거울(50)의 반사면으로부터의 방사선의 적어도 일부는 냉각된 열 차폐부(52)에 의하여 차단된다. 열 차폐부는 투영빔(PB)을 차단하지 않고 통상적으로 거울(50)의 직경의 절반 이상으로 가능한 한 멀리 연장되는 것이 바람직하다. 통상적으로, 차폐부(52)는 법선을 중심으로 하여 형상화된 원통형이며, 상기 도면에는 거울을 통과하는 평면도로서의 원통형의 단면도만이 도시되어 있지만, 그 대신에 평행한 평면 차폐부들이 사용될 수도 있다.
작동시에, 투영빔(PB)은 마스크(MA)상에 투영된다. 마스크(MA)는 거울들(20)의 광학 작용에 의하여 기판(W)상으로 이미징된다. 열 전달 유체는 열 전달 파이프(24, 27)를 통하여 공급된다. 예시의 방식으로, 물이 열 전달 유체로서 사용될 수 있다.
거울 차폐부들(22)은 거울들(20)의 온도 스윙(temperature swing)을 제한하는 역할을 한다. 투영빔(PB)이 거울들(20)에 의하여 반사되는 경우, 불가피하게 약간의 흡수가 발생한다. 상기 흡수는 거울들(20)과 마스크(MA)와 기판(W) 사이의 기하학적인 관계에 영향을 주는 경우에, 이미징 문제들을 유도할 수 있다. 서브미크론의 정확성이 요구되는 경우, 매우 작은 외란(disturbance)들이 손상을 입힐 수 있다. 이는 특히 EUV 빔과 같은 단파장 투영빔(PB)인 경우에 문제가 되는데, 그 이유는 이러한 빔은 (흡수된 열을 싱크(sink)시키기 힘든) 고진공을 필요로 하며 비교적 높은 흡수를 수반하기 때문이다.
거울 차폐부들(22)은 거울들(20)로부터 반사된 열을 흡수한다. 과도한 열은 열 전달 파이프(24)를 통하여 제거된다. 따라서, 거울들(20)의 가열의 영향이 감소되고 거울들(20)의 온도는 열 전달 유체에 의하여 결정되는 바와 같이, 거울 차폐부들과의 열적 평형에 접근한다. 거울들(20)의 주변에 거울 차폐부들(22)을 타이트하게 배치시키면, 차폐 물질을 최소로 하여 최대의 열이 흡수되며 여타의 소스로부터의 열 방사선이 가능한 한 거울들(20)에 도달하지 않는 것이 보장된다.
거울 차폐부들(22)은 거울들(20)과는 별도로 메트롤로지 프레임(MF)상에 지지되기 때문에, 열 전달 유체의 흐름으로 인한 기계적인 진동들은 거울들(20)의 위치에 현저한 영향을 주지 않는다. 또한, 거울 차폐부(22)는 여타의 구조체들로부터 방사된 열이 거울들(20)을 가열시키는 것을 방지한다.
거울 차폐부들(22)의 표면은 거울들(20)을 타이트하게 향하는 내측 표면의 열 방사선 흡수 계수가, 거울들(20)을 타이트하게 향하지 않는 외측 표면의 열 방사선 흡수 계부보다 높도록 처리된 것이 바람직하다. 예를 들어, 알루미늄을 폴리싱함으로써, 흡수 계수는 0.05만큼 낮아질 수 있으며 금층으로 코팅하면 이와 유사한 효과가 실현될 수 있다. 산화알루미늄과 같은 세라믹층으로 코팅하면, 0.8 내지 0.9의 흡수 계수가 실현될 수 있다. 본 발명은 흡수에 영향을 주는 이들 방식들로 제한되는 것은 아니다. 공지된 어떠한 기술도 사용될 수 있다. 내측 표면의 흡수 계수는 가능한 한 높은, 즉 0.8보다 높거나 심지어는 0.9보다 높은 반면, 외측 표면의 흡수 계수는 가능한 한 낮은, 즉 0.2보다 낮거나 심지어는 0.1보다 낮은 것이 바람직하다. 그 결과로, 거울 차폐부(22)가 여타의 구조체로부터의 가열을 방지하기 위한 최소한의 열전달이 요구된다.
지지구조체(26)의 외측 차폐부(28)는 열로 인한 지지구조체(26)의 기하학적인 변형을 상쇄(counteract)시키는 역할을 한다. 외측 차폐부(28)는 지지구조체(26)의 온도를 감소된 레벨로 유지시킨다. 지지구조체(26)의 온도는 열 전달 유체에 의하여 결정되는 바와 같이 외측 차폐부(28)와의 열적 평형에 접근한다. 따라서, 지지구조체(26)의 변형으로 인한 투영 렌즈의 기하학적 변형이 실질적으로 방지된다. 또한, 외측 차폐부(28)는 외부 열원으로부터의 방사선으로 인한 지지구조체(26)의 가열을 상쇄시킨다.
외측 차폐부(28)는 지지구조체(26)의 외측 표면으로 들어가거나 외측 표면으로부터 나오는 열 방사선의 대부분을 차단하고 기껏해야 차단된 방사선의 일부(예를 들어 <10%)가 지지구조체(26)로 들어가거나 지지구조체로부터 나오지 않도록 형상화되거나 위치되는 것이 바람직하다. 이를 위해, 차폐부들의 여하한의 바람직한 기하학적 배치가 사용될 수 있다.
지지구조체(26)를 향하는 내측 표면의 열 방사선 흡수 계수가, 지지구조체를 타이트하게 향하지 않는 외측 표면의 열 방사선 흡수 계수보다 크도록 외측 차폐부(28)의 표면이 처리된 것이 바람직하다. 내측 표면의 흡수 계수는 가능한 한 높은, 즉 0.8보다 높거나 심지어는 0.9보다 높은 반면, 외측 표면의 흡수 계수는 가능한 한 낮은, 즉 0.2보다 낮거나 심지어는 0.1보다 낮은 것이 바람직하다. 그 결과로, 외측 차폐부(28)가 여타의 구조체로부터의 열을 방지하기 위한 최소한의 열전달이 요구된다.
지지구조체(26)의 내측 차폐부(29)는 거울들(20)의 노출된 표면으로부터의 방사선 및 지지구조체(26)내의 구멍들을 통하여 "가시가능한" 외부 열원에 의한 열로 생긴 지지구조체(26)의 기하학적 변형을 상쇄시킨다(큰 구멍들이 고진공을 보장하기 위해서 제공되어야 한다). 내측 차폐부(29)는 지지구조체(26)의 온도를 감소된 레벨로 유지시킨다. 지지구조체(26)의 온도는 열 전달 유체에 의하여 결정되는 바와 같이, 내측 차폐부(29)와의 열적 평형에 접근한다. 지지구조체(26)에 타이트하게 향하는 내측 표면의 열 방사선 흡수 계수가, 지지구조체에 타이트하게 향하지 않는 외측 표면의 열 방사선 흡수 계수보다 높도록 내측 차폐부(29)의 표면이 처리된 것이 바람직하다. 내측 표면의 흡수 계수는 가능한 한 높은, 즉 0.8보다 높거나 심지어는 0.9보다 높은 반면, 외측 표면의 흡수 계수는 가능한 한 낮은, 즉 0.2보다 낮거나 심지어는 0.1보다 낮은 것이 바람직하다. 그 결과로, 내측 차폐부(29)가 여타의 구조체로부터의 열을 방지하기 위한 최소한의 열전달이 요구된다.
지지구조체(26)와 거울들(20) 사이에, 거울들의 위치를 제어하기 위해서 액츄에이터 및 센서(미도시됨)가 제공될 수 있다. 이 경우, 거울 차폐부들(22)은 이들 액츄에이터 및 센서를 이용하여 방사선으로부터 거울들(20)을 보호하는 역할을 한다. 내측 차폐부들(29)은 이들 액츄에이터 및 센서를 이용하여 열 방사선으로부터 지지구조체를 보호하기 위해서 지지구조체(26)와 이들 액츄에이터 및 센서 사이에 개재되도록 배치되는 것이 바람직하다.
거울 차폐부(22), 외측 차폐부(28) 및 내측 차폐부(29)의 사용은 최적의 조합된 효과를 달성하기 위해서 함께 서술되었지만, 이들 차폐부들 각각 또는 이들 차폐부들의 조합이 이들 차폐부들 중 다른 것들의 부재시에도 적용될 수 있음을 이해하여야 한다. 예를 들어, 열의 주요 원인이 지지구조체(26)의 외측 표면을 향하여 방사되는 외부 열원으로 인한 것이라면, 외측 차폐부(28)는 그 자체만으로도 충분할 수 있다. 이 경우, 거울 차폐부들(22)은 투영빔(PB)으로 인한 열 문제들이 발생하는 경우에도 사용될 수 있다. 또 다른 예시로서, 열의 주요 원인이 투영빔(PB)인 경우, 거울 차폐부들(22)은 그 자체만으로도 충분할 수 있으며, 내측 차폐부들(29)은 지지구조체(26)를 보호하기 위해서 선택적으로 추가될 수 있다.
이와 유사하게, 흡수 계수는, 예를 들어, 공간 한계로 인하여 덜 효율적으로 냉각될 수 있는 차폐부들(22, 28, 29)상의 위치에서는 낮은 흡수를 제공하거나 거울(20)과 같은 열원으로부터 거울(20) 또는 그 거울 차폐부(22)와 같은 온도에 민 감한 구성요소로의 반사 경로내에 있는 위치에서는 높은 흡수를 제공하도록 국부적으로 변동될 수 있다.
"열 전달"이라는 용어가 유체 및 파이프(24, 27)에 전체적으로 사용되었지만, 대부분의 상황하에서 유인 파이프(18)를 통하여 과도한 열을 제거함으로써 상기 파이프(24, 27)는 냉각 파이프로서 역할하며, 상기 유체는 냉각 유체로서 역할한다. 본 발명을 벗어나지 않는 범위에서, 상기 유체는 통상적으로 투영빔이 존재하지 않는 때보다 높은 온도로 거울들(20) 및 지지구조체를 유지하는데 사용될 수 있다. 이 경우, 통상적으로 열은 거울들(20)로 전달되지만, 더 많은 열이 예를 들어 투영빔에 의하여 거울들로 공급되는 경우에 전달된 열의 양이 감소된다.
도 3은 거울들(20) 및/또는 지지구조체(26)의 온도를 조절하기 위해서 제어루프가 사용되는 또 다른 실시예를 예시한다. 이 실시예에서, 1이상의 센서들(30)(예를 들어, 온도에 종속적인 저항(temperature dependent resistance))이 1이상의 거울 차폐부들(22)상에 제공된다. 열 전달 유체용 공급 파이프에 결합된 히터(32)가 제공된다. 평균 감지 온도가 설정 온도 쪽으로 조절되도록 열의 양을 조절하도록 배치된 제어 회로(34)는 센서(30)와 히터(32) 사이에 결합된다. 순환 펌프(36)는 공급 파이프내에 제공된다. 도면에 도시되지는 않았지만, 유체로부터 과도한 열을 제거하기 위해서 히터(32)의 상류에는 냉각 요소가 있다.
일반적으로, 공통 히터(32)가 모든 거울들(20) 및 지지구조체(26)를 위한 가열 유체을 위해 제공될 수 있다. 이 경우, 상이한 열 차폐부들 상에 수 개의 센서들이 제공될 수 있으며, 평균 감지 온도가 조절된다. 하지만, 일 실시예에서, 각자 의 히터들(32)이 각자의 거울들 또는 거울들의 각자의 그룹들에 대한 온도를 별도로 제어하도록 유체 흐름 경로의 상이한 병렬 부분들내에 제공되는데, 그 각각은 관련된 거울 또는 거울들의 온도를 감지하는 센서에 응답한다.
하지만, 본 발명은 이러한 형태의 온도 조절로 제한되지 않음을 이해하여야 한다. 아마도 유체 온도를 일정하게 유지하는 것 이외의 온도 조절은 많은 경우에 모두 생략될 수 있다. 또한, 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위내에서, 센서(30)는 거울들(20) 또는 지지구조체(26)상에 제공될 수 있거나, 센서는 거울 차폐부(22)와 지지구조체(26) 및/또는 거울(20) 둘 모두에 제공될 수 있다.
열 차폐부들상에 센서들을 제공하면, 거울들(20)의 기계적인 외란이 최소화된다. 상기 유체는 가열되는 대신에 조절되는 양에 의하여 냉각될 수 있다. 냉각 또는 가열의 양을 조절하는 대신에, 유체 유속이 온도를 조절하기 위해서 조절될 수 있다.
본 발명은 파이프를 통하여 순환하는 유체("유체"라는 용어는 액체, 증기, 가스 및 그것의 혼합물을 포괄함)를 이용한 유체 냉각을 이용하는 일 실시예에 대하여 설명하였지만, 여타의 형식의 능동 냉각이 열 파이프와 같은 열 차폐부로 들어가거나 열 차폐부로부터 나오는 열을 전달하기 위해서 포함될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
또한, 냉각 유체가 주위에서 펌핑되는 순환 유체 경로가 도시되었지만, 본 명세서에서 사용되는 "열 전달 회로"라는 용어는 유체의 순환을 요구하지 않는다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 순환 유체 대신에 새로운 유체(fresh fluid)가 사용 될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예에 대하여 서술하였지만, 본 발명이 서술된 바와 다르게 실시될 수도 있다. 상기 서술내용은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.
본 발명에 따르면, 열 전달로 인한 기계적인 진동의 영향을 최소화하면서 능동 열 전달로 리소그래피 장치의 투영시스템의 온도 안정성을 보장하고, 투영시스템에 영향을 주는 온도를 조절하기 위한 제어 루프가 사용되며, 리소그래피 장치의 투영시스템내에서의 투영빔의 흡수로 인한 열 문제가 감소된다.

Claims (16)

  1. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
    - 필요한 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구성부;
    - 기판을 유지하는 기판테이블; 및
    - 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하되, 상기 투영시스템은 광학 능동 거울, 적어도 상기 거울을 지지하는 지지구조체 및 상기 거울 및/또는 상기 지지구조체의 표면들로 들어가거나 상기 표면들로부터 나오는 열 방사선을 차단하기 위해서 위치된 1이상의 열 방사선 차폐부를 포함하며;
    - 상기 1이상의 열 차폐부로부터 나오거나 상기 1이상의 열 차폐부로 들어가는 열 전달을 위한, 상기 1이상의 열 차폐부와 열 접촉하는 열 전달 회로;
    - 지지프레임상에 상기 1이상의 열 방사선 차폐부 및 상기 지지구조체를 각각 지지하도록 각자의 별도의 지지 요소들을 그 위에 구비한 지지프레임을 포함하되, 한편으로 거울용 상기 지지 요소들 및 다른 한편으로 상기 1이상의 열 차폐부는 상기 지지프레임을 통한 지지체를 제외하고 서로로부터 기계적으로 자유로운 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 1이상의 열 차폐부는 상기 거울로부터 멀리 향해 있는 상기 지지구조체의 외측 표면에 인접한 외측 차폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 외측 차폐부는 상기 외측 표면으로부터 멀리 향해 있는 측면보다 상기 지지구조체의 상기 외측 표면을 향해 있는 측면상에서 더 높은 열 방사선 흡수 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 거울은 축선을 따라 서로 대향하는 측면을 가지며, 상기 지지구조체는 상기 측면의 양쪽에서 거울을 향하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울은 투영빔이 반사되는 앞면 및 상기 앞면에 대향하는 뒷면을 가지며, 상기 1이상의 열 차폐부는 상기 거울의 상기 뒷면에 인접한 1이상의 거울 차폐부를 포함하여, 상기 투영빔이 입사되는 상기 앞면의 적어도 일부가 자유롭게 남겨지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 제5항에 있어서,
    1이상의 거울 차폐부는 상기 지지구조체에 대한 부착 지점들 및 센서들 및/또는 액츄에이터들의 선택적 인터페이스들에서 상기 투영빔이 입사되는 상기 앞면의 일부를 제외하고 상기 거울을 실질적으로 둘러싸는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 1이상의 거울 차폐부는 상기 거울의 표면 또는 표면들로부터 멀리 향해 있는 측면보다 상기 표면 또는 표면들을 향해 있는 측면상의 열 방사선 흡수 계수가 더 높은 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 1이상의 열 차폐부는 상기 거울을 향하는 상기 지지구조체의 내측 표면에 인접한 내측 차폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 내측 차폐부는 상기 내측 표면으로부터 멀리 향해 있는 측면보다 상기 내측 표면을 향해 있는 측면상에서 더 높은 열 방사선 흡수 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    설정 온도가 상기 1이상의 열 차폐부, 상기 지지구조체 및/또는 상기 거울에서 실현되도록 상기 열 전달 회로에 의하여 전달되는 열의 양을 조절하기 위해서, 상기 1이상의 열 차폐부에 결합된 1이상의 온도 센서, 상기 지지구조체 및/또는 상기 거울 및 상기 열 전달 회로에 결합된 조절 출력부를 갖는 열 전달 조절 루프를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  11. 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 전체적으로 또는 부분적으로 방사선감응재층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;
    - 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계; 및
    - 광학 능동 거울을 통하여 상기 방사선감응재층의 타겟부상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계;
    - 상기 광학 능동 거울 및/또는 1이상의 열 차폐부를 갖는 상기 광학 능동 거울의 지지구조체로 들어가거나 그로부터 나오는 열 방사선을 차폐하는 단계를 포함하되, 상기 거울 및 그 지지구조체는 상기 열 차폐부와 별도로 전체적으로 지지되며;
    - 상기 1이상의 열 차폐부에 기계적으로 부착된 파이프들을 통하여 상기 1이상의 열 차폐부로 열 전달 유체를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 거울로부터 멀리 향해 있는 상기 지지구조체의 외측 표면으로부터 방사되는 열을 흡수하는 단계를 포함하되, 외측 차폐부는 상기 외측 표면에 인접하고 상기 1이상의 열 차폐부내에 포함되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 투영빔이 반사되는 앞면으로부터 멀리 향해 있는 상기 거울의 뒷면 또는 뒷면들로부터 방사된 열을 흡수하는 단계를 포함하되,
    1이상의 거울 차폐부는 상기 1이상의 열 차폐부내에 포함되고, 상기 거울의 뒷면들에 인접하며, 상기 표면을 자유롭게 남아 있게 하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 거울로부터 멀리 향해 있는 상기 지지구조체의 외측 표면을 향하여 방사되는 열을 흡수하는 단계를 포함하되, 외측 차폐부는 상기 외측 표면에 인접하고 상기 1이상의 열 차폐부내에 포함되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  15. 제11항 또는 12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 거울을 향해 있는 상기 지지구조체의 내측 표면으로부터 방사되는 열을 흡수하는 단계를 포함하되, 내측 차폐부는 상기 1이상의 열 차폐부내에 포함되며 상기 지지구조체의 상기 내측 표면에 인접한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  16. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선의 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
    - 필요한 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구성부;
    - 기판을 유지하는 기판테이블; 및
    - 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템을 포함하되, 상기 투영시스템은 광학 능동 거울, 적어도 상기 거울을 지지하는 지지구조체 및 상기 거울 및/또는 상기 지지구조체의 외측 표면으로 들어가거나 그로부터 나온는 열 방사선을 차단하기 위해서 위치된, 상기 거울로부터 멀리 향해 있는 상기 지지구조체의 상기 외측 표면에 인접한 외측 차폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1513017A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6977713B2 (en) * 2003-12-08 2005-12-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423721B2 (en) * 2004-12-15 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7491951B2 (en) * 2005-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, system and device manufacturing method
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2009039883A1 (en) * 2007-09-26 2009-04-02 Carl Zeiss Smt Ag Optical imaging device with thermal stabilization
EP2201435B1 (en) 2007-10-09 2013-02-13 Carl Zeiss SMT GmbH Device for controlling temperature of an optical element
US20090259012A1 (en) * 2007-12-10 2009-10-15 Roberts C Chad Urea-terminated ether polyurethanes and aqueous dispersions thereof
US9410010B2 (en) 2007-12-10 2016-08-09 E I Du Pont De Nemours And Company Urea-terminated polyurethane dispersants
US20130022746A9 (en) * 2007-12-10 2013-01-24 Harry Joseph Spinelli Aqueous inkjet inks with ionically stabilized dispersions and polyurethane ink additives
WO2009143433A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Urea-terminated polyurethane dispersants
US8759418B2 (en) * 2008-05-23 2014-06-24 E I Du Pont De Nemours And Company Urea-terminated polyurethane dispersants
JP2011523964A (ja) * 2008-05-23 2011-08-25 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 自己分散顔料とポリウレタンインク添加剤とを有するインクジェットインク
DE102009034166A1 (de) * 2008-08-11 2010-02-18 Carl Zeiss Smt Ag Kontaminationsarme optische Anordnung
CA2738173A1 (en) * 2008-09-23 2010-04-01 Second Wind, Inc. Deicing system in sodar systems
JP5495547B2 (ja) * 2008-12-25 2014-05-21 キヤノン株式会社 処理装置、およびデバイス製造方法
DE102009014701A1 (de) * 2009-03-27 2010-09-30 Carl Zeiss Smt Ag Optische Baugruppe
DE102009045163B4 (de) * 2009-09-30 2017-04-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102009045193A1 (de) 2009-09-30 2011-04-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102009045223A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie
KR101895083B1 (ko) 2010-07-30 2018-10-18 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 노광 장치
CN103765315B (zh) 2011-07-01 2016-03-30 卡尔蔡司Smt有限责任公司 具有各个主动支撑组件的光学成像布置
JP6154808B2 (ja) * 2012-03-05 2017-06-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 振動遮断支持ユニットを有する光学結像装置
CN103364077B (zh) * 2012-03-28 2016-06-29 睿励科学仪器（上海）有限公司 用于光学测量仪器的温度控制方法和设备及光学测量仪器
US9658542B2 (en) 2013-10-14 2017-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical element
DE102014216631A1 (de) * 2014-08-21 2016-02-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, Spiegelmodul hierfür, sowie Verfahren zum Betrieb des Spiegelmoduls
JP6502498B2 (ja) 2014-12-03 2019-04-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 熱伝導部品を有する光学アセンブリ
US10345562B2 (en) * 2017-02-07 2019-07-09 Raytheon Company All-reflective solar coronagraph sensor and thermal control subsystem
DE102018200539A1 (de) * 2018-01-15 2019-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit Wärme-Abschirmelementen
WO2019170422A1 (en) * 2018-03-06 2019-09-12 Asml Netherlands B.V. Radiation shielding device and apparatus comprising such shielding device
DE102023203872A1 (de) 2023-04-26 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für ein optisches System

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1178357A1 (en) 2000-08-03 2002-02-06 Asm Lithography B.V. Lithographic apparatus

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714278B2 (en) 1996-11-25 2004-03-30 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH10209040A (ja) * 1996-11-25 1998-08-07 Nikon Corp 露光装置
US6118599A (en) * 1998-11-03 2000-09-12 Nikon Corporation Hybrid optical barrel
US6621557B2 (en) * 2000-01-13 2003-09-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and exposure methods
JP2002118058A (ja) * 2000-01-13 2002-04-19 Nikon Corp 投影露光装置及び方法
JP4809987B2 (ja) * 2000-03-30 2011-11-09 キヤノン株式会社 光学要素の支持構造、それを用いた露光装置及び半導体デバイスの製造方法
US6630984B2 (en) 2000-08-03 2003-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
DE10106605A1 (de) * 2001-02-13 2002-08-22 Zeiss Carl System zur Beseitigung oder wenigstens Dämpfung von Schwingungen
DE10134387A1 (de) * 2001-07-14 2003-01-23 Zeiss Carl Optisches System mit mehreren optischen Elementen
JP2003234276A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Nikon Corp 露光装置及び光学装置、デバイス製造方法
EP1376239A3 (en) 2002-06-25 2005-06-29 Nikon Corporation Cooling device for an optical element
JP2004029314A (ja) 2002-06-25 2004-01-29 Nikon Corp 光学素子冷却装置、光学素子冷却方法及び露光装置
JP2004080025A (ja) 2002-07-31 2004-03-11 Canon Inc 冷却装置及び方法、当該冷却装置を有する露光装置
EP1387054B1 (en) 2002-07-31 2012-07-25 Canon Kabushiki Kaisha Cooling apparatus for an optical element, exposure apparatus comprising said cooling apparatus, and device fabrication method
US6992306B2 (en) 2003-04-15 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Temperature adjustment apparatus, exposure apparatus having the same, and device fabricating method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1178357A1 (en) 2000-08-03 2002-02-06 Asm Lithography B.V. Lithographic apparatus

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Publication number Publication date
EP1477850A1 (en) 2004-11-17
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