JP2009531854A - 汚染バリア及び汚染バリアを備えるリソグラフィ装置 - Google Patents

汚染バリア及び汚染バリアを備えるリソグラフィ装置 Download PDF

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Abstract

放射源（２）からの汚染物質を捕捉するように構成されている複数の密集しているブレード（５）を有する回転可能な汚染バリア（４）。ブレードは、汚染バリアの回転中心軸（６）に対して半径方向に配向している。ブレードは、回転中心軸に対してほぼ半径方向に配向している結晶を有する金属化合物を含む。
【選択図】図２

Description

[0001] 本発明は、汚染バリア及び汚染バリアを備えるリソグラフィ装置に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、基板、通常は基板のターゲット部分に所望のパターンを施す装置である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造の際に使用することができる。その場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために使用することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又はいくつかのダイの一部を含む）上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に塗布されている放射感光金属化合物（レジスト）の層上に結像させることにより行われる。通常、１つの基板は、連続的にパターン形成される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置は、同時にターゲット部分上に全パターンを露光することにより各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、所与の方向に平行に又は逆平行に基板を同時にスキャンしながら、この方向（「スキャン方向」）に放射ビームでパターンをスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナを含む。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板へパターンを転写することもできる。
[0003] ＥＵＶリソグラフィで使用する放射源は、通常、リソグラフィプロセスが行われる光学系及び作業環境にとって有害な汚染物質を発生する。このことは、レーザ誘起プラズマ又は放電プラズマにより動作するＥＵＶ源の場合に特に著しい。それ故、ＥＵＶリソグラフィの場合には、ＥＵＶ源からの放射ビームを調節するために配置されている光学システムの汚染を少なくすることが望ましい。そのため、例えば、欧州特許出願公報ＥＰ１４９１９６３に開示されているようなフォイルトラップが提案されている。フォイルトラップは、多数の密集しているフォイル又はブレードを使用する。マイクロ微粒子、ナノ微粒子及びイオンのような汚染物質のデブリは、ブレードが形成する壁部により捕捉することができる。それ故、フォイルトラップは、放射源からの汚染物質を捕捉する汚染バリアとして機能する。
[0004] ある実施形態の場合には、回転可能なフォイルトラップを、システムの光学軸に沿って、特に極端紫外光を供給するように構成されている極端紫外光源の前に回転軸の方向を向けて設置することができる。それ故、汚染物質を捕捉するように構成されているブレードを、汚染バリアの回転中心軸に対して半径方向に向けることができ、放射方向にほぼ平行に整合させることができる。十分な高速でフォイルトラップを回転することにより、移動中の汚染物質のデブリを汚染バリアのブレードにより捕捉することができる。設計上の制限があるために、汚染バリアの回転速度を十分高速にすることができる。何故なら、そうしないと、デブリの移動方向に沿ったブレードの長さが、許容できないほど長くなってしまうからである。通常の回転速度は、１５０００〜３００００ＲＰＭであるが、この回転速度の場合には、汚染バリアの金属化合物内にかなりの応力が発生する場合があり、特に汚染バリアが６００℃よりかなり高い温度に加熱される場合がある放射源の動作温度の場合には特に応力が発生することになる。さらに、汚染バリアの潜在的な破損は、装置にとって有害な場合があり、稼働できない時間がかなり高くつく場合がある。ある実施形態の場合には、放射投影ビームを供給するように構成されている放射システムは、放射源からの汚染物質を捕捉するように構成されている複数の密集しているブレードを備える回転可能な汚染バリアを備える。
[0005] 例えば、もっとロバストで、強度が高い、特にブレードの強度が高い汚染バリアが求められている。
[0006] ある態様によれば、本発明は、ＥＵＶシステムで使用するための回転可能な汚染バリアを提供する。この汚染バリアは、ＥＵＶ放射源からの汚染物質を捕捉するように構成されている複数の密集しているブレードを備える。このブレードは、汚染バリアの回転中心軸に対して半径方向に配向している。この場合、ブレードは、回転中心軸に対してほぼ半径方向に配向している均一な結晶の方位を有する金属化合物を含む。
[0007] ある態様によれば、本発明は、回転可能な汚染バリアを提供するための方法を提供する。この方法は、ロッドが膨張ゾーン内で膨張を開始し、結晶が膨張ゾーン内で半径方向に整合するように、鍛造により配向可能な結晶を有する金属化合物材料のロッドを軸方向に圧縮するステップと、
汚染バリアを提供するために、中央ゾーンの周囲の膨張ゾーン内でブレード構造を切断するステップと、
を含む。
[0008] ある態様によれば、本発明は、回転可能な汚染バリアを提供するための方法を提供する。この方法は、
圧延方向に沿って配向している均一な結晶の方位を有する金属化合物材料の圧延シートから折り畳みブレードの形状を形成するステップであって、折り目が圧延方向を横切る方向に配向しているステップと、
汚染バリアの回転中心軸に平行に折り目を保持するために素子を装着することにより、折り目を係合させるステップと、
汚染バリアを提供するために、回転軸に対してブレードを半径方向に配向するステップと、
を含む。
[0009] ある態様によれば、本発明は、リソグラフィ装置を提供する。このリソグラフィ装置は、
放射源からの汚染物質を捕捉するように構成されている複数の密集しているブレードを備え、ブレードが、汚染バリアの回転中心軸に対して半径方向に配向していて、ブレードが、回転中心軸に対してほぼ半径方向に配向している均一な結晶の方位を有する金属化合物材料を含む回転可能な汚染バリアと、
放射ビームを調節するように構成されている照明システムと、パターン付放射ビームを形成するために、放射ビームをその断面のパターンの形にすることができるパターニングデバイスを支持するように構成されているサポートと、
基板を保持するように構成されている基板テーブルと、
基板のターゲット部分上にパターン付放射ビームを投影するように構成されている投影システムと、
を含む。
[0010] ここで、対応する参照符号が対応する部材を示す添付の略図を参照しながら、本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0017] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の略図である。この装置は、
[0018] 放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0019] パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、いくつかのパラメータによりパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成されている第１のポジショナＰＭに接続している支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0020] 基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、いくつかのパラメータにより基板を正確に位置決めするように構成されている第２のポジショナＰＷに接続している基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0021] 基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、
を含む。
[0022] 照明システムは、放射線をある方向に向けたり、整形したり、又は制御したりするための、屈折、反射、磁気、電磁、静電、又は他のタイプの光学コンポーネントのような種々のタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0023] 支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えば、パターニングデバイスが真空環境内に保持されているかどうかというような他の条件に依存するような方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空による、静電又は他のタイプのクランピング技術を使用することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定したり、又は移動したりすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造は、例えば、投影システムに対して所望の位置のところに、確実にパターニングデバイスを位置決めすることができる。本明細書においては、「レチクル」又は「マスク」という用語は、どこで使用した場合でも、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同意語であると見なすことができる。
[0024] 本明細書で使用する場合、「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するというような、放射ビームをその断面のパターンの形にするために使用することができる任意のデバイスを意味するものと広く解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、例えば、パターンが位相シフト特徴又はいわゆるアシスト特徴を含んでいる場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しない場合があることに留意されたい。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路のようなターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に対応する。
[0025] パターニングデバイスは、透過型のものであっても、反射型のものであってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネル等がある。マスクは、リソグラフィ業界では周知のものであり、２進、レベンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフト及び種々のハイブリッドマスクタイプのようなマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、異なる方向に入射放射ビームを反射するように、個々のミラーを別々に傾斜させることができる小さなミラーのマトリクス配列を使用する。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスが反射する放射ビームをパターンの形にする。
[0026] 本明細書で使用する場合、「投影システム」という用語は、使用している露光放射線に適しているか、又は液浸液の使用又は真空の使用のような他の要因に適している、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁及び静電光学システム、又はこれらの任意の組合せを含む、任意のタイプの投影システムを含むものとして広義に解釈すべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合には、いかなる場合も「投影システム」というより一般的な用語と同意語であると見なすことができる。
[0027] 本明細書の説明においては、装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを使用する）である。別の方法としては、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを使用する）であってもよい。
[0028] リソグラフィ装置は、２つ（２ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上の支持構造）を有するタイプのものであってもよい。このような「マルチステージ」装置の場合には、追加のテーブルを並列に使用することもできるし、１つ以上の他のテーブルを露光のために使用しながら、１つ以上のテーブル上で準備ステップを実行することができる。
[0029] リソグラフィ装置は、また、投影システムと基板との間の空間を満たすように、例えば、水のような比較的屈折率が高い液体により基板の少なくとも一部をカバーするタイプのものであってもよい。液浸液は、また、例えば、マスクと投影システム間の空間のような、リソグラフィ装置内の他の空間にも適用することができる。液浸技術は、投影システムの開口数を増大するための当業者であれば周知の技術である。本明細書で使用する場合、「液浸」という用語は、基板のような構造が液体内に沈むことを意味するものではなく、露光中、投影システムと基板との間に液体が位置することを意味する。
[0030] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受光する。放射源とリソグラフィ装置は、例えば、放射源がエキシマレーザである場合は、別々のエンティティであってもよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば、適当な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けを借りて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに移動する。他の場合には、放射源は、例えば、放射源が水銀ランプである場合には、リソグラフィ装置の一部であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、そうしたい場合には、ビームデリバリシステムＢＤと一緒に放射システムと呼ぶことができる。
[0031] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度輝度分布を調整するためにアジャスタを含むことができる。通常、イルミネータの瞳面内の輝度分布の少なくとも１つの外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータ及びコンデンサのような種々の他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータは、その断面で所望の均一性及び輝度分布を得る目的で、放射ビームを調節するために使用することができる。
[0032] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されていて、パターニングデバイスによりパターン形成されるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射する。パターニングデバイスＭＡを横切った後で、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）の助けを借りて、例えば、放射ビームＢの経路内で異なるターゲット部分Ｃを位置決めするために、基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、例えば、マスクライブラリから機械的に検索した後で、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために、第１のポジショナＰＭ及び他の位置センサＩＦ１を使用することができる。通常、第１のポジショナＰＭの一部を形成しているロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて、支持構造ＭＴを移動することができる。同様に、第２のポジショナＰＷの一部を形成しているロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより、基板テーブルＷＴを移動することができる。（スキャナに対向している）ステッパの場合には、支持構造ＭＴを、ショートストロークアクチュエータだけに接続することもできるし、又は固定することもできる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイス整合マークＭ１、Ｍ２及び基板整合マークＰ１、Ｐ２により整合することができる。図では、基板整合マークは、専用のターゲット部分に位置しているが、これらのマークは、（スクライブレーン整合マークと呼ばれる）ターゲット部分間の空間内に位置させることもできる。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に２つ以上のダイが位置している場合には、パターニングデバイス整合マークをダイ間に位置させることができる。
[0033] 図の装置は、下記のモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
[0034] １．ステップモードの場合には、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、本質的に固定されていて、一方、放射ビームに付与された全パターンは、１回だけターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、１回静止露光）。その後で、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるように、Ｘ及び／又はＹ方向にシフトされる。ステップモードの場合には、１回の静止露光により結像されるターゲット部分Ｃのサイズは、露光フィールドの最大のサイズにより制限される。
[0035] ２．スキャンモードの場合には、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同時にスキャンされ、一方、放射ビームに付与されたパターンは、ターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性により決めることができる。スキャンモードの場合には、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光によるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を制限する。一方、スキャン運動の長さが、ターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決める。
[0036] ３．他のモードの場合には、支持構造ＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持している状態で本質的に固定されていて、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に、基板テーブルＷＴが移動又はスキャンされる。このモードの場合には、通常、脈動放射源が使用され、基板テーブルＷＴが移動する度に、又はスキャン中の連続している放射線パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、容易に上記タイプのプログラマブルミラーアレイのようなプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに適用することができる。
[0037] 上記使用モードを組み合わせることもできるし、及び／又は修正することもできるし、全く異なる使用モードを使用することもできる。
[0038] 図２は、放射投影ビームを供給するように構成されている放射線システム１の略図である。放射線システム１は、極端紫外光を供給するように構成されている極端紫外光源２を含む。この図においては、破線は、通常は、錫、リチウム、又はキセノン源のようなレーザ誘起プラズマ源又はプラズマ放電源であるＥＵＶ源２からのＥＵＶ放射線３を表しているが、他の放射源、特に放射源２から放出され、リソグラフィ装置（図示せず）の下流の光学系の損傷を防止するために捕捉しなければならない、高速粒子と一緒にＥＵＶ放射線を生成する任意の他の放射源を使用することもできる。さらに、放射源２からの汚染物質を捕捉するように構成されている複数の密集しているブレード５を含む回転可能な汚染バリア４も設置されている。ブレード５は、汚染バリア４の回転中心軸６に対して半径方向に配向している。バリアのもう１つの呼び名は、（回転可能な）フォイルトラップである。ブレード５が回転することにより、高速で移動している錫の粒子及びガス状及びイオン状の粒子、特に放射源２から遠ざかる方向に移動している粒子を捕捉することができ、一方、ＥＵＶ放射線は、光速で通常ブレード５の妨害を受けないで移動することができる。
[0039] それ故、フォイルトラップ４は、放射源２からの汚染物質を捕捉するための汚染バリアとして機能する。通常、ブレード５は、０．３〜５ｍｍの間隔で配置されていて、ほぼ矩形の形をしている。都合の良いことに、放射源２は、図２の場合には、フォイルトラップ４の中心軸６と一致する汚染バリア１の光学中心を形成している複数のブレード５を通して延長面の交点のところに位置する。この中心に位置するＥＵＶ源２のような理想的な点の場合には、放射線は、ブレード５の向きにほぼ平行な方向に通過する。それ故、ＥＵＶ放射線の遮蔽は小さく、（ある実施形態の場合には、それに応じて機械的統合性に悪影響を与えないで小型に維持される）ブレードの厚さのところだけで遮蔽が行われる。ブレードの通常の厚さの値は、放射線の約１０％を遮蔽することができる約１００ミクロンである。
[0040] 構造上の統合を改善するために、本発明のある実施形態の場合には、ブレード５は、回転中心軸６に対してほぼ半径方向に配向している結晶を有する金属化合物を含む。この態様においては、「化合物」という用語は、任意の他の物質、特にその酸化物及び／又は炭化物と一緒の、純粋な形又は合金の形をしている金属のすべてのタイプの組合せを含むものと見なされる。さらに、「結晶」という用語は、例えば、結晶ゾーンを１つの一般的な方向に配向するために金属の化合物を鍛造することにより、金属化合物をある方向特に構成可能な方向に配向する数十〜数百ミクロンの寸法を通常有する金属内の結晶ゾーンを示すために使用される。このような結晶ゾーンの一例については、図６を参照しながら以下に説明する。回転速度が速いために、特に６００℃よりかなり高い汚染バリアの処理温度が高い場合には、ブレード５内にかなりの応力が生じる場合がある。例えば、プラズマ源２の場合には、推定粒子速度は、約６００〜１０００ｍ／ｓになる場合がある。ブレード５の半径方向の通常の長さは４０〜５０ｍｍであり、軸方向の通常の長さは１５〜２５ｍｍである。ブレードの通常の厚さは、８０〜１２０ミクロンである。このような寸法の場合、ブレード５は、１５０００〜３００００ＲＰＭの速度で回転した場合、約１００〜２００Ｎ／ｍｍ２の引っ張り力を受ける場合がある。
[0041] 図３は、本発明のある実施形態の略図である。この場合、金属化合物の結晶ゾーンは、汚染バリア４の回転軸６に対して半径方向に配向している。この実施形態の場合には、図では、モノリシック汚染バリア、特にブレード構造１０は、ブレード５と回転軸６との間を溶接したり、接着したりする必要がない。モノリシックな回転可能な汚染バリアは、構成可能な向きを有する結晶を有するロッド状の金属化合物７から形成される。より詳細には、モリブデン、１〜１．４重量％のハフニウム、及び例えば、Plansee SE社がＭＨＣ（登録商標）名で市販している０．０５〜０．１５重量％の炭素を含む、モリブデン合金である化合物７を使用することができる。ロッド状という用語は、特定の形状を意味するものではなく、特に、断面は、正方形、円形等のような任意の形であってもよい。ロッド状という用語は、単に、汚染バリアの所望の軸方向の長さに等しい実質的な厚さのままで、圧縮することができるように、金属化合物７が十分な軸方向の寸法を有することを意味するだけである。ロッドを軸方向に圧縮することにより、図３Ａに概略示すように、ロッドは、通常は、ロッド７の端部側８である膨張ゾーン内で膨張を始める。この圧縮ステップは、化合物が軸方向に短くなるように、十分高い温度（通常は、８００〜１０００℃）で、化合物を鍛造、特に（矢印Ｈで概略示すように）ハンマーで叩くことにより行うことができる。それ故、膨張ゾーン８内の結晶は、半径方向に整合する。このようにしてできた対象物９は、汚染バリア１の軸方向の長さにほぼ対応する厚さを有し、汚染バリア１のブレード構成の直径にほぼ対応する直径を有する図３Ｂに示す平らな小片である。
[0042] 次に、ブレード構造１０を、図３Ｃに示すように、中央ゾーンの周囲の膨張ゾーン８のところで切断することができる。それ故、中央ゾーンは、汚染バリア１の回転軸６を形成する。ブレード構造１０を切断するために実行可能な通常の切断プロセスは、アークによる及び／又は電気化学的機械加工である。アークを使用するプロセスの場合には、通常、ワイヤは、対象物９に軸方向に整合した状態に保持され、ブレード構造１０は、アークを発生しているワイヤを含む投影したブレードの半径方向のパターンに従って切断される。図３Ｄは、図３Ｃのブレード構造１０、特に中央軸６（の一部）及び１つのブレード５の間の接続部を形成している通路ゾーン１１の詳細を示す略図である。通路エリア１１内においては、結晶の方位は、半径方向の膨張プロセスにより、半径方向に配向していて、通路ゾーン１１を強化する。ブレード接続部は、軸方向に沿ったもっと高いブレードの厚さ１３に対して、通路ゾーン１１の厚さ１２を増大することによりもっと強くすることができる。これにより強制的に接続が行われ、同時にブレード５の質量を小さくすることにより、接続部に加わる引っ張り力が低減する。
[0043] 図４は、半径方向に沿った方向に配向している、特にブレード５に加わる求心力の力方向に沿って整合している結晶を示す本発明のもう１つの実施形態である。図の実施形態の場合には、ブレード構造１０は、折り曲げられたリーフとして装着されているブレード５を有する。さらに、折り曲げられたリーフの折り目１５と係合する装着素子１４を使用している。装着素子１４は、汚染バリア１の中央軸６にほぼ平行に折り目１５を保持する。装着素子は、図に示すように、中央軸６のシリンダー状の壁部上に設置されるワイヤ素子等であってもよい。別の方法としては、ワイヤ素子１４は、中央軸６のシリンダー状の壁部内の軸方向に設けられている溝内に埋設することができる。図４の構造は、圧延方向に配向している均一な結晶の方位を有する金属化合物の圧延シートで作ることができる。金属化合物は、上記モリブデン化合物であっても、又は以下に説明する他のタイプの化合物であってもよい。圧延シートから、圧延方向を横切る方向に配向している折り目を有するブレードの形状を作ることができる。次に、汚染バリア１の中央軸６にほぼ平行に折り目１５を保持するために、装着素子１４により折り目１５を中央軸６に係合することができる。ブレードの硬さにより、例えば、外側リング又はコーティング等のような他の構造を、中央軸６に対して半径方向にブレード５を向けるように設けることができる。
[0044] 図５は、さらに、種々の金属化合物の選択のクリープ強度の分析を示す。２００Ｎ／ｍｍ２（約２５０〜３５０Ｎ／ｍｍ２）の引っ張り力を意味する十分なクリープ強度にしようとする場合、それを制限する要因が、上記結晶の結晶ゾーンの統合性が喪失したために、金属化合物の構造上の統合性が喪失し始める溶融温度に近い温度である再結晶温度である場合がある。グラフの場合には、図の特定の温度は、１時間以内に再結晶が完了（１００％）する温度である。それ故、通常、７００〜９００℃の範囲にわたる場合がある、プロセス温度よりかなり高い再結晶温度を有する材料を選択することが望ましい。
[0045] グラフを参照すると、約１０００℃の再結晶温度を有する純粋な（すなわち、９９．９５重量％以上のモリブデンを含む）モリブデンは、フォイルトラップ材料として使用するのに余り適していないように思われる。一方、モリブデン、０．３〜０．７重量％のチタン、０．０６〜０．１重量％ジルコニウム、及び０．００５〜０．０６重量％の炭素を含むモリブデン合金であるＴＺＭ合金は、１２００℃のかなり高い再結晶温度を有する。より高い再結晶温度を有する他の材料としては、タングステン（約１１００℃）及びタングステンレニウム（約１４００℃）がある。
[0046] 図６は、本発明のある実施形態によるフォイルトラップで使用するための材料のある方向に配向している結晶１６の断面の顕微鏡写真である。特定の材料は、０．１〜１重量％のＬａ２Ｏ３を含む、１つ又は複数の酸化ランタンを含むモリブデン合金であるＭＬＲである。ＭＬＲ（Molybedenum Lantanum Recrystallized）は、Plansee SE社が市販している。関連する他の材料は、溶融温度に近づいた場合でも、高い構造統合性を維持している、いわゆるＯＤＳ(Oxigen Dispersed Strengthened)合金又は超合金である。上記ＭＬＲのようなＯＤＳ材料は、構造強度を増大する結晶の境界上に位置する１つ又は複数の酸化物を含む。構成可能な向きを有する結晶を含む金属化合物材料を供給するために使用することができる他のタイプのこのような材料としては、Plansee SE社が市販しているＭＬ（Molybedenum Lantanum）及びＭＬＳ（Molybdenum Lantanum Stress Free annealed）がある。
[0047] ２００Ｎ／ｍｍ２以上の高い構造（クリープ）強度を有する他のタイプの材料としては、加工されたガンマプライム強化合金である超合金Ｈａｙｎｅｓ２８２があり、５６〜６０重量％のニッケル、１７〜２１重量％のクロム、８〜１２重量％のコバルト、８〜９重量％のモリブデン、１〜２重量％のアルミニウム、及び１．５〜２．５重量％のチタンを含む。特に、この材料は、１０００時間内の１％のクリープに対して、９２７℃の温度の場合３３Ｎ／ｍｍ２、８７１℃の温度の場合６８Ｎ／ｍｍ２、８１６℃の温度の場合１４５Ｎ／ｍｍ２、及び７６０℃の温度の場合２４１Ｎ／ｍｍ２のクリープ強度値を示す。それ故、この材料は、８００℃の動作温度において、１０００時間の間に１％のクリープが発生した場合、１００ＭＰａより大きいクリープ強度を有する信頼性の高い構造統合性を提供することができる。
[0048] 通常、本発明の１つ又は複数の実施形態を実行するための当該金属化合物は、タンタル、ハフニウム、チタン、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、コバルト、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、これらの酸化物及び／又はこれらの炭化物からなる群から選択した少なくとも１つを含む合金である。
[0049] 本文中においては、ＩＣを製造する際のリソグラフィ装置について特に説明したが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の案内及び検出パターン、平面ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造のような他の用途にも使用することができることを理解されたい。当業者であれば、このような他の用途の場合、本明細書で使用する「ウェーハ」又は「ダイ」という用語は、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義語と見なすことができることを理解することができるだろう。本明細書に記載する基板は、例えば、（通常、基板にレジストの層を塗布し、露光したレジストを現像するためのツールである）トラック、計測学ツール及び／又は検査ツールで露光の前又は後で処理することができる。適用することができる場合には、本明細書の開示は、このような及び他の基板処理ツールにも適用することができる。さらに、基板は、例えば、多重層ＩＣを生成するために、２回以上処理することができ、それ故、本明細書で使用する基板という用語は、すでに複数の処理層を含んでいる基板も意味する場合がある。
[0050] 今まで、光リソグラフィに関連して本発明の実施形態の使用について説明してきたが、本発明は、例えば、インプリントリソグラフィのような他の用途にも使用することができ、上記説明を読めば分かるように、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィの場合、パターニングデバイスの形態は、基板上に生成されたパターンを定義する。パターニングデバイスの形態は、電磁放射線、熱、圧力又はこれらの組合せを適用することにより、その上でレジストが硬化する基板に塗布されたレジストの層内に圧着することができる。パターニングデバイスは、レジストから移動し、レジストが硬化した後で、その中にパターンが残る。
[0051] 本明細書で使用する場合、「放射線」及び「ビーム」という用語は、（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍ、あるいはその辺りの波長を有する）紫外（ＵＶ）線、及び極端紫外（ＥＵＶ）光（例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）、ならびにイオンビーム又は電子ビームのような粒子ビームを含むすべてのタイプの電磁放射線を含む。
[0052] 上記説明から分かると思うが、「レンズ」という用語は、屈折、反射、磁気、電磁及び静電光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントのうちの任意のもの又は組合せを意味する場合がある。
[0053] 今まで、本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の方法とは別の方法で実行することができることを理解することができるだろう。例えば、本発明は、上記方法を記述している機械可読命令の１つのシーケンス又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はその内部にこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形をとることもできる。
[0054] 上記説明は例示としてのものであって、本発明を制限するものではない。それ故、当業者であれば、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなしに、上記発明を種々に修正することができるだろう。
[0011] 本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置である。 [0012] 本発明のある実施形態による回転可能なフォイルトラップの全体的な配置である。 [0013] 本発明のある実施形態によるモノリシックなフォイルトラップを製造するためのステップの略図である。 [0014] 折り畳みブレードを備える本発明のある実施形態の略図である。 [0015] 種々の金属化合物のクリープ強度を示すグラフである。 [0016] 本発明のある実施形態によるフォイルトラップで使用するための材料の断面図の顕微鏡写真である。

Claims (21)

  1. ＥＵＶシステムで使用するための回転可能な汚染バリアであって、前記汚染バリアが、ＥＵＶ放射源からの汚染物質を捕捉するように構成されている複数の密集しているブレードを備え、前記ブレードが、前記汚染バリアの回転中心軸に対して半径方向に配向していて、前記ブレードが、前記回転中心軸に対してほぼ半径方向に配向している均一な結晶の方位を有する金属化合物を含む、バリア。
  2. 前記金属化合物が、８００℃の温度において、１０００時間の間の１％のクリープの生成に対して１００ＭＰａ以上のクリープ強度を有する、請求項１に記載のバリア。
  3. 前記金属化合物が、モリブデン金属化合物又はその合金である、請求項１に記載のバリア。
  4. 前記モリブデン合金が、ハフニウム、ジルコニウム、ランタン、コバルト、又はこれらの任意の組合せを含む、請求項３に記載のバリア。
  5. 前記モリブデン合金が、モリブデン、０．３〜０．７重量％のチタン、０．０６〜０．１重量％ジルコニウム、及び０．００５〜０．０６重量％の炭素を含む、請求項４に記載のバリア。
  6. 前記モリブデン合金が、１〜１．４重量％のハフニウム、及び０．０５〜０．１５重量％の炭素を含む、請求項４に記載のバリア。
  7. 前記モリブデン合金が、酸素分散強化（ＯＤＳ）強化材料を含む、請求項４に記載のバリア。
  8. 前記ＯＤＳ材料が、酸化ランタンを含む、請求項７に記載のバリア。
  9. 前記酸化ランタンが、Molybdenhum Lantanum Recrystallized MLR又はMolybdenum Lantanum Stress Free annealed MLSの名で市販されている０．１〜１重量％のＬａ２Ｏ３によって提供される、請求項７に記載のバリア。
  10. 前記金属化合物が、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデン、アルミニウム及びチタン合金を含む、請求項１に記載のバリア。
  11. 前記合金が、加工されたガンマプライム強化合金であって、５６〜６０重量％のニッケル、１７〜２１重量％のクロム、８〜１２重量％のコバルト、８〜９重量％のモリブデン、１〜２重量％のアルミニウム、及び１．５〜２．５重量％のチタンを含む、請求項１０に記載のバリア。
  12. 前記金属化合物が、タンタル、ハフニウム、チタン、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、コバルト、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、タングステン、これらの酸化物及びはこれらの炭化物からなる群から選択した少なくとも１つを含む、請求項１に記載のバリア。
  13. 前記ブレードが、折り曲げられたリーフとして装着され、前記汚染バリアが、前記折り曲げたものを前記汚染バリアの回転中心軸に平行に保持するために、前記折り曲げたものを係合している装着素子を含む、請求項１に記載のバリア。
  14. 前記ブレードが、前記回転中心軸とモノリシック状に設けられている、請求項１に記載のバリア。
  15. 前記ブレードが、半径方向に沿って薄くなっている、請求項１に記載のバリア。
  16. 回転可能な汚染バリアを提供するための方法であって、
    ロッドが、膨張ゾーン内で膨張を開始し、及び結晶が膨張ゾーン内で半径方向に整合を開始するように、鍛造により配向可能な結晶を有する金属化合物材料のロッドを軸方向に圧縮するステップと、
    前記汚染バリアを提供するために、中央ゾーンの周囲の前記膨張ゾーン内でブレード構造を切断するステップと、
    を含む方法。
  17. 前記鍛造が、８００℃以上の温度で行われる、請求項１６に記載の方法。
  18. 前記切断が、アーク又は電気化学機械加工、あるいはその両方により行われる請求項１６に記載の方法。
  19. 回転可能な汚染バリアを提供するための方法であって、
    圧延方向に沿って配向している均一な結晶の方位を有する金属化合物材料の圧延シートから折り畳みブレードの形状を形成するステップであって、折り目が圧延方向を横切る方向に配向しているステップと、
    前記汚染バリアの回転中心軸に平行に前記折り目を保持するために素子を装着することにより、前記折り目を係合させるステップと、
    前記汚染バリアを提供するために、前記回転軸に対して前記ブレードを半径方向に配向するステップと、
    を含む方法。
  20. 請求項１６に記載の方法により入手することができる回転可能な汚染バリア。
  21. リソグラフィ装置であって、
    放射源からの汚染物質を捕捉するように構成されている複数の密集しているブレードを備える回転可能な汚染バリアであって、前記ブレードが、前記汚染バリアの回転中心軸に対して半径方向に配向していて、前記ブレードが、前記回転中心軸に対してほぼ半径方向に配向している均一な結晶の方位を有する金属化合物材料を含む、回転可能な汚染バリアと、
    放射ビームを調節する照明システムと、
    パターン付放射ビームを形成するために、前記放射ビームをその断面のパターンの形にすることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
    基板を保持する基板テーブルと、
    前記基板のターゲット部分上にパターン付放射ビームを投影する投影システムと、
    を含むリソグラフィ装置。
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