JP2002313598A

JP2002313598A - デブリ除去装置、光源及び露光装置

Info

Publication number: JP2002313598A
Application number: JP2002003939A
Authority: JP
Inventors: Sogaado Michael; ソガードマイケル
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2001-01-10
Filing date: 2002-01-10
Publication date: 2002-10-25
Also published as: US20020090054A1

Abstract

(57)【要約】【課題】デブリの抑制が困難である。【解決手段】少なくとも一つの羽根と、デブリを含む空
間を当該羽根を移動させることによって一掃させる移動
機構とを有することを特徴とするデブリ除去装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はデブリ(debris)を押
さえ込む装置及びその方法に関するものであり、特に、
Ｘ線やEUV（Extreme Ultra Violet）光を用いた露光装
置に使用されるレーザープラズマ放射源からのデブリを
押さえ込む装置と方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、リソグラフィや顕微鏡の分野では
ＥＵＶやＸ線放射が光源として用いられている。例え
ば、リソグラフィ装置では半導体ウエハ上に形成された
レジストを露光するためにＥＵＶやＸ線放射を用いてい
る。レジストが形成されたウエハはパターン形成された
マスクからの放射光路中に配置され、露光される。そし
て、レジストが現像されることによってマスクのパター
ンはウエハ上に転写されることになる。顕微鏡では、Ｅ
ＵＶ光やＸ線は薄い試料を透過してレジストが形成され
たプレートに到達する。そして、レジストが現像される
ことによって試料の構造に関係した形状が形成される。

【０００３】このようなＸ線やＥＵＶ放射源にとって重
要な事は、ターゲット上にレーザー光のパルスが集光さ
れることによって生じる高温のプラズマである。ターゲ
ットは固体、液体、気体がある。この放射のスペクトル
特性はターゲットの組成、構造や波長、発光ピーク、パ
ルス長、スポットサイズ等のレーザパルスの特性等の関
数となる。

【０００４】Ｘ線やEUV光を用いたリソグラフィ装置の
一つの大きな問題点は、レーザーによって発生するプラ
ズマである。何故ならば、Ｘ線やＥＵＶ放射を生成する
と同時にプラズマが高温となる結果であるイオンのデブ
リ（飛散粒子）や物質が生成されるからである。レーザ
ースポットが形成された領域の固体や液体のターゲット
材料は急速に蒸発し相対的に低い温度のイオン化された
プラズマが初めに生成される。その後、続けてやってく
るレーザーパルスによってこのプラズマは非常に高い温
度に加熱される。ターゲットから発生したデブリは相対
的に大きな速度と相対的に高い温度を持つ。イオン、原
子、原子のクラスター、肉眼で見えるサイズのものを含
むデブリは大きな速度と高い温度を持ち、光学素子や他
の部材にダメージを与えたり劣化させたりする可能性が
ある。例えば、長時間デブリが生成されると、光学系の
表面にデブリの層が形成されたり、反射特性や透過特性
を変化させてしまったりする可能性がある。デブリによ
る問題は固体や液体のターゲットを用いることを困難に
していた。従って、上述のダメージを防止または緩和す
るために、固体や液体のターゲットから発生するデブリ
を抑える方法が望まれている。

【０００５】レーザー誘導プラズマによって発生するデ
ブリに関連するこれらの問題は、ある側面では非常に有
効である液体や固体の放射源（ターゲット）の使用を著
しく制限することになる。そのため、上述のデブリによ
る問題を緩和させるために多くの試みが提案されてい
る。

【０００６】一つの方法は、デブリの発生量が相対的に
少ないガス状のターゲットを用いることである。しかし
ながら、高い運動エネルギーを持つ原子が長時間発生す
ると光学素子やその他の部材にダメージを与える可能性
がある。ターゲットの周囲に相対的に低い圧力のガスを
与えることによって、このような高運動エネルギーの原
子のエネルギーを低くしたり、動きを防止したりするこ
とが可能となる。更に、このようなガスに加えて、Ｘ線
の光路中に使用波長の光束に対しては十分な透過率を持
ち、かつ、不要なデブリに対しては吸収特性を示す薄い
窓を設けることも行われている。勿論、この窓は単独で
設けても効果がある。

【０００７】更に、ガス状のターゲットに効率的にレー
ザーパルスが吸収されるように、ガス密度を高くするこ
とが好ましい。ガスの密度を高くするには複雑で精密な
超音波ノズルとポンプを用いる必要がある。また、ガス
の密度を高くすると、ガスはノズルから急速に離れてい
き広がってしまう。そのため、レーザーパルスはノズル
に近い位置に集光されなければいけない。その結果、ノ
ズル先端がプラズマによってダメージを受け、これがデ
ブリを発生する他の要因となってしまう。

【０００８】ターゲットとしてガス源を用いる事の他の
欠点は、ガス自身が高価であるということである。例え
ば、ターゲットとして使用可能なキセノンは実際に高価
である。

【０００９】デブリを減少させるための他の試みは、液
体を噴霧したターゲットである。液体源をとても小さな
小滴にして分散させることができるならば、いくつかの
液体をデブリの発生の少ないターゲットとして用いるこ
とが可能である。理想的には、各々の小滴はレーザーパ
ルスが照射されることによって全て用いられる。しかし
ながら、液体噴霧ターゲットはレーザーパルスによって
全ての小滴をプラズマにすることは不可能であり、これ
がデブリとなる可能性がある。そのため、要求されるス
ペクトル特性を有する放射に対しては透過するような吸
収特性を持つ、薄い窓を設け、光学素子や他の部材にダ
メージを与えるデブリを阻止することが必要となる。

【００１０】上述したように、ガスや液体をターゲット
に使った場合においても非常に薄い窓を用いる必要性が
ある。しかしながら、このような窓の使用は実際にはい
くつかの要因によって制限される。窓は、必要とされる
放射に対して、相対的に高い透過特性を有する必要性が
ある。それにもかかわらず、窓は装置の効率を大きく減
少させる可能性がある。例えば、EUV放射では、透過の
要求に対して膜厚が極めて薄くなり、壊れやすい窓とな
る。このような窓はデブリによって簡単にダメージを受
けたり、長時間照射されることによってデブリが窓の表
面に形成されたりすることにより、光学特性を変化させ
たり、透過特性や装置の効率を減少させる可能性があ
り、窓を頻繁に交換する必要性が生じる。更に、低圧の
ガスは早い速度を持つ原子のスピードを抑えることがで
きるが、この原子は装置の他の部材へ散乱し、結局それ
らの表面に層を形成し、これらの部材の光学特性や他の
特性を変化させる可能性がある。

【００１１】それにもかかわらず、ガスや液体のターゲ
ットは固体をターゲットとした場合に比べてはるかにデ
ブリの量を減らすことができる。例えば、ガスや液体を
ターゲットとして用いた場合のデブリ発生量はＥＵＶリ
ソグラフィに用いられるEUV光源に必要とされる仕様を
満足するオーダーである。現在のところ、固体ターゲッ
トではこのような仕様を満足することは難しいと考えら
れている。固体ターゲットを用いない場合、使えるター
ゲット材料は極端に制限される。このことは得られるス
ペクトル特性やレーザーパルスから放射への変換効率が
制限されることになる。

【００１２】従来は、デブリの抑制のために、機械的に
往復したり回転するシャッターが用いられている。この
シャッターはレーザーパルスとプラズマから発生した放
射を通過させ、最も速度の早いデブリはその面で阻止す
るように構成されている。しかしながら、このシャッタ
ーは単に速度の速い電子が通過するのをその面で阻止す
るだけのものである。速度の遅いデブリは続くレーザー
の為にシャッターが再度開いた時に通過してしまう。EU
V放射プラズマ源として考えられる高いパルス繰り返し
周波数を有するレーザーを用いた場合、この問題は特に
問題となる。このため、回転シャッターは光学系や他の
部材のダメージを防止するためにデブリを完全にあるい
は効率的に阻止することはできなかった。

【００１３】回転シャッターの例は米国特許第4408338
（Grobman）に記載されている。この特許では電磁放射
源の光路に回転シャッターを配置している。シャッター
は電磁放射源から十分に距離をおいて配置されるので、
電磁放射パルスとデブリとの伝播速度の差から両者は異
なる時間にシャッターに到達することになる。シャッタ
ーは円形であり、単一の開口もしくはノッチが設けられ
ている。シャッターの動きは、電磁パルスがシャッター
が開いている時に通過し、デブリがシャッターが閉じて
いるときに到達するように、電磁パルスに同期してい
る。しかしながら、上述したように、次の電磁パルスを
通過させるためにシャッターを再度開いた時に到着する
速度の遅いデブリを捕まえることはできない。

【００１４】明らかなように、従来の装置では、ターゲ
ットからの速度の速いデブリを捕まえるように設計され
ているが、発生するデブリは速度のスペクトル幅が広い
ので全てのデブリをシャッターで阻止することはできな
い。いくつかのデブリは閉じたシャッターにぶつかる。
しかしながら、他の速度の遅いデブリは次にシャッター
が開いた時にまだ移動中であり、これらは通過してしま
う可能性がある。従って、問題となる量のデブリがシャ
ッターを通過してしまうのである。速度の遅いデブリは
一般的に大きいので、装置の構成部材に与えるダメージ
を減少させるためにシャッターを設けてもあまり効果は
無い。

【００１５】デブリを減少させるための他の方法は米国
特許第4860328（Frankel et al）に開示されている。こ
の特許ではリソグラフィ装置のプラズマ放射Ｘ線を発生
させるためのターゲットについて開示がある。このター
ゲットはプラズマからのデブリの発生が小さくなるよう
に設計されている。しかしながら、この特許は発生して
しまったデブリの抑制については開示していない。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明はEUVリソグラ
フィに許容可能なレベルまでレーザープラズマ光源から
発生するデブリを抑制するための効果的な装置を提供す
る事を目的とする。また、EUVリソグラフィや他の装置
の要求するデブリの量を満足するような放射発生に、固
体、液体、霧状の液体、ガスを用いることが可能となる
ことを目的とする。このような装置はターゲット材料の
選択をより広いものにし、その結果、スペクトル特性を
より広範囲にし、放射の発生効率をより高くすることが
可能となる。更に、好ましくは、シンプルでコスト効率
の良いデブリ抑制装置若しくは方法を提供することを目
的とし、デブリが長時間装置の構成部材に照射されるこ
とを防ぐ。このような装置は好ましくはリソグラフィ装
置のダウンタイムを減少させることが可能となる。

【００１７】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明では少なくとも一つの羽根と、デブリを含む
空間を当該羽根を移動させることによって一掃させる移
動機構とを有することを特徴とするデブリ除去装置を提
供する。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態によるデ
ブリ除去シャッターを示す平面図であり、図2は図1の2-
2線で切った断面図である。シャッター２０は、開口部
２４を有するプレート２２と、好ましくはプレート２２
に接続されている複数の羽根状部材２６と、プレート２
２を回転軸３０を中心に回転可能に搭載したシャフト２
８と、マニホルド３２とを有する。

【００１９】図2に示すように、Ｘ線４０を発生させる
ために、レーザービーム４２がレーザープラズマターゲ
ット４４上に集光されることによりプラズマが発生し、
Ｘ線が得られる。プラズマからＸ線が発生するとき、デ
ブリも発生する。回転軸３０を中心にシャッター２０が
回転すると、デブリ除去シャッター２０は選択的にかつ
周期的に開閉を行う。シャッター２０が開いていると
き、シャッターは、例えば、Ｘ線やデブリを通過可能と
する。同様に、シャッター２０が閉じているとき、シャ
ッターはＸ線やデブリの通過を阻止する。光学系で決め
られる立体角内、若しくは、Ｘ線が通常通過する領域内
のデブリやＸ線の通過が阻止されるときシャッター２０
は閉じていると考えることができる。

【００２０】各々の開口２４が図の２４ＡのようにＸ線
やデブリの行路に位置されるとき、シャッター２０をＸ
線４０は通過することができる。いつの時間において
も、他の開口２４がＸ線の光路に位置してないときに、
一つだけの開口２４がＸ線の光路に配置されることが好
ましい。しかしながら、開口２４と羽根２６の位置関係
やプレート２２との関係によって、一つ若しくは２つの
付加的な開口を開口２４Ａの周囲に（半径方向の上や
下）設けることもできる。

【００２１】開口２４の大きさや形状はシャッター２０
の立体角に影響し、そのため通過するＸ線４０の量や形
状にも影響を及ぼす。開口２４は図１に示すように円形
が好ましい。その理由は多くの光学系は軸対象に依存し
ているからである。しかしながら、特別な装置やＸ線の
角度分布の仕様によっては、どのような形状や大きさに
しても構わない。開口２４の形状例としては、矩形、台
形、楕円や図１に示すような扇形２４’等を含む。より
大きな開口である扇形２４’は大きな立体角を持つシャ
ッター２０を構成できるので、より多量のＸ線を通過さ
せることが可能となる。例えば、図１，２をスケール図
として扱うなら、円形開口２４に対する立体角はおよそ
0.12ステラジアン(steradian)であり、扇形開口２４’
に対する立体角は0.28ステラジアンとなる。

【００２２】プレート２２が回転軸３０を中心に矢印３
４の方向に回転すると、シャッター２０は開口２４Ａが
Ｘ線４０とデブリ４６の行路に配置されたときに開とな
る。制御装置２５はシャッター２０を回転駆動させるモ
ーター２７とレーザービームパルス発生器２９に接続さ
れている。制御装置２５はシャッター２０の回転とレー
ザービームパルスのタイミングを同期させて制御するこ
とによってシャッター２０が開くと同時にＸ線が発生す
る。制御装置２５によってターゲットを制御する事も可
能である。例えば、プラズマでダメージを受けたターゲ
ット４４を移動することにより新しいターゲットの領域
をレーザーが照射される領域にもっていくことができ
る。

【００２３】プレート２２が連続して回転するとき、開
口２４Aの近傍に位置する羽根２６Aはある空間を横切
り、この空間を一掃することになる。羽根２６Ａによっ
て横切られる空間は一つ前のレーザーパルスによって発
生したＸ線４０とデブリ４６の行路を阻止する。一つ前
の集光レーザービームによって発生したプラズマは羽根
２６Aがその空間を通過する前に消滅していることが好
ましい。

【００２４】羽根２６Aがその空間を横切るとき、羽根
２６Aはその空間の少なくとも一部を一掃し、その空間
に含まれるデブリの少なくとも一部と接触する。羽根２
６Aに接触するこの空間に含まれるデブリは重要とな
る。ターゲット４４と羽根２６Aとの間に存在するわず
かな隙間に位置する最も速度の遅いデブリは羽根２６A
には接触しない。従って、残りのデブリ４６は羽根２６
Aの表面に堆積したり、その行路を曲げられる。羽根２
６Aに接触しなかった最も遅いデブリは次にくる羽根２
６B上に堆積したり行路を曲げられる。

【００２５】羽根２６Aは羽根２６Aに堆積せずに行路を
曲げられたデブリ４４に大きな運動量を与える。この大
きな運動量はプレート２２の回転スピードが高い事に起
因する。プレート２２は羽根２６の移動速度がデブリの
速度と同等か大きくなるようなスピードで回転されるこ
とが好ましい。デブリの速度はプラズマの状態に依存す
るが、広い範囲に渡り、速度のピークはM.C. Richardso
nらの論文（Applied Optics 32, 6901(1993)）によれば
１０⁴cm/秒となる。これはＸ線の伝播速度である３×１
０¹⁰cm/秒と比較される。羽根２６Aによってデブリ４
６に与えられた運動量は一般的には定義できない。原子
や分子レベルの小さな粒子に関しては、ランベルトの法
則や余弦法則に従った反射角分布及び入射と最終方向と
の間の相互関係の損失を持って粒子は羽根の表面から反
射する。従って、プレート２２が無くても羽根２６のみ
で前述の空間に存在する小さなデブリを効率的に除去す
ることができるか予想するのは困難である。しかしなが
ら、大きなデブリ粒子に関しては、羽根２６Aによって
与えられる運動量の方向は羽根２６Aが移動している方
向となる。言い換えるならば、デブリ４６に与えられる
運動量の方向は羽根２６に対して垂直、若しくは、円形
のプレート２２の円周に接している。従って、行路が曲
げられたデブリは前述の空間からプレート２２の円周に
接した方向に追い払われ、マニホルド３２へ向かう。

【００２６】残りの開口２４や羽根２６は上述した開口
２４や羽根２６Aと同様である。プレート２２の回転は
シャッター２０が開いている周波数がレーザービームパ
ルス４２の周波数と同期させることが好ましい。一般
に、シャッター２０はＸ線が開口を通過するために十分
な長さだけ開くことを必要とする。更に、シャッター２
０はプレート２２に最も早いデブリが到達する前に閉じ
ることが好ましい。

【００２７】羽根２６はプレート２２と一体形成され
る、または接続される、あるいは接触するようにプレー
ト２２から延びている。各々の羽根２６は平坦な板であ
る。更に図１に示すように、各々の羽根２６は回転軸３
０に対して放射方向に等しい長さとすることが好まし
い。また、各々の羽根２６は放射状に等しい角度で配置
されることが好ましい。開口２４と羽根２６は好ましく
は交互に配置される。図１に示すシャッター２０では８
個の開口２４と８個の羽根２６を示したが、この数は装
置に併せて適当な数を選択すればよい。開口、羽根、プ
レートの数、大きさ、形状、位置は、例えば必要な立体
角やレーザービームパルスを発生させるための光学装置
の要求等の多くの装置パラメータに依存する。

【００２８】例えば、プレート２２は、直径がおよそ15
0mmであり、８個の開口と８個の羽根を設け、レーザー
の集光面から10mm距離を離して配置される。各々の開口
は直径がおよそ8.5mmの円であり、Ｘ線の立体角が0.5ス
テラジアンである。羽根は好ましくは長さが約40mm、高
さが約9mm、幅が1mmかそれ以下とされる。シャッターが
開となる周波数とレーザービームパルスの周波数は同じ
であり、約１５００Hzである。そして、プレートは11,2
50rpmで回転され、周囲の速度は約90m/秒となる。

【００２９】有効立体角を最大にするためには、レーザ
ーターゲット面とシャッターのプレート２２との間の距
離はできる限り短くすることが好ましい。しかし、この
距離は最も早いデブリがプレート２２に到達する前にシ
ャッターが閉じる程度に長くしなければならない。上述
の例では、最も早いデブリの速度が１０⁴cm/秒と予測さ
れ、シャッターは１ｃｍ／１０⁴ｃｍ／秒＝１０^-4秒で
閉じなければならない。シャッターの開口は8.5mm=0.85
cmなので、シャッターの速度は0.85cm/10^-4秒＝85m/秒
を超えなければならないが、この速度は上述の90m/秒よ
りも遅い。よって、レーザーターゲット面とシャッター
面との距離は更に短くすることができるので、シャッタ
ー性能を落とさずに更に立体角を大きくすることが可能
である。

【００３０】明らかなように、シャッターの速度を増加
することができれば、ターゲット面とシャッター面との
距離は更に短くすることができ、立体角は大きくするこ
とができる。この場合にはレーザーパルスの周波数と同
期させるために、各開口間の距離は大きくなるように調
整する必要がある（レーザーパルスの周波数を高くして
調整しても良い）。シャッタースピードの上限は、引っ
張り強さSとシャッター材料の密度ρを用いて表すこと
ができ、その関係は、最大回転速度∝√（S/ρ）とな
る。このことは超遠心機の技術分野ではよく知られてい
る。上述の回転速度は通常用いられる金属の限界内であ
る。

【００３１】開口２４や羽根２６に関しては多くの変形
例が考えられる。例えば、より少ない若しくは多い羽根
や開口を設けても良い。羽根は開口のすぐ近くに配置可
能であり、開口の倍の数の羽根を配置したり、羽根同士
の距離（円周に沿った角度）が等しくなくても良い。

【００３２】他の変形例としては、羽根２６は半径方向
に関してシャフト方向に更に長さを長くしてもよい。し
かしながら、デブリ４６が羽根２６とシャフト２８との
間の領域に到達したとしても、そこには開口が無いので
プレート２２によって阻止される。従って、羽根を内側
に延ばすことはそれほど有益ではない。更に、もし、装
置内に低圧ガス等のガスが存在する場合は羽根２６とシ
ャフト２８との間の距離はあるほうが好ましい。何故な
らば、シャッター２０の回転スピード及び／またはシャ
ッターモーターの消費電力に過度に負担をかけないよう
に、羽根による回転抵抗を高くしないことが好ましいか
らである。

【００３３】デブリのいくらかは羽根２６やプレート２
２に付着する。このことはデブリが逃げることを防止す
るという点でシャッターの性能を向上させる。しかし、
羽根２６やプレート２２上に長時間に渡ってターゲット
からの材料が蓄積されると、非対称な質量分布を形成す
るので、回転の不安定性を引き起こすので、交換する必
要が生じる。従って、これらの蓄積されたデブリを減少
させるために羽根２６やプレート２２の表面を処理する
ことが好ましい。このような処理はレーザーターゲット
４４の元素組成に依存する。

【００３４】マニホルド（若しくは収集溝）３２はプレ
ート２２と羽根２６を部分的に囲っており、デブリ４６
を捕獲するための環状空間３８を形成している。羽根２
６によって除去されたデブリ４６は好ましくは環状空間
３８によって収集される。マニホルド３２は静止してお
り、レーザービーム４２が通過してターゲット上に集光
することができるように、マニホルド３２は開口（若し
くはギャップ）３６を有する。この開口若しくはギャッ
プ３６はどのような大きさでも構わないが、図１では２
つの羽根２６の間の円周分の開口とされている。

【００３５】シャッター２０は低圧環境若しくは低圧チ
ャンバー内で用いることが可能であるが、好ましくは連
続的に低圧ガスがチャンバー内に供給される。低圧ガス
はシャッター２０に対して速い速度のデブリ４６の速度
を落とすことができる。低圧ガスは羽根２６から跳ね返
ったデブリを拡散させる。

【００３６】供給された低圧ガスはマニホルド３２から
排気され、マニホルド３２で収集されたデブリ４６は低
圧ガスの流れによって取り除かれる。また、真空ポンプ
をマニホルド３２に接続し、チャンバー圧よりもマニホ
ルドをわずかに真空にしてもよい。マニホルド３２と周
囲のチャンバとの間の圧力差は羽根２６によって収集さ
れたデブリ４６を積極的にマニホルド３２に引き寄せ、
マニホルドから取り除く事を可能とする。

【００３７】カバー３９はプレート２２のターゲット４
４とは反対側の側面に配置することができる。カバー３
９は一般にＸ線が通過するマニホルド３２の開口３６の
近傍を除いてプレート全面を覆っている。カバー３９は
プレート２２から距離をおいて配置され、プレート２２
の回転を妨げないようにされている。カバー３９は静止
しており、図2に示すようにマニホルド３２に支持され
ている。なお、カバー３９は他の静止している部材（不
図示）によって支持してもよい。カバー３９は、カバー
39上に位置するプレート２２の一つの開口２４を通過し
たデブリを更に阻止することができる。更に、シャッタ
ー２２の構成部材が破損したりしたときに、近傍の例え
ば非常に壊れやすい光学部材等の構成部材を破壊するこ
とを防止することができる。

【００３８】プレート２２は中心回転軸３０を持つ円形
とされている。このような形状は好ましいが、他の形状
にしてもよい。しかしながら、プレートはシャフト２８
のトルクが不均衡になるのを避けるために回転のバラン
スが取られるべきである。回転運動の代わりに、プレー
ト２２を線形運動の往復運動としても良い。図１４は概
略的にこのような構造を示しており、矩形のシャッター
プレート６０がプラズマによる放射４０の光路を横切っ
て往復駆動される。開口６２はプレート６０を放射４０
が通過できるように配置されている。プレート６０は切
り取り部６４を有し、この部分からレーザービームがタ
ーゲット４４に入射可能とされている。プレート６０か
ら延びているバッフル（羽根）６６はプラズマからのデ
ブリ４６を除去または向きを変えることにより、開口６
２や切り欠き部６４をデブリが通過することを防ぐ。デ
ブリ除去の機能とメカニズムは前述の例と同様である、
不図示のマニホルドをプレート６０の端部に設けてもよ
い。

【００３９】尚、シャッタープレート６０は他の形状で
も良く、要求される有効領域に依存する。シャッタープ
レート６０は弧状の往復運動でも可能であり、この場合
は不図示の弧の中心に関して放射状に配置される。

【００４０】図３はデブリ除去シャッターの他の例を示
す平面図であり、図４は4-4線で切った断面図である。
図１，２に示したシャッター２０と同様に、デブリシャ
ッター１２０は、プレート２２、開口２４、羽根状部材
１２６、シャフト２８、マニホルド３２を有する。尚、
上述の実施例と同様なものについては同じ符号を付し、
説明は省略する。

【００４１】図３に示すように、各々の羽根１２６は回
転軸３０から半径方向に曲線を描いて延びている。この
ような羽根１２６は羽根車の羽根として機能する。各々
の曲線羽根１２６は凹面１２６ａと凸面１２６ｂを有す
る。シャッター１２０のプレート２２を矢印３４の方向
に回転させることにより、主に凹面１２６ａをデブリと
接触させることが好ましい。図示していないが、各々の
羽根は回転軸３０に対して傾けて配置することも可能で
ある。

【００４２】曲線若しくは羽根車の羽根１２６は低圧ガ
ス環境で用いることが特に好ましい。特に、羽根１２６
の曲線形状が低圧ガスとガス中に拡散されたデブリを半
径の外周方向に移動させるので、効率的にマニホルド１
３２でデブリを収集することができる。

【００４３】また、図３、４に示したように、収集マニ
ホルド１３２は図１,２に示したマニホルド３２とほぼ
同様であり、プレート２２と羽根１２６を部分的に囲
み、デブリ４６を収集するために空間１３８を形成して
いる。環状の空間１３８は羽根１２６によって除去され
たデブリを収集するように配置されている。

【００４４】静止しているマニホルド１３２はカバー部
材３９ａを有する。カバー部材３９ａはプレート２２か
ら少しの距離をおいて配置され、プレート２２の回転を
妨げないようにされている。また、カバー部材３９ａは
残りのマニホルド１３２と一体的に形成されており、そ
のためそこに収集されたデブリ４６を例えば低圧ガスの
流れによって除去することが可能である。

【００４５】カバー部材３９ａはマニホルド１３２の開
口領域１３６以外の領域のプレート２２を覆っている。
また、カバー部材３９ａは図１、２に示したカバー３９
と同様の機能を有する。開口領域１３６はレーザービー
ム４２をターゲット４４上に集光させ、かつＸ線４０が
開口１３６を通してシャッター１２０を通過することが
できるように設けられている。

【００４６】カバー３９ｂが更に設けられている。カバ
ー３９ｂもプレート２２の回転運動を妨げないように距
離をおいて配置されている。カバー３９ｂはターゲット
４４の近傍領域を除いてプレート２２を覆っている。

【００４７】カバー３９ｂは静止しており、マニホルド
１３２によって支持されている。代わりに、カバー３９
ｂをマニホルド１３２に一体形成し、カバー３９ｂによ
って収集されたデブリ４６をマニホルドを通して除去で
きるようにしても良い。カバー３９ｂはプレート２２か
ら遠ざかる方向に向きを変えられたデブリをも除去する
ことができる。

【００４８】更に、カバー３９ｂは低圧ガスとこれに拡
散しているデブリを半径方向の外周方向に移動させるこ
とを強めることができ、マニホルド１３２によりデブリ
が収集される。特に、カバー３９ｂは曲線の羽根１２６
によってマニホルド１３２へ向かわせる低圧ガスの体積
を制限し、よって、シャッター１２０内の圧力よりも低
い圧力を生成することとなる。更に、シャッター１２０
が破損した等の場合に、カバー３９ｂは、更に、壊れや
すい光学部材等の近傍の部材を破壊することを防止す
る。

【００４９】上述の例では、シャッターの要求される回
転速度のため相対的に小さい立体角の光学系に適してい
る。しかし、装置によっては例えば１ステラジアンかそ
れ以上の立体角を必要とするものがある。

【００５０】図５は大きな立体角をもたらすことが可能
な他のデブリシャッター２２０の例を示す平面図であ
り、図６は６−６線を切った断面図であり、図７は７−
７線を切った断面図である。シャッター２２０は立体角
として０．５−１．５ステラジアン若しくはそれ以上の
大きさの立体角を可能とする。図５−７をスケール図と
するならば、本例では立体角は１．３３ステラジアンと
なる。

【００５１】上述のシャッター２０、１２０と同様に、
シャッター２２０は静止プレート２２２、開口２２４、
羽根状部材２２６、ハブ２２３、シャフト２８、マニホ
ルド３２を有する。尚、上述の例と同様なものについて
は同じ符号を付して説明を省略する。

【００５２】図５に破線２２２で示されるように、シャ
ッター２２０の開口２２４は中央のハブ２２３から延び
ており、プレート２２２の端が開口近傍の２つの羽根の
各々の端部と同様な位置となっている。従って、開口２
２４の大きさはほぼ最大となっている（つまり、２つの
羽根で囲まれる領域にプレートが存在しない）。プレー
ト２２２は前述のプレート２２のように回転せずに固定
である。そのため、放射が通過するための開口２２４は
一つのみである。従って、プレート２２２は前述のプレ
ート２２とカバー３９の両方の機能を併せ持ったものと
なっている。

【００５３】前述の例では立体角はデブリを阻止または
拡散する役割を本質的に持つプレート２２によって制限
されている。羽根は、プレートの穴を通して拡散し、結
果的にデブリとなってしまうデブリを一掃する働きを持
つ。本例では、羽根はプレート２２の助けなしに全ての
デブリを除去するように設計されている。

【００５４】各々の羽根（放射アーム）２２６はプレー
ト２２２の面と回転軸の両方に対して角度を持って配置
された複数のブレード２２６ａを有する。従って、ブレ
ード２２６ａにぶつかったデブリはブレード表面に付着
するか、ターゲット４４の方向（プレート２２２とは反
対の方向）若しくはマニホルド３２に向かう外周方向に
選択的にブレード２２６ａによって向きを変えられる。
図６に示したブレードの配置では、シャッターは矢印２
３４の方向に回転させることが好ましく、ターゲット４
４の方向へデブリを向かわせることができる。上述した
シャッターの例と同様に、シャッター２２０の回転速度
はデブリの速度よりも高い。

【００５５】ブレード２２６ａはMiyazakiらの米国特許
4,787,829、Ishimaruの米国特許5,350,275及びCerruti
らの米国特許5,688,106等に開示されている従来のター
ボ分子ポンプに利用されている機能と同様である。

【００５６】本例の動作はターボ分子ポンプの軸流の理
論に基づいて理解することができる。例えば、この理論
はC.KrugerとA.Shapiroによる”自由分子領域における
軸流圧縮機”（Proceedings of the 2nd International
Symposium on Rarefied GasDynamics, L. Talbot, e
d., Academic Press, NY, 1961, p117）に開示されてい
る。三次元の流れ解析はより複雑であるので、以下の流
れ理論の説明では三次元の流れによる全ての複雑さにつ
いては説明を行わない。以下の解析は本発明の実施が可
能であることの説明に注意を払う。ここで適用した理論
は、仮に低圧ガスが存在したとしてもデブリ粒子を分子
流とみなせるという仮定に基づいている。デブリ粒子同
士の衝突が生じないくらいデブリの密度は十分に低い。
周囲のガスが羽根との衝突で実質的にデブリの速度を変
えないくらいデブリ粒子が重かったとしても分子流は仮
定することができる。また、この理論でデブリの速度分
布がマクスウエルの速度分布に従わなかったとしても、
マクスウエルの速度分布を仮定する。しかしながら、実
験値でも理論値でも基本的な結果はこれらの仮定に敏感
ではないことが分かっている。

【００５７】環状の羽根のアレイは図８に示すようにブ
レード７０からなる直線のアレイに近似した。単純化の
ため、各々の羽根は単一のブレード７０としてモデル化
した。上側（upstream side）つまりターゲット側から
下側（downstream side）へ向かう分子やデブリの透過
確立はブレードの間隔ｓと長さｂ、角度α及びデブリの
平均速度とブレードの速度との比Ｓによって特徴付けら
れる。これらのパラメータの関数である透過確立はモン
テカルロ法を用いて計算され、それは図９に示される
（KrugerとShapiroの図２と同じである）。ターゲット
側から下側へ向かうデブリの透過確立はＳ＜０の曲線部
分によって示される。もし、ブレード速度が約100m/秒
かそれ以上ならば、一般にＳの絶対値は１よりも十分に
大きくなる。そのため、図9に示すパラメータの領域で
は透過確立は１０％よりも小さくなる。立体角を大きく
するためには、相対的にs/bの値が大きなものが必要と
なる。すると、透過確立を示す曲線はより高い方向へ向
かう。しかし、図9に示す透過確率は現存の装置に対し
ては過度な評価となっている。透過確率はブレード長が
とても大きいものと仮定して計算しているので、ガス分
子が上側若しくは下側へいくまでブレードに衝突するこ
ととなっている。しかし、ブレードの半径方向に向かっ
たデブリは中央のハブにぶつかったり、マニホルド３２
に収集されたりする。更に、本モデルではブレードに固
着するデブリの可能性を含んでいない。従って、上述の
透過確立は過度な評価となっている。ブレードからの散
乱は本計算で仮定されている。この仮定は上述したよう
に小さなデブリにのみ有効であると思われる。大きなデ
ブリ粒子は羽根でほぼ正反射すると考えられるので、羽
根は選択的に粒子を外側へ向かわせる。図１０は図5-7
の例における図8の変形例を示すものである。図8に示し
た単一のブレード羽根７０は複数のブレード羽根７７に
置き換えられている。本例では弦ｂは羽根７７に含まれ
る個々のブレード７９の弦ｂ’を足し合わせたものとし
ている。本例では羽根がターゲットに垂直な方向に厚く
なっておりデブリを収集することができるが、プラズマ
からの放射に対しては実質的に小さな障害物となる。こ
のデザインでは、Ｘ線に対する立体角はs/bの比やブレ
ードの角度αには直接は依存しない。従って、これらの
値は透過確立を最小にするように選択することができ
る。しかし、前述の透過確立が図１０の構成（s/bやα
の値）から直接的に求められるかどうかは明らかではな
い。従って、これらはあくまでも指針である。

【００５８】透過確立を下げるために、（回転）ブレー
ド群を固定ブレード群に交互に嵌合させることができ
る。角度のピッチは回転するブレードとは反対となる。
固定ブレードの形状が回転ブレードの形状と同じである
ならば、固定ブレードは回転ブレードとほぼ同じ透過確
立を持ち、理論も実験も共に各々の透過確立がｐである
ｎ個のブレードを持つ回転ブレードと固定ブレードに対
する透過確立の総計はおよそｐⁿとなることを示してい
る。従って、多段のシャッター若しくはブレードによっ
て低い透過確率を得ることができる。

【００５９】図１１は本発明による他の例であるシャッ
ター３２０を示す平面図であり、図１２は１２−１２線
で切った断面図、図１３は１３−１３線で切った断面図
を示す。図１１−１３の例では図５−７の例に加えて複
数のブレード３２７ａを有する固定ブレード３２７を設
けている。固定ブレード３２７ａはシャッターの固定壁
３２８から延びている。また、マニホルド３２に直接取
り付けてもよい。固定ブレード３２７ａは羽根３２６の
回転ブレード３２６ａと互いに噛み合う（図１３参
照）。上述したように、固定ブレードと回転ブレードと
を噛み合わせた多段のシャッターはターゲットと下側に
位置する光学系との分離をより高いものとすることがで
きる。例えば、一つのブレードを横切るデブリの透過確
立ｐが約０．１であるならば、図１１−１３に示した例
（４つの回転ブレードと３つの固定ブレード）の透過確
立は約10^-7となる。

【００６０】固定ブレード３２７ａは回転軸３０に円周
方向に部分的に延びている。固定ブレード３２７ａはＸ
線４０やレーザービーム４２が通過するための開口３２
４を形成する。固定ブレード３２７ａは、シャッター３
２０の面と回転軸３０に対して回転ブレード３２６ａと
は反対方向に配置されている（図１２参照）。固定ブレ
ード327ａはシャッターの複雑さを増加させる。

【００６１】回転ブレード３２６ａにぶつかったデブリ
はブレード３２６ａ又は固定ブレード３２７ａに固着す
る、若しくはターゲット４４方向及び／又はマニホルド
３２の方向へブレード３２６ａによって向きを変えられ
る、若しくは固定ブレード３２７ａによってターゲット
４４とは逆方向に向きを変えられる。図１０に示す回転
ブレード３２６ａの配置では、シャッター３２０は好ま
しくは矢印２３４の方向に回転し、回転ブレード３２６
ａ、固定ブレード３２７ａによって上述のようにデブリ
の向きを変える。不図示ではあるが、他の変形例として
はシャッターを半径方向に延びさせてレーザービーム発
生装置（特に光学部材）をデブリから保護するようにす
ることができる。この変形例ではプレートを半径方向に
延びさせ更にターゲットへ向かうレーザービームを通過
させるための開口をプレートに設ける。このレーザービ
ーム用の開口の動作は図１等で示したＸ線通過用の開口
24と同じである。つまり、第１の開口群がＸ線通過用に
用いられ、第２の開口群がレーザービーム通過用に用い
られる。シャッターに関していくつかの変形例を示して
きたが、どの変形例の要素を他の例に用いることも可能
である。例えば、全てのもしくはどの例でもプレートの
両側面もしくは片面にカバーを設けてもよく、このカバ
ーはマニホルドに支持されてもよく、また、他の部材に
支持されてもよい。

【００６２】更に、上述の例よりも複雑とはなるが、よ
り大きな立体角をもたらす例を以下に示す。例えば図１
５は図１−４のシャッターを２つ使った例であり、単一
のシャッターで得られるよりも大きな立体角をもたらす
ことができる。尚、前述の例と同様なものについては同
様な符号を付して説明は省略する。例えば、図15(a)の
上側のシャッター（符号にａがついている）は、Ｘ線通
過用の開口２４ａ、シャッタープレート２２ａに接続さ
れた羽根２６ａ、ハブ２８ａに接続されたシャッタープ
レート２２ａを有し、矢印５３４ａの方向に回転され
る。下側のシャッター（符号にｂがついている）も同様
である。２つのシャッタープレートは矢印５３４ａ、５
３４ｂで示すように反対方向に回転する。しかし、２つ
のプレート上の開口２４ａ，２４ｂに対して異なる方位
配置となっている。また、２つのシャッターは近接して
配置されるが、上下方向に位置をずらして配置されてい
る（図１５（ｂ）参照）。その結果、２つのシャッター
平面はシャッタープレートと羽根が互いに接触しないよ
うにわずかにオーバーラップしている。例えば、図15
(a)から分かるように、羽根２６ａ’、２６ｂ’が空間
５２６中を回転するときに衝突しない。制御装置５２５
は制御装置２５とは異なり、２つのモーター２７ａ，２
７ｂを制御しなければならない。

【００６３】プレート５３９はレーザーターゲットとは
逆側のシャッターの側面を覆っており、プレートの開口
以外の部分でＸ線を阻止する。レーザービーム４２はプ
レート５３９とマニホルド５３２の切り欠きを通して側
面より入射する。楕円５５０はシャッタープレーン２２
ａ上におけるレーザービームの断面を示す。レーザービ
ームの角度の大きさはｆ／２レンズから投影されるもの
と一致する。

【００６４】プレート５３９の開口はシャッターの開口
よりも大きく描写されているが、立体角がプレートの開
口で決まるようにシャッターの開口よりもわずかに小さ
いことが好ましい。何故ならば、シャッターは回転する
ので角度の位相変化を引き起こすからである。

【００６５】本例は有効立体角を大きくすることができ
る。例えば、図１５をスケール図とするならば、Ｘ線に
対する立体角は約１．０ステラジアンとなる。図１６
(a)-(c)、図１７はシャッター３２０を用いた変形例で
ある。基本的に２つのシャッターはシャッター３２０と
同じものであり、立体角はほぼ２倍となる。Ｘ線用の開
口６２６はレーザービームを通過させるために非対称と
なっている。同様な理由から固定ブレードは回転ブレー
ドのような同一の方位周期を持たない。しかし、これら
は装置の性能には影響を及ぼさない。２つの回転は矢印
６３４ａ、６３４ｂで示すように反対方向となってい
る。２つの回転体はターゲット４４から異なった位置に
配置されているので、２つの回転体に備えられているブ
レードは互いに嵌合し、ぶつかることはない。プレート
６２２はターゲットとは反対側のシャッター側面を覆っ
ており、開口６２６以外の領域でＸ線を阻止する。図１
８にプレート６２２を示す。ターゲット４４上のレーザ
ーの焦点位置４３が示されている。レーザービーム４２
はプレート６２２、マニホルド６３２、固定マウント６
２８の切り欠き部を通して側面より入射される。楕円６
５０はプレート６２２上におけるレーザービームの断面
を示す。レーザービームの角度の大きさはｆ／２レンズ
で投影されるものと一致する。

【００６６】上述した理由と同じ理由から、プレートの
開口６２２が立体角を決めるように、回転体で決まる開
口よりもプレートの開口を小さくすることが好ましい。
本例では立体角を大きくすることができ、例えば、図１
６をスケール図とするならば立体角は１．８ステラジア
ンとなる。仮に、シャッター６２０から固定ブレードを
取り除く場合、ターゲット面とプレート６２２との距離
は実質的に短くすることができるので、立体角はより大
きくなる。

【００６７】立体角を大きくするためのシャッター７２
０を図１９，２０に示す。ターゲット４４に平行な面と
するのではなく、回転ブレード７２６と固定プレート７
２２は曲線を描いており、プラズマ放射源は回転ブレー
ドと固定プレートの曲率半径のほぼ中心に配置される。
こうすることによって、マニホルド３２、シャフト２８
及び回転ハブ７２３をターゲット面に対して動かすこと
ができ、より立体角の有効範囲を大きくすることが可能
となる。

【００６８】図１９（ｂ）は回転ブレード７２６の相対
的な配置を示し、これは上述した例と同様である。故
に、ブレードはデブリの除去に関して同じ効果を有す
る。図１９，２０をスケール図とするならば、固定プレ
ート７２２の開口７２４による立体角は３ステラジアン
を越える。これはレーザービームに対する立体角を含
む。この立体角に入るプラズマ放射を全て用いることは
不可能である。何故ならば、コンデンサー光学系若しく
はそこに配置される露光ターゲットがレーザー光やそれ
に関連する光学系と干渉するからである。レーザーター
ゲットは本発明には直接関連しないが、ある種類のター
ゲットを用いればレーザービームの位置を変えることが
できるので、全ての立体角を有効にすることができる。
これを図２１−２５に示す。

【００６９】図２１−２３はシャッター７２０にテープ
状のターゲットを用いた例を示す。テープ状ターゲット
は、薄いテープ７４５上にターゲット材料７４４が形成
されたものであり、図２２の紙面外から連続して移動さ
れている。図２２ではテープ状ターゲットの一部にレー
ザーが照射されている状態を示す。テープターゲットの
例はS.Haneyらの"Prototype high speed tape target t
ransport for laser plasma soft x-ray projection li
thography source"(Applied Optics, Volume 32, p.693
4(1993)に開示されている。図２３にターゲットの詳細
を示す。テープは開口７４８を有する枠７４６上を移動
し、レーザービームはテープの背面より照射される。レ
ーザーは固定プレート７２２に対してテープの背面に位
置される。テープはとても薄い領域をもちそこにレーザ
ーパルスが集光されるので、テープの厚さ方向の全体を
蒸発させる。従って、プラズマからの放射はほぼ等方的
となる。全てを蒸発させるためには、テープの薄い領域
の厚さは１μｍよりも薄くすべきである。もし、ターゲ
ット材料が適当な物性を持つのであれば、開口を設けた
テープに自立薄膜として開口部にターゲット材料を設
け、ターゲット材料のみをＸ線の放射のために用いるこ
とができる。この場合、テープ材料からの放射が無くな
るので、テープ材料による不必要なスペクトルを無くす
ことができるので好ましい。また、より多くのレーザー
エネルギーを投入してターゲット材料からのプラズマを
暖めると放射効率を向上させることができる。制御装置
７２５は回転体７２６の回転と、レーザービームパルス
発生源７２９と、テープターゲット装置７４７を制御す
る。

【００７０】図２４，２５はシャッター７２０のターゲ
ットをガス若しくは液体にした例である。ガスターゲッ
トに関しては、G.Kubiakらが”Scale-up of a cluster
jetlaser plasma source for Extreme Ultraviolet Lit
hography"(Proceedings ofSPIE, Volume 3676, p.669(1
999))に開示している。ガスまたは液体７４４はパルス
状または一定流量でソース７４５のノズル７４７から導
入される。レーザーが集光される領域を通過した後、残
った液体（又はガス）はターゲット領域からガスまたは
液体を回収する収集器749に入り込む。仮に、この領域
が部分的に真空に保持されるならばこれは重要である。
本例でもレーザービームはターゲットの後ろに配置され
るため、シャッターとターゲットの前面はコンデンサ光
学系や他の用途に用いることが可能となる。

【００７１】前述したように、ガスのターゲットは相対
的にはデブリの量は少ない。しかし、ガス密度つまりプ
ラズマ放射強度はノズルからの距離に応じて減少する。
従って、放射効率を高めるためにはレーザーの集光位置
は可能な限りノズルに近づけることが好ましい。しか
し、プラズマによってノズル先端がダメージを受けるこ
とによるデブリは問題となる。シャッター７２０を用い
ればこのようなデブリを除去することができるので、レ
ーザーの集光位置をよりノズルに近づけることにより放
射効率を向上させることができる。

【００７２】本発明は以上の例に限らずあらゆる変形を
行うことができる。例えば、複数の開口や羽根を用いる
のではなく一つの開口と一つの羽根のみでも本発明を実
施することができる。更に、プレート無し又は羽根にオ
ーバーラップさせたアームを有するプレートを設け、回
転シャフトに搭載された一つ若しくは複数の羽根に沿っ
て機械的なシャッターを設けても良い。機械的なシャッ
ターは羽根の回転に応じて開閉動作を制御することが好
ましいが、物理的に羽根の回転とは独立させることも可
能である。このような例では、機械的なシャッターはプ
レートに設けられた開口と同様な働きをする。

【００７３】シャッターが周期的に駆動されるかどうか
は本質的ではない。シャッターは、本発明のデブリ除去
機能を達成するために、繰り返しで非周期的な手法で駆
動することも可能である。更に、シャッターの動きはプ
ラズマ放射と同期させるべきであり、放射パルスはシャ
ッターを通過し、プラズマから発生したデブリは上述の
方法で除去するようにすべきである。

【００７４】図２６は、本発明のデブリ除去シャッター
を備えた露光装置４００の概略構成図を示す。露光装置
４００は、レーザービーム４０１を用いたレーザープラ
ズマ放射源等の照明装置（放射源）４０２、レチクルス
テージ４０４に搭載されたレチクルに放射を向かわせる
コンデンサミラー４０３と、レチクル４０６の像をウエ
ハ４１２上に結像させる投影反射鏡408と、レジストが
形成されたウエハ４１２を支持して位置決めするウエハ
ステージ４１０とを有する。レチクル４０６、レンズ系
４０８、ウエハ４１２は放射源４０２からの放射光の光
路に配置され、レチクル４０６のパターン（例えば半導
体装置の回路）がウエハ４１２に露光される。露光装置
４００は、更に、放射源４０２、コンデンサミラー系４
０３、レチクルステージ４０４、投影ミラー系４０８及
びウエハステージ４１０を支持する不図示のフレームを
有する。

【００７５】露光装置４００は本発明のデブリ除去シャ
ッター４２０を備える。デブリ除去シャッター４２０は
上述の例のいずれか一つを用いることができる。尚、図
２６に示す露光装置はあくまでも概略図であり、露光装
置を変更してもなんら本発明のシャッター４２０には影
響しない。制御装置４１１は、レーザー４０１を含む放
射源４０２、シャッター４２０、レチクルステージ４０
４、ウエハステージ４１０等の露光装置の多くの構成部
材を制御する。

【００７６】尚、露光装置以外の装置にも本発明のシャ
ッターを用いることが可能である。また、レーザープラ
ズマ光源に限らず他の光源において発生するデブリを除
去するために本発明のシャッターを用いても良い。

【００７７】

【発明の効果】上述したように、本発明によればデブリ
を効率的に除去することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるシャッターを示す平面図である。

【図２】本発明によるシャッターを示す断面図である。

【図３】本発明によるシャッターを示す平面図である。

【図４】本発明によるシャッターを示す断面図である。

【図５】本発明によるシャッターを示す平面図である。

【図６】本発明によるシャッターを示す断面図である。

【図７】本発明によるシャッターを示す断面図である。

【図８】本発明によるシャッターを示す断面図である。

【図９】透過確立を示す図である。

【図１０】本発明によるシャッターを示す断面図であ
る。

【図１１】本発明によるシャッターを示す平面図であ
る。

【図１２】本発明によるシャッターを示す断面図であ
る。

【図１３】本発明によるシャッターを示す断面図であ
る。

【図１４】本発明によるシャッターを示す斜視図であ
る。

【図１５】本発明によるシャッターを示す図である。

【図１６】本発明によるシャッターを示す図である。

【図１７】本発明によるシャッターを示す断面図であ
る。

【図１８】本発明によるシャッターのプレートを示す平
面図である。

【図１９】本発明によるシャッターを示す図である。

【図２０】本発明によるシャッターを示す断面図であ
る。

【図２１】本発明によるシャッターを示す平面図であ
る。

【図２２】本発明によるシャッターを示す断面図であ
る。

【図２３】ターゲット部を示す図である。

【図２４】本発明によるシャッターを示す平面図であ
る。

【図２５】本発明によるシャッターを示す断面図であ
る。

【図２６】本発明のシャッターを適用可能な露光装置を
示す概略構成図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一つの羽根と、デブリを含む空
間を当該羽根を移動させることによって一掃させる移動
機構とを有することを特徴とするデブリ除去装置。
【請求項２】前記羽根を繰り返し駆動させる制御装置を
設けたことを特徴とする請求項１に記載のデブリ除去装
置。
【請求項３】前記羽根を周期的に駆動させる制御装置を
設けたことを特徴とする請求項１乃至２に記載のデブリ
除去装置。
【請求項４】前記羽根は回転軸を中心に回転運動をする
ことを特徴とする請求項３に記載のデブリ除去装置。
【請求項５】前記羽根を複数設けたことを特徴とする請
求項１から４のいずれか１項に記載のデブリ除去装置。
【請求項６】放射光を放射する放射源と、請求項１乃至
５のいずれか１項に記載のデブリ除去装置と、を備えた
事を特徴とする光源装置。
【請求項７】前記羽根は放射光の発生と同期して移動さ
れることを特徴とする請求項６に記載の光源装置。
【請求項８】デブリの少なくとも一部を阻止し、前記放
射光は通過させるバリア手段を設けたことを特徴とする
請求項７に記載の光源装置。
【請求項９】前記バリア手段はプレートと、該プレート
に設けられた少なくとも一つの開口であることを特徴と
する請求項８に記載の光源装置。
【請求項１０】放射光が通過するときには前記開口が前
記放射光の光路中に位置するように制御することを特徴
とする請求項９に記載の光源装置。
【請求項１１】前記プレートは回転軸を中心に回転し、
該回転を制御することにより開口を前記放射光の光路中
に位置させることを特徴とする請求項１０に記載の光源
装置。
【請求項１２】前記羽根はプレート表面から延びてお
り、前記回転軸から放射状に延びるように配置されるこ
とを特徴とする請求項１１に記載の光源装置。
【請求項１３】前記羽根と前記開口は各々複数配置さ
れ、前記プレートの円周方向に交互に配置されることを
特徴とする請求項１２に記載の光源装置。
【請求項１４】前記羽根の周囲にデブリを収集するため
のマニホルドを設けたことを特徴とする請求項６から１
３のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項１５】前記マニホルドは環状であり、少なくと
も一部に開口を有することを特徴とする請求項１４に記
載の光源装置。
【請求項１６】前記羽根は複数設けられ、前記マニホル
ドの開口は２つの羽根の間に設けられることを特徴とす
る請求項１５に記載の光源装置。
【請求項１７】前記羽根とは反対側の前記プレートの側
面にカバーを設けたことを特徴とする請求項６から１６
のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項１８】前記羽根は平面であることを特徴とする
請求項６から１７のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項１９】前記羽根は曲面であることを特徴とする
請求項６から１７のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項２０】前記曲面は凹面を有し、前記プレートが
回転されるとき、その回転方向に凹面が配置されること
を特徴とする請求項１９に記載の光源装置。
【請求項２１】前記羽根は前記羽根の移動方向に対して
角度を持って配置されることを特徴とする請求項６から
２０のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項２２】前記羽根は複数のブレードを有すること
を特徴とする請求項６から２１のいずれか１項に記載の
光源装置。
【請求項２３】固定された複数のブレードを更に有し、
前記羽根のブレードの少なくとも一つが前記固定された
ブレードの間を通過することを特徴とする請求項２２に
記載の光源装置。
【請求項２４】前記ブレードは前記羽根の移動方向に垂
直な方向に曲がっていることを特徴とする請求項２２ま
たは２３に記載の光源装置。
【請求項２５】前記放射源は前記ブレードの曲率半径の
中心に配置されることを特徴とする請求項２４に記載の
光源装置。
【請求項２６】前記放射源はレーザープラズマ放射源で
あり、ターゲットと、前記ターゲットに集光されるレー
ザー光源とを有することを特徴とする請求項６から２５
のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項２７】前記プレートは前記レーザー光源からの
レーザーを選択的に通過させるための開口をさらに有す
ることを特徴とする請求項２６に記載の光源装置。
【請求項２８】請求項６乃至２７のいずれか１項に記載
の光源装置と、前記光源装置からの放射光をレチクルに照射する照明光
学系と、前記レチクルのパターンを感応基板上に転写する投影光
学系と、前記ウエハを搭載するウエハステージと、を有すること
を特徴とする露光装置。