JP2011504657A - 照射装置内に配置された集光器光学部品の動作寿命を延ばす方法及び対応の照射装置 - Google Patents

照射装置内に配置された集光器光学部品の動作寿命を延ばす方法及び対応の照射装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011504657A
JP2011504657A JP2010534582A JP2010534582A JP2011504657A JP 2011504657 A JP2011504657 A JP 2011504657A JP 2010534582 A JP2010534582 A JP 2010534582A JP 2010534582 A JP2010534582 A JP 2010534582A JP 2011504657 A JP2011504657 A JP 2011504657A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
irradiation device
concentrator
radiation source
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2010534582A
Other languages
English (en)
Inventor
ペーター ツィンク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2011504657A publication Critical patent/JP2011504657A/ja
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Abstract

本発明は、照射装置内に配置された集光器ユニット(3,6)の動作寿命を延ばす方法に関する。照射装置は、少なくとも、光放射線、特に極紫外線又は軟X線を放出する放射線源(1)を有し、放射線源(1)は、集光器ユニット(3,6)の光学面に衝突する物質及び/又は粒子を発生させ、集光器ユニット(3,6)は、放射線源(1)により放出された放射線の一部分の放射線ビームを形成し、照射装置は更に、放射線源(1)と集光器ユニット(33)との間に配置されたデブリ軽減ユニット(37)を有する。本発明の方法では、照射装置の動作中及び/又は動作休止中、集光器ユニット(3,6)を動かして集光器ユニット(3,6)の光学面に対する物質及び/又は粒子の衝突により引き起こされるデポジット又は劣化効果が運動を行わない場合よりも均一に光学面上に分布されるようにする。このような方法及び関連の照射装置により、集光器ユニットの光学面は、均一に劣化し、その結果、集光器ユニットの寿命が延びる。

Description

本発明は、照射装置内に配置された集光器ユニットの動作寿命を延ばす方法であって、照射装置が、少なくとも、光放射線、特に極紫外線又は軟X線を放出する放射線源を有し、放射線源が、集光器ユニットの光学面に衝突する物質及び/又は粒子を発生させ、集光器ユニットが、放射線源により放出された放射線の一部分の放射線ビームを形成し、照射装置が、集光器ユニットの光学面に衝突する物質及び/又は粒子の量を減少させるデブリ軽減ユニットを更に有する方法に関する。本発明は又、本発明の方法を実施するようになった集光器ユニットを備える照射装置に関する。
半導体業界における光リソグラフィーの分野において、所要の画像化品質を保証するために複雑な光学系又は光学部品が用いられている。これは、特に、EUVリソグラフィー、即ち、極紫外線によるリソグラフィーに当てはまり、このようなリソグラフィーでは、かすめ入射ミラー及び/又は多層ミラーが、放射線源とも呼ばれている光源と露光されるべきウェーハ基板との間で真空チャンバ内に配置されている。特にEUVリソグラフィーに利用可能な高出力光源を開発するため、入力電力、即ち、放電プラズマ源のための電力又はレーザ発生プラズマ用のレーザ電力のEUV放射線への変換のための高い効率を得る上で例えばSnやLiのような金属放射性材料の使用が必要不可欠である。
このような材料を用いた場合における言わずと知れた問題は、これら材料が、放射光を集めるために同一真空システム内で光源の近くに必然的に配置される集光器光学部品上に凝結するということにある。光源から放出され、集光器光学部品の方向に運動する物質又は材料は、デブリとも呼ばれている。デブリ層が集光器光学部品の反射面上に被着する場合があり、それにより、光学面の品質が低下する。被着層(デポジット)が非常に薄くても、反射面上における吸収損失に起因してEUV放射線の反射強度が著しく低下する。光源と集光器光学部品との間にデブリ軽減装置を用いた場合、光源から集光器光学部品の反射面に至る材料の量を極めて減少させることができるが、この量は、決してゼロにはならない。米国特許出願公開第2006/0203965(A1)号明細書は、プラズマを用いて極紫外線及び/又は軟X線を発生させる装置及び方法を開示しており、この技術では、適当なデブリ軽減装置を用いることにより光学面の汚染の減少が達成されている。
米国特許出願公開第2006/0203965(A1)号明細書
デブリの被着は、光学デバイスの反射面上で必ずしも均一ではない。というのは、放射線源からのこれら物質の放出は、必ずしも等方性であるというわけではなく、また、デブリ軽減装置は、必ずしも、あらゆる方向において同一の軽減効率を備えていないからである。この結果、集光器光学部品の反射面上には他の領域よりも早く劣化する領域が生じる。この場合、集光器光学部品の動作寿命は、被着が均一である場合と比較して短くなる。というのは、集光器光学部品の動作寿命は、被着度が最も高い最悪の領域の寿命で決まるからである。最悪の領域について寿命の終わりとしての基準に達する前において既に照明の均一性が悪影響を受けており、その結果、照明システムの性能の低下が生じ又は低レベルで均一照明を達成するために光を放擲しなければならない場合、スループットが減少する。
デブリ物質の被着に続き、高速粒子及びイオンが光学デバイスの反射面に当たることにより集光器光学部品の性能及び寿命に悪影響が生じる。これにより、集光器材料のスパッタリング、被膜の粗面化若しくはスプラッシング(splashing)又は集光器光学部品の被膜に多層が用いられている場合には隣り合う層の相互混合が生じる場合がある。これらの作用効果の全てにより、反射面の関心のある領域の反射性が低下する。また、この場合、反射面の露出は、均一ではなく、或る領域は他の領域よりも悪影響を受ける度合いが高い場合がある。この場合も又、これによりリソグラフィー法において別途照明に関する均一性の問題が生じると共に反射面の均一露出と比較した場合の集光器光学部品のスループットの減少及び寿命の短縮が生じる。
上述の問題を解決するため、プラズマを利用した光源の場合におけるプラズマピンチは、デブリ物質のできるだけ多量の等方性放出をもたらすよう最適化されるのが良い。さらに、デブリ軽減装置は、集光に適した方向の全てに関して同一の軽減効率をもたらし又は放射線源の非等方性デブリ放出を是正するデブリ軽減の専用設計を備えるよう設計されるのが良く、それにより、デブリ軽減後における適切な方向全てに関して均一な状況が得られる。
本発明の目的は、照射装置、特にEUV放射線又は軟X線を放出する照射装置の集光器ユニットの動作寿命を延ばす追加の方法を提供すると共にこの方法を実施することができる適当な照明装置を提供することにある。
この目的は、請求項1及び請求項8にそれぞれ記載された方法及び装置により達成される。この方法及び装置の有利な実施形態は、従属形式の請求項の内容であり、このような実施形態については以下の説明及び本発明を実施するための実施例において更に説明する。
本発明の方法は、照射装置内に配置された集光器ユニットの動作寿命を延ばし、照射装置は、少なくとも、光放射線、特に極紫外線又は軟X線を放出すると共に集光器ユニットの光学面に衝突する物質及び/又は粒子を生じさせる放射線源を有する。本明細書においてはこれら物質及び/又は粒子をデブリと呼んでおり、これら物質及び/又は粒子は、例えば放射プラズマを発生させるのに必要な蒸発液体又は固体材料で作られ又は放射線源の動作中に生じた高速原子、分子、イオン又は電子で形成される場合がある。集光器ユニットは、放射線源により放出された放射線の一部分の放射線ビームを形成する1つ又は数個の反射面を有し、集光器ユニットは、例えば1つ又は数個のかすめ入射ミラー及び/又は多層ミラーで形成される場合がある。この照明装置では、代表的には放射線源と集光器ユニットの間に少なくとも1つのデブリ軽減ユニットも又配置され、その目的は、集光器ユニットの光学面に衝突する物質及び/又は粒子の量を減少させることにある。本発明の方法では、照射装置の動作中及び/又は動作休止中、集光器ユニットを動かして集光器ユニットの光学面に対する物質及び/又は粒子の衝突により引き起こされるデポジット又は劣化効果が運動を行わない場合よりも均一に光学面上に分布されるようにする。
本発明の方法を実施することができる本発明の照明装置は、これに対応して、上述のコンポーネント、即ち、放射線源、集光器ユニット及びデブリ軽減ユニットを有し、本発明の照明装置は、集光器ユニットを上述した仕方で動かし、特に回転させると共に/或いは並進させるよう配置されると共に設計された駆動ユニットに集光器ユニットが取り付けられていることを特徴とする。
本発明の方法により、集光器ユニットの反射面の不均一劣化が、集光器ユニットを適切な仕方で動かすことによって回避され又は少なくとも著しく軽減される。1年の範囲にわたるこのような集光器ユニットに関する寿命標的に注目すると、均一化は、結果的に光学面全体にわたる劣化の広がりをもたらす集光器ユニットの比較的ゆっくりとした動きによって既に達成できる。経時的な平均化効果に起因して、これにより、1つ又は数個の光学面のより均一な劣化が得られ、従って、集光器ユニットの動作寿命が延びる。
別個独立に動かすことができる数個の独立したコンポーネントでも構成できる集光器ユニットを動かす仕方は、照明装置の幾何学的形状、特に光路の幾何学的形状及びデブリ放出の特定の不均一性に適合しなければならない。上述したように、デブリは、放射線源から放出されて光学面上に被着する材料又は物質と光学面のスパッタリング又は他の種類の表面劣化を引き起こす高エネルギーの中性又は帯電粒子の両方である場合がある。
原理的には、様々な種類の運動を利用して集光器ユニットを動かすことができる。第1の種類の運動は、光路の幾何学的形状を保ち、従って、これ又リソグラフィーツールであるのが良い照射装置の動作中又は短い動作休止中に実施できるが、その場合、次の動作期間について光路の正確な幾何学的形状が必要である。このような運動は、主として、集光器ユニットのその光軸回りの回転に基づいているが、これには限定されない。この光軸は又、代表的には、プラズマ利用放射線源を用いた場合には放射線源のプラズマピンチを通ると共に集めた光が合焦される照明装置の所謂中間焦点を通る。1つ又は2つ以上の部品又はコンポーネントから成る集光器ユニットは、光軸に関して回転対称でなければならない。この対称性があらゆる角度について達成される場合、回転は、動作中、連続的又は間欠的若しくは段階的に、或いは、動作休止中は、恣意的なステップで実施できる。この対称性が例えば集光器ユニットの保持構造体によって定められる特定の角度について別々である場合、回転は、動作休止中で且つ別個の角度の倍数だけでしか実施すべきでない。このように、保持構造体に起因する光路及びシャドウパターニングは常時同一であることが保証される。これらの回転により、集光器ユニットのデブリ暴露が光軸回りの方位角に関して均一ではない場合に均一化が達成され、このことは、特に重要な場合である。回転に起因して、互いに異なる領域が互いに異なる強力なデブリ負荷にさらされ、その結果、集光器ユニットの互いに異なる角度領域について平均化が行われ、従って、デブリの均一な分布が得られる。
特定の場合においては、材料の被着が顕著である集光器ユニットの角度的領域が存在する場合があり、他方、他の角度的領域では、スパッタリングが顕著である。このような場合、集光器ユニットの回転により、被着のある領域は、後になってスパッタリングのある領域となり、その結果、被着は再びこのスパッタリングによって除去されるようになる。また、この結果、集光器ユニットの均一性が向上すると共にその動作寿命が延びる。
好ましい実施形態においてデブリを誘発するスパッタリングによるデブリを誘発する被着を除去する技術的思想は、一般に、放射線源に対する集光器ユニットの運動に起因して集光器ユニットの均一性及び寿命を向上させるよう利用できる。光源に対する集光器ユニットの位置の変化も又可能であり、その結果、ウェーハの露光中、即ち、照射装置の通常の作動中に受け入れることができない光路の変化が生じる動作休止中、集光器ユニットを各方向において放射線源に対してこのような仕方で動かすのが良く、通常の動作中に被着が顕著であった領域は、今や、スパッタリングが顕著になっている領域である。この実施形態では、放射線源は、照明装置又はリソグラフィーツールの上述の動作休止中にも動作されなければならず、この場合、反射光は用いられず、必要ならば遮断される場合もある。放射線源の動作は、スパッタリング効果に必要である。
集光器ユニットの回転運動に加えて又はこれに代えて、並進運動を実施することも可能である。これらの運動は、運動が光軸の方向に又はこれに垂直に並進運動であるかどうか又は回転が必要であるかどうかに応じて種々の仕方で実現でき、この場合、真空環境と適合性のある標準型機械的解決策を利用することができる。当然のことながら、集光器ユニットの位置の安定性及び位置の可逆性は、照射装置の光学性能を保つ上で保証されなければならない。
集光器ユニットの運動を実施するため、集光器ユニットは、駆動ユニットに取り付けられ又はこの上に設置される。好ましい実施形態では、制御ユニットは、集光器ユニットの長い動作寿命を達成するために本発明の方法に従って駆動ユニットを制御する。運動は、好ましくは一定速度の連続運動であり又は間欠的若しくは段階的であるように制御できる。制御ユニットは、例えば照射装置の動作パラメータ又は動作条件、例えば動作時間及び/又は動作電圧及び/又は動作周波数に応じて運動を制御する。この場合、これらパラメータの関数としてのデブリ負荷が既知であるべきである。別の点において又は追加的に、適当な放射線センサを用いた照射装置又はリソグラフィーツールの光路中における中間焦点、ファーフィールド又はそれどころか更に下った領域における光学測定値を用いると、運動の必要性及びこのような運動の実施の仕方を制御することができる。このように、光分布の不均一性は、実施されるべき運動の案内として利用できる。かくして、制御ユニットにより、運動が必要であるかどうか又はどのような時点で必要であるか、或いは運動が行われなければならない仕方及び速度を決定することが可能である。
上述したように、集光器ユニットは、単一のコンポーネント又はこれ又別々に動かすことができる数個の別個独立のコンポーネントで構成できる。放射線源は、好ましくは、プラズマを利用した放射線源、放電プラズマを利用した放射線源又はレーザプラズマを利用した放射線源である。集光器ユニットは、少なくとも1つのかすめ入射集光器を有しても良く、或いは、少なくとも1つの近垂直入射集光器、特に、EUV放射線又は軟X線を収集する集光器で形成されても良い。さらに、2つ以上の放射線源を備えた照射装置を用いて本発明の方法を実施することも可能である。また、デブリによる劣化を受ける他の光学コンポーネントを本発明の方法に従って動かすのが良い。
以下の例示の実施形態は、本発明の保護範囲を限定することなく、添付の図面を参照して本発明の方法及び装置の実施例を示している。
EUV照射ユニットの形態の略図である。 本発明の照射ユニットの回転集光器光学部品の光軸に平行な概略断面図である。 図2aの回転集光器光学部品の光軸に垂直な断面図である。 本発明の別の形式の回転集光器ミラーの光軸に平行な概略断面図である。 本発明に従って別の種類の運動が行われる集光器ミラーの光軸に平行な概略断面図である。 本発明による別の考えられる運動を示す集光器ミラーの光軸に平行な概略断面図である。
EUV照射ユニットの代表的な構造が、図1に示されている。EUV照射ユニットは、基本的には、真空容器32内に配置された放射線源31と、集光器ユニット33と、多層ミラー38とから成る。放射線源31から放出された放射線36は、集光器ユニット33の反射面によって集められて中間焦点35上に合焦される。この中間焦点35の位置のところにおいて、第1の容積部40と照射装置の第2の容積部41が孔により互いに連結されている。この第2の容積部41内において、多層ミラー38は、中間焦点35からの放射線をマスク及び照射されるべきウェーハ基板39まで案内するよう配置されている。大抵のEUVリソグラフィーシステムでは、デブリを軽減する手段37が、放射線源31と集光器ユニット33との間に配置されている。リソグラフィーシステムの経済的動作を達成するため、デブリを数桁の大きさで減少させるべきである。しかしながら、このような高い軽減は、放射線源と集光器ユニットとの間の短い距離では非常に困難である。したがって、集光器ユニットの動作寿命を延ばす適当な方法が非常に要望されている。図1の照射装置のように構成可能な本発明の方法及び照射装置では、集光器ユニット33は、適当な駆動ユニット7に取り付けられなければならず、この駆動ユニット7は、集光器ユニット33を動かして、このような運動が行われない分布と比較して、集光器ユニットの反射面上におけるデブリの均一な分布又はデブリ粒子の均一な衝突を達成することができる。以下の図は、この均一化を達成するのに適した運動を概略的に示しており、このような運動の結果として、集光器ユニットの動作寿命が延びる。
図2aは、かすめ入射集光用光学部品3の光軸に平行な断面図である。放射線源1並びに放射線源1により放出され、集束光ビームを形成するよう集光用光学部品3の反射面のところで反射される光ビーム2及び集光用光学部品3の光軸4がこの図に示されている。この例では、集光用光学部品3を或る特定の時間間隔後に光軸4を中心として段階的回転分だけ回転させる。回転方向は、この図に矢印で示されている。各回転ステップの回転角度は、集光用光学部品3の回転対称によって定められる。
図2bは、この実施例における光軸に垂直な断面のこの回転対称状態を示している。集光用光学部品3は、互いに90°の角度間隔を置いた4本のスポーク5から成る保持構造体によって支持されている。したがって、集光用光学部品3を回転させる回転ステップは、90°ステップであり又はその倍数の角度のステップであり、それにより、照射装置の光分布中に同一のシャドウパターンが維持される。
図2a及び図2bの例では、集光器シェルが1つしか示されていない。それにもかかわらず、この回転は、通常そうであるように典型的には同軸である2つ又は3つ以上の集光器シェルを備えた集光用光学部品にも当てはまる。
図3a〜図3cは、光軸に平行な断面において別の形式の集光用光学部品の使用法を概略的に示している。この集光用光学部品は、近垂直入射集光用光学部品6である。放射線源1及び集光用光学部品6のところで反射された光ビーム2は、光軸4と共にこれらの図に示されている。これらの図は、本発明の利点を達成するために集光用光学部品6の考えられる種々の運動の仕方を示している。運動は、図3aにおいて矢印で示されているように永続的な回転であるのが良い。このような永続的な回転は、照射装置の合焦特性に悪影響を及ぼさない。
運動は又、或る特定の時間間隔の間、他の露光角度を達成するために図3bに示されているように光軸4の方向における運動であっても良く、その間、合焦特性は、この時間中変化する。
図3cは、光軸4に垂直な近垂直入射集光用光学部品6の運動状態を示しており、それにより、この光学デバイスの或る特定の領域の集中露光が生じ、合焦特性は、この時間中変化する。合焦特性を変化させる運動は、好ましくは、照射装置の動作休止中、即ち、この装置が例えば、ウェーハ基板を露光するために用いられていないときに実施される。それにもかかわらず、放射線源は、この場合、集光用光学部品の回転中、作動されるべきである。
図1には、集光ユニット33の駆動ユニット7並びに駆動ユニット7の制御及びかくして集光器ユニット33の運動のための制御ユニット8も又、概略的に示されている。制御ユニット8は、照射装置の動作パラメータに基づいて又はこれ又図1に示されているオプションとしての放射線センサ9の測定データに基づいて駆動ユニットを制御することができる。
本発明を図面及び明細書において詳細に図示すると共に説明したが、このような図示及び説明は、本発明を限定するものではなく、例示として解されるべきであり、本発明は、開示した実施形態には限定されない。また、上述すると共に特許請求の範囲に記載された種々の実施形態を組み合わせることができる。開示した実施形態の他の変形は、特許請求の範囲に記載した本発明を実施する際に当業者により図面、開示内容及び特許請求の範囲の検討から理解できると共に実施できる。例えば、集光器ユニットの構成は、図の例示の構成には限定されない。集光器光学部品は、例えば、互いに同軸に配置された数個の反射シェルを更に有しても良い。さらに、集光器ユニットの運動の形式は、開示した運動には限定されない。運動は、選択された運動が自由に選択可能な動作期間中、集光器ユニットの光学面に当たるデブリの均一性を向上させる限り、並進運動又は回転運動の組み合わせであっても良い。デブリ軽減ユニットは、集光器ユニットの光学面に衝突する物質及び/又は粒子の量を減少させる任意種類の装置又は手段であって良い。このような手段の例は、フォイルトラップ(foil trap)、電界、磁界又はガスカーテンである。
「〜を有する」という用語は、他の要素又はステップを排除するものではなく、単複を特定しない記載は、複数を排除するものではない。手段が互いに異なる従属形式の請求項に記載されているというだけでは、これら手段の組み合わせを有利に使用することができないということにはならない。特許請求の範囲に記載されている参照符号は、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を限定するものと解釈されてはならない。
1 EUV放射線源
2 EUV光ビーム
3 かすめ入射集光用光学部品
4 光軸
5 ストローク
6 近垂直入射集光用光学部品
7 駆動ユニット
8 制御ユニット
9 光センサ
31 放射線源
32 真空容器
33 集光器光学部品
35 中間焦点
36 放射線経路
37 デブリ軽減手段
38 多層ミラー
39 ウェーハ基板
40 第1の容積部
41 第2の容積部

Claims (13)

  1. 照射装置内に配置された集光器ユニット(3,6)の動作寿命を延ばす方法であって、前記照射装置は、少なくとも、
    ‐光放射線、特に極紫外線又は軟X線を放出する放射線源(1)を有し、前記放射線源(1)は、前記集光器ユニット(3,6)の光学面に衝突する物質及び/又は粒子を発生させ、
    ‐前記集光器ユニット(3,6)は、前記放射線源(1)により放出された前記放射線の一部分の放射線ビームを形成し、
    ‐前記集光器ユニット(3,6)の光学面に衝突する前記物質及び/又は粒子の量を減少させるデブリ軽減ユニット(37)を有する、方法であって、
    前記照射装置の動作中及び/又は動作休止中、前記集光器ユニット(3,6)を動かして前記集光器ユニット(3,6)の光学面に対する前記物質及び/又は粒子の衝突により引き起こされるデポジット又は劣化効果が前記運動を行わない場合よりも均一に前記光学面上に分布されるようにするステップを有する、方法。
  2. 前記集光器ユニット(3,6)は、光軸(4)を有し、前記集光器ユニット(3,6)をその光軸(4)回りに回転させる、請求項1記載の方法。
  3. 前記集光器ユニット(3,6)を前記照射装置の動作中、連続回転させる、請求項1記載の方法。
  4. 前記集光器ユニット(3,6)を前記照射装置の動作中又は動作休止中に既定の角度だけ段階的に回転させる、請求項1記載の方法。
  5. 前記集光器ユニット(3,6)を前記放射線源(1)に向かって又は前記放射線源(1)とは逆の方向に若しくは前記集光器ユニット(3,6)の光軸(4)に垂直に動かす、請求項1記載の方法。
  6. 前記集光器ユニット(3,6)を前記照射装置の動作パラメータに応じて動かす、請求項1記載の方法。
  7. 前記放射線ビームの光強度又は光分布を測定するよう配置された少なくとも1つの光センサ(9)の測定データに応じて前記集光器ユニット(3,6)を動かす、請求項1記載の方法。
  8. 照射装置であって、少なくとも、
    ‐光放射線、特に極紫外線又は軟X線を放出する放射線源(1)を有し、前記放射線源(1)は、前記集光器ユニット(3,6)の光学面に衝突する物質及び/又は粒子を発生させ、
    ‐前記放射線源(1)により放出された前記放射線の一部分の放射線ビームを形成する集光器ユニット(3,6)を有し、
    ‐前記集光器ユニット(3,6)の光学面に衝突する前記物質及び/又は粒子の量を減少させるデブリ軽減ユニット(37)を有する、装置であって、
    ‐前記集光器ユニット(3,6)は、駆動ユニット(7)に取り付けられ、前記駆動ユニット(7)は、前記集光器ユニット(3,6)を動かすよう配置されると共に設計されている、照射装置。
  9. 前記集光器ユニット(3,6)は、光軸(4)を有し、前記駆動ユニット(7)は、前記集光器ユニット(3,6)を前記光軸(4)回りに回転させるよう設計されている、請求項8記載の照射装置。
  10. 前記駆動ユニットは、前記集光器ユニット(3,6)を前記放射線源(1)に向かって又は前記放射線源(1)とは逆の方向に若しくは前記集光器ユニット(3,6)の光軸(4)に垂直に動かすよう配置されると共に設計されている、請求項8記載の照射装置。
  11. 前記集光器ユニット(3,6)の前記運動を行わせるよう前記駆動ユニット(7)を制御する制御ユニット(8)を更に有する、請求項8記載の照射装置。
  12. 前記制御ユニット(8)は、前記駆動ユニット(7)を前記照射装置の動作パラメータに基づいて制御するよう設計されている、請求項11記載の照射装置。
  13. 前記制御ユニット(8)は、前記放射線ビームの光強度又は光分布を測定するよう配置された少なくとも1つの光センサ(9)の測定データに基づいて前記駆動ユニット(7)を制御するよう設計されている、請求項11記載の照射装置。
JP2010534582A 2007-11-22 2008-11-19 照射装置内に配置された集光器光学部品の動作寿命を延ばす方法及び対応の照射装置 Abandoned JP2011504657A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07121264 2007-11-22
PCT/IB2008/054845 WO2009066242A2 (en) 2007-11-22 2008-11-19 Method of increasing the operation lifetime of a collector optics arranged in an irradiation device and corresponding irradiation device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011504657A true JP2011504657A (ja) 2011-02-10

Family

ID=40548545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010534582A Abandoned JP2011504657A (ja) 2007-11-22 2008-11-19 照射装置内に配置された集光器光学部品の動作寿命を延ばす方法及び対応の照射装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8101930B2 (ja)
EP (1) EP2215527A2 (ja)
JP (1) JP2011504657A (ja)
KR (1) KR20100106982A (ja)
CN (1) CN101868764A (ja)
WO (1) WO2009066242A2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008042462B4 (de) 2008-09-30 2010-11-04 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Mikrolithographie
US8881526B2 (en) * 2009-03-10 2014-11-11 Bastian Family Holdings, Inc. Laser for steam turbine system
JP6012107B2 (ja) 2010-05-03 2016-10-25 ゴジ リミテッド 空間的に制御されたエネルギ送出
US9429858B2 (en) * 2013-09-24 2016-08-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Rotary EUV collector

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4408338A (en) 1981-12-31 1983-10-04 International Business Machines Corporation Pulsed electromagnetic radiation source having a barrier for discharged debris
US6339634B1 (en) 1998-10-01 2002-01-15 Nikon Corporation Soft x-ray light source device
US20020090054A1 (en) 2001-01-10 2002-07-11 Michael Sogard Apparatus and method for containing debris from laser plasma radiation sources
DE10305701B4 (de) 2003-02-07 2005-10-06 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von EUV-Strahlung mit hohen Repetitionsraten
DE10308174B4 (de) * 2003-02-24 2010-01-14 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Debrisreduktion bei einer Strahlungsquelle auf Basis eines Plasmas
ATE476859T1 (de) 2003-03-18 2010-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Einrichtung und verfahren zur erzeugung von extrem-ultraviolett-und/oder weicher röntgenstrahlung mittels eines plasmas
US7230258B2 (en) * 2003-07-24 2007-06-12 Intel Corporation Plasma-based debris mitigation for extreme ultraviolet (EUV) light source
EP1658615B1 (de) 2003-08-27 2009-10-14 Carl Zeiss SMT AG Schiefspiegliges normal-incidence-kollektorsystem für lichtquellen, insbesondere euv-plasmaentladungsquellen
US7167232B2 (en) * 2003-12-30 2007-01-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and radiation source comprising a debris-mitigation system and method for mitigating debris particles in a lithographic apparatus
US7250620B2 (en) * 2005-01-20 2007-07-31 Infineon Technologies Ag EUV lithography filter
US7868304B2 (en) 2005-02-07 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Method for removal of deposition on an optical element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7233010B2 (en) * 2005-05-20 2007-06-19 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus
WO2006134512A2 (en) 2005-06-14 2006-12-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Debris mitigation system with improved gas distribution
US8076655B2 (en) * 2005-06-21 2011-12-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of cleaning optical surfaces of an irradiation unit in a two-step process
US7372058B2 (en) 2005-09-27 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Ex-situ removal of deposition on an optical element
DE602006006589D1 (ja) * 2005-11-02 2009-06-10 Univ Dublin
ATE528692T1 (de) * 2006-07-28 2011-10-15 Media Lario Srl Optische multireflexionssysteme und ihre herstellung
EP1976344B1 (en) * 2007-03-28 2011-04-20 Tokyo Institute Of Technology Extreme ultraviolet light source device and extreme ultraviolet radiation generating method
JP2009099390A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Tokyo Institute Of Technology 極端紫外光光源装置および極端紫外光発生方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8101930B2 (en) 2012-01-24
CN101868764A (zh) 2010-10-20
US20100282986A1 (en) 2010-11-11
WO2009066242A2 (en) 2009-05-28
KR20100106982A (ko) 2010-10-04
EP2215527A2 (en) 2010-08-11
WO2009066242A3 (en) 2009-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6860185B2 (ja) 高輝度lpp線源および放射線の発生方法並びにデブリの軽減方法
TWI569689B (zh) 極紫外光射線源模組、極紫外光微影系統以及極紫外光微影製程方法
JP4799620B2 (ja) 放射システムおよびリソグラフィ装置
KR101095394B1 (ko) 하나 이상의 광학 컴포넌트를 클리닝하기 위한 방법 및장치
KR100606498B1 (ko) 방사원, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP2015109468A (ja) デブリ粒子を抑制するための放射線源装置、リソグラフィ装置、照明システム、および方法
US6690764B2 (en) X-ray sources that maintain production of rotationally symmetrical x-ray flux during use
WO2005096680A1 (ja) 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2011142323A (ja) Gicミラー及びlpp・euv光源を備えた光源集光モジュール
US9986628B2 (en) Method and apparatus for generating radiation
US8547525B2 (en) EUV radiation generation apparatus
TW201316842A (zh) 輻射源
US9572240B2 (en) Light source apparatus
JP2011504657A (ja) 照射装置内に配置された集光器光学部品の動作寿命を延ばす方法及び対応の照射装置
JP4058404B2 (ja) リソグラフィ投影装置およびリソグラフィ工程により集積構造を製造する方法
WO2004090957A1 (ja) 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4725814B2 (ja) 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2002311200A (ja) X線発生装置及び露光装置
US6903354B2 (en) Extreme ultraviolet transition oscillator
JP5341071B2 (ja) Euv光学部品に低下した反射率を高めるための処理をその場で施す光学装置及び方法
Gielissen The nature and characteristics of particles produced by EUV sources: exploration, prevention and mitigation
Bollanti et al. Progress report on a 14.4-nm micro-exposure tool based on a laser-produced-plasma: debris mitigation system results and other issues
JP3677548B2 (ja) X線発生装置
JP2005294608A (ja) 放電光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
KR20230112840A (ko) 펠리클 성능 평가 시스템 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111116

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20121122