KR100588122B1 - 다수의 억제 메시를 구비한 리소그래피투영장치 - Google Patents

다수의 억제 메시를 구비한 리소그래피투영장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은,
방사선소스(6)에 의하여 방출된 방사선으로부터 방사선의 투영빔(6, 57)을 형성하는 방사선시스템(3, 4),
- 상기 투영빔을 패터닝하기 위해 상기 투영빔에 의하여 조사될 패터닝수단을 지지하도록 구성된 지지구조체(MT),
- 기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블(WT),
- 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝수단의 조사된 부분을 묘화하도록 구성되고 배치된 투영시스템(5), 및
방사선소스(6)와 1이상의 광학요소(59) 사이에서 방사선의 투영빔(57)의 경로내에 위치된 제1스크리닝수단(41) 및 광학구성요소(59)를 포함하는 리소그래피투영장치(1)를 개시하며, 제1스크리닝수단(41)은 방사선의 투영빔(57)에 실질적으로 투명하고, 방사선소스(6)는 작동시에 양전하를 띈 입자들을 방출하며, 제1스크리닝수단(41)에는 상기 입자들의 적어도 일부를 차단하도록 전위배리어를 형성하는 양전압이 공급된다. 본 발명은, 제2스크리닝수단(47, 49)이 방사선(57)의 경로내에서 제1스크리닝수단(41)의 적어도 한쪽면상에 위치되며, 제2스크리닝수단(47, 49)에는 제1스크리닝수단으로부터 자유전자를 밀어내기 위한 음전압이 공급된다.

Description

다수의 억제 메시를 구비한 리소그래피투영장치{Lithographic projection apparatus with multiple suppression meshes}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피투영장치를 개략적으로 도시하는 도면;
도 2는 도 1에 따른 리소그래피투영장치의 EUV 방사선시스템과 투영광학기의 측면도;
도 3은 본 발명의 방사선소스와 그레이징입사콜렉터(grazing incidence collector)의 상세도;
도 4는 본 발명에 따른 차폐수단의 일 실시예의 레이아웃을 개략적으로 도시하는 도면;
도 5는 본 발명에 따른 리소그래피투영장치내의 방사선소스에 포커스된 차폐수단의 위치를 도시하는 도면; 및
도 6은 본 발명의 작동방식을 설명하는 데 사용되는 타이밍그래프.
본 발명은,
- 방사선소스에 의하여 방출된 방사선으로부터 방사선의 투영빔을 형성하는 방사선시스템,
- 상기 투영빔을 패터닝하기 위해 상기 투영빔에 의하여 조사될 패터닝수단을 지지하도록 구성된 지지구조체,
- 기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블,
- 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝수단의 조사된 부분을 묘화하도록 구성되고 배치된 투영시스템, 및
- 양으로 대전된 입자로부터 스크린(screen)될 물체와 상기 방사선소스 사이의 방사선의 상기 투영빔의 경로내에 위치된 제1스크리닝수단(first screening source)을 포함하는 리소그래피투영장치에 관한 것으로,
상기 제1스크리닝수단은 방사선의 상기 투영빔에 실질적으로 투명하고, 상기 양으로 대전된 입자의 적어도 일부를 차단하도록 전위배리어(potential barrier)를 형성하는 제1스크리닝수단에 양전압이 인가된다.
여기서 사용되는 "패터닝수단(patterning means)" 이라는 용어는 기판의 타겟부에 생성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함된다. 방사선빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크상의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과마스크의 경우) 또는 반사(반사마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우, 상기 지지구조체는 일반적으로 마스크테이블이 될 것이며, 이것은 입사되는 투영빔 내의 소정위치에 마스크가 잡혀 있을 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크가 상기 빔에 대하여 이동될 수 있다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성제어 층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 적절히 국부화된 전기장을 가하거나 압전작동수단(piezoelectric actuation mean)을 채용하여 축을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용하는 것이다. 마찬가지로, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울은 입사되는 방사선빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사한다. 이러한 방 식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 패터닝수단은 1이상의 프로그래밍가능한 거울배열을 포함할 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서 인용참조되고 있다. 프로그래밍가능한 거울배열의 경우, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
- 프로그래밍가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상기와 마찬가지로, 이 경우의 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 패터닝수단은 IC의 개별층에 해당하는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 상기 패턴은 한 층의 방사선감응재(레지스트)로 코팅된 기판(실리콘웨이퍼)상의 타겟부(예를 들면, 1이상의 다이로 구성되는)에 묘화될 수 있다. 일반적으로 한장의 웨이퍼에는 인접하여 있는 여러 개의 타겟부로 구성된 전체적인 네트워크를 포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 한 가지 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 투영빔하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 같은 방향 또는 반대방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율인자 Ｍ(일반적으로 <1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 많은 정보는 예를 들어, US 6,046,792호로부터 얻을 수 있으며, 본 명세서에서도 인용참조되고 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 묘화된다. 이 묘화단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 모두가 개별층을 마무르도록 하는 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는, 예를 들어, 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997년, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학, 반사광학 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 상기 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어하기 위한 임의의 설계방식에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 더 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 듀얼스테이지 리소그래피장치가 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 인용 참조되고 있다.
리소그래피장치에서, 기판상으로 묘화될 수 있는 피처의 크기는 투영방사선의 파장에 의하여 제한된다. 디바이스들이 보다 높은 밀도를 가지고 따라서 보다 빠른 작동속도를 갖는 집적회로를 생산하기 위해서, 보다 작은 피처들을 묘화시킬 수 있는 것이 바람직하다. 최근의 리소그래피투영장치는 수은램프 또는 엑시머레이저에 의하여 생성된 자외선 광을 채용하는 한편, 5 내지 20㎚ 범위, 특히 13㎚ 정도의 보다 짧은 방사선을 사용하는 것이 제안되었다. 이러한 방사선을 극자외선(EUV) 또는 소프트 엑스선(sort x-ray)라 하며, 가능한 소스는, 예를 들어, 레이저 생성 플라즈마원, 방전플라즈마원, 또는 전자스토리지링으로부터의 싱크로트론 방사선을 포함한다. 방전플라즈마원을 사용하는 장치는, W.Partlo, I.Fomenkov, R.Oliver, D.Birx, "Development of an EUV(13.5㎚) Light Source Employing a Dense Plasma Focus in Lithium Vapor", Proc. SPIE 3997, pp. 136-156(2000); M.W.McGeoch, "Power Scaling of a Z-pinch Extreme Ultraviolet Source", Proc. SPIE 3997, pp. 861-866(2000); W.T.Silfvast, M.Klosner, G.Shimkaveg, H.Bender, G.Kubiak, N.Fornaciari, "High-Power Plasma Discharge Source at 13.5 and 11.4㎚ for EUV lithography", Proc. SPIE 3676, pp.272-275(1999); 및 K.Bergmann 외, "Highly Repetitive, Extreme Ultraviolet Radiation Source Based on a Gas-Discharge Plasma", Applied Optics, Vol. 38, pp. 5413-5417(1999)에 개시되어 있다.
상기 언급된 방전 플라즈마 방사선소스와 같은 EUV 방사선 소스는 EUV 방사선을 방출하기 위해, 비교적 높은 분압의 가스 또는 증기의 사용을 요구할 수 있다. 방전플라즈마원에서, 전극사이에 방전이 생성되고, 그 결과로 생긴 부분적으로 이온화된 플라즈마는 순차적으로 붕괴를 일으켜 EUV 범위내의 방사선을 방출하는 매우 고온의 플라즈마를 생성할 수 있다. 매우 고온의 플라즈마는 Xe에서 매우 흔히 생성되는 데, 그 이유는 Xe 플라즈마가 13.5㎚ 정도의 극자외(EUV) 범위내에서 방사되기 때문이다. 효율적인 EUV 생성을 위해, 방사선소스에 대하여 전극 주변에 0.1mbar의 통상적인 압력이 요구된다. 이러한 다소 높은 Xe 압력의 단점은 Xe 가스는 EUV 방사선을 흡수한다는 것이다. 예를 들어, 0.1mbar Xe는 1m에 걸쳐 13.5㎚의 파장을 갖는 EUV 방사선을 단지 0.3% 투과한다. 그러므로, 다소 높은 Xe 압력을 소스 주위의 제한된 영역으로 국한시킬 필요가 있다. 이를 달성하기 위해서, 상기 소스는 후속하는 진공챔버로부터 챔버벽에 의하여 분리된 진공챔버 그 자체내에 포함될 수 있으며, 그 안에 콜렉터거울 및 조명광학기가 획득될 수 있다.
상술된 바와 같은 EUV 리소그래피투영장치는 EP 1 182 510호로부터 공지되어 있다. 이 명세서는 제7실시예에서, 그리고 도 9 내지 12에, 리소그래피장치내의 광학 구성요소의 정교한(delicate) 코팅이 스퍼터링되는 것을 방지하는 데 사용되는 높은 양전위상의 메시(mesh)(고전압메시)를 개시하고 있다. 상기 메시는 광학 구성요소의 앞에서 스크린으로서 위치되며, 높은 양전위로 인하여 양전하를 띈 입자들을 밀어낸다. 상기 메시는 복수의 평행한 와이어로 이루어진다. 각각의 와이어의 두께는 인접한 와이어 사이의 거리보다 훨씬 작다. 이는, 상기 메시가 방사 선의 투영빔을 현저히 방해하지 않고 방사선의 투영빔에 실질적으로 투명하다는 것을 보장한다. 광학 구성요소에 접근하는 양으로 대전된 입자들은 메시의 양의 바이어스에 의하여 밀어내어지거나 느려지고 편향(deflect)되게 된다. 하지만, 높은 양전압은 자유전자를 메시로 끌어당긴다. 이로 인해, 메시에서의 고전력소비와, 그로 인한 메시의 가열과, 메시를 위한 대용량 고전압전원장치의 필요성, 및 메시 부근에서의 가스방출 가능성과 같은 몇 가지 단점이 생긴다. 더욱이, 확장된 전기장을 수반하여, 메시와 또 다른 표면사이에는 가스의 전기적 브레이크다운(breakdown)이 생기며, 리소그래피투영장치내의 EUV 소스 성능에 부정적인 영향을 가져 온다.
본 발명은 고전압메시에 도달하는 자유전자의 수를 감소시키고 전기장을 한정하기 위한 것이다.
이를 위하여, 본 발명은, 제2스크리닝수단이 제1스크리닝수단의 적어도 한쪽면상에 방사선의 투영빔의 경로내에 위치되고, 음으로 대전된 입자들을 제1스크리닝수단으로부터 멀리 밀어내기 위해 음전압이 제2스크리닝수단에 인가되는 것을 특징으로 한다. 음전압은 음으로 대전된 입자들, 예를 들어 상술된 자유전자들을 밀어내어, 제1메시 또는 제1스크리닝수단의 주위환경을 상기 음으로 대전된 입자들이 사실상 없는 상태가 되게 한다. 따라서, 제1메시에 입사하게 되는 자유전자의 수는 크게 감소되고, 메시를 통한 고전류 및 메시에서의 고전력소모는 유익하게 방지 된다. 또한, 제2스크리닝수단은 전기장 라인들이 소스와 정교한 광학 구성요소에 도달하는 것을 방지하는 패러디 케이지(Faraday cage)로서 작용한다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 리소그래피투영장치가 제1스크리닝수단으로부터 방사선소스를 스크린시키기 위해 제2스크리닝수단과 전기적으로 접촉하거나 접지해 있는 표면을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 차폐는 EUV 소스를 편리하게 작동할 수 있게 하고 제1메시상에 고전압을 도입할 수 있게 한다. 음전압은 제2스크리닝수단과 상기 표면으로 이루어진 결과로 생긴 구조체에 인가될 수 있다. 대안적으로, 상기 표면은 접지될 수 있고 제2스크리닝수단에 음전압이 인가될 수 있다. 전자들(및 전기장 라인들)은 여전히 접지된 구조체를 가로지를 수 있다. 상기 구조체에 인가된 음전압은 전자와 전기장 라인이 구조체를 가로지르는 것을 방지한다. 폐쇄된 구조체의 경우, 이 음전압은 필요가 없다. EUV 방사선이 통과하게 하도록 구조체내에 구멍이 존재하는 경우, 예를 들어, 제2스크리닝수단이 메시를 포함하는 경우, 구멍의 크기는 스크리닝에 요구되는 음전압을 결정한다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 종축선이 방사선의 투영빔의 경로에 실질적으로 평행한 원통형 또는 원뿔형 케이싱을 포함하는 표면, 및 방사선의 투영빔의 경로와 실질적으로 수직인 표면을 갖는 격자 또는 메시구조로 이루어진 제1스크리닝수단 및 제2스크리닝수단을 특징으로 한다. 이들 비교적 단순한 지오메트리들이 테스트되었으며 양호하게 기능한다. 더욱이, 이러한 단순한 지오메트리는 제조가 비교적 용이하고 저렴하다. 방사선의 투영빔이 평행, 수렴 또는 발산하는 지의 여부에 따라, 어느 한쪽의 지오메트리가 보다 바람직한 것일 수 있다. 방사선의 투 영빔의 경로에 평행한 원통형 케이싱의 경우, 상기 케이싱은 폐쇄될 수 있고 접지될 수 있다.
다시, 또 다른 실시예에서, 본 발명은 제2스크리닝수단 및 제1스크리닝수단이 방사선의 투영빔의 경로를 따라 상호간에 정렬된 어퍼쳐를 포함하는 것을 특징으로 한다. 둘 모두가 메시구조체일 수 있는 제1스크리닝수단과 제2스크리닝수단을 정렬하면, 방사선의 투영빔의 차단을 최소화하고, 그러므로 메시의 하류에서의 방사선파워의 양을 최대화한다. 메시의 정렬은 메시의 하류에서의 방사선 파워가 방사선의 수렴, 평행, 및 발산투영빔을 위하여 최대화되도록 될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 리소그래피투영장치가, 제1스크리닝수단을 향하는 쪽과 반대인 제2스크리닝수단쪽에 위치된, 실질적으로 접지전위인 제3스크리닝수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 이는 소스부근에서 제1 및 제2스크리닝수단에 의해 발생된 전기장의 영향을 더욱 줄인다. 2차 전자는 양으로 대전된 메시에 도달할 수 없을 것이고, EUV 소스는 부드럽고 안정된 방식으로 작동할 것이다. 제3스크리닝수단의 가장 중요한 기능은, 확장된 전기장과 가속된 전자로 인하여 제2스크리닝수단과 관련된 작동상의 문제들을 방지하는 것이다. 더욱이, 제3스크리닝수단은 음영 영역을 생성하며, 그 안에 여타의 스크리닝수단이 위치될 수 있다. 제3스크리닝수단상에 부딪힌 방사선은 2차 전자를 생성하며, 이는 제3스크리닝수단이 없다면 제2스크리닝수단에서 생성될 것이다. 제2스크리닝수단 대신에, 제3스크리닝수단으로부터의 2차 전자전류를 가지는 것이 유익하며, 그 이유는 제2스크리닝수단으로부터의 전자전류로 인해, 심지어는 영(0)의 전위까지의 음전압의 (일시적인) 증가가 생길 수 있기 때문이다.
또한, 본 발명의 다른 실시예는 제1스크리닝수단에 인가되는 0V와 20kV 사이, 바람직하게는 대략 3kV의 양전압 및 제2스크리닝수단에 인가되는 -2kV와 0V 사이, 바람직하게는 대략 -400V의 음전압을 특징으로 한다. 전기장의 전위에 대한 이들 값은 특히 바람직한 것으로 판명되었다.
본 발명에 따른 리소그래피투영장치의 또 다른 실시예는 방사선소스가 높은-방사-상태(high-radiating-state)와 낮은-비방사-상태(low-non-radiating-state) 사이에서 펄스방식으로 작동하도록 되어 있는 것을 특징으로 하며, 리소그래피투영장치는 동기화수단(synchronization means)을 더 포함하는 것을 특징하는 데, 상기 동기화수단은 방사선소스가 그 낮은 상태에 있는 시간의 적어도 일부분동안 양전압을 제1스크리닝수단에 인가하도록 되어 있다. 제1스크리닝수단상의 고전압은 상기 소스로부터 발생된 양이온을 밀어내고, 그것들이 상기 스크리닝수단의 하류에서 광학시스템으로 들어가는 것을 방지한다. 하지만, 상기 스크리닝수단의 하류에서 EUV-빔에 의하여 발생되는 광이온은, 상기 소스가 그 낮은 상태에 있는 시간동안 상기 스크리닝수단만을 작동시킴으로써 또한 양이온이 존재하지 않을 때에 스크리닝수단만을 작동시킴으로써, 광학시스템안으로 가속되는 것이 방지된다. 제2스크리닝수단에 인가되는 사전설정된 전압이 있을 수 있다. 이 전압은 상기 소스와 동기화되어 펄스될 수 있으나, 제2스크리닝수단의 펄싱은 필요하지 않다. 또한, 사전설정된 전압은 일정할 수도 있다.
바람직한 실시예에서, 상기 스크리닝수단상의 고전압은 소스-생성된 이온이 감속된 순간에 스위치오프되어, 소스 생성된 이온이 상기 소스를 향하여 다시 밀려지는 것을 방지한다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 양으로 대전된 입자들을 포획하는 제2스크리닝수단과 제1스크리닝수단 사이에 1이상의 벽이 존재하는 것을 특징으로 한다. 특히, 이들 벽을 향하여 이온을 지향시키는 전기 또는 자기장과 결합하여, 여분의 벽을 도입함으로써 광이온의 평균자유경로가 감소되기 때문에, 이는 광이온의 붕괴를 더욱 용이하게 한다. 이 벽은 도전성이거나 절연성일 수 있다. 여분의 벽은 벽에 의한 EUV 빔의 방해를 최소화하도록 구성되어야 한다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 상기 리소그래피투영장치는 1이상의 벽을 향하여 양으로 대전된 입자들을 끌어당기는 광이온포획수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 비교적 작은 전기 및/또는 자기력을 인가함으로써, 1이상의 성분이 1이상의 벽을 향하여 수직으로 지향되게 하여, 광이온은 광학시스템으로부터 제거될 것이다.
대응하는 기준부호는 대응하는 부분을 나타내는 첨부한 도면을 참조하여, 단지 예시의 방식으로 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
ㆍ방사선(예를 들어, 11 내지 14㎚의 파장을 갖는 EUV 방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사원(LA)도 포함한다);
ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단(PW)에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL을 포함하여 이루어진다. 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (반사마스크를 구비한) 반사형(reflctive mask type)이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (투과마스크를 구비한) 투과형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
방사원(LA)(예를 들어, 레이저생성 플라즈마 또는 방전플라즈마 EUV 방사선 소스)은 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외측반경 및/또는 내측반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라고 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패피투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 흔히 방사원(LA)이 수은 램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사원(LA)이 엑시머레이저인 때에 흔한 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이들 시나리오를 모두 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(PW)(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단(PM)은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은행정액츄에어터에만 연결될 수 있고 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크정렬마크(M1, M2) 및 기판정렬마크(P1, P2)를 각각 사용하여 정렬될 수 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2는 방사선유닛(3) 및 조명광학기유닛(4)을 구비한 방사선시스템(2) 및 투영광학기시스템(PL)을 포함하는 투영장치(1)를 도시한다. 방사선시스템(2)은 소스-콜렉터 모듈 또는 방사선유닛(3) 및 조명광학기유닛(4)을 포함한다. 방사선유닛(3)에는 방전 플라즈마 EUV 방사선소스일 수 있는 방사선소스(6)가 제공된다. EUV 방사선소스(6)는 전자기스펙트럼의 EUV 범위내에서 방사선을 방출하도록 매우 고온의 플라즈마가 생성될 수 있는 Xe가스 또는 Li 증기와 같은 가스 또는 증기를 채용할 수 있다. 매우 고온의 플라즈마는, 전기적 방전의 부분적으로 이온화된 플라즈마를 광축선(O)상에 붕괴(collapse)하도록 함으로써 생성된다. 0.1mbar의 분압을 갖는 Xe 가스, Li 증기 또는 여타의 적절한 가스 또는 증기가 방사선의 효율 적인 발생을 위해 요구될 수 있다. 방사선소스(6)에 의하여 방출된 방사선은 소스챔버(7)로부터 가스배리어구조체 즉 "포일 트랩(foil trap)"(9)을 거쳐 콜렉터챔버(8)내로 통과된다. 가스배리어구조체(9)는, 예를 들어, 유럽특허출원 EP-A-1 233 468호 및 EP-A-1 057 079호에 개시된 바와 같은 채널구조체를 포함하며, 본 명세서에서 인용참조되고 있다.
콜렉터챔버(8)는 본 발명에 따라 그레이징입사콜렉터로 형성된 방사선콜렉터(10)를 포함한다. 콜렉터(10)를 통과한 방사선은, 콜렉터챔버(8)내의 어퍼처에서 실제 소스지점(12)내에 포커스되도록 격자스펙트럼필터(grating spectral filter)(11)로 반사된다. 챔버(8)로부터, 투영빔(16)은 조명광학기유닛(4)내에서 수직입사반사기(13, 14)를 거쳐 레티클 또는 마스크테이블(MT)상에 위치된 레티클 또는 마스크상으로 반사된다. 투영광학기시스템(PL)내에서 반사요소(18, 19)를 거쳐 웨이퍼스테이지 또는 기판테이블(WT)상으로 묘화되는 패터닝된 빔(17)이 형성된다. 일반적으로는 도시된 것보다 많은 요소들이 조명광학기시스템(4)과 투영광학기시스템(PL)내에 존재할 수 있다.
도 3에서 알 수 있듯이, 그레이징입사콜렉터(10)는 포개어진(nested) 다수의 반사기요소(21, 22, 23)를 포함한다. 이 형태의 그레이징입사콜렉터는, 예를 들어, 독일특허출원 DE 101 38 284.7호에 도시되어 있다.
도 4에서, EUV 빔(57)내에 있는 예를 들어 메시(41)와 같은 제1스크리닝수단은 원통형케이싱(43)과 같은 접지된 하우징 내부에 장착되어 도시된다. EUV 빔(57)을 따라, 방사선소스(6)에 의하여 방출된 양으로 대전된 입자들이 이동한다. 메시(41)는 양전압을 제공하는 전압공급원(45)에 연결된다. 제1스크리닝수단은 또한 격자로서 실현될 수 있다. 메시(41)는 복수의 와이어(61) 및 어퍼처(63)로 이루어진다. 각각의 와이어의 두께는 인접한 와이어들 사이의 거리보다 실질적으로 작다. 이것이 EUV 빔(57)의 방해가 가능한 한 작은 것을 보장한다. 메시(41)는 접지된 원통형 케이싱(43)으로부터 전기적으로 절연되어 있다. 제1메시(41)의 양쪽면상에는, 2개의 추가 메시(47, 49)의 형식으로 제2스크리닝수단이 접지된 원통형 케이싱(43)에 장착되고, 그로부터 전기적으로 절연되어 있다. 추가 메시(47, 49)는 자유전자를 밀어내기 위하여 음전압을 제공하는 전압공급원(51)에 연결된다. 접지된 원통형 케이싱(43)의 양단면에서, 접지된 원통형 케이싱(43)에 전기적으로 접촉한 2개의 추가 메시(53, 55)와 같은 제3스크리닝수단이 위치될 수 있다. 도 4의 경우, EUV 빔(57)은, 평행으로 들어가고 거울과 같은 광학 구성요소(59)의 음영영향(shadow effect)을 최소화하도록 정렬되는 메시(41, 47, 49, 53, 55)의 조립체를 통하여 계속된다. 하지만, 본 발명은 또한 (EUV) 방사선의 수렴 또는 발산빔(57)과 함께 사용될 수 있다. 이 경우, 메시(41, 47, 49, 53, 55)의 피치 및 정렬은 적절히 조정되어야 한다. 도전층의 증착으로 인하여 EUV 빔(57)에 의한 메시(41, 47, 49, 53, 55)의 단락회로가 방지되는 것이 중요하다. 이 때문에, 메시(41, 47, 49, 53, 55) 사이에는 절연매질이 존재한다. 절연매질내에 홈이 절단되며, 그 안에 금속원자들이 어렵게 겨우 침투할 수 있다. 이는 홈의 내부 깊숙이에는 도전물질이 실질적으로 없는 부분이 있다는 것을 의미한다. 홈의 지오메트리는, 예를 들어, 원통의 내면내의 홈이며, 원통의 길이에 수직이다. EUV 소스를 작 동시키고 외측 메시(47, 49)상에 전압을 인가하지 않으면서, 제1(중간)메시상에 고전압(3kV)을 생성하는 것은 매우 어렵다. 이러한 고전압을 지속시키기 위해 요구되는 전력은 35W를 초과하고, 전기적인 브레이크다운현상은 진공챔버에서 볼 수 있으며, 방사선소스는 안정되게 작동되지 않는다. 하지만, -400V급의 전압이 전압공급원(51)에 의하여 메시(47, 49)에 인가되는 경우, 3kV가 매우 용이하게 지속될 수 있으며, 방사선소스에 관한 영향 또는 브레이크다운과 같은 부정적인 영향이 관찰될 수 없다. 접지된 메시(53, 55)에 연결된 접지된 케이싱(43)이 있어 메시(41, 47, 49)에 의하여 발생된 전기장의 영향을 더욱 줄여준다. 도 4에 예시된 실시예는 방사선의 평행투영빔에 적합하지만, 본 발명은 방사선의 발산 또는 수렴투영빔에 대하여도 호환가능한(comparable) 방식으로 수행된다.
예를 들어, 포일 트랩과 같은 리소그래피투영장치에 존재하는 여타의 구성요소는 이전에 설명된 메시(41, 47, 49, 53, 55) 중 어느 하나로서 사용될 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 소스(6) 및 콜렉터(10)의 확대상세도를 도시한다. 도 5를 보면, 포일 트랩(9)은 접지된 메시 55로서 기능하고 콜렉터(10)는 접지된 메시 53으로서 기능한다. 이 경우 발산빔인 방사선의 투영빔의 간섭을 최소화하기 위하여, 메시(41, 47, 49)가 만곡되고, 방사선소스(6)상에 그들의 포커스를 가지며, 따라서, 메시의 하류에서의 방사선 파워의 양을 최대화한다. 제1 및 제2스크리닝수단은 포일 트랩의 플레이트릿(platelet)의 음영(shade)내에 있는 가는 와이어일 수 있다. 이는, 와이어가 조사되지 않기 때문에, 가열되지 않을 것이므로 유익하다. 더욱이, 포일 트랩 플레이트릿은 비교적 용이한 방식으로 냉각될 수 있다.
도 5의 실시예에서, 메시상의 전압은 펄스될 수 있다. 이 때문에, 타이밍회로(63)가 방사선소스(6) 및 전압원(45, 51)에 연결된다. 타이밍회로(63)는 펄스된 방사선소스(6)와 펄스된 전압원(45, 51) 사이의 동기화를 수행한다.
본 발명의 작동방식을 예시하기 위해서, 도 6의 타이밍그래프를 참고로 한다. 리소그래피투영장치에서, 시간의 주기(T1)동안 도 6a에서 높음으로 표시된 상태동안에 EUV 방사선의 이온화특성으로 인하여 이온("광이온")이 발생된다. 더욱 상세하게, 광이온은 제1스크리닝수단(41)과 제2스크리닝수단(47, 49) 사이에 발생된다. 광이온은 EUV 펄스의 도착시에 실질적으로 즉시 생성된다. 접지되어 있거나 (회로(65)에 의하여 능동적으로 인가된) 비교적 작은 이온 흡인 자기 또는 전기 바이어스(67)(변하지 않거나 펄스되어 소스(6)의 낮은 상태 동안에만 인력이 있는)를 가진 벽(43)과 같은 광이온포획수단이 상기 스크리닝수단 사이에 있는 광이온을 제거하도록 제공될 수 있다. 광이온포획수단은 광이온밀도의 붕괴를 촉진시키는 역할을 한다. 한편, EUV 소스으로부터 방출된 이온("소스-이온") 또한 리소그래피투영장치에 존재한다. 소스이온은, 생성된 후에, 리소그래피투영장치의 광학 구성요소의 방향으로 방사선의 투영빔의 경로를 따라 이동한다. 소스이온은 시간 주기(T2)후에 제2스크리닝수단(47), 예를 들어 메시에 도착한다고 가정한다. 소스-이온이 메시(41)를 통과하는 것을 방지하고, 방사선의 투영빔의 경로의 더욱 하류에 있는 광학 구성요소를 소스이온에 대하여 보호하기 위해서, 상술된 연속적인 경우와 마찬가지로 양의 펄스전압이 메시(41)에 인가된다. 소스 이온 반발 효과를 가지기 위해서, 소스가 높은 상태로 전환된 후에, 주기(T2)보다 늦지 않게 양 전압이 인가되어야만 한다. 양전압펄스의 폭(T3)은, 양전압이 소스-이온을 감속시키기에 충분히 긴 주기동안 존재하도록 되어야 한다. 보다 긴 펄스폭은 가속을 초래하고, 소스로 다시 소스이온을 반사시킬 것이다. 양의 펄스의 길이(T3)에 대한 전형적인 값은 대략 1㎲이다. 이온들이 방사선소스로부터 방출되는 동안의 시간 스팬(span)에 종속하여, 길이(T3)는 1㎲보다 다소 길어질 수도 있는 데, 그 이유는 최후에 제2스크리닝수단(47)에 도착하는 이온을 감속시키기 위해서 충분한 시간이 있어야 하기 때문이다. 전압펄스(T3)를 만족시켜야만 하는 중요한 조건은, 광이온의 존재 동안에(예를 들어, 방사선소스가 높은 상태에 있는 주기(T1) 동안과, 광이온이 바람직하게 제거되는 주기(T1) 후의 시간의 한정된주기 동안에) 인가되지 않아야 한다는 것이다. 펄스의 형상 높이, 폭도 변할 수 있는 것처럼 펄스(T3)가 인가되는 시간도 변할 수 있다. 이는 도 8b에 점선으로 표시되어 있다. 광이온이 포획수단에 도달하기 위해 시간을 필요로 하기 때문에, 펄스(T1)의 단부와 T3 동안의 양전압펄스의 인가 사이에 시간지연(Tdelay)이 있어야만 한다. T1, T2 및 T3의 통상적인 값은 100㎱ 내지 수 ㎲이다. 또한, 제2스크리닝수단(47, 49)은 (능성적으로) 바이어스된다. 강한 소스이온 반발장(strong source ion repelling field)을 얻기 위해서, 제2스크리닝수단은 제1스크리닝수단(41)과 동기화되어 그리고 펄스(T3)와 실질적으로 동시에 바이어스될 수 있다. 이는 도 6c에 도시되어 있다. 하지만, 제2스크리닝수단상의 펄스전압과 제2스크리닝수단상의 일정한 전압 둘 모두로 인해 소스이온 반발영향이 생길 것이다. 소스이온의 도착시에 제1스크리닝수 단(41)상의 전압을 제2스크리닝수단(47)으로 전환시키는 것이 중요하다.
도 5에 도시된 바와 같이, 전압공급원(67)으로 메시(41, 47, 49)의 하우징(43)에 바람직하게 -100V의 음전압을 제공할 수 있다. 이는 메시들 사이에서 생성된 광이온에 인력을 유발하고, 메시(41, 47, 49)로부터 멀리 이들 이온을 운반할 것이다. 타이밍회로(65)는 이들 이온이 존재하는 기간(즉, T1와 그 후의 약간의 시간) 동안에만 음전압을 제공하기 위해서 전압원(67)과 연결될 수 있다.
상술된 바와 같은 메시는, 소스유도성파편(source induced debris)에 대하여 예를 들어, 거울(59)과 같은 광학 구성요소를 차폐하기에 특히 적합하다.
이상, 본 발명의 특정 실시예에 대하여 서술하였지만, 본 발명은 서술된 바와 다르게 실시될 수도 있다. 상기 서술내용은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.
본 발명에 따르면, 고전압메시를 사용하여 광학 구성요소에 도달하는 자유전자의 수를 감소시키는 리소그래피투영장치가 제공된다.

Claims (16)

  1. - 방사선소스에 의하여 방출된 방사선으로부터 방사선의 투영빔을 형성하는 방사선시스템,
    - 상기 투영빔을 패터닝하기 위해 상기 투영빔에 의하여 조사될 패터닝수단을 지지하도록 구성된 지지구조체,
    - 기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블,
    - 상기 기판의 타겟부상에 상기 패터닝수단의 조사된 부분을 묘화하도록 구성되고 배치된 투영시스템, 및
    - 양으로 대전된 입자로부터 스크린될 물체와 상기 방사선소스 사이의 상기 방사선 투영빔의 경로내에 위치된 제1스크리닝수단을 포함하되,
    상기 제1스크리닝수단은 상기 방사선 투영빔에 투명하고, 상기 양으로 대전된 입자의 적어도 일부를 차단하도록 전위배리어를 형성하기 위하여 상기 제1스크리닝수단에 양전압이 인가되는 리소그래피투영장치에 있어서,
    제2스크리닝수단이 상기 상기 방사선 투영빔의 경로내에서 상기 제1스크리닝수단의 적어도 한쪽에 위치되며, 음으로 대전된 입자를 상기 제1스크리닝수단으로부터 밀어내기 위하여 음전압이 상기 제2스크리닝수단에 인가되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 리소그래피투영장치는 상기 제1스크리닝수단으로부터 상기 방사선소스를 스크린하기 위하여 상기 제2스크리닝수단과 전기적으로 접촉하거나 접지된 표면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 표면은 원통형 또는 원뿔형 케이싱을 포함하며, 그 종축선은 상기 방사선 투영빔의 경로에 평행한 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1스크리닝수단 및 제2스크리닝수단은 상기 방사선 투영빔의 상기 경로에 수직인 표면을 갖는 격자 또는 메시구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2스크리닝수단 및 제1스크리닝수단은 상기 방사선 투영빔의 상기 경로를 따라 상호적으로 정렬되는 어퍼처를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리소그래피투영장치는, 상기 제1스크리닝수단을 향하는 쪽과 반대인 제2스크리닝수단쪽상에 위치되는, 접지전위에 있는 제3스크리닝수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3스크리닝수단은 상기 제1스크리닝수단 및 제2스크리닝수단과 유사한 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1스크리닝수단에는 3kV의 양전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2스크리닝수단은 -400V의 음전위에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사선소스는 높은 상태와 낮은 상태 사이에서 펄스방식으로 작동되도록 되어 있으며,
    상기 리소그래피투영장치는, 동기화수단을 더 포함하되, 상기 동기화수단은 상기 방사선소스가 낮은 상태에 있는 시간의 적어도 일부동안 양전압을 상기 제1스크리닝수단에 인가하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2스크리닝수단상의 양전압은 수 ㎲의 주기동안 존재하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2스크리닝수단은, 상기 제1스크리닝수단에 인가된 양전압과 동기화되어 상기 제2스크니링수단에 인가된 전압을 변동시키기 위하여 상기 동기화수단에 연결되는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  13. 제10항에 있어서,
    양으로 대전된 입자들을 포획하기 위하여 상기 제1스크리닝수단과 상기 제2스크리닝수단 사이에 1이상의 벽이 존재하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 리소그래피투영장치는 상기 1이상의 벽을 향하여 상기 양으로 대전된 입자들을 끌어당기는 광이온포획수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  15. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    스크린될 상기 물체는 광학 요소인 것을 특징으로 하는 리소그래피투영장치.
  16. - 방사선시스템을 제공하여 방사선소스에 의하여 방출된 방사선으로부터 방사선 투영빔을 형성하는 단계,
    - 상기 투영빔을 패터닝하기 위해 상기 투영빔에 의하여 조사될 패터닝수단을 지지하도록 구성된 지지구조체를 제공하는 단계,
    - 기판을 잡아주도록 구성된 기판테이블을 제공하는 단계를 포함하며,
    - 1이상의 광학 구성요소를 제공하는 단계, 및
    - 상기 방사선소스와 상기 1이상의 광학 구성요소 사이에 상기 방사선 투영빔의 경로내에 상기 방사선 투영빔에 투명한 제1스크리닝수단을 위치시키는 단계를 더 포함하되, 상기 방사선 소스는 작동시에 앙전하로 입자들을 방출시키며, 상기 제1스크리닝수단에는 상기 입자들의 적어도 일부를 차단하도록 전위배리어를 형성하는 양전압이 공급되며,
    제2스크리닝수단은 상기 투영빔의 경로내에서 상기 제1스크리닝수단의 적어도 한쪽에 위치되며, 상기 제2스크리닝수단에는 상기 제1스크리닝수단으로부터 자유전자를 밀어내기 위한 음전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 집적회로를 제조하는 방법.
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