JPWO2016098193A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Abstract

ＥＵＶ光の出力の低下を抑制し得る。極端紫外光生成装置は、内部のプラズマ生成領域２５に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることで発生するプラズマから極端紫外光が生成されるチャンバ２と、前記チャンバ内で生成された前記極端紫外光を集光して前記チャンバ外に導出する集光ミラー２３と、前記集光ミラーの反射面及び前記プラズマ生成領域にエッチングガスを吹き出す第１エッチングガス供給部７と、前記チャンバ外に配置され、前記チャンバ内に磁場を形成する磁石９ａ，９ｂと、前記磁場の中心軸Ｏと交差する前記チャンバの内壁面に設けられ、前記チャンバ内にて発生した浮遊物質を取り込むポート８０と、前記ポートに連通し前記ポートから取り込まれた前記浮遊物質を前記チャンバ外に排出する排出経路８１と、前記チャンバ及び前記排出経路を前記磁石から分離して移動させる移動機構と、を備えてもよい。

Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、４５ｎｍ〜７０ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

特許第５１０８３６７号 特許第５３１２８３７号 特許出願公開２０１０−１７１４０５号 米国特許出願公開第２０１０／０１４０５１４号 国際特許出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１４／０６８５８２号

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることで発生するプラズマから極端紫外光が生成されるチャンバと、前記チャンバ内で生成された前記極端紫外光を集光して前記チャンバ外に導出する集光ミラーと、前記集光ミラーの反射面及び前記プラズマ生成領域にエッチングガスを吹き出す第１エッチングガス供給部と、前記チャンバ外に配置され、前記チャンバ内に磁場を形成する磁石と、前記磁場の中心軸と交差する前記チャンバの内壁面に設けられ、前記チャンバ内にて発生した浮遊物質を取り込むポートと、前記ポートに連通し前記ポートから取り込まれた前記浮遊物質を前記チャンバ外に排出する排出経路と、前記チャンバ及び前記排出経路を前記磁石から分離して移動させる移動機構と、を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、磁場形成装置及びイオンキャッチャーを含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す。 図３Ａは、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図３Ｂは、図３Ａに示されたチャンバのＡ−Ａ線における断面図を示す。 図４Ａは、第１実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図４Ｂは、図４Ａに示されたチャンバのＡＢ−ＡＢ線における断面図を示す。 図４Ｃは、図４Ａに示されたチャンバのＡＣ−ＡＣ線における断面図を示す。 図４Ｄは、図４Ａに示されたチャンバのＡＤ−ＡＤ線における断面図を示す。 図５Ａは、第１実施形態の変形例２のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図５Ｂは、図５Ａに示されたチャンバのＡＥ−ＡＥ線における断面図を示す。 図５Ｃは、図５Ａに示されたチャンバのＡＦ−ＡＦ線における断面図を示す。 図６は、第１実施形態の変形例３のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図７は、第１実施形態の変形例４のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図８Ａは、第１実施形態の変形例５のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図８Ｂは、図８Ａに示されたチャンバのＡＧ−ＡＧ線における断面図を示す。 図９Ａは、第１実施形態の変形例６のＥＵＶ光生成装置として、磁場形成装置に対してチャンバを移動させた状態について説明するための図を示す。 図９Ｂは、チャンバに取り付けられた移動機構の構成を示す。 図９Ｃは、移動機構によりチャンバを移動させた状態について説明するための図を示す。 図１０Ａは、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１０Ｂは、図１０Ａに示されたチャンバのＢ−Ｂ線における断面図を示す。 図１０Ｃは、図１０Ａに示されたチャンバのＢＡ−ＢＡ線における断面図を示す。 図１１Ａは、第２実施形態の変形例のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１１Ｂは、図１１Ａに示されたチャンバのＢＢ−ＢＢ線における断面図を示す。 図１１Ｃは、図１１Ａに示されたチャンバのＢＣ−ＢＣ線における断面図を示す。 図１２Ａは、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１２Ｂは、図１２Ａに示されたチャンバのＣ−Ｃ線における断面図を示す。 図１３は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１４Ａは、第４実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１４Ｂは、図１４Ａに示されたチャンバのＤ−Ｄ線における断面図を示す。 図１５は、第４実施形態の変形例２のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１６Ａは、第４実施形態の変形例３のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１６Ｂは、図１６Ａに示されたチャンバのＤＡ−ＤＡ線における断面図を示す。 図１７Ａは、第４実施形態の変形例４のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。 図１７Ｂは、図１７Ａに示されたチャンバのＤＢ−ＤＢ線における断面図を示す。 図１７Ｃは、図１７Ａに示されたチャンバのＤＣ−ＤＣ線における断面図を示す。

実施形態

〜内容〜
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．磁場形成装置及びイオンキャッチャーを含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
５．課題
６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
７．第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
７．１ 構成
７．２ 作用
８．第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
８．１ 構成
８．２ 作用
９．第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
９．１ 構成
９．２ 作用
１０．第１実施形態における変形例４のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
１０．１ 構成
１０．２ 作用
１１．第１実施形態における変形例５のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
１１．１ 構成
１１．２ 動作・作用
１２．第１実施形態における変形例６のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
１２．１ 構成
１２．２ 動作・作用
１３．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
１３．１ 構成
１３．２ 作用
１４．第２実施形態における変形例のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
１４．１ 構成
１４．２ 作用
１５．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
１５．１ 構成
１５．２ 動作
１５．３ 作用
１６．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
１６．１ 構成
１６．２ 動作
１６．３ 作用
１７．第４実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
１７．１ 構成
１７．２ 作用
１８．第４実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
１８．１ 構成
１８．２ 作用
１９．第４実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
１９．１ 構成
１９．２ 作用
２０．第４実施形態における変形例４のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路
２０．１ 構成
２０．２ 作用

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

［１．概要］
本開示は、以下の実施形態を単なる例として開示し得る。

本開示におけるＥＵＶ光生成装置１は、内部のプラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７にレーザ光３３が照射されることで発生するプラズマから極端紫外光２５２が生成されるチャンバ２と、チャンバ２内で生成された極端紫外光２５２を集光してチャンバ２外に導出する集光ミラー２３と、集光ミラー２３の反射面及びプラズマ生成領域２５にエッチングガスＸを吹き出す第１エッチングガス供給部と、チャンバ２外に配置され、チャンバ２内に磁場を形成する磁石９ａ，９ｂと、磁場の中心軸と交差するチャンバ２の内壁面に設けられ、チャンバ２内にて発生した浮遊物質Ｐを取り込むポート８０と、ポート８０に連通しポート８０から取り込まれた浮遊物質Ｐをチャンバ２外に排出する排出経路８１と、チャンバ２及び排出経路８１を磁石９ａ，９ｂから分離して移動させる移動機構Ｒと、を備えてもよい。
よって、本開示におけるＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内にてデブリＮ等の浮遊物質Ｐを滞留させることなく、ポート８０によって浮遊物質Ｐを取り込み、排出経路８１を介して浮遊物質Ｐをチャンバ２外に排出し得る。

［２．用語の説明］
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
「浮遊物質」は、チャンバ内にて浮遊する物質である。浮遊する物質には、ターゲットにレーザ光が照射されて発生するデブリ、チャンバ内に供給されるエッチングガス、デブリとエッチングガスとの反応生成物のうち、少なくとも１つが含まれてもよい。
「デブリ」は、ターゲットにレーザ光が照射されて発生するイオン、原子、エッチングガスとの衝突により中性化されたイオン、フラグメント等が、少なくとも含まれてよい。
「反応生成物」は、イオンとエッチングガスとの反応により生成される生成物、ターゲット原子やフラグメント等とエッチングガスとの反応により生成される生成物（スタナンガス）のうち、少なくとも１つを含んでよい。

［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
［３．１ 構成］
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌道、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

［３．２ 動作］
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

［４．磁場形成装置及びイオンキャッチャーを含むＥＵＶ光生成装置］
［４．１ 構成］
図２を用いて、磁場形成装置及びイオンキャッチャーを含むＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
図２は、図１に示されたＥＵＶ光生成装置１におけるチャンバ２の断面の構成であって、チャンバ２の内部を示す図であってもよい。

ＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２は、例えば、中空の球形状又は筒形状に形成されてもよい。筒形状のチャンバ２のチャンバ中心軸Ｙの方向は、ＥＵＶ光２５２を露光装置６へ導出する方向であってもよい。

チャンバ２の外側には、磁石９ａ，９ｂを有する磁場形成装置９が配置されてもよい。
磁石９ａ，９ｂは、２つのコイル状電磁石であってもよい。磁石９ａ，９ｂがチャンバ２内におけるプラズマ生成領域２５を挟んで、中心軸Ｏを磁場の中心軸とするミラー磁場を発生させるよう対向配置されていてもよい。また、磁石９ａ，９ｂは、例えば超電導磁石であるコイル状電磁石であってもよい。
磁石９ａ，９ｂは、２つのコイル状電磁石の間に、空間部としてのマグネットボア９ｃ，９ｄを有してもよい。

磁石９ａ，９ｂは、チャンバ２内に磁場を形成してもよい。
より具体的に、磁石９ａ，９ｂは、プラズマ生成領域２５を囲むようなミラー磁場を形成してもよい。

チャンバ２は、イオンキャッチャー４０ａ，４０ｂと、ガス供給部７と、排出ポート８と、を備えてもよい。

イオンキャッチャー４０ａ，４０ｂは、チャンバ２の内壁面の近傍において、プラズマ生成領域２５を挟んで対向配置されてよい。イオンキャッチャー４０ａ，４０ｂは、磁石９ａ，９ｂにより形成される磁場の磁力線Ｍが収束される位置付近に配置されてもよい。
イオンキャッチャー４０ａは、イオン衝突板４１ａと、ヒータ４２ａと、ターゲット捕集管４３ａと、ターゲット捕集容器４４ａと、を備えてよい。
イオンキャッチャー４０ｂは、イオン衝突板４１ｂと、ヒータ４２ｂと、ターゲット捕集管４３ｂと、ターゲット捕集容器４４ｂと、を備えてよい。

ヒータ４２ａ，４２ｂは、直接的又は間接的に、イオン衝突板４１ａ，４１ｂ及びターゲット捕集管４３ａ，４３ｂをスズ等のターゲット２７の融点以上の温度に加熱してもよい。

ターゲット捕集容器４４ａ，４４ｂは、チャンバ２から脱着可能に設けられてもよい。

ガス供給部７は、ガス導入ポート７１，７２と、ガス供給コーン７３と、ガス供給管７４と、コーン開口部７３ａと、スリット７４ａと、備えてもよい。
なお、ガス導入ポート７１，７２、ガス供給コーン７３、ガス供給管７４、コーン開口部７３ａ及びスリット７４ａを備えたガス供給部７を、「第１エッチングガス供給部」ともいう。

ガス導入ポート７１の一端は、不図示のエッチングガス供給源に接続されてもよい。ガス導入ポート７１の他端は、ガス供給コーン７３の内部に連通してもよい。ガス導入ポート７２の一端は、不図示のエッチングガス供給源に接続されてもよい。ガス導入ポート７２の他端は、ガス供給管７４に連通してもよい。

ガス供給コーン７３は、図２に示すように、ウインドウ２１を囲んで保持するホルダ構成を含んでもよい。ガス供給コーン７３は、ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４から突出したコーン開口部７３ａを備えてもよい。
コーン開口部７３ａは、プラズマ生成領域２５に向くように開口していてもよい。

ガス供給管７４は、ガス供給コーン７３の外周部に設けられるとともにスリット７４ａが施された配管構成であってよい。

スリット７４ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に対向するよう開口していてもよい。スリット７４ａの開口する向きは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面における全周に亘った方向であってもよい。スリット７４ａは、略長方形状の開口でよいが、複数の円形あるいは他の形の開口によって構成してもよく、その場合でも同様の効果が期待できてもよい。

コーン開口部７３ａ及びスリット７４ａからチャンバ２内へ吹き出されるエッチングガスＸは、ターゲット２７と反応して、常温で気体の反応生成物を生成するガスを含んでもよい。エッチングガスＸは、ターゲット２７がスズの場合、Ｈ２あるいはＨ２含有ガスであってもよい。また、エッチングガスＸは、Ｈ２ガスの他、Ｈラジカルを含んでもよい。

Ｈラジカルは、エッチングガス供給源からガス導入ポート７１，７２の途中の配管経路において、ＨＲＧ（Hydrogen Radical Generator）を追加して生成されてもよい。
ＨＲＧは、ガス導入ポート７１，７２の途中の配管経路に、加熱されたフィラメント等を配置して、通過するエッチングガスＸをラジカル化する構成であってよい。

排出ポート８は、チャンバ２の内壁面に設けられてもよい。排出ポート８は、排出経路８１を介して排出装置８２と接続されてもよい。
排出装置８２は、吸引動作によりチャンバ２内のガスを排出してもよい。排出装置８２は、チャンバ２内のガスを吸引するとともに、ガス中に含まれる浮遊物質Ｐをチャンバ２外へ排出し得る。
排出経路８１は、排出装置８２の吸引動作により、チャンバ２内のガスを排出装置８２へ流通させて、ガス中に含まれる浮遊物質Ｐを排出装置８２へ排出し得る。

［４．２ 動作］
以下、ターゲット２７をスズとした場合について、各実施形態を説明する。
チャンバ２内においてプラズマから放出されるイオンＳは、プラズマ生成領域２５からチャンバ２内に飛散し得る。
イオンＳは、磁石９ａ，９ｂにより形成される磁場の磁力線Ｍに沿って、ローレンツ力に基づく螺旋運動を行いながら、イオンキャッチャー４０ａ，４０ｂのイオン衝突板４１ａ，４１ｂに衝突し得る。イオン衝突板４１ａ，４１ｂに衝突したイオンＳは、イオン衝突板４１ａ，４１ｂの表面上で失活し得る。イオン衝突板４１ａ，４１ｂの表面上で失活したイオンＳは、イオン衝突板４１ａ，４１ｂの表面上にて捕捉され得る。

イオン衝突板４１ａ，４１ｂに捕捉されたイオンＳは、イオン衝突板４１ａ，４１ｂにおいて溶融スズとなり得る。溶融スズは、ターゲット捕集管４３ａ，４３ｂを通ってターゲット捕集容器４４ａ，４４ｂに捕集され得る。

溶融スズは、ターゲット捕集容器４４ａ，４４ｂに捕集された後固化してもよい。
ターゲット捕集容器４４ａ，４４ｂは、メンテナンス時等に交換されてもよい。

プラズマ生成領域２５から飛散するデブリは、コーン開口部７３ａから供給されるエッチングガスＸによる運動量によって、ウインドウ２１に付着するのが抑制され得る。
なお、ウインドウ２１にデブリが付着した場合は、ガス供給コーン７３内におけるエッチングガスＸと反応して、常温で気体の反応生成物を生成してもよい。

例えば、ターゲット２７がスズである場合、反応生成物はＳｎＨ４（スタナン）であってもよい。ＳｎＨ４は、常温において気体であってもよい。
なお、気体の状態であるＳｎＨ４（スタナン）を、「スタナンガス」ともいう。

また、エッチングガスＸは、ガス導入ポート７２を介してガス供給管７４内部を通り、スリット７４ａを介して、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に供給されてもよい。
スリット７４ａから供給されるエッチングガスＸは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に付着したデブリと反応して、常温で気体の反応生成物を生成してもよい。

デブリと反応しなかったエッチングガスＸ、及び、エッチングガスＸとデブリとの反応生成物は、排出ポート８を介して、排出装置８２によりチャンバ２外へ排出されてもよい。
排出装置８２は、ガス供給部７が供給するエッチングガスＸの流量と略同じ流量で、チャンバ２内のガスを排出してもよく、チャンバ２の内圧を略一定に保ってもよい。

［４．３ 作用］
ＥＵＶ光の発生に伴いプラズマ生成領域２５にて発生するイオンＳは、磁石９ａ，９ｂにより形成される磁場の磁力線Ｍの作用によってイオンキャッチャー４０ａ，４０ｂに導かれ、イオン衝突板４１ａ，４１ｂの表面上に捕捉され得る。
このため、チャンバ２内に飛散するイオンＳは、ＥＵＶ集光ミラー２３に向けて進行してしまうことを抑制され得る。よって、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面は、イオンＳの衝突によるスパッタが抑制され得る。
また、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面にデブリが付着した場合であっても、その付着したデブリは、エッチングガスＸと反応することでガス状の反応生成物（スタナンガス）として、チャンバ２外部へ排出され得る。

［５．課題］
イオン衝突板４１ａ，４１ｂの表面上に付着しているスズは、新たなイオンＳの衝突を受けることでスパッタされると、飛散したスズ原子がＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に付着し得る。

また、プラズマ生成領域２５にて発生するイオンＳは、チャンバ２内に供給されたエッチングガスＸと衝突して速度を失い、収束部付近に滞留し得る。さらにイオンＳは電子との再結合や他粒子との衝突により中性化され、チャンバ２内にて次第に拡散し得る。拡散したイオンＳはＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に付着し得る。

このため、ＥＵＶ集光ミラー２３に飛散したスズ原子や、中性化されたイオンＳを含むデブリＮが付着することで、反射率が低下し、ＥＵＶ光の出力が低下してしまうという問題があった。さらに、ＥＵＶ光の出力が所定値以下まで低下してしまうと、高額なＥＵＶ集光ミラー２３を交換する必要が生じてしまうなど、コスト面での問題もあった。

［６．第１実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［６．１ 構成］
図３Ａ及び図３Ｂを用いて、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図３Ａは、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
図３Ｂは、図３Ａに示されたチャンバのＡ−Ａ線における断面図を示す。
なお、図３Ｂにおいては、ガス供給部７の図示を省略する。

第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１と異なり、ポート８０が、チャンバ壁２ａの内壁面に開口として設けられてもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、排出経路８１が、チャンバ壁２ａの外壁面上に延びて形成されてもよい。
第１実施形態のガス供給部７、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２に示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については説明を省略する。

図３Ａに示すポート８０は、チャンバ２の内部であって、プラズマ生成領域２５と磁石９ａ，９ｂとの間の位置に設けられてもよい。
ポート８０は、磁石９ａとプラズマ生成領域２５との間、及び、磁石９ｂとプラズマ生成領域２５との間の２か所に、配置されてもよい。
また、ポート８０の開口の中心の位置は、中心軸Ｏとほぼ一致する位置となるように構成されてもよい。
ポート８０の形状は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、円形であってもよく、矩形等その他の形状であってもよい。

ポート８０は、図３Ｂに示すように、チャンバ壁２ａの内壁面に開口として設けられてもよい。ポート８０の位置は、磁場の中心軸Ｏの方向からみてチャンバ２外の磁石９ａのマグネットボア９ｃおよび磁石９ｂのマグネットボア９ｄの位置と略一致し得る。

排出経路８１は、図３Ａに示すように、チャンバ壁２ａの外壁面上に延びて形成されて、ポート８０と接続されてもよい。排出経路８１は、ポート８０と排出装置８２とに接続されてもよい。
チャンバ壁２ａの外壁面上に延びて形成された排出経路８１は、チャンバ２と磁石９ａ，９ｂとの間に配置されてもよい。

排出経路８１及び排出装置８２は、不図示の浮遊物質トラップを備えてもよい。また、排出装置８２の下流には、不図示の浮遊物質Ｐの除害装置が設けられてもよい。

ここで、ＥＵＶ光生成装置１における磁石９ａ，９ｂの動作条件について、チャンバ２内の磁場の磁束密度として、０．４Ｔ〜３．０Ｔであってよい。より好ましくは、０．５Ｔ〜１．５Ｔであってもよい。

チャンバ２内に導入されるエッチングガスＸの総流量は、分単位の流量として、５ｓｌｍ（standard liter / min）〜２００ｓｌｍであってよい。より好ましくは、１０ｓｌｍ〜３０ｓｌｍであってもよい。

なお、ガス導入ポート７１，７２は、チャンバ２内における各種センサやモニタ用の窓などを保護する不図示のガスロック機構に接続され、各ガスロック機構にエッチングガスＸを導入するためのものであってもよい。
ガス導入ポート７１，７２から導入されるエッチングガスＸの流量は、不図示のガスロック機構のための導入量も考慮して決定されてもよい。

チャンバ２内のガス圧力は、５Ｐａ〜２００Ｐａであってよい。より好ましくは、１０Ｐａ〜４０Ｐａであってもよい。

ＥＵＶ集光ミラー２３の温度は、６０℃以下に保たれるよう不図示の温度調節装置を備えてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の温度は、好ましくは、２０℃以下に温度調節されてもよい。

なお、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［６．２ 動作］
プラズマ生成領域２５において発生したイオンＳの一部は、磁場形成装置９により形成された磁力線Ｍの作用を受けて、磁力線Ｍの収束部付近に向けて移動し得る。
磁力線Ｍの収束部付近に移動したイオンＳは、チャンバ壁２ａに衝突し付着し得る。また、イオンＳは、チャンバ壁２ａに付着したスズをスパッタし得る。低速のイオンＳは、磁場形成装置９により形成された磁場の作用を殆ど受けることなくエッチングガスＸと衝突し速度を失い、磁力線Ｍの収束部付近に滞留し得る。滞留したイオンＳは電子との再結合や他粒子との衝突により中性化し得る。

さらに、ガス供給管７４のスリット７４ａから供給されたエッチングガスＸは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に付着しているデブリＮと反応して、気体である反応生成物を生成し得る。
生成された反応生成物は、エッチングガスＸの流れに沿って、ＥＵＶ集光ミラー２３の縁の近傍である磁力線Ｍの収束部付近に向けて流れ得る。
なお、デブリＮと反応しなかったエッチングガスＸについても、ＥＵＶ集光ミラー２３の表面に沿って、磁力線Ｍの収束部付近に向けて流れ得る。

デブリＮは、エッチングガスＸの流れに沿って、ポート８０を介してチャンバ２外へ排出され得る。ポート８０にて取り込まれたデブリＮは、排出経路８１を介して、排出装置８２によりチャンバ２外へ排出され得る。
反応生成物及びエッチングガスＸは、同様に、ポート８０において取り込まれた後に、排出経路８１を介して、排出装置８２によりチャンバ２外へ排出され得る。

［６．３ 作用］
第１実施形態において、デブリＮは、チャンバ２内において滞留することなく、ポート８０を介してチャンバ２外へ排出され得る。
よって、デブリＮは、チャンバ２内にて拡散してＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に付着してしまうことを抑制され得る。また、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面は、イオンＳによりスパッタされることを抑制され得る。

このため、ＥＵＶ集光ミラー２３は、反射率が低下してしまうことを抑制され得る。よって、ＥＵＶ集光ミラー２３は、寿命が延び、交換の頻度が低減し得る。ひいては、ＥＵＶ光生成装置１は、運用コストの低減が可能となり得る。

［７．第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［７．１ 構成］
図４Ａ〜図４Ｄを用いて、第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図４Ａは、第１実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
図４Ｂは、図４Ａに示されたチャンバのＡＢ−ＡＢ線における断面図を示す。
図４Ｃは、図４Ａに示されたチャンバのＡＣ−ＡＣ線における断面図を示す。
図４Ｄは、図４Ａに示されたチャンバのＡＤ−ＡＤ線における断面図を示す。
なお、図４Ｂ〜図４Ｄにおいては、ガス供給部７の図示を省略する。

第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１と異なり、排出経路８１の一部が、隔壁２０及びチャンバ壁２ａにより囲われた所定の空間として設けられてもよい。
第１実施形態の変形例１におけるガス供給部７、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示した第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

チャンバ２は、図４Ａに示すように、チャンバ壁２ａの内側に隔壁２０を備えてもよい。チャンバ２は、チャンバ２の内側においてＥＵＶ集光ミラー２３の周囲にフランジ５０を備えてもよい。チャンバ２は、チャンバ壁２ａと、隔壁２０と、フランジ５０と、により、所定の空間を形成してもよい。

排出経路８１は、図４Ａに示すように、チャンバ壁２ａ、隔壁２０及びフランジ５０により形成された所定の空間も含むように構成されて、ポート８０と接続されてよい。排出経路８１は、ポート８０と排出装置８２とに接続されてもよい。

なお、隔壁２０は、ヒートシールドの役割を果たしてもよい。
ヒートシールドとしての隔壁２０は、プラズマ生成領域２５において発生する熱がチャンバ壁２ａを加熱して、チャンバ２を膨張させてしまうことを抑制するために、プラズマ生成領域２５とチャンバ壁２ａとの間に設けられる遮熱機構であってもよい。ヒートシールドとしての隔壁２０は、不図示の冷却機構を備えてもよい。

ポート８０は、図４Ｄに示すように、隔壁２０の内壁面に開口として設けられてもよい。

チャンバ２内にて発生する浮遊物質Ｐは、図４Ｂに示すように、隔壁２０に設けられたポート８０に取り込まれてもよい。ポート８０に取り込まれた浮遊物質Ｐは、排出経路８１の一部分である、チャンバ壁２ａ、隔壁２０及びフランジ５０により形成された経路を流れてもよい。その後、浮遊物質Ｐは、図４Ｃに示すように、排出経路８１を介して、不図示の排出装置８２に向けて流れてもよい。

なお、第１実施形態の変形例１におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示された第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［７．２ 作用］
第１実施形態の変形例１において、チャンバ２は、隔壁２０及びフランジ５０をチャンバ２内に設けたことで、内部の空間を有効利用して、排出経路８１の一部を設け得る。
このため、チャンバ２は、浮遊物質Ｐを含むチャンバ２内のガスを排出するための経路の断面積を大きくすることが可能となり得る。よって、チャンバ２は、チャンバ２内のガスの排出を効率良く行い得る。

従って、ＥＵＶ光生成装置１は、排出装置８２の能力を変更することなく、チャンバ２内のガスの排出量を多くさせ得る。そして、チャンバ２の内部により多くのエッチングガスＸが供給されても、チャンバ２内の圧力は、所定の圧力に保たれ得る。
結果として、ＥＵＶ光生成装置１は、エッチングガスＸの流量を多くできるので、浮遊物質Ｐを含むチャンバ２内のガスを、効率よく排出し得る。

［８．第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［８．１ 構成］
図５Ａ〜図５Ｃを用いて、第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図５Ａは、第１実施形態の変形例２のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
図５Ｂは、図５Ａに示されたチャンバのＡＥ−ＡＥ線における断面図を示す。
図５Ｃは、図５Ａに示されたチャンバのＡＦ−ＡＦ線における断面図を示す。
なお、図５Ｂ及び図５Ｃにおいては、ガス供給部７の図示を省略する。

第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置１は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示した第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１と異なり、排出経路８１の一部が、チャンバ壁２ａの内部に形成されてもよい。
第１実施形態の変形例２におけるガス供給部７、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示した第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第１実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示した第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

ポート８０は、チャンバ壁２ａに設けられてもよい。
排出経路８１は、図５Ａに示すように、チャンバ壁２ａの内部に形成された経路を含んでもよい。排出経路８１は、チャンバ壁２ａの壁の内部に形成された経路を介して、ポート８０から取り込まれた浮遊物質Ｐを、不図示の排出装置８２に流通させてもよい。

チャンバ２内にて発生する浮遊物質Ｐは、図５Ｂに示すように、チャンバ壁２ａに設けられたポート８０に取り込まれてもよい。ポート８０に取り込まれた浮遊物質Ｐは、図５Ａに示すように、チャンバ壁２ａの壁の内部に形成された経路を通じて流れてもよい。その後、浮遊物質Ｐは、図５Ｃに示すように、排出経路８１を介して、不図示の排出装置８２に向けて流れてもよい。

なお、第１実施形態の変形例２におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示された第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［８．２ 作用］
第１実施形態の変形例２において、チャンバ２は、排出経路８１の一部をチャンバ壁２ａの壁の内部に設けたことで、チャンバ２の占める領域を有効利用して、浮遊物質Ｐを排出させる経路を形成させ得る。このため、チャンバ２は、構成をコンパクトにし得る。

［９．第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［９．１ 構成］
図６を用いて、第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図６は、第１実施形態の変形例３のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。

第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示した第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１と異なり、排出経路８１の一部が、磁石９ａ，９ｂのマグネットボア９ｃ，９ｄを貫通するように設けられてもよい。
第１実施形態の変形例３におけるガス供給部７、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示した第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示した第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

ポート８０は、図６に示すように、チャンバ壁２ａに開口として設けられてもよい。
排出経路８１は、磁石９ａ，９ｂのマグネットボア９ｃ，９ｄを貫通するように設けられた経路を含んでよい。排出経路８１は、マグネットボア９ｃ，９ｄを貫通するように設けられた経路を介して、ポート８０から取り込まれた浮遊物質Ｐを、不図示の排出装置８２に流通させてもよい。
マグネットボア９ｃ，９ｄ内の経路を含む排出経路８１は、中心軸Ｏに沿って延びる構成であってもよい。

なお、第１実施形態の変形例３におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示された第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［９．２ 作用］
第１実施形態の変形例３において、イオンＳのチャンバ壁２ａへの衝突を防ぐことができ、スパッタされたスズ原子の発生を抑制することができる。また、ＥＵＶ光生成装置１は、マグネットボア９ｃ，９ｄ内の経路を排出経路８１の一部としたことで、チャンバ２内にて発生する浮遊物質Ｐを排出するための構成を簡易にし得る。
また、ＥＵＶ光生成装置１は、マグネットボア９ｃ，９ｄ内のスペースを有効利用することで、排出経路８１の屈曲部を少なくし得る。このため、排出経路８１の内側を流れるガスの流量は、多くなり得る。よって、ＥＵＶ光生成装置１は、浮遊物質Ｐを含むチャンバ２内のガスの排出を、効率良く行い得る。

［１０．第１実施形態における変形例４のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［１０．１ 構成］
図７を用いて、第１実施形態における変形例４のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図７は、第１実施形態の変形例４のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。

第１実施形態における変形例４のＥＵＶ光生成装置１は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示した第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１と異なり、排出経路８１の一部が、マグネットボア９ｃ，９ｄを貫通する経路、及び、チャンバ壁２ａの外壁面上に延びて形成された経路として設けられてもよい。
第１実施形態の変形例４におけるガス供給部７、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示した第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第１実施形態における変形例４のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２に示したＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示した第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

ポート８０は、チャンバ２の外壁面上に延びて形成された経路、及び、磁石９ａ，９ｂのマグネットボア９ｃ，９ｄを貫通するように設けられた経路を含む排出経路８１に、接続されてもよい。

排出経路８１は、チャンバ２の外壁面上に延びて形成された経路と、マグネットボア９ｃ，９ｄ内の経路とを介して、ポート８０と接続されてもよい。
排出経路８１は、チャンバ２の外壁面上に延びて形成された経路と、マグネットボア９ｃ，９ｄ内の経路とを介して、ポート８０から取り込まれた浮遊物質Ｐを、不図示の排出装置８２に流通させてもよい。

なお、第１実施形態の変形例４におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２に示されたＥＵＶ光生成装置１及び図３Ａに示された第１実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１０．２ 作用］
第１実施形態の変形例４においては、チャンバ２内のガスを排出し得る経路は、多く設けられてもよい。よって、ガスを排出する経路は、その排出に係る経路断面積の合計値が多くなり得る。このため、ガス排出の効率は、向上され得る。
また、中心軸Ｏの方向に向けたガスの排出量は、排出経路８１の一部がマグネットボア９ａ，９ｂ内に延びているため、第１実施形態の変形例３と同様に向上され得る。よって、ガス中に含まれる浮遊物質Ｐの排出は、効率良く行われ得る。

［１１．第１実施形態における変形例５のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［１１．１ 構成］
図８Ａ及び図８Ｂを用いて、第１実施形態における変形例５のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図８Ａは、第１実施形態の変形例５のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。

第１実施形態における変形例５のＥＵＶ光生成装置１は、図３Ａ及び図３Ｂに示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１とは異なり、ガス吹出管７６ａ，７６ｂが、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面から突出するように設けられてもよい。
第１実施形態の変形例５におけるポート８０、排出経路８１、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図３Ａ及び図３Ｂに示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第１実施形態における変形例５のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図３Ａ及び図３Ｂに示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。
図８Ｂは、図８Ａに示されたチャンバのＡＧ−ＡＧ線における断面図を示す。

ＥＵＶ集光ミラー２３は、貫通孔２４の他に、当該ＥＵＶ集光ミラー２３を貫通する周辺孔２４ａ，２４ｂが設けられてもよい。

周辺孔２４ａ，２４ｂは、図８Ｂに示すように、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面において、中心軸Ｏに沿った位置に設けられてもよい。周辺孔２４ａ，２４ｂは、好ましくは、中心軸ＯとＥＵＶ光の出射光軸であるチャンバ中心軸Ｙとを含む面が、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面と交差する線上に設けられてもよい。
また、周辺孔２４ａ，２４ｂは、貫通孔２４とともに、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面におけるオブスキュレーション領域Ｑに該当する領域に設けられてもよい。
周辺孔２４ａ，２４ｂは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面において、図８Ｂに示すように、２か所に設けられてもよい。

オブスキュレーション領域Ｑは、ＥＵＶ集光ミラー２３の第１焦点（プラズマ生成領域２５）からＥＵＶ集光ミラー２３の反射面を介して第２焦点（中間集光点２９２）に至る光路上の領域のうち、露光装置６にて使用されない光の領域のことであってもよい。
オブスキュレーション領域Ｑは、ＥＵＶ光の通過領域の内、チャンバ２内に設けられる構成要素を設置しても露光装置６の使用上、問題のない領域であってもよい。

チャンバ２内においては、ガス導入ポート７５ａ，７５ｂと、ガス吹出管７６ａ，７６ｂと、を備えられてもよい。
ガス導入ポート７５ａは、不図示のエッチングガス供給源に接続されてもよい。ガス導入ポート７５ａは、ガス吹出管７６ａに連通してもよい。
ガス導入ポート７５ｂは、不図示のエッチングガス供給源に接続されてもよい。ガス導入ポート７５ｂは、ガス吹出管７６ｂに連通してもよい。

ガス吹出管７６ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３の周辺孔２４ａ内に設けられてもよい。ガス吹出管７６ａは、周辺孔２４ａから突出したガス吹出口７７ａを備えてもよい。
ガス供給管７６ｂは、ＥＵＶ集光ミラー２３の周辺孔２４ｂ内に設けられてもよい。ガス供給管７６ｂは、周辺孔２４ｂから突出したガス吹出口７７ｂを備えてもよい。
ガス吹出口７７ａ，７７ｂの開口する向きは、当該ガス吹出口７７ａ，７７ｂから吹き出されたエッチングガスＸが、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に沿って流れるように、磁力線Ｍの収束する位置に向けられてもよい。
ガス吹出口７７ａ，７７ｂから吹き出されたエッチングガスＸは、ＥＵＶ集光ミラー２３の縁に向けて流れてもよい。
ＥＵＶ集光ミラー２３に設けられた周辺孔２４ａ，２４ｂの孔の数は、当該周辺孔２４ａ，２４ｂに設けられるガス吹出管７６ａ，７６ｂの数と一致しなくてもよい。

ここで、ガス導入ポート７５ａ，７５ｂ、ガス吹出管７６ａ，７６ｂ、ガス吹出口７７ａ，７７ｂを備えたガスの排出に係る構成を、「第２エッチングガス供給部」ともいう。

なお、第１実施形態の変形例５におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図３Ａ及び図３Ｂに示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１１．２ 動作・作用］
第１実施形態の変形例５において、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面は、ＥＵＶ集光ミラー２３の周辺孔２４ａ，２４ｂに配置されたガス吹出管７６ａ，７６ｂにより、エッチングガスＸが供給され得る。
ガス吹出管７６ａ，７６ｂのガス吹出口７７ａ，７７ｂから吹き出されたエッチングガスＸは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面及び中心軸Ｏに沿って、ＥＵＶ集光ミラー２３の縁に向けて流れ得る。

エッチングガスＸは、チャンバ２内において発生したデブリＮが付着し易いＥＵＶ集光ミラー２３の反射面の中心軸Ｏ付近において、デブリＮと反応して反応生成物を生成してもよい。

第１実施形態の変形例５においては、エッチングガスＸの供給口の総断面積が増加するので、チャンバ２内へのエッチングガスＸの供給流量を増加させ得る。これに伴って、チャンバ２内のガスの排出量を増加させるために、上述及び後述の他の実施形態及び変形例と組み合わせてもよい。その場合、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２に対するガスの導入量及び排出量の制御自由度が向上するため、効率良く浮遊物質Ｐを排出でき得る。

チャンバ２は、不図示の真空ポンプを更に備えるようにしても良い。この場合、真空ポンプの排出能力は、ＥＵＶ集光ミラー２３の周辺のガスの流れに対して、大きな影響を与えない程度の流量となるよう設定しても良い。

［１２．第１実施形態における変形例６のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［１２．１ 構成］
図９Ａ〜図９Ｃを用いて、第１実施形態における変形例６のＥＵＶ光生成装置１の構成について説明する。
ここで、図９Ａは、第１実施形態の変形例６のＥＵＶ光生成装置１として、磁場形成装置９に対してチャンバ２及び排出経路８１を移動させた状態について説明するための図を示す。
図９Ｂは、チャンバ２及び排出経路８１を移動させる前の状態について説明するための図を示す。
図９Ｃは、移動機構Ｒによりチャンバ２及び排出経路８１を移動させた状態について説明するための図を示す。

第１実施形態における変形例６のＥＵＶ光生成装置１は、図３Ａに示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なり、移動機構Ｒが、チャンバ２及び排出経路８１を磁石９ａ，９ｂから分離させて移動させるように、設けられてもよい。
第１実施形態の変形例６におけるポート８０、排出経路８１、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図３Ａに示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第１実施形態における変形例６のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図３Ａに示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

チャンバ２は、図９Ａに示すように、磁石９ａ，９ｂ及び排出装置８２に対して移動可能であってよい。チャンバ２は、磁石９ａ，９ｂにより形成される磁場の中心軸Ｏに対して、垂直な方向であるチャンバ移動方向Ｆに向けて、移動可能であってもよい。

チャンバ２は、図９Ｂ及び図９Ｃに示すように、移動機構Ｒを有してもよい。
移動機構Ｒは、レールであってもよい。チャンバ２は、レール上を移動可能に構成されてもよい。

チャンバ２は、露光装置６の接続部２９に備えられたゲートバルブ２９ａと脱着可能なゲートバルブ２ｂを有してよい。ゲートバルブ２９ａ及びゲートバルブ２ｂの開閉及び脱着は作業者が行ってもよいが、不図示のアクチュエータを介してＥＵＶ光生成制御部５が実施してもよい。
排出経路８１は、排出装置８２近傍の排出経路に備えられたバルブ８２ａと脱着可能なバルブ８１ａを有してもよい。バルブ８２ａ及びバルブ８１ａの開閉及び脱着は作業者が行ってもよいが、不図示のアクチュエータを介してＥＵＶ光生成制御部５が実施してもよい。

なお、第１実施形態の変形例６におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図３Ａに示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１２．２ 動作・作用］
メンテナンス時において、ゲートバルブ２９ａと、ゲートバルブ２ｂと、バルブ８１ａと、バルブ８２ａとが各々閉じられてもよい。その後、ゲートバルブ２９ａとゲートバルブ２ｂとの接続が解除されることにより、チャンバ２が露光装置６の接続部２９と接続された状態が解除されてもよい。バルブ８１ａとバルブ８２ａとの接続が解除されることにより、排出経路８１が排出装置８２と接続された状態が解除されてもよい。
接続された状態が解除されたチャンバ２及び排出経路８１は、移動機構Ｒの動作により、移動されてもよい。よって、チャンバ２及び排出経路８１は、移動機構Ｒの動作により、磁石９ａ，９ｂと分離され得る。

ＥＵＶ光生成装置は、チャンバ２及び排出経路８１が移動されることにより、磁石９ａと磁石９ｂとの間にスペースを確保し得る。このため、ＥＵＶ光生成装置は、チャンバ２及び磁石９ａ，９ｂのためのメンテナンススペースを確保し得る。

［１３．第２実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［１３．１ 構成］
図１０Ａ〜図１０Ｃを用いて、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図１０Ａは、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
図１０Ｂは、図１０Ａに示されたチャンバのＢ−Ｂ線における断面図を示す。
図１０Ｃは、図１０Ａに示されたチャンバのＢＡ−ＢＡ線における断面図を示す。
なお、図１０Ｂ及び図１０Ｃにおいては、ガス供給部７の図示を省略する。

第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図４Ａ〜図４Ｄに示した第１実施形態の変形例１におけるＥＵＶ光生成装置１と異なり、ポート８０が、スリット状に隔壁２０に設けられてもよい。
第２実施形態における排出経路８１、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図４Ａ〜図４Ｄに示した第１実施形態の変形例１におけるＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第２実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図４Ａ〜図４Ｄに示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

ポート８０は、ＥＵＶ集光ミラー２３の縁に沿って、チャンバ２内における隔壁２０の全周に亘って開口するスリット状に構成されてもよい。

チャンバ２は、チャンバ２の内側においてＥＵＶ集光ミラー２３の周囲に、チャンバ２の全周に亘って延びたフランジ５０を備えてもよい。

排出経路８１は、図１０Ａに示すように、チャンバ壁２ａ、隔壁２０及びフランジ５０により囲われた所定の空間も含むように構成され、隔壁２０の全周に亘って開口するスリット状のポート８０に接続されてよい。排出経路８１は、スリット状のポート８０と排出装置８２とに接続されてもよい。

チャンバ２内にて発生する浮遊物質Ｐは、図１０Ａ及び図１０Ｃに示すように、隔壁２０に設けられたスリット状のポート８０に取り込まれてもよい。ポート８０に取り込まれた浮遊物質Ｐは、図１０Ｂに示すように、チャンバ壁２ａ、隔壁２０及びフランジ５０により形成された経路を通じて流れてよい。その後、浮遊物質Ｐは、図１０Ａに示すように、排出経路８１を介して、不図示の排出装置８２に向けて流れてよい。

なお、第２実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図４Ａ〜図４Ｄに示した第１実施形態の変形例１におけるＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１３．２ 作用］
エッチングガスＸは、ＥＵＶ集光ミラー２３の全面に亘り、ＥＵＶ集光ミラー２３の中心から縁の全周に向かって流され得る。
このため、エッチングガスＸは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に付着したデブリＮに対して、万遍なく吹き付けられ得る。

エッチングガスＸは、ポート８０を通過する流路の面積が大きくされ得る。このため、エッチングガスＸは、チャンバ２内へ導入される量が、多くされ得る。
よって、ＥＵＶ光生成装置１は、浮遊物質Ｐを含むガスを、効率よく排出し得る。

［１４．第２実施形態における変形例のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［１４．１ 構成］
図１１Ａ〜図１１Ｃを用いて、第２実施形態における変形例のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図１１Ａは、第２実施形態の変形例のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
図１１Ｂは、図１１Ａに示されたチャンバのＢＢ−ＢＢ線における断面図を示す。
図１１Ｃは、図１１Ａに示されたチャンバのＢＣ−ＢＣ線における断面図を示す。
なお、図１１Ｂ及び図１１Ｃにおいては、ガス供給部７の図示を省略する。

第２実施形態における変形例のＥＵＶ光生成装置１は、図４Ａに示した第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１と異なり、第１開口部８０ａが隔壁２０に設けられて、第２開口部８０ｂが隔壁２０にスリット状に設けられてもよい。
第２実施形態の変形例における排出経路８１、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図４Ａに示した第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第２実施形態における変形例のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図４Ａに示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

チャンバ２は、図１１Ａに示すように、チャンバ壁２ａの内側に隔壁２０を備えてもよい。チャンバ２は、図１１Ａに示すように、チャンバ２の内側においてＥＵＶ集光ミラー２３の周囲にフランジ５０を備えてもよい。チャンバ２は、チャンバ壁２ａと、隔壁２０と、フランジ５０と、により、所定の空間を形成してもよい。

図１１Ｂに示すように、隔壁２０は、内壁面に設けられた複数の開口である第１開口部８０ａ、及び、第２開口部８０ｂを備えてよい。
第１開口部８０ａは、図３Ｂを用いて先に述べたポート８０と同様でよく、隔壁２０において、磁場の中心軸Ｏの方向からみてチャンバ２外の磁石９ａのマグネットボア９ｃおよび磁石９ｂのマグネットボア９ｄの位置と略一致し得る位置に設けられてよい。第１開口部８０ａは、隔壁２０において、磁石９ａ，９ｂにより形成される磁場の磁力線Ｍの収束する位置に設けられてもよい。
第２開口部８０ｂは、隔壁２０における第１開口部８０ａが設けられた位置を除いた、ほぼ全周に亘って設けられてもよい。第２開口部８０ｂは、ＥＵＶ集光ミラー２３の縁に沿って、チャンバ２内における隔壁２０の表面に亘って開口するスリット状に設けられてもよい。

排出経路８１は、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、チャンバ壁２ａ、隔壁２０及びフランジ５０により形成された所定の空間も含むように構成されて、第１開口部８０ａ及び第２開口部８０ｂと接続されてよい。排出経路８１は、磁力線Ｍの収束する位置に設けられる第１開口部８０ａ及びスリット状に開口した第２開口部８０ｂと、排出装置８２とに、接続されてもよい。

チャンバ２内にて発生する浮遊物質Ｐは、図１１Ｂ及び図１１Ｃに示すように、隔壁２０に設けられた第１開口部８０ａ及び第２開口部８０ｂに取り込まれてもよい。第１開口部８０ａ及び第２開口部８０ｂに取り込まれた浮遊物質Ｐは、図１１Ｂに示すように、チャンバ壁２ａ、隔壁２０及びフランジ５０により形成された所定の空間を通じて流れてもよい。排出経路８１の一部である所定の空間内を流れた浮遊物質Ｐは、図１１Ａに示すように、不図示の排出装置８２に向けて流れてもよい。

なお、第２実施形態の変形例におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図４Ａに示した第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１４．２ 作用］
エッチングガスＸは、ＥＵＶ集光ミラー２３の全面に亘り、略万遍なく流され得る。
エッチングガスＸは、チャンバ２内へ導入される量が、多くされ得る。よって、ＥＵＶ光生成装置１は、浮遊物質Ｐを含むガスを、効率よくチャンバ２外へ排出し得る。

さらに、デブリＮを含む浮遊物質Ｐは、チャンバ２内において滞留することなく、集中的にチャンバ２外へ排出され得る。

［１５．第３実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［１５．１ 構成］
図１２Ａ及び図１２Ｂを用いて、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図１２Ａは、第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
図１２Ｂは、図１２Ａに示されたチャンバのＣ−Ｃ線における断面図を示す。

第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、取込筒７０が、チャンバ２内における浮遊物質Ｐを一時的に取り込むように、設けられてもよい。
第３実施形態における排出経路８１、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第３実施形態におけるポート８０の構成は、図２に示したＥＵＶ光生成装置１における排出ポート８の構成と同様であってもよい。
第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図２に示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

チャンバ２は、チャンバ２内における浮遊物質Ｐを一時的に取り込む取込筒７０を備えてよい。
取込筒７０は、浮遊物質Ｐのうち、特にプラズマ生成領域２５にて発生するイオンＳを一時的に取り込んでもよい。
取込筒７０は、図１２Ａに示すように、他方の端部をチャンバ壁２ａの内壁面上に固定されて、当該他方の端部が塞がれてよい。
取込筒７０は、浮遊物質Ｐを取り込む取込口７０ａをプラズマ生成領域２５の方向に向けて、チャンバ２内に配置されてもよい。
取込筒７０は、長手方向が中心軸Ｏの延びる方向と略一致するように、チャンバ２内に配置されてもよい。

取込筒７０は、チャンバ２内にて発生するイオンＳとの接触による帯電を抑制するため、接地されていてもよい。取込筒７０は、接地されることにより、帯電された際に発生するイオンＳとの反作用を生じることなく、取込口７０ａからイオンＳを取り込み得る。
また、チャンバ２が接地してある場合には、取込筒７０は、チャンバ２と電気的に接続しておいてもよい。

取込筒７０において、チャンバ２の内壁面上に固定された他方の端部から、取込口７０ａである一方の端部までの長さＬは、例えば、７０ｍｍであってもよい。長さＬの範囲は、３０ｍｍ〜３００ｍｍの範囲であってもよく、より好ましくは、５０ｍｍ〜１５０ｍｍであってもよい。

ここで、取込筒７０を備える第３実施形態に対して、第１実施形態の変形例５にて先に述べたガス吹出管７６ａ，７６ｂの構成を追加してもよい。
この場合、ガス吹出口７７ａ，７７ｂから吹き出されたエッチングガスＸはＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面からポート８０に向かうガス流れを促進し得る。このため、取込口７０ａ近傍の浮遊物質Ｐを、チャンバ２内のポート８０の位置に向けて、効率良く流すことが可能となり得る。

取込筒７０は、図１２Ｂに示すように、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面において、中心軸Ｏに沿った位置に設けられてもよい。
取込筒７０は、オブスキュレーション領域Ｑに該当する領域内に配置されてもよい。

なお、第３実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図２に示した実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１５．２ 動作］
プラズマ生成領域２５において発生したイオンＳは、磁石９ａ，９ｂにより形成された磁場の磁力線Ｍの作用により、中心軸Ｏに沿っておおよそ収束され、取込筒７０の取込口７０ａから取込筒７０の内部に取り込まれてよい。

取込筒７０の内部に取り込まれたイオンＳは、取込筒７０の内部に取り込まれたエッチングガスＸと衝突して失活し、取込筒７０の中で滞留し得る。
取込筒７０の中で滞留しているイオンＳの一部は、エッチングガスＸとの衝突により中性化すると、取込筒７０の内部に付着し得る。内部で発生したスパッタされた原子スズや中性スズは、取込口７０ａから出て、チャンバ２内を浮遊し得る。

取込口７０ａから出たデブリＮは、チャンバ２内におけるコーン開口部７３ａからポート８０に向かうエッチングガスＸの流に乗って移動することで、ＥＵＶ集光ミラー２３から離れる方向に移動し得る。
ＥＵＶ集光ミラー２３から離れる方向に移動したデブリＮは、ポート８０から排出経路８１を介して、チャンバ２外へ排出され得る。

［１５．３ 作用］
イオンＳが衝突により失活し滞留する前に、電子との再結合や他の粒子との電荷交換により、高いエネルギーを持ったまま中性化されると、エッチングガスの流れに逆らって周囲に拡散し、ＥＵＶ集光ミラー２３に衝突し得る。この時、取込筒７０があることによって、その拡散を抑制し得る。

また、取込筒７０の内部で滞留しているその他のデブリＮは、取込口７０ａから出た際に、コーン開口部７３ａからのエッチングガスＸの流れに乗って移動することで、ポート８０に向けて流され得る。
そして、ポート８０に向けて流されたデブリＮは、ポート８０から排出経路８１を介して、チャンバ２外へ排出され得る。

［１６．第４実施形態のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［１６．１ 構成］
図１３を用いて、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図１３は、第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。

第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、図３Ａに示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なり、取込筒７０の内部が、ポート８０と連通するように設けられてもよい。
第４実施形態におけるポート８０、排出経路８１、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図３Ａに示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図３Ａに示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

チャンバ２は、チャンバ２内において発生する浮遊物質Ｐを取り込む取込筒７０を備えてよい。

取込筒７０は、図１３に示すように、一方の端部である取込口７０ａから浮遊物質Ｐを取り込んでよい。取込筒７０は、他方の端部をポート８０に連通されてもよい。
取込筒７０は、浮遊物質Ｐを取り込む取込口７０ａをプラズマ生成領域２５の方向に向けて、チャンバ２内に配置されてもよい。
取込筒７０は、長手方向が中心軸Ｏの延びる方向と略一致するように、チャンバ２内に配置されてもよい。

また取込筒７０は、第３実施形態にて述べた構成と同様に、チャンバ２内にて発生するイオンＳとの接触による帯電を抑制するため、接地されていてもよい。取込筒７０は、接地されることにより、帯電された際に発生するイオンＳとの反作用を生じることなく、取込口７０ａからイオンＳを取り込み得る。
また、チャンバ２が接地してある場合には、取込筒７０は、チャンバ２と電気的に接続しておいてもよい。

さらに第３実施形態にて述べた構成と同様に、取込筒７０において、チャンバ２の内壁面上に固定された他方の端部から、取込口７０ａである一方の端部までの長さＬは、例えば、７０ｍｍであってもよい。長さＬの範囲は、３０ｍｍ〜３００ｍｍの範囲であってもよく、より好ましくは、５０ｍｍ〜１００ｍｍであってもよい。

第４実施形態における取込筒７０は、図示は省略するものの、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面におけるオブスキュレーション領域Ｑに該当する領域に、設けられてもよい。

なお、第４実施形態におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図３Ａに示した第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態の変形例５において示した「第２エッチングガス供給部」であるガス導入ポート７５ａ，７５ｂ、ガス吹出管７６ａ，７６ｂ、ガス吹出口７７ａ，７７ｂを備えてもよい。
この場合、「第１エッチングガス供給部」及び「第２エッチングガス供給部」は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面におけるオブスキュレーション領域Ｑに該当する領域に設けられてもよい。

［１６．２ 動作］
プラズマ生成領域２５において生成されたイオンＳは、磁石９ａ，９ｂにより形成された磁場の磁力線Ｍの作用によって、中心軸Ｏに沿っておおよそ収束され、取込口７０ａから取込筒７０の内部に取り込まれてもよい。
イオンＳは、取込筒７０の中を浮遊する過程で、エッチングガスＸと衝突して失活し得る。
取込筒７０の中を進行するデブリＮの一部は、取込筒７０の内部に付着し得る。
その他のデブリＮは、取込筒７１の内部に付着することなく、連通された排出経路８１を介して、チャンバ２外へ排出され得る。

また、取込筒７０の中を浮遊する過程で、エッチングガスＸと衝突しなかったイオンＳについても、連通された排出経路８１を介して、チャンバ２外へ排出され得る。

また、チャンバ２内において発生するデブリＮ、デブリＮと反応しなかったエッチングガスＸ、デブリＮとエッチングガスＸとが反応して発生する反応生成物についても、取込口７０ａから取込筒７０の内部に取り込まれてもよい。そして、連通された排出経路８１を介して、チャンバ２外へ排出されてもよい。

［１６．３ 作用］
浮遊物質Ｐは、取込筒７０内へ効率良く取り込まれ得る。このため、浮遊物質Ｐは、再びチャンバ２内に向けて拡散してしまうことを抑制され得る。よって、浮遊物質Ｐは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に付着してしまうことが、抑制され得る。

［１７．第４実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［１７．１ 構成］
図１４Ａ及び図１４Ｂ用いて、第４実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図１４Ａは、第４実施形態の変形例１のＥＵＶ光生成装置の構成を説明するための図を示す。
図１４Ｂは、図１４Ａに示されたチャンバのＤ−Ｄ線における断面図を示す。
なお、図１４Ｂにおいては、ＥＵＶ集光ミラー２３の図示を省略する。

第４実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１は、図１３に示した第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１と異なり、シールド筒７２の内部及び取込筒７０の内部が、ポート８０と連通するように設けられてもよい。
第４実施形態の変形例１における取込筒７０、ポート８０、排出経路８１、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図１３に示した第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第４実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図１３に示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

チャンバ２は、チャンバ２内において発生する浮遊物質Ｐを取り込む取込筒７０及びシールド筒７２を備えてよい。

第４実施形態の変形例１における取込筒７０は、第４実施形態と同様に、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面におけるオブスキュレーション領域Ｑに該当する領域に、設けられてもよい。

取込筒７０は、図１４Ａに示すように、一方の端部である取込口７０ａから浮遊物質Ｐを取り込んでよい。取込筒７０は、取込口７０ａにおいて、特に、プラズマ生成領域２５において発生するイオンＳと、エッチングガスＸとを取り込んでもよい。

また、取込口７０ａから取込筒７０内に取り込まれたイオンＳは、同じく取込筒７０内に取り込まれたエッチングガスＸと衝突および／または反応し得る。このため、イオンＳの一部は、取込筒７０内を進行する過程で、中性化されたイオンＳおよび／または反応生成物となり得る。

シールド筒７２は、図１４Ａに示すように、取込筒７０の他方の端部を包囲するように配置されてよい。シールド筒７２は、取込筒７０の取込口７０ａではない方の端部とシールド筒７２の筒部材との間に、シールド筒開口部８７を設けるように、配置されてもよい。
シールド筒７２の長手方向の長さは、取込筒７０の長手方向の長さよりも短くてよい。
また、シールド筒７２は、ＥＵＶ集光ミラー２３の第１の焦点（プラズマ生成領域２５）からＥＵＶ集光ミラー２３の反射面を介して第２の焦点（中間集光点２９２）に至る光路上の領域に対して、外側に配置されてよい。
なお、シールド筒７２は、ＥＵＶ集光ミラー２３における当該光路上の領域の内側に位置する場合には、取込筒７０と同様に、オブスキュレーション領域Ｑ内に配置されてもよい。

シールド筒７２は、シールド筒開口部８７から浮遊物質Ｐを取り込んでよい。シールド筒７２は、シールド筒開口部８７において、特に、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面付近に漂うデブリＮ、デブリＮとエッチングガスＸとの反応生成物、デブリＮと反応しなかったエッチングガスＸを取り込んでもよい。

取込筒７０は、図１４Ｂに示すように、取込筒７０の外径よりも大きな内径を有するシールド筒７２の内側において、シールド筒７２と同軸状に保持されてもよい。取込筒７０は、板状あるいは棒状の保持部材７３によって、シールド筒７２の内側に保持されてよい。なお保持部材７３は、複数箇所に設けられてもよい。

保持部材７３は、シールド筒７２の長手方向にガスが流れ易くなるように、取込筒７０とシールド筒７２とを離間して保持してもよい。
なお、複数のシールド筒７２を用いて、多数のシールド筒７２を入れ子状に重ねて、多重配置する構成としてもよい。

なお、第４実施形態の変形例１におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図１３に示した第４実施形態のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

第４実施形態の変形例１におけるＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態の変形例５において示した「第２エッチングガス供給部」であるガス導入ポート７５ａ，７５ｂ、ガス吹出管７６ａ，７６ｂ、ガス吹出口７７ａ，７７ｂを備えてもよい。
この場合、「第１エッチングガス供給部」及び「第２エッチングガス供給部」は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面におけるオブスキュレーション領域Ｑに該当する領域に設けられてもよい。

［１７．２ 作用］
ガスの流れは、磁力線Ｍの収束する位置において、シールド筒７２が取込筒７０よりも短いため、チャンバ２内から外部へ向けて促進され得る。
このため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面を流れるエッチングガスＸ、スタナンガス及びデブリＮは、シールド筒７２のシールド筒開口部８７から、効率良くチャンバ２外へ排出され得る。

また、一方の端部がプラズマ生成領域２５に向けられた取込筒７０も設けられていることから、プラズマ生成領域２５において発生するイオンＳ、エッチングガスＸは、効率良く取込筒７０内に取り込まれ得る。
さらに、イオンＳとエッチングガスＸとが衝突および／または反応して生成された、中性化されたイオンＳおよび／または反応生成物は、取込筒７０内に取り込まれたまま、チャンバ２外へ排出され得る。
よって、デブリＮは、チャンバ２内での拡散が抑制され得る。そして、デブリＮは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面への堆積を抑制され得る。相対的に、エッチングガスＸは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面のエッチング効果を促進し得る。

［１８．第４実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［１８．１ 構成］
図１５を用いて、第４実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図１５は、第４実施形態の変形例２のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。

第４実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置１は、図６に示した第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１と同様に、排出経路８１が、マグネットボア９ｃ，９ｄを貫通するように設けられてもよい。
第４実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置１は、取込筒７０が、ポート８０内の一部を連通するように設けられてもよい。
第４実施形態の変形例２におけるポート８０、排出経路８１、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図６に示した第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第４実施形態における変形例２のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図６に示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

チャンバ２は、チャンバ２内において発生する浮遊物質Ｐを取り込む取込筒７０及び磁石内経路８６を備えてよい。

取込筒７０は、図１５に示すように、一方の端部である取込口７０ａから浮遊物質Ｐを取り込んでよい。取込筒７０は、取込口７０ａにおいて、特に、プラズマ生成領域２５において発生するイオンＳ、エッチングガスＸを取り込んでもよい。

また、取込口７０ａから取込筒７０内に取り込まれたイオンＳは、同じく取込筒７０内に取り込まれたエッチングガスＸと衝突および／または反応し得る。このため、イオンＳは、取込筒７０内を進行する過程で、中性化されたイオンＳおよび／または反応生成物となり得る。

磁石内経路８６は、図１５に示すように、磁石９ａ，９ｂのマグネットボア９ｃ，９ｄ内を貫通する経路であってよい。
磁石内経路８６は、図１５に示すように、取込筒７０の取込口７０ａではない方の端部を包囲するように配置されてよい。磁石内経路８６は、磁石内経路８６の端部として、磁石内経路開口部８８を設けるように、配置されてもよい。磁石内経路開口部８８はポート８０の一部を兼ねてもよい。

より具体的に、取込筒７０は、取込筒７０の外径よりも大きな内径を有する磁石内経路８６の内側において、磁石内経路８６と同軸状に保持されてもよい。取込筒７０は、板状あるいは棒状の保持部材７３によって、磁石内経路８６の内側に保持されてよい。

保持部材７３は、磁石内経路８６の長手方向にガスが流れ易くなるように、取込筒７０と磁石内経路８６とを離間して保持してもよい。保持部材７３は、複数箇所に設けられてもよい。

磁石内経路８６は、磁石内経路開口部８８から浮遊物質Ｐを取り込んでよい。磁石内経路８６は、磁石内経路開口部８８において、特に、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面付近に漂うデブリＮ、デブリＮとエッチングガスとの反応生成物、デブリＮと反応しなかったエッチングガスＸを取り込んでもよい。

なお、第４実施形態の変形例２におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図６に示した第１実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。

［１８．２ 作用］
磁石内経路８６は、取込筒７０との間に空間である磁石内経路開口部８８を有するため、磁力線Ｍの収束する位置において、チャンバ２内から外部へ排出されるガスの流れを促進し得る。
このため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面を流れるエッチングガスＸ、スタナンガス及びデブリＮは、取込筒７０の磁石内経路開口部８８から、効率良くチャンバ２外へ排出し得る。

また、一方の端部がプラズマ生成領域２５に向けられた取込筒７０も設けられていることから、プラズマ生成領域２５において発生するイオンＳ、エッチングガスＸは、効率良く取込筒７０内に取り込まれ得る。
さらに、イオンＳとエッチングガスＸとが衝突および／または反応して生成された、中性化されたイオンＳおよび／または反応生成物は、取込筒７０内に取り込まれたまま、チャンバ２外へ排出され得る。
よって、デブリＮは、チャンバ２内での拡散が抑制され得る。そして、デブリＮは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面への堆積が抑制され得る。相対的に、ＥＵＶ集光ミラー２３は、エッチングガスＸによる反射面のエッチング効果が促進され得る。

［１９．第４実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［１９．１ 構成］
図１６Ａ及び図１６Ｂを用いて、第４実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図１６Ａは、第４実施形態の変形例３のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
図１６Ｂは、図１６Ａに示されたチャンバのＤＡ−ＤＡ線における断面図を示す。
なお、図１６Ｂにおいては、ガス供給部７の図示を省略する。

第４実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１は、図４Ａに示した第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１と異なり、取込筒７０内部が、ポート８０に連通するように設けられてもよい。
第４実施形態の変形例３におけるポート８０、排出経路８１、排出装置８２及び磁場形成装置９の構成は、図４Ａに示した第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第４実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図４Ａに示した第１実施形態における変形例１のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

チャンバ２は、チャンバ２内において発生する浮遊物質Ｐを取り込む取込筒７０を備えてよい。チャンバ２は、チャンバ壁２ａ、隔壁２０及びフランジ５０により形成される所定の空間である内部経路８４を備えてよい。

内部経路８４は、排出経路８１の一部であってよい。内部経路８４は、チャンバ２内において発生する浮遊物質Ｐを取り込むとともに、排出経路８１を介して、浮遊物質Ｐを不図示の排出装置８２に流通させてもよい。

第４実施形態の変形例３における取込筒７０は、第４実施形態と同様に、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面におけるオブスキュレーション領域Ｑに該当する領域に、設けられてもよい。

取込筒７０は、図１６Ａに示すように、一方の端部である取込口７０ａから浮遊物質Ｐを取り込んでよい。取込筒７０は、取込口７０ａにおいて、特に、プラズマ生成領域２５において発生するイオンＳと、エッチングガスＸとを取り込んでもよい。

また、取込口７０ａから取込筒７０内に取り込まれたイオンＳは、同じく取込筒７０内に取り込まれたエッチングガスＸと衝突および／または反応し得る。このため、イオンＳは、取込筒７０内を進行する過程で、中性化されたイオンＳおよび／または反応生成物となり得る。

隔壁２０は、隔壁２０の内壁面に開口として設けられたポート８０を有してよい。第４実施形態の変形例３において、取込筒７０の取込口７０ａではない方の端部は、ポート８０内に挿入されて、配置されてもよい。

ポート８０は、図１６Ａに示すように、取込筒７０の取込口７０ａではない方の端部を包囲するように配置されてよい。ポート８０は、取込筒７０との間に、内部経路開口部８９を設けるように、配置されてもよい。内部経路開口部８９はポート８０の一部を兼ねてもよい。

より具体的に、取込筒７０は、取込筒７０の外径よりも大きな内径を有するポート８０の内側において、保持されてもよい。なお、取込筒７０は、第４実施形態の変形例１と同様に、板状あるいは棒状の不図示の保持部材７３によって、ポート８０の内側に保持されてよい。

保持部材７３は、内部経路開口部８９内にガスが流れ易くなるように、ポート８０に対して取込筒７０を離間して、保持してもよい。保持部材７３は、複数箇所に設けられてもよい。

内部経路８４は、内部経路開口部８９から浮遊物質Ｐを取り込んでよい。内部経路開口部８９は、内部経路開口部８９において、特に、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面付近に漂うデブリＮ、デブリＮとエッチングガスＸとの反応生成物、デブリＮと反応しなかったエッチングガスＸを取り込んでもよい。

チャンバ２内にて発生した浮遊物質Ｐは、図１６Ｂに示すように、取込口７０ａ及び内部経路開口部８９に取り込まれてもよい。取込口７０ａ及び内部経路開口部８９に取り込まれた浮遊物質Ｐは、内部経路８４を介して排出経路８１を流れてよい。その後、浮遊物質Ｐは、排出経路８１を介して、不図示の排出装置８２に向けて流れてもよい。

なお、第４実施形態の変形例３におけるＥＵＶ光生成装置１の他の構成については、図４Ａに示したＥＵＶ光生成装置１と同様の構成と同様であってもよい。

第４実施形態の変形例３におけるＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態の変形例５において示した「第２エッチングガス供給部」であるガス導入ポート７５ａ，７５ｂ、ガス吹出管７６ａ，７６ｂ、ガス吹出口７７ａ，７７ｂを備えてもよい。
この場合、「第１エッチングガス供給部」及び「第２エッチングガス供給部」は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面におけるオブスキュレーション領域Ｑに該当する領域に設けられてもよい。

［１９．２ 作用］
チャンバ２は、取込筒７０との間に空間である内部経路開口部８９を有するため、磁力線Ｍの収束する位置において、チャンバ２内から外部へ排出されるガスの流れを促進し得る。
このため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面を流れるエッチングガスＸ、スタナンガス及びデブリＮは、取込筒７０の内部経路開口部８９から、効率良くチャンバ２外へ排出され得る。

また、一方の端部がプラズマ生成領域２５に向けられた取込筒７０も設けられていることから、プラズマ生成領域２５において発生するイオンＳ、エッチングガスＸは、効率良く取込筒７０内に取り込まれ得る。
さらに、イオンＳとエッチングガスＸとが衝突および／または反応して生成された、中性化されたイオンＳおよび／または反応生成物は、取込筒７０内に取り込まれたまま、チャンバ２外へ排出され得る。
よって、デブリＮは、チャンバ２内での拡散が抑制され得る。そして、ＥＵＶ集光ミラー２３は、反射面へのデブリＮの堆積を抑制し得る。相対的に、ＥＵＶ集光ミラー２３は、エッチングガスＸによる反射面のエッチング効果が促進され得る。

そして、内部経路開口部８９を設けたことから、チャンバ２からのガスの排出量は、増加し得る。よって、チャンバ２内の浮遊物質Ｐは、効率良くに排出され得る。

［２０．第４実施形態における変形例４のＥＵＶ光生成装置が備えるポート及び排出経路］
［２０．１ 構成］
図１７Ａ〜図１７Ｃを用いて、第４実施形態における変形例４のＥＵＶ光生成装置１が備えるポート８０及び排出経路８１の構成について説明する。
ここで、図１７Ａは、第４実施形態の変形例４のＥＵＶ光生成装置１の構成を説明するための図を示す。
図１７Ｂは、図１７Ａに示されたチャンバのＤＢ−ＤＢ線における断面図を示す。
図１７Ｃは、図１７Ａに示されたチャンバのＤＣ−ＤＣ線における断面図を示す。
なお、図１７Ｂ及び図１７Ｃにおいては、ガス供給部７の図示を省略する。

第４実施形態における変形例４のＥＵＶ光生成装置１は、図１６Ａ及び図１６Ｂに示した第４実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１と異なり、スリット開口部６０が、スリット状に隔壁２０に設けられてもよい。
第４実施形態の変形例４における取込筒７０、ポート８０、排出経路８１、排出装置８２、内部経路８４及び磁場形成装置９の構成は、図１６Ａ及び図１６Ｂに示した第４実施形態における変形例３のＥＵＶ光生成装置１の構成と同様であってもよい。
第４実施形態における変形例４のＥＵＶ光生成装置１の構成において、図１６Ａ及び図１６Ｂに示されたＥＵＶ光生成装置１と同様の構成については、説明を省略する。

第４実施形態の変形例４における取込筒７０は、第４実施形態と同様に、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面におけるオブスキュレーション領域Ｑに該当する領域に、設けられてもよい。

取込筒７０は、チャンバ壁２ａ側に向けられた端部が、ポート８０を介して内部経路８４内に部分的に挿入されることで、排出経路８１と連通してよい。

隔壁２０は、図１７Ｂに示すように、内壁面に設けられた複数の開口であるポート８０、及び、スリット開口部６０を備えてよい。

ポート８０は、図１７Ｂに示すように、取込筒７０との間に、内部経路開口部８９を設けるように、配置されてもよい。内部経路開口部８９はポート８０の一部を兼ねてもよい。
取込筒７０は、第４実施形態の変形例１における構成と同じく、板状あるいは棒状の保持部材７３によって、ポート８０内に部分的に挿入された状態で、当該ポート８０の内部に保持されてよい。
保持部材７３は、内部経路開口部８９に効率良くガスが流れるように、ポート８０の開口周縁に対して取込筒７０を離間して保持してもよい。

隔壁２０は、図１７Ｂに示すように、内部経路開口部８９の他に、第２実施形態における変形例にて示した第２開口部８０ｂに相当し、浮遊物質Ｐを取り込み可能とするスリット開口部６０を有してもよい。

チャンバ２内にて発生する浮遊物質Ｐは、図１７Ｂ及び図１７Ｃに示すように、取込筒７０の取込口７０ａ、及び、隔壁２０に設けられた内部経路開口部８９とスリット開口部６０とに取り込まれてもよい。

取込口７０ａにおいては、特に、プラズマ生成領域２５において発生するイオンＳ、エッチングガスＸが取り込まれてもよい。
また、取込口７０ａから取込筒７０内に取り込まれたイオンＳは、同じく取込筒７０内に取り込まれたエッチングガスＸと衝突および／または反応し得る。このため、イオンＳは、取込筒７０内を進行する過程で、中性化されたイオンＳおよび／または反応生成物となり得る。

内部経路開口部８９及びスリット開口部６０においては、特に、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面付近に漂うデブリＮ、デブリＮとエッチングガスＸとの反応生成物、デブリＮと反応しなかったエッチングガスＸを取り込んでもよい。

取込口７０ａ、内部経路開口部８９及びスリット開口部６０に取り込まれた浮遊物質Ｐは、図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、内部経路８４を通じて流れてもよい。内部経路８４内を流れた浮遊物質Ｐは、図１７Ａに示すように、排出経路８１を介して、不図示の排出装置８２に向けて流れてもよい。

第４実施形態の変形例４におけるＥＵＶ光生成装置１は、第１実施形態の変形例５において示した「第２エッチングガス供給部」であるガス導入ポート７５ａ，７５ｂ、ガス吹出管７６ａ，７６ｂ、ガス吹出口７７ａ，７７ｂを備えてもよい。
この場合、「第１エッチングガス供給部」及び「第２エッチングガス供給部」は、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面におけるオブスキュレーション領域Ｑに該当する領域に設けられてもよい。

［２０．２ 作用］
ＥＵＶ集光ミラー２３の縁に沿って、隔壁２０に、スリット状に開口するスリット開口部６０及び内部経路開口部８９が設けられているため、ＥＵＶ集光ミラー２３は、全面に亘って、中心から縁の略全周に向かうエッチングガスＸの流れが得られる。

また、取込口７０ａや内部経路開口部８９を設けていることに加え、スリット開口部６０をＥＵＶ集光ミラー２３の縁に沿って開口させたため、チャンバ２外へのエッチングガスＸの排出量は、大きくなり得る。このため、チャンバ２内へエッチングガスＸが導入される量は、多くなり得る。よって、浮遊物質Ｐを含むチャンバ２内のガスは、効率よくチャンバ２外へ排出され得る。

さらに、チャンバ２は、取込筒７０との間に空間である内部経路開口部８９を有するため、磁力線Ｍの収束する位置において、チャンバ２内から外部へ排出されるガスの流れを促進し得る。
このため、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面を流れるエッチングガスＸ、スタナンガス及びデブリＮは、取込筒７０の内部経路開口部８９から、効率良くチャンバ２外へ排出され得る。

また、一方の端部がプラズマ生成領域２５に向けられた取込筒７０も設けられていることから、プラズマ生成領域２５において発生するイオンＳ、エッチングガスＸは、効率良く取込筒７０内に取り込まれ得る。
さらに、イオンＳとエッチングガスＸとが衝突および／または反応して生成された、中性化されたイオンＳおよび／または反応生成物は、取込筒７０内に取り込まれたまま、チャンバ２外へ排出され得る。
よって、デブリＮは、チャンバ２内での拡散が抑制され得る。そして、デブリＮは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面への堆積が抑制され得る。相対的に、ＥＵＶ集光ミラー２３は、エッチングガスＸによる反射面のエッチング効果が促進され得る。

なお、イオンＳが取込口７０ａに取り込まれず、チャンバ２内においてエッチングガスＸと衝突して中性化した場合でも、その中性化したイオンＳは、滞留し易い磁力線Ｍの収束部付近にて、内部経路開口部８９から集中的に排出され得る。

上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１ …ＥＵＶ光生成装置
２ …チャンバ
２ａ …チャンバ壁
２０ …隔壁
２３ …ＥＵＶ集光ミラー
２５ …プラズマ生成領域
２７ …ターゲット
３３ …レーザ光
７ …ガス供給部
７０ …取込筒
８０ …ポート
８１ …排出経路
２５１ …ＥＵＶ光
９ａ，９ｂ …磁石
Ｍ …磁力線
Ｎ …デブリ
Ｏ …磁場の中心軸
Ｐ …浮遊物質
Ｑ …オブスキュレーション領域
Ｒ …移動機構
Ｓ …イオン
Ｘ …エッチングガス

Claims (11)

1. 内部のプラズマ生成領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることで発生するプラズマから極端紫外光が生成されるチャンバと、
   前記チャンバ内で生成された前記極端紫外光を集光して前記チャンバ外に導出する集光ミラーと、
   前記集光ミラーの反射面及び前記プラズマ生成領域にエッチングガスを吹き出す第１エッチングガス供給部と、
   前記チャンバ外に配置され、前記チャンバ内に磁場を形成する磁石と、
   前記磁場の中心軸と交差する前記チャンバの内壁面に設けられ、前記チャンバ内にて発生した浮遊物質を取り込むポートと、
   前記ポートに連通し前記ポートから取り込まれた前記浮遊物質を前記チャンバ外に排出する排出経路と、
   前記チャンバ及び前記排出経路を前記磁石から分離して移動させる移動機構と、
   を備える極端紫外光生成装置。
2. 前記浮遊物質には、前記プラズマから放出されたイオンと前記エッチングガスとの反応により生成される反応生成物が少なくとも含まれる、請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記チャンバ内で前記磁場の中心軸に沿って延びるように形成され、前記プラズマ生成領域に対向する一方の端部から前記浮遊物質を取り込む取込筒を更に備える、請求項２に記載の極端紫外光生成装置。
4. 前記反射面の中央と外縁との間から前記反射面の外縁に向かって前記反射面を沿うように前記エッチングガスを供給する第２エッチングガス供給部を更に備え、
   前記第１エッチングガス供給部および前記第２エッチングガス供給部は、前記反射面のオブスキュレーション領域に配置される、請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
5. 前記取込筒は、前記反射面のオブスキュレーション領域に配置される、請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
6. 前記ポートは、前記反射面に沿って流れた前記エッチングガスが取り込まれる位置に設けられている、請求項３に記載の極端紫外光生成装置。
7. 前記ポートは、前記磁場の中心軸に沿って延びる前記取込筒の中心軸と、前記反射面に沿った前記エッチングガスの流れる方向とが交差する前記チャンバの内壁面に設けられ、
   前記取込筒の他方の端部は、前記ポートの縁に対して間隙を設けつつ、前記ポートと連通する、請求項６に記載の極端紫外光生成装置。
8. 前記ポートは、前記反射面の外縁に沿ってスリット状に延びるように形成された開口部を含む、請求項７に記載の極端紫外光生成装置。
9. 前記排出経路は、前記チャンバと前記磁石との間である前記チャンバの壁の外側に形成されている、請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
10. 前記排出経路は、前記チャンバ内に設けられた隔壁により、前記チャンバの壁の内側に形成されている、請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
11. 前記排出経路は、前記チャンバの壁の中に形成されている、請求項１に記載の極端紫外光生成装置。
    
    

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