JP2010080941A - 極端紫外光源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ10内においてレーザ光をターゲット物質に照射することによりプラズマを発生させ、該プラズマから放射される極端紫外光を露光装置の投影光学系20に入射させるEUV光源装置1であって、チャンバ10又は該チャンバのメンテナンスユニット10aを極端紫外光の光軸と露光装置の投影光学系20の光軸とが一致する所定位置に位置決めする位置決め機構70と、チャンバ10又は該チャンバのメンテナンスユニット10aを該所定位置とメンテナンス領域との間で移動させる移動機構60と、を具備する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る極端紫外(EUV)光源装置を含む露光装置の概略構成を示す平面図(a)及び側面図(b)である。この露光装置は、EUV光源装置1と、投影光学系20とを含んでいる。
図3は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第1の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図4に示すように、第2の実施例に係るEUV光源装置1においては、移動機構として、チャンバ台74aに車輪81aが、床面上にガイドレール64aがそれぞれ設けられている。チャンバ10を載せたチャンバ台74aは、車輪81aが床面上を転がることによって移動する。図3に示す第1の実施例においては、床面上のレール61が、位置決めブロック71aの位置から固定プレート72の固定位置を経てメンテナンス領域までにわたって設けられているのに対し、第2の実施例においては、位置決めブロック71aの位置から固定プレート72の固定位置までの間にのみガイドレール64aが設けられており、メンテナンス領域まではガイドレール64aが設けられていない。
図5に示すように、第3の実施例に係るEUV光源装置1においては、移動機構として、チャンバ台74aに車輪81aが設けられている。チャンバ10を載せたチャンバ台74aは、車輪81aが床面上を転がることによって移動する。図4に示す第2の実施例においては、ガイドレール64aが位置決めブロック71aの位置から固定プレート72の固定位置までにわたって設けられているのに対し、第3の実施例においては、位置決めブロック71aの設置位置付近にのみガイド片64bが設けられており、固定プレート72の固定位置やメンテナンス領域まではガイド片64bが設けられていない。
図6に示すように、第4の実施例に係るEUV光源装置1は、投影光学系20に対する向きと交差する方向にチャンバ10が移動する点で、図3に示す第1の実施例と異なる。従って、第4の実施例において、レール61は、投影光学系20に対する向きと交差する方向に設置されている。また、チャンバ10は、投影光学系20に対する向きと交差する方向の位置決めが位置決めブロック71a及び固定プレート72によってなされる。その他の構成は、第1の実施例と同様であり、レール61に沿って車輪81aが転がることにより、チャンバ台74aがチャンバ10とともに移動する。なお、ここではチャンバ10が投影光学系20に向かって右側(図6(a)における下方)に移動する例を示したが、左側(図6(a)における上方)に移動することとしても良い。
図7に示すように、第5の実施例に係るEUV光源装置1は、投影光学系20に対する向きと交差する方向にチャンバ10が移動する点で、図4に示す第2の実施例と異なる。従って、第5の実施例において、ガイドレール64aは、投影光学系20に対する向きと交差する方向に設置されている。また、チャンバ10は、投影光学系20に対する向きと交差する方向の位置決めが位置決めブロック71a及び固定プレート72によってなされる。その他の構成は、第2の実施例と同様であり、チャンバ10が、ガイドレール64aの長手方向に平行な方向に移動することにより、位置決めブロック71aに接する所定位置と、ガイドレール64aの設けられていないメンテナンス領域との間を移動する。なお、ここではチャンバ10が投影光学系20に向かって右側(図7(a)における下方)に移動する例を示したが、左側(図7(a)における上方)に移動することとしても良い。
図8に示すように、第6の実施例に係るEUV光源装置1は、投影光学系20に対する向きと交差する方向にチャンバ10が移動する点で、図5に示す第3の実施例と異なる。従って、第6の実施例において、チャンバ10は、投影光学系20に対する向きと交差する方向の位置決めがブロック71a及び固定プレート72によってなされる。その他の構成は、第3の実施例と同様であり、チャンバ10が、投影光学系20に対する向きと交差する方向に移動することにより、位置決めブロック71aに接する所定位置と、メンテナンス領域との間を移動する。なお、ここではチャンバ10が投影光学系20に向かって右側(図8(a)における下方)に移動する例を示したが、左側(図8(a)における上方)に移動することとしても良い。
図9に示すように、第7の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として、車輪付きのクレーン62を備えている。クレーン62がチャンバ10を吊り上げ、車輪が床上を転がることで、チャンバ10を移動させるようになっている。チャンバ10には、クレーン62により吊り上げるための引掛リングが設けられている。この引掛リングは、EUV集光ミラー15から射出されるEUV光の光軸が投影光学系20の光軸と一致する所定位置にチャンバ10が位置決めされた状態において、チャンバ10の重心の真上となる位置に設けられる。これにより、クレーン62によりチャンバを吊り上げたときに突然チャンバが傾くことを防止できる。
図10に示すように、第8の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として、チャンバ台74cの下面に設けられたエアー発生装置63aを備えている。エアー発生装置63aは、ファン等によりエアー発生装置63aの下面から床面(設置面)に対して空気を噴出させ、チャンバ台74cを床面より微小量上昇させることにより、低摩擦でチャンバ台74cを移動させる。
図11に示すように、第9の実施例に係るEUV光源装置1は、位置決め機構70として、投影光学系20の位置決めを行う基準部材と共通の露光装置基準部材76を備えている。すなわち、露光装置基準部材76は、投影光学系20の位置決めの基準となっているとともに、チャンバ10の位置決めの基準ともなっている。この露光装置基準部材76は、直交する2つのプレート部分を有することにより厚み方向の断面がL字型となっている大きな部材であり、一方のプレート部分により投影光学系20の位置決めを行い、他方のプレート部分によりチャンバ10の位置決めを行う。チャンバ10の位置決めは、露光装置基準部材76に設置固定された移動機構60及び位置決めブロック71bを介して行われている。
なお、移動機構60の構成は特に限定されず、他の実施例に記載のものを用いることもできる。位置決め機構も位置決めブロック71bに限定されず、他の実施例に記載のものを用いることもできる。露光装置基準部材76も、断面L字型の大きな部材に限らず、小さなプレートやピン等の基準となるものを投影光学系20に設置し、この基準部材に対してチャンバ10の移動機構や位置決め機構を設置すれば良い。
図12に示すように、第10の実施例に係るEUV光源装置1は、チャンバ10の外に配置されたドライバレーザ30からチャンバ10内にレーザ光を導入するレーザ光導入ダクト31を備えている。このレーザ光導入ダクト31は、レーザ光高反射ミラー32、及び、レーザ光導入用フレキシブル配管33を備えている。また、チャンバ10には、レーザ光を透過させるレーザ光導入用チャンバウィンド34、及び、レーザ光をターゲット物質に集光するレーザ集光軸外放物面ミラー14が設けられている。
図13に示すように、第11の実施例に係るEUV光源装置1は、第10の実施例の構成に加え、チャンバ10外に、真空排気ポンプ41と、真空排気ポンプ用フレキシブル配管43を備えている。また、チャンバ10には、真空排気ポンプ用フレキシブル配管43と接続するゲートバルブ44が設けられている。
図14に示すように、第12の実施例に係るEUV光源装置1は、第11の実施例の構成に加え、チャンバ10外に、磁場方向が水平方向になるように設置された一対のマグネット51,52と、これらマグネットを固定するマグネット固定台53,54を備えている。一対のマグネット51,52は、チャンバ10内で発生したプラズマから発生する荷電粒子をトラップし、EUV集光ミラー15の劣化を防ぐ超伝導磁石であり、強力な磁場を発生させるために大きな重量を有している。
図15に示すように、第13の実施例に係るEUV光源装置1は、投影光学系20に対する向きと交差する方向にチャンバ10が移動する。そのため、チャンバ10の移動軌跡上に存在するマグネット52aをチャンバ10の移動軌跡外に退避させることができるように、マグネット52aを載せたマグネット固定台54aに車輪55を設ける。第13の実施例においては、車輪55が床面上を転がることによって、チャンバ10の移動軌跡と交差する方向にマグネット固定台54aを移動させることができる。チャンバ10を移動及び位置決めするための構成は、図7に示す第5の実施例と同様である。なお、ここではマグネット52aをチャンバ10の移動軌跡外に退避させる例を示したが、真空排気ポンプ又はその他の大型部品がチャンバ10の移動軌跡上にある場合にはこれらを退避させることとしても良い。また、ここではマグネット52aを退避させ、チャンバ10を投影光学系20に向かって右側(図15(a)における下方)に移動させる例を示したが、マグネット51を退避させ、チャンバ10を左側(図15(a)における上方)に移動させることとしても良い。また、マグネット52aを移動させるための機構は、車輪55に限らず、レールやスライド式ベアリングを用いても良い。
図16に示すように、第14の実施例に係るEUV光源装置1は、投影光学系20に対する向きと交差する方向にチャンバ10が移動する。そのため、チャンバ10の移動軌跡上に存在するマグネット52bをチャンバ10の移動軌跡外に退避させることができるように、マグネット52bを載せたマグネット固定台54bに回転軸56及び車輪57を設ける。第14の実施例においては、回転軸56を中心にマグネット固定台54bを回転させることによって、マグネット固定台54bを移動させることができる。チャンバ10を移動及び位置決めするための構成は、図7に示す第5の実施例と同様である。なお、ここではマグネット52bをチャンバ10の移動軌跡外に退避させる例を示したが、真空排気ポンプ又はその他の大型部品がチャンバ10の移動軌跡上にある場合にはこれらを退避させることとしても良い。また、ここではマグネット52bを退避させ、チャンバ10を投影光学系20に向かって右側(図16(a)における下方)に移動させる例を示したが、マグネット51を退避させ、チャンバ10を左側(図16(a)における上方)に移動させることとしても良い。なお、車輪57の替わりにスライド式ベアリングを用いても良い。
図17に示すように、第15の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として2本の平行なレール61aを備え、レール61aに沿って車輪81aが転がることによりチャンバ10が移動する点で、第1の実施例と類似している。第15の実施例は、これに加え、レール61aと並行に脱輪防止ガイド溝64が設けられ、この脱輪防止ガイド溝64内を脱輪防止片84が滑り移動することでチャンバ10の脱輪を防止している点で異なる。なおレール61aと脱輪防止ガイド溝64は、移動機構設置ベース67上に固定されており、この移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
図18に示すように、第16の実施例に係るEUV光源装置1は、チャンバ10に取り付けられた車輪81aが転がることによりチャンバ10が移動する点、及び、ベース67c上に、投影光学系20に対する方向と平行にガイド溝64cが設けられ、このガイド溝64c内を、チャンバ10に設けられた突起84aが滑り移動することによってチャンバ10の走行経路を規制している点で、図17に示す第15の実施例と類似している。第16の実施例においては、車輪81aが、レール上ではなくベース67c又は床の上を転がる点で、第15の実施例と異なる。なお、ガイド溝64cは、チャンバ10の位置決めされる位置からメンテナンス領域までにわたる走行経路全域に設けても良いし、当該走行経路の一部にのみ設けても良い。
図19に示すように、第17の実施例に係るEUV光源装置1は、ガイド溝64cが車輪81aの走行経路より外側に2本設けられ、これに対応する突起84aも車輪81aより外側に複数設けられており、車輪81aはその内側に設けられている点で、図18に示す第16の実施例と異なる。その他の点は第16の実施例と同様である。
図20に示すように、第18の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として2本の平行なレール61bを備え、レール61bに沿って車輪81bが転がることにより、チャンバ10が移動する点で第1の実施例と類似している。第18の実施例は、車輪81bの側面に形成されたフランジによりチャンバ10の脱輪を防止している点で第1の実施例と異なる。なおレール61bは、移動機構設置ベース67上に固定されており、この移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
図21に示すように、第19の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として2本の平行なレール61c及び65を備え、レール61cに沿って車輪81cが転がり、レール65に沿って車輪85が転がることにより、チャンバ10が移動する点で第1の実施例と類似している。第19の実施例は、レール61c及び65のうちレール65の長手方向に垂直な断面を、凸状又は凹状とし、当該レール65に沿って転がる車輪85の直径に沿った断面を、レール65に対応する凹状又は凸状とすることにより、チャンバ10の脱輪を防止している点で第1の実施例と異なる。なおレール61c及び65は、移動機構設置ベース67上に固定されており、この移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
図22に示すように、第20の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として2本の平行なスライドレール61dを備えることによりチャンバ10が移動する点で、第1の実施例と類似している。第20の実施例のスライドレール61d上には、スライドブロック81dが移動可能に設けられている。スライドレール61dとスライドブロック81dとの間には循環式ボールが入っており、いわゆるリニアベアリングを構成している。スライドブロック81dはチャンバ10に固定されており、スライドブロック81dの移動に伴ってチャンバ10が移動する。なおスライドレール61dは、移動機構設置ベース67上に固定されており、この移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
図23に示すように、第21の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として、ラック・アンド・ピニオンと、第15の実施例と同じ脱輪防止ガイド溝を採用している。すなわち、移動機構設置ベース67上には、細長い平板の一側面に歯切りをした2本のラック66aと、脱輪防止ガイド溝64が、互いに平行に固定されている。そして、ラック66aの上を、チャンバ10に軸支された小口径の円形歯車(ピニオン)86aが噛み合って回転移動するとともに、脱輪防止ガイド溝64内を脱輪防止片84が滑り移動することでチャンバ10の脱輪を防止する。なお移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
図24に示すように、第22の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として、ラック・アンド・ピニオンを採用している点で、第21の実施例と類似している。第22の実施例では、ラック66bがリッゲンバッハ(Riggenbach)式で断面U字型となっているため、チャンバ10に軸支されたピニオン86bの脱輪が防止されている。従って第21の実施例のような脱輪防止ガイド溝64や脱輪防止片84は不要となっている。なおラック66bは、移動機構設置ベース67上に固定されており、この移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
図25〜図29に示すように、第23〜第27の実施例に係るEUV光源装置は、それぞれ、移動機構60について第15〜第20及び第22の実施例と同様の構成を備えている。第15〜第20及び第22の実施例では、車輪81a及び脱輪防止片84、車輪81b、車輪81c及び85、スライドブロック81d、ピニオン86bが、チャンバ10に軸支又は固定されているが、第23〜第27の実施例では、これらがいずれも台車87に軸支又は固定されている。そして、チャンバ10は、台車87上に位置決めされ、台車87の移動に伴ってメンテナンス領域に移動する。
図30に示すように、第28の実施例に係るEUV光源装置は、移動機構60として、台車87の下面に第8の実施例と同様のエアー発生装置63bを備えている。そして、チャンバ10は、台車87上に位置決めされており、台車87の移動に伴ってメンテナンス領域に移動する。
チャンバ10をメンテナンスする際には、まず、チャンバ10のゲートバルブ91aと投影光学系20のゲートバルブ91bとをそれぞれ閉める。次に、チャンバ10に低圧の反応性ガス(例えば水素ガス、ハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガス)が充填されている場合は、最初に、真空ポンプで上記ガスを排気し、チャンバ10内に窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを大気圧程度まで充填する。そして、フレキシブル配管92を取り外し、移動機構60によりチャンバ10を図31の破線に示す位置まで移動させる。
Claims (10)
- レーザ光をターゲット物質に照射することによりプラズマを発生させ、該プラズマから放射される極端紫外光を露光装置の投影光学系に入射させる極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
ターゲット物質を前記チャンバ内に供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部によって供給されたターゲット物質にレーザ光を照射することによってプラズマを生成するドライバレーザと、
プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光ミラーと、
少なくとも前記チャンバの一部を、前記集光した極端紫外光の光軸と前記露光装置の投影光学系の光軸とが一致する所定位置に位置決めする位置決め機構と、
前記所定位置に位置決めされた少なくとも前記チャンバの一部を、前記所定位置とメンテナンス領域との間で移動させる移動機構と、
を具備する極端紫外光源装置。 - 前記移動機構が、レール及び該レールに沿って転がる車輪を具備する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
- 前記移動機構が、少なくとも前記チャンバの一部を吊り上げるクレーン機構を具備する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
- 前記移動機構が、少なくとも前記チャンバの一部から設置面にエアーを噴出させるエアー噴出機構を具備する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
- 前記位置決め機構が、前記レール及び前記車輪による進行方向に沿った少なくとも前記チャンバの一部の移動を規制するストッパを具備する、請求項2記載の極端紫外光源装置。
- 前記位置決め機構が、少なくとも前記チャンバの一部の形状に合わせた位置決め台を具備する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
- 前記位置決め機構が、前記設置面上において、少なくとも前記チャンバの一部の少なくとも2点の位置を決定する位置決めピンを具備する、請求項4記載の極端紫外光源装置。
- 前記チャンバ外から前記チャンバ内に前記レーザ光を導入するレーザ光導入路を更に具備し、
前記レーザ光導入路は、前記所定位置と前記メンテナンス領域との間で少なくとも前記チャンバの一部が移動する軌跡外に設けられている、請求項1乃至請求項7の何れか一項記載の極端紫外光源装置。 - 前記チャンバ内の排気を行う排気装置を更に具備し、
前記排気装置は、前記所定位置と前記メンテナンス領域との間で少なくとも前記チャンバの一部が移動する軌跡外に設けられている、請求項1乃至請求項7の何れか一項記載の極端紫外光源装置。 - 前記プラズマから発生する荷電粒子をトラップする磁場発生装置を前記チャンバ外に更に具備し、
前記磁場発生装置は、前記所定位置と前記メンテナンス領域との間で少なくとも前記チャンバの一部が移動する軌跡外に設けられている、請求項1乃至請求項7の何れか一項記載の極端紫外光源装置。
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---|---|
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---|---|
US (3) | US9052615B2 (ja) |
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010135557A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 差動排気システム |
JP2013004966A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Asml Netherlands Bv | クランプデバイス、アセンブリ、およびリソグラフィ投影装置 |
JP2013175431A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-09-05 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
KR20140043067A (ko) * | 2011-03-30 | 2014-04-08 | 기가포톤 가부시키가이샤 | 극자외선광 생성 장치 |
JP2014530481A (ja) * | 2011-09-12 | 2014-11-17 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | リソグラフィシステムのモジュールを垂直方向にリフトするためのアセンブリ及び方法、並びにこのようなアセンブリを有するリソグラフィシステム |
JP2015531887A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-11-05 | トルンプフ レーザーシステムズ フォー セミコンダクター マニュファクチャリング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH | 光学アッセンブリ、光学モジュール及びハウジング内で光学モジュールを正しい位置に位置決めする方法 |
WO2016098193A1 (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP2017097375A (ja) * | 2012-01-26 | 2017-06-01 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2018150530A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2019035165A1 (ja) * | 2017-08-14 | 2019-02-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びメンテナンス方法 |
WO2019175964A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | ギガフォトン株式会社 | 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5386799B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2014-01-15 | 株式会社ニコン | Euv光源、euv露光装置、euv光放射方法、euv露光方法および電子デバイスの製造方法 |
US9052615B2 (en) | 2008-08-29 | 2015-06-09 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
JP5474522B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2014-04-16 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源システム |
WO2011110383A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102010041298A1 (de) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizlichtquelle |
JP5758750B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-08-05 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム |
JP5641958B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2014-12-17 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置およびそれを備える極端紫外光生成装置 |
WO2013180007A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成システム |
WO2015086232A1 (en) | 2013-12-09 | 2015-06-18 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source device, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9826615B2 (en) * | 2015-09-22 | 2017-11-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV collector with orientation to avoid contamination |
KR20170045949A (ko) | 2015-10-20 | 2017-04-28 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 광원 장치 및 그 광원 장치를 구비한 광원 시스템 |
KR20220116181A (ko) | 2019-12-17 | 2022-08-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스용 용기 |
CN115335775A (zh) * | 2020-03-27 | 2022-11-11 | Asml荷兰有限公司 | 接口板、检查系统和检查系统的安装方法 |
US11086226B1 (en) | 2020-06-03 | 2021-08-10 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Liquid tamped targets for extreme ultraviolet lithography |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04157468A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-05-29 | Nippon Seiko Kk | 投影露光装置 |
JPH04226463A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-08-17 | Nippon Seiko Kk | 投影露光装置 |
JP2001319873A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 投影露光装置、並びにその製造方法及び調整方法 |
JP2002261355A (ja) * | 2002-03-04 | 2002-09-13 | Komatsu Ltd | レーザ装置 |
US20060146413A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP2006237259A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Nikon Corp | レーザ処理システム及び処理工場 |
JP2008108599A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
JP2008118020A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用コレクタミラー交換装置及び交換方法 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1279622A (en) * | 1968-06-24 | 1972-06-28 | Tracked Hovercraft Ltd | Gas cushion device |
US4236861A (en) * | 1978-09-25 | 1980-12-02 | Jlg Industries, Inc. | Scissors lift with pipe handler |
US4346887A (en) * | 1979-02-08 | 1982-08-31 | Leonard Poole | Donkey calf exercising machine |
US4352622A (en) * | 1980-12-23 | 1982-10-05 | Harnischfeger Corporation | Warehouse crane with pin-engageable tote pans |
US4572956A (en) * | 1982-08-31 | 1986-02-25 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Electron beam pattern transfer system having an autofocusing mechanism |
FR2663130B1 (fr) * | 1990-06-08 | 1994-12-09 | Nippon Seiko Kk | Dispositif d'exposition par projection. |
CA2386486C (en) * | 1999-10-07 | 2007-05-08 | T.A. Pelsue Company, A Colorado Corporation | Confined space entry device and related method of assembly |
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
US6529260B2 (en) * | 2001-05-03 | 2003-03-04 | Nikon Corporation | Lifting support assembly for an exposure apparatus |
US7491954B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-02-17 | Cymer, Inc. | Drive laser delivery systems for EUV light source |
SG129254A1 (en) * | 2002-08-27 | 2007-02-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus |
JP3813959B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2006-08-23 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | 複数の抑制メッシュを備えたリトグラフ投影装置 |
US7221463B2 (en) * | 2003-03-14 | 2007-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Positioning apparatus, exposure apparatus, and method for producing device |
JP2004327213A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Komatsu Ltd | Euv光発生装置におけるデブリ回収装置 |
US7060990B2 (en) * | 2003-06-16 | 2006-06-13 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Stage base, substrate processing apparatus, and maintenance method for stage |
JP2005235959A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Canon Inc | 光発生装置及び露光装置 |
US7164144B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-01-16 | Cymer Inc. | EUV light source |
US7087914B2 (en) * | 2004-03-17 | 2006-08-08 | Cymer, Inc | High repetition rate laser produced plasma EUV light source |
US7265366B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7190512B2 (en) * | 2004-04-29 | 2007-03-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Optical properties restoration apparatus, the restoration method, and an optical system used in the apparatus |
US7098466B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-08-29 | Intel Corporation | Adjustable illumination source |
JP4578901B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-11-10 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
US7405804B2 (en) | 2004-10-06 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with enhanced spectral purity, device manufacturing method and device manufactured thereby |
JP2006134974A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Canon Inc | 露光装置、判定方法及びデバイス製造方法 |
US20060176460A1 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Nikon Corporation | Lithographic optical systems including exchangeable optical-element sets |
JP2006303462A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-11-02 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20080128215A1 (en) * | 2006-05-24 | 2008-06-05 | Gershon Nowitz | Portable Scissor Lift |
US20080304773A1 (en) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Hiwin Technologies Corp. | Linear motion guide apparatus |
JP5312837B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2013-10-09 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US9052615B2 (en) * | 2008-08-29 | 2015-06-09 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light source apparatus |
JP5474522B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2014-04-16 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源システム |
JP5534910B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2014-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5816440B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2015-11-18 | ギガフォトン株式会社 | 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
-
2009
- 2009-08-19 US US12/543,582 patent/US9052615B2/en active Active
- 2009-08-25 JP JP2009193886A patent/JP5554032B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-08 US US14/707,990 patent/US9332625B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-08 US US15/064,019 patent/US9429847B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04226463A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-08-17 | Nippon Seiko Kk | 投影露光装置 |
JPH04157468A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-05-29 | Nippon Seiko Kk | 投影露光装置 |
JP2001319873A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 投影露光装置、並びにその製造方法及び調整方法 |
JP2002261355A (ja) * | 2002-03-04 | 2002-09-13 | Komatsu Ltd | レーザ装置 |
US20060146413A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP2006237259A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Nikon Corp | レーザ処理システム及び処理工場 |
JP2008108599A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
JP2008118020A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置用コレクタミラー交換装置及び交換方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010135557A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Komatsu Ltd | 差動排気システム |
KR20140043067A (ko) * | 2011-03-30 | 2014-04-08 | 기가포톤 가부시키가이샤 | 극자외선광 생성 장치 |
KR101898750B1 (ko) * | 2011-03-30 | 2018-09-13 | 기가포톤 가부시키가이샤 | 극자외선광 생성 장치 |
JP2013004966A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Asml Netherlands Bv | クランプデバイス、アセンブリ、およびリソグラフィ投影装置 |
JP2014530481A (ja) * | 2011-09-12 | 2014-11-17 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | リソグラフィシステムのモジュールを垂直方向にリフトするためのアセンブリ及び方法、並びにこのようなアセンブリを有するリソグラフィシステム |
JP2017201403A (ja) * | 2011-09-12 | 2017-11-09 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | リソグラフィシステムのモジュールを垂直方向にリフトするためのアセンブリ及び方法、並びにこのようなアセンブリを有するリソグラフィシステム |
JP2013175431A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-09-05 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP2017097375A (ja) * | 2012-01-26 | 2017-06-01 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP2015531887A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-11-05 | トルンプフ レーザーシステムズ フォー セミコンダクター マニュファクチャリング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH | 光学アッセンブリ、光学モジュール及びハウジング内で光学モジュールを正しい位置に位置決めする方法 |
US10136510B2 (en) | 2014-12-17 | 2018-11-20 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation device |
WO2016098193A1 (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JPWO2016098193A1 (ja) * | 2014-12-17 | 2017-09-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
WO2018150530A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2018-08-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JPWO2018150530A1 (ja) * | 2017-02-17 | 2019-12-12 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US10716198B2 (en) | 2017-02-17 | 2020-07-14 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus |
WO2019035165A1 (ja) * | 2017-08-14 | 2019-02-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びメンテナンス方法 |
JPWO2019035165A1 (ja) * | 2017-08-14 | 2020-09-17 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びメンテナンス方法 |
US11036150B2 (en) | 2017-08-14 | 2021-06-15 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus and maintenance method |
WO2019175964A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | ギガフォトン株式会社 | 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法 |
JPWO2019175964A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2021-03-18 | ギガフォトン株式会社 | 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法 |
US11061340B2 (en) | 2018-03-13 | 2021-07-13 | Gigaphoton Inc. | Mount, extreme ultraviolet light generation system, and device manufacturing method |
JP7110323B2 (ja) | 2018-03-13 | 2022-08-01 | ギガフォトン株式会社 | 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9052615B2 (en) | 2015-06-09 |
JP5554032B2 (ja) | 2014-07-23 |
US20150245457A1 (en) | 2015-08-27 |
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