JP2010080941A - 極端紫外光源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】EUV光源装置のメンテナンスのために、取り外し、メンテナンス領域への移動、及び投影光学系への高精度な設置をする。
【解決手段】チャンバ10内においてレーザ光をターゲット物質に照射することによりプラズマを発生させ、該プラズマから放射される極端紫外光を露光装置の投影光学系20に入射させるEUV光源装置1であって、チャンバ10又は該チャンバのメンテナンスユニット10aを極端紫外光の光軸と露光装置の投影光学系20の光軸とが一致する所定位置に位置決めする位置決め機構70と、チャンバ10又は該チャンバのメンテナンスユニット10aを該所定位置とメンテナンス領域との間で移動させる移動機構60と、を具備する。
【選択図】図1

Description

本発明は、露光装置の光源として用いられる極端紫外(EUV:extreme ultraviolet)光源装置に関する。
近年、半導体プロセスの微細化に伴い、光リソグラフィの微細化も急速に進展しており、次世代においては、70nm〜45nmの微細加工、更には32nm以下の微細加工が要求されるようになる。そのため、例えば、32nm以下の微細加工の要求に応えるべく、波長13nm程度のEUV光源と縮小投影反射光学系(reduced projection reflective optics)とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
EUV光源としては、ターゲットにレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたLPP(laser produced plasma:レーザ生成プラズマ)光源(以下において、「LPP式EUV光源装置」ともいう)と、放電によって生成されるプラズマを用いたDPP(discharge produced plasma)光源と、軌道放射光を用いたSR(synchrotron radiation)光源との3種類がある。これらの内でも、LPP光源は、プラズマ密度をかなり大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット物質を選択することにより必要な波長帯のみの発光が可能であり、光源の周囲に電極等の構造物がなく、ほぼ等方的な角度分布を持つ点光源であるので、2πsteradianという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点から、数十ワット以上のパワーが要求されるEUVリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。
LPP式EUV光源装置においては、次のような原理でEUV光が生成される。即ち、ノズルを用いて真空チャンバ内にターゲット物質を供給し、このターゲット物質に対してレーザビームを照射することにより、ターゲット物質を励起してプラズマ化させる。そのようにして生成されたプラズマからは、極端紫外(EUV)光を含む様々な波長成分が放射される。そこで、その内の所望の波長成分(例えば、13.5nm)を選択的に反射するコレクタミラー(集光ミラー)を用いることによりEUV光を反射集光し、露光機(投影光学系)に出力する。例えば、波長が13.5nm付近のEUV光を集光するコレクタミラーとしては、反射面にモリブデン(Mo)及びシリコン(Si)の薄膜が交互に積層されたミラーが用いられる。通常、Mo/Si薄膜の積層数は、60から数百層に及ぶ。
関連する技術として、特許文献1には、EUV光源装置(放射線ユニット)内に斜入射ミラーを設けることにより、EUV光を、投影光学系の光軸に一致するように投影光学系の仮想光源点に照射するリソグラフィ装置が開示されている。
しかしながら、特許文献1においては、斜入射ミラーを設けることにより、EUV光強度の損失が生じてしまう。一般に、ミラーによるEUV光の反射率は約60%程度であり、ミラーの枚数が1枚増加するごとに、EUV光の利用効率が60%程度に低下する。
また、特許文献2には、EUV光源装置を重力方向に対して斜めに設置することにより、EUV光を、投影光学系の光軸に一致するように投影光学系の仮想光源点に照射するリソグラフィ装置が開示されている。特許文献2によれば、特許文献1に比べて反射ミラーが1枚少なくなり、EUV光の利用効率を改善することができる。
しかしながら、特許文献2のようにEUV光源装置を斜めに設置した場合には、EUV光源装置のメンテナンスのために、チャンバ又はチャンバの一部の取り外し、メンテナンス領域への移動、及び、投影光学系への高精度な設置をすることが容易でなくなる。
特開2006−108686号公報(図5) 米国特許出願公開第2006/146413号明細書(図2)
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、EUV光源装置のメンテナンスのために、チャンバ又はチャンバの一部の取り外し、メンテナンス領域への移動、及び、投影光学系への高精度な設置を容易にすることのできるEUV光源装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の1つの観点に係る極端紫外光源装置は、レーザ光をターゲット物質に照射することによりプラズマを発生させ、該プラズマから放射される極端紫外光を露光装置の投影光学系に入射させる装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、ターゲット物質をチャンバ内に供給するターゲット供給部と、ターゲット供給部によって供給されたターゲット物質にレーザ光を照射することによってプラズマを生成するドライバレーザと、プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光ミラーと、少なくとも該チャンバの一部を、該集光した極端紫外光の光軸と該露光装置の投影光学系の光軸とが一致する所定位置に位置決めする位置決め機構と、該所定位置に位置決めされた少なくとも該チャンバの一部を、該所定位置とメンテナンス領域との間で移動させる移動機構とを具備する。
本発明によれば、メンテナンスの必要なチャンバ又はチャンバの一部を所定位置に位置決めする位置決め機構と、該チャンバ又はチャンバの一部を該所定位置とメンテナンス領域との間で移動させる移動機構とを備えたので、EUV光源装置のメンテナンスのために、チャンバ又はチャンバの一部の取り外し、メンテナンス領域への移動、及び投影光学系への高精度な設置をすることが容易となる。
本発明の一実施形態に係る極端紫外(EUV)光源装置を含む露光装置の概略構成を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置を構成するチャンバ及び周辺装置の概要を示す模式図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第1の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第2の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第3の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第4の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第5の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第6の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第7の実施例を示す平面図(a)、側面図(b)及び背面図(c)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第8の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第9の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第10の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第11の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第12の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第13の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第14の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第15の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第16の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第17の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第18の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第19の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第20の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第21の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第22の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第23の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第24の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第25の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第26の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第27の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第28の実施例を示す背面図である。 EUV光源装置と投影光学系との接続部に関する第29の実施例を示す側面図である。 EUV光源装置のチャンバのうち一部のみを移動させる構成に関する第30の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。 EUV光源装置のチャンバのうち一部のみを移動させる構成に関する第31の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係る極端紫外(EUV)光源装置を含む露光装置の概略構成を示す平面図(a)及び側面図(b)である。この露光装置は、EUV光源装置1と、投影光学系20とを含んでいる。
EUV光源装置1は、レーザビームをターゲット物質に照射して励起させることによりEUV光を生成するレーザ生成プラズマ(LPP)方式を採用している。図1に示すように、このEUV光源装置1は、EUV光の生成が行われるチャンバ10と、移動機構60と、位置決め機構70とを有している。チャンバ10は、EUV光の生成が行われる真空チャンバである。
図2は、EUV光源装置を構成するチャンバ及び周辺装置の概要を示す模式図である。EUV光源装置1は、図1に示すチャンバ10、移動機構60及び位置決め機構70の他に、図2に示すドロップレット発生器11と、ドロップレットキャッチャ16と、ドライバレーザ30と、フレキシブル配管92とを有している。
ドロップレット発生器11は、EUV光を発生するために用いられる錫(Sn)やリチウム(Li)等のターゲット物質を、ターゲットノズル12を介してチャンバ10内に供給する装置である。供給されたターゲット物質の内で、レーザ光が照射されずに不要となったものは、ドロップレットキャッチャ16によって回収される。なお、ドロップレット発生器11は、ターゲット物質をチャンバ内に供給するターゲット供給部に相当する。
ターゲット物質の状態は、固体、液体、気体の何れでも良く、連続流れ(ターゲット噴流)や液滴(ドロップレット)等の公知の何れの態様でターゲット物質をチャンバ10内の空間に供給しても良い。例えば、ターゲット物質として錫(Sn)の溶融金属を用いる場合には、ドロップレット発生器11は、Snを溶融するためのヒータや溶融金属Snを噴出させるための高純度Arガスを供給するガスボンベ、マスフローコントローラ、ターゲットノズル等によって構成される。また、ドロップレットを生成する場合には、ターゲットノズルにピエゾ素子等の加振装置が追加される。
ドライバレーザ30は、ターゲット物質を励起させるために用いられる駆動用のレーザ光を生成する発振増幅型レーザ装置である。ドライバレーザ30によって生成されたレーザ光は、少なくとも1つのレンズ及び/又は少なくとも1つのミラーを含んだレーザ集光光学系35と、レーザ光をチャンバ10内に通過させるためのレーザ光導入用チャンバウィンド34とを介して、チャンバ10内のターゲット物質の軌道上に焦点を形成するように集光される。レーザ光をターゲット物質に照射することにより、プラズマが生成され、そこから様々な波長を有する光が放射される。
チャンバ10内には、EUV集光ミラー15が設けられている。EUV集光ミラー15の反射面は、プラズマから放射された様々な波長を有する光の内の、所定の波長成分(例えば、13.5nm)を有するEUV光を高い反射率で反射させる多層膜がコートされている。このEUV集光ミラー15の反射面は楕円形状をしている。EUV集光ミラー15は、楕円の第1の焦点位置がプラズマ発光点(PP)となるように配置されており、EUV光は、楕円の第2の焦点位置に中間集光点(IF)として集光される。
チャンバ10と投影光学系20との間には、EUV集光ミラー15から射出されるEUV光を投影光学系20に入射させるためのフレキシブル配管92が接続されている。フレキシブル配管92については、図31の説明において後述する。
図1を再び参照すると、投影光学系20は、マスクを照明するためのマスク照射部21と、マスクの像をウエハ上に投影露光するためのワークピース照射部22を有している。マスク照射部21は、EUV光源装置1から入射したEUV光を、反射光学系を介してマスクテーブルMTのマスクパターン上に照明させる。ワークピース照射部22は、マスクテーブルMTから反射されたEUV光を、反射光学系を介してワークピーステーブルWT上のワークピース(半導体ウエハ等)に結像させる。そして、マスクテーブルMTとワークピーステーブルWTとを同時に平行移動させることにより、マスクパターンをワークピースに露光させる。
位置決め機構70は、チャンバ10の形状に合わせたチャンバ台74aを具備する。このチャンバ台74aは、EUV集光ミラー15から射出されるEUV光の光軸が投影光学系20の光軸と一致するように、重力方向に対して斜めの姿勢にチャンバ10を保持する。チャンバ台74aは、チャンバ10の形状に合わせてあるので、チャンバ10がチャンバ台74aに嵌まることにより、EUV集光ミラー15から射出されるEUV光の光軸が投影光学系20の光軸と一致する姿勢でチャンバ10を正しく保持することができる。
位置決め機構70は、EUV集光ミラー15から射出されるEUV光の光軸が投影光学系20の光軸と一致する所定位置にチャンバ10が位置決めされるように、チャンバ台74aを位置決めする。チャンバ台74aを位置決めする構成の詳細は後述するが、ストッパ、位置決めピン、6軸ステージなど種々の構成を用いることができる。図1には、チャンバ10が、投影光学系20の光軸と一致する所定位置にチャンバ台74aとともに位置決めされた状態を、実線で示している。
移動機構60は、位置決め機構70によって位置決めされた所定位置と、メンテナンス可能なメンテナンス領域との間で、チャンバ10を移動させる機構である。移動機構60の詳細は後述するが、レールと車輪、クレーン、エアー発生装置など種々の構成を用いることができる。図1には、チャンバ10がチャンバ台74aとともにメンテナンス領域に移動された状態を、破線で示している。
以上のように構成することにより、本実施形態によれば、EUV光源装置1を、EUV集光ミラー15から射出されるEUV光の光軸が露光装置の投影光学系20の光軸と一致するように、斜めの状態で高精度に設置することができる。一方、EUV光源装置1のチャンバ10をメンテナンスする際に、チャンバ10を投影光学系20から安全に取り外すことができる。また、チャンバ10をメンテナンスした後に、チャンバ10を投影光学系20に対して高精度に設置することができる。更に、チャンバ10のメンテナンスのための取り外し及び設置を短時間で行うことができる。
次に、上記実施形態のEUV光源装置1の具体的な構成例について説明する。
図3は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第1の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図3に示すように、第1の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として、床上に設置された2本の平行なレール61を備えている。チャンバ台74aには車輪81aが取り付けられており、レール61に沿って車輪81aが転がることにより、チャンバ台74aがチャンバ10とともに移動するようになっている。なお、車輪81aの替わりにスライド式ベアリングを用いても良い。また、以下の説明においても、車輪81aの替わりにスライド式ベアリングを用いることができる。
更に、第1の実施例に係るEUV光源装置1は、位置決め機構70として、レール61上の投影光学系20側の位置に設置された位置決めブロック71aと、投影光学系20とは反対側の位置に設置される固定プレート72とを備えている。この固定プレート72には、チャンバ台74aを接触固定するための部材が設置されている。
位置決めブロック71aはレール61上に常時設置されており、チャンバ台74aの投影光学系20側への移動を規制する。固定プレート72は、チャンバ台74aを位置決めブロック71aに押し付けた状態で、レール61上に設置され、ボルト73a又はピンで固定されることで、チャンバ台74aの投影光学系20とは反対側への移動を規制する。
これら位置決めブロック71aと、固定プレート72とにより、チャンバ台74a及びチャンバ10のレール61上の進行方向に沿った移動が規制され、チャンバ10が、投影光学系20の光軸と一致する所定位置に位置決めされる。チャンバ10をメンテナンスするときは、ボルト73a及び固定プレート72を外し、チャンバ台74aを図3において破線により示す位置まで移動させる。
なお、この実施例では、レール61を床に、車輪81aをチャンバ台74aに設けることとしたが、本発明はこれに限らず、車輪を床に、レールをチャンバ台74aに設けることとしても良い。この場合には、例えば4つの車輪が床に設置されており、チャンバ台74aの下にレールを設置することにより、容易に移動及び位置決めが可能となる。
図4は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第2の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図4に示すように、第2の実施例に係るEUV光源装置1においては、移動機構として、チャンバ台74aに車輪81aが、床面上にガイドレール64aがそれぞれ設けられている。チャンバ10を載せたチャンバ台74aは、車輪81aが床面上を転がることによって移動する。図3に示す第1の実施例においては、床面上のレール61が、位置決めブロック71aの位置から固定プレート72の固定位置を経てメンテナンス領域までにわたって設けられているのに対し、第2の実施例においては、位置決めブロック71aの位置から固定プレート72の固定位置までの間にのみガイドレール64aが設けられており、メンテナンス領域まではガイドレール64aが設けられていない。
従って、第2の実施例に係るチャンバ10を載せたチャンバ台74aは、メンテナンス領域においてはガイドレール64aの規制を受けずに走行可能であり、位置決めブロック71aの位置と固定プレート72の固定位置との間においてはガイドレール64aによって走行経路が規制される。ガイドレール64aの長手方向におけるチャンバ10の位置決めは、第1の実施例と同様に、チャンバ台74aの前端と接する位置決めブロック71aと、チャンバ台74aの後端と接する固定プレート72とによって行われる。或いは、位置決めブロック71aの代わりに、チャンバ台74aの前端と接する位置に固定プレート72と同様の位置決め部材を固定しても良い。
第2の実施例によれば、メンテナンス領域におけるチャンバ10の移動の自由度を向上させ、チャンバ10の取り扱いを容易とすることができる。なお、ガイドレール64aによってチャンバ台74aの走行経路を規制するための構成としては、チャンバ台74aの下面にガイドレール64aを受け入れる溝を形成しても良いし、図18(後述)に示すように、チャンバ台74aの下面に突起を設け、この突起を受け入れる溝をガイドレール64aに形成しても良い。
図5は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第3の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図5に示すように、第3の実施例に係るEUV光源装置1においては、移動機構として、チャンバ台74aに車輪81aが設けられている。チャンバ10を載せたチャンバ台74aは、車輪81aが床面上を転がることによって移動する。図4に示す第2の実施例においては、ガイドレール64aが位置決めブロック71aの位置から固定プレート72の固定位置までにわたって設けられているのに対し、第3の実施例においては、位置決めブロック71aの設置位置付近にのみガイド片64bが設けられており、固定プレート72の固定位置やメンテナンス領域まではガイド片64bが設けられていない。
従って、第3の実施例に係るチャンバ10を載せたチャンバ台74aは、ガイド片64bの規制を受けずに走行可能である。ガイド片64bは、車輪81aによる進行方向に垂直な方向におけるチャンバ台74aの位置決めを行う。車輪81aによる進行方向に平行な方向におけるチャンバ台74aの位置決めは、チャンバ台74aの前端と接する位置決めブロック71aと、チャンバ台74aの後端と接する固定プレート72とによって行われる。或いは、位置決めブロック71aの代わりに、チャンバ台74aの前端と接する位置に固定プレート72と同様の位置決め部材を固定しても良い。
第3の実施例によれば、位置決めを要する場合以外におけるチャンバ10の移動の自由度を向上させ、チャンバ10の取り扱いを容易とすることができる。なお、ガイド片64bによってチャンバ10を位置決めするため、例えば、チャンバ10を載せたチャンバ台74aに、ガイド片64bを受け入れる溝が形成されている。
図6は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第4の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図6に示すように、第4の実施例に係るEUV光源装置1は、投影光学系20に対する向きと交差する方向にチャンバ10が移動する点で、図3に示す第1の実施例と異なる。従って、第4の実施例において、レール61は、投影光学系20に対する向きと交差する方向に設置されている。また、チャンバ10は、投影光学系20に対する向きと交差する方向の位置決めが位置決めブロック71a及び固定プレート72によってなされる。その他の構成は、第1の実施例と同様であり、レール61に沿って車輪81aが転がることにより、チャンバ台74aがチャンバ10とともに移動する。なお、ここではチャンバ10が投影光学系20に向かって右側(図6(a)における下方)に移動する例を示したが、左側(図6(a)における上方)に移動することとしても良い。
図7は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第5の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図7に示すように、第5の実施例に係るEUV光源装置1は、投影光学系20に対する向きと交差する方向にチャンバ10が移動する点で、図4に示す第2の実施例と異なる。従って、第5の実施例において、ガイドレール64aは、投影光学系20に対する向きと交差する方向に設置されている。また、チャンバ10は、投影光学系20に対する向きと交差する方向の位置決めが位置決めブロック71a及び固定プレート72によってなされる。その他の構成は、第2の実施例と同様であり、チャンバ10が、ガイドレール64aの長手方向に平行な方向に移動することにより、位置決めブロック71aに接する所定位置と、ガイドレール64aの設けられていないメンテナンス領域との間を移動する。なお、ここではチャンバ10が投影光学系20に向かって右側(図7(a)における下方)に移動する例を示したが、左側(図7(a)における上方)に移動することとしても良い。
図8は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第6の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図8に示すように、第6の実施例に係るEUV光源装置1は、投影光学系20に対する向きと交差する方向にチャンバ10が移動する点で、図5に示す第3の実施例と異なる。従って、第6の実施例において、チャンバ10は、投影光学系20に対する向きと交差する方向の位置決めがブロック71a及び固定プレート72によってなされる。その他の構成は、第3の実施例と同様であり、チャンバ10が、投影光学系20に対する向きと交差する方向に移動することにより、位置決めブロック71aに接する所定位置と、メンテナンス領域との間を移動する。なお、ここではチャンバ10が投影光学系20に向かって右側(図8(a)における下方)に移動する例を示したが、左側(図8(a)における上方)に移動することとしても良い。
図9は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第7の実施例を示す平面図(a)、側面図(b)及び背面図(c)である。
図9に示すように、第7の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として、車輪付きのクレーン62を備えている。クレーン62がチャンバ10を吊り上げ、車輪が床上を転がることで、チャンバ10を移動させるようになっている。チャンバ10には、クレーン62により吊り上げるための引掛リングが設けられている。この引掛リングは、EUV集光ミラー15から射出されるEUV光の光軸が投影光学系20の光軸と一致する所定位置にチャンバ10が位置決めされた状態において、チャンバ10の重心の真上となる位置に設けられる。これにより、クレーン62によりチャンバを吊り上げたときに突然チャンバが傾くことを防止できる。
更に、第7の実施例に係るEUV光源装置1は、位置決め機構70として、床上に固定された位置決め台74bを備えている。位置決め台74bは、EUV集光ミラー15から射出されるEUV光の光軸が投影光学系20の光軸と一致するように、重力方向に対して斜めの姿勢にチャンバ10を保持する。位置決め台74bは、チャンバ10の形状に合わせてあるので、チャンバ10が位置決め台74bに嵌まることにより、EUV集光ミラー15から射出されるEUV光の光軸が投影光学系20の光軸と一致する姿勢でチャンバ10を正しく保持することができる。なお、チャンバ10は、位置決めピンを位置決め台74bに設けることにより位置決め台74bに位置決めしても良いし、ボルトで位置決め台74bに固定しても良い。チャンバ10をメンテナンスするときは、クレーン62により、チャンバ10を図9において破線により示す位置まで移動させる。
なお、クレーン62は常設しておいても良いし、メンテナンスのときだけ持ち込むようにしても良い。また、クレーン62の車輪は床上を走るようにしたが、これに限らず、床にレールを設けてレール上を走るようにしても良い。また、移動機構60としてクレーン62を例示したが、本発明はこれに限らず、リフターでチャンバ10を持ち上げてメンテナンス領域に移動させても良い。また、位置決め機構70として床上に固定した位置決め台74bを例示したが、本発明はこれに限らず、チャンバ10の光軸を高精度に調節するための6軸ステージを用いても良い。
図10は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第8の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図10に示すように、第8の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として、チャンバ台74cの下面に設けられたエアー発生装置63aを備えている。エアー発生装置63aは、ファン等によりエアー発生装置63aの下面から床面(設置面)に対して空気を噴出させ、チャンバ台74cを床面より微小量上昇させることにより、低摩擦でチャンバ台74cを移動させる。
更に、第8の実施例に係るEUV光源装置1は、位置決め機構70として、床上に設けられた2本の位置決めピン75aを備えている。チャンバ台74cには、位置決めピン75aを受け入れる凹加工が施されており、チャンバ台74cが床面に沿って投影光学系20側に移動させられて、位置決めピン75aがチャンバ台74cの凹加工に押し付けられると、チャンバ台74cがチャンバ10とともに位置決めされる。チャンバ台74cは更に、ボルト73bによって床面に固定される。チャンバ10をメンテナンスするときは、ボルト73bを外し、エアー発生装置63aによりチャンバ台74cを図10において破線により示す位置まで移動させる。
この実施例によれば、エアー発生装置63aを用いるので簡易な構成でチャンバ10を移動させることができ、簡易な位置決めピンを用いて高精度にチャンバ10を位置決めすることができる。
なお、位置決めピン75aは2本設けるものとしたが、本発明はこれに限らず、それ以上の数の位置決めピンを用いても良い。また、EUVチャンバの水平方向の位置決めにおいては、2点の位置が決まれば位置決めが可能なので、位置決めピンでなくても、2点の位置が決定できるブロックやプレートを用いてもよい。
図11は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第9の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図11に示すように、第9の実施例に係るEUV光源装置1は、位置決め機構70として、投影光学系20の位置決めを行う基準部材と共通の露光装置基準部材76を備えている。すなわち、露光装置基準部材76は、投影光学系20の位置決めの基準となっているとともに、チャンバ10の位置決めの基準ともなっている。この露光装置基準部材76は、直交する2つのプレート部分を有することにより厚み方向の断面がL字型となっている大きな部材であり、一方のプレート部分により投影光学系20の位置決めを行い、他方のプレート部分によりチャンバ10の位置決めを行う。チャンバ10の位置決めは、露光装置基準部材76に設置固定された移動機構60及び位置決めブロック71bを介して行われている。
この構成によれば、チャンバ10の投影光学系20に対する位置決め精度が向上し、設置場所による位置決め精度のばらつきを低減することができる。
なお、移動機構60の構成は特に限定されず、他の実施例に記載のものを用いることもできる。位置決め機構も位置決めブロック71bに限定されず、他の実施例に記載のものを用いることもできる。露光装置基準部材76も、断面L字型の大きな部材に限らず、小さなプレートやピン等の基準となるものを投影光学系20に設置し、この基準部材に対してチャンバ10の移動機構や位置決め機構を設置すれば良い。
図12は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第10の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図12に示すように、第10の実施例に係るEUV光源装置1は、チャンバ10の外に配置されたドライバレーザ30からチャンバ10内にレーザ光を導入するレーザ光導入ダクト31を備えている。このレーザ光導入ダクト31は、レーザ光高反射ミラー32、及び、レーザ光導入用フレキシブル配管33を備えている。また、チャンバ10には、レーザ光を透過させるレーザ光導入用チャンバウィンド34、及び、レーザ光をターゲット物質に集光するレーザ集光軸外放物面ミラー14が設けられている。
ドライバレーザ30から射出されたレーザ光は、レーザ光導入ダクト31内を通り、レーザ光高反射ミラー32で直角に反射され、レーザ光導入用フレキシブル配管33内を通り、レーザ光導入用チャンバウィンド34を透過してチャンバ10内に照射される。さらに、レーザ光はレーザ集光軸外放物面ミラー14によって反射され、EUV集光ミラー15の穴を通過してターゲット物質に集光される。
チャンバ10をメンテナンスする際には、レーザ光導入用フレキシブル配管33を取り外し、移動機構60によりチャンバ10を図12において破線により示す位置まで移動させる。
この実施例の特徴は、レーザ光導入ダクト31及びレーザ光導入用フレキシブル配管33が、移動機構60によるチャンバ10の移動軌跡外に設けられている点である。従って、レーザ光導入ダクト31及びレーザ光導入用フレキシブル配管33がチャンバ10のメンテナンスの障害となることがない。更に、チャンバ10のメンテナンスを行っても、レーザ光の光軸が変化することはないので、チャンバ10を正確に位置決めすれば、レーザ光の光軸に対しても、投影光学系20の光軸に対しても、正確に位置決めすることができる。
図13は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第11の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図13に示すように、第11の実施例に係るEUV光源装置1は、第10の実施例の構成に加え、チャンバ10外に、真空排気ポンプ41と、真空排気ポンプ用フレキシブル配管43を備えている。また、チャンバ10には、真空排気ポンプ用フレキシブル配管43と接続するゲートバルブ44が設けられている。
真空排気ポンプ41は、ゲートバルブ44及び真空排気ポンプ用フレキシブル配管43を介してチャンバ10内の空気を排出することにより、EUV光の透過に良好な環境を提供する。また真空排気ポンプ用フレキシブル配管43が設けられているので、真空排気ポンプ41の振動がチャンバ10に伝わることを防止することができる。
チャンバ10をメンテナンスする際には、ゲートバルブ44を閉め、真空排気ポンプ用フレキシブル配管43及びレーザ光導入用フレキシブル配管33を取り外し、移動機構60によりチャンバ10を図13において破線により示す位置まで移動させる。
この実施例の特徴は、真空排気ポンプ41及び真空排気ポンプ用フレキシブル配管43が、移動機構60によるチャンバ10の移動軌跡外に設けられている点である。従って、真空排気ポンプ41及び真空排気ポンプ用フレキシブル配管43がチャンバ10のメンテナンスの障害となることがない。
図14は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第12の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図14に示すように、第12の実施例に係るEUV光源装置1は、第11の実施例の構成に加え、チャンバ10外に、磁場方向が水平方向になるように設置された一対のマグネット51,52と、これらマグネットを固定するマグネット固定台53,54を備えている。一対のマグネット51,52は、チャンバ10内で発生したプラズマから発生する荷電粒子をトラップし、EUV集光ミラー15の劣化を防ぐ超伝導磁石であり、強力な磁場を発生させるために大きな重量を有している。
チャンバ10をメンテナンスする際には、ゲートバルブ44aを閉め、真空排気ポンプ用フレキシブル配管43a及びレーザ光導入用フレキシブル配管33を取り外し、移動機構60によりチャンバ10を図14において破線により示す位置まで移動させる。このとき、マグネット51,52及びマグネット固定台53,54は、移動させなくて良い。
この実施例の特徴は、一対のマグネット51,52が、移動機構60によるチャンバ10の移動軌跡外に、チャンバ10と分離可能に設けられている点である。従って、マグネット51,52がチャンバ10のメンテナンスの障害となることがない。
なお、この実施例において、真空排気ポンプ41は、第11の実施例と同じく移動機構60によるチャンバ10の移動軌跡外に設けられているが、真空排気ポンプ用フレキシブル配管43aを含む真空排気ポンプ41用の配管と、ゲートバルブ44aは、移動機構60によるチャンバ10の移動軌跡と一部重なる領域に設けられている。チャンバ10のメンテナンス時には、真空排気ポンプ用フレキシブル配管43aを折り曲げることで、移動機構60によるチャンバ10の移動軌跡外に退避させることができる。
図15は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第13の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図15に示すように、第13の実施例に係るEUV光源装置1は、投影光学系20に対する向きと交差する方向にチャンバ10が移動する。そのため、チャンバ10の移動軌跡上に存在するマグネット52aをチャンバ10の移動軌跡外に退避させることができるように、マグネット52aを載せたマグネット固定台54aに車輪55を設ける。第13の実施例においては、車輪55が床面上を転がることによって、チャンバ10の移動軌跡と交差する方向にマグネット固定台54aを移動させることができる。チャンバ10を移動及び位置決めするための構成は、図7に示す第5の実施例と同様である。なお、ここではマグネット52aをチャンバ10の移動軌跡外に退避させる例を示したが、真空排気ポンプ又はその他の大型部品がチャンバ10の移動軌跡上にある場合にはこれらを退避させることとしても良い。また、ここではマグネット52aを退避させ、チャンバ10を投影光学系20に向かって右側(図15(a)における下方)に移動させる例を示したが、マグネット51を退避させ、チャンバ10を左側(図15(a)における上方)に移動させることとしても良い。また、マグネット52aを移動させるための機構は、車輪55に限らず、レールやスライド式ベアリングを用いても良い。
図16は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第14の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図16に示すように、第14の実施例に係るEUV光源装置1は、投影光学系20に対する向きと交差する方向にチャンバ10が移動する。そのため、チャンバ10の移動軌跡上に存在するマグネット52bをチャンバ10の移動軌跡外に退避させることができるように、マグネット52bを載せたマグネット固定台54bに回転軸56及び車輪57を設ける。第14の実施例においては、回転軸56を中心にマグネット固定台54bを回転させることによって、マグネット固定台54bを移動させることができる。チャンバ10を移動及び位置決めするための構成は、図7に示す第5の実施例と同様である。なお、ここではマグネット52bをチャンバ10の移動軌跡外に退避させる例を示したが、真空排気ポンプ又はその他の大型部品がチャンバ10の移動軌跡上にある場合にはこれらを退避させることとしても良い。また、ここではマグネット52bを退避させ、チャンバ10を投影光学系20に向かって右側(図16(a)における下方)に移動させる例を示したが、マグネット51を退避させ、チャンバ10を左側(図16(a)における上方)に移動させることとしても良い。なお、車輪57の替わりにスライド式ベアリングを用いても良い。
図17は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第15の実施例を示す背面図である。
図17に示すように、第15の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として2本の平行なレール61aを備え、レール61aに沿って車輪81aが転がることによりチャンバ10が移動する点で、第1の実施例と類似している。第15の実施例は、これに加え、レール61aと並行に脱輪防止ガイド溝64が設けられ、この脱輪防止ガイド溝64内を脱輪防止片84が滑り移動することでチャンバ10の脱輪を防止している点で異なる。なおレール61aと脱輪防止ガイド溝64は、移動機構設置ベース67上に固定されており、この移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
第15の実施例に用いる位置決め機構としては、第1の実施例の位置決めブロック71aや固定プレート72と同様の構成を用いることができる他、他の実施例における位置決め機構70を用いることもできる。
図18は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第16の実施例を示す背面図である。
図18に示すように、第16の実施例に係るEUV光源装置1は、チャンバ10に取り付けられた車輪81aが転がることによりチャンバ10が移動する点、及び、ベース67c上に、投影光学系20に対する方向と平行にガイド溝64cが設けられ、このガイド溝64c内を、チャンバ10に設けられた突起84aが滑り移動することによってチャンバ10の走行経路を規制している点で、図17に示す第15の実施例と類似している。第16の実施例においては、車輪81aが、レール上ではなくベース67c又は床の上を転がる点で、第15の実施例と異なる。なお、ガイド溝64cは、チャンバ10の位置決めされる位置からメンテナンス領域までにわたる走行経路全域に設けても良いし、当該走行経路の一部にのみ設けても良い。
図19は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第17の実施例を示す背面図である。
図19に示すように、第17の実施例に係るEUV光源装置1は、ガイド溝64cが車輪81aの走行経路より外側に2本設けられ、これに対応する突起84aも車輪81aより外側に複数設けられており、車輪81aはその内側に設けられている点で、図18に示す第16の実施例と異なる。その他の点は第16の実施例と同様である。
図20は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第18の実施例を示す背面図である。
図20に示すように、第18の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として2本の平行なレール61bを備え、レール61bに沿って車輪81bが転がることにより、チャンバ10が移動する点で第1の実施例と類似している。第18の実施例は、車輪81bの側面に形成されたフランジによりチャンバ10の脱輪を防止している点で第1の実施例と異なる。なおレール61bは、移動機構設置ベース67上に固定されており、この移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
第18の実施例に用いる位置決め機構70としては、第1の実施例の位置決めブロック71aや固定プレート72と同様の構成を用いることができる他、他の実施例の位置決め機構70を用いることもできる。
図21は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第19の実施例を示す背面図である。
図21に示すように、第19の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として2本の平行なレール61c及び65を備え、レール61cに沿って車輪81cが転がり、レール65に沿って車輪85が転がることにより、チャンバ10が移動する点で第1の実施例と類似している。第19の実施例は、レール61c及び65のうちレール65の長手方向に垂直な断面を、凸状又は凹状とし、当該レール65に沿って転がる車輪85の直径に沿った断面を、レール65に対応する凹状又は凸状とすることにより、チャンバ10の脱輪を防止している点で第1の実施例と異なる。なおレール61c及び65は、移動機構設置ベース67上に固定されており、この移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
第19の実施例に用いる位置決め機構70としては、第1の実施例の位置決めブロック71aや固定プレート72と同様の構成を用いることができる他、他の実施例の位置決め機構70を用いることもできる。
図22は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第20の実施例を示す背面図である。
図22に示すように、第20の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として2本の平行なスライドレール61dを備えることによりチャンバ10が移動する点で、第1の実施例と類似している。第20の実施例のスライドレール61d上には、スライドブロック81dが移動可能に設けられている。スライドレール61dとスライドブロック81dとの間には循環式ボールが入っており、いわゆるリニアベアリングを構成している。スライドブロック81dはチャンバ10に固定されており、スライドブロック81dの移動に伴ってチャンバ10が移動する。なおスライドレール61dは、移動機構設置ベース67上に固定されており、この移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
第20の実施例に用いる位置決め機構としては、第1の実施例の位置決めブロック71aや固定プレート72と同様の構成を用いることができる他、他の実施例の位置決め機構70を用いることもできる。
図23は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第21の実施例を示す背面図である。
図23に示すように、第21の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として、ラック・アンド・ピニオンと、第15の実施例と同じ脱輪防止ガイド溝を採用している。すなわち、移動機構設置ベース67上には、細長い平板の一側面に歯切りをした2本のラック66aと、脱輪防止ガイド溝64が、互いに平行に固定されている。そして、ラック66aの上を、チャンバ10に軸支された小口径の円形歯車(ピニオン)86aが噛み合って回転移動するとともに、脱輪防止ガイド溝64内を脱輪防止片84が滑り移動することでチャンバ10の脱輪を防止する。なお移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
第21の実施例に用いる位置決め機構としては、第1の実施例の位置決めブロック71aや固定プレート72と同様の構成を用いることができる他、他の実施例の位置決め機構70を用いることもできる。
図24は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第22の実施例を示す背面図である。
図24に示すように、第22の実施例に係るEUV光源装置1は、移動機構60として、ラック・アンド・ピニオンを採用している点で、第21の実施例と類似している。第22の実施例では、ラック66bがリッゲンバッハ(Riggenbach)式で断面U字型となっているため、チャンバ10に軸支されたピニオン86bの脱輪が防止されている。従って第21の実施例のような脱輪防止ガイド溝64や脱輪防止片84は不要となっている。なおラック66bは、移動機構設置ベース67上に固定されており、この移動機構設置ベース67はアンカーボルト68により床面に固定されている。
第22の実施例に用いる位置決め機構としては、第1の実施例の位置決めブロック71aや固定プレート72と同様の構成を用いることができる他、他の実施例の位置決め機構70を用いることもできる。
図25〜図29は、それぞれ、EUV光源装置の移動機構及び位置決め機構に関する第23〜第27の実施例を示す背面図である。
図25〜図29に示すように、第23〜第27の実施例に係るEUV光源装置は、それぞれ、移動機構60について第15〜第20及び第22の実施例と同様の構成を備えている。第15〜第20及び第22の実施例では、車輪81a及び脱輪防止片84、車輪81b、車輪81c及び85、スライドブロック81d、ピニオン86bが、チャンバ10に軸支又は固定されているが、第23〜第27の実施例では、これらがいずれも台車87に軸支又は固定されている。そして、チャンバ10は、台車87上に位置決めされ、台車87の移動に伴ってメンテナンス領域に移動する。
第23〜第27の実施例で台車87を位置決めする位置決め機構としては、第1の実施例の位置決めブロック71aや固定プレート72と同様の構成を用いることができる他、他の実施例の位置決め機構70を用いることもできる。
図30は、EUV光源装置1の移動機構及び位置決め機構に関する第28の実施例を示す背面図である。
図30に示すように、第28の実施例に係るEUV光源装置は、移動機構60として、台車87の下面に第8の実施例と同様のエアー発生装置63bを備えている。そして、チャンバ10は、台車87上に位置決めされており、台車87の移動に伴ってメンテナンス領域に移動する。
台車87の位置決めは、2本又はそれ以上の位置決めピン75bを用いる点は第8の実施例と同様であるが、第28の実施例では、位置決めピン75bはベース67bに設けられている。ベース67bは更に、第26の実施例と同様のスライドレール等のガイド機構69を介して移動機構設置ベース67aに設置されている。移動機構設置ベース67aはアンカーボルトにより床面に固定されている。この構成により、チャンバ10を載せた台車87は、ベース67bとともに、ガイド機構69により投影光学系20側に移動し、チャンバ10と投影光学系20の光軸が一致する所定位置に位置決めされる。
第28の実施例でベース67bを位置決めする位置決め機構としては、第1の実施例の位置決めブロック71aや固定プレート72と同様の構成を用いることができる他、他の実施例の位置決め機構70を用いることもできる。
図31は、EUV光源装置1と投影光学系20との接続部に関する第29の実施例を示す側面図である。EUV光源装置1のチャンバ10内と、投影光学系20内は、いずれも、EUV光の透過に良好な環境を提供するため、真空またはEUV光を透過する低圧ガス(例えば、Ar、He等の不活性ガスや、付着物質をエッチングするための水素ガス、ハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガス)で満たされた状態で使用される。そこで、チャンバ10の容易なメンテナンスを可能にするため、チャンバ10と投影光学系20との間の光路上に位置する接続部に、チャンバ10のゲートバルブ91aと投影光学系20のゲートバルブ91bとを設け、ゲートバルブ91aとゲートバルブ91bとの間に、フレキシブル配管92を設けている。またフレキシブル配管92中には、ピンホールの形成されたピンホール付遮蔽板93を、チャンバ10側に固定している。EUV光はこのピンホールを通って投影光学系20内に入射される。ピンホール付遮蔽板93は、チャンバ10内のターゲット物質等または上述したEUV光を透過する低圧ガスが投影光学系20内に侵入することを防止している。
移動機構及び位置決め機構としては、第1〜第28の実施例に挙げた移動機構及び位置決め機構のほか、任意の移動機構及び位置決め機構を用いることができる。
チャンバ10をメンテナンスする際には、まず、チャンバ10のゲートバルブ91aと投影光学系20のゲートバルブ91bとをそれぞれ閉める。次に、チャンバ10に低圧の反応性ガス(例えば水素ガス、ハロゲンガスまたはハロゲン化水素ガス)が充填されている場合は、最初に、真空ポンプで上記ガスを排気し、チャンバ10内に窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを大気圧程度まで充填する。そして、フレキシブル配管92を取り外し、移動機構60によりチャンバ10を図31の破線に示す位置まで移動させる。
チャンバ10を設置するには、以上と逆の手順を辿り、まず、移動機構60によりチャンバ10を投影光学系20側に移動し、位置決め機構70によりチャンバ10を投影光学系20の光軸と一致する所定位置に位置決めする。次に、フレキシブル配管92を接続し、フレキシブル配管内を真空排気ポンプにより真空になるまで排気する。そして、チャンバ10のゲートバルブ91aと投影光学系20のゲートバルブ91bとをそれぞれ開ける。このようにすることにより、チャンバ10内及び投影光学系20内を空気で汚染することなく、チャンバ10をメンテナンスすることができる。
図32は、EUV光源装置のチャンバ10のうち一部のみを移動させる構成に関する第30の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)であり、図33は、EUV光源装置のチャンバ10のうち一部のみを移動させる構成に関する第31の実施例を示す平面図(a)及び側面図(b)である。
図32に示す第30の実施例に係るEUV光源装置1のチャンバ10は、プラズマ発生部側のメンテナンスユニット10aと、投影光学系20側の非定期メンテナンスユニット10bとに分割可能になっている。この実施例では、チャンバ10のうちプラズマ発生部付近の大径部分をメンテナンスユニット10aとし、この大径部分から投影光学系20側に収束する光路を形成するテーパー部分を非定期メンテナンスユニット10bとしている。
図33に示す第31の実施例でも、チャンバ10が、プラズマ発生部側のメンテナンスユニット10cと、投影光学系20側の非定期メンテナンスユニット10dとに分割可能になっている。図32に示した実施例と異なるのは、チャンバ10のテーパー部分を、移動機構60による移動方向と垂直な面で分割するようにした点であり、分割面よりプラズマ発生部側の部分をメンテナンスユニット10cとし、分割面より投影光学系20側の部分を非定期メンテナンスユニット10dとしている。この構成によれば、メンテナンスユニット10cのメンテナンス領域側への移動作業と、非定期メンテナンスユニット10dとの結合作業が容易になる。
メンテナンスユニット10a或いは10cは、図33に詳細に示すように、ドロップレット発生器11、レーザ集光軸外放物面ミラー14、EUV集光ミラー15、ドロップレットキャッチャ16、レーザ光ダンパー17など定期的なメンテナンスを必要とする部品を含んでいる。すなわち、ドロップレット発生器11はターゲット物質をチャンバ10内に供給する装置であり、長期間使用するとターゲットノズル等に目詰まりが発生するため定期的な交換が必要である。レーザ集光軸外放物面ミラー14及びEUV集光ミラー15は、使用中にターゲット物質の付着やイオンエッチング等により反射率が低下していくため定期的な交換が必要である。ドロップレットキャッチャ16はドロップレット発生器11から供給されたにもかかわらずプラズマ化しなかったターゲット物質を回収する装置であり、使用中にターゲット物質で汚染されていくため定期的な交換が必要である。レーザ光ダンパー17はターゲット物質を励起させるために照射されたレーザ光を受け止める装置であり、使用中にチャンバ10内のターゲット物質が付着していくため定期的な交換が必要である。
これに対し、非定期メンテナンスユニット10b、10dは、メンテナンスユニット10a、10cほど頻繁なメンテナンスを必要としない。そこで、これらの実施例ではメンテナンスユニット10a或いは10cだけをメンテナンス領域に運べるようにしている。
メンテナンスユニット10a或いは10cと非定期メンテナンスユニット10b或いは10dとの間の接合部には、Oリング或いはメタルシール等が埋め込まれている。そして、メンテナンスユニット10a或いは10cと非定期メンテナンスユニット10b或いは10dは、ボルト或いはクランプ等によって、合体締め込みシールされるようになっている。
移動機構及び位置決め機構としては、第1〜第28の実施例に挙げた移動機構及び位置決め機構のほか、任意の移動機構及び位置決め機構を用いることができる。第30及び第31の実施例における移動機構及び位置決め機構は、チャンバ10のうちメンテナンスを行うメンテナンスユニット10a或いは10cのみを移動し位置決めする。
メンテナンスユニット10a或いは10cをメンテナンス領域に移動させる際には、まず、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性気体でパージして、大気圧付近にまでチャンバ10内にガスを注入する。次に、メンテナンスユニット10a或いは10cと非定期メンテナンスユニット10b或いは10dとを合体するボルト或いはクランプ等を外す。次に、移動機構60によりメンテナンスユニット10a或いは10cをメンテナンス領域に向かって移動させるとともに、分割されたメンテナンスユニット10a或いは10cと非定期メンテナンスユニット10b或いは10dに、それぞれ板による蓋をする。
メンテナンスユニット10a或いは10cを設置するには、以上と逆の手順を辿り、まず、移動機構60上のメンテナンスユニット10a或いは10cと、投影光学系20側に残っている非定期メンテナンスユニット10b或いは10dから、それぞれ分割面の蓋を外す。次に、移動機構60によりメンテナンスユニット10a或いは10cを非定期メンテナンスユニット10b或いは10d側に移動し、位置決め機構70によりメンテナンスユニット10a或いは10cを投影光学系20の光軸と一致する所定位置に位置決めする。次に、メンテナンスユニット10a或いは10cと非定期メンテナンスユニット10b或いは10dとを合体させ、ボルト或いはクランプ等で締めて、シールする。そして、真空排気ポンプにより、チャンバ10内を真空排気する。
本発明は、露光装置の光源として用いられるEUV光源装置において利用することが可能である。
MT…マスクテーブル、WT…ワークピーステーブル、1…EUV光源装置、10…チャンバ、10a,10c…メンテナンスユニット、10b,10d…非定期メンテナンスユニット、11…ドロップレット発生器、12…ターゲットノズル、14…レーザ集光軸外放物面ミラー、15…EUV集光ミラー、16…ドロップレットキャッチャ、17…レーザ光ダンパー、20…投影光学系、21…マスク照射部、22…ワークピース照射部、30…ドライバレーザ、31…レーザ光導入ダクト、32…レーザ光高反射ミラー、33…レーザ光導入用フレキシブル配管、34…レーザ光導入用チャンバウィンド、35…レーザ集光光学系、41…真空排気ポンプ、43,43a…真空排気ポンプ用フレキシブル配管、44,44a…ゲートバルブ、51,52,52a,52b…マグネット、53,54,54a,54b…マグネット固定台、55,57…車輪、56…回転軸、60…移動機構、61,61a,61b,61c…レール、61d…スライドレール、62…クレーン、63a,63b…エアー発生装置、64…脱輪防止ガイド溝、64a…ガイドレール、64b…ガイド片、64c…ガイド溝、65…レール、66a,66b…ラック、67,67a…移動機構設置ベース、67b,67c…ベース、68…アンカーボルト、69…ガイド機構、70…位置決め機構、71a,71b…位置決めブロック、72…固定プレート、73a,73b…ボルト、74a,74c…チャンバ台、74b…位置決め台、75a,75b…位置決めピン、76…露光装置基準部材、81a,81b,81c…車輪、81d…スライドブロック、84…脱輪防止片、84a…突起、85…車輪、86a,86b…ピニオン、87…台車、91a,91b…ゲートバルブ、92…フレキシブル配管、93…ピンホール付遮蔽板

Claims (10)

  1. レーザ光をターゲット物質に照射することによりプラズマを発生させ、該プラズマから放射される極端紫外光を露光装置の投影光学系に入射させる極端紫外光源装置であって、
    極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
    ターゲット物質を前記チャンバ内に供給するターゲット供給部と、
    前記ターゲット供給部によって供給されたターゲット物質にレーザ光を照射することによってプラズマを生成するドライバレーザと、
    プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光ミラーと、
    少なくとも前記チャンバの一部を、前記集光した極端紫外光の光軸と前記露光装置の投影光学系の光軸とが一致する所定位置に位置決めする位置決め機構と、
    前記所定位置に位置決めされた少なくとも前記チャンバの一部を、前記所定位置とメンテナンス領域との間で移動させる移動機構と、
    を具備する極端紫外光源装置。
  2. 前記移動機構が、レール及び該レールに沿って転がる車輪を具備する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
  3. 前記移動機構が、少なくとも前記チャンバの一部を吊り上げるクレーン機構を具備する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
  4. 前記移動機構が、少なくとも前記チャンバの一部から設置面にエアーを噴出させるエアー噴出機構を具備する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
  5. 前記位置決め機構が、前記レール及び前記車輪による進行方向に沿った少なくとも前記チャンバの一部の移動を規制するストッパを具備する、請求項2記載の極端紫外光源装置。
  6. 前記位置決め機構が、少なくとも前記チャンバの一部の形状に合わせた位置決め台を具備する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
  7. 前記位置決め機構が、前記設置面上において、少なくとも前記チャンバの一部の少なくとも2点の位置を決定する位置決めピンを具備する、請求項4記載の極端紫外光源装置。
  8. 前記チャンバ外から前記チャンバ内に前記レーザ光を導入するレーザ光導入路を更に具備し、
    前記レーザ光導入路は、前記所定位置と前記メンテナンス領域との間で少なくとも前記チャンバの一部が移動する軌跡外に設けられている、請求項1乃至請求項7の何れか一項記載の極端紫外光源装置。
  9. 前記チャンバ内の排気を行う排気装置を更に具備し、
    前記排気装置は、前記所定位置と前記メンテナンス領域との間で少なくとも前記チャンバの一部が移動する軌跡外に設けられている、請求項1乃至請求項7の何れか一項記載の極端紫外光源装置。
  10. 前記プラズマから発生する荷電粒子をトラップする磁場発生装置を前記チャンバ外に更に具備し、
    前記磁場発生装置は、前記所定位置と前記メンテナンス領域との間で少なくとも前記チャンバの一部が移動する軌跡外に設けられている、請求項1乃至請求項7の何れか一項記載の極端紫外光源装置。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010135557A (ja) * 2008-12-04 2010-06-17 Komatsu Ltd 差動排気システム
JP2013004966A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Asml Netherlands Bv クランプデバイス、アセンブリ、およびリソグラフィ投影装置
JP2013175431A (ja) * 2012-01-26 2013-09-05 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
KR20140043067A (ko) * 2011-03-30 2014-04-08 기가포톤 가부시키가이샤 극자외선광 생성 장치
JP2014530481A (ja) * 2011-09-12 2014-11-17 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. リソグラフィシステムのモジュールを垂直方向にリフトするためのアセンブリ及び方法、並びにこのようなアセンブリを有するリソグラフィシステム
JP2015531887A (ja) * 2012-08-13 2015-11-05 トルンプフ レーザーシステムズ フォー セミコンダクター マニュファクチャリング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH 光学アッセンブリ、光学モジュール及びハウジング内で光学モジュールを正しい位置に位置決めする方法
WO2016098193A1 (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP2017097375A (ja) * 2012-01-26 2017-06-01 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2018150530A1 (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2019035165A1 (ja) * 2017-08-14 2019-02-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及びメンテナンス方法
WO2019175964A1 (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 ギガフォトン株式会社 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5386799B2 (ja) * 2007-07-06 2014-01-15 株式会社ニコン Euv光源、euv露光装置、euv光放射方法、euv露光方法および電子デバイスの製造方法
US9052615B2 (en) 2008-08-29 2015-06-09 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light source apparatus
JP5474522B2 (ja) * 2009-01-14 2014-04-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源システム
WO2011110383A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Asml Netherlands B.V. Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102010041298A1 (de) * 2010-09-24 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizlichtquelle
JP5758750B2 (ja) * 2010-10-29 2015-08-05 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成システム
JP5641958B2 (ja) * 2011-01-31 2014-12-17 ギガフォトン株式会社 チャンバ装置およびそれを備える極端紫外光生成装置
WO2013180007A1 (ja) * 2012-05-29 2013-12-05 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成システム
WO2015086232A1 (en) 2013-12-09 2015-06-18 Asml Netherlands B.V. Radiation source device, lithographic apparatus and device manufacturing method
US9826615B2 (en) * 2015-09-22 2017-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV collector with orientation to avoid contamination
KR20170045949A (ko) 2015-10-20 2017-04-28 삼성전자주식회사 플라즈마 광원 장치 및 그 광원 장치를 구비한 광원 시스템
KR20220116181A (ko) 2019-12-17 2022-08-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 소스용 용기
CN115335775A (zh) * 2020-03-27 2022-11-11 Asml荷兰有限公司 接口板、检查系统和检查系统的安装方法
US11086226B1 (en) 2020-06-03 2021-08-10 Lawrence Livermore National Security, Llc Liquid tamped targets for extreme ultraviolet lithography

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04157468A (ja) * 1990-10-22 1992-05-29 Nippon Seiko Kk 投影露光装置
JPH04226463A (ja) * 1990-06-08 1992-08-17 Nippon Seiko Kk 投影露光装置
JP2001319873A (ja) * 2000-02-28 2001-11-16 Nikon Corp 投影露光装置、並びにその製造方法及び調整方法
JP2002261355A (ja) * 2002-03-04 2002-09-13 Komatsu Ltd レーザ装置
US20060146413A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2006237259A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Nikon Corp レーザ処理システム及び処理工場
JP2008108599A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Ushio Inc 極端紫外光光源装置
JP2008118020A (ja) * 2006-11-07 2008-05-22 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置用コレクタミラー交換装置及び交換方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1279622A (en) * 1968-06-24 1972-06-28 Tracked Hovercraft Ltd Gas cushion device
US4236861A (en) * 1978-09-25 1980-12-02 Jlg Industries, Inc. Scissors lift with pipe handler
US4346887A (en) * 1979-02-08 1982-08-31 Leonard Poole Donkey calf exercising machine
US4352622A (en) * 1980-12-23 1982-10-05 Harnischfeger Corporation Warehouse crane with pin-engageable tote pans
US4572956A (en) * 1982-08-31 1986-02-25 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Electron beam pattern transfer system having an autofocusing mechanism
FR2663130B1 (fr) * 1990-06-08 1994-12-09 Nippon Seiko Kk Dispositif d'exposition par projection.
CA2386486C (en) * 1999-10-07 2007-05-08 T.A. Pelsue Company, A Colorado Corporation Confined space entry device and related method of assembly
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
US6529260B2 (en) * 2001-05-03 2003-03-04 Nikon Corporation Lifting support assembly for an exposure apparatus
US7491954B2 (en) * 2006-10-13 2009-02-17 Cymer, Inc. Drive laser delivery systems for EUV light source
SG129254A1 (en) * 2002-08-27 2007-02-26 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus
JP3813959B2 (ja) * 2002-11-22 2006-08-23 エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ 複数の抑制メッシュを備えたリトグラフ投影装置
US7221463B2 (en) * 2003-03-14 2007-05-22 Canon Kabushiki Kaisha Positioning apparatus, exposure apparatus, and method for producing device
JP2004327213A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Komatsu Ltd Euv光発生装置におけるデブリ回収装置
US7060990B2 (en) * 2003-06-16 2006-06-13 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Stage base, substrate processing apparatus, and maintenance method for stage
JP2005235959A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Canon Inc 光発生装置及び露光装置
US7164144B2 (en) * 2004-03-10 2007-01-16 Cymer Inc. EUV light source
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
US7265366B2 (en) * 2004-03-31 2007-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7190512B2 (en) * 2004-04-29 2007-03-13 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Optical properties restoration apparatus, the restoration method, and an optical system used in the apparatus
US7098466B2 (en) * 2004-06-30 2006-08-29 Intel Corporation Adjustable illumination source
JP4578901B2 (ja) * 2004-09-09 2010-11-10 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置
US7405804B2 (en) 2004-10-06 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with enhanced spectral purity, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2006134974A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Canon Inc 露光装置、判定方法及びデバイス製造方法
US20060176460A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Nikon Corporation Lithographic optical systems including exchangeable optical-element sets
JP2006303462A (ja) * 2005-03-23 2006-11-02 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US20080128215A1 (en) * 2006-05-24 2008-06-05 Gershon Nowitz Portable Scissor Lift
US20080304773A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Hiwin Technologies Corp. Linear motion guide apparatus
JP5312837B2 (ja) * 2008-04-14 2013-10-09 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US9052615B2 (en) * 2008-08-29 2015-06-09 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light source apparatus
JP5474522B2 (ja) * 2009-01-14 2014-04-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源システム
JP5534910B2 (ja) * 2009-04-23 2014-07-02 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5816440B2 (ja) * 2011-02-23 2015-11-18 ギガフォトン株式会社 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04226463A (ja) * 1990-06-08 1992-08-17 Nippon Seiko Kk 投影露光装置
JPH04157468A (ja) * 1990-10-22 1992-05-29 Nippon Seiko Kk 投影露光装置
JP2001319873A (ja) * 2000-02-28 2001-11-16 Nikon Corp 投影露光装置、並びにその製造方法及び調整方法
JP2002261355A (ja) * 2002-03-04 2002-09-13 Komatsu Ltd レーザ装置
US20060146413A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2006237259A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Nikon Corp レーザ処理システム及び処理工場
JP2008108599A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Ushio Inc 極端紫外光光源装置
JP2008118020A (ja) * 2006-11-07 2008-05-22 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置用コレクタミラー交換装置及び交換方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010135557A (ja) * 2008-12-04 2010-06-17 Komatsu Ltd 差動排気システム
KR20140043067A (ko) * 2011-03-30 2014-04-08 기가포톤 가부시키가이샤 극자외선광 생성 장치
KR101898750B1 (ko) * 2011-03-30 2018-09-13 기가포톤 가부시키가이샤 극자외선광 생성 장치
JP2013004966A (ja) * 2011-06-15 2013-01-07 Asml Netherlands Bv クランプデバイス、アセンブリ、およびリソグラフィ投影装置
JP2014530481A (ja) * 2011-09-12 2014-11-17 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. リソグラフィシステムのモジュールを垂直方向にリフトするためのアセンブリ及び方法、並びにこのようなアセンブリを有するリソグラフィシステム
JP2017201403A (ja) * 2011-09-12 2017-11-09 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. リソグラフィシステムのモジュールを垂直方向にリフトするためのアセンブリ及び方法、並びにこのようなアセンブリを有するリソグラフィシステム
JP2013175431A (ja) * 2012-01-26 2013-09-05 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
JP2017097375A (ja) * 2012-01-26 2017-06-01 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JP2015531887A (ja) * 2012-08-13 2015-11-05 トルンプフ レーザーシステムズ フォー セミコンダクター マニュファクチャリング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH 光学アッセンブリ、光学モジュール及びハウジング内で光学モジュールを正しい位置に位置決めする方法
US10136510B2 (en) 2014-12-17 2018-11-20 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation device
WO2016098193A1 (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JPWO2016098193A1 (ja) * 2014-12-17 2017-09-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2018150530A1 (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
JPWO2018150530A1 (ja) * 2017-02-17 2019-12-12 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US10716198B2 (en) 2017-02-17 2020-07-14 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus
WO2019035165A1 (ja) * 2017-08-14 2019-02-21 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及びメンテナンス方法
JPWO2019035165A1 (ja) * 2017-08-14 2020-09-17 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及びメンテナンス方法
US11036150B2 (en) 2017-08-14 2021-06-15 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation apparatus and maintenance method
WO2019175964A1 (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 ギガフォトン株式会社 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法
JPWO2019175964A1 (ja) * 2018-03-13 2021-03-18 ギガフォトン株式会社 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法
US11061340B2 (en) 2018-03-13 2021-07-13 Gigaphoton Inc. Mount, extreme ultraviolet light generation system, and device manufacturing method
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