WO2019175964A1 - 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法 - Google Patents

架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019175964A1
WO2019175964A1 PCT/JP2018/009728 JP2018009728W WO2019175964A1 WO 2019175964 A1 WO2019175964 A1 WO 2019175964A1 JP 2018009728 W JP2018009728 W JP 2018009728W WO 2019175964 A1 WO2019175964 A1 WO 2019175964A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
target
generation device
chamber
gantry
target generation
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/009728
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
敏博 西坂
Original Assignee
ギガフォトン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ギガフォトン株式会社 filed Critical ギガフォトン株式会社
Priority to JP2020505984A priority Critical patent/JP7110323B2/ja
Priority to PCT/JP2018/009728 priority patent/WO2019175964A1/ja
Publication of WO2019175964A1 publication Critical patent/WO2019175964A1/ja
Priority to US16/985,148 priority patent/US11061340B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K5/00—Irradiation devices
    • G21K5/08—Holders for targets or for other objects to be irradiated
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma

Definitions

  • the present disclosure relates to a gantry, an extreme ultraviolet light generation system, and a device manufacturing method.
  • an LPP laser produced
  • DPP discharge produced plasma
  • JP 2009-6802 A Special table 2011-508122 gazette JP 2008-11820 A Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-10954
  • a gantry comprises: A. A gantry body having a holding unit for detachably holding a target generating device for outputting a target material for generating extreme ultraviolet light as droplets in the chamber; B. C. a target position adjusting unit that is provided in the holding unit and adjusts the relative position of the target generation device with respect to the chamber; A moving mechanism that moves the gantry body at least in the horizontal direction.
  • An extreme ultraviolet light generation system comprises: F. G. A chamber in which the target generation device held on the gantry is mounted.
  • a device manufacturing method includes the following steps: Exposing the workpiece with laser light output from the extreme ultraviolet light generation system;
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus according to a comparative example.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the target generation device.
  • FIG. 3 is an explanatory view for explaining a chamber moving device with respect to the exposure apparatus.
  • 4A and 4B are diagrams for explaining a method of attaching the target generation device.
  • FIG. 4A shows a state before attachment
  • FIG. 4B shows a state after attachment.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing the configuration of the EUV light generation system according to the first embodiment, and shows a state in which the gantry is separated from the chamber.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus according to a comparative example.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the target generation device.
  • FIG. 3 is an explanatory view for explaining a chamber moving device with respect to the exposure apparatus.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing the configuration of the EUV light generation system according to the first embodiment, and shows a state in which the gantry is close to the chamber.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the stage.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing a configuration of an EUV light generation system according to the second embodiment, and shows a state in which the gantry is separated from the chamber.
  • FIG. 9 is a diagram schematically showing the configuration of the EUV light generation system according to the first embodiment, and shows a state in which the gantry is close to the chamber.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a gantry in which the holding unit is rotated to a position where the target generation device is vertical.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a state where the target generation device is detached from the gantry body.
  • FIG. 12 is a side view of a gantry included in the EUV light generation system according to the first embodiment.
  • FIG. 13 is a top view of a gantry included in the EUV light generation system according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a front view of the mounting flange as viewed from the Y direction.
  • FIG. 15 is a side view of the mounting flange as viewed from the X direction.
  • FIG. 16 is a view showing the arrangement of the exposure apparatus.
  • the EUV light generation apparatus 1 employs a laser-generated plasma (LPP) system that generates EUV light by irradiating a target material with a laser beam and exciting it. ing.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes a chamber 10, a driver laser 11, a target generation apparatus 12, and a control unit 13.
  • the chamber 10 is a container that can be sealed.
  • the driver laser 11 is an oscillation amplification type laser device that generates a driving pulse laser beam 11a used for exciting a target material.
  • the target generation device 12 is configured to supply a target material into the chamber 10.
  • a stage 18 that adjusts the relative position of the target generation device 12 with respect to the chamber 10 is connected to the target generation device 12.
  • the target generation device 12 is connected to a mounting unit 16 provided in the chamber 10 via a stage 18.
  • the state of the target material may be solid, liquid, or gas.
  • the target generation device 12 may supply the target material into the chamber 10 in any known manner such as a jet or droplet. In this comparative example, the target generation device 12 supplies the target material into the chamber 10 as the droplet DL.
  • the target generation device 12 uses, for example, molten tin (Sn) as a target material.
  • the material of the target substance is not limited to tin, and may be terbium, gadolinium, lithium, xenon, or may include a combination of two or more materials.
  • the wall of the chamber 10 is provided with at least one through hole.
  • the through hole is blocked by the window 17.
  • the pulse laser beam 11 a output from the driver laser 11 passes through the window 17.
  • an EUV collector mirror 20 having a spheroidal reflecting surface is disposed inside the chamber 10.
  • the EUV collector mirror 20 has first and second focal points.
  • the EUV collector mirror 20 is arranged such that its first focal point is located in the plasma generation region 21 and its second focal point is located in the intermediate focal point (IF) 22.
  • a through hole 23 is provided at the center of the EUV collector mirror 20.
  • a laser beam condensing mirror 24 is further provided.
  • the pulse laser beam 11 a incident from the driver laser 11 through the window 17 into the chamber 10 is reflected by the laser beam condensing mirror 24 and passes through the through hole 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes a connection unit 25 that allows communication between the inside of the chamber 10 and the inside of the exposure apparatus 2 described later.
  • the connection portion 25 is formed in a substantially conical shape with a diameter that decreases from the plasma generation region 21 toward the intermediate focusing point 22.
  • a wall 26 in which an aperture 25a is formed is provided at the distal end portion of the connection portion 25. The wall 26 is disposed so that the aperture 25a is positioned at the intermediate condensing point 22.
  • the control unit 13 is connected to the driver laser 11 and the target generation device 12.
  • the control unit 13 synchronizes the output timing of the pulsed laser light 11 a by the driver laser 11 and the output timing of the droplet DL by the target generation device 12.
  • the control unit 13 is connected to the stage 18.
  • the control unit 13 controls the stage 18 based on a detection value of a position sensor (not shown) that detects the position of the droplet DL while the droplet DL is being output by the target generation device 12, and the chamber 10 of the target generation device 12. Adjust the relative position with respect to.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes an etchant gas supply device 14 and an exhaust device 15 connected to the chamber 10.
  • the EUV light generation apparatus 1 includes a chamber base 10 a that matches the shape of the chamber 10.
  • the chamber stage 10a holds the chamber 10 in a posture in which the optical axis of the EUV light emitted from the EUV collector mirror 20 is inclined with respect to the direction of gravity. This is because the optical axis of the exposure apparatus 2 is oblique with respect to the direction of gravity. If an inclined mirror is provided in the EUV light generation apparatus 1 so that the optical axis of the EUV light coincides with the optical axis of the exposure apparatus 2, the chamber 10 need not be inclined. However, since the reflectance of the EUV light by the tilt mirror is about 60%, the use efficiency of the EUV light is reduced by providing the tilt mirror. Therefore, the chamber 10 is tilted without providing the tilt mirror.
  • the chamber 10 is correctly held in a posture in which the optical axis of the EUV light coincides with the optical axis of the exposure apparatus 2 by being fitted to the chamber stage 10a.
  • the optical axis direction of the EUV light emitted from the EUV collector mirror 20 is referred to as the Z direction
  • the output direction of the droplet DL output from the target generation device 12 is referred to as the Y direction.
  • the Z direction and the Y direction are orthogonal to each other.
  • a direction orthogonal to each of the Z direction and the Y direction is referred to as an X direction.
  • the X direction is orthogonal to the direction of gravity.
  • the mounting unit 16 is provided in the chamber 10 so as to hold the target generation device 12 in a posture in which the Y direction that is the output direction of the droplet DL is not parallel to the gravity direction and is not orthogonal. Yes.
  • the pulse laser beam 11 a output from the driver laser 11 passes through the window 17 and enters the chamber 10.
  • the pulse laser beam 11 a is reflected by the laser beam condensing mirror 24, passes through the through hole 23, and is condensed on the plasma generation region 21.
  • the target generator 12 outputs the droplet DL toward the plasma generation region 21.
  • the droplet DL is irradiated with at least one pulse included in the pulsed laser light 11a.
  • the droplet DL irradiated with the pulse laser beam 11a is turned into plasma, and radiation light is emitted from the plasma.
  • the EUV light included in the emitted light is selectively reflected by the EUV collector mirror 20.
  • the EUV light reflected by the EUV collector mirror 20 is collected at the intermediate focusing point 22 and output to the exposure apparatus 2.
  • a cleaning operation for removing the debris is appropriately performed.
  • This cleaning operation may be performed during the EUV light generation operation, or may be performed in a state where the EUV light generation operation is stopped.
  • an etching gas is supplied into the chamber 10 from the etchant gas supply device 14.
  • the etching gas preferably contains hydrogen.
  • the stannane generated by the reaction of the etching gas with debris or the like, or the etching gas that has not reacted with the debris or the like is exhausted by the exhaust device 15.
  • the exhaust device 15 maintains the inside of the chamber 10 at a low pressure.
  • the target generation device 12 includes a tank 30, a nozzle 31, a lid 32, a pipe 33 a, a heater 35, a temperature sensor 36, and a piezo element 37. And including.
  • the tank 30 is a cylindrical member formed of, for example, molybdenum, and stores a target material therein.
  • the nozzle 31 is made of, for example, molybdenum, and is connected to one end of the tank 30.
  • a nozzle hole 31 a for outputting the target material as a droplet DL is formed at the tip of the nozzle 31.
  • the lid 32 is made of, for example, molybdenum and connected to the other end of the tank 30.
  • the lid 32 has a disk shape and is joined to the end of the tank 30 via an O-ring 32a. Further, the lid 32 is formed with a gas flow path 32b for circulating an inert gas. Further, a flange 34 provided at the end of the pipe 33a is connected to the lid 32 via an O-ring 34a.
  • the pipe 33a communicates with the gas flow path 32b.
  • the pipe 33a is connected to a pipe 33b connected to a pressure regulator (not shown) via a joint 38.
  • An inert gas is supplied into the tank 30 from a gas cylinder included in the pressure regulator via the pipe 33b, the pipe 33a, and the gas flow path 32b.
  • the lid 32 and the end of the tank 30 constitute a connecting portion 39 to be described later.
  • the heater 35 is provided on the outer peripheral surface of the tank 30, and the target material made of tin in the tank 30 is melted by heating the tank 30.
  • the temperature sensor 36 is disposed in the vicinity of the nozzle 31 on the outer peripheral surface of the tank 30 and detects the temperature of the tank 30 near the installation position of the temperature sensor 36.
  • the piezo element 37 is provided on the outer peripheral surface of the nozzle 31 and applies vibration to the nozzle 31.
  • the heater 35, the temperature sensor 36, and the piezo element 37 are connected to the control unit 13 described above.
  • the control unit 13 controls the temperature of the heater 35 based on the temperature detection signal output from the temperature sensor 36 so as to keep the target material in the tank 30 at a predetermined temperature. Further, the control unit 13 controls the pressure regulator to pressurize the inside of the tank 30 to a predetermined pressure with an inert gas, thereby causing the target material made of molten tin to be output from the nozzle hole 31a.
  • the pressure in the tank 30 at this time is, for example, about 40 MPa.
  • control unit 13 supplies the piezoelectric element 37 with electric power having a predetermined waveform, vibrates the nozzle 31, and disturbs the target material output from the nozzle hole 31a, thereby generating a droplet DL.
  • the speed, interval, and generation frequency of the droplet DL are controlled by the pressure in the tank 30 and the waveform applied to the piezo element 37.
  • the exposure apparatus 2 includes a mask irradiation unit 40 and a workpiece irradiation unit 41.
  • the mask irradiation unit 40 illuminates the EUV light incident from the EUV light generation apparatus 1 on the mask pattern of the mask table MT via the reflection optical system.
  • the workpiece irradiation unit 41 forms an image of the EUV light reflected from the mask table MT on a workpiece such as a semiconductor wafer (not shown) disposed on the workpiece table WT via a reflection optical system.
  • the exposure apparatus 2 exposes the mask pattern on the workpiece by simultaneously translating the mask table MT and the workpiece table WT.
  • a moving mechanism 42 for moving the chamber 10 and a positioning mechanism 43 for positioning the chamber 10 with respect to the exposure apparatus 2 are provided.
  • the positioning mechanism 43 positions the chamber stage 10 a so that the chamber 10 is positioned at a predetermined position where the optical axis of the EUV light emitted from the EUV light generation apparatus 1 coincides with the optical axis of the mask irradiation unit 40.
  • a state where the chamber 10 is positioned at a predetermined position that coincides with the optical axis of the mask irradiation unit 40 is indicated by a solid line.
  • the moving mechanism 42 moves the chamber 10 between the position positioned by the positioning mechanism 43 and the maintenance area where maintenance is possible.
  • the moving mechanism 42 includes, for example, a rail (not shown) and a slider slidably provided on the rail.
  • the moving mechanism 42 may be provided with wheels in place of the slider.
  • FIG. 3 the state in which the chamber 10 is moved to the maintenance area is indicated by a broken line.
  • One of maintenance performed in the maintenance area is replacement of the target generation device 12.
  • the target generation device 12 needs to be replaced when all of the target material stored in the tank 30 is output from the nozzle 31 or when the remaining amount becomes a predetermined amount or less.
  • the chamber 10 In order to replace the target generation device 12, the chamber 10 is first moved to the maintenance area by the moving mechanism. Then, in the maintenance area, the target generation device 12 currently mounted on the mounting portion 16 of the chamber 10 is removed.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a method of attaching the target generation device 12.
  • the target generation device 12 When the target generation device 12 is attached to the mounting portion 16 of the chamber 10, first, as shown in FIG. 4A, the target generation device 12 filled with the target material in the tank 30 is suspended by the crane 44. The crane 44 is disposed around the chamber 10 in the maintenance area. In a state where the target generation device 12 is suspended by the crane 44, the operator attaches the target generation device 12 to the attachment portion 16 as shown in FIG. Then, the operator fixes the target generation device 12 to the mounting portion 16 with a bolt or the like (not shown) while maintaining airtightness between the target generation device 12 and the mounting portion 16 by an O-ring (not shown).
  • the chamber 10 in which the target generation device 12 has been replaced as described above is moved to a position positioned by the positioning mechanism 43 by the moving mechanism 42.
  • the operation time of the EUV light generation apparatus 1 depends on the capacity of the tank 30 of the target generation apparatus 12, it is necessary to increase the capacity of the tank 30 in order to extend the operation time.
  • the capacity of the tank 30 is about 800 cc at present, it is considered that the capacity of the tank 30 is about 3200 cc in order to extend the operation time.
  • the current capacity of the tank 30 is about 800 cc and the weight is 95 kg.
  • the capacity of the tank 30 is about 3200 cc due to the above circumstances, the weight is about 300 kg.
  • the tank 30 has a large capacity and its weight increases, there is a limit to the method of replacing the target generation device 12 that is performed while the operator holds the target generation device 12 suspended by the crane 44 in an auxiliary manner. There is a problem that it becomes difficult.
  • the stage 18 needs to be enlarged. Therefore, the increase in the size of the stage 18 makes it more difficult to attach and detach the target generator 12 to / from the chamber 10.
  • the chamber 10 is deformed by a load from the target generation device 12 and the stage 18, thereby causing a problem that the position accuracy of the target generation device 12 with respect to the chamber 10 is lowered.
  • FIGS. 5 and 6 schematically show the configuration of the EUV light generation system 100 according to the first embodiment.
  • the EUV light generation system 100 includes an EUV light generation apparatus 1 and a gantry 110.
  • the EUV light generation apparatus 1 has the same configuration as the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example.
  • the gantry 110 includes a gantry body 111 and a stage 18 as a target position adjusting unit.
  • the gantry body 111 includes a pedestal part 120 and a holding part 130.
  • the pedestal part 120 includes a plurality of first beams 121, a plurality of pillars 122, and a plurality of second beams 123.
  • the first beam 121 is supported by a column 122.
  • the column 122 is supported by the second beam 123.
  • the second beam 123 is provided with a plurality of sliders 124.
  • the moving mechanism 42 for moving the chamber 10 includes a base 42a installed on the floor and one or a plurality of linear rails 42b installed on the base 42a.
  • the linear rail 42b extends in a horizontal plane orthogonal to the direction of gravity and in a direction orthogonal to the X direction.
  • the above-mentioned chamber stage 10a is movably provided on the linear rail 42b.
  • the slider 124 provided on the gantry body 111 is slidably engaged with the linear rail 42b.
  • the gantry body 111 is movable in a horizontal plane perpendicular to the direction of gravity and in a direction perpendicular to the X direction.
  • the gantry body 111 may be provided with wheels that engage with the linear rail 42b instead of the slider 124.
  • the holding unit 130 is connected to the first beam 121.
  • the holding unit 130 includes a first member 131 that is fixed to the pedestal unit 120 and a second member 132 that holds the target generation device 12.
  • the first member 131 and the second member 132 are joined.
  • the first member 131 is fixed to the pedestal portion 120 by a fixing bolt 131a.
  • the first member 131 is joined to the first beam 121.
  • the holding unit 130 may be formed integrally with the gantry body 111.
  • the second member 132 has an opening 132a through which the target generator 12 is inserted.
  • An attachment flange 133 for attaching the target generation device 12 to the mounting portion 16 of the chamber 10 is connected to the opening 132a.
  • the target generation device 12 is attached to the attachment flange 133 in a posture that is in the output direction of the droplet DL.
  • the stage 18 is connected to one end of the mounting flange 133.
  • the other end of the mounting flange 133 is connected to the mounting portion 16 of the chamber 10.
  • the stage 18 is connected between the connection part 39 of the target generator 12 and the mounting flange 133.
  • the stage 18 moves the target generation device 12 with respect to the mounting flange 133 in the X direction and the Z direction orthogonal to the Y axis that is the ejection axis of the droplet DL.
  • the X direction and the Z direction correspond to the first direction and the second direction, respectively.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the stage 18.
  • the stage 18 includes an X-axis stage 181a, an X-axis linear guide 181b, an X-axis saddle 181c, a Z-axis stage 182a, a Z-axis linear guide 182b, a Z-axis saddle 182c, and a base member 183.
  • the stage 18 is a two-dimensional stage.
  • the X-axis stage 181a is driven in the X direction based on control from the control unit 13.
  • the X-axis linear guide 181b is connected to the X-axis stage 181a.
  • the X-axis saddle 181c holds the X-axis linear guide 181b so as to be slidable in the X direction.
  • the X-axis saddle 181c is fixed to the base member 183.
  • the base member 183 is fixed to the mounting flange 133 by fixing bolts 140.
  • the mounting flange 133 is fixed to the second member 132 by a fixing bolt 141.
  • the Z-axis stage 182a is driven in the Z direction based on control from the control unit 13.
  • the Z-axis linear guide 182b is connected to the Z-axis stage 182a.
  • the Z-axis saddle 182c holds the Z-axis linear guide 182b so as to be slidable in the Z direction.
  • the Z-axis saddle 182c is fixed on the X-axis stage 181a.
  • An annular mounting portion 143 to which the target generation device 12 is mounted is fixed on the Z-axis stage 182a.
  • the connection portion 39 of the target generation device 12 is detachably attached to the attachment portion 143.
  • a bellows 142 is connected between the mounting portion 143 and the mounting flange 133.
  • the bellows 142 and the mounting flange 133 cover the periphery of the tank 30 of the target generation device 12. In a state where the mounting flange 133 is mounted on the mounting portion 16 of the chamber 10, the tank 30 and the nozzle 31 communicate with each other in the chamber 10 and are hermetically sealed by the bellows 142, the mounting flange 133, and the connection portion 39. .
  • the target generation device 12 is attached to the gantry body 111 with the gantry body 111 being separated from the chamber 10. Specifically, the tank 30 is inserted through the bellows 142 and the mounting flange 133.
  • the moving mechanism 42 horizontally moves the gantry body 111 in a direction approaching the chamber 10, and the mounting flange 133 is moved to the chamber 10 in a state where the gantry body 111 is brought close to the chamber 10 as shown in FIG. 6. It is attached to the mounting part 16. Then, the connection part 39 of the target generation device 12 is attached to the attachment part 143.
  • the EUV light generation system 100 generates the EUV light by outputting the droplet DL by the target generation device 12 and outputting the pulse laser light 11 a by the driver laser 11. Therefore, the stage 18 adjusts the relative position between the target generation device 12 and the chamber 10 with the target generation device 12 held by the gantry body 111 attached to the chamber 10.
  • the target generation device 12 is replaced, the connection between the attachment flange 133 and the mounting portion 16 of the chamber 10 is released, and the connection between the connection portion 39 and the attachment portion 143 of the target generation device 12 is released. Then, the target generation device 12 is removed from the chamber 10, and the gantry body 111 is horizontally moved in the direction away from the chamber 10 by the moving mechanism 42. Then, in the state shown in FIG. 5, the target generation device 12 is removed from the gantry body 111 and replaced with a new target generation device 12.
  • the target generation device 12 is operated by connecting the target generation device 12 to the chamber 10 while holding the target generation device 12 on the gantry body 111. For this reason, even when the target generation device 12 is increased in size, the target generation device 12 can be easily attached to and removed from the chamber 10. Thereby, maintainability improves.
  • the target generation device 12 can be aligned with the chamber 10 while the target generation device 12 is held by the gantry body 111, the alignment accuracy is improved.
  • the target generator 12 is attached to the chamber 10 even if the stage 18 is enlarged as the target generator 12 is enlarged. And can be easily removed. Furthermore, since the target generation device 12 and the stage 18 are held by the gantry body 111, it is possible to suppress the chamber 10 from being deformed by a load from the target generation device 12 and the stage 18. Thereby, the positional accuracy of the target generation device 12 with respect to the chamber 10 is improved.
  • An EUV light generation system 100a includes an EUV light generation apparatus 1 and a gantry 110a.
  • the EUV light generation apparatus 1 has the same configuration as the EUV light generation apparatus 1 of the comparative example.
  • the gantry 110 a includes a gantry body 111 a and a stage 18.
  • the stage 18 has the same configuration as in the first embodiment.
  • the gantry body 111a includes a pedestal part 120a and a holding part 130a.
  • the moving mechanism 42 for moving the chamber 10 and the gantry body 111a has the same configuration as that of the first embodiment.
  • the holding portion 130a is connected to the first beam 121.
  • the holding unit 130 a includes a first member 131 and a second member 132.
  • the first member 131 and the second member 132 are joined.
  • a rotating shaft 134 is provided at the joint between the first member 131 and the second member 132.
  • the rotation shaft 134 is parallel to the X direction.
  • the rotating shaft 134 constitutes a posture variable mechanism that changes the posture of the target generation device 12. In the present embodiment, by removing the fixing bolt 131a and releasing the fixation between the first member 131 and the pedestal portion 120a, the holding portion 130a can be rotated about the rotation shaft 134.
  • the fixation between the first member 131 and the pedestal portion 120a can be released.
  • the first member 131 and the pedestal portion 120a are fixed by a fixing bolt (not shown), and the fixing of the first member 131 and the pedestal portion 120a is released by removing the fixing bolt. be able to.
  • the holding portion 130a can be rotated about the rotation shaft 134.
  • the pedestal part 120a has basically the same configuration as the pedestal part 120 of the first embodiment.
  • the configuration of the pedestal portion 120a of the present embodiment is different from the configuration of the pedestal portion 120 of the first embodiment only in that the vertical positioning bracket 135 is provided.
  • the vertical positioning bracket 135 is provided at a position for positioning the target generation device 12 in a state where the central axis L, which is the droplet ejection axis, is in the vertical direction when the holding unit 130a is rotated. Positioning member.
  • FIGS. 8 to 11 a method for attaching and detaching the target generation device 12 in the EUV light generation system 100a will be described.
  • the first member 131 and the pedestal part 120a are released from fixation, the holding part 130a is rotated about the rotation shaft 134, and the holding part 130a is brought into contact with the vertical positioning bracket 135. .
  • the target generation device 12 is mounted on the holding unit 130a by being lowered vertically from above using a crane or the like.
  • the holding unit 130a is rotated to fix the first member 131 and the pedestal unit 120a, so that the target generation device 12 is in an oblique state as shown in FIG.
  • the gantry body 111a is horizontally moved in the direction approaching the chamber 10 by the moving mechanism 42, and the gantry body 111a is brought close to the chamber 10 as shown in FIG.
  • the mounting flange 133 is attached to the mounting portion 16 of the chamber 10. Thereafter, as in the first embodiment, the operation of the EUV light generation system 100a is performed.
  • the target generation device 12 When replacing the target generation device 12, the target generation device 12 is removed from the chamber 10 in the same manner as in the first embodiment, and the gantry body 111 a is horizontally moved in a direction away from the chamber 10 by the moving mechanism 42. . Then, in the state shown in FIG. 8, the first member 131 and the pedestal part 120a are released from fixation, the holding part 130a is rotated about the rotation shaft 134, and the holding part 130a is brought into contact with the vertical positioning bracket 135. .
  • the target generation device 12 is lifted in the vertical direction using a crane or the like, so that the target generation device 12 is removed from the gantry body 111 a and replaced with a new target generation device 12.
  • the holding unit 130a since the holding unit 130a is rotatable, the gantry body 111a changes the posture of the target generation device 12 while holding the stage 18 and the target generation device 12,
  • the central axis L can be in a vertical direction.
  • the target generator 12 can be replaced by a general crane or the like without using a dedicated replacement jig that is required when the target generator 12 is pulled out obliquely.
  • the vertical positioning bracket 135 is provided on the gantry body 111a.
  • the vertical positioning bracket 135 may be removable from the gantry body 111a. As shown in FIGS. 10 and 11, the vertical positioning bracket 135 may be attached to the gantry body 111a only when the holding portion 130a is rotated.
  • FIGS. 12 and 13 illustrate the configuration of the gantry 110b included in the EUV light generation system according to the third embodiment.
  • the gantry 110b has the same configuration as the gantry 110a of the second embodiment except that it includes an alignment adjustment mechanism that adjusts the connection position of the stage 18 to the chamber 10.
  • the gantry 110 b includes a gantry body 111 b and a stage 18.
  • the stage 18 has the same configuration as in the first embodiment.
  • the gantry body 111b includes a pedestal part 120b and a holding part 130b.
  • the pedestal part 120b has the same configuration as the pedestal part 120a of the second embodiment.
  • the holding unit 130b is shown more specifically.
  • the holding unit 130 b includes a first member 131, a second member 132, and a rotation shaft 134. In the present embodiment, the first member 131 and the second member 132 are separated, and the rotation shaft 134 is provided on the first member 131.
  • the holding unit 130b includes a first alignment adjustment mechanism, a second alignment adjustment mechanism, and a third alignment adjustment mechanism.
  • the first alignment adjustment mechanism includes a first fixing bolt 150 and a first adjustment shim 151.
  • the first fixing bolt 150 connects the first member 131 and the second member 132 in the vertical direction.
  • the first adjustment shim 151 is interposed between the first member 131 and the second member 132 connected by the first fixing bolt 150. That is, the first fixing bolt 150 is fastened between the first member 131 and the second member 132 via the first adjustment shim 151. Therefore, the position of the stage 18 in the vertical direction can be adjusted by changing the thickness and number of the first adjustment shims 151.
  • the first fixing bolts 150 are provided at four locations.
  • the second alignment adjustment mechanism includes a second fixing bolt 152 and a second adjustment shim 153.
  • the second fixing bolt 152 connects the first member 131 and the second member 132 in the horizontal direction.
  • the second adjustment shim 153 is interposed between the first member 131 and the second member 132 connected by the second fixing bolt 152. That is, the second fixing bolt 152 is fastened between the first member 131 and the second member 132 via the second adjustment shim 153. Therefore, the position of the stage 18 in the horizontal direction can be adjusted by changing the thickness and number of the second adjustment shims 153.
  • the second fixing bolts 152 are provided at two locations.
  • the third alignment adjustment mechanism includes an alignment block 160, a first push bolt 161, and a second push bolt 162. A plurality of these are provided at positions symmetrical with respect to the mounting flange 133 connected to the stage 18.
  • the alignment block 160 is connected to the second member 132.
  • the alignment block 160 may be provided integrally with the second member 132.
  • the first push bolt 161 is screwed into the screw hole formed in the alignment block 160 via the lock nut 161a, and the tip portion presses the convex portion 133a formed in the mounting flange 133 in the Z direction.
  • Two first push bolts 161 and two lock nuts 161a are provided to the convex portion 133a so as to sandwich the convex portion 133a.
  • One protrusion 133 a is provided on each of the left and right sides of the mounting flange 133.
  • the second push bolt 162 is screwed into the screw hole formed in the alignment block 160 via the lock nut 162a, and the tip portion presses the convex portion 133a in the X direction.
  • the second push bolt 162 and the lock nut 162 a are provided at positions symmetrical with respect to the mounting flange 133.
  • the stage 18 is fixed to the second member 132 by a plurality of stage fixing screws 163.
  • the position of the stage 18 in the Z direction can be adjusted by changing the push amount of the first push bolt 161. Further, the position of the stage 18 in the X direction can be adjusted by changing the pushing amount of the second push bolt 162.
  • the change in the push amount of the first push bolt 161 and the second push bolt 162 is performed in a state where the fastening of the stage fixing screw 163 is loosened. After changing the push-in amount, the stage fixing screw 163 may be fastened to fix the stage 18 to the second member 132.
  • the connection position of the stage 18 with respect to the chamber 10 can be adjusted.
  • the coaxiality between the central axis L, which is the ejection axis of the droplet DL, and the central axis of the mounting portion 16 of the chamber 10 The distance between the mounting flange 133 and the mounting portion 16 can be adjusted. Thereby, the position accuracy of the ejection axis of the droplet DL at the time of replacement of the target generation device 12 can be increased.
  • the exposure apparatus 2 includes an illumination optical system 200 and a projection optical system 210.
  • the illumination optical system 200 illuminates the reticle pattern on the reticle stage RT with the laser light incident from the EUV light generation system 100.
  • Projection optical system 210 reduces and projects the laser light transmitted through the reticle to form an image on a workpiece (not shown) disposed on workpiece table WT.
  • the workpiece is a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer coated with a photoresist.
  • the exposure apparatus 2 exposes the workpiece with laser light reflecting the reticle pattern by moving the reticle stage RT and the workpiece table WT in parallel in synchronization.
  • a semiconductor device is manufactured using the exposure process as described above.
  • a semiconductor device can be manufactured by transferring and processing a device pattern on a semiconductor wafer by the exposure process as described above.
  • the EUV light generation system 100 instead of the EUV light generation system 100 according to the first embodiment, the EUV light generation system 100a according to the second embodiment or the EUV light generation system 100b according to the third embodiment may be used.

Abstract

架台（１１０）であって、以下を備える：Ａ．極端紫外光生成用のターゲット物質をチャンバ（１０）内に液滴として出力するターゲット生成装置（１２）を着脱自在に保持する保持部（１３０）を有する架台本体（１１１）；Ｂ．保持部に設けられ、チャンバに対するターゲット生成装置の相対位置を調整するターゲット位置調整部；及び、Ｃ．架台本体を少なくとも水平方向に移動する移動機構（４２）。ターゲット位置調整部は、液滴の射出軸に直交する２方向に前記ターゲット生成装置を移動させるステージ（１８）である。

Description

架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法
　本開示は、架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultraviolet）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（laser produced plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（discharge produced plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（synchrotron radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
特開２００９－６８０２号公報 特表２０１１－５０８１２２号公報 特開２００８－１１８０２０号公報 特開２０１４－１０９５４号公報
概要
　本開示の１つの観点に係る架台は、以下を備える：
　Ａ．極端紫外光生成用のターゲット物質をチャンバ内に液滴として出力するターゲット生成装置を着脱自在に保持する保持部を有する架台本体；
　Ｂ．保持部に設けられ、チャンバに対するターゲット生成装置の相対位置を調整するターゲット位置調整部；及び
　Ｃ．架台本体を少なくとも水平方向に移動する移動機構。
　本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、以下を備える：
　Ｆ．上記架台；及び
　Ｇ．前記架台に保持された前記ターゲット生成装置が装着されるチャンバ。
　本開示の１つの観点に係るデバイスの製造方法は、以下のステップを含む：
　上記極端紫外光生成システムから出力されるレーザ光によりワークピースに露光するステップ。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す概略図である。 図２は、ターゲット生成装置の構成を示す断面図である。 図３は、露光装置に対するチャンバの移動機を説明する説明図である。 図４は、ターゲット生成装置の取り付け方法を説明する図であり、図４Ａは取り付け前の状態を示し、図４Ｂは取り付け後の状態を示す。 図５は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図であり、架台がチャンバから離間した状態を示す。 図６は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図であり、架台がチャンバに近接した状態を示す。 図７は、ステージの構成を示す断面図である。 図８は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図であり、架台がチャンバから離間した状態を示す。 図９は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図であり、架台がチャンバに近接した状態を示す。 図１０は、ターゲット生成装置を垂直とする位置に保持部を回転させた架台を示す図である。 図１１は、ターゲット生成装置を架台本体から取り外した状態を示す図である。 図１２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムに含まれる架台の側面図である。 図１３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムに含まれる架台の上面図である。 図１４は、取付フランジをＹ方向から見た正面図である。 図１５は、取付フランジをＸ方向から見た側面図である。 図１６は、露光装置の構成を示す図である。
実施形態
　＜内容＞
　１．比較例
　　１．１　ＥＵＶ光生成装置
　　　１．１．１　構成
　　　１．１．２　動作
　　１．２　ターゲット生成装置
　　　１．２．１　構成
　　　１．２．２　動作
　　１．３　チャンバの移動機構
　　１．４　ターゲット生成装置の交換方法
　　１．５　課題
　２．第１の実施形態
　　２．１　構成
　　　２．１．１　全体構成
　　　２．１．２　ステージ
　　２．２　動作
　　２．３　効果
　３．第２の実施形態
　　３．１　構成
　　３．２　動作
　　３．３　効果
　４．第３の実施形態
　　４．１　構成
　　４．２　効果
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
　１．比較例
　　１．１　ＥＵＶ光生成装置
　　　１．１．１　構成
　ＥＵＶ光生成装置１は、レーザビームをターゲット物質に照射して励起させることによりＥＵＶ光を生成するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）方式を採用している。図１において、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１０と、ドライバレーザ１１と、ターゲット生成装置１２と、制御部１３と、を含んでいる。
　チャンバ１０は、密閉可能な容器である。ドライバレーザ１１は、ターゲット物質を励起させるために用いられる駆動用のパルスレーザ光１１ａを生成する発振増幅型レーザ装置である。ターゲット生成装置１２は、ターゲット物質をチャンバ１０内部に供給するよう構成されている。また、ターゲット生成装置１２には、ターゲット生成装置１２のチャンバ１０に対する相対位置を調整するステージ１８が接続されている。ターゲット生成装置１２は、チャンバ１０に設けられた装着部１６に、ステージ１８を介して接続される。
　ターゲット物質の状態は、固体、液体、気体の何れでも良い。ターゲット生成装置１２は、ターゲット物質を、噴流や液滴等の公知の何れの態様でチャンバ１０内に供給しても良い。本比較例では、ターゲット生成装置１２は、ターゲット物質を液滴ＤＬとしてチャンバ１０内に供給する。ターゲット生成装置１２は、ターゲット物質として、例えば、溶融された錫（Ｓｎ）を用いる。ターゲット物質の材料は、錫に限られず、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノンであってもよく、さらには、２つ以上の材料の組合せを含んでもよい。
　チャンバ１０の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は、ウインドウ１７によって塞がれている。ドライバレーザ１１から出力されるパルスレーザ光１１ａは、ウインドウ１７を透過する。チャンバ１０の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２０が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２０は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２０の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ集光ミラー２０は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２１に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２２に位置するように配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２０の中央部には貫通孔２３が設けられている。
　チャンバ１０の内部には、さらにレーザ光集光ミラー２４が設けられている。ドライバレーザ１１からウインドウ１７を介してチャンバ１０の内部に入射したパルスレーザ光１１ａは、レーザ光集光ミラー２４により反射されて貫通孔２３を通過する。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１０の内部と、後述する露光装置２の内部とを連通させる接続部２５を含む。接続部２５は、プラズマ生成領域２１から中間集光点２２に向かうに従って径が小さくなる略円錐状に形成されている。接続部２５の先端部には、アパーチャ２５ａが形成された壁２６が設けられる。壁２６は、アパーチャ２５ａが中間集光点２２に位置するように配置されている。
　制御部１３は、ドライバレーザ１１とターゲット生成装置１２とに接続されている。制御部１３は、ドライバレーザ１１によるパルスレーザ光１１ａの出力のタイミングと、ターゲット生成装置１２による液滴ＤＬの出力のタイミングとを同期させる。また、制御部１３は、ステージ１８に接続されている。制御部１３は、ターゲット生成装置１２による液滴ＤＬの出力中に、液滴ＤＬの位置を検出する不図示の位置センサの検出値に基づいてステージ１８を制御し、ターゲット生成装置１２のチャンバ１０に対する相対位置を調整する。
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１０に接続されたエッチンガス供給装置１４及び排気装置１５を含んでいる。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１０の形状に合わせたチャンバ台１０ａを含む。チャンバ台１０ａは、ＥＵＶ集光ミラー２０から射出されるＥＵＶ光の光軸が重力方向に対して斜めの姿勢にチャンバ１０を保持する。これは、露光装置２の光軸が重力方向に対して斜めであるためである。仮に、ＥＵＶ光生成装置１内に傾斜ミラーを設けて、ＥＵＶ光の光軸を露光装置２の光軸と一致させれば、チャンバ１０を傾斜させる必要はない。しかし、傾斜ミラーによるＥＵＶ光の反射率は約６０％であるので、傾斜ミラーを設けることによりＥＵＶ光の利用効率が低下してしまうので、傾斜ミラーは設けず、チャンバ１０を傾斜させている。
　チャンバ１０は、チャンバ台１０ａに嵌まることにより、ＥＵＶ光の光軸が露光装置２の光軸と一致する姿勢で正しく保持される。
　以下、ＥＵＶ集光ミラー２０から射出されるＥＵＶ光の光軸方向をＺ方向、ターゲット生成装置１２から出力される液滴ＤＬの出力方向をＹ方向と言う。Ｚ方向とＹ方向とは直交している。また、Ｚ方向とＹ方向とのそれぞれに直交する方向をＸ方向と言う。Ｘ方向は、重力方向に直交している。
　本比較例では、装着部１６は、液滴ＤＬの出力方向であるＹ方向が、重力方向に非平行でかつ非直交となる姿勢でターゲット生成装置１２を保持するようにチャンバ１０に設けられている。
　　　１．１．２　動作
　図１を参照して、ＥＵＶ光生成装置１の動作を説明する。ドライバレーザ１１から出力されたパルスレーザ光１１ａは、ウインドウ１７を透過してチャンバ１０内に入射する。パルスレーザ光１１ａは、レーザ光集光ミラー２４で反射されて貫通孔２３を通過し、プラズマ生成領域２１に集光される。
　ターゲット生成装置１２は、液滴ＤＬをプラズマ生成領域２１に向けて出力する。液滴ＤＬには、パルスレーザ光１１ａに含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光１１ａが照射された液滴ＤＬはプラズマ化し、そのプラズマから放射光が放射される。放射光に含まれるＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２０によって選択的に反射される。ＥＵＶ集光ミラー２０によって反射されたＥＵＶ光は、中間集光点２２で集光され、露光装置２に出力さる。
　また、上記の動作を繰り返すと、チャンバ１０内のＥＵＶ集光ミラー２０等に液滴ＤＬのデブリ等が徐々に堆積されるので、適宜、デブリを除去するためのクリーニング動作が行われる。このクリーニング動作は、ＥＵＶ光の生成動作中に行われてもよいし、ＥＵＶ光の生成動作を停止した状態で行われてもよい。クリーニング動作には、エッチンガス供給装置１４からチャンバ１０内にエッチングガスが供給される。液滴ＤＬが錫の場合には、エッチングガスが水素を含むことが好ましい。エッチングガスがデブリ等と反応して生成されたスタナンや、デブリ等と反応しなかったエッチングガスは、排気装置１５により排気される。排気装置１５は、チャンバ１０内を低圧に維持する。
　　１．２　ターゲット生成装置
　　　１．２．１　構成
　図２において、ターゲット生成装置１２は、タンク３０と、ノズル３１と、蓋３２と、配管３３ａと、ヒータ３５と、温度センサ３６と、ピエゾ素子３７と、を含む。タンク３０は、例えば、モリブデンにより形成された筒状の部材であって、内部にターゲット物質を収容している。ノズル３１は、例えば、モリブデンにより形成され、タンク３０の一端に接続されている。ノズル３１の先端部には、ターゲット物質を液滴ＤＬとして出力するためのノズル孔３１ａが形成されている。
　蓋３２は、例えば、モリブデンにより形成され、タンク３０の他端に接続されている。蓋３２は、円盤状であって、Ｏリング３２ａを介してタンク３０の端部に接合されている。また、蓋３２には、不活性ガスを流通させるためのガス流路３２ｂが形成されている。さらに、蓋３２には、配管３３ａの端部に設けられたフランジ３４が、Ｏリング３４ａを介して接続されている。配管３３ａは、ガス流路３２ｂに連通している。配管３３ａは、継ぎ手３８を介して、図示しない圧力調整器に接続された配管３３ｂに接続されている。圧力調整器に含まれるガスボンベから配管３３ｂ、配管３３ａ、及びガス流路３２ｂを介して、タンク３０内に不活性ガスが供給される。蓋３２とタンク３０の端部とが、後述する接続部３９を構成している。
　ヒータ３５は、タンク３０の外周面に設けられており、タンク３０を加熱することにより、タンク３０内の錫からなるターゲット物質を溶融させる。温度センサ３６は、タンク３０の外周面におけるノズル３１の近傍に配置されており、タンク３０の温度センサ３６の設置位置近傍の温度を検出する。ピエゾ素子３７は、ノズル３１の外周面に設けられており、ノズル３１に振動を与える。ヒータ３５、温度センサ３６、及びピエゾ素子３７は、前述の制御部１３に接続されている。
　　　１．２．２　動作
　制御部１３は、温度センサ３６から出力される温度の検出信号に基づいて、タンク３０内のターゲット物質を所定温度に保つようにヒータ３５の温度を制御する。また、制御部１３は、圧力調整器を制御することにより、タンク３０内を不活性ガスによって所定圧力まで加圧することにより、溶融された錫からなるターゲット物質をノズル孔３１ａから出力させる。このときのタンク３０内の圧力は、例えば約４０ＭＰａである。
　さらに、制御部１３は、ピエゾ素子３７に所定波形の電力を供給してノズル３１に振動を与え、ノズル孔３１ａから出力されたターゲット物質に擾乱を与えることにより、液滴ＤＬを生成させる。液滴ＤＬの速度、間隔、生成周波数は、タンク３０内の圧力と、ピエゾ素子３７に与えられる波形によって制御される。
　　１．３　チャンバの移動機構
　前述のようにＥＵＶ光生成装置１を斜めに設置した場合には、ＥＵＶ光生成装置１のメンテナンスのために、チャンバ１０又はチャンバ１０の一部を取り外し、メンテナンス領域へ移動することが容易でなくなる。このため、チャンバ１０を露光装置２に対して位置決めされた位置からメンテナンス領域へ移動させるための移動機構が設けられる。
　図３において、露光装置２は、マスク照射部４０とワークピース照射部４１とを含む。マスク照射部４０は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光を、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターン上に照明させる。ワークピース照射部４１は、マスクテーブルＭＴから反射されたＥＵＶ光を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しない半導体ウエハ等のワークピースに結像させる。露光装置２は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同時に平行移動させることにより、マスクパターンをワークピースに露光させる。
　チャンバ１０を移動させるための移動機構４２と、チャンバ１０を露光装置２に対して位置決めするための位置決め機構４３とが設けられている。位置決め機構４３は、ＥＵＶ光生成装置１から射出されるＥＵＶ光の光軸がマスク照射部４０の光軸と一致する所定位置にチャンバ１０が位置決めされるように、チャンバ台１０ａを位置決めする。図３には、チャンバ１０が、マスク照射部４０の光軸と一致する所定位置に位置決めされた状態が、実線で示されている。
　移動機構４２は、位置決め機構４３によって位置決めされた位置と、メンテナンス可能なメンテナンス領域との間で、チャンバ１０を移動させる。移動機構４２は、例えば、図示しないレールと、レールに摺動自在に設けられたスライダとにより構成されている。なお、移動機構４２には、スライダに代えて、車輪が設けられていてもよい。図３には、チャンバ１０がメンテナンス領域に移動された状態が、破線で示されている。
　　１．４　ターゲット生成装置の交換方法
　メンテナンス領域で行われるメンテナンスの一つに、ターゲット生成装置１２の交換がある。ターゲット生成装置１２は、タンク３０内に収容されたターゲット物質が全てノズル３１から出力されるか、或いは残量が所定量以下となった場合に、交換する必要がある。
　ターゲット生成装置１２を交換するには、まず、移動機構４２によりチャンバ１０をメンテナンス領域に移動させる。そして、メンテナンス領域において、チャンバ１０の装着部１６に現在装着されているターゲット生成装置１２を取り外す。
　図４は、ターゲット生成装置１２の取り付け方法を説明する図である。ターゲット生成装置１２をチャンバ１０の装着部１６に取り付ける際には、まず、図４Ａに示すように、クレーン４４により、タンク３０内にターゲット物質が充填されたターゲット生成装置１２を吊り下げる。クレーン４４は、メンテナンス領域におけるチャンバ１０の周辺に配置されている。クレーン４４によりターゲット生成装置１２を吊り下げた状態で、作業者は、ターゲット生成装置１２を補助的に保持しながら、図４Ｂに示すように、ターゲット生成装置１２を装着部１６に装着する。そして、作業者は、図示しないＯリング等により、ターゲット生成装置１２と装着部１６との間の気密性を保持しながら、ターゲット生成装置１２を装着部１６に、図示しないボルト等で固定する。
　以上のようにターゲット生成装置１２の交換が行われたチャンバ１０は、移動機構４２により、位置決め機構４３によって位置決めされる位置に移動される。
　　１．５　課題
　ＥＵＶ光生成装置１の稼働時間を可能な限り延長することが望まれている。ＥＵＶ光生成装置１の稼働時間は、ターゲット生成装置１２のタンク３０の容量に依存するので、稼働時間を延長するためには、タンク３０を大容量化する必要がある。例えば現在は、タンク３０の容量は約８００ｃｃであるが、稼働時間を延長するために、タンク３０の容量を約３２００ｃｃとすることが考えられている。
　また、ＥＵＶ光生成装置１からのＥＵＶ光の高出力化が望まれている。ＥＵＶ光を高出力化するためには、ドライバレーザ１１からのパルスレーザ光１１ａを高出力化する必要がある。パルスレーザ光１１ａが高出力化されると、プラズマ生成領域２１において液滴ＤＬにパルスレーザ光１１ａが照射されることにより生じたプラズマからの飛散物の影響範囲が大きくなる。この飛散物の影響範囲が大きくなると、次にプラズマ生成領域２１に飛来する液滴ＤＬの軌道を乱し、プラズマ生成領域２１においてパルスレーザ光１１ａにより当該液滴ＤＬが適正に照射されない恐れがある。この結果、ＥＵＶ光の出力が不安定化する。これを抑制するためには、液滴ＤＬの間隔を広げることが考えられる。単純に液滴ＤＬの間隔を広げると、ＥＵＶ光の発光時間間隔が長くなるため、これを抑制するために、不活性ガスによるタンク３０内の圧力を高め、液滴ＤＬを高速化する必要がある。タンク３０内を高圧化するには、タンク３０の耐圧性能を向上させるために、タンク３０の壁の厚みを増加させる必要がある。この結果、タンク３０の重量が増加する。
　例えば現在のタンク３０の容量は約８００ｃｃであり、重量は９５ｋｇであるが、上記事情によってタンク３０の容量を約３２００ｃｃとした場合には、重量は約３００ｋｇとなる。このようにタンク３０が大容量化して重量が増加した場合には、クレーン４４により吊り下げたターゲット生成装置１２を作業者が補助的に保持しながら行うターゲット生成装置１２の交換方法には限界があり、困難となるといった課題が生じる。
　また、ターゲット生成装置１２が大型化することに伴って、ステージ１８を大型化する必要がある。したがって、ステージ１８の大型化により、ターゲット生成装置１２のチャンバ１０への取り付け及び取り外しがさらに困難となる。
　さらに、ターゲット生成装置１２が大型化することによって、ターゲット生成装置１２及びステージ１８からの荷重でチャンバ１０が変形し、チャンバ１０に対するターゲット生成装置１２の位置精度が低下するという課題が生じる。
　２．第１の実施形態
　次に、本開示の第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムについて説明する。以下では、比較例の構成要素と同じ部分については、同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
　　２．１　構成
　　　２．１．１　全体構成
　図５及び図６は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１００の構成を概略的に示す。図５において、ＥＵＶ光生成システム１００は、ＥＵＶ光生成装置１と、架台１１０と、を含む。ＥＵＶ光生成装置１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成である。
　架台１１０は、架台本体１１１と、ターゲット位置調整部としてのステージ１８と、を含む。架台本体１１１は、台座部１２０と、保持部１３０と、を含む。台座部１２０は、複数の第１の梁１２１と、複数の柱１２２と、複数の第２の梁１２３と、を含む。第１の梁１２１は、柱１２２により支持されている。柱１２２は、第２の梁１２３により支持されている。第２の梁１２３には、複数のスライダ１２４が設けられている。
　前述のチャンバ１０を移動させるための移動機構４２は、床上に設置されたベース４２ａと、このベース４２ａ上に設置された１つ又は複数のリニアレール４２ｂと、を含む。リニアレール４２ｂは、重力方向に直交する水平平面内で、かつＸ方向に直交する方向に延在している。リニアレール４２ｂには、前述のチャンバ台１０ａが移動自在に設けられている。
　架台本体１１１に設けられたスライダ１２４は、リニアレール４２ｂに摺動自在に係合している。移動機構４２により、架台本体１１１は、重力方向に直交する水平面内で、かつＸ方向に直交する方向に移動可能となっている。なお、架台本体１１１には、スライダ１２４に代えて、リニアレール４２ｂと係合する車輪が設けられていてもよい。
　第１の梁１２１には、保持部１３０が接続されている。保持部１３０は、台座部１２０に固定される第１の部材１３１と、ターゲット生成装置１２を保持する第２の部材１３２と、を含む。第１の部材１３１と第２の部材１３２は接合されている。第１の部材１３１は、固定ボルト１３１ａによって台座部１２０に固定されている。本実施形態では、第１の部材１３１は、第１の梁１２１に接合されている。なお、本実施形態では、保持部１３０は、架台本体１１１と一体に形成されていてもよい。
　第２の部材１３２には、ターゲット生成装置１２が挿通される開口部１３２ａが形成されている。開口部１３２ａには、ターゲット生成装置１２をチャンバ１０の装着部１６に取り付けるための取付フランジ１３３が接続されている。取付フランジ１３３には、液滴ＤＬの出力方向となる姿勢でターゲット生成装置１２が取り付けられる。また、取付フランジ１３３の一端には、前述のステージ１８が接続されている。取付フランジ１３３の他端は、チャンバ１０の装着部１６に接続される。
　ステージ１８は、ターゲット生成装置１２の接続部３９と、取付フランジ１３３との間に接続される。ステージ１８は、取付フランジ１３３に対してターゲット生成装置１２を、液滴ＤＬの射出軸であるＹ軸に直交するＸ方向及びＺ方向にそれぞれ移動させる。Ｘ方向及びＺ方向は、それぞれ第１の方向及び第２の方向に対応する。
　　　２．１．２　ステージ
　図７は、ステージ１８の構成を示す断面図である。ステージ１８は、Ｘ軸ステージ１８１ａと、Ｘ軸リニアガイド１８１ｂと、Ｘ軸サドル１８１ｃと、Ｚ軸ステージ１８２ａと、Ｚ軸リニアガイド１８２ｂと、Ｚ軸サドル１８２ｃと、ベース部材１８３と、を含む。ステージ１８は、２次元ステージである。
　Ｘ軸ステージ１８１ａは、制御部１３からの制御に基づき、Ｘ方向に駆動される。Ｘ軸リニアガイド１８１ｂは、Ｘ軸ステージ１８１ａに接続されている。Ｘ軸サドル１８１ｃは、Ｘ軸リニアガイド１８１ｂをＸ方向に摺動自在に保持する。Ｘ軸サドル１８１ｃは、ベース部材１８３に固定されている。ベース部材１８３は、固定ボルト１４０によって取付フランジ１３３に固定されている。取付フランジ１３３は、固定ボルト１４１によって第２の部材１３２に固定されている。
　Ｚ軸ステージ１８２ａは、制御部１３からの制御に基づき、Ｚ方向に駆動される。Ｚ軸リニアガイド１８２ｂは、Ｚ軸ステージ１８２ａに接続されている。Ｚ軸サドル１８２ｃは、Ｚ軸リニアガイド１８２ｂをＺ方向に摺動自在に保持する。Ｚ軸サドル１８２ｃは、Ｘ軸ステージ１８１ａ上に固定されている。
　Ｚ軸ステージ１８２ａ上には、ターゲット生成装置１２が取り付けられる円環状の取付部１４３が固定されている。取付部１４３には、ターゲット生成装置１２の接続部３９が着脱自在に取り付けられる。取付部１４３と取付フランジ１３３との間には、ベローズ１４２が接続されている。ベローズ１４２と取付フランジ１３３とは、ターゲット生成装置１２のタンク３０の周囲を覆っている。取付フランジ１３３がチャンバ１０の装着部１６に装着された状態において、タンク３０及びノズル３１は、ベローズ１４２と取付フランジ１３３と接続部３９とにより、チャンバ１０内に連通し、気密に封止される。
　　２．２　動作
　図５及び図６を参照して、ＥＵＶ光生成システム１００におけるターゲット生成装置１２の取り付け及び取り外し方法について説明する。まず、図５に示すように、架台本体１１１をチャンバ１０から離間させた状態で、架台本体１１１にターゲット生成装置１２を取り付ける。具体的には、タンク３０をベローズ１４２及び取付フランジ１３３内に挿通させる。
　次に、移動機構４２により、架台本体１１１をチャンバ１０に近接する方向に水平移動させ、図６に示すように、架台本体１１１をチャンバ１０に近接させた状態で、取付フランジ１３３をチャンバ１０の装着部１６に取り付ける。そして、ターゲット生成装置１２の接続部３９を取付部１４３に取り付ける。ＥＵＶ光生成システム１００は、図６に示す状態で、ターゲット生成装置１２による液滴ＤＬの出力と、ドライバレーザ１１によるパルスレーザ光１１ａの出力とを行わせ、ＥＵＶ光を生成させる。したがって、ステージ１８は、架台本体１１１により保持されたターゲット生成装置１２をチャンバ１０に取り付けた状態で、ターゲット生成装置１２とチャンバ１０との相対位置を調整する。
　この後、ターゲット生成装置１２を交換する場合には、取付フランジ１３３とチャンバ１０の装着部１６との接続を解除し、ターゲット生成装置１２の接続部３９と取付部１４３との接続を解除する。そして、ターゲット生成装置１２をチャンバ１０から取り外し、移動機構４２により、架台本体１１１をチャンバ１０から離間する方向に水平移動させる。そして、図５に示す状態で、ターゲット生成装置１２を架台本体１１１から取り外し、新たなターゲット生成装置１２と交換する。
　　２．３　効果
　第１の実施形態では、架台本体１１１にターゲット生成装置１２を保持したままターゲット生成装置１２をチャンバ１０に接続して、ターゲット生成装置１２を動作させる。このため、ターゲット生成装置１２が大型化した場合であっても、ターゲット生成装置１２のチャンバ１０への取り付け及び取り外しを容易に行うことができる。これにより、メンテナンス性が向上する。
　また、第１の実施形態では、ターゲット生成装置１２を架台本体１１１で保持したままターゲット生成装置１２のチャンバ１０に対する位置合わせを行うことができるので、位置合わせ精度が向上する。
　また、第１の実施形態では、架台本体１１１にステージ１８を設けているので、ターゲット生成装置１２の大型化に伴ってステージ１８が大型化したとしても、ターゲット生成装置１２のチャンバ１０への取り付け及び取り外しを容易に行うことができる。さらに、架台本体１１１によりターゲット生成装置１２及びステージ１８を保持しているので、ターゲット生成装置１２及びステージ１８からの荷重でチャンバ１０が変形することを抑制することができる。これにより、チャンバ１０に対するターゲット生成装置１２の位置精度が向上する。
　３．第２の実施形態
　次に、本開示の第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムについて説明する。以下では、比較例の構成要素と同じ部分については、同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
　　３．１　構成
　第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１００ａは、ＥＵＶ光生成装置１と、架台１１０ａと、を含む。ＥＵＶ光生成装置１は、比較例のＥＵＶ光生成装置１と同様の構成である。
　架台１１０ａは、架台本体１１１ａと、ステージ１８と、を含む。ステージ１８は、第１の実施形態と同様の構成である。架台本体１１１ａは、台座部１２０ａと、保持部１３０ａと、を含む。また、チャンバ１０及び架台本体１１１ａを移動させるための移動機構４２は、第１の実施形態と同様の構成である。
　第１の梁１２１には、保持部１３０ａが接続されている。保持部１３０ａは、第１の部材１３１と、第２の部材１３２と、を含む。第１の部材１３１と第２の部材１３２は接合されている。本実施形態では、第１の部材１３１と第２の部材１３２との接合部には、回転軸１３４が設けられている。回転軸１３４は、Ｘ方向に平行である。なお、回転軸１３４は、ターゲット生成装置１２の姿勢を変化させる姿勢可変機構を構成している。本実施形態では、固定ボルト１３１ａを外して、第１の部材１３１と台座部１２０ａとの固定を解除することにより、保持部１３０ａを、回転軸１３４を中心として回転させることができる。
　本実施形態では、第１の部材１３１と台座部１２０ａとの固定は解除可能とされている。具体的には、第１の部材１３１と台座部１２０ａとは、図示しない固定ボルトにより固定されており、この固定ボルトを外すことにより、第１の部材１３１と台座部１２０ａとの固定を解除することができる。第１の部材１３１と台座部１２０ａとの固定を解除した状態において、保持部１３０ａを、回転軸１３４を中心として回転させることができる。
　台座部１２０ａは、基本的に第１の実施形態の台座部１２０と同様の構成である。本実施形態の台座部１２０ａの構成は、垂直位置決めブラケット１３５が設けられている点のみが、第１の実施形態の台座部１２０の構成と異なる。垂直位置決めブラケット１３５は、図１０に示すように、保持部１３０ａを回転させた場合に、液滴の射出軸である中心軸Ｌが垂直方向となる状態でターゲット生成装置１２を位置決めする位置に設けられた位置決め部材である。
　　３．２　動作
　図８～図１１を参照して、ＥＵＶ光生成システム１００ａにおけるターゲット生成装置１２の取り付け及び取り外し方法について説明する。まず、図１０に示すように、第１の部材１３１と台座部１２０ａとの固定を解除し、保持部１３０ａを回転軸１３４を中心として回転させ、保持部１３０ａを垂直位置決めブラケット１３５に当接させる。この状態で、ターゲット生成装置１２を、クレーン等を用いて上方から垂直方向に降下させることにより、保持部１３０ａに装着する。
　次に、保持部１３０ａを回転させ、第１の部材１３１と台座部１２０ａとを固定することにより、図８に示すように、ターゲット生成装置１２を斜めの状態とする。そして、第１の実施形態と同様に、移動機構４２により、架台本体１１１ａをチャンバ１０に近接する方向に水平移動させ、図９に示すように、架台本体１１１ａをチャンバ１０に近接させた状態で、取付フランジ１３３をチャンバ１０の装着部１６に取り付ける。この後、第１の実施形態と同様に、ＥＵＶ光生成システム１００ａの動作を行わせる。
　ターゲット生成装置１２を交換する場合には、第１の実施形態と同様の方法でターゲット生成装置１２をチャンバ１０から取り外し、移動機構４２により、架台本体１１１ａをチャンバ１０から離間する方向に水平移動させる。そして、図８に示す状態で、第１の部材１３１と台座部１２０ａとの固定を解除し、保持部１３０ａを回転軸１３４を中心として回転させ、保持部１３０ａを垂直位置決めブラケット１３５に当接させる。
　この後、図１１に示すように、クレーン等を用いてターゲット生成装置１２を垂直方向に上昇させることにより、ターゲット生成装置１２を架台本体１１１ａから取り外し、新たなターゲット生成装置１２と交換する。
　　３．３　効果
　第１の実施形態では、保持部１３０ａを回動可能としているので、架台本体１１１ａは、ステージ１８とターゲット生成装置１２とを保持したまま、ターゲット生成装置１２の姿勢を変化させ、中心軸Ｌが垂直方向となる状態とすることができる。このため、ターゲット生成装置１２を斜めに引き出す場合に必要となる専用の交換治具を用いることなく、一般的なクレーン等によりターゲット生成装置１２交換することができる。
　なお、本実施形態では、架台本体１１１ａに垂直位置決めブラケット１３５を設けているが、この垂直位置決めブラケット１３５を架台本体１１１ａから取り外し可能としてもよい。図１０及び図１１に示すように、保持部１３０ａを回転させる場合にのみ、垂直位置決めブラケット１３５を架台本体１１１ａに取り付けてもよい。
　４．第３の実施形態
　次に、本開示の第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムについて説明する。以下では、比較例の構成要素と同じ部分については、同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
　　４．１　構成
　図１２及び図１３は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムに含まれる架台１１０ｂの構成を示す。架台１１０ｂは、ステージ１８のチャンバ１０に対する接続位置を調整するアライメント調整機構を含むこと以外は、第２の実施形態の架台１１０ａと同様の構成である。
　架台１１０ｂは、架台本体１１１ｂと、ステージ１８と、を含む。ステージ１８は、第１の実施形態と同様の構成である。架台本体１１１ｂは、台座部１２０ｂと、保持部１３０ｂと、を含む。台座部１２０ｂは、第２の実施形態の台座部１２０ａと同様の構成である。本実施形態では、保持部１３０ｂは、より具体的に示されている。保持部１３０ｂは、第１の部材１３１と、第２の部材１３２と、回転軸１３４と、を含む。なお、本実施形態では、第１の部材１３１と第２の部材１３２とは分離さており、回転軸１３４は、第１の部材１３１に設けられている。
　本実施形態では、保持部１３０ｂには、第１のアライメント調整機構と、第２のアライメント調整機構と、第３のアライメント調整機構と、が含まれる。第１のアライメント調整機構は、第１の固定ボルト１５０と、第１の調整シム１５１とにより構成されている。第１の固定ボルト１５０は、第１の部材１３１と第２の部材１３２とを垂直方向に接続する。第１の調整シム１５１は、第１の固定ボルト１５０により接続される第１の部材１３１と第２の部材１３２との部分に介装される。すなわち、第１の固定ボルト１５０は、第１の調整シム１５１を介して、第１の部材１３１と第２の部材１３２との間に締結される。したがって、第１の調整シム１５１の厚みや数を変更することにより、ステージ１８の垂直方向に関する位置を調整することができる。本実施形態では、図１３に示すように、第１の固定ボルト１５０は、４箇所に設けられている。
　第２のアライメント調整機構は、第２の固定ボルト１５２と、第２の調整シム１５３とにより構成されている。第２の固定ボルト１５２は、第１の部材１３１と第２の部材１３２とを水平方向に接続する。第２の調整シム１５３は、第２の固定ボルト１５２により接続される第１の部材１３１と第２の部材１３２との部分に介装される。すなわち、第２の固定ボルト１５２は、第２の調整シム１５３を介して、第１の部材１３１と第２の部材１３２との間に締結される。したがって、第２の調整シム１５３の厚みや数を変更することにより、ステージ１８の水平方向に関する位置を調整することができる。本実施形態では、図１３に示すように、第２の固定ボルト１５２は、２箇所に設けられている。
　図１４及び図１５は、第３のアライメント調整機構の構成を示す。第３のアライメント調整機構は、アライメントブロック１６０と、第１の押しボルト１６１と、第２の押しボルト１６２と、を含む。これらは、それぞれ、ステージ１８に接続された取付フランジ１３３に対して、左右対称な位置に複数設けられている。
　アライメントブロック１６０は、第２の部材１３２に接続されている。なお、アライメントブロック１６０は、第２の部材１３２と一体に設けられていてもよい。第１の押しボルト１６１は、ロックナット１６１ａを介して、アライメントブロック１６０に形成されたネジ孔に螺合されており、先端部が、取付フランジ１３３に形成された凸部１３３ａをＺ方向に押圧する。第１の押しボルト１６１及びロックナット１６１ａは、凸部１３３ａを挟み込むように、凸部１３３ａに対して２つずつ設けられている。凸部１３３ａは、取付フランジ１３３の左右に１つずつ設けられている。
　第２の押しボルト１６２は、ロックナット１６２ａを介して、アライメントブロック１６０に形成されたネジ孔に螺合されており、先端部が、凸部１３３ａをＸ方向に押圧する。第２の押しボルト１６２及びロックナット１６２ａは、取付フランジ１３３に対して左右対称な位置に設けられている。
　また、ステージ１８は、複数のステージ固定ネジ１６３により第２の部材１３２に固定されている。
　第１の押しボルト１６１の押し込み量を変更することにより、ステージ１８のＺ方向に関する位置を調整することができる。また、第２の押しボルト１６２の押し込み量を変更することにより、ステージ１８のＸ方向に関する位置を調整することができる。
　第１の押しボルト１６１及び第２の押しボルト１６２の押し込み量の変更は、ステージ固定ネジ１６３の締結を緩めた状態で行われる。押し込み量の変更後に、ステージ固定ネジ１６３を締結し、ステージ１８を第２の部材１３２に固定すればよい。
　　４．２　効果
　第３の実施形態では、保持部１３０ｂにアライメント調整機構を設けているので、ステージ１８のチャンバ１０に対する接続位置を調整することができる。例えば、第１～第３のアライメント調整機構によりステージ１８の位置調整を行うことによって、液滴ＤＬの射出軸である中心軸Ｌと、チャンバ１０の装着部１６の中心軸との同軸度や、取付フランジ１３３と装着部１６との間隔を調整することができる。これにより、ターゲット生成装置１２の交換時における液滴ＤＬの射出軸の位置精度を高めることができる。
　５．露光装置
　次に、露光装置２の構成について説明する。図１６において、露光装置２は、照明光学系２００と投影光学系２１０とを含む。照明光学系２００は、ＥＵＶ光生成システム１００から入射したレーザ光によって、レチクルステージＲＴのレチクルパターンを照明する。投影光学系２１０は、レチクルを透過したレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピースに結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。
　露光装置２は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映したレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程を利用して半導体デバイスを製造する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写し、加工することで半導体デバイスを製造することができる。
　第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１００に代えて、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１００ａや、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１００ｂを用いてもよい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の各実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (15)

  1. 　架台であって、以下を備える：
    　Ａ．極端紫外光生成用のターゲット物質をチャンバ内に液滴として出力するターゲット生成装置を着脱自在に保持する保持部を有する架台本体；
    　Ｂ．前記保持部に設けられ、前記チャンバに対する前記ターゲット生成装置の相対位置を調整するターゲット位置調整部；及び
    　Ｃ．前記架台本体を少なくとも水平方向に移動する移動機構。
  2. 　請求項１に記載の架台であって、
    　前記ターゲット位置調整部は、液滴の射出軸に直交する２方向に前記ターゲット生成装置を移動させるステージである。
  3. 　請求項１に記載の架台であって、
    　前記移動機構は、前記架台本体に設けられたスライダと、前記スライダが摺動自在に係合するリニアレールとを含む。
  4. 　請求項１に記載の架台であって、さらに以下を備える：
    　Ｄ．前記ターゲット生成装置の姿勢を変化させる姿勢可変機構。
  5. 　請求項４に記載の架台であって、
    　前記姿勢可変機構は、前記保持部を回転させる回転軸により構成される。
  6. 　請求項５に記載の架台であって、
    　前記姿勢可変機構は、前記ターゲット生成装置を、液滴の射出軸が垂直方向となる姿勢に位置決めする位置決め部材を含む。
  7. 　請求項６に記載の架台であって、
    　前記位置決め部材は、前記架台本体に設けられ、前記保持部が当接するブラケットである。
  8. 　請求項１に記載の架台であって、さらに以下を備える：
    　Ｅ．前記ターゲット位置調整部の前記チャンバに対する接続位置を調整するアライメント調整機構。
  9. 　請求項８に記載の架台であって、
    　前記保持部は、第１の部材と、前記第１の部材とは分離され、前記ターゲット位置調整部及び前記ターゲット生成装置を保持する第２の部材とを含み、
    　前記アライメント調整機構は、前記第１の部材と前記第２の部材とを接続する固定ボルトと、前記第１の部材と前記第２の部材との間に配置される調整シムとを含む。
  10. 　請求項９に記載の架台であって、
    　前記固定ボルトは、前記第１の部材と前記第２の部材とを垂直方向に接続する第１の固定ボルトと、前記第１の部材と前記第２の部材とを水平方向に接続する第２の固定ボルトとを含み、
    　前記調整シムは、前記第１の固定ボルトにより接続される前記第１の部材と前記第２の部材との部分に介装される第１の調整シムと、前記第２の固定ボルトにより接続される前記第１の部材と前記第２の部材との部分に介装される第２の調整シムとを含む。
  11. 　請求項８に記載の架台であって、
    　前記アライメント調整機構は、前記保持部と前記ターゲット位置調整部との間に接続され、前記ターゲット位置調整部を押圧する押しボルトを含む。
  12. 　請求項１１に記載の架台であって、
    　前記押しボルトは、前記ターゲット位置調整部を、液滴の射出軸と直交する方向に押圧する。
  13. 　請求項１２に記載の架台であって、
    　前記押しボルトは、前記ターゲット位置調整部を前記射出軸と直交する第１の方向に押圧する第１の押しボルトと、前記ターゲット位置調整部を前記射出軸及び前記第１の方向と直交する第２の方向に押圧する第２の押しボルトとを含む。
  14. 　極端紫外光生成システムであって、以下を備える：
    　Ｆ．請求項１に記載の架台；及び
    　Ｇ．前記架台に保持された前記ターゲット生成装置が装着されるチャンバ。
  15. 　デバイスの製造方法であって、以下のステップを含む：
    　請求項１４に記載の極端紫外光生成システムから出力されるレーザ光によりワークピースに露光するステップ。
PCT/JP2018/009728 2018-03-13 2018-03-13 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法 WO2019175964A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020505984A JP7110323B2 (ja) 2018-03-13 2018-03-13 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法
PCT/JP2018/009728 WO2019175964A1 (ja) 2018-03-13 2018-03-13 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法
US16/985,148 US11061340B2 (en) 2018-03-13 2020-08-04 Mount, extreme ultraviolet light generation system, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/009728 WO2019175964A1 (ja) 2018-03-13 2018-03-13 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/985,148 Continuation US11061340B2 (en) 2018-03-13 2020-08-04 Mount, extreme ultraviolet light generation system, and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019175964A1 true WO2019175964A1 (ja) 2019-09-19

Family

ID=67906545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/009728 WO2019175964A1 (ja) 2018-03-13 2018-03-13 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11061340B2 (ja)
JP (1) JP7110323B2 (ja)
WO (1) WO2019175964A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001350000A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 中性子施設用ターゲット台車
JP2010080941A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2011029587A (ja) * 2009-01-14 2011-02-10 Gigaphoton Inc 極端紫外光源システム
JP2013069655A (ja) * 2011-03-30 2013-04-18 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
JP2013175431A (ja) * 2012-01-26 2013-09-05 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
JP2014010954A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置、チャンバ、および、極端紫外光生成装置
WO2016171158A1 (ja) * 2015-04-20 2016-10-27 三菱電機株式会社 レーザ装置及び極端紫外光生成装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4943121B2 (ja) 2006-11-07 2012-05-30 株式会社小松製作所 極端紫外光源装置及びコレクタミラー交換方法
JP2009006802A (ja) 2007-06-27 2009-01-15 Miura Co Ltd 親子台車
FI120418B (fi) 2007-12-27 2009-10-15 Sandvik Mining & Constr Oy Menetelmä ja laitteisto pienpanoslouhintaan
JP5393517B2 (ja) * 2010-02-10 2014-01-22 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP6057221B2 (ja) * 2011-04-05 2017-01-11 イーティーエイチ・チューリッヒ 液滴供給装置および該液滴供給装置を備える光源
JP6168797B2 (ja) * 2013-03-08 2017-07-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2016079838A1 (ja) * 2014-11-20 2016-05-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2017042974A1 (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2017130346A1 (ja) * 2016-01-28 2017-08-03 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2017154111A1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
WO2017163345A1 (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の重心位置の制御方法
WO2018092227A1 (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 ギガフォトン株式会社 ターゲット生成装置交換用台車、ターゲット生成装置交換システム、及びターゲット生成装置交換方法
JP6266817B2 (ja) * 2017-02-20 2018-01-24 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001350000A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 中性子施設用ターゲット台車
JP2010080941A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置
JP2011029587A (ja) * 2009-01-14 2011-02-10 Gigaphoton Inc 極端紫外光源システム
JP2013069655A (ja) * 2011-03-30 2013-04-18 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
JP2013175431A (ja) * 2012-01-26 2013-09-05 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
JP2014010954A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Gigaphoton Inc ターゲット供給装置、チャンバ、および、極端紫外光生成装置
WO2016171158A1 (ja) * 2015-04-20 2016-10-27 三菱電機株式会社 レーザ装置及び極端紫外光生成装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019175964A1 (ja) 2021-03-18
US11061340B2 (en) 2021-07-13
US20200363733A1 (en) 2020-11-19
JP7110323B2 (ja) 2022-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9429847B2 (en) Extreme ultraviolet light source apparatus
US8884257B2 (en) Chamber apparatus and extreme ultraviolet light generation system
KR101898750B1 (ko) 극자외선광 생성 장치
US8368032B2 (en) Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
Tichenor et al. System integration and performance of the EUV engineering test stand
US20130221247A1 (en) Collector mirror exchanging apparatus and method for extreme ultraviolet light source apparatus
US10455679B2 (en) Extreme ultraviolet light generation device
US10698316B2 (en) Target generation device replacement trolley, target generation device replacement system, and target generation device replacement method
KR101959369B1 (ko) 방사선 소스
JP7110323B2 (ja) 架台、極端紫外光生成システム、及びデバイスの製造方法
JP2022532840A (ja) 極端紫外光源の保護システム
US20230171869A1 (en) Hybrid droplet generator for extreme ultraviolet light sources in lithographic radiation systems
US11448967B2 (en) Target formation apparatus
WO2018229855A1 (ja) 極端紫外光生成装置
JP6976334B2 (ja) 極端紫外光生成装置及びメンテナンス方法
CN114271032A (zh) 用于在euv光源中进行源材料调节的激光系统

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18909681

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020505984

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18909681

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1