JP2013175431A - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】チャンバとレーザ光導入光学系との位置決め精度を向上する。
【解決手段】この極端紫外光生成装置は、ターゲット物質にレーザ光を照射して前記ターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、チャンバ基準部材と、前記チャンバ基準部材に固定され、少なくとも１つの窓が設けられたチャンバと、前記少なくとも１つの窓を通して前記チャンバ内に前記レーザ光を導入するためのレーザ光導入光学系と、前記レーザ光導入光学系を前記チャンバ基準部材に対して位置決めするように構成された位置決め機構と、を備えてもよい。
【選択図】図２Ｂ

Description

本開示は、極端紫外光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許出願公開第２０１０／００５１８３２号明細書 米国特許出願公開第２０１１／０１４１８６５号明細書 米国特許出願公開第２０１１／０１４０００８号明細書

概要

本開示の１つの観点に係る極端紫外光源装置は、ターゲット物質にレーザ光を照射して前記ターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、チャンバ基準部材と、前記チャンバ基準部材に固定され、少なくとも１つの窓が設けられたチャンバと、前記少なくとも１つの窓を通して前記チャンバ内に前記レーザ光を導入するためのレーザ光導入光学系と、前記レーザ光導入光学系を前記チャンバ基準部材に対して位置決めするように構成された位置決め機構と、を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。断面図においては当該断面内にある構成物を実線で記載し、当該断面の奥に見える構成物を破線で記載することがある。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２Ａは、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が露光装置に接続された状態を示す平面図である。 図２Ｂは、図２Ａに示すＥＵＶ光生成装置及び露光装置のＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図である。 図３Ａは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。 図３Ｂは、図３Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。 図４Ａは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。 図４Ｂは、図４Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。 図５Ａは、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。 図５Ｂは、図５Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＶＢ−ＶＢ線における断面図である。 図６Ａは、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。 図６Ｂは、図６Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面図である。 図７Ａは、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。 図７Ｂは、図７Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図である。 図８Ａは、第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図８Ｂは、図８Ａに示すチャンバ基準部材及びその内部のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図である。図８Ｃは、図８Ａに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す正面図である。図８Ｄは、図８Ｃに示すチャンバ基準部材及びその内部のＶＩＩＩＤ−ＶＩＩＩＤ線における断面図である。 図９Ａは、第８の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図９Ｂは、図９Ａに示すチャンバ基準部材及びその内部のＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面図である。図９Ｃは、図９Ａに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す正面図である。図９Ｄは、図９Ｃに示すチャンバ基準部材及びその内部のＩＸＤ−ＩＸＤ線における断面図である。 図１０Ａは、第９の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示すチャンバ基準部材及びその内部のＸＢ−ＸＢ線における断面図である。図１０Ｃは、図１０Ａに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す平面図である。図１０Ｄは、図１０Ｃに示すチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図１０Ｅは、図１０Ｄに示すチャンバ基準部材及びその内部のＸＥ−ＸＥ線における断面図である。 図１１Ａは、第１０の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部と移動機構とを示す一部断面図である。 図１１Ｂは、図１１Ａに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す一部断面図である。 図１２Ａは、第１１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部と移動機構とを示す一部断面図である。 図１２Ｂは、図１２Ａに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す一部断面図である。 図１３Ａは、第１２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。 図１３Ｂは、図１３Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線における断面図である。 図１４は、第１２の実施形態において用いられるレーザ光計測器の構成例を示す。 図１５Ａは、第１３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。 図１５Ｂは、図１５Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＸＶＢ−ＸＶＢ線における断面図である。

実施形態

＜内容＞
１．概要
２．極端紫外光生成システムの全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．レーザ光導入光学系を位置決めしたＥＵＶ光生成システム（第１の実施形態）
３．１ 構成
３．２ 動作
４．位置決め機構の例
４．１．第２の実施形態
４．２．第３の実施形態
４．３．第４の実施形態
５．光学素子の例
５．１．第５の実施形態
５．２．第６の実施形態
６．移動機構の例
６．１．第７の実施形態
６．２．第８の実施形態
６．３．第９の実施形態
６．４．第１０の実施形態
６．５．第１１の実施形態
７．プリパルスレーザが用いられるＥＵＶ光生成システム（第１２の実施形態）
７．１．構成及び動作
７．２．レーザ光計測器の詳細
８．レーザ光導入光学系を箱に収容したＥＵＶ光生成システム（第１３の実施形態）

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置では、レーザ装置から出力されるレーザ光を、チャンバ内のターゲット物質に集光して照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化してもよい。プラズマからは、ＥＵＶ光を含む光が放射されてもよい。放射されたＥＵＶ光は、チャンバ内に配置されたＥＵＶ集光ミラーによって集光され、露光装置等の外部装置に出力されてもよい。

チャンバ内にレーザ光を導入するための光学系（レーザ光導入光学系）は、高精度に位置決めすることが望ましい。レーザ光導入光学系の位置決め精度が低いと、レーザ光をターゲット物質に照射できず、ＥＵＶ光の出力が不安定となり得る。

本開示の１つの観点によれば、基準部材にチャンバを固定するとともに、その基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めすることにより、チャンバとレーザ光導入光学系との位置決め精度を向上してもよい。

２．極端紫外光生成システムの全体説明
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点が、プラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が、中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、レーザ光３３を通過させるための貫通孔２４が設けられてもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御装置５及びターゲットセンサ４をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットの存在、軌道、位置、速度等を検出してもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置されるのが好ましい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学系と、この光学系の配置、姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。

２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経て、レーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２内に入射してもよい。レーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、レーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、レーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。レーザ光３３が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、レーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御装置５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御装置５は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御装置５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、レーザ光３２の進行方向、レーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

３．レーザ光導入光学系を位置決めしたＥＵＶ光生成システム（第１の実施形態）
３．１ 構成
図２Ａは、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置が露光装置に接続された状態を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示すＥＵＶ光生成装置及び露光装置のＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図である。

図２Ａ及び図２Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１は、設置機構７と、チャンバ基準部材９と、チャンバ２とを含んでもよい。図２Ｂに示す床の表面が、ＥＵＶ光生成装置１及び露光装置６等が設置される基準面とされてもよい。基準面である床の表面上に設置された設置機構７によってチャンバ基準部材９が支持されてもよい。設置機構７は、チャンバ基準部材９を移動させる機構を含んでもよく、設置機構７によって、チャンバ基準部材９とＥＵＶ光生成装置１のチャンバ２とが露光装置６に対して移動可能となってもよい。設置機構７は、チャンバ基準部材９を位置決めする機構を含んでもよく、設置機構７によってチャンバ基準部材９が露光装置６に対して位置決めされて接続されてもよい。

チャンバ２は、略円筒形状を有してもよく、略円筒形状を有するチャンバ２の軸方向の一端の開口がチャンバ基準部材９によって塞がれるように、チャンバ基準部材９上に搭載されてもよい。例えば、チャンバ基準部材９に傾斜面が形成され、チャンバ２がチャンバ基準部材９の傾斜面に固定されてもよい。略円筒形状を有するチャンバ２の軸方向は、プラズマ生成領域２５と中間集光点２９２とを結ぶ仮想的軸に沿う方向であってもよい。略円筒形状を有するチャンバ２の軸方向の他端には、接続部２９が接続されてもよい。

チャンバ２には、ターゲット供給装置２６（図１）が取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６は、チャンバ２に固定されてもよく、プラズマ生成領域２５にターゲットを供給するよう構成されてもよい。

チャンバ２内には、ＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、好ましくは、ＥＵＶ集光ミラーホルダ２３ａを介してチャンバ基準部材９に固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３をチャンバ基準部材９に固定することにより、チャンバ基準部材９を基準としてＥＵＶ集光ミラー２３の位置、姿勢等の精度が高められると共に、ＥＵＶ集光ミラー２３の位置、姿勢等の変動が抑制され得る。チャンバ基準部材９を図示しないストッパーに押し付ける等して、露光装置６に対するチャンバ基準部材９の位置を正確に調整することにより、露光装置６に対するＥＵＶ集光ミラー２３の位置も正確に調整され得る。

チャンバ基準部材９内には、貫通孔を介してチャンバ２内部に連通する収納室９ａと、収納室９ａに隣接する収納室９ｂとが形成されてもよい。収納室９ａと収納室９ｂとの間には、ウインドウ３８が設けられてもよい。これにより、チャンバ２内の圧力が低圧に維持されると共に、チャンバ２内のガスが密閉されてもよい。収納室９ｂは、蓋９ｃによって密閉可能であってもよい。

収納室９ａ内には、高反射ミラー６１とレーザ光集光ミラー６２とを含むレーザ光集光光学系が配置されてもよい。収納室９ｂ内には、ビームスプリッタ５２と高反射ミラー５３とを含むレーザ光導入光学系が配置されてもよい。収納室９ｂ内には、さらにレーザ光計測器３７が配置されてもよい。

高反射ミラー６１とレーザ光集光ミラー６２とを含むレーザ光集光光学系は、それぞれのホルダによってチャンバ基準部材９に位置決めされて固定されることが望ましい。これにより、ＥＵＶ集光ミラー２３に対するレーザ光集光光学系の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、レーザ光集光光学系の位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光集光光学系によってレーザ光が集光される位置が、ＥＵＶ集光ミラー２３に対して正確に設定され得る。レーザ光集光ミラー６２は、軸外放物面ミラーでもよい。

ビームスプリッタ５２と高反射ミラー５３とを含むレーザ光導入光学系は、チャンバ基準部材９に位置決めされて固定されることが望ましい。これにより、レーザ光集光光学系に対するレーザ光導入光学系の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、レーザ光導入光学系の位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光がレーザ光集光光学系に入射する位置、角度等が正確に設定され得る。

加えて、レーザ光計測器３７も、チャンバ基準部材９に位置決めされて固定されることが望ましい。これにより、レーザ光導入光学系に対するレーザ光計測器３７の相対的な位置、姿勢等の精度が高められると共に、位置、姿勢等の変動が抑制され得る。従って、レーザ光導入光学系を介してレーザ光計測器３７へ供給されるレーザ光の断面強度プロファイル、ポインティング、ダイバージェンス等をその計測器により正確に計測することが可能となる。

ビームスプリッタ５２、高反射ミラー５３及びレーザ光計測器３７は、位置決め機構１０によってチャンバ基準部材９に位置決めされて固定されてもよい。位置決め機構１０の具体例を次の実施形態以降に記載したが、ビームスプリッタ５２等の光学素子を位置決めする機構であればよく、その構成は特に実施形態に例示した構成に限定されない。

チャンバ基準部材９には、フレキシブル管６８を介して光路管６６が取り付けられてもよい。光路管６６には、高反射ミラー６７１及び６７２が配置されてもよい。光路管６６は、レーザ装置３に接続されていてもよい。

露光装置６は、複数の高反射ミラー６ａ〜６ｄを含む反射光学系として構成されてもよい。露光装置６には、マスクテーブルＭＴと、ワークピーステーブルＷＴとが設置されてもよい。露光装置６は、マスクテーブルＭＴ上のマスクにＥＵＶ光を照射し、マスクの像をワークピーステーブルＷＴ上のワークピース（半導体ウエハ等）に投影してもよい。ここで、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同時に平行移動させることにより、マスクのパターンがワークピース上に転写され得る。

３．２ 動作
レーザ装置３から出力されるレーザ光が、高反射ミラー６７１及び６７２によって反射されることにより、レーザ光がチャンバ基準部材９の収納室９ｂに向けて供給されてもよい。

収納室９ｂ内に供給されたレーザ光は、レーザ光導入光学系を構成するビームスプリッタ５２に入射してもよい。ビームスプリッタ５２は、入射したレーザ光を高い反射率で高反射ミラー５３に向けて反射すると共に、入射したレーザ光の一部をレーザ光計測器３７に向けて透過させてもよい。高反射ミラー５３は、ビームスプリッタ５２によって反射されたレーザ光を反射することにより、ウインドウ３８を介して収納室９ａ内にレーザ光を導入してもよい。

収納室９ａ内に導入されたレーザ光は、レーザ光集光光学系を構成する高反射ミラー６１に入射してもよい。高反射ミラー６１は、入射したレーザ光をレーザ光集光ミラー６２に向けて反射してもよい。レーザ光集光ミラー６２は、高反射ミラー６１によって反射されたレーザ光を反射してプラズマ生成領域２５に集光してもよい。プラズマ生成領域２５において、ターゲット供給装置２６（図１）から供給されるターゲットにレーザ光が照射されることにより、そのターゲットがプラズマ化し、ＥＵＶ光を含む放射光が生成され得る。

上述のように、第１の実施形態においては、ビームスプリッタ５２と高反射ミラー５３とを含むレーザ光導入光学系を位置決め機構１０によってチャンバ基準部材９に位置決めしてもよい。従って、レーザ光集光光学系に対するレーザ光導入光学系の相対的な位置、姿勢等の精度が高められ得る。さらに、プラズマ生成領域２５の位置に対するレーザ光導入光学系の相対的な位置、姿勢等の精度も高められ得る。従って、レーザ光をターゲットに精度よく照射し、ＥＵＶ光の出力を安定化し得る。

４．位置決め機構の例
４．１．第２の実施形態
図３Ａは、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。

図３Ａ及び図３Ｂに示すように、ビームスプリッタ５２、高反射ミラー５３及びレーザ光計測器３７をチャンバ基準部材９に位置決めするための位置決め機構１０は、支持プレート１０ａを含んでもよい。支持プレートは一枚であってもよい。支持プレート１０ａの上面には、ビームスプリッタ５２、高反射ミラー５３及びレーザ光計測器３７が、それぞれのホルダを介して支持されてもよい。レーザ光計測器３７のホルダは図示されていない。支持プレート１０ａの下面には、３つの脚部７１〜７３が取り付けられていてもよい。脚部７１〜７３は、３箇所で支持プレート１０ａを支持してもよい。脚部７１〜７３の下端はそれぞれ半球状でもよい。望ましくは、脚部７１は、ビームスプリッタ５２の位置の直下に設けられてもよい。また、脚部７２は、脚部７１から見て、ビームスプリッタ５２から高反射ミラー５３へのレーザ光の進行方向（Ｘ軸方向）側に離れた位置に設けられてもよい。脚部７２は、レーザ光の光軸の直下に位置するように設けられてもよい。脚部７３の設置位置は、ビームスプリッタ５２と高反射ミラー５３とを結ぶＸ方向の仮想的な直線からＹ方向へ離れた位置であってもよい。

位置決め機構１０は、脚部７１〜７３がそれぞれ載置されるマウント８１〜８３を含んでもよい。マウント８１〜８３は、チャンバ基準部材９の収納室９ｂ内に固定されていてもよい。脚部７１〜７３がマウント８１〜８３にそれぞれ載置されることにより、支持プレート１０ａがチャンバ基準部材９に支持されてもよい。

マウント８１の上面には、円錐状の窪みが形成されてもよい。マウント８２の上面には、断面がＶ字状の溝が形成されてもよい。マウント８２の溝は、ビームスプリッタ５２から高反射ミラー５３へのレーザ光の光軸と平行な方向（Ｘ軸方向）に形成されてもよい。マウント８３の上面は、平面状になっていてもよい。なお、図３Ｂとは逆にマウント８１の上面にはＶ字状の溝が形成され、マウント８２の上面には円錐状の窪みが形成されてもよい。

円錐状の窪みを有するマウント８１に脚部７１が載置されることにより、脚部７１がＸＹ平面内の方向には動き難くなり得る。脚部７２が断面Ｖ字状の溝を有するマウント８２に載置されることにより、脚部７２は、マウント８２の溝に沿った方向に移動できるように支持され得る。すなわち、脚部７２は、ビームスプリッタ５２から高反射ミラー５３へのレーザ光の進行方向（Ｘ軸方向）に沿った方向に移動できるように支持され得る。脚部７３は、マウント８３に載置されることにより、マウント８３の上面に沿って移動できるように支持され得る。すなわち、脚部７３は、重力方向（Ｚ軸方向）と交差する面内において移動できるように支持され得る。

以上の構成によれば、支持プレート１０ａが熱により膨張または変形した場合でも、収納室９ｂ内部でのレーザ光進行方向が変動することが抑制され得る。これにより、レーザ光集光光学系及びプラズマ生成領域２５に対するレーザ光導入光学系等の相対的な位置、姿勢等の精度が高められ得る。従って、レーザ光をターゲットに精度よく照射し、ＥＵＶ光の出力を安定化し得る。
その他の点については第１の実施形態と同様でよい。

４．２．第３の実施形態
図４Ａは、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。図４Ｂは、図４Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。

第３の実施形態においては、位置決め機構１０を構成する支持プレート１０ａの下面に、ビームスプリッタ５２、高反射ミラー５３及びレーザ光計測器３７が、それぞれのホルダを介して支持されてもよい。高反射ミラー５３を支持するホルダには、レーザ光を通過させる貫通孔５４が形成されていてもよい。支持プレート１０ａの上面には、脚部７１〜７３（図３Ｂ）の代わりに吊下部７１ｂ〜７３ｂが取り付けられていてもよい。吊下部７１ｂ〜７３ｂはそれぞれ半球状の突起部を有してもよい。望ましくは、吊下部７１ｂの半球状の突起部は、ビームスプリッタ５２の位置の直上に設けられてもよい。また、吊下部７２ｂの半球状の突起部は、吊下部７１ｂから見て、ビームスプリッタ５２から高反射ミラー５３へのレーザ光の進行方向（Ｘ軸方向）側に離れた位置に設けられてもよい。吊下部７２ｂの半球状の突起部は、レーザ光の光軸の直上に位置するように設けられてもよい。吊下部７３ｂの設置位置は、ビームスプリッタ５２と高反射ミラー５３とを結ぶＸ方向の仮想的な直線からＹ方向へ離れた位置であってもよい。

位置決め機構１０は、吊下部７１ｂ〜７３ｂがそれぞれ載置されるマウント８１ｂ〜８３ｂを含んでもよい。マウント８１ｂ〜８３ｂは、チャンバ基準部材９の収納室９ｂ内に吊下げられた状態で固定されていてもよい。吊下部７１ｂ〜７３ｂがマウント８１ｂ〜８３ｂにそれぞれ載置されることにより、支持プレート１０ａがチャンバ基準部材９に支持されてもよい。

マウント８１ｂの上面には、円錐状の窪みが形成されてもよい。マウント８２ｂの上面には、断面がＶ字状の溝が形成されてもよい。マウント８２ｂの溝は、ビームスプリッタ５２から高反射ミラー５３へのレーザ光の光軸と平行な方向（Ｘ軸方向）に形成されてもよい。マウント８３ｂの上面は、平面状になっていてもよい。なお、図４Ｂとは逆にマウント８１ｂの上面にはＶ字状の溝が形成され、マウント８２ｂの上面には円錐状の窪みが形成されてもよい。
その他の点については第２の実施形態と同様でよい。

４．３．第４の実施形態
図５Ａは、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。図５Ｂは、図５Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＶＢ−ＶＢ線における断面図である。
第４の実施形態において、位置決め機構１０のマウント８１ｃ〜８３ｃの上面は、平面状になっていてもよい。

支持プレート１０ａのＹＺ平面に平行な側面には、２つの当接部材７４ｃ及び７５ｃが取り付けられていてもよい。当接部材７４ｃの側面には、断面がＶ字状の溝が形成されてもよい。当接部材７４ｃに形成された溝は、重力方向（Ｚ方向）に沿った方向に形成されていてもよい。当接部材７５ｃの側面は、平面状になっていてもよい。

位置決め機構１０は、円柱状のストッパー８４ｃ及び８５ｃを含んでもよい。ストッパー８４ｃ及び８５ｃは、それらの軸方向が重力方向と一致するような姿勢で、それらの各底面がチャンバ基準部材９の収納室９ｂ内に固定されていてもよい。図５Ｂでは当接部材７５ｃと円柱状のストッパー８５ｃの図示が省略されている。

下端が半球状である脚部７１〜７３がマウント８１ｃ〜８３ｃの平面状の上面にそれぞれ載置されることにより、支持プレート１０ａは重力方向（Ｚ方向）には動き難く、且つＸ軸周りの回転やＹ軸周りの回転はし難くなり得る。断面Ｖ字状の溝を有する当接部材７４ｃが円柱状のストッパー８４ｃに押し付けられることにより、支持プレート１０ａは、ストッパー８４ｃの位置を中心としてＸＹ平面に平行に回転できるように支持され得る。当接部材７５ｃがストッパー８５ｃに押し付けられることにより、支持プレート１０ａが位置決めされ得る。

支持プレート１０ａの側面には、当接部材７４ｃと当接部材７５ｃとの間の位置に、弾性部材７６ｃが取り付けられてもよい。弾性部材７６ｃは、ばねでもよい。当接部材７４ｃ及び７５ｃがそれぞれストッパー８４ｃ及び８５ｃに押し付けられた時に、弾性部材７６ｃがチャンバ基準部材９の収納室９ｂ内に固定されたストッパー８６ｃに押し付けられてもよい。これにより、当接部材７４ｃ及び７５ｃがそれぞれストッパー８４ｃ及び８５ｃに押し付けられた時の衝撃を吸収し得る。

また、支持プレート１０ａの側面には、弾性部材７６ｃと反対側の位置に、弾性部材７７ｃが取り付けられてもよい。弾性部材７７ｃは、ばねでもよい。蓋９ｃによって収納室９ｂを密閉した時に、蓋９ｃに固定された押圧部材８７ｃが弾性部材７７ｃを押圧してもよい。これにより、蓋９ｃによって収納室９ｂを密閉した時に、当接部材７４ｃ及び７５ｃをそれぞれストッパー８４ｃ及び８５ｃに押し付け得る。これにより、支持プレート１０ａに支持されたレーザ光導入光学系がチャンバ基準部材９に位置決めされ得る。
その他の点については第２の実施形態と同様でよい。

５．光学素子の例
５．１．第５の実施形態
図６Ａは、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。図６Ｂは、図６Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面図である。

チャンバ基準部材９には、チャンバ２に連通する収納室９ａ（図２Ｂ）が形成されずに、収納室９ｂが形成されてもよい。チャンバ基準部材９に、ウインドウ３８が設けられることにより、収納室９ｂとチャンバ２との間が密封されるとともに、収納室９ｂからチャンバ２にレーザ光が透過し得るように構成されていてもよい。

収納室９ｂに配置される位置決め機構１０の支持プレート１０ａには、レーザ光集光光学系６３が、ホルダ６３１を介して支持されてもよい。レーザ光集光光学系６３は、少なくとも１つのレンズ、少なくとも１つのミラー又はこれらの組合せを含んでもよい。
支持プレート１０ａを支持するための脚部７１等の配置は、第２の実施形態と同様でもよい。

第５の実施形態においては、ビームスプリッタ５２及び高反射ミラー５３を含むレーザ光導入光学系と、レーザ光集光光学系６３とを、まとめて位置決め機構１０によってチャンバ基準部材９に位置決めしてもよい。これにより、プラズマ生成領域２５に対するレーザ光集光光学系及びレーザ光導入光学系の相対的な位置、姿勢等の精度が高められ得る。従って、レーザ光をターゲットに精度よく照射し、ＥＵＶ光の出力を安定化し得る。
その他の点については、第２の実施形態と同様でよい。なお、マウント８１の上面にはＶ字状の溝が形成され、マウント８２の上面には円錐状の窪みが形成されるようにしてもよい。

５．２．第６の実施形態
図７Ａは、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。図７Ｂは、図７Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図である。

第６の実施形態においては、位置決め機構１０を構成する支持プレート１０ａの上面に、戻り光計測器３９がホルダを介して支持されてもよい。戻り光計測器３９は、ビームスプリッタ５２の位置から見て、高反射ミラー５３とはＸ方向の反対側の位置に配置されてもよい。プラズマ生成領域２５からの戻り光が、高反射ミラー５３及びビームスプリッタ５２を介して戻り光計測器３９の受光面に入射してもよい。プラズマ生成領域２５からの戻り光は、ターゲットによって反射されたレーザ光の一部を含んでもよい。ビームスプリッタ５２と戻り光計測器３９の受光面との間に結像光学系（図示せず）が配置されてもよく、結像光学系は、戻り光計測器３９の受光面に、レーザ光を照射されたターゲットの像が結像するように構成されてもよい。戻り光計測器３９によって戻り光を計測することにより、ターゲットにレーザ光が所望のフォーカス状態（例えば、ベストフォーカス）で照射されたか否かが判定されてもよい。

脚部７１は、高反射ミラー５３の位置の直下に設けられてもよい。また、脚部７２は、戻り光計測器３９の位置の直下に設けられてもよい。
第６の実施形態においては、ビームスプリッタ５２及び高反射ミラー５３を含むレーザ光導入光学系と、戻り光計測器３９とを、まとめて位置決め機構１０によってチャンバ基準部材９に位置決めしてもよい。これにより、プラズマ生成領域２５からの戻り光を正確に計測し得る。
その他の点については、第２の実施形態と同様でよい。なお、図７Ｂとは逆にマウント８１の上面にはＶ字状の溝が形成され、マウント８２の上面には円錐状の窪みが形成されてもよい。

６．移動機構の例
６．１．第７の実施形態
図８Ａは、第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図８Ｂは、図８Ａに示すチャンバ基準部材及びその内部のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図である。図８Ｃは、図８Ａに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す正面図である。図８Ｄは、図８Ｃに示すチャンバ基準部材及びその内部のＶＩＩＩＤ−ＶＩＩＩＤ線における断面図である。

図８Ａ〜図８Ｄに示すように、チャンバ基準部材９の収納室９ｂには、一対のレール４１及び４２と、駆動機構４３及び４４と、を含む移動機構が設けられてもよい。一対のレール４１及び４２は、互いに平行に且つ同じ高さで配置されていてもよい。駆動機構４３及び４４は、レール４１及び４２をそれぞれ同じ距離だけ上下動させるように構成されてもよい。一方、支持プレート１０ａには、レール４１に沿って移動可能な車輪１０１ａ及び１０１ｂと、レール４２に沿って移動可能な車輪１０２ａ及び図示しないもう１つの車輪とが設けられてもよい。

支持プレート１０ａの下面には、脚部７１〜７３が取り付けられていてもよい。チャンバ基準部材９の収納室９ｂ内に、脚部７１〜７３がそれぞれ載置されるマウント８１〜８３が固定されていてもよい。マウント８１の上面には、円錐状の窪みが形成されてもよい。マウント８２の上面には、断面がＶ字状の溝が形成されてもよい。マウント８３の上面は、平面状になっていてもよい。

車輪１０１ａ、１０１ｂ及び１０２ａ等をレール４１及び４２に沿って移動させることにより、支持プレート１０ａが移動し得る。支持プレート１０ａの脚部７１がマウント８１の上方に達した時に、駆動機構４３及び４４がそれぞれレール４１及び４２を下降させてもよい（図８Ｃ及び図８Ｄ）。これにより、脚部７１〜７３が各々マウント８１〜８３に載置され、ビームスプリッタ５２及び高反射ミラー５３を含むレーザ光導入光学系がチャンバ基準部材９に位置決めされてもよい。その後、蓋９ｃ（図３Ｂ）によって収納室９ｂが密閉されてもよい。

レーザ光導入光学系の交換その他のメンテナンス時には、駆動機構４３及び４４がレール４１及び４２を上昇させてもよい。その後、支持プレート１０ａをレール４１及び４２に沿って移動させることにより、ビームスプリッタ５２及び高反射ミラー５３を含むレーザ光導入光学系を収納室９ｂ内部から外部へ取り出すことができる。

第７の実施形態によれば、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材９に位置決めする作業、及び、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材９から取り出す作業の負荷を軽減し得る。
その他の点については、第２の実施形態と同様でよい。

６．２．第８の実施形態
図９Ａは、第８の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図９Ｂは、図９Ａに示すチャンバ基準部材及びその内部のＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面図である。図９Ｃは、図９Ａに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す正面図である。図９Ｄは、図９Ｃに示すチャンバ基準部材及びその内部のＩＸＤ−ＩＸＤ線における断面図である。

第８の実施形態においては、駆動機構４３及び４４（図８Ａ〜図８Ｄ）によってレール４１及び４２を上下動させる代わりに、車輪１０１ａ、１０１ｂ及び１０２ａ等に対して支持プレート１０ａを相対的に上下動させてもよい。レール４１，４２は互いに平行に、且つそれぞれが収納室９ｂ内部の底面に固定されていてもよい。
支持プレート１０ａには、駆動機構１０３ａ及び１０３ｂ、１０４ａ及び図示しないもう１つの駆動機構が設けられてもよい。これらの駆動機構は、車輪１０１ａ、１０１ｂ、１０２ａ及び図示しないもう１つの車輪に対して支持プレート１０ａを上下動させるように構成されてもよい。

車輪１０１ａ、１０１ｂ及び１０２ａ等をレール４１及び４２に沿って移動させることにより、支持プレート１０ａが移動し得る。支持プレート１０ａの脚部７１がマウント８１の上方に達した時に、駆動機構１０３ａ、１０３ｂ及び１０４ａ等が支持プレート１０ａを引き下げてもよい（図９Ｃ及び図９Ｄ）。これにより、支持プレート１０ａが下降し、脚部７１〜７３が各々マウント８１〜８３に載置され、ビームスプリッタ５２及び高反射ミラー５３を含むレーザ光導入光学系がチャンバ基準部材９に位置決めされてもよい。その後、蓋９ｃ（図３Ｂ）によって収納室９ｂが密閉されてもよい。このとき、車輪１０１ａ、１０１ｂ及び１０２ａ等はレール４１及び４２と接触していなくともよい。

レーザ光導入光学系の交換その他のメンテナンス時には、駆動機構１０３ａ、１０３ｂ及び１０４ａ等が支持プレート１０ａを押し上げることにより、支持プレート１０ａを上昇させてもよい。その後、支持プレート１０ａをレール４１及び４２に沿って移動させることにより、ビームスプリッタ５２及び高反射ミラー５３を含むレーザ光導入光学系を収納室９ｂ内部から外部へ取り出すことができる。
その他の点については、第７の実施形態と同様でよい。

６．３．第９の実施形態
図１０Ａは、第９の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示すチャンバ基準部材及びその内部のＸＢ−ＸＢ線における断面図である。図１０Ｃは、図１０Ａに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す平面図である。図１０Ｄは、図１０Ｃに示すチャンバ基準部材及びその内部の正面図である。図１０Ｅは、図１０Ｄに示すチャンバ基準部材及びその内部のＸＥ−ＸＥ線における断面図である。

図１０Ａ〜図１０Ｅに示すように、チャンバ基準部材９の収納室９ｂには、一対のレール４１及び４２を含む移動機構が設けられてもよい。それらのレールは互いに平行、且つ同じ高さに設置されていてもよい。一方、支持プレート１０ａには、レール４１に沿って移動可能な複数の車輪１０１ｃ及び１０１ｄと、レール４２に沿って移動可能な複数の車輪１０２ｃ及び１０２ｄとが設けられてもよい。車輪１０１ｃ及び１０２ｃがレール４１及び４２上を移動し、車輪１０１ｄ及び１０２ｄがレール４１及び４２の側面を移動することにより、支持プレート１０ａが移動可能とされてもよい。このとき、車輪１０１ｄとレール４１の側面との間、及び、車輪１０２ｄとレール４２の側面との間には、僅かな隙間が生じてもよい。

支持プレート１０ａの下面には、脚部７１ｅ〜７３ｅが取り付けられていてもよい。脚部７１ｅ〜７３ｅの下端には、それぞれボールベアリングが設けられていてもよい。上面が平面状であるマウント８１ｅ〜８３ｅには、傾斜部８１ｆ〜８３ｆが隣接していてもよい。

支持プレート１０ａを図１０Ｂの右方向に移動させると、脚部７１ｅ〜７３ｅがそれぞれ傾斜部８１ｆ〜８３ｆの傾斜面に接触し得る（図１０Ａ及び図１０Ｂ）。そのまま支持プレート１０ａを移動させると、脚部７１ｅ〜７３ｅがそれぞれ傾斜部８１ｆ〜８３ｆの傾斜面に乗り上げ得る。そして、車輪１０１ｃ及び１０２ｃがそれぞれレール４１及び４２から離れ得る。一方、車輪１０１ｄ及び１０２ｄはそれぞれレール４１及び４２の側面に接触しながら移動してもよい。そのままさらに支持プレート１０ａを移動させると、脚部７１ｅ〜７３ｅがそれぞれ傾斜部８１ｆ〜８３ｆの傾斜面を移動し、上面が平面状であるマウント８１ｅ〜８３ｅに到達し得る。そして、第４の実施形態で説明したように、当接部材７４ｃ及び７５ｃがストッパー８４ｃ及び８５ｃにそれぞれ押し付けられることにより、ビームスプリッタ５２及び高反射ミラー５３を含むレーザ光導入光学系が位置決めされ得る（図１０Ｃ〜図１０Ｅ）。このとき、当接部材７４ｃ及び７５ｃがストッパー８４ｃ及び８５ｃにそれぞれ押し付けられて位置決めされるので、車輪１０１ｄ及び１０２ｄはレール４１及び４２の側面にそれぞれ接触していなくともよい。
その他の点についても、第４の実施形態と同様でよい。

６．４．第１０の実施形態
図１１Ａは、第１０の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部と移動機構とを示す一部断面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す一部断面図である。

図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１の移動機構は、台車１１０を含んでもよい。台車１１０は、台車フレーム１１１と、車輪１１２と、支柱１１３と、レール１１４と、駆動部１１５と、支持部１１６と、を備えてもよい。

台車フレーム１１１には、複数の車輪１１２が設けられていてもよい。車輪１１２が床の上を転がることにより、台車１１０が床の上を移動可能であってもよい。支柱１１３は、床面に対して略垂直となるように台車フレーム１１１に固定されていてもよい。駆動部１１５は、レール１１４を、台車フレーム１１１に対して上下動させてもよい。レール１１４は、床面に対して略水平となる姿勢を維持しつつ、台車フレーム１１１に対して上下動可能となるように、移動方向を支柱１１３によって規制されてもよい。支持部１１６は、レール１１４に沿って移動可能であってもよい。支持部１１６は、その上に支持プレート１０ａを保持してもよい。

支持プレート１０ａを保持した支持部１１６がレール１１４に沿って移動することにより、支持プレート１０ａが移動可能とされてもよい。支持プレート１０ａがレール１１４に沿って移動し、脚部７１〜７３がそれぞれマウント８１〜８３の上方に達した時に、駆動部１１５がレール１１４を下降させてもよい（図１１Ｂ）。これにより、脚部７１〜７３がそれぞれマウント８１〜８３に載置され、ビームスプリッタ５２及び高反射ミラー５３を含むレーザ光導入光学系が位置決めされてもよい。その後、駆動部１１５がレール１１４をさらに下降させてもよい。そして、支持プレート１０ａを支持部１１６から分離し、台車１１０を取り去ってもよい。

レーザ光導入光学系の交換その他のメンテナンス時には、台車１１０を図１１Ｂの位置に設置してもよく、駆動部１１５がレール１１４を上昇させてもよい。その後、支持プレート１０ａを保持した支持部１１６をレール１１４に沿って移動させることにより、ビームスプリッタ５２及び高反射ミラー５３を含むレーザ光導入光学系を収納室９ｂ内部から外部へ取り出すことができる。

第１０の実施形態によれば、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材９に位置決めする作業、及び、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材９から取り出す作業の負荷を軽減し得る。
その他の点については、第２の実施形態と同様でよい。なお、図１１Ｂとは逆にマウント８１の上面にはＶ字状の溝が形成され、マウント８２の上面には円錐状の窪みが形成されてもよい。

６．５．第１１の実施形態
図１２Ａは、第１１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のチャンバ基準部材及びその内部と移動機構とを示す一部断面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示すチャンバ基準部材にレーザ光導入光学系を位置決めした状態を示す一部断面図である。

図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、ＥＵＶ光生成装置１の移動機構は、台車１１０を含んでもよい。台車１１０の構成及び動作は、第１０の実施形態におけるものと同様でよい。
第１１の実施形態によれば、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材９に位置決めする作業、及び、レーザ光導入光学系をチャンバ基準部材９から取り出す作業の負荷を軽減し得る。
その他の点については、第３の実施形態と同様でよい。

７．プリパルスレーザが用いられるＥＵＶ光生成システム（第１２の実施形態）
７．１．構成及び動作
図１３Ａは、第１２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線における断面図である。

第１２の実施形態においては、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射してターゲットを拡散させ、この拡散したターゲットにメインパルスレーザ光を照射してターゲットをプラズマ化する方式が用いられてもよい。例えば、ＹＡＧレーザ装置から出力される波長１．０６μｍのレーザ光をプリパルスレーザ光として用い、炭酸ガス（ＣＯ_２）レーザ装置から出力される波長１０．６μｍのレーザ光をメインパルスレーザ光として用いてもよい。

ドロップレット状のターゲットの径やプリパルスレーザ光の光強度等の条件にもよるが、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射すると、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットの表面からプリプラズマが生成され得る。プリプラズマとは、ターゲットの内で、プリパルスレーザ光が照射された表面付近の部分がイオン又は中性粒子を含む蒸気になったものをいう。このようなプリプラズマが生成される現象を、レーザアブレーションともいう。
或いは、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射すると、ターゲットが破壊され得る。破壊されたターゲットは、プリプラズマの噴出による反力等によって拡散し得る。

このように、ターゲットに対するプリパルスレーザ光の照射により生成されたプリプラズマ及び破壊されたターゲットの内の少なくとも一方を含むターゲットを、本明細書では拡散ターゲットと称する。

プリパルスレーザ光の照射により生成された拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射することにより、拡散ターゲットがプラズマ化し得る。この方式によれば、メインパルスレーザ光のみでターゲットをプラズマ化してＥＵＶ光を含む光を生成する方式よりも、高い効率でＥＵＶ光を含む光を放出することが期待される。

図１３Ａに示すように、レーザ装置３ａ及びレーザ装置３ｂの一方がプリパルスレーザ光を出力するためのプリパルスレーザ装置であり、他方がメインパルスレーザ光を出力するためのメインパルスレーザ装置であってもよい。この実施形態ではレーザ装置３ａがプリパルスレーザ装置であり、レーザ装置３ｂがメインパルスレーザ装置である場合を例に説明する。レーザ装置３ａがメインパルスレーザ装置であり、レーザ装置３ｂがプリパルスレーザ装置である場合には、以下の説明においてプリパルスレーザ装置とメインパルスレーザ装置とを入れ替える。

チャンバ基準部材９には、フレキシブル管６８ａ及び６８ｂを介してそれぞれ光路管６６ａ及び６６ｂが取り付けられてもよい。光路管６６ａ内及び６６ｂ内には、それぞれ高反射ミラー６７ａ及び６７ｂが配置されてもよい。光路管６６ａ及び６６ｂは、それぞれレーザ装置３ａ及び３ｂに接続されていてもよい。

位置決め機構１０の支持プレート１０ａの上面には、ビームスプリッタ５８、高反射ミラー５９、ビームスプリッタ５２、高反射ミラー５３、レーザ光計測器３７、及び、戻り光計測器３９が、それぞれのホルダを介して支持されてもよい。円錐状の窪みを有するマウント８１に載置される脚部７１は、高反射ミラー５３の位置の直下に設けられてもよい。断面Ｖ字状の溝を有するマウント８２に載置される脚部７２は、高反射ミラー５９の位置の直下に設けられてもよい。なお、図１３Ｂとは逆にマウント８１の上面にはＶ字状の溝が形成され、マウント８２の上面には円錐状の窪みが形成されてもよい。

ビームスプリッタ５８は、プリパルスレーザ光を高い透過率で透過させてもよい。高反射ミラー５９は、メインパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。ビームスプリッタ５８を透過したプリパルスレーザ光は、ビームスプリッタ５２の第１の面（図１３Ａにおける右側の面）に入射してもよい。高反射ミラー５９によって反射されたメインパルスレーザ光は、ビームスプリッタ５２の第２の面（図１３Ａにおける左側の面）に入射してもよい。

ビームスプリッタ５２は、第１の面に入射したプリパルスレーザ光を高い反射率で高反射ミラー５３に向けて反射してもよい。また、ビームスプリッタ５２は、第１の面に入射したプリパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７に向けて透過させてもよい。

また、ビームスプリッタ５２は、第２の面に入射したメインパルスレーザ光を高い透過率で高反射ミラー５３に向けて透過させてもよい。また、ビームスプリッタ５２は、第２の面に入射したメインパルスレーザ光の一部をレーザ光計測器３７に向けて反射してもよい。

レーザ光計測器３７は、ビームスプリッタ５２を透過したプリパルスレーザ光に含まれる波長の光と、ビームスプリッタ５２によって反射されたメインパルスレーザ光に含まれる波長の光とに感度を持つ受光面を有してもよい。

ビームスプリッタ５２は、プリパルスレーザ光の進行方向とメインパルスレーザ光の進行方向とを略一致させるレーザ光結合器として機能してもよい。このようなビームスプリッタ５２の基板材料としては、ダイヤモンドが用いられてもよい。

高反射ミラー５３は、ビームスプリッタ５２によって反射されたプリパルスレーザ光と、ビームスプリッタ５２を透過したメインパルスレーザ光とを高い反射率で反射してもよい。

プリパルスレーザ光を出射した時から予め定めた時間だけ経過した後にメインパルスレーザ光が出射するように、レーザ装置３ａ及びレーザ装置３ｂが制御されてもよい。高反射ミラー５３によって順次反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、ウインドウ３８を高い透過率で透過してもよい。ウインドウ３８を透過したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、高反射ミラー６１によって高い反射率で反射されてもよい。高反射ミラー６１によって反射されたプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、レーザ光集光ミラー６２によって、それぞれプラズマ生成領域２５に集光されてもよい。ターゲットにプリパルスレーザ光を照射することによって拡散ターゲットが生成され、その後、この拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射することによって拡散ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光を含む光が放射され得る。

一方、プラズマ生成領域２５からの戻り光が、高反射ミラー５３、ビームスプリッタ５２及びビームスプリッタ５８を介して戻り光計測器３９の受光面に入射してもよい。ビームスプリッタ５８と戻り光計測器３９の受光面との間に結像光学系（図示せず）が配置されてもよく、結像光学系は、戻り光計測器３９の受光面に、プリパルスレーザ光を照射されたターゲットの像が結像するように構成されてもよい。戻り光計測器３９によって戻り光を計測することにより、ターゲットにプリパルスレーザ光が所望のフォーカス状態（例えば、ベストフォーカス）で照射されたか否かが判定されてもよい。
その他の点については、第２の実施形態と同様でよい。

第１２の実施形態によれば、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射してから拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射する場合においても、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光をターゲットに精度よく照射し得る。

７．２．レーザ光計測器の詳細
図１４は、第１２の実施形態において用いられるレーザ光計測器の構成例を示す。ビームスプリッタ５２の第１の面にはプリパルスレーザ光が入射し、ビームスプリッタ５２の第２の面にはメインパルスレーザ光が入射してもよい。プリパルスレーザ光はビームスプリッタ５２の第１の面で反射されてもよい。また、メインパルスレーザ光はビームスプリッタ５２を透過してもよい。ビームスプリッタ５２で反射されたプリパルスレーザ光及び、ビームスプリッタ５２を透過したメインパルスレーザ光はチャンバ２内に導入されてもよい。一方、プリパルスレーザ光の一部はビームスプリッタ５２を透過してもよい。また、メインパルスレーザ光の一部はビームスプリッタ５２の第２の面で反射されてもよい。ビームスプリッタ５２を透過したプリパルスレーザ光の一部及び、ビームスプリッタ５２で反射されたメインパルスレーザ光の一部はサンプル光として、ビームスプリッタ５２ａに入射してもよい。

サンプル光の光路上には、ビームスプリッタ５２ａと高反射ミラー５２ｂとが配置されてもよい。ビームスプリッタ５２ａは、プリパルスレーザ光を高い反射率で反射し、メインパルスレーザ光を高い透過率で透過させてもよい。高反射ミラー５２ｂは、メインパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。

ビームスプリッタ５２ａにおいて反射されたプリパルスレーザ光の光路には、ビームスプリッタ７８ａと、集光光学系７９ａと、転写光学系８０ａと、ビームプロファイラ５６ａ及び５７ａと、が配置されてもよい。

ビームスプリッタ７８ａは、サンプル光の一部を転写光学系８０ａに向けて透過させ、他の一部を集光光学系７９ａに向けて反射してもよい。転写光学系８０ａは、サンプル光の光路上の任意の位置Ａ１におけるビーム断面をビームプロファイラ５７ａの受光面に転写してもよい。ビームプロファイラ５７ａの設置位置は、転写光学系８０ａの焦点距離よりも、転写光学系８０ａから離れた位置であってもよい。集光光学系７９ａは、ビームスプリッタ７８ａによって反射された光を、ビームプロファイラ５６ａの受光面に集光してもよい。ビームプロファイラ５６ａの設置位置は、集光光学系７９ａから所定距離Ｆ離れた位置であってもよい。所定距離Ｆは、集光光学系７９ａの焦点距離でよい。

ビームプロファイラ５６ａ及び５７ａは、受光面にそれぞれ結像及び転写されたビームプロファイル（例えば光の強度分布）のデータを出力してもよい。ビームプロファイラ５７ａからの出力に基づいて、位置Ａ１におけるレーザ光のビーム幅が算出されてもよい。さらに、ビームプロファイラ５６ａからの出力に基づいて、集光されたサンプル光のスポット幅を算出してもよい。これらビームプロファイラ５６ａからの出力とビームプロファイラ５７ｂからの出力とにより、プリパルスレーザ光の進行方向及び波面の曲率が算出されてもよい。波面の曲率の計算に必要なデータは、ビームスプリッタ５２と５２ａとの間の任意の位置からビームプロファイラ５６ａまでの光路長と、当該任意の位置からビームプロファイラ５７ａまでの光路長との光路長差、集光されたサンプル光のスポット幅、ビームプロファイル（例えばビーム径）等であってもよい。これらのデータから計算したプリパルスレーザ光のダイバージェンスに基づき、波面の曲率が計算されてもよい。

同様に、高反射ミラー５２ｂにおいて反射されたメインパルスレーザ光の光路にも、ビームスプリッタ７８ｂと、集光光学系７９ｂと、転写光学系８０ｂと、ビームプロファイラ５６ｂ及び５７ｂと、が配置されてもよい。これにより、メインパルスレーザ光の進行方向及び波面の曲率が算出されてもよい。

８．レーザ光導入光学系を箱に収容したＥＵＶ光生成システム（第１３の実施形態）
図１５Ａは、第１３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の平面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示すＥＵＶ光生成装置のＸＶＢ−ＸＶＢ線における断面図である。

第１３の実施形態においては、チャンバ基準部材９に形成された収納室９ｂに、フレキシブル管６８ｃを介して箱９ｄが接続されてもよい。収納室９ｂ内には、高反射ミラー５３が収容されてもよい。箱９ｄ内には、ビームスプリッタ５８、高反射ミラー５９、ビームスプリッタ５２、レーザ光計測器３７、及び、戻り光計測器３９が収容されてもよい。

箱９ｄの下面には、３つの脚部７１〜７３が取り付けられていてもよい。脚部７２については図示が省略されている。チャンバ基準部材９の外面には、脚部７１〜７３がそれぞれ載置されるマウント８１〜８３が固定されていてもよい。円錐状の窪みを有するマウント８１に載置される脚部７１は、ビームスプリッタ５８の位置の直下に設けられてもよい。断面Ｖ字状の溝を有するマウント８２に載置される脚部７２は、レーザ光計測器３７の位置の直下に設けられてもよい。マウント８２の溝は、ビームスプリッタ５２からレーザ光計測器３７へのレーザ光の光軸と平行な方向に形成されてもよい。これにより箱９ｄをチャンバ基準部材９に位置決めしてもよい。

箱９ｄには、フレキシブル管６８ａ及び６８ｂを介してそれぞれ光路管６６ａ及び６６ｂが取り付けられてもよい。光路管６６ａ内及び６６ｂ内には、それぞれ高反射ミラー６７ａ及び６７ｂが配置されてもよい。光路管６６ａ及び６６ｂは、それぞれレーザ装置３ａ及び３ｂに接続されていてもよい。

箱９ｄには、高反射ミラー５９及びビームスプリッタ５２を含むレーザ光導入光学系を吊下げるための少なくとも１つのアイボルト９ｅが、移動機構として取り付けられてもよい。メンテナンス時等、フレキシブル管６８ｃを外した後、少なくとも１つのアイボルト９ｅに、例えばクレーンのフックを係合させて吊下げることにより、レーザ光導入光学系を収容した箱９ｄを移動させることができる。
その他の点については、第１２の実施形態と同様でよい。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、３、３ａ、３ｂ…レーザ装置、４…ターゲットセンサ、５…ＥＵＶ光生成制御装置、６…露光装置、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ…高反射ミラー、７…設置機構、９…チャンバ基準部材、９ａ、９ｂ…収納室、９ｃ…蓋、９ｄ…箱、９ｅ…アイボルト、１０…位置決め機構、１０ａ…支持プレート、１１…ＥＵＶ光生成システム、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２３ａ…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ターゲット供給装置、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、３１、３２、３３…レーザ光、３４…レーザ光進行方向制御装置、３７…レーザ光計測器、３８…ウインドウ、３９…戻り光計測器、４１、４２…レール、４３…駆動機構、５２、５２ａ…ビームスプリッタ、５２ｂ、５３…高反射ミラー、５４…貫通孔、５６ａ、５６ｂ、５７ａ、５７ｂ…ビームプロファイラ、５８…ビームスプリッタ、５９、６１…高反射ミラー、６２…レーザ光集光ミラー、６３…レーザ光集光光学系、６６、６６ａ、６６ｂ…光路管、６７ａ、６７ｂ…高反射ミラー、６８、６８ａ、６８ｂ、６８ｃ…フレキシブル管、７１、７２、７３…脚部、７１ｂ、７２ｂ、７３ｂ…吊下部、７１ｅ、７２ｅ、７３ｅ…脚部、７４ｃ、７５ｃ…当接部材、７６ｃ、７７ｃ…弾性部材、７８ａ、７８ｂ…ビームスプリッタ、７９ａ、７９ｂ…集光光学系、８０ａ、８０ｂ…転写光学系、８１、８１ｂ、８１ｃ、８１ｅ、８２、８２ｂ、８２ｃ、８２ｅ、８３、８３ｂ、８３ｃ、８３ｅ…マウント、８１ｆ、８２ｆ、８３ｆ…傾斜部、８４ｃ、８５ｃ、８６ｃ…ストッパー、８７ｃ…押圧部材、１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄ、１０２ａ、１０２ｃ、１０２ｄ…車輪、１０３ａ、１０３ｂ、１０４ａ…駆動機構、１１０…台車、１１１…台車フレーム、１１２…車輪、１１３…支柱、１１４…レール、１１５…駆動部、１１６…支持部、２５１…放射光、２５２…ＥＵＶ光、２９１…壁、２９２…中間集光点、６３１…ホルダ、６７１、６７２…高反射ミラー、ＭＴ…マスクテーブル、ＷＴ…ワークピーステーブル

Claims (6)

1. ターゲット物質にレーザ光を照射して前記ターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
   チャンバ基準部材と、
   前記チャンバ基準部材に固定され、少なくとも１つの窓が設けられたチャンバと、
   前記少なくとも１つの窓を通して前記チャンバ内に前記レーザ光を導入するためのレーザ光導入光学系と、
   前記レーザ光導入光学系を前記チャンバ基準部材に対して位置決めするように構成された位置決め機構と、
   を備える極端紫外光生成装置。
2. 前記レーザ光導入光学系を前記チャンバ基準部材に対して移動可能な構造に構成された移動機構
   をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光源装置。
3. 前記移動機構は、
   前記チャンバ基準部材に配置されたレールと、
   前記位置決め機構に取り付けられ、前記レールに沿って移動可能な車輪と、
   を含む、請求項２記載の極端紫外光源装置。
4. 前記移動機構は、前記レーザ光導入光学系を内包する箱に取り付けられ、前記レーザ光導入光学系を吊下げるための係合部を含む、請求項２記載の極端紫外光源装置。
5. 前記レーザ光導入光学系は複数の光学素子を含む、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
6. 前記レーザ光導入光学系は、
   前記レーザ光を第１の光路及び前記チャンバ内に向かう第２の光路に導くビームスプリッタと、
   前記第１の光路に配置され、前記レーザ光を受光して信号を出力するレーザ光計測器と、
   を含む、請求項１記載の極端紫外光生成装置。

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