WO2019003284A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents

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WO2019003284A1
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layer
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reflective layer
protective layer
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啓明 戸室
伸治 永井
能之 本田
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ギガフォトン株式会社
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    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors

Definitions

  • the present disclosure relates to an extreme ultraviolet light generator.
  • LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • a magnetic field generating unit configured to generate a magnetic field in which charged particles generated by plasmatization of the target material converge on the wall side of the chamber
  • the light collecting mirror comprising: A protective layer provided on the substrate and reflecting extreme ultraviolet light, and a protective layer provided on the reflective layer, wherein the protective layer has a layer thickness distribution in which the layer thickness of the protective layer from the surface of the reflective layer changes;
  • the position of the maximum layer thickness in the protective layer may be a line where the plane passing through the magnetic field axis of the magnetic field generation unit and the central axis of the focusing mirror intersects the surface of the reflective layer.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a schematic configuration of the entire extreme ultraviolet light generation apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the EUV light collecting mirror.
  • FIG. 3 is a schematic view showing the distance to the magnetic field axis.
  • FIG. 4 is a diagram showing the distance distribution of the surface of the reflective layer with respect to the magnetic field axis.
  • FIG. 5 is a view showing the layer thickness distribution of the protective layer based on the distance distribution of FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing the magnetic flux density distribution on the surface of the reflective layer.
  • FIG. 7 is a view showing the layer thickness distribution of the protective layer based on the magnetic flux density distribution of FIG.
  • FIG. 8 is a schematic view showing the distance between the reflective layer surface and the plasma point.
  • FIG. 9 is a diagram showing the distance distribution of the surface of the reflective layer with respect to the plasma point.
  • FIG. 10 is a diagram showing the layer thickness distribution of the protective layer based on the distance distribution of FIG.
  • FIG. 11 is a schematic view showing the angle from the central axis of the EUV light collecting mirror.
  • FIG. 12 is a graph showing the relationship between the angle from the direction from the plasma point to the central axis of the EUV collector mirror and the amount of charged particles on the surface of the reflective layer in the angular direction.
  • FIG. 13 is a diagram showing the charged particle amount distribution on the surface of the reflective layer.
  • FIG. 14 is a diagram showing the layer thickness distribution of the protective layer based on the charged particle amount distribution of FIG.
  • FIG. 15 is a diagram showing a first combination distribution.
  • FIG. 16 is a diagram showing the layer thickness distribution of the protective layer based on the first combination distribution of FIG.
  • FIG. 17 is a diagram showing a second combined distribution.
  • FIG. 18 is a diagram showing the layer thickness distribution of the protective layer based on the second combined distribution of FIG.
  • FIG. 19 is a diagram showing a third combined distribution.
  • FIG. 20 is a diagram showing the layer thickness distribution of the protective layer based on the third combined distribution of FIG.
  • Embodiments of the present disclosure relate to an extreme ultraviolet light generation apparatus that generates light of a wavelength called extreme ultraviolet (EUV).
  • extreme ultraviolet light may be called EUV light.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a schematic configuration of the entire extreme ultraviolet light generating device.
  • the extreme ultraviolet light generation device 1 of the present embodiment includes a chamber 2 and a droplet supply unit (not shown).
  • the chamber 2 is a sealable and depressurizable container.
  • the droplet supply unit is configured to supply droplets of the target material into the chamber 2.
  • the droplet supply unit may be configured to supply droplets of the target material into the chamber 2 at intervals, for example, by a continuous jet method.
  • the material of the target material may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 is provided with at least one through hole, which is closed by the window 21.
  • the pulsed laser light PL is incident on the internal space of the chamber 2 through the window 21, and the incident laser light PL is applied to the plasma generation region 22 inside the chamber 2.
  • the plasma generation region 22 is a region where the droplets of the target material supplied into the chamber 2 are plasmatized.
  • the EUV light collecting mirror 23 is a light collecting mirror for collecting the EUV light generated when the droplets are plasmatized in the plasma generation region 22.
  • the EUV light collecting mirror 23 includes, for example, a spheroidal reflecting surface 23 A that reflects EUV light generated in the plasma generation region 22, the first focus is located on the plasma generation region 22, and the second focus is It is configured to be located at an intermediate focusing point.
  • the EUV light collecting mirror 23 may have a through hole 23B around the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23. The laser light PL incident on the inside of the chamber 2 passes through the through hole 23B. You may do so.
  • the EUV light collecting mirror 23 may be provided with a temperature adjuster for keeping the temperature of the EUV light collecting mirror 23 substantially constant.
  • the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 may be a straight line passing through the first focal point and the second focal point of the reflecting surface 23A, or may be the rotation axis of the spheroid.
  • the extreme ultraviolet light generation device 1 of the present embodiment includes a magnetic field generation unit 4.
  • the magnetic field generation unit 4 is configured to generate a magnetic field MF in which charged particles generated in the plasma generation region 22 converge on the wall side of the chamber 2.
  • the magnetic field generation unit 4 can be configured, for example, by a pair of electromagnets 41 and 42 disposed so as to sandwich the wall of the chamber 2 facing each other.
  • the electromagnet 41 includes a superconducting coil 41A, a case 41B surrounding the superconducting coil 41A, and a current supply unit (not shown) connected to the superconducting coil 41A.
  • the electromagnet 42 includes a superconducting coil 42A, a case 42B surrounding the superconducting coil 42A, and a current supply unit (not shown) connected to the superconducting coil 42A.
  • the pair of superconducting coils 41A, 42A are arranged such that the plasma generation region 22 is located between the superconducting coils 41A, 42A.
  • the direction of the current supplied from the current supply unit to the superconducting coil 41A is the same as the direction of the current supplied from the current supply unit to the superconducting coil 42A.
  • the magnetic flux density is highest in the vicinity of the superconducting coils 41A and 42A, and a magnetic field MF is generated in which the magnetic flux density decreases toward the plasma generation region 22.
  • This magnetic field MF may be called a mirror magnetic field.
  • the superconducting coils 41A and 42A may be circular coils, and the superconducting coils 41A and 42A may be arranged such that the coil axes of the coils coincide with each other.
  • a straight line passing through the coil axis of each coil is taken as the magnetic field axis MA of the magnetic field generator 4.
  • the central axis can be defined in the magnetic field MF generated inside the chamber 2, the central axis may be the magnetic field axis MA of the magnetic field generation unit 4.
  • the mirror ratio is a ratio of the magnetic flux density in the vicinity of the superconducting coils 41A and 42A to the magnetic flux density in the plasma generation region 22 positioned in the middle of the superconducting coils 41A and 42A.
  • the shape of the magnetic field MF may be controlled.
  • the shape of the magnetic field MF can be controlled by the number of turns of the superconducting coils 41A, 42A, the strength of the current applied to the superconducting coils 41A, 42A, or the like.
  • the magnetic field generation unit 4 may generate a magnetic field for causing the charged particles to converge to the other electromagnet 42 side from the one electromagnet 41 side via the plasma generation region 22.
  • the magnetic field generation part 4 was comprised by a pair of electromagnets 41 and 42, you may be comprised by a pair of permanent magnet.
  • electromagnets 41 and 42 or permanent magnets, which are magnets for generating a magnetic field may be provided inside the chamber 2.
  • the extreme ultraviolet light generation device 1 of the present embodiment includes an etching gas supply unit and an exhaust unit 5 (not shown).
  • the etching gas supply unit is configured to supply an etching gas that reacts with the particles and charged particles generated by plasmatizing the droplets.
  • the etching gas supply unit may be configured, for example, to supply the etching gas from the outer peripheral portion of the EUV light collecting mirror 23 along the reflection surface 23A.
  • the etching gas is a gas containing hydrogen, such as hydrogen gas.
  • the exhaust unit 5 is configured to exhaust the residual gas in the chamber 2.
  • the residual gas includes fine particles and charged particles generated by plasmatization in the plasma generation region 22, products obtained by reacting them with the etching gas, and unreacted etching gas. Although some of the charged particles are neutralized in the chamber 2, the neutralized charged particles are also included in the residual gas.
  • the exhaust unit 5 takes in, for example, residual gas in the chamber 2 from the exhaust ports 51A, 51B provided on the wall of the chamber 2 through the exhaust pipes 52A, 52B connected to the exhaust ports 51A, 51B,
  • the gas may be configured to be subjected to a predetermined exhaust treatment.
  • the discharge ports 51A and 51B are provided on the magnetic field axis MA of the magnetic field MF in the example shown in FIG. 1, the discharge ports 51A and 51B may be provided on the wall of the chamber 2 different from the position. However, in order to efficiently discharge the charged particles generated in the plasma generation region 22, it is preferable that the discharge ports 51A and 51B be provided on the magnetic field axis MA of the magnetic field MF.
  • the discharge pipe 52A is disposed so as to pass between the chamber 2 and the electromagnet 41 in the example shown in FIG. 1, the discharge pipe 52A may be disposed to be inserted into the through hole H1 of the superconducting coil 41A. Good.
  • the discharge pipe 52B is disposed so as to pass between the chamber 2 and the electromagnet 42 in the example shown in FIG. 1, but is disposed so as to be inserted into the through hole H2 of the superconducting coil 42A It is also good.
  • at least one of the pair of discharge ports 51A and 51B and the exhaust unit 5 may be provided with a trap mechanism such as a heater for trapping the particulates.
  • the exhaust unit 5 may keep the pressure in the chamber 2 substantially constant.
  • the magnetic field generation unit 4 generates a magnetic field MF in which the magnetic flux density is highest near the superconducting coils 41A and 42A and the magnetic flux density decreases as it goes to the plasma generation region 22, and the exhaust unit 5 generates the pressure in the chamber 2 Keep approximately constant.
  • the magnetic flux density of the magnetic field MF is, for example, in the range of 0.4 T to 3 T, and preferably in the range of 0.5 T to 1.5 T.
  • the pressure in the chamber 2 is, for example, in the range of 10 Pa to 100 Pa, preferably 15 Pa to 40 Pa.
  • the etching gas and the droplet of the target material are supplied into the chamber 2, and the droplet reaching the plasma generation region 22 in the chamber 2 is irradiated with the laser light PL.
  • the droplets irradiated with the laser light PL are converted to plasma, and light including EUV light is emitted from the plasma.
  • the EUV light is selectively reflected by the reflection surface 23A of the EUV light collecting mirror 23, and is output to an exposure apparatus (not shown) connected to the chamber 2.
  • the droplets are plasmatized, charged particles are generated as described above.
  • the charged particles move in a orbit that rotates in a plane perpendicular to the magnetic field lines by receiving Lorentz force.
  • the charged particles moving in this manner have velocity components in the direction of the outlets 51A and 51B, the charged particles converge toward the wall of the chamber 2 while drawing a spiral trajectory along the magnetic lines of force. Then, the charged particles are guided to the discharge ports 51A and 51B provided on the wall of the chamber 2 near the convergence portion of the magnetic field MF.
  • the fine particles diffuse into the chamber 2 because they are not easily affected by the magnetic field MF generated by the magnetic field generator 4. A part of the particles diffused in the chamber 2 reacts with the etching gas supplied along the reflection surface 23A of the EUV light collecting mirror 23, and becomes a predetermined product by this reaction.
  • the etching gas is a gas containing hydrogen
  • the product is stannane which is a gas at normal temperature. This stannane dissociates with hydrogen at high temperature, and tin fine particles are easily generated. Therefore, when the product is stannane, the temperature of the EUV collector mirror 23 should be kept at 60 ° C. or lower in order to suppress dissociation with hydrogen.
  • the temperature of the EUV light collecting mirror 23 is more preferably 20 ° C. or less.
  • the product obtained by the reaction with the etching gas travels toward the outlets 51A and 51B along the flow of the unreacted etching gas.
  • at least a part of the charged particles that did not converge to the discharge ports 51A and 51B by the magnetic field MF, the neutralized charged particles, and the fine particles that did not adhere to the reflection surface 23A of the EUV collector mirror 23 It reacts with a part of the unreacted etching gas flowing in the chamber 2.
  • the product obtained by this reaction travels to the outlets 51A and 51B along the flow of unreacted etching gas. Then, at least a part of the unreacted etching gas flows into the discharge ports 51A and 51B.
  • Components such as unreacted etching gas flowing into the discharge ports 51A and 51B, particles contained in the etching gas, charged particles, neutralized charged particles, and products such as the above-mentioned products are carried on the exhaust stream and the exhaust unit 5 In the exhaust unit 5, predetermined exhaust treatment such as detoxification is performed.
  • FIG. 2 is a view showing a cross section of the EUV collector mirror.
  • the EUV light collector mirror 23 includes a substrate 61, a reflective layer 62 and a protective layer 63.
  • the reflective layer 62 can be configured by, for example, two layers of a first layer 62A provided on the substrate 61 and a second layer 62B provided on the first layer 62A.
  • the first layer 62A is, for example, a single layer made of nickel plating
  • the second layer 62B is, for example, a multilayer in which Mo layers and Si layers are alternately stacked.
  • the reflective surface 23A of the EUV collector mirror 23 includes the interface between the first layer 62A and the second layer 62B, the interface between the Mo layer and the Si layer in the second layer 62B, and the reflective layer surface 62F.
  • the reflective layer surface 62 F is a surface of the reflective layer 62 which is an interface with the protective layer 63.
  • the protective layer 63 is a layer that protects the reflective layer 62.
  • the layer thickness which is the thickness of the protective layer 63 is made uniform.
  • the material of the protective layer 63 for example, Ru, SiO 2, Si 3 N 4, Al 2 O 3, Nb 2 O 5, MoO 3, Y 2 O 3, ZrO 2, ZrN, Sc 2 O 3, CeO 2, It can be selected from among Er 2 O 3 , Ta 2 O 5 , HfO 2 , TiO 2 and TiN. However, materials other than those exemplified may be used as the material of the protective layer 63.
  • the charged particles generated by forming the droplets into a plasma converge on the discharge ports 51A and 51B while drawing a spiral trajectory along the magnetic force lines of the magnetic field MF generated by the magnetic field generation unit 4. At this time, there is a case where a part of the charged particles drawing a helical orbit collide with the protective layer 63 of the EUV light collecting mirror 23.
  • the protective layer 63 When charged particles collide with the protective layer 63, the protective layer 63 is scraped off, a part of the reflective layer 62 is exposed from the protective layer 63, and the exposed part is contaminated with fine particles or the like. There is a concern that the reflectance of
  • the layer thickness of the protective layer 63 is large, even if the charged particles collide with the protective layer 63, it is considered that the partial exposure of the reflective layer 62 from the protective layer 63 due to the collision is reduced.
  • the layer thickness of the protective layer 63 of the EUV light collecting mirror 23 of the comparative example is uniform, and when the layer thickness is uniformly increased, the transmittance of the EUV light in the protective layer 63 decreases. There is a concern that the reflectivity of the EUV light in the reflective layer 62 may be reduced.
  • the extreme ultraviolet light generation device which can control a fall of the reflectance of EUV light is illustrated.
  • Embodiment 1 Description of EUV Light Focusing Mirror of Embodiment 1 Next, the configuration of the EUV light focusing mirror will be described as Embodiment 1. FIG. The same components as those described above are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted unless otherwise specified.
  • the protective layer 63 is configured to have a layer thickness distribution in which the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F changes. This is different from the comparative example in which the thickness was uniform.
  • FIG. 3 is a schematic view showing the distance to the magnetic field axis
  • FIG. 4 is a view showing the distance distribution of the reflective layer surface with respect to the magnetic field axis
  • FIG. 5 is the layer thickness of the protective layer based on the distance distribution of FIG. It is a figure which shows distribution.
  • a projection plane perpendicular to the central axis CA of the EUV collector mirror 23 is placed between the spheroid reflection layer surface 62F and the plasma point, and the plasma point is taken as a viewpoint on the projection plane.
  • the top view which parallel-projected the reflection layer surface 62F is shown.
  • the plasma point is, as shown in FIG. 1, a focusing position of the laser light PL focused in the chamber 2.
  • the numerical value of the reflective layer surface 62F in FIG. 4 indicates the distance D1 from the magnetic field axis MA of the magnetic field generation unit 4 in a predetermined range.
  • the distance D1 between the magnetic field axis MA and the magnetic field axis MA is the shortest distance between the target position in the reflective layer surface 62F and the magnetic field axis MA, as shown in FIG.
  • the target position is a position arbitrarily selected from the reflective layer surface 62F, and a plurality of target positions different from each other are selected.
  • the respective target positions may be in contact with or separated from each other. When the respective target positions are separated, the intervals between the target positions may be the same or different.
  • the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 5 are obtained by converting the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 4 into the layer thickness of the protective layer 63 by predetermined normalization. Specifically, the layer thickness of the protective layer 63 at the target position where the distance D1 from the magnetic field axis MA is the smallest is 20 nm, and the layer thickness of the protective layer 63 at the position where the distance D1 is the largest is 5 nm. The numerical value of the reflective layer surface 62 F in the above is converted into the layer thickness of the protective layer 63. The reason for setting the maximum layer thickness to 20 nm is that when the maximum layer thickness exceeds 20 nm, the reflectance tends to be significantly reduced.
  • the reason why the minimum layer thickness is 5 nm is that there is a concern that hydrogen, oxygen, etc. may pass through the protective layer 63 to deteriorate the reflective layer 62 if the minimum layer thickness is less than 5 nm.
  • the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the present embodiment is 15 nm, it may be other than 15 nm.
  • the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the protective layer 63 is preferably 10 nm or more.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is defined based on the distance D1 between the magnetic field axis MA of the magnetic field generator 4 and the reflective layer surface 62F.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is a distribution in which the layer thickness increases as the distance D1 between the magnetic field axis MA and the reflective layer surface 62F decreases.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is plane symmetric with respect to the plane passing through the magnetic field axis MA of the magnetic field generation unit 4 and the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23. As shown in FIG.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is line symmetrical with respect to the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the center line CL of the reflective layer surface 62F is a line where the plane passing through the magnetic field axis MA of the magnetic field generator 4 and the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 intersects the reflective layer surface 62F.
  • the center line CL of the reflective layer surface 62F is a curve, when the reflective layer surface 62F is parallel-projected, it is shown as a straight line as shown in FIG.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is determined by the opening surface of the through hole 23B on the reflective layer surface 62F side and the central axis of the EUV light collecting mirror 23. The point symmetry is based on the point of intersection with the CA.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is based on the point where the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 intersects the reflective layer surface 62F. It is point-symmetrical. The position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is on the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is a portion of the center line CL of the surface 62F of the reflective layer closer to the magnetic field generation unit 4 than the central axis CA of the EUV collector mirror 23.
  • the portion closer to the magnetic field generation unit 4 side is closer to the magnetic field generation unit 4 than the intermediate position from the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 to one end of the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the largest layer of the protective layer 63 on the coil 42A side of the middle position from the other end on the other coil 42A side of the center line CL of the reflective layer surface 62F to the central axis CA of the EUV collector mirror 23 There is a position of thickness.
  • the position of the minimum layer thickness of the protective layer 63 is the portion farthest from the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the manufacturing method of such a protective layer 63 can be selected from the following three manufacturing methods. However, manufacturing methods other than the following three manufacturing methods may be adopted.
  • the first manufacturing method after providing the layer having the smallest layer thickness among the layer thickness distribution over the entire reflective layer surface 62F of the reflective layer 62, the thickness becomes a predetermined thickness while masking the portions other than the portion for increasing the layer thickness.
  • the second manufacturing method after providing the layer having the largest layer thickness among the layer thickness distribution over the entire reflective layer surface 62F of the reflective layer 62, the process of etching or polishing the portion for reducing the layer thickness is performed.
  • 4 is a method of manufacturing a protective layer 63 having a layer thickness distribution.
  • the third manufacturing method is a manufacturing method for manufacturing the protective layer 63 having a layer thickness distribution using a film forming apparatus capable of locally forming a film.
  • the charged particles produced by plasmatizing the droplets in the plasma generation region 22 draw a spiral trajectory along the magnetic lines of the magnetic field MF generated by the magnetic field generator 4 and the chamber 2 Converge towards the wall. Therefore, as the reflective layer surface 62F approaches the magnetic field axis MA of the magnetic field generating unit 4, charged particles that converge toward the wall of the chamber 2 tend to collide with the EUV light collecting mirror 23.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is a distribution in which the layer thickness increases as the distance D1 between the magnetic field axis MA and the reflective layer surface 62F decreases. For this reason, the layer thickness becomes thicker at a portion where charged particles tend to collide with each other in relation to the magnetic field axis MA. Therefore, as compared with the case where the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F is uniformly increased, the decrease in the transmittance of EUV light in the protective layer 63 is suppressed, and the protective layer 63 is collided by charged particles. It is suppressed that the reflective layer 62 is exposed and contaminated.
  • an extreme ultraviolet light generation device capable of suppressing a decrease in reflectance of EUV light is provided.
  • the protective layer 63 is configured to have a layer thickness distribution in which the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F changes. This is different from the comparative example in which the thickness was uniform.
  • FIG. 6 is a view showing the magnetic flux density distribution on the surface of the reflective layer
  • FIG. 7 is a layer thickness distribution of the protective layer based on the magnetic flux density distribution of FIG.
  • a projection plane perpendicular to the central axis CA of the EUV collector mirror 23 is placed between the spheroid reflection layer surface 62F and the plasma point, and the plasma point is taken as a viewpoint on the projection plane.
  • the top view which parallel-projected the reflection layer surface 62F is shown.
  • the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 6 indicate the magnetic flux density distribution of the reflective layer surface 62F in a predetermined range.
  • the target position where the magnetic flux density is the largest among the reflective layer surface 62F is 1 and the target position where the magnetic flux density is the smallest is 0.
  • the numerical value of the reflective layer surface 62F in FIG. 7 is obtained by converting the numerical value of the reflective layer surface 62F in FIG. 6 into the layer thickness of the protective layer 63 by predetermined normalization. Specifically, the layer thickness of the protective layer 63 in the portion where the magnetic flux density of the reflective layer surface 62F is the largest is 20 nm, and the layer thickness of the protective layer 63 in the region where the magnetic flux density is the smallest is 5 nm. The numerical value of the surface 62F is converted to the layer thickness of the protective layer 63. Although the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the present embodiment is 15 nm, it may be other than 15 nm. However, the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the protective layer 63 is preferably 10 m or more.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is defined based on the magnetic flux density of the magnetic field MF on the reflective layer surface 62F.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is a distribution in which the layer thickness increases as the magnetic flux density increases.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is plane symmetric with respect to the plane passing through the magnetic field axis MA of the magnetic field generation unit 4 and the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is line symmetrical with respect to the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is determined by the opening surface of the through hole 23B on the reflective layer surface 62F side and the central axis of the EUV light collecting mirror 23. The point symmetry is based on the point of intersection with the CA.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is based on the point where the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 intersects the reflective layer surface 62F. It is point-symmetrical. The position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is on the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is a portion closest to the magnetic field generation unit 4 among the center line CL of the surface 62F of the reflective layer.
  • the position of the minimum layer thickness of the protective layer 63 is the portion most distant from the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the manufacturing method of such a protective layer 63 can be selected from the three manufacturing methods described in the first embodiment. However, manufacturing methods other than the three manufacturing methods described in the first embodiment may be employed.
  • the charged particles produced by plasmatizing the droplets in the plasma generation region 22 draw a spiral trajectory along the magnetic lines of the magnetic field MF generated by the magnetic field Converge towards the wall. Therefore, as the magnetic flux density of the magnetic field MF on the reflective layer surface 62F increases, charged particles that converge toward the wall of the chamber 2 tend to collide with the EUV light collecting mirror 23.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is a distribution in which the layer thickness increases as the magnetic flux density of the magnetic field MF on the reflective layer surface 62F increases. For this reason, the layer thickness becomes thicker as the charged particles tend to collide with each other in relation to the magnetic flux density. Therefore, as compared with the case where the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F is uniformly increased, the decrease in the transmittance of EUV light in the protective layer 63 is suppressed, and the protective layer 63 is collided by charged particles. It is suppressed that the reflective layer 62 is exposed and contaminated.
  • an extreme ultraviolet light generation device capable of suppressing a decrease in reflectance of EUV light is provided.
  • the protective layer 63 is configured to have a layer thickness distribution in which the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F changes. This is different from the comparative example in which the thickness was uniform.
  • FIG. 8 is a schematic view showing the distance between the surface of the reflective layer and the plasma point
  • FIG. 9 is a view showing the distance distribution of the surface of the reflective layer with respect to the plasma point
  • FIG. 10 is a protection based on the distance distribution of FIG. It is a figure which shows the layer thickness distribution of a layer.
  • a projection plane perpendicular to the central axis CA of the EUV collector mirror 23 is placed between the spheroid reflection layer surface 62F and the plasma point, and the plasma point is taken as a viewpoint on the projection plane.
  • the top view which parallel-projected the reflection layer surface 62F is shown.
  • the numerical value of the reflective layer surface 62F in FIG. 9 indicates the distance D2 between the reflective layer surface 62F and the plasma point PP in a predetermined range.
  • the distance D2 between the reflective layer surface 62F and the plasma point PP is, as shown in FIG. 8, the length of the straight line when the target position in the reflective layer surface 62F and the plasma point PP are connected by a straight line It is.
  • the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 10 are obtained by converting the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 9 into the layer thickness of the protective layer 63 by predetermined normalization. Specifically, the layer thickness of the protective layer 63 at a portion where the distance D2 between the plasma point PP is the smallest is 20 nm, and the layer thickness of the protective layer 63 at a portion where the distance D2 is the largest is 5 nm.
  • the numerical value of the reflective layer surface 62 F is converted to the layer thickness of the protective layer 63.
  • the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the present embodiment is 15 nm, it may be other than 15 nm. However, the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the protective layer 63 is preferably 10 nm or more.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is defined based on the distance D2 between the reflective layer surface 62F and the plasma point PP.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is such that the layer thickness increases as the distance D2 between the reflective layer surface 62F and the plasma point PP decreases.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is plane symmetric with respect to the plane passing through the magnetic field axis MA of the magnetic field generation unit 4 and the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23. As shown in FIG.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is line symmetrical with respect to the center line CL of the reflective layer surface 62F. Furthermore, when the through hole 23B is provided in the EUV light collecting mirror 23, the layer thickness distribution of the protective layer 63 is determined by the opening surface of the through hole 23B on the reflective layer surface 62F side and the central axis of the EUV light collecting mirror 23. The point symmetry is based on the point of intersection with the CA.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is based on the point where the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 intersects the reflective layer surface 62F. It is point-symmetrical. The position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is on the center line CL of the reflective layer surface 62F. When the through hole 23B is provided in the EUV light collecting mirror 23, the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is the closest to the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is on the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the position of the minimum layer thickness of the protective layer 63 is the portion most distant from the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the manufacturing method of such a protective layer 63 can be selected from the three manufacturing methods described in the first embodiment. However, manufacturing methods other than the three manufacturing methods described in the first embodiment may be employed.
  • part of the charged particles generated by plasmatizing the droplets in the plasma generation region 22 is not influenced by the magnetic field MF generated by the magnetic field generation unit 4 and the EUV light is collected. It may diffuse to the mirror 23. Therefore, the charged particle tends to collide with the EUV light collecting mirror 23 as the reflective layer surface 62F approaches the plasma point PP.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is a distribution in which the layer thickness increases as the distance D2 between the reflective layer surface 62F and the plasma point PP increases. For this reason, the layer thickness becomes thicker as the charged particles tend to collide with each other in relation to the plasma point PP. Therefore, as compared with the case where the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F is uniformly increased, the decrease in the transmittance of EUV light in the protective layer 63 is suppressed, and the protective layer 63 is collided by charged particles. It is suppressed that the reflective layer 62 is exposed and contaminated.
  • an extreme ultraviolet light generation device capable of suppressing a decrease in reflectance of EUV light is provided.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is such that the layer thickness distribution is larger as the distance D2 between the reflective layer surface 62F and the plasma point PP is larger. It can also suppress that the layer 62 is exposed and contaminated.
  • the protective layer 63 is configured to have a layer thickness distribution in which the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F changes. This is different from the comparative example in which the thickness was uniform.
  • FIG. 11 is a schematic view showing the angle from the central axis of the EUV light collecting mirror
  • FIG. 12 is an angle from the direction from the plasma point toward the central axis of the EUV light collecting mirror and the surface of the reflective layer in that angle direction
  • It is a graph which shows the relationship with the amount of charged particles.
  • FIG. 13 is a diagram showing the distribution of charged particle amounts on the surface of the reflective layer
  • FIG. 14 is a diagram showing the layer thickness distribution of the protective layer based on the distribution of charged particle amounts in FIG. In FIGS.
  • a projection plane perpendicular to the central axis CA of the EUV collector mirror 23 is placed between the spheroid reflection layer surface 62F and the plasma point, and the plasma point is taken as a viewpoint on the projection plane.
  • the top view which parallel-projected the reflection layer surface 62F is shown.
  • the numerical value of the reflective layer surface 62F in FIG. 13 indicates the amount of charged particles of the reflective layer surface 62F in a predetermined range.
  • the target position where the amount of charged particles is the largest among the reflective layer surface 62F is 1 and the target position where the amount of charged particles is the smallest is 0.
  • the amount of charged particles was determined as follows. First, as shown in FIG. 11, a plurality of different angles ⁇ are selected from the direction from the plasma point PP toward the central axis CA of the EUV light collector mirror 23. Next, as shown in FIG. 12, the amount of charged particles at the target position in each of the selected angular directions on the surface 62F of the reflection layer is measured, and the reflection layer is estimated based on the curve closest to the amount of charged particles measured. The amount of charged particles on the surface 62F was determined.
  • the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 14 are obtained by converting the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 13 into the layer thickness of the protective layer 63 by predetermined normalization. Specifically, the layer thickness of the protective layer 63 at the portion with the largest amount of charged particles is 20 nm, and the layer thickness of the protective layer 63 at the portion with the smallest amount of charged particles is 5 nm. The numerical values are converted to the layer thickness of the protective layer 63. Although the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the present embodiment is 15 nm, it may be other than 15 nm. However, the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the protective layer 63 is preferably 10 nm or more.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is defined based on the amount of charged particles on the reflective layer surface 62F.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is a distribution in which the layer thickness increases as the amount of charged particles on the reflective layer surface 62F increases.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is plane symmetric with respect to the plane passing through the magnetic field axis MA of the magnetic field generation unit 4 and the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23. As shown in FIG. 14, when the reflective layer surface 62F is parallel-projected from the plasma point as a viewpoint, the layer thickness distribution of the protective layer 63 is line symmetrical with respect to the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is determined by the opening surface of the through hole 23B on the reflective layer surface 62F side and the central axis of the EUV light collecting mirror 23. The point symmetry is based on the point of intersection with the CA.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is based on the point where the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 intersects the reflective layer surface 62F. It is point-symmetrical. The position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is on the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is the closest to the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is on the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the position of the minimum layer thickness of the protective layer 63 is the portion most distant from the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the manufacturing method of such a protective layer 63 can be selected from the three manufacturing methods described in the first embodiment. However, manufacturing methods other than the three manufacturing methods described in the first embodiment may be employed.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is a distribution in which the layer thickness increases as the amount of charged particles on the reflective layer surface 62F increases. For this reason, the layer thickness becomes thicker at a portion where charged particles tend to collide in a direct relationship with the amount of charged particles diffused from the plasma point PP. Therefore, as compared with the case where the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F is uniformly increased, the decrease in the transmittance of EUV light in the protective layer 63 is suppressed, and the protective layer 63 is collided by charged particles. It is suppressed that the reflective layer 62 is exposed and contaminated.
  • an extreme ultraviolet light generation device capable of suppressing a decrease in reflectance of EUV light is provided.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 of the present embodiment is such that the layer thickness distribution increases as the amount of charged particles on the surface 62F of the reflective layer increases, and therefore, the collision of particles having a roughly proportional relationship with the amount of charged particles It can also suppress that the reflective layer 62 is exposed and contaminated from the protective layer 63.
  • the protective layer 63 is configured to have a layer thickness distribution in which the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F changes. This is different from the comparative example in which the thickness was uniform.
  • FIG. 15 is a view showing a first combination distribution
  • FIG. 16 is a view showing a layer thickness distribution of a protective layer based on the first combination distribution of FIG.
  • a projection plane perpendicular to the central axis CA of the EUV collector mirror 23 is placed between the spheroid reflection layer surface 62F and the plasma point, and the plasma point is taken as a viewpoint on the projection plane.
  • the top view which parallel-projected the reflection layer surface 62F is shown.
  • the numerical value of the reflective layer surface 62F in FIG. 15 is a layer thickness distribution coefficient obtained by the following equation (1): the first distance D1 shown in FIG. 4 and the second distance D2 shown in FIG.
  • the layer thickness distribution coefficient may be obtained by a statistical method other than the following equation (1).
  • R in the above equation (1) is a layer thickness distribution coefficient.
  • L in the above equation (1) is a first distance D1 from the target position to the magnetic field axis MA
  • L min in the above equation (1) is a minimum value of the first distance D1
  • L min in the equation (1) is the maximum value of the first distance D1.
  • P in the above equation (1) is the second distance D2 from the target position to the plasma point PP
  • P min in the above equation (1) is the minimum value of the second distance D2
  • P in the above equation (1) max is the maximum value of the second distance D2.
  • L and P in the above equation (1) are variables.
  • a is a weight coefficient assigned to the first distance D1
  • c in the equation (1) is a weight coefficient assigned to the second distance D2.
  • the weighting factor c may be larger than the weighting factor a.
  • the ratio of the first distance D1 from the target position to the change width of the first distance D1 is determined, and the ratio corresponds to the first distance D1.
  • the weighting factor a is multiplied. Further, the ratio of the second distance D2 from the target position to the change width of the second distance D2 is determined, and the ratio is multiplied by the weighting factor c corresponding to the second distance D2. Then, a value obtained by adding the respective multiplication results is taken as a layer thickness distribution coefficient R.
  • the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 16 are obtained by converting the layer thickness distribution coefficient of the reflective layer surface 62F in FIG. 15 into the layer thickness of the protective layer 63.
  • the layer thickness distribution coefficient R obtained by the above equation (1) is converted to the layer thickness of the protective layer 63 by the following equation (2).
  • the layer thickness distribution coefficient may be converted to the layer thickness of the protective layer 63 by a statistical method other than the following equation (2).
  • T in the equation (2) is the thickness of the protective layer 63.
  • R, a, and c of said Formula (2) are respectively the same as said Formula (1).
  • the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the present embodiment is 15 nm, but may be other than 15 nm. However, the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the protective layer 63 is preferably 10 nm or more.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment has a first distance D1 between the magnetic field axis MA of the magnetic field generator 4 and the reflective layer surface 62F, and a plasma point PP. And the second distance D2 between the surface 62F and the reflective layer surface 62F.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is such that the layer thickness becomes larger as the layer thickness distribution coefficient obtained by the equation (1) increases.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is plane symmetric with respect to the plane passing through the magnetic field axis MA of the magnetic field generation unit 4 and the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23. As shown in FIG.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is line symmetrical with respect to the center line CL of the reflective layer surface 62F. Furthermore, when the through hole 23B is provided in the EUV light collecting mirror 23, the layer thickness distribution of the protective layer 63 is determined by the opening surface of the through hole 23B on the reflective layer surface 62F side and the central axis of the EUV light collecting mirror 23. The point symmetry is based on the point of intersection with the CA.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is based on the point where the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 intersects the reflective layer surface 62F. It is point-symmetrical.
  • the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is on the center line CL of the reflective layer surface 62F. Further, the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is a portion of the center line CL of the surface 62F of the reflective layer closer to the magnetic field generation unit 4 than the central axis CA of the EUV collector mirror 23.
  • the portion closer to the magnetic field generation unit 4 side is the magnetic field generation unit 4 side than the intermediate position from the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 to one end of the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the position of the minimum layer thickness of the protective layer 63 is the portion most distant from the center line CL of the reflective layer surface 62F.
  • the manufacturing method of such a protective layer 63 can be selected from the three manufacturing methods described in the first embodiment. However, manufacturing methods other than the three manufacturing methods described in the first embodiment may be employed.
  • the first distance D1 between the magnetic field axis MA of the magnetic field generation unit 4 and the reflective layer surface 62F is smaller than the tendency of fine particles hard to be affected by the magnetic field MF to collide with the reflective layer surface 62F. It tends to reflect the tendency of charged particles affected by MF to collide with the reflective layer surface 62F.
  • the second distance D2 between the plasma point PP and the reflective layer surface 62F reflects the tendency of the fine particles to collide with the reflective layer surface 62F as compared to the tendency of charged particles to collide with the reflective layer surface 62F. Easy to do.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is defined based on both the first distance D1 and the second distance D2. For this reason, in the case of the present embodiment, as compared with the case where the layer thickness distribution of the protective layer 63 is defined based on only one of the first distance D1 and the second distance D2, collision with the reflective layer surface 62F is more achieved. I can catch the tendency to be easy to do. Therefore, according to the present embodiment, exposure and contamination of the reflective layer 62 from the protective layer 63 can be further suppressed.
  • the protective layer 63 is configured to have a layer thickness distribution in which the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F changes. This is different from the comparative example in which the thickness was uniform.
  • FIG. 17 is a view showing a second combination distribution
  • FIG. 18 is a view showing a layer thickness distribution of a protective layer based on the second combination distribution of FIG.
  • a projection plane perpendicular to the central axis CA of the EUV collector mirror 23 is placed between the spheroid reflection layer surface 62F and the plasma point, and the plasma point is taken as a viewpoint on the projection plane.
  • the top view which parallel-projected the reflection layer surface 62F is shown.
  • the numerical value of the reflective layer surface 62F in FIG. 17 is a layer thickness distribution coefficient obtained by the magnetic flux density shown in FIG. 6 and the second distance D2 shown in FIG. 9 according to the following equation (3).
  • the layer thickness distribution coefficient may be obtained by a statistical method other than the following equation (3).
  • B is the magnetic flux density of the target position on the reflective layer surface 62F.
  • B in the above equation (3) is a variable.
  • B min in the above equation (3) is the minimum value of magnetic flux density
  • B max in the above equation (3) is the maximum value of magnetic flux density
  • b in the above equation (3) is a weighting factor assigned to the magnetic flux density is there.
  • the weighting factor b may be smaller than the weighting factor c.
  • R, P, Pmin , Pmax, and c of said Formula (3) are respectively the same as said Formula (1).
  • the ratio of the magnetic flux density at the target position to the change width of the magnetic flux density is determined, and the ratio is multiplied by the weighting factor b corresponding to the magnetic flux density.
  • the ratio of the second distance D2 from the target position to the change width of the second distance D2 is determined, and the ratio is multiplied by the weighting factor c corresponding to the second distance D2. Then, a value obtained by adding the respective multiplication results is taken as a layer thickness distribution coefficient R.
  • the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 18 are obtained by converting the layer thickness distribution coefficient of the reflective layer surface 62F in FIG. 17 into the layer thickness of the protective layer 63.
  • the layer thickness distribution coefficient R obtained by the above equation (3) is converted to the layer thickness of the protective layer 63 by the following equation (4).
  • the layer thickness distribution coefficient may be converted to the layer thickness of the protective layer 63 by a statistical method other than the following equation (4).
  • T in the equation (4) is the thickness of the protective layer 63.
  • R, b and c in the above equation (4) are respectively the same as the above equation (3).
  • the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the present embodiment is 15 nm, but may be other than 15 nm. However, the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the protective layer 63 is preferably 10 nm or more.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment has a magnetic flux density of the reflective layer surface 62F and a second distance D2 between the plasma point PP and the reflective layer surface 62F. It is defined based on The layer thickness distribution of the protective layer 63 is such that the layer thickness becomes larger as the layer thickness distribution coefficient obtained by the equation (3) increases.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is plane symmetric with respect to the plane passing through the magnetic field axis MA of the magnetic field generation unit 4 and the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23. As shown in FIG.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is line symmetrical with respect to the center line CL of the reflective layer surface 62F. Furthermore, when the through hole 23B is provided in the EUV light collecting mirror 23, the layer thickness distribution of the protective layer 63 is determined by the opening surface of the through hole 23B on the reflective layer surface 62F side and the central axis of the EUV light collecting mirror 23. The point symmetry is based on the point of intersection with the CA.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is based on the point where the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 intersects the reflective layer surface 62F. It is point-symmetrical.
  • the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is on the center line CL of the reflective layer surface 62F. Further, the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is a portion closest to the magnetic field generation unit 4 among the center line CL of the surface 62F of the reflective layer.
  • the position of the minimum layer thickness of the protective layer 63 is the portion most distant from the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the manufacturing method of such a protective layer 63 can be selected from the three manufacturing methods described in the first embodiment. However, manufacturing methods other than the three manufacturing methods described in the first embodiment may be employed.
  • the magnetic flux density on the reflective layer surface 62F is such that charged particles that are affected by the magnetic field MF collide with the reflective layer surface 62F, compared with the tendency of fine particles that are not easily affected by the magnetic field MF to collide with the reflective layer surface 62F. It is easy to reflect the trend.
  • the second distance D2 between the plasma point PP and the reflective layer surface 62F is different from the tendency of the charged particles to collide with the reflective layer surface 62F as described above. It is easy to reflect the tendency to collide.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is defined based on both the magnetic flux density on the reflective layer surface 62F and the second distance D2. Therefore, in the case of the present embodiment, the reflective layer surface 62F is more compared to the case where the layer thickness distribution of the protective layer 63 is defined based only on either the magnetic flux density on the reflective layer surface 62F or the second distance D2. You can catch the tendency to collision easily. Therefore, according to the present embodiment, exposure and contamination of the reflective layer 62 from the protective layer 63 can be further suppressed.
  • the protective layer 63 is configured to have a layer thickness distribution in which the layer thickness of the protective layer 63 from the reflective layer surface 62F changes. This is different from the comparative example in which the thickness was uniform.
  • FIG. 19 is a view showing a third combination distribution
  • FIG. 20 is a view showing a layer thickness distribution of a protective layer based on the third combination distribution of FIG.
  • a projection plane perpendicular to the central axis CA of the EUV collector mirror 23 is placed between the spheroid reflection layer surface 62F and the plasma point, and the plasma point is taken as a viewpoint on the projection plane.
  • the top view which parallel-projected the reflection layer surface 62F is shown.
  • the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 19 are the first distance D1 shown in FIG. 4, the magnetic flux density shown in FIG. 6, the second distance D2 shown in FIG. 9, and the amount of charged particles shown in FIG. It is a layer thickness distribution coefficient obtained by the following equation (5).
  • the layer thickness distribution coefficient may be obtained by a statistical method other than the following equation (5).
  • I is the amount of charged particles at the target position on the reflective layer surface 62F, and as described above, a plurality of target positions are arbitrarily selected, so I in the above equation (5) is a variable .
  • I min is the minimum value of the amount of charged particles
  • B max in the equation (5) is the maximum value of the amount of charged particles
  • d in the equation (5) is assigned to the amount of charged particles It is a weighting factor.
  • the notations of the above (5) other than these notations are the same as the above formulas (1) and (3), respectively.
  • the ratio of the first distance D1 from the target position to the change width of the first distance D1 is determined, and the ratio corresponds to the first distance D1.
  • the weighting factor a is multiplied.
  • the ratio of the magnetic flux density at the target position to the change width of the magnetic flux density is determined, and the ratio is multiplied by the weighting factor b corresponding to the magnetic flux density.
  • the ratio of the second distance D2 from the target position to the change width of the second distance D2 is determined, and the ratio is multiplied by the weighting factor c corresponding to the second distance D2.
  • the ratio of the amount of charged particles at the target position to the change width of the amount of charged particles is determined, and the ratio is multiplied by the weighting factor d corresponding to the amount of charged particles. Then, a value obtained by adding the respective multiplication results is taken as a layer thickness distribution coefficient R.
  • the weighting factor c assigned to the second distance D2 does not include the amount of charged particles on the reflective layer surface 62F in the fifth and sixth embodiments, and the amount of the charged particles is included in this embodiment. It may be changed depending on the form.
  • the weighting factor c assigned to the second distance D2 is the weighting factor a assigned to the first distance D1 and the weighting factor b assigned to the magnetic flux density Be made bigger than.
  • the weighting factor c assigned to the second distance D2 is smaller than the weighting factor a assigned to the first distance D1 and the weighting factor b assigned to the magnetic flux density. Then, the weighting factor d assigned to the charged particle amount of the reflective layer surface 62F is maximized.
  • the numerical values of the reflective layer surface 62F in FIG. 20 are obtained by converting the layer thickness distribution coefficient of the reflective layer surface 62F in FIG. 19 into the layer thickness of the protective layer 63.
  • the layer thickness distribution coefficient R obtained by the above equation (5) is converted to the layer thickness of the protective layer 63 by the following equation (6).
  • the layer thickness distribution coefficient may be converted to the layer thickness of the protective layer 63 by a statistical method other than the following equation (6).
  • T in the above equation (6) is the layer thickness of the protective layer 63.
  • R, a, b, c and d of said Formula (6) are respectively the same as said Formula (5).
  • the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the present embodiment is 15 nm, but may be other than 15 nm. However, the difference between the maximum layer thickness and the minimum layer thickness in the protective layer 63 is preferably 10 nm or more.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in this embodiment includes the first distance D1, the magnetic flux density of the reflective layer surface 62F, the second distance D2, and the reflective layer. It is defined based on the amount of charged particles of the surface 62F.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is a distribution in which the layer thickness increases as the layer thickness distribution coefficient obtained by the equation (5) increases.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is plane symmetric with respect to the plane passing through the magnetic field axis MA of the magnetic field generation unit 4 and the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23. As shown in FIG.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is line symmetrical with respect to the center line CL of the reflective layer surface 62F. Furthermore, when the through hole 23B is provided in the EUV light collecting mirror 23, the layer thickness distribution of the protective layer 63 is determined by the opening surface of the through hole 23B on the reflective layer surface 62F side and the central axis of the EUV light collecting mirror 23. The point symmetry is based on the point of intersection with the CA.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 is based on the point where the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23 intersects the reflective layer surface 62F. It is point-symmetrical. The position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is on the center line CL of the reflective layer surface 62F. When the through hole 23B is provided in the EUV light collecting mirror 23, the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is the closest to the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the position of the maximum layer thickness of the protective layer 63 is on the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the position of the minimum layer thickness of the protective layer 63 is the portion most distant from the central axis CA of the EUV light collecting mirror 23.
  • the manufacturing method of such a protective layer 63 can be selected from the three manufacturing methods described in the first embodiment. However, manufacturing methods other than the three manufacturing methods described in the first embodiment may be employed.
  • the layer thickness distribution of the protective layer 63 in the present embodiment is defined based on the first distance D1, the magnetic flux density, the second distance D2, and the amount of charged particles. Therefore, the layer thickness distribution of the protective layer 63 is defined based on three or less of the first distance D1, the magnetic flux density, the second distance D2, and the amount of charged particles described above. Thus, the tendency of the charged particles and the fine particles to collide with the reflective layer surface 62F can be grasped in more detail. Therefore, according to the present embodiment, exposure and contamination of the reflective layer 62 from the protective layer 63 can be further suppressed.
  • the layer thickness distribution may be defined based on
  • a ratio to the change width between the maximum value and the minimum value is obtained for each of two or more selected items, each ratio is multiplied by a weighting factor corresponding to the item, and each multiplication result is added
  • the values obtained are calculated into layer thicknesses. For example, when the first distance D1, the magnetic flux density, and the second distance D2 are selected, as described above, the first distance D1 from the target position with respect to the change width of the first distance D1. The ratio is calculated, and the ratio is multiplied by the weighting factor a corresponding to the first distance D1. Further, as described above, the ratio of the magnetic flux density at the target position to the change width of the magnetic flux density is determined, and the ratio is multiplied by the weighting factor b corresponding to the magnetic flux density.
  • the ratio of the second distance D2 from the target position to the change width of the second distance D2 is determined, and the ratio is multiplied by the weighting factor c corresponding to the second distance D2 Ru. Then, the value obtained by adding the respective multiplication results is converted to the layer thickness.
  • the above equations (2), (4) and (6) may be used for this conversion, and any other equation may be used.
  • the weighting factor a assigned to the first distance D1 and the weighting factor b assigned to the magnetic flux density It is preferable to make it smaller.
  • the amount of charged particles is not included in the selected two or more selection items, make it larger than the weighting factor a assigned to the first distance D1 and the weighting factor b assigned to the magnetic flux density Is preferred.

Abstract

極端紫外光生成装置は、内部空間にレーザ光が集光され、レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により生じる極端紫外光を集光する集光ミラーと、ターゲット物質のプラズマ化により生じる荷電粒子がチャンバの壁側に収束する磁場を発生するよう構成される磁場発生部と、を備え、集光ミラーは、基板と、基板上に設けられ極端紫外光を反射する反射層と、反射層上に設けられる保護層とを含み、保護層は、反射層表面からの保護層の層厚が変化する層厚分布とされ、保護層における最大層厚の位置は、磁場発生部の磁場軸及び集光ミラーの中心軸（ＣＡ）を通る面と反射層表面（６２Ｆ）とが交わる線（ＣＬ）上とされるようにしてもよい。

Description

極端紫外光生成装置
　本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ　ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系（ｒｅｄｕｃｅｄ　ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ　ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ　ｏｐｔｉｃｓ）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
国際公開第２０１３／１４６４８８号
概要
　本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、内部空間にレーザ光が集光され、レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、ターゲット物質のプラズマ化により生じる極端紫外光を集光する集光ミラーと、ターゲット物質のプラズマ化により生じる荷電粒子がチャンバの壁側に収束する磁場を発生するよう構成される磁場発生部と、を備え、集光ミラーは、基板と、基板上に設けられ極端紫外光を反射する反射層と、反射層上に設けられる保護層とを含み、保護層は、反射層表面からの保護層の層厚が変化する層厚分布とされ、保護層における最大層厚の位置は、磁場発生部の磁場軸及び集光ミラーの中心軸を通る面と反射層表面とが交わる線上とされるようにしてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。 図２は、ＥＵＶ光集光ミラーの断面を示す模式図である。 図３は、磁場軸との間の距離を示す模式図である。 図４は、磁場軸に対する反射層表面の距離分布を示す図である。 図５は、図４の距離分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。 図６は、反射層表面の磁束密度分布を示す図である。 図７は、図６の磁束密度分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。 図８は、反射層表面とプラズマ点との間の距離を示す模式図である。 図９は、プラズマ点に対する反射層表面の距離分布を示す図である。 図１０は、図９の距離分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。 図１１は、ＥＵＶ光集光ミラーの中心軸からの角度を示す模式図である。 図１２は、プラズマ点からＥＵＶ光集光ミラーの中心軸に向かう方向からの角度と、当該角度方向における反射層表面の荷電粒子量との関係を示すグラフである。 図１３は、反射層表面の荷電粒子量分布を示す図である。 図１４は、図１３の荷電粒子量分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。 図１５は、第１の組み合わせ分布を示す図である。 図１６は、図１５の第１の組み合わせ分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。 図１７は、第２の組み合わせ分布を示す図である。 図１８は、図１７の第２の組み合わせ分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。 図１９は、第３の組み合わせ分布を示す図である。 図２０は、図１９の第３の組み合わせ分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。
実施形態
１．概要
２．極端紫外光生成装置の説明
　２．１　全体構成
　２．２　動作
３．比較例のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　３．１　構成
　３．２　課題
４．実施形態１のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　４．１　構成
　４．２　作用・効果
５．実施形態２のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　５．１　構成
　５．２　作用・効果
６．実施形態３のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　６．１　構成
　６．２　作用・効果
７．実施形態４のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　７．１　構成
　７．２　作用・効果
８．実施形態５のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　８．１　構成
　８．２　作用・効果
９．実施形態６のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　９．１　構成
　９．２　作用・効果
１０．実施形態７のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　１０．１　構成
　１０．２　作用・効果
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
　以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。
　なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．概要
　本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置に関するものである。なお、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
２．極端紫外光生成装置の説明
　２．１　全体構成
　図１は、極端紫外光生成装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示すように、本実施形態の極端紫外光生成装置１は、チャンバ２及び不図示のドロップレット供給部を含む。チャンバ２は、密閉可能かつ減圧可能な容器である。ドロップレット供給部は、チャンバ２内にターゲット物質のドロップレットを供給するよう構成される。ドロップレット供給部は、例えば、コンティニュアスジェット方式により間隔をあけてターゲット物質のドロップレットをチャンバ２内に供給するよう構成し得る。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノンのいずれか、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられ、当該貫通孔がウインドウ２１によって塞がれている。このウインドウ２１を透過してチャンバ２の内部空間にパルス状のレーザ光ＰＬが入射し、入射したレーザ光ＰＬはチャンバ２の内部のプラズマ生成領域２２に照射される。プラズマ生成領域２２は、チャンバ２内に供給されるターゲット物質のドロップレットがプラズマ化される領域である。
　チャンバ２の内部には、ＥＵＶ光集光ミラー２３が設けられる。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、プラズマ生成領域２２においてドロップレットがプラズマ化されることで生じるＥＵＶ光を集光する集光ミラーである。ＥＵＶ光集光ミラー２３は、例えば、プラズマ生成領域２２で生じるＥＵＶ光を反射する回転楕円面形状の反射面２３Ａを含み、第１の焦点がプラズマ生成領域２２に位置し、第２の焦点が中間集光点に位置するよう構成される。なお、ＥＵＶ光集光ミラー２３は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡ周りに貫通孔２３Ｂを有していてもよく、チャンバ２の内部に入射したレーザ光ＰＬが貫通孔２３Ｂを通過するようにしてもよい。また、ＥＵＶ光集光ミラー２３には、ＥＵＶ光集光ミラー２３の温度を略一定に保つ温度調整器が設けられていてもよい。なお、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡは、反射面２３Ａの第１の焦点及び第２の焦点を通る直線であってもよく、回転楕円面の回転軸であってもよい。
　また本実施形態の極端紫外光生成装置１は、磁場発生部４を含む。磁場発生部４は、プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子がチャンバ２の壁側に収束する磁場ＭＦを発生するよう構成される。
　磁場発生部４は、例えば、互いに対向するチャンバ２の壁を挟むように配置した一対の電磁石４１，４２により構成し得る。電磁石４１は、超電導コイル４１Ａと、超電導コイル４１Ａを囲うケース４１Ｂと、超電導コイル４１Ａに接続される不図示の電流供給部とを含む。電磁石４２は、超電導コイル４２Ａと、超電導コイル４２Ａを囲うケース４２Ｂと、超電導コイル４２Ａに接続される不図示の電流供給部とを含む。
　一対の超電導コイル４１Ａ，４２Ａは、当該超電導コイル４１Ａ，４２Ａの中間にプラズマ生成領域２２が位置するように配置される。超電導コイル４１Ａに対して電流供給部から供給される電流の方向と、超電導コイル４２Ａに対して電流供給部から供給される電流の方向とは同方向にされる。このような電流が超電導コイル４１Ａ，４２Ａに供給された場合、超電導コイル４１Ａ，４２Ａの近傍で磁束密度が最も高く、プラズマ生成領域２２に向かうほど磁束密度が低くなる磁場ＭＦが発生する。この磁場ＭＦはミラー磁場と呼ばれることもある。超電導コイル４１Ａ，４２Ａは円形コイルであってよく、超電導コイル４１Ａ，４２Ａは互いのコイルのコイル軸が一致するように配置されていてもよい。以下の説明では、それぞれのコイルのコイル軸を通る直線を磁場発生部４の磁場軸ＭＡとする。ただし、チャンバ２の内部に発生する磁場ＭＦに中心軸が定義できる場合、その中心軸が磁場発生部４の磁場軸ＭＡとされてもよい。
　プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子をチャンバ２の壁側に効率良く収束させるためには、ミラー比を小さくすることが好ましい。ミラー比は、超電導コイル４１Ａ，４２Ａの中間に位置されるプラズマ生成領域２２での磁束密度に対する、当該超電導コイル４１Ａ，４２Ａの近傍での磁束密度の比である。また、プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子をチャンバ２の壁側に効率良く収束させるため、磁場ＭＦの形状が制御されてもよい。例えば、超電導コイル４１Ａ，４２Ａの巻き数やそれら超電導コイル４１Ａ，４２Ａに印加される電流の強さ等によって磁場ＭＦの形状が制御され得る。
　なお、磁場発生部４は、一方の電磁石４１側からプラズマ生成領域２２を介して他方の電磁石４２側に荷電粒子が収束するための磁場を発生するようにしてもよい。また、磁場発生部４は、一対の電磁石４１，４２により構成されたが、一対の永久磁石により構成されてもよい。また、磁場を発生するための磁石である電磁石４１，４２もしくは永久磁石がチャンバ２の内部にあってもよい。
　また本実施形態の極端紫外光生成装置１は、不図示のエッチングガス供給部及び排気部５を含む。エッチングガス供給部は、ドロップレットのプラズマ化により生じた微粒子及び荷電粒子に反応するエッチングガスを供給するよう構成される。エッチングガス供給部は、例えば、ＥＵＶ光集光ミラー２３の外周部から反射面２３Ａに沿ってエッチングガスを供給するよう構成し得る。ターゲット物質の材料がスズである場合、エッチングガスは、水素ガス等のように水素を含有するガスとされる。この場合、ターゲット物質のドロップレットがプラズマ生成領域２２でプラズマ化するとスズ微粒子及びスズイオンが生じ、当該スズ微粒子及びスズイオンが水素と反応すると常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）になる。
　排気部５は、チャンバ２内の残留ガスを排気するよう構成される。残留ガスは、プラズマ生成領域２２でのプラズマ化により生じる微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応した生成物と、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部はチャンバ２内で中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。排気部５は、例えば、チャンバ２の壁に設けられる排出口５１Ａ，５１Ｂから、当該排出口５１Ａ，５１Ｂに連結される排出管５２Ａ，５２Ｂを介してチャンバ２内の残留ガスを取り込み、当該残留ガスに対して所定の排気処理を施すよう構成し得る。
　なお、排出口５１Ａ，５１Ｂは、図１に示す例では磁場ＭＦの磁場軸ＭＡ上に設けられているが、当該位置とは異なるチャンバ２の壁に設けられていてもよい。ただし、プラズマ生成領域２２で生じる荷電粒子を効率良く排出するためには、排出口５１Ａ，５１Ｂが磁場ＭＦの磁場軸ＭＡ上に設けられることが好ましい。
　また、排出管５２Ａは、図１に示す例ではチャンバ２と電磁石４１との間を経由するように配置されているが、超電導コイル４１Ａの貫通孔Ｈ１に挿通されるように配置されていてもよい。同様に、排出管５２Ｂは、図１に示す例ではチャンバ２と電磁石４２との間を経由するように配置されているが、超電導コイル４２Ａの貫通孔Ｈ２に挿通されるように配置されていてもよい。また、一対の排出口５１Ａ，５１Ｂと、排気部５との少なくとも一方に、微粒子をトラップするヒータ等のトラップ機構が設けられてもよい。さらに、排気部５は、チャンバ２内の圧力を略一定に保つようにしてもよい。
　２．２　動作
　磁場発生部４は超電導コイル４１Ａ，４２Ａの近傍で磁束密度が最も高くプラズマ生成領域２２に向かうほど磁束密度が低くなる磁場ＭＦを発生し、排気部５はチャンバ２内の圧力を略一定に保つ。なお、磁場ＭＦの磁束密度は例えば０．４Ｔ～３Ｔの範囲内とされ、好ましくは０．５Ｔ～１．５Ｔの範囲内とされる。チャンバ２内の圧力は例えば１０Ｐａ～１００Ｐａの範囲内とされ、好ましくは１５Ｐａ～４０Ｐａとされる。
　この状態において、エッチングガスとターゲット物質のドロップレットとがチャンバ２内に供給され、当該チャンバ２内のプラズマ生成領域２２に達したドロップレットに対してレーザ光ＰＬが照射される。
　レーザ光ＰＬが照射されたドロップレットはプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光を含む光が放射する。ＥＵＶ光は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａで選択的に反射され、チャンバ２に接続された不図示の露光装置に出力される。
　ところで、ドロップレットがプラズマ化すると、上記のように荷電粒子が生じる。荷電粒子は、ローレンツ力を受けることで磁力線に垂直な面内で回転する軌道を描いて運動する。このように運動する荷電粒子が排出口５１Ａ，５１Ｂの方向に速度成分を有している場合、荷電粒子は磁力線に沿ってらせん軌道を描きながらチャンバ２の壁に向かって収束する。そして、荷電粒子は、磁場ＭＦの収束部付近のチャンバ２の壁に設けられた排出口５１Ａ，５１Ｂに誘導される。
　また、ドロップレットがプラズマ化すると、上記のように微粒子が生じる。微粒子は、磁場発生部４により発生される磁場ＭＦの影響を受け難いためチャンバ２内に拡散する。チャンバ２内に拡散した微粒子の一部は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに沿って供給されるエッチングガスと反応し、この反応により所定の生成物となる。上記のように微粒子がスズ微粒子であり、エッチングガスが水素を含むガスである場合、生成物は常温で気体のスタンナンである。このスタンナンは高温で水素と解離し、スズ微粒子が生じ易くなる。従って、生成物がスタンナンである場合には、水素との解離を抑制するためにＥＵＶ光集光ミラー２３の温度が６０℃以下に保たれるとよい。なお、ＥＵＶ光集光ミラー２３の温度を２０℃以下とすることがより好ましい。
　エッチングガスとの反応により得られた生成物は、未反応のエッチングガスの流れにのって、排出口５１Ａ，５１Ｂに向かう。また、磁場ＭＦによって排出口５１Ａ，５１Ｂに収束しなかった荷電粒子と、中性化した荷電粒子と、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａに付着しなかった微粒子との少なくとも一部は、チャンバ２内を流れる未反応のエッチングガスの一部と反応する。この反応により得られる生成物は、未反応のエッチングガスの流れにのって、排出口５１Ａ，５１Ｂに向かう。そして、未反応のエッチングガスの少なくとも一部は、排出口５１Ａ，５１Ｂに流入する。
　排出口５１Ａ，５１Ｂに流入した未反応のエッチングガスと、当該エッチングガスに含まれる微粒子、荷電粒子、中性化した荷電粒子及び上記の生成物等の成分は、排気流に乗って排気部５に流入し、その排気部５で無害化等の所定の排気処理が施される。
３．比較例のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　次に、上記の極端紫外光生成装置における比較例のＥＵＶ光集光ミラーを説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　３．１　構成
　図２は、ＥＵＶ光集光ミラーの断面を示す図である。図２に示すように、ＥＵＶ光集光ミラー２３は、基板６１と反射層６２と保護層６３とを含む。反射層６２は、例えば、基板６１上に設けられる第１層６２Ａと、第１層６２Ａ上に設けられる第２層６２Ｂとの２層により構成し得る。第１層６２Ａは例えばニッケルめっきで成る単層とされ、第２層６２Ｂは例えばＭｏ層とＳｉ層とを交互に積層した多層とされる。なお、ＥＵＶ光集光ミラー２３の反射面２３Ａは、第１層６２Ａと第２層６２Ｂとの界面、第２層６２ＢにおけるＭｏ層とＳｉ層との界面、及び、反射層表面６２Ｆを含む。また、反射層表面６２Ｆは、保護層６３との界面となる反射層６２の表面である。
　保護層６３は、反射層６２を保護する層である。保護層６３の厚さである層厚は、均一とされる。保護層６３の材料は、例えば、Ｒｕ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＺｒＮ、Ｓｃ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、ＴｉＮのなかから選択し得る。ただし、例示した以外が保護層６３の材料とされてもよい。
　３．２　課題
　ドロップレットのプラズマ化により生じた荷電粒子は、上記のように、磁場発生部４により発生された磁場ＭＦの磁力線に沿ってらせん軌道を描きながら排出口５１Ａ，５１Ｂに収束する。このとき、らせん軌道を描く荷電粒子の一部がＥＵＶ光集光ミラー２３の保護層６３に衝突する場合がある。
　荷電粒子が保護層６３に衝突した場合、保護層６３が削れて反射層６２の一部が保護層６３から露出し、その露出部分が微粒子などにより汚染されることで、反射層６２におけるＥＵＶ光の反射率が低下することが懸念される。
　ところで、保護層６３の層厚が大きい場合には、荷電粒子が保護層６３に衝突しても、その衝突により保護層６３から反射層６２の一部が露出することが低減されると考えられる。しかしながら、比較例のＥＵＶ光集光ミラー２３の保護層６３の層厚は均一であり、当該層厚を一様に大きくした場合には、その保護層６３におけるＥＵＶ光の透過率が低下することで、反射層６２におけるＥＵＶ光の反射率が低下することが懸念される。
　そこで、以下の実施形態では、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得る極端紫外光生成装置が例示される。
４．実施形態１のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　次に、実施形態１としてＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　４．１　構成
　実施形態１のＥＵＶ光集光ミラー２３では、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚が変化する層厚分布となるよう保護層６３が構成されている点で、当該層厚が均一であった比較例とは相違する。
　図３は磁場軸との間の距離を示す模式図であり、図４は磁場軸に対する反射層表面の距離分布を示す図であり、図５は図４の距離分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。図４及び図５では、回転楕円状の反射層表面６２Ｆとプラズマ点との間に、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに垂直な投影面を置き、当該プラズマ点を視点として投影面に反射層表面６２Ｆを平行投影した平面図が示されている。なお、プラズマ点は、図１に示すように、チャンバ２内に集光されるレーザ光ＰＬの集光位置である。
　図４における反射層表面６２Ｆの数値は、磁場発生部４の磁場軸ＭＡとの距離Ｄ１を所定のレンジで示している。なお、磁場軸ＭＡとの間の距離Ｄ１は、図３に示すように、反射層表面６２Ｆのなかの対象位置と、磁場軸ＭＡとの最短距離である。対象位置は、反射層表面６２Ｆのなかから任意に選択される位置であり、互いに異なる複数の対象位置が選択される。それぞれの対象位置は互いに接していても離間していてもよい。それぞれの対象位置が離間している場合、当該対象位置の間隔は同じであっても異なっていてもよい。
　図５における反射層表面６２Ｆの数値は、図４における反射層表面６２Ｆの数値を所定の規格化により保護層６３の層厚に換算したものである。具体的には、磁場軸ＭＡとの間の距離Ｄ１が最も小さい対象位置の保護層６３の層厚を２０ｎｍとし、当該距離Ｄ１が最も大きい位置の保護層６３の層厚を５ｎｍとして、図４における反射層表面６２Ｆの数値を保護層６３の層厚に換算している。なお、最大層厚を２０ｎｍとした理由は、最大層厚が２０ｎｍを超えると反射率が著しく低下し易いからである。また、最小層厚を５ｎｍとした理由は、最小層厚が５ｎｍ未満になると水素や酸素等が保護層６３を透過して反射層６２を劣化させる場合が懸念されるからである。また、本実施形態における最大層厚と最小層厚との差は１５ｎｍとしたが、１５ｎｍ以外であってもよい。ただし、保護層６３における最大層厚と最小層厚との差は、１０ｎｍ以上であることが好ましい。
　図３～図５に示すように、本実施形態における保護層６３の層厚分布は、磁場発生部４の磁場軸ＭＡと反射層表面６２Ｆとの間の距離Ｄ１に基づいて規定される。この保護層６３の層厚分布は、磁場軸ＭＡと反射層表面６２Ｆとの間の距離Ｄ１が小さい位置ほど層厚が大きい分布とされる。また、保護層６３の層厚分布は、磁場発生部４の磁場軸ＭＡ及びＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを通る面を基準として面対称である。図５に示すように、プラズマ点を視点として反射層表面６２Ｆを平行投影した場合、保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬを基準として線対称である。反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬは、磁場発生部４の磁場軸ＭＡ及びＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを通る面と反射層表面６２Ｆとが交わる線である。なお、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬは曲線となるが、当該反射層表面６２Ｆを平行投影した場合には図５に示すように直線として示される。さらに、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられる場合、保護層６３の層厚分布は、その貫通孔２３Ｂにおける反射層表面６２Ｆ側の開口面と、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡとが交わる点を基準として点対称である。一方、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられていない場合、保護層６３の層厚分布は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡと反射層表面６２Ｆとが交わる点を基準として点対称である。保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬ上とされる。また、保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬのうち、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡよりも磁場発生部４側に寄った部位とされる。磁場発生部４側に寄った部位は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡから反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬの一端までの中間位置よりも磁場発生部４側である。なお、磁場発生部４に一対のコイル４１Ａ，４２Ａが含まれる場合には、それぞれのコイル４１Ａ，４２Ａに対して存在する。すなわち、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬのうち一方のコイル４１Ａ側の一端からＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡまでの中間位置よりも、その一方のコイル４１Ａ側に保護層６３の最大層厚の位置が存在する。同様に、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬのうち他方のコイル４２Ａ側の他端からＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡまでの中間位置よりも、そのコイル４２Ａ側に保護層６３の最大層厚の位置が存在する。保護層６３の最小層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬから最も離れた部位とされる。
　このような保護層６３の製造方法は、次の３つの製造方法のなかから選択し得る。ただし、次の３つの製造方法以外の製造方法が採用されてもよい。第１の製造方法は、層厚分布のうち最小の層厚となる層を反射層６２の反射層表面６２Ｆ全体に設けた後、層厚を厚くする部分以外をマスクした状態で所定厚となる層を付加する工程を複数回繰り返すことで、層厚分布を有する保護層６３の製造する製造方法である。第２の製造方法は、層厚分布のうち最大の層厚となる層を反射層６２の反射層表面６２Ｆ全体に設けた後、層厚を薄くする部分をエッチングもしくは研磨する工程を経ることで、層厚分布を有する保護層６３の製造する製造方法である。第３の製造方法は、局所的に成膜可能な成膜装置を用いて、層厚分布を有する保護層６３の製造する製造方法である。
　４．２　作用・効果
　上記のように、プラズマ生成領域２２におけるドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子は、磁場発生部４により発生される磁場ＭＦの磁力線に沿ってらせん軌道を描きながらチャンバ２の壁に向かって収束する。このため、磁場発生部４の磁場軸ＭＡに反射層表面６２Ｆが近づくほど、チャンバ２の壁に向かって収束する荷電粒子がＥＵＶ光集光ミラー２３に衝突し易い傾向となる。
　本実施形態における保護層６３の層厚分布は、磁場軸ＭＡと反射層表面６２Ｆとの間の距離Ｄ１が小さい位置ほど層厚が大きい分布とされる。このため、磁場軸ＭＡとの関係で荷電粒子が衝突し易い傾向となる部位ほど層厚が厚くなる。従って、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚を一様に大きくする場合に比べると、保護層６３におけるＥＵＶ光の透過率の低下が抑制されるとともに、荷電粒子の衝突により保護層６３から反射層６２が露出して汚染されることが抑制される。こうして、本実施形態によれば、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得る極端紫外光生成装置が提供される。
５．実施形態２のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　次に、実施形態２としてＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　５．１　構成
　実施形態２のＥＵＶ光集光ミラー２３では、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚が変化する層厚分布となるよう保護層６３が構成されている点で、当該層厚が均一であった比較例とは相違する。
　図６は反射層表面の磁束密度分布を示す図であり、図７は図６の磁束密度分布に基づく保護層の層厚分布である。図６及び図７では、回転楕円状の反射層表面６２Ｆとプラズマ点との間に、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに垂直な投影面を置き、当該プラズマ点を視点として投影面に反射層表面６２Ｆを平行投影した平面図が示されている。
　図６における反射層表面６２Ｆの数値は、反射層表面６２Ｆの磁束密度分布を所定のレンジで示している。なお、反射層表面６２Ｆのなかで磁束密度が最も大きい対象位置を１とし、磁束密度が最も小さい対象位置を０としている。
　図７における反射層表面６２Ｆの数値は、図６における反射層表面６２Ｆの数値を所定の規格化により保護層６３の層厚に換算したものである。具体的には、反射層表面６２Ｆの磁束密度が最も大きい部位の保護層６３の層厚を２０ｎｍとし、当該磁束密度が最も小さい部位の保護層６３の層厚を５ｎｍとして、図６における反射層表面６２Ｆの数値を保護層６３の層厚に換算している。なお、本実施形態における最大層厚と最小層厚との差は１５ｎｍとしたが、１５ｎｍ以外であってもよい。ただし、保護層６３における最大層厚と最小層厚との差は、１０ｍ以上であることが好ましい。
　図６、図７に示すように、本実施形態における保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆにおける磁場ＭＦの磁束密度に基づいて規定される。この保護層６３の層厚分布は、磁束密度が大きい位置ほど層厚が大きい分布とされる。また、保護層６３の層厚分布は、磁場発生部４の磁場軸ＭＡ及びＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを通る面を基準として面対称である。図７に示すように、プラズマ点を視点として反射層表面６２Ｆを平行投影した場合、保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬを基準として線対称である。さらに、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられる場合、保護層６３の層厚分布は、その貫通孔２３Ｂにおける反射層表面６２Ｆ側の開口面と、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡとが交わる点を基準として点対称である。一方、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられていない場合、保護層６３の層厚分布は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡと反射層表面６２Ｆとが交わる点を基準として点対称である。保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬ上とされる。また、保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬのうち磁場発生部４に最も近い部位とされる。保護層６３の最小層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬから最も離れた部位とされる。
　このような保護層６３の製造方法は、実施形態１で説明した３つの製造方法のなかから選択し得る。ただし、実施形態１で説明した３つの製造方法以外の製造方法が採用されてもよい。
　５．２　作用・効果
　上記のように、プラズマ生成領域２２におけるドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子は、磁場発生部４により発生される磁場ＭＦの磁力線に沿ってらせん軌道を描きながらチャンバ２の壁に向かって収束する。このため、反射層表面６２Ｆにおける磁場ＭＦの磁束密度が大きい位置ほど、チャンバ２の壁に向かって収束する荷電粒子がＥＵＶ光集光ミラー２３に衝突し易い傾向となる。
　本実施形態における保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆにおける磁場ＭＦの磁束密度が大きい位置ほど層厚が大きい分布とされる。このため、磁束密度との関係で荷電粒子が衝突し易い傾向となる部位ほど層厚が厚くなる。従って、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚を一様に大きくする場合に比べると、保護層６３におけるＥＵＶ光の透過率の低下が抑制されるとともに、荷電粒子の衝突により保護層６３から反射層６２が露出して汚染されることが抑制される。こうして、本実施形態によれば、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得る極端紫外光生成装置が提供される。
６．実施形態３のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　次に、実施形態３としてＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　６．１　構成
　実施形態３のＥＵＶ光集光ミラー２３では、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚が変化する層厚分布となるよう保護層６３が構成されている点で、当該層厚が均一であった比較例とは相違する。
　図８は反射層表面とプラズマ点との間の距離を示す模式図であり、図９はプラズマ点に対する反射層表面の距離分布を示す図であり、図１０は図９の距離分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。図９及び図１０では、回転楕円状の反射層表面６２Ｆとプラズマ点との間に、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに垂直な投影面を置き、当該プラズマ点を視点として投影面に反射層表面６２Ｆを平行投影した平面図が示されている。
　図９における反射層表面６２Ｆの数値は、反射層表面６２Ｆとプラズマ点ＰＰとの間の距離Ｄ２を所定のレンジで示している。反射層表面６２Ｆとプラズマ点ＰＰとの間の距離Ｄ２は、図８に示すように、反射層表面６２Ｆのなかの対象位置と、プラズマ点ＰＰとを直線で結んだときのその直線の長さである。
　図１０における反射層表面６２Ｆの数値は、図９における反射層表面６２Ｆの数値を所定の規格化により保護層６３の層厚に換算したものである。具体的には、プラズマ点ＰＰとの間の距離Ｄ２が最も小さい部位の保護層６３の層厚を２０ｎｍとし、当該距離Ｄ２が最も大きい部位の保護層６３の層厚を５ｎｍとして、図９における反射層表面６２Ｆの数値を保護層６３の層厚に換算している。なお、本実施形態における最大層厚と最小層厚との差は１５ｎｍとしたが、１５ｎｍ以外であってもよい。ただし、保護層６３における最大層厚と最小層厚との差は、１０ｎｍ以上であることが好ましい。
　図８～図１０に示すように、本実施形態における保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆとプラズマ点ＰＰとの間の距離Ｄ２に基づいて規定される。この保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆとプラズマ点ＰＰとの間の距離Ｄ２が小さい位置ほど層厚が大きい分布とされる。また、保護層６３の層厚分布は、磁場発生部４の磁場軸ＭＡ及びＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを通る面を基準として面対称である。図１０に示すように、プラズマ点を視点として反射層表面６２Ｆを平行投影した場合、保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬを基準として線対称である。さらに、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられる場合、保護層６３の層厚分布は、その貫通孔２３Ｂにおける反射層表面６２Ｆ側の開口面と、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡとが交わる点を基準として点対称である。一方、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられていない場合、保護層６３の層厚分布は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡと反射層表面６２Ｆとが交わる点を基準として点対称である。保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬ上とされる。また、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられる場合、保護層６３の最大層厚の位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに最も近い位置とされる。一方、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられていない場合、保護層６３の最大層厚の位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡ上とされる。保護層６３の最小層厚の位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡから最も離れた部位とされる。
　このような保護層６３の製造方法は、実施形態１で説明した３つの製造方法のなかから選択し得る。ただし、実施形態１で説明した３つの製造方法以外の製造方法が採用されてもよい。
　６．２　作用・効果
　上記のように、プラズマ生成領域２２におけるドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子の一部は、磁場発生部４により発生される磁場ＭＦの影響を受けずにＥＵＶ光集光ミラー２３に拡散する場合がある。このため、プラズマ点ＰＰに反射層表面６２Ｆが近づくほど、荷電粒子がＥＵＶ光集光ミラー２３に衝突し易い傾向となる。
　本実施形態における保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆとプラズマ点ＰＰとの間の距離Ｄ２が大きい位置ほど層厚が大きい分布とされる。このため、プラズマ点ＰＰとの関係で荷電粒子が衝突し易い傾向となる部位ほど層厚が厚くなる。従って、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚を一様に大きくする場合に比べると、保護層６３におけるＥＵＶ光の透過率の低下が抑制されるとともに、荷電粒子の衝突により保護層６３から反射層６２が露出して汚染されることが抑制される。こうして、本実施形態によれば、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得る極端紫外光生成装置が提供される。
　なお、上記のように、プラズマ生成領域２２におけるドロップレットのプラズマ化すると、荷電粒子の他に微粒子も生じる。この微粒子は磁場ＭＦの影響を受け難いため、プラズマ点ＰＰに反射層表面６２Ｆが近づくほど、ＥＵＶ光集光ミラー２３に微粒子が衝突し易い。本実施形態の保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆとプラズマ点ＰＰとの間の距離Ｄ２が大きい位置ほど層厚が大きい分布とされるため、微粒子の衝突により保護層６３から反射層６２が露出して汚染されることをも抑制し得る。
７．実施形態４のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　次に、実施形態４としてＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　７．１　構成
　実施形態４のＥＵＶ光集光ミラー２３では、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚が変化する層厚分布となるよう保護層６３が構成されている点で、当該層厚が均一であった比較例とは相違する。
　図１１はＥＵＶ光集光ミラーの中心軸からの角度を示す模式図であり、図１２はプラズマ点からＥＵＶ光集光ミラーの中心軸に向かう方向からの角度と当該角度方向における反射層表面の荷電粒子量との関係を示すグラフである。また、図１３は反射層表面の荷電粒子量分布を示す図であり、図１４は図１３の荷電粒子量分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。図１３及び図１４では、回転楕円状の反射層表面６２Ｆとプラズマ点との間に、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに垂直な投影面を置き、当該プラズマ点を視点として投影面に反射層表面６２Ｆを平行投影した平面図が示されている。
　図１３における反射層表面６２Ｆの数値は、反射層表面６２Ｆの荷電粒子量を所定のレンジで示している。なお、反射層表面６２Ｆのなかで荷電粒子量が最も大きい対象位置を１とし、荷電粒子量が最も小さい対象位置を０としている。この荷電粒子量は次のように求めた。まず、図１１に示すように、プラズマ点ＰＰからＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに向かう方向から互いに異なる複数の角度θを選定する。次に、図１２に示すように、反射層表面６２Ｆのうち、選定したそれぞれの角度方向の対象位置における荷電粒子量を測定し、当該測定した荷電粒子量に最も近似する曲線に基づいて反射層表面６２Ｆの荷電粒子量を求めた。
　図１４における反射層表面６２Ｆの数値は、図１３における反射層表面６２Ｆの数値を所定の規格化により保護層６３の層厚に換算したものである。具体的には、荷電粒子量が最も多い部位の保護層６３の層厚を２０ｎｍとし、当該荷電粒子量が最も少ない部位の保護層６３の層厚を５ｎｍとして、図１３における反射層表面６２Ｆの数値を保護層６３の層厚に換算している。なお、本実施形態における最大層厚と最小層厚との差は１５ｎｍとしたが、１５ｎｍ以外であってもよい。ただし、保護層６３における最大層厚と最小層厚との差は、１０ｎｍ以上であることが好ましい。
　図１１～図１４に示すように、本実施形態における保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆにおける荷電粒子量に基づいて規定される。この保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆにおける荷電粒子の量が多い位置ほど層厚が大きい分布とされる。また、保護層６３の層厚分布は、磁場発生部４の磁場軸ＭＡ及びＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを通る面を基準として面対称である。図１４に示すように、プラズマ点を視点として反射層表面６２Ｆを平行投影した場合、保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬを基準として線対称である。さらに、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられる場合、保護層６３の層厚分布は、その貫通孔２３Ｂにおける反射層表面６２Ｆ側の開口面と、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡとが交わる点を基準として点対称である。一方、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられていない場合、保護層６３の層厚分布は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡと反射層表面６２Ｆとが交わる点を基準として点対称である。保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬ上とされる。また、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられる場合、保護層６３の最大層厚の位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに最も近い位置とされる。一方、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられていない場合、保護層６３の最大層厚の位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡ上とされる。保護層６３の最小層厚の位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡから最も離れた部位とされる。
　このような保護層６３の製造方法は、実施形態１で説明した３つの製造方法のなかから選択し得る。ただし、実施形態１で説明した３つの製造方法以外の製造方法が採用されてもよい。
　７．２　作用・効果
　上記のように、プラズマ生成領域２２におけるドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子の一部は、磁場発生部４により発生される磁場ＭＦの影響を受けずにＥＵＶ光集光ミラー２３に拡散する場合がある。
　本実施形態における保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆにおける荷電粒子の量が多い位置ほど層厚が大きい分布とされる。このため、プラズマ点ＰＰから拡散する荷電粒子量との直接的な関係で荷電粒子が衝突し易い傾向となる部位ほど層厚が厚くなる。従って、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚を一様に大きくする場合に比べると、保護層６３におけるＥＵＶ光の透過率の低下が抑制されるとともに、荷電粒子の衝突により保護層６３から反射層６２が露出して汚染されることが抑制される。こうして、本実施形態によれば、ＥＵＶ光の反射率の低下を抑制し得る極端紫外光生成装置が提供される。
　なお、上記のように、プラズマ生成領域２２におけるドロップレットのプラズマ化すると、荷電粒子の他に微粒子も生じる。この微粒子は、磁場ＭＦの影響を受け難いため拡散する。拡散する微粒子量は、プラズマ点ＰＰに照射されるレーザ光ＰＬの光軸上で最も多くなり、荷電粒子量と概ね比例関係にある。本実施形態の保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆにおける荷電粒子の量が多い位置ほど層厚が大きい分布とされるため、当該荷電粒子量と概ね比例関係にある微粒子の衝突により保護層６３から反射層６２が露出して汚染されることをも抑制し得る。
８．実施形態５のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　次に、実施形態５としてＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　７．１　構成
　実施形態５のＥＵＶ光集光ミラー２３では、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚が変化する層厚分布となるよう保護層６３が構成されている点で、当該層厚が均一であった比較例とは相違する。
　図１５は第１の組み合わせ分布を示す図であり、図１６は図１５の第１の組み合わせ分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。図１５及び図１６は、回転楕円状の反射層表面６２Ｆとプラズマ点との間に、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに垂直な投影面を置き、当該プラズマ点を視点として投影面に反射層表面６２Ｆを平行投影した平面図が示されている。
　図１５における反射層表面６２Ｆの数値は、図４に示す第１の距離Ｄ１と、図９に示す第２の距離Ｄ２とを下記（１）式により得た層厚分布係数である。ただし、下記（１）式以外の統計学的手法により層厚分布係数が得られてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
　上記（１）式のＲは層厚分布係数である。上記（１）式のＬは対象位置から磁場軸ＭＡまでの第１の距離Ｄ１であり、上記（１）式のＬｍｉｎは第１の距離Ｄ１の最小値であり、上記（１）式のＬｍａｘは第１の距離Ｄ１の最大値である。上記（１）式のＰは対象位置からプラズマ点ＰＰまで第２の距離Ｄ２であり、上記（１）式のＰｍｉｎは第２の距離Ｄ２の最小値であり、上記（１）式のＰｍａｘは第２の距離Ｄ２の最大値である。なお、対象位置は、上記のように任意に複数選択されることから、上記（１）式のＬとＰとは変数である。上記（１）式のａは第１の距離Ｄ１に割り当てられる重み係数であり、上記（１）式のｃは第２の距離Ｄ２に割り当てられる重み係数である。重み係数ｃは重み係数ａよりも大きくされてもよい。上記（１）式のように、本実施形態では、第１の距離Ｄ１の変化幅に対する対象位置からの第１の距離Ｄ１の割合が求められ、当該割合に対して第１の距離Ｄ１に該当する重み係数ａが乗算される。また、第２の距離Ｄ２の変化幅に対する対象位置からの第２の距離Ｄ２の割合が求められ、当該割合に対して第２の距離Ｄ２に該当する重み係数ｃが乗算される。そして、それぞれの乗算結果を加算して得られる値が、層厚分布係数Ｒとされる。
　図１６における反射層表面６２Ｆの数値は、図１５における反射層表面６２Ｆの層厚分布係数を保護層６３の層厚に換算したものである。例えば、上記（１）式により得た層厚分布係数Ｒが下記（２）式により保護層６３の層厚に換算される。ただし、下記（２）式以外の統計学的手法により層厚分布係数が保護層６３の層厚に換算されてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
　なお、上記（２）式のＴは保護層６３の層厚である。また、上記（２）式のＲ、ａ及びｃは、それぞれ、上記（１）式と同じである。本実施形態における最大層厚と最小層厚との差は１５ｎｍとしているが、１５ｎｍ以外であってもよい。ただし、保護層６３における最大層厚と最小層厚との差は、１０ｎｍ以上であることが好ましい。
　図１５及び図１６に示すように、本実施形態における保護層６３の層厚分布は、磁場発生部４の磁場軸ＭＡと反射層表面６２Ｆとの間における第１の距離Ｄ１と、プラズマ点ＰＰと反射層表面６２Ｆとの間における第２の距離Ｄ２とに基づいて規定される。この保護層６３の層厚分布は、上記（１）式により得られる層厚分布係数が多い位置ほど層厚が大きい分布とされる。また、保護層６３の層厚分布は、磁場発生部４の磁場軸ＭＡ及びＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを通る面を基準として面対称である。図１６に示すように、プラズマ点を視点として反射層表面６２Ｆを平行投影した場合、保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬを基準として線対称である。さらに、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられる場合、保護層６３の層厚分布は、その貫通孔２３Ｂにおける反射層表面６２Ｆ側の開口面と、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡとが交わる点を基準として点対称である。一方、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられていない場合、保護層６３の層厚分布は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡと反射層表面６２Ｆとが交わる点を基準として点対称である。保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬ上とされる。また、保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬのうち、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡよりも磁場発生部４側に寄った部位とされる。磁場発生部４側に寄った部位は、上記のように、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡから反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬの一端までの中間位置よりも磁場発生部４側である。保護層６３の最小層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬから最も離れた部位とされる。
　このような保護層６３の製造方法は、実施形態１で説明した３つの製造方法のなかから選択し得る。ただし、実施形態１で説明した３つの製造方法以外の製造方法が採用されてもよい。
　８．２　作用・効果
　上記のように、プラズマ生成領域２２におけるドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子の大部分は磁場ＭＦの影響を受けてチャンバ２の壁に向かって収束する一方、当該プラズマ化により生じる微粒子は磁場ＭＦの影響を受けずに拡散し易い。
　このため、磁場発生部４の磁場軸ＭＡと反射層表面６２Ｆとの間における第１の距離Ｄ１は、磁場ＭＦの影響を受け難い微粒子が反射層表面６２Ｆに衝突する傾向に比べて、当該磁場ＭＦの影響を受ける荷電粒子が反射層表面６２Ｆに衝突する傾向を反映し易い。これに対し、プラズマ点ＰＰと反射層表面６２Ｆとの間における第２の距離Ｄ２は、荷電粒子が反射層表面６２Ｆに衝突する傾向に比べて、微粒子が反射層表面６２Ｆに衝突する傾向を反映し易い。
　本実施形態における保護層６３の層厚分布は、第１の距離Ｄ１と第２の距離Ｄ２との双方に基づいて規定される。このため、本実施形態の場合、第１の距離Ｄ１及び第２の距離Ｄ２のいずれかのみに基づいて保護層６３の層厚分布が規定される場合に比べると、より反射層表面６２Ｆに衝突し易い傾向を捉えることができる。従って、本実施形態によれば、保護層６３から反射層６２が露出して汚染されることをより一段と抑制し得る。
９．実施形態６のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　次に、実施形態６としてＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　７．１　構成
　実施形態６のＥＵＶ光集光ミラー２３では、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚が変化する層厚分布となるよう保護層６３が構成されている点で、当該層厚が均一であった比較例とは相違する。
　図１７は第２の組み合わせ分布を示す図であり、図１８は図１７の第２の組み合わせ分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。図１７及び図１８は、回転楕円状の反射層表面６２Ｆとプラズマ点との間に、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに垂直な投影面を置き、当該プラズマ点を視点として投影面に反射層表面６２Ｆを平行投影した平面図が示されている。
　図１７における反射層表面６２Ｆの数値は、図６に示す磁束密度と、図９に示す第２の距離Ｄ２とを下記（３）式により得た層厚分布係数である。ただし、下記（３）式以外の統計学的手法により層厚分布係数が得られてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000003
　上記（３）式のＢは反射層表面６２Ｆにおける対象位置の磁束密度であり、上記のように、対象位置は任意に複数選択されることから、上記（３）式のＢは変数である。上記（３）式のＢｍｉｎは磁束密度の最小値であり、上記（３）式のＢｍａｘは磁束密度の最大値であり、上記（３）式のｂは磁束密度に割り当てられる重み係数である。重み係数ｂは重み係数ｃよりも小さくされてもよい。なお、上記（３）式のＲ、Ｐ、Ｐｍｉｎ、Ｐｍａｘ及びｃは、それぞれ、上記（１）式と同じである。上記（３）式のように、本実施形態では、磁束密度の変化幅に対する対象位置の磁束密度の割合が求められ、当該割合に対して磁束密度に該当する重み係数ｂが乗算される。また、第２の距離Ｄ２の変化幅に対する対象位置からの第２の距離Ｄ２の割合が求められ、当該割合に対して第２の距離Ｄ２に該当する重み係数ｃが乗算される。そして、それぞれの乗算結果を加算して得られる値が、層厚分布係数Ｒとされる。
　図１８における反射層表面６２Ｆの数値は、図１７における反射層表面６２Ｆの層厚分布係数を保護層６３の層厚に換算したものである。例えば、上記（３）式により得た層厚分布係数Ｒが下記（４）式により保護層６３の層厚に換算される。ただし、下記（４）式以外の統計学的手法により層厚分布係数が保護層６３の層厚に換算されてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000004
　なお、上記（４）式のＴは保護層６３の層厚である。また、上記（４）式のＲ、ｂ及びｃはそれぞれ上記（３）式と同じである。本実施形態における最大層厚と最小層厚との差は１５ｎｍとしているが、１５ｎｍ以外であってもよい。ただし、保護層６３における最大層厚と最小層厚との差は、１０ｎｍ以上であることが好ましい。
　図１７及び図１８に示すように、本実施形態における保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆの磁束密度と、プラズマ点ＰＰと反射層表面６２Ｆとの間における第２の距離Ｄ２とに基づいて規定される。この保護層６３の層厚分布は、上記（３）式により得られる層厚分布係数が多い位置ほど層厚が大きい分布とされる。また、保護層６３の層厚分布は、磁場発生部４の磁場軸ＭＡ及びＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを通る面を基準として面対称である。図１８に示すように、プラズマ点を視点として反射層表面６２Ｆを平行投影した場合、保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬを基準として線対称である。さらに、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられる場合、保護層６３の層厚分布は、その貫通孔２３Ｂにおける反射層表面６２Ｆ側の開口面と、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡとが交わる点を基準として点対称である。一方、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられていない場合、保護層６３の層厚分布は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡと反射層表面６２Ｆとが交わる点を基準として点対称である。保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬ上とされる。また、保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬのうち磁場発生部４に最も近い部位とされる。保護層６３の最小層厚の位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡから最も離れた部位とされる。
　このような保護層６３の製造方法は、実施形態１で説明した３つの製造方法のなかから選択し得る。ただし、実施形態１で説明した３つの製造方法以外の製造方法が採用されてもよい。
　９．２　作用・効果
　上記のように、プラズマ生成領域２２におけるドロップレットのプラズマ化により生じる荷電粒子の大部分は磁場ＭＦの影響を受けてチャンバ２の壁に向かって収束する一方、当該プラズマ化により生じる微粒子は磁場ＭＦの影響を受けずに拡散し易い。
　このため、反射層表面６２Ｆにおける磁束密度は、磁場ＭＦの影響を受け難い微粒子が反射層表面６２Ｆに衝突する傾向に比べて、当該磁場ＭＦの影響を受ける荷電粒子が反射層表面６２Ｆに衝突する傾向を反映し易い。これに対し、プラズマ点ＰＰと反射層表面６２Ｆとの間における第２の距離Ｄ２は、上記のように、荷電粒子が反射層表面６２Ｆに衝突する傾向に比べて、微粒子が反射層表面６２Ｆに衝突する傾向を反映し易い。
　本実施形態における保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆにおける磁束密度と第２の距離Ｄ２との双方に基づいて規定される。このため、本実施形態の場合、反射層表面６２Ｆにおける磁束密度及び第２の距離Ｄ２のいずれかのみに基づいて保護層６３の層厚分布が規定される場合に比べると、より反射層表面６２Ｆに衝突し易い傾向を捉えることができる。従って、本実施形態によれば、保護層６３から反射層６２が露出して汚染されることをより一段と抑制し得る。
１０．実施形態７のＥＵＶ光集光ミラーの説明
　次に、実施形態７としてＥＵＶ光集光ミラーの構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
　７．１　構成
　実施形態７のＥＵＶ光集光ミラー２３では、反射層表面６２Ｆからの保護層６３の層厚が変化する層厚分布となるよう保護層６３が構成されている点で、当該層厚が均一であった比較例とは相違する。
　図１９は第３の組み合わせ分布を示す図であり、図２０は図１９の第３の組み合わせ分布に基づく保護層の層厚分布を示す図である。図１９及び図２０は、回転楕円状の反射層表面６２Ｆとプラズマ点との間に、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに垂直な投影面を置き、当該プラズマ点を視点として投影面に反射層表面６２Ｆを平行投影した平面図が示されている。
　図１９における反射層表面６２Ｆの数値は、図４に示す第１の距離Ｄ１と、図６に示す磁束密度と、図９に示す第２の距離Ｄ２と、図１３に示す荷電粒子量とを下記（５）式により得た層厚分布係数である。ただし、下記（５）式以外の統計学的手法により層厚分布係数が得られてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000005
　上記（５）式のＩは反射層表面６２Ｆにおける対象位置の荷電粒子量であり、上記のように、対象位置は任意に複数選択されることから、上記（５）式のＩは変数である。上記（５）式のＩｍｉｎは荷電粒子量の最小値であり、上記（５）式のＢｍａｘは荷電粒子量の最大値であり、上記（５）式のｄは荷電粒子量に割り当てられる重み係数である。これら表記以外の上記（５）の表記はそれぞれ上記（１）式及び（３）式と同じである。上記（５）式のように、本実施形態では、第１の距離Ｄ１の変化幅に対する対象位置からの第１の距離Ｄ１の割合が求められ、当該割合に対して第１の距離Ｄ１に該当する重み係数ａが乗算される。また、磁束密度の変化幅に対する対象位置の磁束密度の割合が求められ、当該割合に対して磁束密度に該当する重み係数ｂが乗算される。また、第２の距離Ｄ２の変化幅に対する対象位置からの第２の距離Ｄ２の割合が求められ、当該割合に対して第２の距離Ｄ２に該当する重み係数ｃが乗算される。また、荷電粒子量の変化幅に対する対象位置の荷電粒子量の割合が求められ、当該割合に対して荷電粒子量に該当する重み係数ｄが乗算される。そして、それぞれの乗算結果を加算して得られる値が、層厚分布係数Ｒとされる。
　なお、第２の距離Ｄ２に割り当てられる重み係数ｃは、反射層表面６２Ｆの荷電粒子量が含まれていない実施形態５及び実施形態６の場合と、当該荷電粒子量が含まれている本実施形態の場合とで変わるようにしてもよい。例えば、実施形態５及び実施形態６の場合、上記のように、第２の距離Ｄ２に割り当てられる重み係数ｃは、第１の距離Ｄ１に割り当てられる重み係数ａ及び磁束密度に割り当てられる重み係数ｂよりも大きくされる。これに対し、本実施形態の場合、第２の距離Ｄ２に割り当てられる重み係数ｃは、第１の距離Ｄ１に割り当てられる重み係数ａ及び磁束密度に割り当てられる重み係数ｂよりも小さくされる。そして、反射層表面６２Ｆの荷電粒子量に割り当てられる重み係数ｄは最も大きくされる。
　図２０における反射層表面６２Ｆの数値は、図１９における反射層表面６２Ｆの層厚分布係数を保護層６３の層厚に換算したものである。例えば、上記（５）式により得た層厚分布係数Ｒが下記（６）式により保護層６３の層厚に換算される。ただし、下記（６）式以外の統計学的手法により層厚分布係数が保護層６３の層厚に換算されてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000006
　なお、上記（６）式のＴは保護層６３の層厚である。また、上記（６）式のＲ、ａ、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ上記（５）式と同じである。本実施形態における最大層厚と最小層厚との差は１５ｎｍとしているが、１５ｎｍ以外であってもよい。ただし、保護層６３における最大層厚と最小層厚との差は、１０ｎｍ以上であることが好ましい。
　図１９及び図２０に示すように、本実施形態における保護層６３の層厚分布は、上記の第１の距離Ｄ１と、反射層表面６２Ｆの磁束密度と、第２の距離Ｄ２と、反射層表面６２Ｆの荷電粒子量とに基づいて規定される。この保護層６３の層厚分布は、上記（５）式により得られる層厚分布係数が多い位置ほど層厚が大きい分布とされる。また、保護層６３の層厚分布は、磁場発生部４の磁場軸ＭＡ及びＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡを通る面を基準として面対称である。図２０に示すように、プラズマ点を視点として反射層表面６２Ｆを平行投影した場合、保護層６３の層厚分布は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬを基準として線対称である。さらに、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられる場合、保護層６３の層厚分布は、その貫通孔２３Ｂにおける反射層表面６２Ｆ側の開口面と、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡとが交わる点を基準として点対称である。一方、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられていない場合、保護層６３の層厚分布は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡと反射層表面６２Ｆとが交わる点を基準として点対称である。保護層６３の最大層厚の位置は、反射層表面６２Ｆの中心線ＣＬ上とされる。また、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられる場合、保護層６３の最大層厚の位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡに最も近い位置とされる。一方、ＥＵＶ光集光ミラー２３に貫通孔２３Ｂが設けられていない場合、保護層６３の最大層厚の位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡ上とされる。保護層６３の最小層厚の位置は、ＥＵＶ光集光ミラー２３の中心軸ＣＡから最も離れた部位とされる。
　このような保護層６３の製造方法は、実施形態１で説明した３つの製造方法のなかから選択し得る。ただし、実施形態１で説明した３つの製造方法以外の製造方法が採用されてもよい。
　１０．２　作用・効果
　本実施形態における保護層６３の層厚分布は、上記の第１の距離Ｄ１と、磁束密度と、第２の距離Ｄ２と、荷電粒子量とに基づいて規定される。このため、上記の第１の距離Ｄ１と、磁束密度と、第２の距離Ｄ２と、荷電粒子量とのうちの３つ以下に基づいて保護層６３の層厚分布が規定される場合に比べて、荷電粒子及び微粒子が反射層表面６２Ｆに衝突する傾向をより詳細に捉え易い。従って、本実施形態によれば、保護層６３から反射層６２が露出して汚染されることをより一段と抑制し得る。
　なお、上記の第１の距離Ｄ１と、磁束密度と、第２の距離Ｄ２と、荷電粒子量との４つの項目の中から２つ以上の項目が選択され、選択された２つ以上の項目に基づいて層厚分布が規定されるようにしてもよい。
　この場合、選択された２つ以上の項目ごとに最大値と最小値との変化幅に対する割合が求められ、それぞれの割合に対して項目に該当する重み係数が乗算され、それぞれの乗算結果を加算して得られる値が層厚に換算される。例えば、上記の第１の距離Ｄ１と、磁束密度と、第２の距離Ｄ２とが選択された場合、上記のように、第１の距離Ｄ１の変化幅に対する対象位置からの第１の距離Ｄ１の割合が求められ、当該割合に対して第１の距離Ｄ１に該当する重み係数ａが乗算される。また、上記のように、磁束密度の変化幅に対する対象位置の磁束密度の割合が求められ、当該割合に対して磁束密度に該当する重み係数ｂが乗算される。また、上記のように、第２の距離Ｄ２の変化幅に対する対象位置からの第２の距離Ｄ２の割合が求められ、当該割合に対して第２の距離Ｄ２に該当する重み係数ｃが乗算される。そして、それぞれの乗算結果を加算して得られる値が層厚に換算される。この換算には、上記の（２）式、（４）式、（６）式が用いられてもよく、当該式以外が用いられてもよい。
　ただし、上記のように、選択された２つ以上の選択項目に荷電粒子の量が含まれている場合には、第１の距離Ｄ１に割り当てられる重み係数ａ及び磁束密度に割り当てられる重み係数ｂよりも小さくすることが好ましい。また、選択された２つ以上の選択項目に荷電粒子の量が含まれていない場合には、第１の距離Ｄ１に割り当てられる重み係数ａ及び磁束密度に割り当てられる重み係数ｂよりも大きくすることが好ましい。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態や変形例に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
１・・・極端紫外光生成装置、２・・・チャンバ、４・・・磁場発生部、５・・・排気部、２２・・・プラズマ生成領域、２３・・・ＥＵＶ光集光ミラー、６１・・・基板、６２・・・反射層、６３・・・保護層

 

Claims (18)

  1. 　内部空間にレーザ光が集光され、前記レーザ光の集光位置でターゲット物質がプラズマ化されるチャンバと、
    　前記ターゲット物質のプラズマ化により生じる極端紫外光を集光する集光ミラーと、
    　前記ターゲット物質のプラズマ化により生じる荷電粒子が前記チャンバの壁側に収束する磁場を発生するよう構成される磁場発生部と、
    を備え、
    　前記集光ミラーは、基板と、前記基板上に設けられ前記極端紫外光を反射する反射層と、前記反射層上に設けられる保護層とを含み、
    　前記保護層は、反射層表面からの前記保護層の層厚が変化する層厚分布とされ、
    　前記保護層における最大層厚の位置は、前記磁場発生部の磁場軸及び前記集光ミラーの中心軸を通る面と前記反射層表面とが交わる線上とされる
    極端紫外光生成装置。
  2. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記保護層における最大層厚の位置は、前記線のうち前記中心軸よりも前記磁場発生部側に寄った部位とされる。
  3. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記保護層における最小層厚の位置は、前記線から最も離れた部位とされる。
  4. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記層厚分布は、前記磁場軸と前記反射層表面との間の距離が小さい位置ほど前記層厚が大きい分布とされる。
  5. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、              
    　前記層厚分布は、前記反射層表面における磁束密度が大きい位置ほど前記層厚が大きい分布とされる。
  6. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記保護層における最大層厚の位置は、前記中心軸に最も近い位置とされる。
  7. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記保護層における最小層厚の位置は、前記中心軸から最も離れた部位とされる。
  8. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記層厚分布は、前記レーザ光の集光位置と前記反射層表面との間の距離が小さい位置ほど前記層厚が大きい分布とされる。
  9. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記集光ミラーには、前記中心軸に沿って貫通する貫通孔が設けられ、
    　前記レーザ光は、前記貫通孔を通って前記集光位置に集光される。
  10. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記層厚分布は、前記反射層表面における前記荷電粒子の量が多い位置ほど前記層厚が大きい分布とされる。
  11. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記磁場軸と前記反射層表面との間における第１の距離と、前記反射層表面における前記磁場の磁束密度と、前記レーザ光の集光位置と前記反射層表面との間における第２の距離と、前記反射層表面における前記荷電粒子の量との４つの項目の中から２つ以上の項目が選択され、前記層厚分布は、選択された２つ以上の項目に基づいて規定される。
  12. 　請求項１１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記４つの項目にはそれぞれ互いに異なる重み係数が割り当てられ、
    　前記選択された２つ以上の項目ごとに最大値と最小値との変化幅に対する割合が求められ、それぞれの割合に対して前記項目に該当する前記重み係数が乗算され、それぞれの乗算結果を加算して得られる値が前記層厚に換算される。
  13. 　請求項１２に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記第１の距離に割り当てられる重み係数は、前記磁束密度に割り当てられる重み係数よりも大きく、前記荷電粒子の量に割り当てられる重み係数よりも小さい。
  14. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記層厚分布は、前記面を基準として面対称である。
  15. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記層厚分布は、前記反射層表面と前記中心軸とが交わる点を基準として点対称である。
  16. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記集光ミラーには、前記中心軸に沿って貫通する貫通孔が設けられ、
    　前記層厚分布は、前記貫通孔における前記反射層表面側の開口面と前記中心軸とが交わる点を基準として点対称である。
  17. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記反射層は、回転楕円状の反射面を含み、前記反射面における回転軸が前記集光ミラーの中心軸とされる。
  18. 　請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記磁場発生部は、一対のコイルを含み、それぞれの前記コイルのコイル軸を通る直線が前記磁場発生部の磁場軸とされる。

     
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