JP2017509920A - マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー - Google Patents
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Abstract
Description
ミラーは、所定の使用波長を有し且つ各表面法線に対して65°以上の入射角で光学有効面に入射する電磁放射線に関して、少なくとも0.5の反射率を有し、
ミラーは、第2周期元素及び4d遷移族(transition group)元素の化合物を含む少なくとも1つの層を有し、
ミラーは、光学有効面の方向で最上部に配置された保護層を有し、
光学有効面の方向で保護層の下にそれぞれ配置された層の材料は、保護層の材料よりも低吸収である。
所定の使用波長を有し且つ各表面法線に対して65°以上の入射角で光学有効面に入射する電磁放射線に関して、少なくとも0.5の反射率を有し、且つ
ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、又はパラジウム(Pd)を含む第1材料から構成される第1層と、光学有効面の方向で上記第1層の上に配置され且つ第1材料と比べて低吸収の第2材料から構成される第2層とを有するミラーも提供する。
所定の使用波長を有し且つ各表面法線に対して65°以上の入射角で光学有効面に入射する電磁放射線に関して、少なくとも0.5の反射率を有し、
第2周期元素及び4d遷移族元素の化合物を含む少なくとも1つの層を有し、且つ
上記層のみ又は上記層及び基板のみを有するミラーに関する。
Claims (23)
- 光学有効面を有する、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーであって、
該ミラーは、所定の使用波長を有し且つ各表面法線に対して65°以上の入射角で前記光学有効面に入射する電磁放射線に関して、少なくとも0.5の反射率を有し、
該ミラーは、第2周期元素及び4d遷移族元素の化合物を含む少なくとも1つの層(160、170、320)を有し、
該ミラーは、前記光学有効面の方向で最上部に配置された保護層(430、530、630、730)を有し、
前記光学有効面の方向で前記保護層の下にそれぞれ配置された層(420、510、620、705)の材料が、前記保護層(430、530、630、730)の材料よりも低吸収であるミラー。 - 請求項1に記載のミラーにおいて、前記4d遷移族元素は、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、及びジルコニウム(Zr)からなる群から選択されることを特徴とするミラー。
- 請求項1又は2に記載のミラーにおいて、前記第2周期元素は、ベリリウム(Be)、ホウ素(B)、炭素(C)、窒素(N)、及び酸素(O)からなる群から選択されることを特徴とするミラー。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のミラーにおいて、該ミラーは、前記層(160)及び基板(150)のみを有することを特徴とするミラー。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のミラーにおいて、前記層は、ルテニウム(Ru)から構成される第1層(310)の上に第2層(320)として配置されることを特徴とするミラー。
- 光学有効面を有する、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーであって、
所定の使用波長を有し且つ各表面法線に対して65°以上の入射角で前記光学有効面に入射する電磁放射線に関して、少なくとも0.5の反射率を有し、且つ
ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、又はパラジウム(Pd)を含む第1材料から構成される第1層(210、310、410、510、605)と、前記光学有効面の方向で前記第1層(210、310、410、510、605)の上に配置され且つ前記第1材料と比べて低吸収の第2材料から構成される第2層(220、320、420、620)とを有するミラー。 - 請求項6に記載のミラーにおいて、前記第2層(220、620)の材料は、モリブデン(Mo)又は第2周期元素及び4d遷移族元素の化合物を含むことを特徴とするミラー。
- 請求項7に記載のミラーにおいて、前記4d遷移族元素は、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、及びジルコニウム(Zr)からなる群から選択されることを特徴とするミラー。
- 請求項7又は8に記載のミラーにおいて、前記第2周期元素は、ベリリウム(Be)、ホウ素(B)、炭素(C)、窒素(N)、及び酸素(O)からなる群から選択されることを特徴とするミラー。
- 請求項6〜9のいずれか1項に記載のミラーにおいて、該ミラーは、前記光学有効面の方向で最上部に配置された保護層(430、530、630、730)を有することを特徴とするミラー。
- 請求項10に記載のミラーにおいて、前記光学有効面の方向で前記保護層の下にそれぞれ配置された層(420、510、620、705)の材料が、前記保護層(430、530、630、730)の材料よりも低吸収であることを特徴とするミラー。
- 請求項1〜5、10、又は11のいずれか1項に記載のミラーにおいて、前記保護層(430、530、630、730)は、窒化ケイ素(Si3N4)、炭化ケイ素(SiC)、又は3d遷移族元素、4d遷移族元素、若しくはランタニドを含む化合物を含むことを特徴とするミラー。
- 請求項1〜5又は10〜12のいずれか1項に記載のミラーにおいて、前記保護層(430、530、630、730)は5nm以下の厚さを有することを特徴とするミラー。
- 請求項6〜9のいずれか1項及び請求項10〜13のいずれか1項に記載のミラーにおいて、前記第2層及び前記保護層それぞれの厚さプロファイルは、同一の構成の前記第1層のみを有して前記第2層及び前記保護層を有しないミラーとの該ミラーの入射角に対する反射率の依存に関する差が、2%以下、特に1%以下、より詳細には0.5%以下であるようなものであることを特徴とするミラー。
- 請求項6〜9のいずれか1項及び請求項10〜14のいずれか1項に記載のミラーにおいて、前記保護層がもたらす反射率の低下が、前記第2層により少なくとも部分的に補償されることを特徴とするミラー。
- 請求項1〜5又は請求項10〜15のいずれか1項に記載のミラーにおいて、前記保護層(730)は基板(705)の直上に配置されることを特徴とするミラー。
- 請求項1〜16のいずれか1項に記載のミラーにおいて、該ミラーは少なくとも1つのバリア層を有することを特徴とするミラー。
- 光学面を有する、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーであって、
所定の使用波長を有し且つ各表面法線に対して65°以上の入射角で光学有効面に入射する電磁放射線に関して、少なくとも0.5の反射率を有し、
第2周期元素及び4d遷移族元素の化合物を含む少なくとも1つの層(160、170、320)を有し、且つ
前記層(170)のみ又は前記(160)層及び基板(150)のみを有するミラー。 - 請求項18に記載のミラーにおいて、前記4d遷移族元素は、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、及びジルコニウム(Zr)からなる群から選択されることを特徴とするミラー。
- 請求項18又は19に記載のミラーにおいて、前記第2周期元素は、ベリリウム(Be)、ホウ素(B)、炭素(C)、窒素(N)、及び酸素(O)からなる群から選択されることを特徴とするミラー。
- 請求項1〜20のいずれか1項に記載のミラーにおいて、前記使用波長は30nm未満であり、特に10nm〜15nmの範囲にあることを特徴とするミラー。
- 請求項1〜21のいずれか1項に記載のミラーを少なくとも1つ有することを特徴とする、マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系。
- 照明デバイス及び投影レンズを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、前記照明デバイスは、該投影露光装置の動作時に前記投影レンズの物体平面にあるマスクを照明し、前記投影レンズは、前記マスクを前記投影レンズの像平面にある感光層に投影し、該投影露光装置は、請求項1〜21のいずれか1項に記載のミラーを少なくとも1つ有するマイクロリソグラフィ投影露光装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019003284A1 (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP2019521391A (ja) * | 2016-07-06 | 2019-07-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学格子及び光学格子の光学アセンブリ |
JP2021515906A (ja) * | 2018-03-05 | 2021-06-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvリソグラフィシステムにおける光学素子寿命の延長 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015213253A1 (de) | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
DE102016212373A1 (de) * | 2016-07-07 | 2018-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017200667A1 (de) * | 2017-01-17 | 2018-07-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder ein Inspektionssystem |
DE102017208302A1 (de) * | 2017-05-17 | 2018-06-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Substrats und Substrat |
DE102021214366A1 (de) | 2021-12-15 | 2023-06-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Vermeidung einer Degradation einer optischen Nutzoberfläche eines Spiegelmoduls, Projektionssystem, Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003303756A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Sony Corp | 極短紫外光の反射体 |
JP2005268359A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ミラー及び照明光学装置 |
JP2006317913A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-11-24 | Xtreme Technologies Gmbh | プラズマに基づく短波長放射線源用の集光鏡 |
WO2012126867A1 (en) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Deflection mirror and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a deflection mirror |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10016008A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Zeiss Carl | Villagensystem und dessen Herstellung |
US7235801B2 (en) | 2004-06-04 | 2007-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Grazing incidence mirror, lithographic apparatus including a grazing incidence mirror, method for providing a grazing incidence mirror, method for enhancing EUV reflection of a grazing incidence mirror, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US8194322B2 (en) * | 2007-04-23 | 2012-06-05 | Nikon Corporation | Multilayer-film reflective mirror, exposure apparatus, device manufacturing method, and manufacturing method of multilayer-film reflective mirror |
NL2003299A (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Asml Netherlands Bv | Spectral purity filter and lithographic apparatus. |
EP2622609A1 (en) * | 2010-09-27 | 2013-08-07 | Carl Zeiss SMT GmbH | Mirror, projection objective comprising such a mirror, and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a projection objective |
DE102011083461A1 (de) * | 2011-09-27 | 2013-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Erzeugen einer Deckschicht aus Siliziumoxid an einem EUV-Spiegel |
DE102012202057B4 (de) * | 2012-02-10 | 2021-07-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv für EUV-Mikrolithographie, Folienelement und Verfahren zur Herstellung eines Projektionsobjektivs mit Folienelement |
DE102012202675A1 (de) | 2012-02-22 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
-
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2016
- 2016-09-13 US US15/264,054 patent/US10061204B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003303756A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Sony Corp | 極短紫外光の反射体 |
JP2005268359A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ミラー及び照明光学装置 |
JP2006317913A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-11-24 | Xtreme Technologies Gmbh | プラズマに基づく短波長放射線源用の集光鏡 |
WO2012126867A1 (en) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Deflection mirror and projection exposure apparatus for microlithography comprising such a deflection mirror |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019521391A (ja) * | 2016-07-06 | 2019-07-25 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学格子及び光学格子の光学アセンブリ |
JP7199227B2 (ja) | 2016-07-06 | 2023-01-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 光学格子及び光学格子の光学アセンブリ |
WO2019003284A1 (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
US10820400B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-10-27 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus |
JP2021515906A (ja) * | 2018-03-05 | 2021-06-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvリソグラフィシステムにおける光学素子寿命の延長 |
JP7337819B2 (ja) | 2018-03-05 | 2023-09-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvリソグラフィシステムにおける光学素子寿命の延長 |
US11846887B2 (en) | 2018-03-05 | 2023-12-19 | Asml Netherlands B.V. | Prolonging optical element lifetime in an EUV lithography system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102014204660A1 (de) | 2015-09-17 |
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TW201546478A (zh) | 2015-12-16 |
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