JP2019521391A - 光学格子及び光学格子の光学アセンブリ - Google Patents
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Abstract
Description
d×(sin(α)+sin(βm))=mλT
式中、αは入射角を示し、βmは入射放射線11の出射角を示し、mは回折次数を示し、λTは使用波長又はブレーズ構造10が最適化される所定の波長を示す。図2に示す出射角βは、この場合は1次回折の出射角を示す(実際には、β1、すなわちm=+1)。より高い回折次数、m=+2、m=+3等では、図2には示さない対応する出射角β2、β3等が大きくなる。
Claims (18)
- 表面(9a)に周期構造(10)が形成された基板(9)を備え、前記構造は、所定の波長(λT)を有する入射放射線(11)、特に入射EUV放射線を所定の回折次数、特に1次の回折次数(m=+1)に回折させるよう具現される光学格子(8)であって、
前記周期構造(10)に施されたコーティング(12)であり、前記所定の回折次数(m=+1)よりも高い少なくとも1つの高次の回折次数(m=+2、…)への前記入射放射線(11)の回折を抑制するよう具現された少なくとも1つの層(13、14)を有するコーティング(12)
を特徴とする光学格子。 - 請求項1に記載の光学格子において、前記コーティング(12)の少なくとも1つの層が、臨界角(αT)を有する全反射層(13)として具現され、前記臨界角は、前記所定の回折次数(m=+1)に関する前記入射放射線(11)の入射角(α)よりも小さく、且つ少なくとも1つの高次の回折次数(m=+2、…)に関する前記入射放射線(11)の前記入射角(α)よりも大きい光学格子。
- 請求項2に記載の光学格子において、前記全反射層(13)は、前記所定の波長(λT)で10nmを超える、好ましくは50nmを超える吸収長(L)を有する材料から形成される光学格子。
- 請求項2又は3に記載の光学格子において、前記全反射層(13)の前記材料は、Zr、Pd、C、Ru、Mo、Nb、Sn、Cd、それらの合金、炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物、及びケイ化物を含む群から選択される光学格子。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の光学格子において、前記コーティング(12)の少なくとも1つの層が、前記所定の回折次数(m=+1)に関して少なくとも1つの高次の回折次数(m=+2)よりも大きい吸収長(L)を有する吸収層(14)として具現される光学格子。
- 請求項5に記載の光学格子において、前記吸収層(14)は、前記所定の回折次数(m=+1)に関して前記入射放射線(11)の入射角(α)よりも大きい臨界角(αT)を有する光学格子。
- 請求項5又は6に記載の光学格子において、前記吸収層(14)の材料は、Si、Mo、それらの炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物、及びMoSi2を含む群から選択される光学格子。
- 請求項5〜7のいずれか1項に記載の光学格子において、前記吸収層(14)は、前記全反射層(13)に施される光学格子。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の光学格子において、前記コーティング(12)は、前記光学格子(8)に対する入射面(X,Y)に対して垂直な第1偏光状態(s)を有する入射放射線(11)を前記第1偏光状態に対して垂直な第2偏光状態(p)を有する入射放射線(11)よりも所定の回折次数(m=+1)で強く回折させるよう具現された少なくとも1つの層(14)を有する光学格子。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の光学格子において、前記コーティング(12)は、前記所定の回折次数(m=+1)で前記所定の波長(λL)を有する前記入射放射線(11)で強め合う干渉が起こり、少なくとも1つの高次の回折次数(m=+2)で弱め合う干渉が起こるように厚さ(d2)及び材料が選択された、少なくとも1つの層(14)を有する光学格子。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の光学格子において、前記所定の波長(λT)は、13nm〜16nm、好ましくは13.5nmの波長域にある光学格子。
- 請求項11に記載の光学格子において、前記コーティング(12)は、Ru、Zr、Pd、Nb、Mo、それらの合金、炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物、ケイ化物、又はCでできた全反射層(13)と、該全反射層(13)に施されたSi、SiC、Si3N4、SiO、SiO2でできた吸収層(14)とを有する光学格子。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の光学格子において、前記所定の波長(λT)は、6nm〜8nm、好ましくは6.5nmの波長域にある光学格子。
- 請求項13に記載の光学格子において、前記コーティング(12)は、Cd又はSnでできた全反射層(13)とMoでできた吸収層(14)とを有する光学格子。
- 請求項1〜14のいずれか1項に記載の光学格子において、前記周期構造はブレーズ構造(10)を含む光学格子。
- 請求項1〜15のいずれか1項に記載の光学格子において、前記所定の回折次数(+1)で前記所定の波長(λT)を有する入射放射線に関して50%を超える、好ましくは60%を超える、特に70%を超える反射率(R)を有する光学格子。
- 光学装置、特にEUVリソグラフィシステム(1)であって、
放射線(11)を発生させる、特にEUV放射線を発生させる光源(5)と、
所定の波長(λT)を有する前記光源(5)の放射線(11)を所定の回折次数(+1)に回折させる、請求項1〜16のいずれか1項に記載の少なくとも1つの光学格子(8)と
を備えた光学装置。 - 請求項17に記載の光学装置において、前記入射放射線(11)は、70°〜90°の入射角範囲(Δα)の少なくとも1つの入射角(α)で前記光学格子(8)に入射する光学装置。
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