JP2006317913A - プラズマに基づく短波長放射線源用の集光鏡 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】集光鏡(1;5)が50W/mKを超える高い熱伝導率の材料を含む固い回転対称な基板(11;51)を有し、冷却および温度管理のための流路(13;53)が基板(11;51)に組み込まれ、光学的に活性な鏡面(12)の温度を急速に安定化するために、熱輸送媒体(4)が直接、中を通って流れることができるようになっていることによって達成される。鏡面(12)におけるプラズマ生成のためのパルス動作で生じ、温度平均を数倍一時的に超える過渡温度ピークによる熱が急速に消散する。
【選択図】図2
Description
11 基板
13 流路
14 ネジ穴
15 ネジ
16 カバー(流路カバー)
17 冷却体
18 ホルダ
19 熱伝導層
2 プラズマ
3 中間焦点
4 熱輸送媒体
5 集光器
51 基板
52 反射塗装
53 流路
54、55 鏡面
56 (鏡シェルの)曲面
tm 接線
Claims (25)
- 所望の短波長放射線用の高い反射率を有する光学的に活性な鏡面を有するプラズマに基づく短波長放射線源用の集光鏡であって、きわめて高温のプラズマのすぐ近くに集光鏡が位置するために、鏡体の温度を管理するための手段が設けられる集光鏡において、
集光鏡(1;5)は、50W/mKを超える高い熱伝導率を有する材料を含む固い回転対称な基板(11;51)を有することと、
冷却および温度管理のための流路(13;53)が基板(11;51)に組み込まれ、それで所定のレベルで光学的に活性な鏡面(12)の温度を急速に安定化するために、熱輸送媒体(4)が直接中を通って流れることができ、
プラズマ生成用のパルス動作で生じ、鏡面(12)に広がる温度平均を数倍一時的に超える過渡的な温度ピークの熱が急速に消散することを特徴とする集光鏡。 - 熱輸送媒体(4)用の流路(13)は、光学的に活性な鏡面(12)の近くに配置され、基板(11)の中で少なくとも大部分は半径流方向を有することを特徴とする請求項1に記載の配置。
- 流路(13)は、集光鏡の光軸に対して半径方向に一様に分配されるように配置され、熱輸送媒体(4)を供給し排出するための連結部(14)が、基板(11)の中心および周囲に設けられることを特徴とする請求項2に記載の配置。
- 流路(13)は、基板(11)の対称軸に対して直交に配置されることを特徴とする請求項3に記載の配置。
- 流路(13)は、円錐の外面に沿って光学的に活性な鏡面(12)の生成曲線における中間接線(tm)と平行に配置されることを特徴とする請求項3に記載の配置。
- 熱輸送媒体(4)用の流路(13)は、円筒穿孔の形で構成されることを特徴とする請求項3に記載の配置。
- 熱輸送媒体(4)を供給するための連結部は、基板(11)におけるネジ穴(14)に螺合されることを特徴とする請求項6に記載の配置。
- 流路(13)は、集光鏡(1)の後部から熱輸送媒体(4)の実質的に半径流のために微細構造化流路の形で基板(11)に導入され、流路(13)は、10mm未満の一定の距離で光学的に活性な鏡面(12)まで延在することを特徴とする請求項2に記載の配置。
- 流路(13)は、基板(11)の対称軸の周りに一様に分配して配置された複数の曲線構造に構成されることを特徴とする請求項8に記載の配置。
- 基板(11)は2つの部分から構成され、第1の部分は、基板(11)として、光学的に活性な鏡面(12)および後部に組み込まれる微細構造化流路を有し、第2の部分は、カバー(16)として、媒体に対して密接するように流路(13)を覆うために設計されることを特徴とする請求項8に記載の配置。
- 流路が密閉されるように基板(11)とカバー(16)を連結するために、重なった2つの面が互いに確動係合され、摩擦係合で固定されるように、機械加工が行われることを特徴とする請求項10に記載の配置。
- 流路が密閉されるように基板(11)とカバー(16)を連結するために、これら2つの部分の間に構造化封止部が設けられることを特徴とする請求項10に記載の配置。
- カバー(16)は、基板(11)における複数のネジ穴を介してネジ(15)によって基板(11)に対して加圧されることを特徴とする請求項10に記載の配置。
- カバー(16)は、周囲に配置される締付具(18)によって基板(11)に対して加圧されることを特徴とする請求項10に記載の配置。
- カバー(16)は、材料接合によって基板(11)に連結されることを特徴とする請求項10に記載の配置。
- カバー(16)は、セメント接合によって基板(11)に連結されることを特徴とする請求項15に記載の配置。
- カバー(16)は、ハンダ接続によって基板(11)に連結されることを特徴とする請求項15に記載の配置。
- 所望の放射線の非すれすれ入射の場合に、基板(11)は、100W/mKを超える熱伝導率を有する材料から非球面形状に形成され、光学的に活性な鏡面は、約13.5nmの波長領域で40%を超える反射率を有する反射塗装(12)を備えることを特徴とする請求項1に記載の配置。
- 基板(11)はケイ素から構成され、反射塗装(12)は、ケイ素を含む交互層システムとして構成されることを特徴とする請求項18に記載の配置。
- 交互層システム(12)は、ケイ素およびモリブデンからなる交互層から形成されることを特徴とする請求項18に記載の配置。
- 所望の放射線のすれすれ入射の場合に、基板(51)は、直に組み込まれる鏡面のために50W/mKの熱伝導率と同時に高い反射率とを有する金属から構成され、鏡面は、約13.5nmの波長領域における放射線のすれすれ入射の場合に50%を超える反射率を有することを特徴とする請求項1に記載の配置。
- 直に組み込まれる鏡面用の基板(51)は、パラジウム、ルテニウムまたは金から構成されることを特徴とする請求項21に記載の配置。
- 所望の放射線のすれすれ入射の場合に、基板(51)は、100W/mKを超える熱伝導率を有する金属から構成され、光学的に活性な鏡面が、約13.5nmの波長領域における放射線のすれすれ入射の場合に50%を超える反射率を有する反射塗装(12)を備えることを特徴とする請求項1に記載の配置。
- 基板(51)は、光学的に活性な面に表面塗装層(12)を備えることを特徴とする請求項21または23に記載の配置。
- 反射塗装(12)は、パラジウムまたはルテニウムから構成されることを特徴とする請求項23に記載の配置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009051199A1 (ja) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Nikon Corporation | 光学部材冷却装置、鏡筒及び露光装置ならびにデバイスの製造方法 |
JP2011176307A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Media Lario Srl | 冷却ミラーシステム用ストレス分断装置及びストレス分断方法 |
JP2011204947A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Komatsu Ltd | ミラー装置 |
JP2011205079A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-10-13 | Media Lario Srl | 斜入射集光器用調節クリップ |
JP2012074697A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Euvコレクタ |
JP2012099791A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-05-24 | Komatsu Ltd | ミラー、ミラー装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
JP2013522889A (ja) * | 2010-03-18 | 2013-06-13 | イーティーエイチ・チューリッヒ | 極紫外線を集める光学コレクタ、そのような光学コレクタを動作させる方法、及びそのようなコレクタを備えるeuv源 |
KR20160132392A (ko) * | 2014-03-13 | 2016-11-18 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 거울 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005053415A1 (de) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optisches Bauelement mit verbessertem thermischen Verhalten |
JP5076349B2 (ja) * | 2006-04-18 | 2012-11-21 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光集光鏡および極端紫外光光源装置 |
US8831170B2 (en) * | 2006-11-03 | 2014-09-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mirror with a mirror carrier and projection exposure apparatus |
DE102006056070B4 (de) * | 2006-11-20 | 2018-06-21 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Spiegelvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Spiegelvorrichtung |
US20080237498A1 (en) * | 2007-01-29 | 2008-10-02 | Macfarlane Joseph J | High-efficiency, low-debris short-wavelength light sources |
US7740362B1 (en) * | 2008-02-19 | 2010-06-22 | Jefferson Science Associates | Mirror with thermally controlled radius of curvature |
JP5061063B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-10-31 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光用ミラーおよび極端紫外光源装置 |
US8227778B2 (en) * | 2008-05-20 | 2012-07-24 | Komatsu Ltd. | Semiconductor exposure device using extreme ultra violet radiation |
US9176398B2 (en) | 2008-06-10 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for thermally conditioning an optical element |
JP2012523106A (ja) * | 2009-04-02 | 2012-09-27 | イーティーエイチ・チューリッヒ | デブリが軽減し、冷却された集光光学系を備える極端紫外光源 |
DE102009039400A1 (de) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Reflektives optisches Element zur Verwendung in einem EUV-System |
JP5093267B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2012-12-12 | ウシオ電機株式会社 | 集光鏡アッセンブリおよびこの集光鏡アッセンブリを用いた極端紫外光光源装置 |
US8810775B2 (en) | 2010-04-16 | 2014-08-19 | Media Lario S.R.L. | EUV mirror module with a nickel electroformed curved mirror |
DE102010034476B4 (de) | 2010-08-11 | 2020-08-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element |
DE102011010462A1 (de) | 2011-01-28 | 2012-08-02 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Optische Anordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Kühlen eines optischen Bauelements |
US8746975B2 (en) * | 2011-02-17 | 2014-06-10 | Media Lario S.R.L. | Thermal management systems, assemblies and methods for grazing incidence collectors for EUV lithography |
DE102011005778A1 (de) * | 2011-03-18 | 2012-09-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element |
US8731139B2 (en) * | 2011-05-04 | 2014-05-20 | Media Lario S.R.L. | Evaporative thermal management of grazing incidence collectors for EUV lithography |
JP6041541B2 (ja) * | 2012-06-04 | 2016-12-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE102014203461A1 (de) * | 2014-02-26 | 2015-03-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kühlbare spiegelanordnung |
DE102014103949B4 (de) * | 2014-03-21 | 2017-08-17 | Deutsches Elektronen-Synchrotron Desy | Spiegel für intensive Röntgenstrahlung |
DE102015100918A1 (de) | 2015-01-22 | 2016-07-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Elements, reflektives optisches Element und Verwendung eines reflektiven optischen Elements |
DE102015206114A1 (de) | 2015-04-07 | 2016-05-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kühler zur Verwendung in einer Vorrichtung im Vakuum |
DE102015209176A1 (de) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
JP6653543B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2020-02-26 | 株式会社nittoh | 反射ミラーおよび投射光学系 |
US10955595B2 (en) | 2016-03-07 | 2021-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Multilayer reflector, method of manufacturing a multilayer reflector and lithographic apparatus |
DE102017208302A1 (de) | 2017-05-17 | 2018-06-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Substrats und Substrat |
DE102019219179A1 (de) * | 2019-12-09 | 2021-06-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element und Lithographiesystem |
DE102020208648A1 (de) * | 2020-07-09 | 2022-01-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für ein Lithographiesystem |
US20220121002A1 (en) * | 2020-10-20 | 2022-04-21 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Optical device with thermally conductive fingers and related method |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10045265A1 (de) * | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Zeiss Carl | Vorrichtung zum Bündeln der Strahlung einer Lichtquelle |
DE10050125A1 (de) * | 2000-10-11 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | Vorrichtung zum Temperaturausgleich für thermisch belastete Körper mit niederer Wärmeleitfähigkeit, insbesondere für Träger reflektierender Schichten oder Substrate in der Optik |
DE10102969A1 (de) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Kugler Gmbh | Gekühlte Spiegelvorrichtung |
US20050099611A1 (en) * | 2002-06-20 | 2005-05-12 | Nikon Corporation | Minimizing thermal distortion effects on EUV mirror |
JP3944008B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2007-07-11 | キヤノン株式会社 | 反射ミラー装置及び露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004228456A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Canon Inc | 露光装置 |
-
2005
- 2005-04-12 DE DE102005017262A patent/DE102005017262B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
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- 2006-04-11 US US11/402,391 patent/US7329014B2/en active Active
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009051199A1 (ja) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Nikon Corporation | 光学部材冷却装置、鏡筒及び露光装置ならびにデバイスの製造方法 |
JP2011176307A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Media Lario Srl | 冷却ミラーシステム用ストレス分断装置及びストレス分断方法 |
JP2011205079A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-10-13 | Media Lario Srl | 斜入射集光器用調節クリップ |
JP2013522889A (ja) * | 2010-03-18 | 2013-06-13 | イーティーエイチ・チューリッヒ | 極紫外線を集める光学コレクタ、そのような光学コレクタを動作させる方法、及びそのようなコレクタを備えるeuv源 |
JP2011204947A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Komatsu Ltd | ミラー装置 |
JP2012074697A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Euvコレクタ |
US9007559B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-04-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV collector with cooling device |
JP2012099791A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-05-24 | Komatsu Ltd | ミラー、ミラー装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
KR20160132392A (ko) * | 2014-03-13 | 2016-11-18 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 거울 |
JP2017509920A (ja) * | 2014-03-13 | 2017-04-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー |
KR102380961B1 (ko) | 2014-03-13 | 2022-04-01 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 거울 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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