JP2012256887A - 放射源およびリソグラフィ装置 - Google Patents

放射源およびリソグラフィ装置 Download PDF

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Abstract

【課題】赤外放射に対処する放射源を提供する。
【解決手段】 放射源は、レーザビームによって蒸発させてプラズマを形成するために燃料をプラズマ放出位置に供給するように構成された燃料源を備え、さらに、プラズマにより放出されたＥＵＶ放射を集光し、かつ中間焦点に向けて誘導するように構成されたコレクタであって、プラズマにより放出された赤外放射を回折するように構成された回折格子をさらに備えるコレクタを備えた放射源であって、この放射源は、さらに、中間焦点の前に配置された放射導管であって、当該放射導管が、内側に向けてテーパをつけられた本体により出口アパーチャと接続された入口アパーチャを備え、当該放射導管は内側部分および外側部分を備え、内側部分が外側部分よりも中間焦点に近く、内側部分が、入射した回折赤外放射を外側部分に向けて反射するように構成される、放射導管を備える。
【選択図】 図５

Description

[0001] 本発明は、放射源およびリソグラフィ装置に関連する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
[0003] リソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型のＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造の製造を可能にするためのより重要な要因となっている。
[0004] パターンプリンティングの限界の理論的な推測は、式（１）に示す解像度についてのレイリー基準によって与えられ得る：
Figure 2012256887
上の式で、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれているプロセス依存調節係数であり、ＣＤは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、以下の３つの方法：露光波長λを短くすることによって、開口数ＮＡを大きくすることによって、あるいはｋ１の値を小さくすることによって、達成することができると言える。
[0005] 露光波長を短くするため、ひいては、最小印刷可能サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リング（Electron storage ring）によって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源などが含まれる。
[0006] ＥＵＶ放射は、プラズマを使用して生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射源は、燃料を励起してプラズマを提供するレーザビームを受光し得る。プラズマは、例えば、好適な材料（例えば、スズ）の粒子、または、ＸｅガスもしくはＬｉ蒸気といった好適なガスもしくは蒸気の流れなどの燃料にレーザビームを誘導することにより作り出すことができる。結果として得られるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射は放射コレクタによって集光される。放射コレクタは、鏡面仕上げの法線入射放射コレクタであってよく、放射を受光してビームへと集束させる。放射源は、プラズマを支持するための真空環境を提供するように配置された閉鎖構造またはチャンバを備え得る。このような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
[0007] プラズマは、ＥＵＶ放射の放出に加えて、赤外放射も放出し得る。この赤外放射は、リソグラフィ装置の構成要素の加熱を引き起こすことがあり、それらの構成要素が故障する原因となり得る。
[0008] 先行技術では開示されていない態様で赤外放射に対処する放射源を提供することが望ましいであろう。
[0009] 本発明の第１の態様では、レーザビームによって蒸発させてプラズマを形成するために燃料をプラズマ放出位置に供給するように構成された燃料源を備え、さらに、プラズマにより放出されたＥＵＶ放射を集光し、かつ中間焦点に向けて誘導するように構成されたコレクタであって、プラズマにより放出された赤外放射を回折するように構成された回折格子をさらに備えるコレクタを備えた放射源が提供され、この放射源は、さらに、中間焦点の前に配置された放射導管であって、内側に向けてテーパをつけられた本体により出口アパーチャと接続された入口アパーチャを備え、内側部分および外側部分を備え、内側部分が外側部分よりも中間焦点に近く、内側部分が、入射した回折赤外放射を外側部分に向けて反射するように構成される、放射導管を備える。
[00010] 内側部分は、反射構造を備え、外側部分は、吸収構造を備え得る。
[00011] 内側部分は、入射した回折赤外放射を外側部分に向けて反射するように向けられた複数の面を備え得る。
[00012] 複数の面は、入射した１次回折赤外放射を外側部分に向けて反射するように向けられ得る。
[00013] 複数の面のうち少なくともいくつかは、放射導管のテーパ角度に対して７０°未満の角度を成し得る。
[00014] 複数の面のうち少なくともいくつかは、放射導管のテーパ角度に対して６１°以下の角度を成し得る。
[00015] 複数の面は、放射源の光軸に対して略横断する方向に放射導管の内側に周設され得る。
[00016] 複数の面は、略環状形を有していてもよい。
[00017] 外側部分は、中間焦点から離れる方向に角度付けられた複数のリッジを備え得る。
[00018] 外側部分は、第１吸収構造および第２吸収構造を備え得る。
[00019] 第２吸収構造は、放射導管の内側部分から反射された赤外放射を受光し、かつ、放射導管内を横切って赤外放射を反射するように構成された複数の面を備え得る。
[00020] 外側部分は、放射導管の内側部分から反射された赤外放射を受光し、かつ放射導管内を横切って赤外放射を反射するように構成された複数の面を備えてもよい。
[00021] 第２吸収構造は、鋸歯形状を有し得る。
[00022] 第１吸収構造は、中間焦点から離れる方向に角度付けられた複数のリッジを備えてもよい。
[00023] 第２吸収構造は、互いに略垂直であり、かつ放射導管内を横切って移動してきた赤外放射を再起反射させるように向けられた複数の面を備え得る。これらの面は、放射導管の光軸に略垂直な赤外放射を再起反射させるように向けられてもよい。
[00024] 赤外放射は、約１０．６μｍの波長を有し得る。
[00025] 本発明の第２の態様では、レーザビームによって蒸発させてプラズマを形成するために燃料をプラズマ放出位置に供給するように構成された燃料源を備え、さらに、プラズマにより放出されたＥＵＶ放射を集光し、かつ中間焦点に向けて誘導するように構成されたコレクタであって、プラズマにより放出された赤外放射を回折するように構成された回折格子をさらに備えるコレクタを備えた放射源が提供され、この放射源は、さらに、中間焦点の前に配置された放射導管であって、内側に向けてテーパをつけられた本体により出口アパーチャと接続された入口アパーチャを備え、内側部分および外側部分を備え、内側部分が外側部分よりも中間焦点に近く、内側部分が反射構造を備え、外側部分が吸収構造を備える、放射導管を備える。
[00026] 本発明の第３の態様では、本発明の第１の態様または本発明の第２の態様に係る放射源が提供され、さらに、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構築されたサポートであって、パターニングデバイスが放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、サポートと、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、を備える。
[00027] リソグラフィ装置は、さらに、燃料小滴を蒸発させてプラズマを形成するレーザビームを生成するように構成されたレーザを備えてもよい。
[00028] 本発明の異なる態様の特徴は、互いに組み合わされてもよい。
[00029] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[00030] 図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。 [00031] 図２は、図１のリソグラフィ装置をより詳細に概略的に示す。 [00032] 図３は、リソグラフィ装置の一部を形成し得る放射源の一部を概略的に示す。 [00033] 図４は、先行技術による放射源および本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の放射源を概略的に示す。 [00034] 図５は、本発明の一実施形態に係る放射源の放射導管を概略的に示す。 [00035] 図６は、図５の放射導管の一部を概略的に示す。 [00036] 図７は、放射導管の一部の面の角度を示すグラフである。 [00037] 図８は、本発明の代替的な実施形態に係る放射源の放射導管を概略的に示す。 [00038] 図９は、図８の放射導管の一部を概略的に示す。
[00039] 図１は、本発明の一実施形態に係る放射源ＳＯを備えるリソグラフィ装置１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、
‐放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
‐パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されるサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
‐基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結される基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）と、
‐パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳと、を備える。
[00040] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[00041] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを支持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
[00042] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応し得る。
[00043] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[00044] 投影システムとしては、照明システムと同様に、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。ＥＵＶ放射では、ガスが放射を吸収し過ぎることがあるため、真空を使用するのが望ましいであろう。したがって、真空壁または真空ポンプを使って、ビームパス全体に真空環境が提供され得る。
[00045] 本明細書に図示するように、リソグラフィ装置は反射型のもの（例えば、反射型マスクを使用しているもの）である。
[00046] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[00047] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）放射を受ける。ＥＵＶ放射を生成する方法としては、材料を、例えば、キセノン、リチウムまたはスズなど少なくとも１つの元素を有し、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有するプラズマ状態へと変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。そのような方法のうちの１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれる方法では、レーザビームで燃料を照射することにより所望のプラズマを生成することができる。燃料は、例えば、所望の輝線（line）を放出する元素を有する材料の小滴、流れまたはクラスタであり得る。放射源ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図１中図示なし）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射は放射源内に配置される放射コレクタを使って集光される。例えば、ＣＯ２レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザおよび放射源は別個の構成要素とすることができる。そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザから放射源へ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は、放射源の一体部分とすることもできる。
[00048] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールド（facetted field）および瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
[00049] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
[00050] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造（マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[00051] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[00052] 図２は、放射源ＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含む装置１００をより詳細に示す。放射源ＳＯは、この放射源ＳＯの閉鎖構造２２０内で真空環境を維持することができるように構築および配置されている。
[00053] レーザＬＡは、燃料源２００からプラズマ形成位置２１０へと供給されたキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）といった燃料小滴内へレーザビーム２０５を介してレーザエネルギを与えるように配置される。レーザビーム２０５は、小滴を蒸発させることよりプラズマ形成位置２１０でプラズマを生成させる。プラズマは、数十ｅＶの電子温度を有し得る。これらのイオンの脱励起および再結合中に生成されるエネルギ放射は、プラズマから放出され、コレクタＣＯ（例えば、近法線入射（near normal incidence）コレクタ）によって集光および集束される。
[00054] コレクタＣＯで反射された放射は、仮想放射源点ＩＦ内に合焦される。仮想放射源点ＩＦは、通常、中間焦点と呼ばれ、放射源ＳＯは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口２２１に、または開口２２１付近に配置されるように配置され得る。仮想放射源点ＩＦは、放射放出プラズマの像である。
[00055] 続いて、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１に所望の角度分布を提供し、かつ、パターニングデバイスＭＡにおいて放射強度に所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を備え得る。放射ビーム２１がパターニングデバイスＭＡで反射されると、パターン付きビーム２６が形成され、このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって反射要素２８、３０を介して基板テーブルＷＴに保持されている基板Ｗ上に結像される。
[00056] 一般に、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳには、図示されているより多い数の要素が存在してもよい。さらに、図示されているよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、図２に示されるものに加えて１〜６個の追加反射要素が投影システムＰＳ内に存在してもよい。
[00057] 放射源ＳＯは、放射導管３００を備えてよく、コレクタＣＯにより形成されたＥＵＶ放射ビームはこの放射導管３００を通過した後、中間焦点ＩＦに到達する。赤外放射を吸収するように構成された放射導管３００について、以下に記載する。
[00058] 放射導管３００は、中間焦点ＩＦから遠位の入口アパーチャから中間焦点に近位の出口アパーチャまで、内側に向けてテーパをつけた本体を備え得る。放射導管３００は、円錐形または略円錐形であってもよく、あるいは他の好適な形状を有してもよい。放射導管３００は、断面が略円形であってもよく、または他の好適な断面形状を有していてもよい。放射導管３００のテーパは、コレクタＣＯによって中間焦点に向けて集束されたＥＵＶ放射が、妨げられることなく放射導管内を通過するようになされ得る。放射導管３００のテーパは、他の放射、特に中間焦点ＩＦに向けて集束されない放射が放射導管の本体に入射するようになされ得る。他の放射とは、例えば、赤外放射であってよい。赤外放射は、レーザＬＡによって放出され、かつ燃料小滴により吸収されずに燃料小滴から散乱または反射される放射であり得る。この放射は、（以下でさらに説明するように）コレクタＣＯによって放射導管３００に向けて回折され得る。赤外放射は、ミラーデバイス２２、２４（またはイルミネータ内の他の構成要素）に損傷を与えるおそれがあるため、回折された赤外放射が放射源ＳＯからイルミネータＩＬ内へ通過するのを防止するかあるいは減少させることが望ましいであろう。
[00059] 図３には、放射源ＳＯの一部がより詳細に概略的に示されている。図３は、プラズマ形成位置２１０、中間焦点ＩＦ、コレクタＣＯ、および放射導管３００を示す。放射導管３００は、中間焦点ＩＦの前方に（例えば、中間焦点に隣接して）配置される。放射導管３００の出口アパーチャは、中間焦点ＩＦの平面内に配置されてもよいし、（図３に概略的に示されているように）中間焦点から離れて配置されてもよい。コレクタＣＯは、例えば、近法線入射コレクタであってよい。コレクタＣＯは、楕円の一部を含む形状を有することができ、この楕円の第１焦点は、プラズマ形成位置２１０であり、楕円の第２焦点は中間焦点ＩＦである。図３に示すコレクタＣＯは、単に概略図であって、この特性を有する楕円形を図示することを意図したものではない。
[00060] プラズマ形成位置２１０でプラズマにより放出されたＥＵＶ放射は、２つの光線Ｂにより概略的に表されている。これらの光線は、コレクタＣＯへと移動し、コレクタＣＯが光線を中間焦点ＩＦに向けて反射する。したがって、コレクタＣＯは、ＥＵＶ放射を集束し、中間焦点ＩＦを介して照明システムＩＬ内へと光線を誘導する。
[00061] コレクタＣＯの表面には、回折格子３０２が設けられている。回折格子３０２は、赤外放射を回折するように構成された振幅二元格子（amplitude binary grating）である。例えば、回折格子３０２は、約１０．６μｍの波長（これは、レーザビーム２０５の波長であってもよい（図２参照））を有する赤外放射を回折するように構成され得る。回折格子３０２は、例えば、１ｍｍ程度の周期を有することができ、したがって、約１０μｍの波長を有する赤外放射の強い回折を提供することができる。回折格子３０２の周期が、（例えば、約１３．５ｎｍであり得る）ＥＵＶ放射の波長より幾桁も大きいため、回折格子はＥＵＶ放射を回折しない。
[00062] 回折格子３０２は、赤外放射を回折させる。図３には、赤外放射の１次および３次回折が光線として概略的に示され、これらの光線は＋１および−１（１次回折）ならびに＋３および−３（３次回折）と表示されている。回折格子３０２の振幅二元性質として、この格子が奇数次数のみにおいて回折を生成し、偶数次数では回折を生成しないようになっている。光線＋１、−１、＋３、−３は、放射導管３００に入射し、中間焦点ＩＦの平面には到達しないが、これらの光線は、中間焦点の平面内での位置を示すために点線で続けられている。概略的に示すように、赤外放射は、中間焦点ＩＦでリングパターン３０４を形成する。
[00063] 放射導管３００は、内側部分３０６および外側部分３０８を備え、内側部分は外側部分よりも中間焦点ＩＦの近くに配置されている。放射導管３００の内側部分３０６は、入射した回折外放射を放射導管の外側部分３０８に向けて反射するように構成されている。放射導管３００の外側部分３０８は、赤外放射を吸収するように構成されている。したがって、例えば、放射導管３００の内側部分３０６に入射した−１次回折の赤外放射のうちかなりの割合が放射導管の外側部分３０８へと反射される。この赤外放射は、続いて、そのかなりの割合が放射導管の外側部分で吸収されるように、放射導管３００の外側部分３０８で何度も反射される。同様に、−３次回折および＋１次回折の赤外放射のうちかなりの割合は、放射導管３００の内側部分３０６から放射導管の外側部分３０８へと反射される。ここでもやはり、この赤外放射は、続いて、そのかなりの割合が放射導管の外側部分で吸収されるように、放射導管３００の外側部分３０８で何度も反射される。本実施形態では、＋３次回折の赤外放射は、放射導管３００の内側部分３０６に入射せずに、放射導管の外側部分３０８に入射する（本実施形態）。＋３次回折の赤外放射は、そのかなりの割合が放射導管の外側部分で吸収されるように、放射導管３００の外側部分３０８で何度も反射される。
[00064] 図３には１次および３次回折のみが示されているが、コレクタＣＯ上に設けられた回折格子３０２により他の回折次数が生成されてもよい。これら他の回折次数も放射導管に入射し得る。一実施形態では、回折された赤外放射の約８０％が１次回折であり、回折された赤外放射の約９％が２次回折であり、回折された赤外放射の約６％が３次回折であり得る。放射導管３００が存在しない場合に中間焦点ＩＦの平面で見られる回折リングの半径は、赤外放射の波長と、回折格子の周期と、コレクタＣＯから中間焦点平面までの光軸ＯＡに沿った距離とに基づいて、単純な三角法により計算することができる。
[00065] 図４は、本発明の一実施形態に係る放射導管と、従来技術の放射導管とを概略的に比較している。図４ａは、従来技術の放射導管４００をコレクタＣＯと共に概略的に示す。コレクタＣＯには、プラズマ形成位置２１０から放出された赤外放射がこのコレクタによって回折されるように構成された回折格子３０２が設けられている。回折された赤外放射は、コレクタＣＯにより中間焦点ＩＦへは誘導されずに、放射導管４００に入射する。赤外放射は、放射導管４００の壁で何度も反射され、それにより赤外放射が放射導管に沿って移動することになる。したがって、赤外放射は、放射導管４００に沿って通過し、放射導管の出口アパーチャから外に出る。赤外放射は、したがって、リソグラフィ装置のイルミネータ内へと通過するおそれがある。これは、前述した理由により望ましくない。
[00066] 図４ｂは、本発明の実施形態の放射導管３００をコレクタＣＯと共に概略的に示す。図３および４ａに示したコレクタと同様に、コレクタＣＯには、プラズマ形成位置２１０から放出された赤外放射がこのコレクタによって回折されるように構成された回折格子３０２が設けられている。回折された赤外放射は、放射導管３００の内側部分３０６に入射する。図４ｂに概略的に示されているように、赤外放射は放射導管３００の内側部分３０６から反射され、放射導管の外側部分３０８へと通過する。赤外放射は、放射導管３００の外側部分３０８内で何度も反射される。このように何度も反射した結果、赤外放射のかなりの割合は、放射導管３００の外側部分３０８により吸収される。放射導管３００の外側部分３０８における赤外放射の所与の光線の反射回数は、１０回より多くてもよく、２０回より多くてもよく、３０回より多くてもよい。
[00067]本発明の実施形態の放射導管３００と従来技術の放射導管４００とを比較して分かるように、本発明の実施形態は、放射導管の出口アパーチャを通過する赤外放射の量を減少させることができる。その結果、リソグラフィ装置１００のイルミネータＩＬ内へと通過する赤外放射の量を減少させることができる。さらに、赤外放射のかなりの量が放射導管３００の外側部分３０８により吸収される。これにより、赤外放射から放射導管に伝達する熱が分散される。対照的に、従来技術の放射導管４００では、赤外放射は、放射導管の出口アパーチャに近づくにつれて、より多く反射され得る。これにより、赤外放射から伝達された熱が放射導管４００の中間焦点ＩＦに近い部分に集中する傾向がある。結果として、放射導管４００の当該部分は、非常に高い温度まで加熱され得る。これにより、放射導管４００の損傷が引き起こされるおそれがある。
[00068] 第２放射導管３０１が放射導管３００に接続されていてもよく、この第２放射導管は、中間焦点ＩＦから外側に向けてテーパをつけられ、リソグラフィ装置のイルミネータ内へと延在している。本実施形態では、第２放射導管３０１は、中間焦点ＩＦの平面内にある入口アパーチャを有し、イルミネータ内にある出口アパーチャに向かってテーパをつけられている。第２放射導管３０１は必須ではない。
[00069] 図３および図４ｂを比較してわかるように、放射導管３００の出口アパーチャは、（図３に示すように）中間焦点平面ＩＦに隣接してもよく、（図４に示すように）中間焦点平面内にあってもよい。どちらの場合も、放射導管３００は中間焦点平面ＩＦの前に配置される。
[00070] 放射導管３００の内側部分３０６は、放射導管の外側部分３０８よりも、赤外放射に対して低い吸収係数を有する材料から形成され得る。例えば、放射導管３００の内側部分３０６は、赤外放射に対して約３％の吸収係数を有し得る銅から形成することができる。例えば、放射導管３００の外側部分３０８は、赤外放射に対して約１５％の吸収係数を有し得るステンレス鋼から形成することができる。放射導管３００の内側部分３０６の主要目的は、赤外放射を放射導管の外側部分３０８に向けて反射させることであるが、その吸収係数は０ではないため、いくらかの赤外放射を吸収することになる。放射導管３００の外側部分３０８の主要目的は、赤外放射を吸収することであるが、約１５％の吸収係数を有するため、赤外放射の多数回の反射が放射導管の外側部分で生じることになる。これら反射の各反射中にエネルギが赤外放射から放射導管３００の外側部分３０８へと伝達されることになる。結果として、赤外放射のエネルギのかなりの部分は、放射導管３００の外側部分３０８へと伝達され得る。赤外放射の中には、放射導管３００から出て放射源ＳＯ内へと戻るものもある。この赤外放射は、放射構造ＳＯの閉鎖構造２２０（図２参照）により吸収され得る。
[00071] 一実施形態では、放射導管３００に入射する赤外放射の約３０％が放射導管の内側部分３０６によって吸収され、約３０％が放射導管の外側部分３０８に吸収され得る。放射導管３００に入射した赤外放射の約３３％が放射導管から出て、放射源ＳＯ内へと戻り、閉鎖構造２２０により吸収され得る。放射導管３００に入射する赤外放射の約７％は、中間焦点ＩＦを通過してイルミネータＩＬ内へ入り得る。
[00072] 放射導管の内側部分が赤外放射に対して比較的低い吸収係数（例えば、３％）を有することを考えれば、放射導管の内側部分３０６により吸収される赤外放射の量は高く見えるかもしれない。この比較的高い量は、回折された赤外放射の大半が１次回折にあり、この１次回折が最初に放射導管３０６の内側部分に入射するという事実に起因するものである。
[00073] 図５は、本発明の一実施形態に係る放射導管３００をより詳細に概略的に示している。図５からわかるように、放射導管３００の内側部分３０６は、第１周期構造３１０を備える。第１周期構造は赤外放射を放射導管の外側部分３０８に向けて反射するように構成されているため、以降、第１周期構造を反射構造３１０と呼ぶ。図５では、反射構造３１０の４つの周期のみが示されているが、これは単に概略図であり、実際には５つ以上の反射構造が設けられてもよい。例えば、反射構造３１０の１０個以上の周期を設けてもよい。反射構造３１０は必ずしも周期的である必要はない。
[00074] 放射導管３００の外側部分３０８は、第２構造３１２を含む。第２構造は赤外放射を吸収するように構成されるため、以降、第２構造を吸収構造３１２と呼ぶ。図５では、吸収構造３１２の７つのリッジ（ridge）のみが示されているが、これは単に概略図であり、実際には吸収構造の８つ以上のリッジが設けられてもよい。例えば、吸収構造３１２の１０個以上のリッジ、または２０個以上のリッジを設けてもよい。リッジは、周期的になるように、等しい厚さおよび等しい間隔を有し得る。あるいは、リッジは、異なる厚さおよび／または異なる間隔を有していてもよい。
[00075] 吸収構造３１２は、反射構造３１０から反射された赤外放射の光線が、通常、放射導管３００を出る前に吸収構造３１２内で複数回反射されるように構成される。吸収構造３１２は、複数のリッジ３１４の形状を成すことができる。リッジ３１４は、中間焦点ＩＦから離れる方向に向けて角度付けられ得る。リッジは、これらリッジ間にスペース３１６を画定する。赤外放射は、スペース３１６に入射し、このスペース内で何度も反射され得る。リッジは、例えば、光軸ＯＡに対して約６０°の角度を成すことができる。使用可能な吸収構造の一例は、参照することにより本明細書に組み込まれる２０１１年１月２５日に出願された米国特許仮出願番号第６１／４３５，８４６号に記載されている。
[00076] 上述したように、反射構造３１０は、入射した赤外放射を吸収構造に向けて反射するように構成される。反射構造３１０は、入射した赤外放射を吸収構造３１２に向けて反射するように向けられた一連の面３１８を含む。面３１８は接続部３２０により接続されている。
[00077] 反射構造３１０は、入射した赤外放射の完全な（つまり１００％の）反射は提供しない。同様に、吸収構造３１２は、入射した放射の完全な（つまり１００％の）吸収は提供しない。反射構造３１０は、入射した回折赤外放射のうち５０％より多い赤外放射を反射することができる。吸収構造３１２は、反射構造３１０により当該吸収構造３１２上に反射された赤外放射のうち５０％よりも多い赤外放射を吸収することができる。
[00078] 反射構造３１０は、周期的なものとして言及してきたが、反射構造は必ずしも周期的である必要はない。反射構造の異なる面３１８の間には、異なる間隔が設けられてもよい。
[00079] 図５では、面３１８は２次元であるが、図５は単に３次元の物体の概略図であることが理解されよう。面３１８は、光軸ＯＡに対して略横断する方向に放射導管の内側に周設されている。面３１８は、一般に環状形を有する。
[00080] 図６は、反射構造３１０の１つの面３１８および１つの接続部３２０を示す。また、図６には、放射導管３００のテーパ角度を表す点線３２２も示されている。図５を参照すると、点線３２２は、放射導管３００の構造体の最も内側の端部に接触している。放射導管３００のテーパ角度は、所望の立体角内でコレクタＣＯにより集光および集束されたＥＵＶ放射が、妨げられることなく放射導管を通過し、中間焦点ＩＦに至ることができるように選択される。一実施形態では、放射導管３００のテーパ角度αは、放射源の光軸ＯＡに対して約１４°とすることができる。
[00081] 図３に関連して前述したように、コレクタＣＯにより回折された赤外放射は、放射導管３００に入射することになる。図３から理解されるように、所与の赤外放射回折次数が放射導管に入射する際の放射導管３００に沿った位置は、変動することになる。例えば、−１次回折は、中間焦点ＩＦの最も近くで放射導管３００に入射する。−３次回折は、中間焦点ＩＦからより離れて放射導管３００に入射し、＋１および＋３次回折は、順次、中間焦点からさらに離れて放射導管３００に入射する。赤外放射の波長が分かっている（例えば、１０．６μｍ）実施形態では、所与のコレクタＣＯおよびコレクタ回折格子３０２に対して、中間焦点ＩＦでの回折リングパターンの大きさを計算することができる。したがって、放射導管３００の所与の向きおよび位置に対して、赤外放射回折次数が放射導管に入射する位置が計算され得る。同様に、放射導管３００に入射する際の赤外放射回折次数の向きも計算され得る。これにより、入射した赤外放射を吸収構造３１２に誘導する（または入射した赤外放射のかなりの割合を吸収構造に誘導する）ことになる放射導管３００の面３１８の向きを決定する計算が可能になる。この計算の実行を可能にする利用可能な解析的方程式がない場合もあるが、計算は従来の方法でモデリングソフトウェアを使用して実行することができる。
[00082] 面３１８の性能は、その向きに部分的に左右される。図６を参照すると、放射導管の向きに対して面３１８が成す角度θが示されている。角度θが小さい（例えば、約２０°）場合、面３１８は、入射した赤外放射のかなりの量を放射導管３００の外側部分３０８に向けて反射しない。その代わり、赤外放射は放射導管の内側部分３０６内にとどまる。これにより、赤外放射の大部分が内側部分に残ることになるため、放射導管の内側部分３０６に望ましくない量の加熱が生じるおそれがある。逆に、角度θが大き過ぎる（例えば約７５°）場合、面３１８は、入射した赤外放射を放射導管３００の外側部分３０８に向けて反射せずに、入射した赤外放射を放射導管の外へと反射することになる。一般に角度θが中間値を有する場合、いくらかの赤外放射は放射導管３００の内側部分３０６内にとどまり、いくらかの赤外放射は外側部分３０８へと反射され、いくらかの放射は放射導管の外に反射される。これらの３つの可能性の間で放射が分割される程度は、角度θに依存することになる。
[00083] 一実施形態では、角度θは、中間焦点ＩＦの平面からの距離に応じて変動し得る。使用可能な角度変動の一例を図７に示す。図７から分かるように、角度θは、中間焦点ＩＦの平面近くでは、約５９．５°で一定である。角度θは、中間焦点ＩＦの平面からの距離が大きくなるにつれて次第にゆるやかになる増加率で、約６９°の最大角度まで増加する。この最大角度は、中間焦点ＩＦの平面から約５５ｍｍで生じる。中間焦点ＩＦの平面からの距離がさらに大きくなると、次第に角度θは減少し、中間焦点の平面からの距離が１００ｍｍで約６７°まで低下する（本実施形態では、これが放射導管の内側部分３０６の終端である）。
[00084] 図７に示す角度θまたは同様の角度は、放射源の光軸ＯＡに対して約１４°の角度αを成す放射導管３００に使用することができる。放射導管３００は、例えば、８０〜１００ｍｍの長さの内側部分を有し、例えば３００〜４００ｍｍの間の外側部分を有し得る。放射導管３００の入口アパーチャは、約４００ｍｍの直径を有し、放射導管の出口は約６ｍｍの直径を有し得る。図７に示す角度θをこれらの特性を有する放射導管３００に使用すると、反射構造３１０の面３１８は、放射導管の入口アパーチャ上または入口アパーチャより前方にある、放射導管の外側部分の一部に向けて赤外放射を誘導することができる。
[00085] 実際には、製造公差、表面粗さ、およびリソグラフィ装置の動作中のＳｎ堆積により、面３１８は、入射した赤外放射の完全反射は提供しない。したがって、入射した赤外放射は、ある範囲の角度にわたってそれらの面から反射され得る。よって、赤外放射が移動した経路は、面３１８が完璧に製造された場合に移動するであろう経路からは逸れることもある。この理由により、中間焦点ＩＦの平面からの距離に応じて角度θを変動することで得られる利点は限定され得る。
[00086] 一実施形態では、角度θは一定であってもよい（つまり、角度θは中間焦点ＩＦの平面からの距離に応じて変動しない）。角度θは、例えば、７０°未満、６５°未満、または６０°以下とすることができる。６５°未満（または６０°以下）の角度は、入射した赤外放射が直接放射導管３００の外へと反射される可能性を減少させるという点で有利であると言える。角度θは、例えば、５０°より大きくてもよく、または５５°より大きくてもよい。これらの角度範囲は、放射導管３００が光軸ＯＡに対して約１４°の角度αを成すときに適用することができる。放射導管３００が光軸ＯＡに対して成す角度が変更された場合は、角度θにも対応した変更が適用され得る。中間焦点ＩＦの平面からの距離に応じて角度θを一定に維持する利点としては、放射導管３００の製造がより容易になることが挙げられる（角度θが変動する反射構造３１０を製造するのは難しい場合もある。）
[00087] 反射構造３１０の面３１８の向きは、例えば、所与の放射源形状に対して、＋１次回折および−１次回折の赤外放射の大部分が反射構造３１０により放射導管の外側部分３０８へと反射されるように選択され得る。反射構造３１０の面３１８の向きは、赤外放射の平均入射角に基づいて選択され得る。
[00088] 再び図６を参照すると、放射導管のテーパ角度３２２に対して面３１８が成す角度θは、６０°であってよい。接続部３２０は、面３１８に対して垂直であってよい。その場合、接続部３２０は、放射導管のテーパ角度３２２に対して３０°の角度φを成すことができる。接続部３２０は必ずしも面３１８に対して垂直である必要はない（ただし、垂直であることで、望ましい面の角度をより直接的に計算することが可能になり得る。）接続部３２０は、面３１８に対して他のいくつかの角度を成し得る。
[00089] 面３１８は、例えば、約２ｍｍの長さを有してもよく、または他の好適な長さを有してもよい。接続部３２０は、例えば、約３．５ｍｍの長さを有してもよく、または他の好適な長さを有してもよい。
[00090] 放射導管３００の外側部分３０８は、例えば、放射導管の内側部分３０６よりも少なくとも２倍長くてもよい。放射導管３００の外側部分３０８は、例えば、放射導管の内側部分の少なくとも４倍長くてもよい。
[00091] 図８は、本発明の代替的な実施形態を概略的に示す。本発明の代替的な実施形態は、放射導管３００ａの外側部分３０８が、単一の吸収構造ではなく、２つの異なる吸収構造３１２ａ、３１３を含む点を除いて、図５に示す実施形態と一致している。第１吸収構造３１２ａは、放射導管３００ａの外側部分３０８の外側に設けられている。この第１吸収構造３１２ａは、図５に関連して上述した吸収構造３１２と一致し得る。第１吸収構造３１２ａは、中間焦点ＩＦから離れる方向に角度付けられた複数のリッジを備え、これらのリッジは、赤外放射が入射する空間を画定する。リッジは、例えば、光軸ＯＡに対して約６０°の角度を成すことができる。
[00092] 第２吸収構造３１３は、内側部分３０６から反射された赤外放射を受光するように向けられ、かつ放射導管内を横切って赤外放射を反射させる複数の面を備え得る。例えば、第２吸収構造３１３の面は、内側部分３０６から反射された赤外放射を受光し、かつこの光を光軸ＯＡに対して略垂直な方向に反射させるように向けられ得る。第２吸収構造３１３は、放射導管内を横切って反射された赤外放射を多重交差（multiple crossings）（例えば、１０回以上の交差、２０回以上の交差、または３０回以上の交差）させるように構成され得る。各交差の後、赤外放射は、第２吸収構造３１３上の異なる位置に入射することができる。結果として、赤外放射から第２吸収構造３１３上のさまざまな異なる位置へと熱を伝達させることができ、これにより第２吸収構造全体にわたって熱を分散させることができる。これにより、吸収構造の特定の位置に熱負荷を集中させないという利点を提供することができる（そのため、局所化された熱負荷により生じ得る材料応力が減少する）。
[00093]第２吸収構造３１３は、鋸歯形状を有することができ、第１角度に向けられた複数の反射面３３０を備えてよく、複数の反射面３３０は、第２角度に向けられた複数の反射面３３２と交互に配置されている。第１角度に向けられた反射面３３０は、第２角度に向けられた反射面３３２よりも長く、以降、長い面３３０と呼ぶ。第２角度に向けられた反射面３３２は、以降、短い面３３２と呼ぶ。
[00094] 長い面３３０および短い面３３２を図９に示す。短い面３３２は、放射導管３００ａの内側部分３０６から反射された放射が（図８参照）が当該短い面に入射し、かつ放射が当該短い面により放射導管内を横切って反射されるように向けられる。長い面３３０は、短い面３３２に対して略垂直であり、その結果、長い面と短い面との組み合わせが、長い面または短い面に入射する前に放射導管内を横切って移動してきた放射（例えば、光軸ＯＡにほぼ垂直な放射）に対するレトロリフレクタとして作用する。したがって、長い面３３０および短い面３３２は、赤外放射が放射導管内を横切って何度も通過するように誘導するべく構成される。赤外放射が面３３０、３３２から反射されるたびに、エネルギが赤外放射から放射導管へと伝達されるため、赤外放射が放射導管内を横切って何度も通過することにより、放射導管が赤外放射からエネルギを吸収することが可能になる。
[00095] 一実施形態では、長い面３３０は、放射導管のテーパ３２２に対して約１７°の角度θを成し得る。短い面３３２は、放射導管のテーパ３２２に対して約７３°の角度φを成し得る。短い面３３２は、長い面３３０に対して約９０°の角度を成し得る。本実施形態は、例えば、放射導管のテーパ３２２に対して放射導管３００の内側部分３０６の面３１８が６１°に向けられている場合（図５参照）に利用することができる。
[00096] 第２吸収構造３１３は、放射導管内を横切る赤外放射の多重交差を促進するように設計された向きを有する面３３０、３３２を有し得る。短い面３３２の向きは、放射導管３００の内側部分３０６から第２吸収構造３１３に向けて反射される赤外放射の向きを考慮して、幾何学を使って決定することができる。長い面３３０は、短い面３３２に対して直角に設けられ、長い面と短い面の組み合わせが放射導管内を横切って移動してきた入射放射に対してレトロリフレクタとして作用することを可能とし得る。
[00097] 長い面３３０は、例えば、数ミリメートルの長さであってよい。
[00098] 短い面３３２は、例えば、放射導管のテーパ３２２に対して８０°未満の角度φを成すことができる。短い面３３２は、例えば、放射導管のテーパ３２２に対して、６５°より大きい角度φを成してもよい。上述したように、角度φは、短い面３３２が、内側部分３０６から受光した放射を、放射導管内を横切って誘導するように選択され得る。
[00099] 内側部分３０６の面３１８の向きおよび外側部分３０８の短い面３３２の向きは、前述した幾何学的検討を利用して、放射導管３００に入射する赤外放射の入射角により（放射導管のテーパ角度を考慮に入れて）完全に決定することができる。
[000100] 図８には、第２吸収構造３１３の４つの周期のみが示されているが、第２吸収構造は、あらゆる好適な数の周期を有し得る。例えば、第２吸収構造は、１０以上の周期を有してもよいし、２０以上の周期を有してもよい。
[000101] 図８に示すタイプの放射導管３００ａを使用する場合、放射導管の内側部分３０６の面の向きは、回折された赤外放射を第１吸収構造３１２ａではなく第２吸収構造３１３に向けて反射するように向けられ得る。第１吸収構造３１２ａは、第２吸収構造３１３から反射された後の赤外放射を受光し得る。第１吸収構造３１２ａに到達するときの赤外放射の強度は、内側部分３０６から直接第１の吸収構造へと反射された場合よりも小さくなる。このことは、第１吸収構造３１２ａに加えられる熱負荷を低減し、それにより第１吸収構造で生じる熱の問題を回避することができるため、有利であろう（第１吸収構造の形状は、放射が局所領域内で数回反射するように放射を捕捉する傾向があるため、構造内の特定の位置に熱を集中させることがある）。
[000102] 一実施形態では、放射導管から第１吸収構造３１２ａが省略されてもよい。その場合、放射導管は、反射構造を有する内側部分３０６および第２吸収構造３１３を有する外側部分を備えてもよい。
[000103] 前述したように、本発明の実施形態により提供される利点は、赤外放射から中間焦点ＩＦの平面に近い放射導管へと伝達される熱の量を減少させることである。この位置において熱伝達が減少した結果得られる利点は、低容量の冷却装置を使って放射導管３００、３００ａを冷却することができることである。
[000104] 結果的に得られるさらなる利点は、動的ガスロックが設けられ得る位置に伝達される熱が少なくなることである。動的ガスロックは、放射源ＳＯ内にガスを誘導するように構成された１つ以上のガス源を備えることができ（図２参照）、このガスの流れは、放射源からイルミネータＩＬへとコンタミが通過するのを抑制するように構成される。動的ガスロックの温度を下げることで、効率をあげることができ、これによりガス流を使用したコンタミ抑制の望ましいレベルを得るのに必要なポンプ容量を小さくすることができる。
[000105] 放射導管３００、３００ａの内側部分３０６から外側部分３０８へと反射される赤外放射を吸収することに加えて、吸収構造３１２、３１２ａ、３１３は、コレクタから放射導管へと直接通過した赤外放射も吸収することができる。さらに、吸収構造３１２、３１２ａ、３１３は、コレクタにより中間焦点ＩＦに向けて集束されなかったＥＵＶ放射も吸収することができる。
[000106] 放射導管３００は、放射源内の赤外放射に対するヒートシンクとして作用し得る。
[000107] 放射導管は、能動冷却システムにより冷却され得る。能動冷却システムは、例えば、水ベースの冷却システムを備えることができる。
[000108] 反射構造３１０の面３１８の向きは、例えば、所与の放射源形状に対して、＋１回折次数および−１回折次数の赤外放射の大部分が反射構造３１０により放射導管の外側部分３０８へと反射されるように選択され得る。
[000109] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[000110] 一実施形態では、レーザＬＡは、放射源ＳＯとは別個で設けられてもよい。レーザＬＡは、放射源がレーザにより放出されたレーザビームを受光するように放射源ＳＯに接続することができる。
[000111] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[000112] 「ＥＵＶ放射」という用語は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３〜１４ｎｍの範囲内、または例えば６．７ｎｍや６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含するものとみなしてよい。
[000113] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (15)

  1. レーザビームによって蒸発させてプラズマを形成するために燃料をプラズマ放出位置に供給する燃料源と、
    前記プラズマにより放出されたＥＵＶ放射を集光し、かつ中間焦点に向けて誘導するコレクタであって、さらに、前記プラズマにより放出された赤外放射を回折する回折格子を備えるコレクタと、
    前記中間焦点の前に配置された放射導管であって、当該放射導管は、内側に向けてテーパをつけられた本体により出口アパーチャと接続された入口アパーチャを備え、当該放射導管は内側部分および外側部分を備え、前記内側部分が前記外側部分よりも前記中間焦点に近く、前記内側部分が、入射した回折赤外放射を前記外側部分に向けて反射する、放射導管と、
    を備える、放射源。
  2. 前記内側部分が反射構造を備え、前記外側部分が吸収構造を備える、請求項１に記載の放射源。
  3. 前記内側部分が、入射した回折赤外放射を前記外側部分に向けて反射するように向けられた複数の面を備える、請求項１に記載の放射源。
  4. 前記複数の面が、入射した１次回折赤外放射を前記外側部分に向けて反射するように向けられる、請求項３に記載の放射源。
  5. 前記複数の面のうち少なくともいくつかが前記放射導管のテーパ角度に対して７０°未満の角度を成す、請求項３または４に記載の放射源。
  6. 前記複数の面のうち少なくともいくつかが前記放射導管のテーパ角度に対して６１°以下の角度を成す、請求項４に記載の放射源。
  7. 前記複数の面が、前記放射源の光軸に対して略横断する方向に前記放射導管の内側に周設される、請求項３〜６のいずれか１項に記載の放射源。
  8. 前記外側部分が、前記中間焦点から離れる方向に角度付けられた複数のリッジを備える、先行する請求項のいずれか１項に記載の放射源。
  9. 前記外側部分が第１吸収構造および第２吸収構造を備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射源。
  10. 前記第２吸収構造が前記放射導管の前記内側部分から反射された赤外放射を受光し、かつ、前記放射導管内を横切って赤外放射を反射する複数の面を備える、請求項９に記載の放射源。
  11. 前記第２吸収構造が鋸歯形状を有する、請求項９または１０に記載の放射源。
  12. 前記第２吸収構造が、互いに略垂直であり、かつ前記放射導管内を横切って移動してきた赤外放射を再起反射させるように向けられた複数の面を備える、請求項１１に記載の放射源。
  13. 前記第１吸収構造が、前記中間焦点から離れる方向に角度付けられた複数のリッジを備える、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の放射源。
  14. レーザビームによって蒸発させてプラズマを形成するために燃料をプラズマ放出位置に供給する燃料源と、
    前記プラズマにより放出されたＥＵＶ放射を集光し、かつ中間焦点に向けて誘導するコレクタであって、さらに、前記プラズマにより放出された赤外放射を回折する回折格子を備えるコレクタと、
    前記中間焦点の前に配置された放射導管であって、当該放射導管は、内側に向けてテーパをつけられた本体により出口アパーチャと接続された入口アパーチャを備え、当該放射導管は内側部分および外側部分を備え、前記内側部分が前記外側部分よりも前記中間焦点に近く、前記内側部分が反射構造を備え、前記外側部分が吸収構造を備える、放射導管と、
    を備える、放射源。
  15. 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の放射源と、
    放射ビームを調整する照明システムと、
    パターニングデバイスを支持するサポートであって、前記パターニングデバイスが前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、サポートと、
    基板を保持する基板テーブルと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
    を備える、リソグラフィ装置。
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